JPH04247343A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、光記録ディスクに関す
る。 【０００２】 【従来の技術】光記録ディスクは、基板上に記録層を設
層して構成され、その記録・再生に際しては、通常、基
板側からレーザビーム等を照射する。このため、用いる
基板は透明なもの、例えば、ガラスや樹脂等から構成さ
れる。このような場合、ディスクの軽量化や、トラッキ
ング用のグルーブやピット形成の容易さの点から、従来
光記録ディスクの基板としては樹脂製の基板が用いられ
ており、特に、ポリメチルメタクリレートとポリカーボ
ネートが汎用されている。 【０００３】このうち、ポリメチルメタクリレートは光
弾性係数が小さく、複屈折が非常に小さいため、すぐれ
た光学特性をもっているが、吸水率が高く、耐熱性も低
いため、寸法安定性の面で劣っている。このため、吸水
率が小さく、耐熱性が比較的高いポリカーボネートが多
用されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、ポリカーボネ
ートは、光弾性係数が大きく、高分子鎖が流動方向に配
向しやすく、複屈折が大きくなりやすい。特に、近年、
より一層の高密度記録化や高転送レート化のため、２０
０ｍｍ以上の直径の大径ディスクを用い、これを１８０
０ｒｐｍ　以上の高速回転で記録再生を行なうことが試
みられているが、このような大径サイズでは、射出成形
時に複屈折が生じ、しかも高速回転時の応力の印加によ
って複屈折がより一層大きくなってしまい、記録再生出
力が低下してしまう。 【０００５】また、吸水率も十分小さいものではなく、
大径サイズでは変形が大きい。しかも、塗布型の記録層
を設層するときには耐溶剤性の点で不十分である。 【０００６】本発明の主たる目的は、大径サイズにて高
速回転で使用しても、十分な出力やＣ／Ｎが得られ、寸
法安定性や耐溶剤性にすぐれた樹脂基板を用いた光記録
ディスクを提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）の本発明によって達成される。 【０００８】（１）エチレンと下記化２で表わされる環
状オレフィンとを共重合した環状ポリオレフィンの１種
以上を含む樹脂製の２００ｍｍ以上の直径の基板上に記
録層を設け、１８００ｒｐｍ　以上の回転数にて記録再
生を行うことを特徴とする光記録媒体。 【０００９】 【化２】 【００１０】（２）前記基板は、前記環状ポリオレフィ
ンを射出成形したものである上記（１）に記載の光記録
媒体。 【００１１】（３）前記基板は記録層側表層部に、熱軟
化点１４０℃以下のスキン層を有する上記（１）または
（２）に記載の光記録媒体。 【００１２】（４）前記熱軟化点が１００〜１４０℃で
ある上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光記録
媒体。 【００１３】（５）前記基板は、前記スキン層の熱軟化
点と、この熱軟化点より１０℃以上高い第２の熱軟化点
とを有する上記（３）または（４）に記載の光記録媒体
。 【００１４】（６）前記記録層が色素を含有し、この記
録層上に反射層を有する上記（１）ないし（５）のいず
れかに記載の光記録媒体。 【００１５】（７）前記記録層は前記基板上に直接また
は下地層を介して設層されており、前記記録層または下
地層は気相成膜法により形成されている上記（１）ない
し（５）のいずれかに記載の光記録媒体。 【００１６】 【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。 【００１７】本発明における基板材質には、エチレンと
を前記化２で表わされる環状オレフィンとを共重合した
環状ポリオレフィンの１種以上を共重合した環状ポリオ
レフィンを用いる。 【００１８】前記化２で表わされる環状オレフィンは、
シクロペンタジエン類とこれに相応するオレフィン類と
をディールス・アルダー反応で縮合させて合成すればよ
い。 【００１９】化２で表わされる環状オレフィンとして具
体的には、テトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン（１、４、５、８−ジメタノ
−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロ
ナフタレン）、２−メチル−１、４、５、８−ジメタノ
−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロ
ナフタレン、２−エチル−１、４、５、８−ジメタノ−
１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２−プロピル−１、４、５、８−ジメタノ−
１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２−ヘキシル−１、４、５、８−ジメタノ−
１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２、３−ジメチル−１、４、５、８−ジメタ
ノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒド
ロナフタレン、２−メチル−３−エチル−１、４、５、
８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−
オクタヒドロナフタレン、２−クロロ−１、４、５、８
−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オ
クタヒドロナフタレン、２−ブロモ−１、４、５、８−
ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オク
タヒドロナフタレン、２−フルオロ−１、４、５、８−
ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オク
タヒドロナフタレン、２、３−ジクロロ−１、４、５、
８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−
オクタヒドロナフタレン、２−シクロヘキシル−１、４
、５、８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、
８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−ｎ−ブチル−−１
