JPH05274726A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板上に、少なくとも保護膜と光磁気記録膜
とを有する光磁気記録媒体において、該保護膜がＳｉ、
Ｇｅ、ＮおよびＨを含む膜、またはＳｉ、Ｇｅ、Ｃおよ
びＨを含む膜である光磁気記録媒体。反応性マグネトロ
ンスパッタリング法による上記保護膜の形成工程を含む
光磁気記録媒体の製造方法。 【効果】 屈折率が高く、再生レーザー光の光学的吸収
が少ない保護膜を用いることにより、光磁気記録媒体は
Ｃ／Ｎ比に優れ、記録・再生特性および生産性に優れる
とともに、長期の使用によっても読み取りエラーが生じ
難く、長期信頼性に優れる。成膜性に優れる保護膜の成
膜工程を含む光磁気記録媒体の製造方法を提供すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、特定の組成を有する保護
膜が設けられている光磁気記録媒体およびその製造方法
に関し、さらに詳しくは、屈折率が高く、水素化されて
いるため減衰係数ｋが小さく、再生レーザー光の光学的
吸収が少なく、しかも成膜性に優れた（成膜速度が大き
い）保護膜を有する光磁気記録媒体および成膜性に優れ
た保護膜の製造工程を含む光磁気記録媒体の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【発明の技術的背景】鉄、コバルト等の遷移元素と、テ
ルビウム（Ｔｂ）、ガドリニウム（Ｇｄ）等の希土類元
素との合金からなる光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面に、
この全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成す
ることができることが知られている。この反転磁区の有
無を「１」と「０」に対応させることによって、上記の
ような光磁気記録膜にデジタル信号を記録させることが
可能となる。また、このデジタル信号を再生する場合に
は、カ−効果（あるいはファラデ−効果）、すなわち、
反転磁区から反射される再生光の偏光面における回転方
向と反転磁区以外で反射される再生光の偏光面における
回転方向が異なるために反転磁区の有無を検出すること
が可能である。通常、この再生光の偏光面における回転
角はカ−回転角θk で表わされ、光磁気記録媒体の信号
対ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）はθk が大きいほど高くなる。

【０００３】このような遷移元素と希土類元素とからな
る光磁気記録膜としては、たとえば特公昭57-20691号公
報には、１５〜３０原子％のＴｂを含むＴb-Ｆe 系光磁
気記録膜が開示されている。また、Ｔb-Ｆe に第３の金
属を添加してなる光磁気記録膜も用いられている。さら
に、Ｔb-Ｃo 系、Ｔb-Ｆe-Ｃo 系等の光磁気記録膜も知
られている。Ｔb-Ｆe 系、Ｔb-Ｃo 系等の光磁気記録膜
中に、この薄膜の耐酸化性（耐腐食性）を向上させるた
めに、第３の金属を添加する方法が種々試みられてい
る。

【０００４】このような光磁気記録膜を基板上に積層し
てなる光磁気記録媒体では、長期間使用しても読み取り
エラーが発生し難く、長期信頼性に優れていることが望
まれている。

【０００５】上記のような光磁気記録媒体は、基板上
に、第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜、金属膜が
この順序で積層されており、各膜は通常スパッタリング
法により形成される。この光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比
は、θk が大きいほど高くなるため、光磁気記録膜のθ
k が大きいことが望まれる。しかしながら、θk は光磁
気記録膜の固有な値であるため、通常、基板と、光磁気
記録膜との間に第１保護膜を設け、この保護膜と光磁気
記録膜との多重干渉によりθk をエンハンスさせること
が行われている。そして、このエンハンス効果は保護膜
の屈折率が高いほど大きいことが知られている。一般
に、保護膜はＳｉＮx 、ＡｌＮ等の誘電体からなる材料
であるが、これらの屈折率は約２.０であり、より屈折
率の高い第１保護膜材料の出現が望まれている。また、
光磁気記録媒体を製造ラインで生産する場合、それぞれ
の材料からなるターゲットが設置された薄膜形成装置を
並べ、基板上に各膜を連続的に成膜するのが一般的であ
る。第１保護膜は、各膜の中で一番厚く、しかも通常Ｓ
ｉＮx 等の誘電体からなる材料であるため、スパッタリ
ング速度は、光磁気記録膜、金属膜に比べてはるかに遅
い。したがって、光磁気記録媒体を効率よく製造するに
は、特に第１保護膜の成膜速度（スパッタレート）を高
めることが必要であり、成膜性に優れた保護膜の出現が
望まれている。

【０００６】本発明者らは、上記のような問題点を解決
するために鋭意研究した結果、第１保護膜としてＳｉと
ＧｅとＮを特定の割合で含有する膜、またはＳｉとＧｅ
とＣを特定の割合で含有する膜を用いると、屈折率が高
く、再生レーザー光の光学的吸収が少なくしかも成膜性
に優れる保護膜が形成でき、Ｃ／Ｎ比および反射率の高
い光磁気記録媒体を生産性良く製造することができるこ
とを見出した。しかし、成膜速度を上げるため保護膜中
のＧｅの含有量を多くすると、該保護膜の複素屈折率ｎ
（ｎはｎ₀＋ｉｋで表され、ｎ₀は屈折率に対応する値で
あり、ｉは虚数単位であり、ｋは消衰係数である。）の
消衰係数ｋが上昇し、再生レーザー光の光学的吸収が大
きくなりすぎることがある。そこで本発明者らは、さら
に研究を重ねた結果、保護膜中に上記３元素に加えさら
にＨを導入すると、Ｓi-Ｇe-Ｎ系の膜、またはＳi-Ｇe-
Ｃ系の膜の消衰係数ｋが低下し、成膜速度を上げるため
にＧｅの含有量を多くしても、再生レーザー光の光学的
吸収が少なく、屈折率の高い保護膜を形成することがで
きることを見出し、本発明を完成するに至った。

【０００７】

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、屈折率が高くしかも再生レー
ザー光の光学的吸収が少ない保護膜を用いることによ
り、Ｃ／Ｎ比に優れかつ記録・再生特性および生産性に
優れるとともに、長期の使用によっても読み取りエラー
が生じ難く、長期信頼性に優れる光磁気記録媒体を提供
することを目的としている。

【０００８】さらに、本発明は、成膜性に優れる保護膜
の成膜工程を含む光磁気記録媒体の製造方法を提供する
ことを目的としている。

【０００９】

【発明の概要】本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上
に、少なくとも保護膜と光磁気記録膜とを有する光磁気
記録媒体であって、該保護膜がＳｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨ
を含む膜であるか、またはＳｉ、Ｇｅ、ＣおよびＨを含
む膜であることを特徴としている。

