JP2915964B2 - 情報記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、金属層を有する情報記録媒体に関し、さら
に詳しくは、耐腐食性あるいは安定性に優れ、しかも記
録パワーの線速依存性が小さい情報記録媒体に関する。

発明の技術的背景 基板上に記録層と金属層とを有する書き換え可能な光
磁気ディスクなどの情報記録媒体では、該記録媒体に記
録するための記録パワーを内周部と外周部とで大きく異
なることがないようにするため、記録パワーの線速依存
性を小さくすることが望まれている。

通常光磁気ディスクなどの情報記録媒体では、基板上
に光磁気記録層に加えて金属層が設けられているが、こ
のような光磁気ディスクなどの情報記録媒体における金
属層としては、従来、ニッケル系合金、アルミニウム金
属あるいは0.1〜10重量％のチタンを含むアルミニウム
合金からなる金属層が用いられてきた。ところがアルミ
ニウム金属またはアルミニウム−チタン合金からなる金
属層は、耐腐食性に劣り、長期間の使用に耐えないとい
う問題点があった。

またニッケル合金からなる金属層は、その合金の種類
によっては記録書込み時にディスクの内周部と外周部と
で必要な記録パワーが大きく異なり、記録パワーの線速
依存性が依然として大きいという問題点があった。

本発明者らは、耐腐食性あるいは長期安定性に優れ、
しかも記録パワーの線速依存性が小さいような情報記録
媒体を開発するため、鋭意検討したところ、ハフニウム
またはチタンを少なくとも含むアルミニウム合金からな
る金属層を有する情報記録媒体は、耐腐食性に優れ、し
かも記録パワーの線速依存性が小さいことを見出して、
本発明を完成するに至った。

発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決
しようとするものであって、耐腐食性に優れ、しかも記
録パワーの線速依存性が小さい情報記録媒体を提供する
ことを目的としている。

発明の概要 本発明に係る情報記録媒体は、基板上に記録層と金属
層とを有する情報記録媒体において、該金属層が、アル
ミニウム合金を構成する全原子数を基準としてチタン0.
5〜５原子％とハフニウム0.5〜５原子％とを含み、チタ
ンとハフニウムとの合計含有量が１〜5.5原子％の範囲
にあるアルミニウム合金からなることを特徴としてい
る。

このような本発明に係る情報記録媒体は、チタン0.5
〜５原子％とハフニウム0.5〜５原子％とを含み、かつ
チタンとハフニウムとの合計含有量が１〜5.5原子％の
範囲にあるアルミニウム合金からなる金属層を有してい
るため、耐腐食性に優れ、しかも記録パワーの線速依存
性が小さく、かつ記録層の保護作用にも優れている。

発明の具体的説明 以下本発明に係る情報記録媒体について、具体的に説
明する。

第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の概略
断面図、第２図および第３図は本発明の他の実施例に係
る情報記録媒体の概略断面図である。

本発明に係る情報記録媒体では、レーザー光などの光
によって、該記録媒体に書込まれた情報を読み出してい
る。このような情報記録媒体としては、具体的には、記
録されている情報の消去はできないが追加記録が可能な
追記型光ディスク、さらには記録されている情報の消
去、再生が可能であるとともに記録が可能な光磁気ディ
スク、相変化ディスクなどの書換型光ディスクが挙げら
れる。

本発明に係る情報記録媒体１は、たとえば第１図に示
すように、基板２上に記録層３および金属層４とがこの
順序で設けられている。

本発明では、上記のような基板２の材質は特に限定さ
れないが、基板２側（矢印Ａ）からレーザ光が入射する
場合には、透明基板であることが好ましく、具体的に
は、ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネ
ートとポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第4,61
4,778号明細書に開示してあるような環状オレフィンラ
ンダム共重合体、下記の環状オレフィンランダム共重合
体（Ａ）、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹
脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエ
ーテルイミド等の有機材料を用いることができる。この
中では、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト、米国特許第4,614,778号明細書に記載のような共重
合体および下記の環状オレフィンランダム共重合体
（Ａ）が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料として
は、特に記録膜との密着性が良く、複屈折率が小さいと
いう観点から、エチレンと、下記一般式［Ｉ］または
［Ｉ′］で表わされる環状オレフィンとの共重合体から
なる環状オレフィン系ランダム共重合体が挙げられる。