、４、５、８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、
８、８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−イソブチル−
１、４、５、８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５
、８、８ａ−オクタヒドロナフタレンなどのオクタヒド
ロナフタレン類などの化合物を挙げることができる。 【００２０】さらに、化２で表わされる環状オレフィン
の例としては、以下に記載する化合物を挙げることがで
きる。 ビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、６−メチル
ビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、５、６−ジ
メチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、１−
メチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、６−
エチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、６−
ｎ−ブチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、
６−イソブチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エ
ン、７−メチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エ
ン、などのようなビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−
エン誘導体； テトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］
−３−ドデセン、５、１０−ジメチルテトラシクロ［４
、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、
２、１０−ジメチルテトラシクロ［４、４、０、１２、
５　、１７、１０］−３−ドデセン、１１、１２−ジメ
チルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１
０］−３−ドデセン、２、７、９−トリメチルテトラシ
クロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ド
デセン、９−エチル−２、７−ジメチルテトラシクロ［
４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン
、９−イソブチル−２、７−ジメチルテトラシクロ［４
、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、
９、１１、１２−トリメチルテトラシクロ［４、４、０
、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、９−エチ
ル−１１、１２−ジメチルテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、９−イソブ
チル−１１、１２−ジメチルテトラシクロ［４、４、０
、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、５、８、
９、１０−テトラメチルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−メチルテ
トラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−
３−ドデセン、８−エチルテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−プロピ
ルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０
］−３−ドデセン、８−ヘキシルテトラシクロ［４、４
、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−
ステアリルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン、８、９−ジメチルテトラシ
クロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ド
デセン、８−メチル−９−エチルテトラシクロ［４、４
、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−
クロロテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、
１０］−３−ドデセン、８−ブロモテトラシクロ［４、
４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８
−フルオロテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン、８、９−ジクロロテトラシ
クロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ド
デセン、８−シクロヘキシルテトラシクロ［４、４、０
、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソ
ブチルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、
１０］−３−ドデセン、８−ブチルテトラシクロ［４、
４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８
−エチリデンテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、
１７、１０］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−メ
チルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１
０］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−エチルテト
ラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３
−ドデセン、８−エチリデン−９−イソプロピルテトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン、８−エチリデン−９−ブチルテトラシクロ［
４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン
、８−ｎ−プロピリデンテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ｎ−プロ
ピリデン−９−メチルテトラシクロ［４、４、０、１２
、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピ
リデン−９−エチルテトラシクロ［４、４、０、１２、
５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピリ
デン−９−イソプロピルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ｎ−プロ
ピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４、４、０、１２
、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソプロピ
リデンテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、
１０］−３−ドデセン、８−イソプロピリデン−９−メ
チルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１
０］−３−ドデセン、８−イソプロピリデン−９−エチ
ルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０
］−３−ドデセン、８−イソプロピリデン−９−イソプ
ロピルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、
１０］−３−ドデセン、８−イソプロピリデン−９−ブ
チルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１
０］−３−ドデセン、などのテトラシクロ［４、４、０
、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン誘導体；ヘ
キサシクロ［６、６、１、１３、６　、１１０、１３　
、０２、７　、０９、１４］−４−ヘプタデセン、１２
−メチルヘキサシクロ［６、６、１、１３、６　、１１
０、１３　、０２、７　、０９、１４］−４−ヘプタデ
セン、１２−エチルヘキサシクロ［６、６、１、１３、
６　、１１０、１３　、０２、７　、０９、１４］−４
−ヘプタデセン、１２−イソブチルヘキサシクロ［６、
６、１、１３、６　、１１０、１３　、０２、７　、０
９、１４］−４−ヘプタデセン、１、６、１０−トリメ
チル−１２−イソブチルヘキサシクロ［６、６、１、１
３、６　、１１０、１３　、０２、７　、０９、１４］
−４−ヘプタデセン、などのヘキサシクロ［６、６、１
、１３、６　、１１０、１３　、０２、７　、０９、１
４］−４−ヘプタデセン誘導体； オクタシクロ［８、８、０、１２、９　、１４、７　、
１１１、１８　、１１３、１６　、０３、８　、０１２
、１７　］−５−ドコセン、１５−メチルオクタシクロ
［８、８、０、１２、９　、１４、７　、１１１、１８
、１１３、１６　、０３、８　、０１２、１７］−５−
ドコセン、１５−エチルオクタシクロ［８、８、０、１
２、９　、１４、７　、１１１、１８　、１１３、１６
　、０３、８　、０１２、１７　］−５−ドコセン、な
どのオクタシクロ［８、８、０、１２、９　、１４、７
　、１１１、１８　、１１３、１６　、０３、８　、０
１２、１７　］−５−ドコセン誘導体；ペンタシクロ［
６、６、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−
４−ヘキサデセン、１、３−ジメチルペンタシクロ［６
、６、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４
−ヘキサデセン、１、６−ジメチルペンタシクロ［６、
６、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４−
ヘキサデセン、１５、１６−ジメチルペンタシクロ［６
、６、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４
−ヘキサデセン、などのペンタシクロ［６、６、１、１
３、６　、０２、７　、０９、１４］−４−ヘキサデセ
ン誘導体； ヘプタシクロ［８、７、０、１２、９　、１４、７　、
１１１、１７　、０３、８　、０１２、１６　］−５−
イコセン、ヘプタシクロ［８、７、０、１２、９　、１
４、７　、１１１、１７　、０３、８　、０１２、１６
　］−５−ヘンエイコセン、などのヘプタシクロ−５−
イコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−５−ヘンエイコ
セン誘導体； トリシクロ［４、３、０、１２、５　］−３−デセン、
２−メチルトリシクロ［４、３、０、１２、５　］−３
−デセン、５−メチル−トリシクロ［４、３、０、１２
、５　］−３−デセン、などのトリシクロ［４、３、０
、１２、５　］−３−デセン誘導体； トリシクロ［４、４、０、１２、５　］−３−ウンデセ
ン、１０−メチル−トリシクロ［４、４、０、１２、５
　］−３−ウンデセン、などのトリシクロ［４、４、０
、１２、５　］−３−ウンデセン誘導体； ペンタシクロ［６、５、１、１３、６　、０２、７　、
０９、１３］−４−ペンタデセン、１、３−ジメチル−
ペンタシクロ［６、５、１、１３、６　、０２、７　、
０９、１３］−４−ペンタデセン、１、６−ジメチルペ
ンタシクロ［６、５、１、１３、６　、０２、７　、０
９、１３］−４−ペンタデセン、１４、１５−ジメチル
ペンタシクロ［６、５、１、１３、６、０２、７　、０
９、１３］−４−ペンタデセン、などのペンタシクロ［
６、５、１、１３、６　、０２、７　、０９、１３］−
４−ペンタデセン誘導体； ペンタシクロ［６、５、１、１３、６　、０２、７　、
０９、１３］−４、１０−ペンタデカジエン誘導体；ペ
ンタシクロ［４、７、０、１２、５　、０８、１３、０