【００１０】本発明では上記保護膜は、｛(Ｓi_xＧe_1-x)
_1-yＭ_y｝_1-ZＨ_z （ただし、ＭはＮまたはＣであり、ｘ
は０.３０≦ｘ≦０.９０であり、ｙは０.４≦ｙ≦０.８
であり、ｚは０＜ｚ＜１である。）で示される組成を有
することが好ましい。ｘの値が上記範囲より小さい場合
は、スパッタレート（成膜速度）および屈折率が低下す
る。また、ｘの値が上記範囲より大きい場合は、消衰係
数ｋが大きくなり再生信号が劣化する。

【００１１】上記組成式において、ｘが０.３０≦ｘ≦
０.９０であり、ｙが０.４≦ｙ≦０.８であり、ｚが０
＜ｚ＜１であり、かつ、透過光の波長が４００〜１２０
０ｎｍの範囲における複素屈折率ｎ（ｎはｎ₀＋ｉｋで
表され、ｎ₀は屈折率に対応する値であり、ｉは虚数単
位であり、ｋは消衰係数である。）の実数部ｎ₀が１.９
以上であり、消衰係数ｋが０.０５以下であるようなＳ
ｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨを含む膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃおよび
Ｈを含む膜は、Ｃ／Ｎ比が高く、長期信頼性に優れ、し
かも、再生レーザー光の光学的吸収が少ない。

【００１２】また本発明では、上記光磁気記録膜が、３
ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも１種の元素（ｉ）
と、希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素（i
i）とからなる、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶
質合金薄膜、あるいはこれらの元素と、耐腐食性金属
（iii）とからなり、かつ、該耐腐食性金属の含有量が
３０原子％まで、好ましくは５〜３０原子％である、膜
面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜から形成
されていることが好ましい。

【００１３】さらに本発明では、上記基板がエチレン
と、(a) 下記一般式［Ｉ］および／または［II］で表わ
される環状オレフィンとのランダム共重合体、(b) 下記
一般式［III］で表わされる繰り返し単位を含む重合体
または共重合体、(c) 下記一般式［IV］で表わされる繰
り返し単位を含む重合体または共重合体、からなる群か
ら選ばれる少なくとも一種の重合体または共重合体から
なることが好ましい。

【００１４】

【化５】

【００１５】

【化６】

【００１６】

【化７】

【００１７】

【化８】

【００１８】（式［Ｉ］中、ｎは０または１であり、ｍ
は０または正の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ
¹ 〜Ｒ¹⁸およびＲ^a 、Ｒ^b は、それぞれ独立に、水素原
子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ば
れる原子もしくは基であり、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は、互いに結合
して単環または多環を形成していてもよく、かつ、該単
環または多環が二重結合を有していてもよく、また、Ｒ
¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアルキリデン基を
形成していてもよい。

【００１９】式［II］中、ｐは０または１以上の整数で
あり、ｑおよびｒは、０、１または２であり、Ｒ¹ 〜Ｒ
¹⁵はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族
炭化水素基、芳香族炭化水素基、およびアルコキシ基か
らなる群から選ばれる原子もしくは基であり、Ｒ⁵ （ま
たはＲ⁶ ）とＲ⁹ （またはＲ⁷ ）とは、炭素原子数１〜
３のアルキレン基を介して結合していてもよく、また何
の基も介さずに直接結合していてもよい。

【００２０】式［III］および［IV］中、ｎ、ｍ、ｋお
よびＲ¹ 〜Ｒ¹⁸は、式［Ｉ］と同様の意味である。） 本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基板または記録
膜上に、ドーピング剤をドープしたＳｉの粉体と、ドー
ピング剤をドープしたＧｅの粉体とを焼結して得られた
ＳｉＧｅターゲット、またはＳｉとＧｅとの溶融混合物
にドーピング剤を添加して得られたＳｉＧｅターゲット
を用いて、ＡｒとＨ₂ とＮ₂ 雰囲気中、あるいはＡｒと
ＮＨ₃ 雰囲気中での反応性マグネトロンスパッタ法によ
って ｛(Ｓi_xＧe_1-x)_1-yＮ_y｝_1-ZＨ_z （ただし、ｘは０.３０≦ｘ≦０.９０であり、ｙは０.
４≦ｙ≦０.８であり、ｚは０＜ｚ＜１である。）で表
わされる組成を有する保護膜を形成する工程を含むこと
を特徴としている。

【００２１】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基
板または記録膜上に、ＳｉＣの粉体と、ドーピング剤を
ドープしたＧｅの粉体とを焼結して得られたＳｉＧｅＣ
ターゲット、またはＳｉＣとＧｅとの溶融混合物にドー
ピング剤を添加して得られたＳｉＧｅＣターゲットを用
いて、ＡｒとＨ₂ 雰囲気中、またはＡｒとＣＨ₄ 雰囲気
中、またはＡｒとＣ₂Ｈ₆ 雰囲気中での反応性マグネト
ロンスパッタ法によって ｛(Ｓi_xＧe_1-x)_1-yＣ_y｝_1-ZＨ_z （ただし、ｘは０.３０≦ｘ≦０.９０であり、ｙは０.
４≦ｙ≦０.８であり、ｚは０＜ｚ＜１である。）で表
わされる組成を有する保護膜を形成する工程を含むこと
を特徴としている。

【００２２】本発明では、上記ドーピング剤として、
Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｌ、ＢｉおよびＧａ等を用いる
ことができる。

【００２３】

【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光磁気記録媒
体およびその製造方法について具体的に説明する。本発
明に係る光磁気記録媒体は、基板上に少なくとも保護膜
と光磁気記録膜とを有し、該保護膜がＳｉ、Ｇｅ、Ｎお
よびＨを含む膜または、Ｓｉ、Ｇｅ、ＣおよびＨを含む
膜である光磁気記録媒体である。

【００２４】図１、図２、図３および図４に、本発明の
一実施例に係る光磁気記録媒体の概略断面図を示す。本
発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に少なくとも保護
膜と光磁気記録膜とを有する光磁気記録媒体であり、具
体的には、図１に示すように、基板１上に、保護膜２お
よび光磁気記録膜３がこの順序で積層されていてもよ
く、あるいは図２に示すように、基板１上に、光磁気記
録膜３および保護膜２がこの順序で積層されていてもよ
い。また、図３および図４に示すように、基板１と光磁
気記録膜３との間に保護膜２（第１保護膜と称する場合
がある）を有し、光磁気記録膜３と金属膜５との間に保
護膜４（第２保護膜と称する場合がある）を有する構成
であってもよい。また、図３および図４に示すような光
磁気記録媒体において、保護膜２または保護膜４を除い
た構成を有する光磁気記録媒体も本発明に係る光磁気記
録媒体に含まれる。