一般式［Ｉ］ （式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整
数であって、 R¹〜R¹⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原
子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしく
は基を表し、 R¹⁵〜R¹⁸は、互いに結合して単環または多環を形成し
ていてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を有し
ていてもよく、 また、R¹⁵とR¹⁶とで、またはR¹⁷とR¹⁸とでアルキリデ
ン基を形成していてもよい）。

一般式［Ｉ′］ （式［Ｉ′］中、ｐは０または１以上の整数であり、
ｑおよびｒは、０、１または２であり、R¹〜R¹⁵はそれ
ぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素
基、芳香族炭化水素基、およびアルコキシ基よりなる群
から原子もしくは基を表し、R⁵（またはR⁶）とR⁹（また
はR⁷）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を介して結合
していてもよく、また何の基も介さずに直接結合してい
てもよい。） ただし、上記［Ｉ］において、ｎは０または１であ
り、好ましくは０である。また、ｍは０または正の整数
であり、好ましくは０〜３である。また上記式［Ｉ′］
において、ｐは０または１以上の整数であり、好ましく
は０〜３の整数である。

そして、R¹〜R¹⁸（式［Ｉ］）、またはR¹〜R¹⁵（式
［Ｉ′］）は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原
子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしく
は基を表す。ここで、ハロゲン原子としては、たとえ
ば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子
をあげることができる。また、炭化水素基としては、そ
れぞれ独立に、通常は炭素原子数１〜６のアルキル基、
炭素原子数３〜６のシクロアルキル基をあげることがで
き、アルキル基の具体的な例としては、メチル基、エチ
ル基、イソプロピル基、イソブチル基、アミル基をあげ
ることができ、シクロアルキル基の具体的な例として
は、シクロヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基を挙げることができる。

また上記式［Ｉ′］において、R⁵（またはR⁶）とR
⁹（またはR⁷）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を介
して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接結
合していてもよい。

さらに、上記式［Ｉ］において、R¹⁵〜R¹⁸は互いに結
合して（共同して）単環または多環を形成していてもよ
く、かつ該単環または多環が二重結合を有していてもよ
い。また、R¹⁵とR¹⁶とで、またはR¹⁷とR¹⁸とでアルキリ
デン基を形成していてもよい。このようなアルキリデン
基は、通常は炭素原子数２〜４のアルキリデン基をあげ
ることができ、その具体的な例としては、エチリデン
基、プロピリデン基、イソプロピリデン基およびイソブ
チリデン基をあげることができる。

前記式［Ｉ］または［Ｉ′］で表される環状オレフィ
ンは、シクロペンタジエン類と、相応するオレフィン類
あるいは環状オレフィン類とをディールス・アルダー反
応により縮合させることにより容易に製造することがで
きる。