９、１２］−３−ペンタデセン、メチル置換ペンタシク
ロ［４、７、０、１２、５　、０８、１３、０９、１２
］−３−ペンタデセン、などのペンタシクロ［４、７、
０、１２、５　、０８、１３、０９、１２］−３−ペン
タデセン誘導体；ヘプタシクロ［７、８、０、１３、６
　、０２、７　、１１０、１７　、０１１、１６　、１
１２、１５　］−４−エイコセン、ジメチル置換ヘプタ
シクロ［７、８、０、１３、６　、０２、７　、１１０
、１７　、０１１、１６　、１１２、１５　］−４−エ
イコセン、などのヘプタシクロ［７、８、０、１３、６
　、０２、７　、１１０、１７　、０１１、１６　、１
１２、１５　］−４−エイコセン誘導体； ノナシクロ［９、１０、１、１４、７　、０３、８　、
０２、１０、０１２、２１　、１１３、２０　、０１４
、１９　、１１５、１８　］−５−ペンタコセン、トリ
メチル置換ノナシクロ［９、１０、１、１４、７　、０
３、８　、０２、１０、０１２、２１　、０１３、２０
　、０１４、１９　、１１５、１８　］−５−ペンタコ
セン、などのノナシクロ［９、１０、１、１４、７　、
０３、８　、０２、１０、０１２、２１　、０１３、２
０　、０１４、１９　、１１５、１８］−５−ペンタコ
セン誘導体。 【００２１】本発明における環状ポリオレフィンは、エ
チレンと前記化２で表わされる環状オレフィンを必須成
分とするものであるが、この他、必要に応じて他の共重
合可能な不飽和単量体成分を含有させてもよい。例えば
プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、
１−ヘキセン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラ
デセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エ
イコセンなどの炭素原子数が３〜２０のα−オレフィン
などを挙げることができる。 【００２２】これら環状ポリオレフィンの１種または２
種以上を用いて、後述の熱軟化点Ｔ２　が後述の値とな
るようにすることが好ましい。このような１種以上の環
状オレフィン共重合体は、特開昭６０−１６８７０８号
公報、特開昭６１−１２０８１６号公報、特開昭６１−
１１５９１２号公報、特開昭６１−１１５９１６号公報
、特願昭６１−９５９０５号公報、特願昭６１−９０９
０６号公報、特開昭６１−２７１３０８号公報、特開昭
６１−２７２２１６号公報などの方法に従い適宜条件を
選択することにより、製造することができる。 【００２３】また、環状オレフィンのランダム共重合体
とともに、上述の化２で表わされる環状オレフィンが開
環重合することにより形成される繰り返し単位を含む重
合体、もしくは共重合体が含まれていてもよく、さらに
、この繰り返し単位を水添することにより形成される繰
り返し単位を含む重合体あるいは共重合体が含まれてい
てもよい。 【００２４】さらに、これらには酸化防止剤や安定剤が
含有されていてもよい。 【００２５】このような環状ポリオレフィンを用いた基
板は２００ｍｍ以上の直径をもつものである。２００ｍ
ｍ未満の直径では、最適成形条件で射出成形したときの
ポリカーボネートと大差はなく、本発明の出力向上およ
びノイズ低減効果は顕在化しない。 【００２６】他方、本発明のように、２００ｍｍ以上の
大径サイズでは２〜５ｄＢ以上のＣ／Ｎ向上効果とノイ
ズ低減効果が得られる。なお、基板直径の上限について
は特に制限はないが、通常３８０ｍｍ程度以下とする。 【００２７】また、厚さは１．０〜１．５ｍｍ程度とす
る。なお、基板表面には、グルーブやピット等のプレフ
ォーマット情報等のパターンが形成されていてもよい。 また、基板には、ハブが一体化されていてもよい。ハブ
には、割れやクラック防止のため、ガラス繊維を混入す
ることが好ましい。 【００２８】このような基板は、記録光および再生光（
６００〜９００ｎｍ程度、特に７００〜８００ｎｍ程度
の半導体レーザー光、特に７８０ｎｍ）に対し、実質的
に透明（好ましくは透過率８０％以上）である。これに
より、基板裏面側からの記録および再生が可能となる。 【００２９】このような基板の記録層設層側の表層部に
はスキン層が存在し、このスキン層の熱軟化点は、１４
０℃以下、特に１００〜１４０℃、より好ましくは１０
０〜１３５℃、さらに好ましくは１１０〜１３５℃であ
ることが好ましい。熱軟化点が１４０℃をこえると、記
録感度が低下し、Ｃ／Ｎが劣化してしまう。また、１０
０℃未満となると、例えば反射層積層時の耐熱性に問題
が生じたり、寸法精度が低下してきたりする。 【００３０】この場合、表層部のスキン層の熱軟化点と
は、下記のように測定された温度である。まず、被検基
板の上に針を置いて、５ｇ　程度の荷重を加え、昇温速
度２℃／ｍｉｎ　程度で、３０℃程度から昇温していっ
て、針の進入量を測定する。針の断面は直径１ｍｍ程度
の円柱形とする。 【００３１】このように測定される温度と針進入量との
関係が図１に示される。図１に示されるように、本発明
の基板では、針進入量の温度特性プロファイルにおいて
、第１の屈曲点と第２の屈曲点とが生じる。 【００３２】例えば、注型基板や、ある種の射出成形基
板では、針進入量の温度特性には１つの屈曲点しか現わ
れないか、あるいは第１の屈曲点はわずかにしか現われ
ない。また、第１の屈曲点によって生じる１段目の針進
入量は、概ね２００μｍ　程度以下である。従って、こ
れらから第１の屈曲点は、基板表層のスキン層の軟化点
に由来するものと考えられる。 【００３３】そこで、温度特性プロファイルの第１の屈
曲点近傍にて、針進入前の直線部と、１段目の進入時の
直線部との交点をＴ１　とし、これをスキン層の熱軟化
点Ｔ１　と定義する。そして、本発明では、このＴ１　
を前記のとおり規制するものである。 【００３４】一方、第２の屈曲点近傍においても、１段
目の進入時と２段目の進入時との直線部の交点をＴ２　
とし、これを第２の熱軟化点Ｔ２と定義する。この第２
の熱軟化点Ｔ２　は、基板中心部での熱軟化点であると
考えられる。 【００３５】そして、この第２の熱軟化点Ｔ２　は、第
１の熱軟化点Ｔ１　より１０℃以上、より好ましくは１
０〜５０℃高い温度であり、１４０℃以上、特に１４５
〜１８０℃の温度であると好ましい。これにより、寸法
精度や機械的特性や耐熱性等がすぐれたものとなる。 【００３６】なお、スキン層は、基板表層部断面のＳＥ
Ｍ像からも、周囲と色の異なる層として確認でき、その
厚さは、一般に１〜２００μｍ　、特に１０〜１００μ