【００２５】このような本発明の光磁気記録媒体を構成
する基板、保護膜、光磁気記録膜および金属膜について
順次説明する。 ［基板］基板としては、透明基板であることが望まし
く、具体的には、ガラスあるいはアルミニウム等の無機
材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネ
ート、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロ
イ、米国特許4,614,778号明細書に示されるような非晶
質ポリオレフィン、ポリ4-メチル-1-ペンテン、エポキ
シ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポ
リエーテルイミド等の有機材料を使用することができる
が、特に後述するような重合体または共重合体からなる
基板が好ましく用いられる。

【００２６】本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、
(a) 上記一般式［Ｉ］および／または［II］で表わされ
る環状オレフィンとエチレンとのランダム共重合体、
(b) 一般式［III］で表わされる繰り返し単位を含む重
合体または共重合体、(c) 一般式［IV］で表わされる繰
り返し単位を含む重合体または共重合体、よりなる群か
ら選ばれる少なくとも１種の重合体または共重合体が好
ましく用いられる。

【００２７】ここで、一般式［III］で表される繰り返
し単位は、一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンを
開環重合することにより形成され、一般式［IV］で表わ
される繰り返し単位は、一般式［III］で表される繰り
返し単位を水素添加することによって形成される。

【００２８】一般式［Ｉ］において、ｎは０または１で
あり、好ましくは０である。また、ｍは０または正の整
数であり、好ましくは０〜３である。また一般式［II］
において、ｐは０または１以上の整数であり、好ましく
は０〜３の整数である。

【００２９】そして、一般式［Ｉ］におけるＲ¹ 〜Ｒ¹⁸
ならびにＲ^a およびＲ^b は、それぞれ独立に、水素原
子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ば
れる原子もしくは基を表し、一般式［II］におけるＲ¹
〜Ｒ¹⁵は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、
脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基およびアルコキシ
基および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしく
は基を表わす。

【００３０】上記炭化水素基としては、通常は炭素原子
数１〜６のアルキル基、炭素原子数３〜６のシクロアル
キル基を挙げることができ、アルキル基の具体的な例と
しては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブ
チル基、アミル基等を挙げることができ、シクロアルキ
ル基の具体的な例としては、シクロプロピル基、シクロ
ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙
げることができる。脂肪族炭化水素基としては、メチル
基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、アミル
基等の炭素原子数１〜６のアルキル基を挙げることがで
き、芳香族炭化水素基としてはフェニル基、ナフチル基
等を挙げることができ、アルコキシ基としてはメトキシ
基、エトキシ基等が挙げられる。

【００３１】なお、一般式［Ｉ］において、ｋが０の場
合は、ｋを用いて表わされる環は五員環を形成する。さ
らに、一般式［Ｉ］において、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は互いに結合
して（共同して）単環または多環を形成していてもよ
く、かつ、該単環または多環が二重結合を有していても
よい。このような単環または多環としては、以下に挙げ
る単環または多環を例示することができる。さらに、こ
れらの環は、メチル基等の置換基を有していてもよい。

【００３２】

【化９】

【００３３】なお、上記式において、１および２を付し
て示した炭素原子は、式［Ｉ］においてＲ¹⁵〜Ｒ¹⁸で表
わされる基が結合している脂環構造の炭素原子を表わ
す。また、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアル
キリデン基を形成していてもよい。このようなアルキリ
デン基は、通常は炭素原子数２〜４のアルキリデン基を
挙げることができ、その具体的な例としては、エチリデ
ン基、プロピリデン基、イソプロピリデン基およびイソ
ブチリデン基を挙げることができる。

【００３４】上記一般式［Ｉ］または［II］で表わされ
る環状オレフィンは、シクロペンタジエン類と、相応す
るオレフィン類あるいは環状オレフィン類とをディール
ス・アルダー反応により付加させることにより容易に製
造することができる。

【００３５】上記一般式［Ｉ］または［II］で表わされ
る環状オレフィンとしては、具体的には、例えば、ビシ
クロ［2.2.1］ヘプト-2-エンまたはその誘導体、テトラ
シクロ［4.4.0.1^2,5.1^7,10］-3-ドデセンまたはその誘
導体、ヘキサシクロ［6.6.1.1 ^3,6.1^10,13.0^2,7.0^9,14］
-4- ヘプタデセンまたはその誘導体、オクタシクロ［8.
8.0.1^2,9.1^4,7.1^11,18.1^13,16.0^3,8.0^12,17］-5- ドコ
センまたはその誘導体、ペンタシクロ［6.6.1.1^3,6.0
^2,7.0^9,14］-4- ヘキサデセンまたはその誘導体、ヘプ
タシクロ-5-エイコセンまたはその誘導体、ヘプタシク
ロ-5- ヘンエイコセンまたはその誘導体、トリシクロ
［4.3.0.1^2,5］-3-デセンまたはその誘導体、トリシク
ロ［4.4.0.1^2,5］-3- ウンデセンまたはその誘導体、ペ
ンタシクロ［6.5.1.1^3,6.0^2,7.0^9,13］-4-ペンタデセン
またはその誘導体、ペンタシクロペンタデカジエンまた
はその誘導体、ペンタシクロ［7.4.0.1^2,5.1^9,12.
0^8,13］-3- ペンタデセンまたはその誘導体、ヘプタシ
クロ［8.7.0.1^3,6.1^10,17.1^12,15.0^2,7.0^11,16］-4- エ
イコセンまたはその誘導体、ノナシクロ［10.9.1.1^4,7.
1^13,20.1 ^15,18.0^3,8.0^2,10.0^12,21.0^14,19］-5- ペンタ
コセンまたはその誘導体、ペンタシクロ［8.4.0.1^2,5.1
^9,12.0^8,13］-3- ヘキサデセンまたはその誘導体、ヘプ
タシクロ［8.8.0.1^4,7.1^11,18.1^13,16.0^3,8.0^12,17］-5
- ヘンエイコセンまたはその誘導体、ノナシクロ［10.1
0.1.1^5,8.1^14,21.1^16,19.0^2,11.0^4,9.0^13,22.0^{15,2 0}］-
5-ヘキサコセンまたはその誘導体、5-フェニル-ビシク
ロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、5-メチル-5-フェニル-ビシ
クロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、5-ベンジル-ビシクロ
［2.2.1］ヘプト-2-エン、5-トリル-ビシクロ［2.2.1］
ヘプト-2-エン、5-（エチルフェニル）-ビシクロ［2.2.
1］ヘプト-2-エン、5-（イソプロピルフェニル）-ビシ
クロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、1,4-メタノ-1,4,4a,9a-
テトラヒドロフルオレン、1,4-メタノ-1,4,4a,5,10,10a
-ヘキサヒドロアントラセン、シクロペンタジエン-アセ
ナフチレン付加物、5-（α- ナフチル）-ビシクロ［2.
2.1］ヘプト-2- エン、5-（アントラセニル）-ビシクロ
［2.2.1］ヘプト-2-エン等を挙げることができる。