前記式［Ｉ］または［Ｉ′］で表される環状オレフィ
ンとしては、具体的には、たとえば下記のような化合物
を挙げることができる。

などのようなビシクロ［2,2,1］ヘプト−２−エン誘導
体； などのテトラシクロ［4,4,0,1^2.5,1^7.10］−３−ドデセ
ン誘導体； などのヘキサシクロ［6,6,1,1^3.6,1^10.13,0^2.7,0^9.14］
−４−ヘプタデセン誘導体； などのオクタシクロ［8,8,0,1^2.9,1^4.7,1^11.18,1^3.16,0
^3.8,0^12.17］−５−ドコセン誘導体； などのペンタシクロ［6,6,1,1^3.6,0^2.7,0^9.14］−４−
ヘキサデセン誘導体； などのヘプタシクロ−５−イコセン誘導体あるいはヘプ
タシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体； などのトリシクロ［4,3,0,1^2.5］−３−デセン誘導体； などのトリシクロ［4,4,0,1^2.5］−３−ウンデセン誘導
体； などのペンタシクロ［6,5,1,1^3.6,0^2.7,0^9.13］−４−
ペンタデセン誘導体； などのジエン化合物； などのペンタシクロ［4,7,0,1^2.5,0^8.13,1^9.12］−３−
ペンタデセン誘導体； などのヘプタシクロ［7,8,0,1^3.6,0^2.7,1^10.17,0^11.16,
1^12.15］−４−エイコセン誘導体； などのノナシクロ［9,10,1,1^4.7,0^3.8,0^2.10,0^12.21,1
^13.20,0^14.19,1^15.18］−５−ペンタコセン誘導体等を
挙げることができる。

そしてさらには、 を挙げることができる。

上記のようなエチレンと、一般式［Ｉ］または
［Ｉ′］で表される環状オレフィンとの共重合体として
は、135℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が0.0
5〜10dl/gの範囲にあり、軟化温度（TMA）が70℃以上で
ある環状オレフィン系ランダム共重合体（以下環状オレ
フィン系ランダム共重合体［Ａ］という）が好ましく用
いられる。また所望により、環状オレフィン系ランダム
共重合体［Ａ］に、エチレンと、下記式［Ｉ］または
［Ｉ′］で表される環状オレフィンとの共重合体であっ
て、135℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が0.0
5〜5dl/gの範囲にあり、軟化温度（TMA）が70℃未満で
ある環状オレフィン系ランダム共重合体（以下環状オレ
フィン系ラダム共重合体［Ｂ］という）を配合して用い
てもよい。

この上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共
重合体である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
および［Ｂ］は、エチレンおよび前記環状オレフィンを
必須成分とするものであるが、該必須の二成分の他に本
発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重
合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意
に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体
的には、たとえば生成するランダム共重合体中のエチレ
ン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテ
ン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オ
クテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセ
ン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコ
センなどの炭素原子数が３〜20のα−オレフィンなどを
例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ａ］では、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）
は、40〜85モル％、好ましくは50〜75モル％の範囲で存
在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し
単位（ｂ）は15〜60モル％、好ましくは25〜50モル％の
範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位
（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰り返し単位
（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列している。な
お、エチレン組成および環状オレフィン組成は¹³C−NMR
によって測定した。この環状オレフィン系ランダム共重
合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していな
いことは、該共重合体が135℃のデカリン中に完全に溶
解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
の135℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、0.0
5〜10dl/g、好ましくは0.08〜5dl/gの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサー
マル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度
（TMA）は、70℃以上、好ましくは90〜250℃、さらに好
ましくは100〜200℃の範囲にある。なお軟化温度（TM
A）は、デュポン社製Thermomechanical Analyserを用い
て厚さ1mmのシートの熱変形挙動により測定した。すな
わちシート上に石英製針をのせ、荷重49gをかけ、５℃
／分で昇温していき、針が0.635mm侵入した温度をTMAと
した。また、該環状オレフィン系ランダム共重合体のガ
ラス転移温度（Tg）は、通常50〜230℃、好ましくは70
〜210℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
のＸ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜10％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明では、また上記のような軟化温度（TMA）が70
℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
に、 エチレンと、上記式［Ｉ］または［Ｉ′］で表わされ
る環状オレフィンとの共重合体であって、135℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［η］が0.05〜5dl/gの範囲
にあり、軟化温度（TMA）が70℃未満である環状オレフ
ィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合してなる環状オレ
フィン系ランダム共重合体組成物から基板を形成するこ
とが好ましい。