ｍ　程度であると考えられる。また、前記の針進入量の
温度特性プロファイルは、ＴＭＡ（熱機械分析装置、サ
ーモメカニカルアナライザー）として市販されている各
種装置、例えばデュポン社製９４３熱機械分析装置等に
よって測定すればよい。 【００３７】このようなスキン層を形成するには、上記
の環状ポリオレフィンを射出成形することが好ましい。 【００３８】そして、これらは、例えば注型したとき、
前記の第２の熱軟化点Ｔ２　をもつものとする。 【００３９】このような樹脂を用いて、射出成形時にス
キン層を形成するには、射出圧を２５０〜４００ｋｇ／
ｃｍ２程度に設定することが好ましい。そして、溶融温
度は３００〜４００℃程度、金型温度は８０〜１２０℃
程度とし、その他、保圧や型締力等は通常の条件とすれ
ばよい。 【００４０】なお、必要に応じ、基板２の外表面や、外
周面等に酸素遮断性の被膜を形成してもよい。 【００４１】このような基板上には、直接、あるいは適
当な下地層ないし中間層を介して記録層が設けられる。 また記録層上には必要に応じ、保護層や反射層等が設け
られ、種々の光記録ディスク構造とされる。 【００４２】この場合、光記録ディスクとしては、変調
された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報が
磁気的に記録され、記録情報を磁気−光変換して再生す
る、いわゆる光磁気記録ディスクや、いわゆる相変化型
の記録層を有し、反射率変化により記録・再生を行なう
光記録ディスク等の消去可能型のディスクや、エアーサ
ンドイッチ構造を有し、ピット形成により反射率変化を
生じる、いわゆるピット形成型の記録層を有する光記録
ディスク、あるいはこれに反射層を設けたレーザーディ
スク（ＬＤ）規格対応の光記録ディスク等の追記型ディ
スクなどのいずれであってもよい。 【００４３】このような大径の光記録ディスクは、１８
００ｒｐｍ　以上の回転数にて回転され、記録再生が行
なわれる。１８００ｒｐｍ　未満の回転数では、本発明
の出力向上ないしノイズ低減効果は顕在化しない。なお
、回転数の上限は、一般に、５４００ｒｐｍ　程度であ
り、回転方式はＣＡＶであっても、ＣＬＶであってもよ
い。 【００４４】本発明の光記録媒体１の好適例が図２に示
される。この光記録媒体１は基板２上に記録層３を有す
る光磁気記録ディスクである。 【００４５】図２に示される光磁気記録ディスクにおい
て、基板２上には、下地層としての保護層４、中間層５
を介して記録層３が形成されている。 【００４６】中間層５は、Ｃ／Ｎ比を向上させるために
設けられ、各種誘電体物質から形成されることが好まし
く、その層厚は３０〜１５０ｎｍ程度であることが好ま
しい。また保護層４とともに記録層３の上にも保護層６
を設けることもできる。併用する場合には、保護層４と
保護層６の組成は同一であっても異っていてもよい。 【００４７】必要に応じて設けられる保護層４および保
護層６は、記録層３の耐食性向上のために設けられるも
のであり、これらは少なくとも一方、好ましくは両方が
設けられることが好ましい。 【００４８】これら保護層は、各種酸化物、炭化物、窒
化物、硫化物あるいはこれらの混合物からなる無機薄膜
から構成されることが好ましい。また、保護層４、６は
、上記の中間層材質で形成してもよい。保護層の層厚は
３０〜３００ｎｍ程度であることが耐食性向上の点から
好ましい。 【００４９】このような保護層４、６や中間層５は、ス
パッタ、蒸着、イオンプレーティング等の各種気相成膜
法、特にスパッタによって形成されることが好ましい。 【００５０】記録層３は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生されるもので
ある。 【００５１】記録層３は、光磁気記録が行なえるもので
あればその材質に特に制限はないが、希土類金属元素を
含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、
スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッ
タにより、非晶質膜として形成したものであることが好
ましい。 【００５２】希土類金属としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、
Ｇｄ、Ｓｍ、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ま
しい。遷移金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。 【００５３】この場合、ＦｅとＣｏの総含有量は、６５
〜８５ａｔ％であることが好ましい。そして、残部は実
質的に希土類金属である。 【００５４】好適に用いられる記録層の組成としては、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、１０
ａｔ％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。 【００５５】また、１０ａｔ％以下の範囲で、Ｓｃ、Ｙ
、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒ、
Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の他の希土類金属元素を含有しても
よい。 【００５６】このような記録層３の層厚は、通常、１０
〜１０００ｎｍ程度である。 【００５７】このような記録層３や、下地層としての中
間層５をスパッタ等の気相成膜法で設層しても、前記の
スキン層を設けることにより、記録層３や中間層５の基
板２からの膜はがれを効果的に防止することができる。 【００５８】保護層６上には、保護コート７が設層され
ることが好ましい。保護コート７は、例えば紫外線硬化
樹脂等の各種樹脂材質から、通常は、０．１〜１００μ
ｍ　程度の厚さに設層すればよい。保護コート７は、層
状であってもシート状であってもよい。保護コート７は
、特に放射線硬化型化合物および光重合増感剤を含有す
る塗膜を放射線硬化したものであることが好ましい。 【００５９】また本発明は、この他、いわゆる相変化型
等の記録層を有し、反射率変化により記録・再生を行な
う光記録ディスクにも適用することができる。 【００６０】このような記録層としては、例えば、特公
昭５４−４１９０２号、特許第１００４８３５号などに
記載のＴｅ−Ｓｅ系合金、特開昭６２−７６０３５号な