【００３６】上記のような環状オレフィン類とエチレン
との共重合体である環状オレフィン系ランダム共重合体
は、エチレンおよび前記環状オレフィンを必須成分とす
るものであるが、必要に応じて他の共重合可能な不飽和
単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合されて
いてもよい該不飽和単量体としては、具体的には、例え
ば生成するランダム共重合体中のエチレン成分単位と等
モル未満の範囲のプロピレン、1-ブテン、4-メチル-1-
ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン、1-ドデ
セン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセ
ン、1-エイコセン等の炭素原子数が３〜２０のα-オレ
フィン等を例示することができる。

【００３７】本発明では、光磁気記録媒体の基板として
上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体の他
に、一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンの開環重
合体もしくは開環共重合体［III］、あるいはこれらの
開環重合体もしくは開環共重合体の水素添加物［IV］を
用いることもでき、このような重合体の例としては、テ
トラシクロドデセンの開環重合体、テトラシクロドデセ
ンとノルボルネンおよびそれらの誘導体との開環共重合
体、およびこれらの開環共重合体、ならびにこれら開環
共重合体の水素添加物が挙げられる。

【００３８】このような環状オレフィン系（共）重合体
は、特開昭60−168708号公報、特開昭61−120816号公
報、特開昭61−115912号公報、特開昭61−115916号公
報、特開昭62−252406号公報、特開昭62−252407号公
報、特開昭61−271308号公報、特開昭61−272216号公報
等において本出願人が提案した方法に従って適宜条件を
選択することにより製造することができる。

【００３９】本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、
このようにして製造される環状オレフィン系（共）重合
体の中でも¹³Ｃ-ＮＭＲによって測定されるエチレンに
由来する繰り返し単位が４０〜８５モル％、特に５０〜
７５モル％の範囲で存在し、同様にして測定される環状
オレフィンに由来する繰り返し単位が１５〜６０モル
％、好ましくは２５〜５０モル％の範囲で存在し、これ
らのエチレンおよび環状オレフィンに由来する繰り返し
単位がランダムに実質上線状に配列している環状オレフ
ィン系ランダム共重合体［Ａ］（以下、「共重合体
［Ａ］」と記載する。）が好ましく用いられる。また、
このように重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造
を有していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリ
ン中に完全に溶解することによって確認できる。

【００４０】また、本発明に係る光磁気記録媒体の基板
に用いられる共重合体［Ａ］としては、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［η］が０.０５〜１０ｄｌ
／ｇ、特に０.０８〜５ｄｌ／ｇの範囲にある環状オレ
フィン系ランダム共重合体が好ましい。

【００４１】さらに、このような共重合体［Ａ］は、軟
化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上、好ましくは９０〜２５
０℃の範囲であることが望ましい。この軟化温度（ＴＭ
Ａ）は、デュポン社製のサーモメカニカル・アナライザ
ーを用いて厚さ１ｍｍのシートの熱変形挙動により測定
される。すなわち、シート上に石英製の針をのせ、荷重
４９ｇをかけ、５℃／分で昇温していき、針がシート中
に０.６３５ｍｍ埋入した際の温度をＴＭＡとした。ま
た、このような共重合体［Ａ］のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）は５０〜２３０℃、好ましくは７０〜２１０℃の範
囲にあることが望ましい。

【００４２】さらに、共重合体［Ａ］のＸ線回折法によ
って測定した結晶化度は、０〜１０％、好ましくは０〜
７％の範囲にあることが望ましい。本発明では、上記の
ような共重合体［Ａ］に、エチレンと上記一般式［Ｉ］
または［II］で表わされる環状オレフィンとの共重合体
であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
［η］が０.０５〜５ｄｌ／ｇの範囲にあり、軟化温度
（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ｂ］（以下、「共重合体［Ｂ］」と記載す
る。）を配合してなる環状オレフィン系ランダム共重合
体組成物から基板を形成することが好ましい。

【００４３】上記のような共重合体［Ｂ］では、前記と
同様にして測定されたエチレンに由来する繰り返し単位
が６０〜９８モル％の範囲で存在していることが好まし
く、環状オレフィンに由来する繰り返し単位が２〜４０
モル％、特に５〜４０モル％の範囲で存在していること
が好ましく、前記エチレンに由来する繰り返し単位およ
び環状オレフィンに由来する繰り返し単位がランダムに
実質上線状に配列していることが好ましい。また、この
ように重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有
していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中
に完全に溶解することによって確認できる。

【００４４】また、このような共重合体［Ｂ］の１３５
℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０.０５
〜５ｄｌ／ｇ、特に０.０８〜３ｄｌ／ｇの範囲にある
ことが好ましい。

【００４５】共重合体［Ｂ］は、共重合体［Ａ］と同様
にして測定した軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満、好ま
しくは−１０〜６０℃の範囲にあることが望ましい。ま
た該共重合体［Ｂ］のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−３
０〜６０℃、好ましくは−２０〜５０℃の範囲にあるこ
とが望ましい。さらに、共重合体［Ｂ］のＸ線回折法に
よって測定した結晶化度は、０〜１０％、好ましくは０
〜７％の範囲にあることが望ましい。

【００４６】本発明において、基板として環状オレフィ
ン系ランダム共重合体組成物を用いる場合には、前記共
重合体［Ａ］／共重合体［Ｂ］の重量比は、１００／
０.１〜１００／１０、好ましくは１００／０.３〜１０
０／７の範囲にあることが望ましい。共重合体［Ｂ］を
この範囲で共重合体［Ａ］に配合することによって基板
自体の優れた透明性と表面平滑性を維持したままで、光
磁気記録膜または保護膜との密着性が共重合体［Ａ］の
みの場合に比べてさらに向上するという効果がある。

【００４７】なお、上記のような開環重合体、開環共重
合体、これらの水素添加物および環状オレフィン系ラン
ダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カルボ
ン酸等で変性されていてもよい。このような変性物は、
上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カルボン
酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸のアルキ
ルエステル等の誘導体とを反応させることにより製造す
ることができる。この場合の環状オレフィン系樹脂の変
性物中における変性剤から導かれる構成単位の含有率
は、通常は５０〜１０モル％以下である。このような環
状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率になるよう
に環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグラフト重
合させて製造することもできるし、予め高変性率の変性
物を調製し、次いで、この変性物と未変性の環状オレフ
ィン系樹脂とを混合することによっても製造することが
できる。