上記のような軟化点（TMA）が70℃未満である環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ｂ］では、エチレンに由
来する繰り返し単位（ａ）は、60〜98モル％、好ましく
は60〜98モル％の範囲で存在しており、また該環状オレ
フィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２〜40モル％、
好ましくは５〜40モル％の範囲で存在しており、エチレ
ンに由来する繰り返し単位（ａ）および該環状オレフィ
ンに由来する繰り返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上
線状に配列している。なお、エチレン組成および環状オ
レフィン組成は¹³C−NMRによって測定した。この環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ｂ］が実質上線状であ
り、ゲル状架橋構造を有していないことは、該共重合体
が135℃のデカリン中に完全に溶解することによって確
認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］
の135℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、0.0
5〜5dl/g、好ましくは0.08〜3dl/gの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサー
マル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度
（TMA）は、70℃未満、好ましくは−10〜60℃、さらに
好ましくは10〜55℃の範囲にある。さらに、該環状オレ
フィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラス転移温度（T
g）は、通常−30〜60℃、好ましくは−20〜50℃の範囲
にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］
のＸ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜10％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム
共重合体［Ａ］および［Ｂ］を用いる場合には、該環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィ
ン系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は100/0.1〜100/1
0、好ましくは100/0.3〜100/7、とくに好ましくは100/
0.5〜100/5の範囲であることが望ましい。［Ｂ］成分を
この範囲で［Ａ］成分に配合することによって基板自体
の優れた透明性と表面平滑性を維持したままで本発明で
用いる保護膜または記録層との苛酷な条件下での密着性
が［Ａ］成分のみの場合に比べさらに向上するという効
果があり、［Ａ］と［Ｂ］とのブレンドよりなるこの上
記の環状オレフィンランダム共重合体組成物を基板に用
いれば本発明で用いる保護膜または記録層との優れた密
着性は高温、高湿条件下放置後においてさえも変化がな
いという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン
共重合体［Ａ］および［Ｂ］は、特開昭60−168708号公
報、特開昭61−120816号公報、特開昭61−115912号公
報、特開昭61−115916号公報、特開昭62−252406号公
報、特開昭62−252407号公報、特開昭61−271308号公
報、特開昭61−272216号公報などにおいて本出願人が提
案した方法に従い適宜条件を選択することにより、製造
することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中にお
いて、前記式［Ｉ］または［Ｉ′］で表される環状オレ
フィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［II］また
は［II′］で表される構造の繰り返し単位を形成してい
ると考えられるが、一部の構成単位（ｂ）が開環重合に
よって結合している場合もあり、また必要に応じて水素
添加することも可能である。

（式［II］中、ｍ、ｎおよびR¹〜R¹⁸は前記式［Ｉ］に
おける定義と同様である。） （式［II′］中、ｐ、ｑ、ｒおよびR¹〜R¹⁵は前記式
［Ｉ′］における定義と同様である。） 本発明に係る光磁気記録媒体の基板としては、前述し
たとおり、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダ
ム共重合体のほかに、同種または異種の環状オレフィン
単量体を開環して得られる環状オレフィン開環重合体、
開環共重合体またはそれらの水素添加物を用いることも
できる。このような環状オレフィン開環重合体、開環共
重合体およびこれらの水素添加物について、前記式
［Ｉ］で表される環状オレフィンを例にして説明する
と、以下に記載するように反応して開環共重合体および
これらの水素添加物を構成していると考えられる。

このような重合体の例として、テトラシクロドデセン
とノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合体、
及びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合体、開
環共重合体、それらの水素添加物および環状オレフィン
系ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和
カルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性
物は、上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カ
ルボン酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸の
アルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより
製造することができる。なお、この場合の環状オレフィ
ン系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単
位の含有率は、通常は50〜10モル％以下である。このよ
うな環状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率にな
るように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグラ
フト重合させて製造することもできるし、予め高変性率
の変性物を調製し、次いでこの変性物と未変性の環状オ
レフィン系樹脂とを混合することによっても製造するこ
とができる。

本発明において、上記の開環重合体、開環共重合体、
これらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共
重合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合
わせて使用することができる。