どに記載のＴｅ−Ｇｅ系合金、特開昭６３−５６８２７
号などに記載のＴｅ−Ｉｎ系合金、特願昭６１−３０７
２９８号、特願昭６１−３０７２９９号などに記載のＴ
ｅ−Ｓｎ系合金、特開昭５８−５４３３８号、特許第９
７４２５７号、特許第９７４２５８号、特許第９７４２
５７号などに記載のＴｅ酸化物系、その他各種Ｔｅ、Ｓ
ｅを主体とするカルコゲン系、Ｇｅ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｓｎ
等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ等の結晶構
造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−Ｓｂ等の結
晶粒径の変化を生じる合金などがある。 【００６１】これらのいずれの場合も、気相成膜法によ
る下地層や保護層を有していてもよい。 【００６２】このように、本発明は気相成膜法、特にス
パッタリングにより、記録層や下地層が設けられており
、特に金属の記録層を有する相変化型の光記録ディスク
と、希土類金属元素等の金属を含有する記録層を有する
光磁気記録媒体に好適である。 【００６３】本発明の光記録媒体の他の好適例が図３に
示される。この光記録媒体１は、基板２上に、色素を含
有する記録層３を有し、記録層３に密着して、反射層８
、保護膜９を形成した密着型の光記録ディスクである。 【００６４】 【００６５】この場合の記録層３は、好ましくは、１種
あるいは２種以上の色素を相溶して形成される。 【００６６】この場合、光吸収色素にクエンチャーを混
合してもよく、さらに、色素カチオンとクエンチャーア
ニオンとのイオン結合体を光吸収色素として用いてもよ
い。 【００６７】記録層３の記録光および再生光波長におけ
る消衰係数（複素屈折率の虚部）ｋは、０．０３〜０．
２５であることが好ましい。ｋが０．０３未満となると
記録層の吸収率が低下し、通常の記録パワーで記録を行
うことが困難となってくる。また、ｋが０．２５をこえ
ると、反射率が６０％を下回ってきて、ＣＤ規格による
再生を行うことが困難となってくる。 【００６８】また、屈折率（複素屈折率の実部）ｎは、
１．８〜４．０、より好ましくは、２．２〜３．３であ
ることが好ましい。ｎ＜１．８では反射率が低下し、Ｃ
Ｄ規格による再生が困難となる傾向にある。また、ｎ＞
４．０とするためには、原料色素の入手が難しい。 【００６９】ｎおよびｋの測定に際しては、所定の透明
基板上に、記録層を例えば４００〜１０００Ａ程度の厚
さに実際の条件にて設層して、測定サンプルを作製する
。次いで、基板を通しての、あるいは記録層側からの反
射率を測定する。反射率は記録再生光波長を用いて鏡面
反射（５°程度）にて測定する。また、サンプルの透過
率を測定する。これらの測定値から、例えば、共立全書
「光学」石黒浩三Ｐ１６８〜１７８に準じ、ｎ、ｋを算
出すればよい。 【００７０】用いる光吸収性の色素としては、吸収極大
が６００〜９００ｎｍ、好ましくは６００〜８００ｎｍ
、より好ましくは６５０〜７５０ｎｍであれば、他に特
に制限はないが、シアニン系、フタロシアニン系、ナフ
タロシアニン系、アントラキノン系、アゾ系、トリフェ
ニルメタン系、ピリリウムないしチアピリリウム塩系、
スクワリリウム系、クロコニウム系、金属錯体色素系等
の１種ないし２種以上が好ましい。シアニン色素として
は、インドレニン環、特にベンゾインドレニン環を有す
るシアニン色素であることが好ましい。 【００７１】記録層３の厚さは５００〜２０００Ａ　と
することが好ましい。この範囲外では反射率が低下する
。 【００７２】このような記録層３には、直接密着して反
射層８が設層される。反射層８にはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等
の高反射率金属ないし合金を用いればよい。 【００７３】反射層８の厚さは５００Ａ　以上であるこ
とが好ましく、蒸着、スパッタ等により設層すればよい
。 また、厚さの上限に特に制限はないが、コスト、生産作
業時間等を考慮すると、１２００Ａ程度以下であること
が好ましい。これにより、反射層４単独での反射率は、
９０％以上、媒体の未記録部の基板をとおしての反射率
は、６０％以上、特に７０％以上がえられる。 【００７４】反射層８上には、保護膜９が設層されるこ
とが好ましい。保護膜９は、例えば紫外線硬化樹脂等の
各種樹脂材質から、通常は、０．１〜１００μｍ　程度
の厚さに設層すればよい。保護膜９は、層状であっても
シート状であってもよい。保護膜９は、特に放射線硬化
型化合物および光重合増感剤を含有する塗膜を放射線硬
化したものであることが好ましい。 【００７５】そして、保護膜９の硬度が、２５℃におけ
る鉛筆硬度（ＪＩＳ　　Ｋ−５４００）で、Ｈ〜８Ｈ、
特に２Ｈ〜７Ｈであるように構成されることが好ましい
。 【００７６】このように構成することにより、アイパタ
ーンが良好になり、ジッターが格段と減少する。また、
高温・高湿あるいは温湿度変化条件下の保存においても
、保護膜と反射層との剥離が生じない。より具体的には
、保護膜の硬度がＨより軟らかいとアイパターンが乱れ
、ジッターが増大し、８Ｈより硬くなると塗膜がもろく
なり膜形成能が低下する他、反射層との接着力が低下す
る。 【００７７】このような保護膜形成に用いる放射線硬化
型化合物には、オリゴエステルアクリレートが含まれる
ことが好ましい。オリゴエステルアクリレートは、アク
リレート基またはメタクリレート基を複数有するオリゴ
エステル化合物である。そして好ましいオリゴエステル
アクリレートとしては、分子量１０００〜１００００、
好ましくは２０００〜７０００であって、重合度２〜１
０、好ましくは、３〜５のものが挙げられる。また、こ
れらのうちアクリレート基またはメタクリレート基を２
〜６個、好ましくは３〜６個有する多官能オリゴエステ
ルアクリレートが好ましい。また、上記の化合物に加え
て、あるいはこれにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変
性することによって得られる放射線硬化型化合物を用い
てもよい。 【００７８】このような放射線硬化型化合物の保護膜の
膜厚は０．１〜３０μｍ　、より好ましくは１〜１０μ
ｍ　である。この膜厚が０．１μｍ　未満になると、一
様な膜を形成しにくく、湿度が高い雰囲気中での防湿効
果が十分でなく、記録層の耐久性が下がる。しかも、ジ
ッター防止効果が低下する。また、３０μｍ　をこえる