【００４８】以上のような開環重合体、開環共重合体、
これらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共
重合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合
わせて用いることができる。

【００４９】また本発明の光磁気記録媒体の基板には、
上述したような（共）重合体に、衝撃強度を向上させる
ためのゴム成分を配合したり、耐熱安定剤、耐候安定
剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、
防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油等を適当量
配合することができる。

【００５０】所望により配合される安定剤としては、フ
ェノール系酸化防止剤、脂肪酸金属塩、多価アルコール
の脂肪酸エステル等が挙げられる。これらの安定剤は、
単独で配合してもよく、組み合わせて配合してもよい。

【００５１】本発明の光磁気記録媒体の基板には、フェ
ノール系酸化防止剤と多価アルコールの脂肪酸エステル
とを組合せて用いることが好ましく、この多価アルコー
ルの脂肪酸エステルは、３価以上の多価アルコールのア
ルコール性水酸基の一部がエステル化された多価アルコ
ール脂肪酸エステルであることが好ましい。

【００５２】このようなフェノール系酸化防止剤は、例
えば前記共重合体［Ａ］および共重合体［Ｂ］の合計重
量１００重量部に対して、０〜１０重量部の量で用いる
ことが望ましく、また多価アルコールの脂肪酸エステル
は、共重合体［Ａ］および共重合体［Ｂ］の合計重量１
００重量部に対して、０〜１０重量部の量で用いること
が好ましい。

【００５３】また本発明の光磁気記録媒体の基板には、
本発明の目的および透明性を損なわない範囲で、シリ
カ、珪藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、軽石粉、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸
化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、ドロマイ
ト、硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウ
ム、亜硫酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス繊維、ガラスフレーク、ガラスビーズ、珪酸カルシウ
ム、モンモリロナイト、ベントナイト、グラファイト、
アルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロン繊維、炭化珪
素繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリ
エステル繊維、ポリアミド繊維等の充填剤を配合しても
よい。

【００５４】このような基板の厚みは特に限定されない
が、通常０.５〜５ｍｍ、好ましくは０.５〜２ｍｍであ
る。 ［保護膜］本発明に係る光磁気記録媒体では、保護膜と
してＳｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨを含む膜、またはＳｉ、Ｇ
ｅ、ＣおよびＨを含む膜が用いられ、この保護膜は、 ｛(Ｓi_xＧe_1-x)_1-yＭ_y｝_1-ZＨ_z （ただし、ＭはＮまたはＣであり、ｘは０.３０≦ｘ≦
０.９０であり、ｙは０.４≦ｙ≦０.８であり、ｚは０
＜ｚ＜１である。）で示される組成であることが好まし
い。この保護膜は、上記４元素のみで構成されていても
よく、さらにＢ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｇａ等
の他の元素を少量、例えば保護膜を構成する全原子数を
基準として５原子％以下、好ましくは３原子％以下の割
合で含んでいてもよい。

【００５５】また、本発明に係る光磁気記録媒体が、例
えば、図３および図４に示すように、複数の保護膜を有
する光磁気記録媒体である場合には、少なくとも一つの
保護膜が上記組成を有する。光磁気記録媒体が図３およ
び図４に示すような膜構成である場合、第１又は第２保
護膜の一方に、上記組成以外の組成からなる保護膜を用
いる場合、その保護膜としては特に制限はなく、従来公
知の保護膜、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＮ_x（ｘ＜４／
３）、ＺｎＳ、Ｓｉ、ＣｄＳ、ＳｉＣ_x（０.５≦ｘ≦
３）など、あるいは（Ｓｉ_xＧｅ_1-x）_1-yＣ_y（０.５≦
ｘ≦０.９８、０.３≦ｙ≦０.８）を用いることができ
る。本発明では、第１保護膜２および第２保護膜４の両
者とも、Ｓｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨを含む膜、またはＳ
ｉ、Ｇｅ、ＣおよびＨを含む膜であることが望ましい。

【００５６】上記の｛(Ｓi_xＧe_1-x)_1-yＭ_y｝_1-ZＨ
_z （ただし、ＭはＮまたはＣである。）で示される組成
を有する保護膜では、原子比で表わした場合に、ｘは
０.３０≦ｘ≦０.９０であるが、特に０.４≦ｘ≦０.７
であることが好ましく、ｙは０.４≦ｙ≦０.８である
が、特に０.４≦ｙ≦０.６５であることが好ましく、ｚ
は０＜ｚ＜１であるが、特に０.０１≦ｚ≦０.１５であ
ることが好ましい。ｘが０.３０未満であると、消衰係
数ｋが上昇し、再生レザー光の光学的吸収が光磁気信号
を減衰させるほど大きくなることがあり、一方、ｘが
０.９０を超えると、スパッタ速度が急激に低下し、ま
た、屈折率が低下するためエンハンス効果の減少による
光磁気信号の減衰が起こることがある。またｙが０.４
未満であると、再生レザー光の光学的吸収が光磁気信号
を減衰させるほど大きくなるとこがあり、一方、ｙが
０.８を超えると、屈折率が低下し、エンハンス効果の
減少による光磁気信号の減衰が起こることがある。Ｓi-
Ｇe-Ｎ系の膜またはＳi-Ｇe-Ｃ系の保護膜中にＨを導入
すると、Ｓi-Ｇe-Ｎ系の膜またはＳi-Ｇe-Ｃ系の膜の消
衰係数ｋが低下し、成膜速度を上げるためにＧｅの含有
量を多くしても、再生レーザー光の光学的吸収が少な
く、屈折率の高い保護膜を形成することができる。

【００５７】なお、上記のＳｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨの組
成比、Ｓｉ、Ｇｅ、ＣおよびＨの組成比は、蛍光Ｘ線回
折あるいは二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により求
めることができる。

【００５８】このようなＳｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨを含む
保護膜、Ｓｉ、Ｇｅ、ＣおよびＨを含む保護膜は、透過
光の波長（λ）が４００〜１２００ｎｍの範囲における
複素屈折率ｎ（ｎはｎ₀＋ｉｋで表され、ｎ₀は屈折率に
対応する値であり、ｉは虚数単位であり、ｋは消衰係数
である。）の実数部ｎ₀が１.９以上、好ましくは２.０
以上であり、消衰係数ｋが０.０５以下、好ましくは０.
０１以下であることが好ましい。