さらに、本発明においては、上記のような環状オレフ
ィン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる
重合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］また
は［Ｉ′］で表される環状オレフィン以外の環状オレフ
ィンを重合させることもできる。このような環状オレフ
ィンとしては、たとえば、 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 3,4−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、 2,3,3a,7a−テトラヒドロ−4,7−メタノ−1H−インデ
ン、 3a,5,6,7a−テトラヒドロ−4,7−メタノ−1H−インデ
ンなどをあげることができる。このような他の環状オレ
フィンは単独で、あるいは組み合わせて使用することが
でき、通常、０〜50モル％の量で用いられる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、上記
［Ａ］および［Ｂ］成分の他に、衝撃強度を向上させる
ためのゴム成分を配合したり、耐熱安定剤、耐候安定
剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、
防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス
などを配合することができ、その配合割合は適宜量であ
る。たとえば、任意成分として配合される安定剤として
具体的には、テトラキス［メチレン−３（3,5−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］
メタン、β−（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロピオン酸アルキルエステル、2,2′−オ
キザミドビス［エチル−３（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）］プロピオネートなどのフェノ
ール系酸化防止剤、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カ
ルシウム、12−ヒドロキシステアリン酸カルシウムなど
の脂肪酸金属塩、グリセリンモノステアレート、グリセ
リンモノラウレート、グリセリンジステアレート、ペン
タエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリト
ールジステアレート、ペンタエリスリトールトリステア
レート等の多価アルコールの脂肪酸エステルなどを挙げ
ることができる。これらは単独で配合してもよいが、組
み合わせて配合してもよく、たとえば、テトラキス［メ
チレン−３（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネート］メタンとステアリン酸亜鉛お
よびグリセリンモノステアレートとの組合せ等を例示す
ることができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価
アルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いるこ
とが好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３
価以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部が
エステル化された多価アルコール脂肪酸エステルである
ことが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとして
は、具体的には、グリセリンモノステアレート、グリセ
リンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グ
リセリンモノパルミテート、グリセリンジステアレー
ト、グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エス
テル、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタ
エリスリトールモノラウレート、ペンタエリスリトール
ジラウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、
ペンタエリスリトールトリステアレート等のペンタエリ
スリトールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、前記［Ａ］成
分および［Ｂ］成分の合計重量100重量部に対して０〜1
0重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましくは０〜
２重量部の量で用いられ、また多価アルコールの脂肪酸
エステルは［Ａ］成分および［Ｂ］成分の合計重量100
重量部に対して０〜10重量部、好ましくは０〜５重量部
の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、必要により
本発明の目的および透明性を損なわない範囲で、シリ
カ、ケイ藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、軽石粉、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸
化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、ドロマイ
ト、硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウ
ム、亜硫酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、アス
ベスト、ガラス繊維、ガラスフレーク、ガラスビーズ、
ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト、
グラファイト、アルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロ
ン繊維、炭化ケイ素繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロ
ピレン繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維等の充
填剤を配合してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフ
ィン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダ
ム共重合体組成物を用いると、環状オレフィン系ランダ
ム共重合体または該共重合体を含む組成物からなる基板
と記録層または保護層とが密着性に優れているために、
記録膜は長期安定性に優れるとともに記録膜の酸化が効
果的に防止される。したがってこの環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体からなる基板上に記録膜を積層してなる
光記録媒体は、耐久性および記録特性などの面における
長期安定性にも優れている。

このような基板２の厚みは特に限定されないが、好ま
しくは0.5〜5mm特に好ましくは１〜2mmである。

また本発明では、記録層３の材質も特に限定されない
が、たとえば記録層３が膜面に対して垂直な方向に一軸
異方性を有する光磁気記録層である場合には、記録層３
は、（ｉ）3d繊維金属から選ばれる少なくとも１種と、
（iii）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とか
らなるか、あるいは（ｉ）3d遷移金属から選ばれる少な
くとも１種と、（ii）耐腐食性金属と、（iii）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素からなることが好ま
しい。