と、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反り
や保護膜中のクラックが生じやすい。 【００７９】このような塗膜は、通常、スピンナーコー
ト、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、
種々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。この
時の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。 【００８０】本発明において塗膜に照射する放射線とし
ては、紫外線、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ま
しい。紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。 【００８１】光重合増感剤としては、例えば、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、α−メ
チルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾイン等のベ
ンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン、モルホ
リノジメチルメチル−４−メチルチオフェニルケトン、
ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、ア
ントラキノン、フェナントラキノン等のキノン類、ベン
ジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィ
ド等のスルフィド類等を挙げることができる。 【００８２】そして、このような光重合増感剤と放射線
硬化型化合物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させ
るには、公知の種々の方法に従えばよい。たとえば、キ
セノン放電管、水銀放電管などの紫外線電球等を用いれ
ばよい。また、場合によっては電子線を用いることもで
きる。 【００８３】このような構成の光記録媒体１に記録ない
し追記を行なうには、例えば７８０ｎｍの記録光を、基
板２をとおしてパルス状に照射する。 【００８４】これにより、記録層３が光を吸収して発熱
し、同時に基板２も加熱される。この結果、基板２と記
録層３との界面近傍において、色素等の記録層材質の融
解や分解が生じ、記録層３と基板２との界面に圧力が加
わり、グルーブ２３の底壁や側壁を変形させる。 【００８５】この場合記録層３の融解物や分解物を含有
する分解物層１０１が、通常グルーブ２３の底部および
基板２との境界を覆うような形状に残存する。しかも、
基板表層部は所定の熱軟化点をもつので、分解物層１０
１は、さらに凸状に基板側に侵入し、ピット部１０の形
状はより大きく形成される。基板２のへこみ量は、ピッ
ト部１０の寸法が大きい程大きく、３００Ａ　程度以下
の深さである。 【００８６】分解物層１０１の材質は、実質的に基板材
質を含まない材質であり、記録層材質の分解物あるいは
記録層材質の分解物と、記録層材質との混合物によって
構成される。分解物層１０１は、グルーブ内の記録層３
の厚さの通常３０〜１００％程度の厚さである。そして
、通常、分解物層１０１上には、反射層との界面に空隙
が形成され、分解物層１０１と、空隙１０３とがピット
部１０に形成される。空隙１０３は、記録層３の厚さの
通常５〜７０％程度の厚さである。 【００８７】また、ピツト部の外形形状や、凹形状も良
好なものである。そして、スキン層の存在により、ピッ
ト形状が大きくなるとともに良好ともなり、Ｃ／Ｎが向
上し、感度が向上するものである。 【００８８】 【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。 【００８９】実施例１ 特開昭６０−１６８７０８号公報の記載にしたがい、テ
トラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−
３−ドデセン（以下ＤＭＯＮ）］とエチレンとをランダ
ム重合させて、エチレンのモル分率の異なる２種の共重
合体を得た。 【００９０】この２種の共重合体を、基板として用いる
樹脂の熱軟化点（ＴＭＡ）Ｔ２　が１６３℃となるよう
にブレンドした。 【００９１】これを３５０℃にて溶融し、金型温度１０
０℃、射出圧３５０　ｋｇ／ｃｍ２　で射出成形し、３
００ｍｍ直径、厚さ１．２ｍｍの基板を得た。 【００９２】この基板に、順次、ガラス保護層、ＳｉＮ
ｘの中間層、ＴｂＦｅＣｏ記録層、ＳｉＮｘ保護層、お
よび樹脂製の保護コートを形成し、最後にこのディスク
を２枚、接着剤により記録層が対向するように張り合せ
て両面記録型の光磁気記録ディスクを製造した。基板の
表面にはトラッキング用グルーブを形成した。 【００９３】このディスクを３６００ｒｐｍ　にて回転
し、記録周波数１０ＭＨｚ　で記録を行ない、その後再
生して、１７５ｍｍ直径の位置（線速３３ｍ／ｓ）およ
び１３０ｍｍ直径の位置（線速２４ｍ／ｓ）でのＣ／Ｎ
とノイズレベルを測定した。結果を表１に示す。 【００９４】 【表１】 【００９５】表１には比較のため、ビスフェノールＡタ
イプのポリカーボネート（数平均分子量１５０００）を
、溶融温度３４０℃、金型温度１００℃、射出圧３００
ｋｇ／ｃｍ２の最適条件で射出成形した場合の結果が併
記される。 【００９６】さらに、基板サイズを１３０ｍｍ直径とし
て、上記の環状ポリオレフィンとポリカーボネートの比
較を行なった。回転速度は１８００ｒｐｍ、記録周波数
３．７ＭＨｚ　とし、６０ｍｍ直径（線速５．７ｍ／ｓ
）位置でのＣ／Ｎとノイズレベルとを測定した。結果を
表２に示す。 【００９７】 【表２】 【００９８】表１および表２に示される結果から本発明
の環状ポリオレフィン基板は２００ｍｍ以上の直径で１
８００ｒｐｍ　以上の高速回転で使用したとき、臨界的
にＣ／Ｎが向上し、ノイズレベルが低減することがわか
る。 【００９９】実施例２ 実施例１でブレンドした環状ポリオレフィンを実施例１
と同一の条件で射出成形し、３００ｍｍ径、厚さ１．２
ｍｍとした基板をサンプルＮｏ．　１とする。 【０１００】この基板の熱軟化点を、ＴＭＡにて下記の
ように測定した。 針断面：１ｍｍ径円柱 荷重：５ｇ　 昇温速度：２℃／ｍｉｎ　 【０１０１】上記条件にて、針進入量の温度プロファイ