【００５９】複素屈折率ｎの実数部ｎ₀は屈折率に対応
する値であり、この値が小さすぎると、エンハンス効果
の減少による光磁気信号の減衰が起こることがある。ま
た、複素屈折率の消衰係数ｋは吸光係数ａとは次式で示
される関係があり、 ａ＝（４π／λ）×ｋ 消衰係数ｋが大きすぎると、再生レザー光の光学的吸収
が光磁気信号を減衰させるほど大きくなることがある。

【００６０】本発明で用いられる保護膜は、例えばター
ゲットとしてＳｉＧｅＮ、ＳｉＮとＧｅまたはＧｅＮと
Ｓｉの複合ターゲット、あるいはＳｉＧｅＣ、ＳｉＣと
ＧｅまたはＧｅＣとＳｉの複合ターゲットを用い、反応
性ガスとしてＨ₂、Ｈ₂Ｏ、ＣＨ₄ 等を用い反応性スパッ
タリング法により成膜することができる。

【００６１】また、本発明に係る光磁気記録媒体を製造
する際に、基板または記録膜上に、ドーピング剤をドー
プしたＳｉの粉体と、ドーピング剤をドープしたＧｅの
粉体とを焼結して得られたＳｉＧｅターゲット、または
ＳｉとＧｅとの溶融混合物にドーピング剤を添加して得
られたＳｉＧｅターゲットを用いて、ＡｒとＨ₂ とＮ ₂
雰囲気中、あるいはＡｒとＮＨ₃ 雰囲気中での反応性マ
グネトロンスパッタ法によってＳｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨ
を含む保護膜を形成する工程を採用することができる。
例えば、上記のようなドーピング剤入りＳｉＧｅターゲ
ットをＡｒとＨ ₂ とＮ₂ 雰囲気中でスパッタリングする
ことによって成膜する。

【００６２】さらにまた、本発明に係る光磁気記録媒体
を製造する際に、基板または記録膜上に、ＳｉＣの粉体
と、ドーピング剤をドープしたＧｅの粉体とを焼結して
得られたＳｉＧｅＣターゲット、またはＳｉＣとＧｅと
の溶融混合物にドーピング剤を添加して得られたＳｉＧ
ｅＣターゲットを用いて、ＡｒとＨ₂ 雰囲気中、または
ＡｒとＣＨ₄ 雰囲気中、またはＡｒとＣ₂Ｈ₆ 雰囲気中
での反応性マグネトロンスパッタ法によってＳｉ、Ｇ
ｅ、ＣおよびＨを含む保護膜を形成する工程を採用する
ことができる。例えば、上記のようなＳｉＧｅＣターゲ
ットをＡｒとＨ₂雰囲気中でスパッタリングすることに
よって成膜する。

【００６３】上記ドーピング剤としては、具体的には、
Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｇａなどが挙げられ
る。中でも、Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂが好ましい。上記のそれぞ
れの粉体に用いられるドーピング剤は、同一であっても
よく、また異なっていてもよい。また、これらのドーピ
ング剤は単独で、あるいは組み合わせて用いることがで
きる。これらのドーピング剤の保護膜中における含有量
は、光磁気記録媒体の要求される特性にもよるが、通常
２０ｐｐｍ以下である。

【００６４】このような保護膜は、通常１.８以上、好
ましくは１.９〜２.６の屈折率を有していることが望ま
しい。保護膜は、厚さを変えると光磁気記録媒体のＣ／
Ｎ比および反射率が変化する。Ｃ／Ｎ比は、屈折率×膜
厚の関数であるため、同じ膜厚の場合には屈折率が大き
くなればＣ／Ｎ比も大となり、求められるＣ／Ｎ比を得
るための膜厚は薄くてもよい。保護膜として用いられる
Ｓｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨを含む膜、またはＳｉ、Ｇｅ、
ＮおよびＨを含む膜、特に｛(Ｓi_xＧe_1-x)_1-yＭ_y｝_1-Z
Ｈ_z （ただし、ＭはＮまたはＣであり、ｘは０.３０≦
ｘ≦０.９０であり、ｙは０.４≦ｙ≦０.８であり、ｚ
は０＜ｚ＜１である。）で示される組成の膜は、屈折率
が大きいため膜厚を薄くすることができ、しかも、膜厚
が薄くても長期安定性に優れている。また、このような
保護膜は、成膜速度が大きく、かつ、膜厚を薄くするこ
とができるので、ＳｉＮx からなる従来の保護膜に比べ
て生産性を高めることができる。

【００６５】本発明において保護膜（第１保護膜および
第２保護膜）とは、後述する光磁気記録膜を酸化等から
保護する働きおよび／または干渉膜すなわち光磁気記録
膜の記録特性（θk）をエンハンスするエンハンス膜と
しての働きを果たす膜である。また、第２保護膜は、良
好なピットを形成するために熱の膜面方向への広がりを
抑制する働きも有する。このような保護膜の膜厚は、通
常５０〜２０００Åである。

【００６６】このような保護膜を上記の第１保護膜とし
て用いる場合には、保護膜の膜厚は、通常１００〜２０
００Å、好ましくは３００〜１５００Åである。また、
このような保護膜を上記の第２保護膜として用いる場合
には、保護膜の膜厚は、通常５０〜１０００Å、好まし
くは５０〜７００Å、さらに好ましくは１００〜４００
Å程度である。

【００６７】光磁気記録媒体の構成を図４の構成とし、
かつ、第１保護膜と第２保護膜の膜厚を上記の範囲にす
ることによって、特に良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワー
マージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

【００６８】なお、第１又は第２保護膜の一方に、従来
公知の保護膜を用いる場合には、Ｓｉ₃Ｎ₄からなる膜を
用いることが好ましい。また、第１または第２保護膜と
して従来公知の保護膜を用いる場合、その膜厚は、第１
保護膜では通常１００〜２０００Å、好ましくは３００
〜１５００Å程度であり、第２保護膜では通常５０〜１
０００Å、好ましくは１００〜４００Å程度である。

【００６９】［光磁気記録膜］本発明で用いられる光磁
気記録膜としては、光磁気記録膜としての性質を有する
ものであれば特に制限はないが、その中でも、３ｄ遷移
元素から選ばれる少なくとも１種の元素（ｉ）と、希土
類元素から選ばれる少なくとも１種の元素（ii）とから
なる光磁気記録膜、あるいは３ｄ遷移元素から選ばれる
少なくとも１種の元素（ｉ）と、希土類元素から選ばれ
る少なくとも１種の元素（ii）と、耐腐食性金属（ii
i）とからなる光磁気記録膜が好ましい。

【００７０】上記３ｄ遷移元素（ｉ）としては、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等が用
いられるが、これらのうち、ＦｅまたはＣｏ、あるいは
この両者を用いることが好ましい。