（ｉ）3d遷移金属としては、Fe、Co、Ti、Ｖ、Cr、Mn、
Ni、Cu、Znなどが用いられるが、このうちFeまたはCoあ
るいはこの両者であることが好ましい。

（ii）耐腐食性金属は、記録層３に含ませることによっ
て、この光磁気記録層の耐酸化性を高めることができ
る。このような耐腐食性金属としては、Pt、Pd、Ti、Z
r、Ta、Mo、Nb、Hfなどが用いられるが、このうちPt、P
d、Tiが好ましく、特にPtまたはPdあるいはこの両者で
あることが好ましい。

（iii）希土類元素としては、たとえばGd、Tb、Dy、H
o、Er、Tm、Yb、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Euなど
が用いられる。

このうちGd、Tb、Dy、Ho、Nd、Sm、Prが好ましく用い
られる。

このような光磁気記録層では、（ｉ）3d遷移金属は、
30〜85原子％好ましくは40〜70原子％の量で、（ii）耐
腐食性金属は30原子％まで好ましくは５〜25原子％まで
の量で、（iii）希土類元素は５〜50原子％好ましくは2
5〜45原子％の量で存在していることが望ましい。

記録層３が光磁気記録層以外の、たとえば相変化型記
録層である場合には、記録層３は、たとえば、Teを主成
分とした合金薄膜、Seを主成分とした合金薄膜、Te−Ge
−Sb合金薄膜、In−Sb−Te合金薄膜、Te−Ge−Cr合金薄
膜、Te−Ge−Zn合金薄膜等で構成される。また追記型、
相変化型の記録層としてポリメチン系化合物、シアニン
系化合物などの有機色素膜を用いることもできる。

本発明では、記録層３の膜厚は、特に限定されない
が、50〜5000Å、好ましくは100〜2000Åである。

本発明では、このような情報記録媒体における金属層
４は、アルミニウム合金を構成する全原子数を基準とし
てチタン0.5〜５原子％と、ハフニウム0.5〜５原子％と
を含み、かつチタンとハフニウムとの合計含有量が１〜
5.5原子％の範囲にあるアルミニウム合金から形成され
ている。

この金属層におけるチタンの含有量は、0.5〜５原子
％の範囲にあり、１〜３原子％の範囲にあることが好ま
しい。

ハフニウムの含有量は0.5〜５原子％の範囲にあり、
１〜３原子％の範囲にあることが特に好ましい。

またチタンとハフニウムの合計含有量が１〜5.5原子
％の範囲にあり、２〜４原子％の範囲にあることが特に
好ましい。本発明では、チタンの含有量が0.5〜５原子
％の範囲にあり、ハフニウムの含有量が0.5〜５原子％
の範囲にあり、かつチタンとハフニウムの含有量が１〜
5.5原子％の範囲にあるアルミニウム合金を金属層とし
て用いることにより、金属層および情報記録媒体が耐腐
食性に優れ、かつ情報記録媒体の線速依存性が小さく、
記録層の保護作用にも優れるという効果を有する。

また上記のような金属層４は、アルミニウム（Al）、
チタン（Ti）、ハフニウム（Hf）のみからなる合金から
なっていてもよく、またアルミニウム、チタン、ハフニ
ウムに加えて、少量の他の元素（金属）を１種以上含む
こともできる。このような元素（金属）としては、たと
えば、シリコン（Si）、タンタル（Ta）、銅（Cu）、タ
ングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Zr）、マンガン（M
n）、バナジウム（Ｖ）などが挙げられ、このような他
の元素（金属）を含む場合、他の元素は、通常５原子％
以下好ましくは２原子％以下の量で含まれる。

上述したような金属層の膜厚は、通常100Å〜5000
Å、好ましくは500Å〜3000Å、特に好ましくは700Å〜
2000Åである。

本発明に係る金属層は熱良伝導体層としての機能を果
しており、この金属層が存在することによって記録層に
記録されたピットの中心部が記録レーザ光によって過度
に高温になることが防止され、その結果、記録パワーの
線速依存性が小さくなると考えられる。