ルを測定し、第１および第２の熱軟化点Ｔ１　、Ｔ２　
を算出した、表３に使用基板のＴ１　、Ｔ２　を示す。 また、この基板のＳＥＭ像から、スキン層の厚さは１０
０μｍ　程度以下であると考えられた。 【０１０２】この基板上にシアニン色素を含有する記録
層を塗設した。色素層の厚さはグルーブ部で１４００Ａ
　、ランド部で９００Ａ　であった。この記録層上に、
スパッタリングによりＡｕ膜を１０００Ａ　厚に設層し
て反射層とし、さらに、オリゴエステルアクリレートを
含有する紫外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外線硬化し
て５μｍ　厚の保護膜とし、光記録ディスクサンプルＮ
ｏ．　１を得た。この膜の鉛筆硬度は２Ｈであった。 【０１０３】得られた各サンプルに対し、感度を測定し
た。感度の測定は回転速度１８００ｒｐｍ　、記録周波
数８ＭＨｚにて、最大の信号が得られる記録パワーをも
って記録感度とした。 【０１０４】結果を表３に示す。 【０１０５】 【表３】 【０１０６】なお、このものは、良好なＣ／Ｎとジッタ
ー特性とを示した。 【０１０７】実施例３ 実施例１における環状ポリオレフィンのブレンド比率を
変え、射出成形条件を、射出圧３５０ｋｇ／ｃｍ２、溶
融温度３６０℃、金型温度１００℃として射出成形を行
なった基板サンプルＮｏ．　２を作製し、実施例１と同
様にディスクサンプルＮｏ．　２を得た。結果を表３に
併記する。 このものも良好なＣ／Ｎおよびジッター特性を示した。 【０１０８】比較例１ 実施例１における環状ポリオレフィンのブレンド比率を
変え、射出成形条件を、射出圧３５０ｋｇ／ｃｍ２、溶
融温度３７０℃、金型温度を１１０℃とした他は、同様
にディスクサンプルＮｏ．　３を作製した。結果を表３
に併記する。表３に示される結果から本発明の効果が明
らかである。 【０１０９】実施例４ 実施例１、２の基板上に、ガラス製の保護層を高周波マ
グネトロンスパッタにより４０ｎｍの層厚に設層した。 この保護層上に、ＳｉＮｘからなる中間層を高周波マグ
ネトロンスパッタにより層厚８０ｎｍに設層した。次に
、この中間層上に、Ｔｂ２３Ｆｅ７２Ｃｏ５　の組成を
有する記録層を、スパッタにより層厚８０ｎｍに設層し
た。 【０１１０】さらに、この記録層上に、前記保護層と同
組成の保護層を高周波マグネトロンスパッタにより層厚
１００ｎｍに設層し、この保護層上に、保護コートを設
層した。なお、保護コートは、オリゴエステルアクリレ
ートを含有する紫外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外線
硬化して５μｍ　厚の保護膜とし、光記録ディスクサン
プルＮｏ．　４を得た。 【０１１１】こうして作製したサンプルＮｏ．　４につ
いて密着性試験を行った。密着性試験はＪＩＳ　　Ｋ５
４００の碁盤目試験にて行った。すなわち、サンプルの
記録層上に、直交する縦横１１本ずつの平行線をカッタ
ーナイフを用いて１ｍｍの間隔でひき、１ｃｍ２　の中
に１００個の升目ができるように碁盤目状の切傷をつけ
る。この上にセロハンテープ（ニチバン製）を貼りつけ
剥離評価を行った。 【０１１２】サンプルＮｏ．　４を温度８０℃、湿度８
０％ＲＨの条件下で１０００時間放置し、成膜直後のサ
ンプルと比較した。結果を表４に示す。なお、表中の１
００／１００は１００個の升目のうち剥離しなかった升
目が１００個あることを示す。 【０１１３】 【表４】 【０１１４】実施例５ 実施例３の基板サンプルＮｏ．　２を用い、実施例４と
同様にサンプルＮｏ．　５を得た。結果を表４に併記す
る。 【０１１５】比較例２ 比較例１の基板サンプルＮｏ．　３を用い、実施例４と
同様にサンプルＮｏ．　６を作製した。結果を表４に併
記する。表４から明らかなとおり、本発明のサンプルＮ
ｏ．　４およびＮｏ．　５は、サンプルＮｏ．　６と比
較して、優れた密着性を示す。 【発明の効果】本発明の光記録媒体は、基板を大径サイ
ズとし、高速回転で使用しても高い出力やＣ／Ｎと、低
いノイズレベルがえられる。また、所定のスキン層を形
成することにより、記録感度が向上したり、あるいは記
録層と基板との密着性が向上するので、耐久性を高める
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の熱軟化点を説明するため
のグラフである。

【図２】本発明の光記録媒体の１例を示す部分断面図で
ある。

【図３】本発明の光記録媒体の他の１例を示す部分断面
図である。

【符号の説明】

１　　光記録媒体 ２　　基板 ２１　　ランド部 ２３　　グルーブ ２４　　基板ピット部 ３　　記録層 ４　　保護層 ５　　中間層 ６　　保護層 ７　　保護コート ８　　反射層 ９　　保護膜 １０　　ピット部 １０１　　分解物層 １０３　　空隙 Ｔ１　　　第１の熱軟化点 Ｔ２　　　第２の熱軟化点

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　エチレンと下記化１で表わされる環状
   オレフィンとを共重合した環状ポリオレフィンの１種以
   上を含む樹脂製の２００ｍｍ以上の直径の基板上に記録
   層を設け、１８００ｒｐｍ　以上の回転数にて記録再生
   を行うことを特徴とする光記録媒体。 【化１】
2. 【請求項２】　　前記基板は、前記環状ポリオレフィン
   を射出成形したものである請求項１に記載の光記録媒体
   。
3. 【請求項３】　　前記基板は記録層側表層部に、熱軟化
   点１４０℃以下のスキン層を有する請求項１または２に
   記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】　　前記熱軟化点が１００〜１４０℃であ
   る請求項１ないし３のいずれかに記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】　　前記基板は、前記スキン層の熱軟化点
   と、この熱軟化点より１０℃以上高い第２の熱軟化点と
   を有する請求項３または４に記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】　　前記記録層が色素を含有し、この記録
   層上に反射層を有する請求項１ないし５のいずれかに記
   載の光記録媒体。
7. 【請求項７】　　前記記録層は前記基板上に直接または
   下地層を介して設層されており、前記記録層または下地
   層は気相成膜法により形成されている請求項１ないし５
   のいずれかに記載の光記録媒体。