【００７１】この３ｄ遷移元素は、光磁気記録膜中に、
該光磁気記録膜の全原子数を基準として、通常２０〜９
０原子％、好ましくは３０〜８５原子％、特に好ましく
は３５〜８０原子％の量で存在している。

【００７２】上記希土類元素（ii）としては、例えばＧ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕが挙げられ
る。これらのうち、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍが好ましく用いられる。

【００７３】上記のような群から選ばれる少なくとも１
種の希土類元素は、光磁気記録膜中に、該光磁気記録膜
の全原子数を基準として、通常５〜５０原子％、好まし
くは８〜４５原子％、特に好ましくは１０〜４０原子％
の量で存在している。

【００７４】光磁気記録膜は、上記の３ｄ遷移元素
（ｉ）および希土類元素（ii）に加えて、耐腐食性金属
（iii）を含んでいてもよい。上記耐腐食性金属（iii）
は、光磁気記録膜中に含ませることにより、この光磁気
記録膜の耐酸化性を高めることができ、長期信頼性に優
れた光磁気記録膜を得ることができる。このような耐腐
食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎ
ｂ等が用いられるが、これらのうち、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ
が好ましく、特にＰｔまたはＰｄ、あるいはこの両者を
用いることが好ましい。

【００７５】光磁気記録媒体の耐酸化性を充分に高める
ためには、この耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に、該
光磁気記録膜の全原子数を基準として、好ましくは５〜
３０原子％、より好ましくは５〜２５原子％、さらに好
ましくは１０〜２５原子％、特に好ましくは１０〜２０
原子％の量で存在している。

【００７６】上記のような量で耐腐食性金属を光磁気記
録膜中に存在させると、得られる光磁気記録膜の耐酸化
性が充分に改善され、経時的に保磁力Ｈc が大きく変化
したり、あるいはカー回転角θk が減少したりすること
がない。また、３０原子％を超えて存在する場合には、
得られる非晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下となる
傾向が生ずる。

【００７７】本発明では、光磁気記録膜が、特に下記に
記載するような組成を有することが好ましい。 （ｉ）３ｄ遷移元素 ３ｄ遷移元素は、光磁気記録膜中に、好ましくはＦｅま
たはＣｏあるいはこの両者が含まれており、Ｆｅおよび
／またはＣｏは、通常４０原子％以上８０原子％以下、
好ましくは４０原子％以上７５原子％未満、さらに好ま
しくは、４０原子％以上５９原子％以下の量で存在して
いることが望ましい。Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４
０原子％以上で８０原子％以下の範囲にあると、耐酸化
性に優れ、かつ、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもっ
た光磁気記録膜が得られるという利点を有する。

【００７８】ところで、光磁気記録膜中に、Ｃｏを添加
すると、（イ）光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、ま
た（ロ）カー回転角（θk ）が大きくなるという現象が
認められ、その結果、Ｃｏの添加量により、光磁気記録
膜の記録感度を調整することができ、しかも、Ｃｏの添
加により、再生信号のキャリアレベルを増加することが
できる。本発明では、Ｃｏは、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比
の点からＣｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］が通常０〜
０.３、好ましくは０〜０.２、さらに好ましくは０.０
１〜０.２であるような量で、光磁気記録膜中に存在し
ていることが望ましい。

【００７９】（ii）希土類元素（ＲＥ） 希土類元素（ＲＥ）としては、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃ
ｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙまたはＨｏが用いられる。
これらの中では、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙが好ま
しく用いられ、特にＴｂが好ましく用いられる。また、
希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に、Ｔ
ｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有していること
が好ましい。

【００８０】この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸をもった光磁気記録膜を得るという点からＲＥ
／（ＲＥ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］をｘで表わした場
合に、ｘが通常０.１５≦ｘ≦０.４５、好ましくは０.
２０≦ｘ≦０.４であるような量で光磁気記録膜中に存
在していることが望ましい。

【００８１】（iii）耐腐食性金属 耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に、好ましくはＰｔま
たはＰｄあるいはこの両者が含まれており、Ｐｔおよび
／またはＰｄは、光磁気記録膜中に通常５〜３０原子
％、好ましくは１０原子％を超えて３０原子％以下、さ
らに好ましくは１０原子％を超えて２０原子％未満、最
も好ましくは１１原子％以上１９原子％以下の量で存在
していることが望ましい。

【００８２】光磁気記録膜中のＰｔおよび／またはＰｄ
の量が５原子％以上、特に１０原子％を超えて存在する
と、光磁気記録膜は耐酸化性に優れ、長期間使用しても
孔食が発生せず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有
する。

【００８３】例えば、Ｐｔ₁₃Ｔｂ₂₈Ｆｅ₅₀Ｃｏ₉ （原子
％）あるいはＰｄ₁₂Ｔｂ₂₈Ｆｅ₅₇Ｃｏ₃ （原子％）で示
される組成を有する光磁気記録膜を有する、本発明の光
磁気記録媒体は、相対湿度８５％、８０℃の環境下に１
０００時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は全く変化しない。

【００８４】本発明では、光磁気記録膜中に上記以外の
他の元素を少量含ませて、キュリー温度や補償温度ある
いは保磁力Ｈc やカー回転角θk の改善または低コスト
化を計ることもできる。これらの元素は、光磁気記録膜
を構成する全原子数に対して例えば１０原子％未満の割
合で用いることができる。

【００８５】併用できる他の元素の例としては、以下の
ような元素が挙げられる。 （イ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素、例えばＳｃ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等。

【００８６】（ロ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素、例えば
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ
等。 （ハ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素、例えばＨｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｈｇ等。

【００８７】 （ニ）IIIＢ族元素、例えばＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
ｌ等。 （ホ）IVＢ族元素、例えばＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ
等。 （ヘ）ＶＢ族元素、例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ
等。

【００８８】 （ト）VIＢ族元素、例えばＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等。 上記のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直
な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非
晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回折等により確かめら
れる。

【００８９】このような光磁気記録膜の膜厚は、通常１
００〜６００Å、好ましくは１００〜４００Å、さらに
好ましくは１５０〜３５０Å程度である。 ［金属膜］本発明に係る光磁気記録媒体では、金属膜５
が設けられていることが好ましく、金属膜５は、光磁気
記録膜３上に設けられていてもよく、図３に示すように
第２保護膜４上に設けられていてもよい。