また本発明における金属層は、耐腐食性に優れている
ため、長期間使用した後においても、記録媒体の線速依
存性が小さいという特徴を有しており、また記録層に対
する保護作用にも優れている。

本発明に係る情報記録媒体は、第１図に示す構成に限
定されず、たとえば第２図に示すように、上記のような
基板２上に保護膜（エンハンス膜）５を積層し、その上
に記録層３と金属層４とを積層させてもよい。また第３
図に示すように、基板２上に第１保護膜５を積層し、そ
の上に記録層３を積層し、さらにその上に第２保護膜５
および金属膜４を順次積層させてもよい。このような保
護膜（エンハンス膜）５としては、たとえばSi₃N₄、SiN
x（０＜ｘ＜4/3）、AlN、ZnSe、ZnS、SiまたはCdSから
形成されることが好ましいが、これらに限定されない。
このような保護膜の膜厚は、100〜2000Å好ましくは300
〜1500Å程度である。この中で耐クラック性および記録
パワーの線速依存性の点から、特にSi₃N₄、SiNx（０＜
ｘ＜4/3）を用いることが好ましい。

保護膜は、記録膜を保護する働きをするとともに、場
合によっては情報記録媒体の感度を高め、エンハンス膜
としての働きをもしている。このような保護膜は、基板
の屈折率よりも大きな屈折率を有していることが好まし
い。

本発明に係る情報記録媒体は、基板上に記録層および
金属層そして必要に応じて保護層を、たとえば真空蒸着
法、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法などの
成膜法を採用して成膜することによって製造することが
できる。

発明の効果 このように本発明に係る情報記録媒体は、チタンとハ
フニウムとを特定量で含むアルミニウム合金からなる金
属層を有しているため、耐腐食性に優れ、しかも記録パ
ワーの線速依存性が小さく、かつ記録層の保護作用にも
優れている。

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

なお、本明細書において、最適記録パワーとはｆ＝1M
Hz、duty 50％の書込み信号に対して再生信号の２次高
調波が最小となる記録パワーのことを表わし、線速によ
る最適記録パワーの差が小さい程線速依存性が小さい。

実施例１ 以下、まず金属層の耐腐食性を下記のようにして検討
した。

ガラス基板上に、アルミニウム（Al）−チタン（Ti）
−ハフニウム（Hf）の複合ターゲットを用いてスパッタ
リングによって厚さ1000Åのアルミニウム−チタン−ハ
フニウム合金よりなる金属層を作製した。

作製された金属層のチタンの含有量は１原子％であ
り、ハフニウムの含有量は２原子％であった。

この金属層を、60℃の10重量％塩化ナトリウム水溶液
に４時間浸漬し、金属層の耐腐食性を反射率の変化を測
定することによって評価した。

金属層の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と
浸漬後で変化しなかった。また浸漬後の金属層膜の単位
面積当り（5cm×5cm）に発生したピンホール数は40個以
下（38個）であった。

実施例２ 実施例１において、合金組成の異なるアルミニウム−
チタン−ハフニウム合金からなる複合ターゲットを用い
て、チタンの含有量が２原子％であり、ハフニウムの含
有量が１原子％である金属層を作製した以外は、実施例
１と同様にして金属層を作製した。

この金属層を実施例１と同様にして塩化ナトリウム水
溶液に浸漬し、金属層の耐腐食性を調べるために浸漬後
の金属層の反射率の変化と膜状態の変化を測定した。

金属層の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と
浸漬後で変化なく、浸漬後の金属膜の単位面積当り（5c
m×5cm）に発生したピンホール数は40個以下（33個）で
あった。

実施例３ 非晶質ポリオレフィンからなる基板上に、Si₃N₄から
なる保護膜（膜厚1000Å）と、PtTbFeCo（Pt₁₀Tb₂₉Fe₅₅
Co₆）からなる記録層（膜厚500Å）とを順次スパッタリ
ング法により積層し、この記録膜上にAl−Ti−Hfの複合
ターゲットを用いてスパッタリング法によって、厚さ70
0ÅのAl−Ti−Hf合金からなる金属層を積層した。得ら
れた金属層を構成するAl合金（層）中のTiの含有量は２
原子％、Hf含有量は２原子％であった。

得られた情報記録媒体を、80℃、相対湿度85％の雰囲
気下に約720時間保持し、金属層の耐腐食性を情報記録
媒体の反射率の変化を測定することによって評価した。

情報記録媒体の反射率は、80℃、相対湿度85％の雰囲
気下に保持する前後で変化しなかった。

実施例４ エチレンと1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−
オクタヒドロナフタレン（構造式： 以下DMONと略記する）の非晶性の共重合体（¹³C−NMR分
析で測定したエチレン含量59モル％、DMON含量41モル
％、135℃デカリン中で測定した極限粘度［η］が0.42d
l/g、軟化温度（TMA）154℃）からなる基板上に、Si₃N₄
からなる保護膜（膜厚1100Å）と、Pt₁₀Tb₂₉Fe₅₅Co₆か
らなる記録層（膜厚260Å）とを順次スパッタリング法
により積層し、この記録膜上にAl−Ti−Hfの複合ターゲ
ットを用いてスパッタリング法によって、厚さ500ÅのA
l−Ti−Hf合金からなる金属層を積層した。得られた金
属層を構成するAl合金（層）中のTiの含有量は２原子
％、Hf含有量は２原子％であった。

得られた情報記録媒体を、80℃、相対湿度85％の雰囲
気下に約720時間保持し、金属層および情報記録媒体の
耐腐食性を情報記録媒体の反射率の変化を測定すること
によって評価した。

情報記録媒体の反射率は、80℃、相対湿度85％の雰囲
気下に保持する前後で変化しなかった。

またこの情報記録媒体の線速5.7m/secでの最適記録パ
ワーは3.3mWであり、線速11.3m/secでの最適記録パワー
は4.7mWであった。

比較例１ 実施例１において、アルミニウム−チタン−ハフニウ
ムの複合ターゲットの代わりに、アルミニウム−チタン
の複合ターゲットを用いて、チタンの含有量が２原子％
である金属層を作製した以外は、実施例１と同様にして
金属層を作製した。

この金属層を実施例１と同様にして塩化ナトリウム水
溶液に浸漬し、浸漬後の反射率の変化と膜状態の変化と
を測定した。

金属層の反射率は、浸漬により約８％低下した。

また、金属層の単位面積当り（5cm×5cm）に発生した
ピンホール数は51個であった。

比較例２ 比較例１と同様にして、チタンの含有量が４原子％で
あるアルミニウム−チタン合金からなる金属膜を作製し
た。

この金属層を実施例１と同様にして塩化ナトリウム水
溶液に浸漬し、浸漬後の反射率の変化と膜状態の変化と
を測定した。

金属層の反射率は、浸漬により約２％低下した。

また、金属層には、単位面積当り（5cm×5cm）多数
（155個以上）のピンホールが発生した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の概略断
面図、第２図および第３図は本発明の他の実施例に係る
情報記録媒体の概略断面図である。 １……情報記録媒体、２……基板 ３……記録層、４……金属層 ５……保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 英彦 千葉県君津郡袖ケ浦町長浦字拓二号580 番32 三井石油化学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−267752（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−259042（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−134740（ＪＰ，Ａ) 特開 平57−20933（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C23C 24/00 - 30/00 G11B 11/10 521 G11B 7/24 538 C22C 21/00 C23C 14/00 - 14/58

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に記録層と金属層とを有する情報記
   録媒体において、該金属層が、アルミニウム合金を構成
   する全原子数を基準として、チタン0.5〜５原子％とハ
   フニウム0.5〜５原子％とを含み、チタンとハフニウム
   との合計含有量が１〜5.5原子％の範囲にあるアルミニ
   ウム合金からなることを特徴とする情報記録媒体。