【００９０】金属膜としては、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ａｕまたはこれらの合金、あるいはニッケル合金、
例えば、ニッケルを主成分とし、かつ、シリコン、モリ
ブデン、鉄、クロムおよび銅からなる群から選ばれる少
なくとも１種を含有しているニッケル合金（例、ＮｉＣ
ｒ合金）、チタン合金または下記のようなアルミニウム
合金からなる膜が挙げられる。本発明では、特にアルミ
ニウム合金が好ましい。このアルミニウム合金は、アル
ミニウムと、アルミニウム以外の少なくとも１種の元素
を含んで構成されている。この場合アルミニウム以外の
好くなくとも１種の元素の合金中の含有量は、該アルミ
ニウム合金を構成する全原子数に対して０.１原子％以
上であることが好ましい。

【００９１】このような金属膜を構成するアルミニウム
合金としては、具体的には、以下のようなものが例示で
きる。なお下記のアルミニウム合金において、各金属の
含有量は、該アルミニウム合金を構成する全原子数に対
する原子％である。 （１）Ａl-Ｃr 合金（Ｃｒ含有量０.１〜１０原子
％）、（２）Ａl-Ｃu 合金（Ｃｕ含有量０.１〜１０原
子％）、（３）Ａl-Ｍn 合金（Ｍｎ含有量０.１〜１０
原子％）、（４）Ａl-Ｈf 合金（Ｈｆ含有量０.１〜１
０原子％）、（５）Ａl-Ｎb 合金（Ｎｂ含有量０.１〜
１０原子％）、（６）Ａl-Ｂ合金（Ｂ含有量０.１〜１
０原子％）、（７）Ａl-Ｔi 合金（Ｔｉ含有量０.１〜
１０原子％）、（８）Ａl-Ｔi-Ｎb 合金（Ｔｉ含有量
０.１〜５原子％、Ｎｂ含有量０.１〜５原子％）、
（９）Ａl-Ｔi-Ｈf 合金（Ｔｉ含有量０.１〜５原子
％、Ｈｆ含有量０.１〜１０原子％）、（１０）Ａl-Ｃr
-Ｈf 合金（Ｃｒ含有量０.１〜５原子％、Ｈｆ含有量
０.１〜１０原子％）、（１１）Ａl-Ｃr-Ｔi 合金（Ｃ
ｒ含有量０.１〜５原子％、Ｔｉ含有量０.１〜１０原子
％）、（１２）Ａl-Ｃr-Ｚr 合金（Ｃr含有量０.１〜５
原子％、Ｚｒ含有量０.１〜１０原子％）、（１３）Ａl
-Ｔi-Ｎb 合金（Ｔｉ含有量０.１〜５原子％、Ｎｂ含有
量０.１〜５原子％）、（１４）Ａl-Ｎi 合金（Ｎｉ含
有量０.１〜１０原子％）、（１５）Ａl-Ｍg 合金（Ｍ
ｇ含有量０.１〜１０原子％）、（１６）Ａl-Ｍg-Ｔi
合金（Ｍｇ含有量０.１〜１０原子％、Ｔｉ含有量０.１
〜１０原子％）、（１７）Ａl-Ｍg-Ｃr 合金（Ｍｇ含有
量０.１〜１０原子％、Ｃｒ含有量０.１〜１０原子
％）、（１８）Ａl-Ｍg-Ｈf 合金（Ｍｇ含有量０.１〜
１０原子％、Ｈｆ含有量０.１〜１０原子％）、（１
９）Ａl-Ｓe 合金（Ｓｅ含有量０.１〜１０原子％）、
（２０）Ａl-Ｚr 合金（Ｚｒ含有量０.１〜１０原子
％）、（２１）Ａl-Ｔa 合金（Ｔａ含有量０.１〜１０
原子％）、（２２）Ａl-Ｔa-Ｈf 合金（Ｔａ含有量０.
１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０.１〜１０原子％）、
（２３）Ａl-Ｓi 合金（Ｓｉ含有量０.１〜１０原子
％）、（２４）Ａl-Ａg 合金（Ａｇ含有量０.１〜１０
原子％）、（２５）Ａl-Ｐd 合金（Ｐｄ含有量０.１〜
１０原子％）、（２６）Ａl-Ｐt 合金（Ｐｔ含有量０.
１〜１０原子％）。

【００９２】これらの金属膜を構成するアルミニウム合
金のうち、特に以下のような合金が、光磁気記録媒体の
線速依存性を小さくし、かつ、耐酸化性（耐腐食性）に
優れているので好ましい。 （１）ハフニウム（Ｈｆ）０.１〜１０原子％を含むア
ルミニウム合金、（２）ニオブ（Ｎｂ）０.１〜１０原
子％を含むアルミニウム合金、（３）チタン（Ｔｉ）
０.５〜５原子％とハフニウム０.５〜５原子％とを含
み、かつ、チタンとハフニウムの合計含有量が１〜５.
５原子％であるアルミニウム合金、（４）クロム（Ｃ
ｒ）０.１〜５原子％とチタン０.１〜９.５原子％とを
含み、かつ、クロムとチタンの合計含有量が１０原子％
以下であるアルミニウム合金、（５）マグネシウム（Ｍ
ｇ）０.１〜１０原子％とクロム０.１〜１０原子％とを
含み、かつ、マグネシウムとクロムの合計含有量が１５
原子％以下であるアルミニウム合金、（６）クロム０.
１〜５原子％とハフニウム０.１〜９.５原子％とを含
み、かつ、クロムとハフニウムの合計含有量が１０原子
％以下であるアルミニウム合金、（７）マグネシウム
０.１〜１０原子％とハフニウム０.１〜１０原子％とを
含み、かつ、マグネシウムとハフニウムの合計含有量が
１５原子％以下であるアルミニウム合金、（８）クロム
０.１〜５原子％とジルコニウム（Ｚｒ）０.１〜９.５
原子％を含み、かつ、クロムとジルコニウムの合計含有
量が１０原子％以下であるアルミニウム合金、（９）タ
ンタル（Ｔａ）０.１〜１０原子％とハフニウム０.１〜
１０原子％とを含み、かつ、タンタルとハフニウムの合
計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、
（１０）チタン０.５〜５原子％とニオブ０.５〜５原子
％とを含み、かつ、チタンとニオブの合計含有量が１〜
５.５原子％であるアルミニウム合金、（１１）マグネ
シウム０.１〜１０原子％とチタン０.１〜１０原子％と
を含み、かつ、マグネシウムとチタンの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金、（１２）ハフニ
ウム０.１〜９.５原子％、クロム０.１〜５原子％およ
びチタン０.１〜９.５原子％を含み、かつ、ハフニウム
とクロムとチタンの合計含有量が１０原子％以下である
アルミニウム合金、（１３）ハフニウム０.１〜１０原
子％、マグネシウム０.１〜１０原子％およびチタン０.
１〜１０原子％を含み、かつ、ハフニウムとチタンとマ
グネシウムの合計含有量が１５原子％以下であるアルミ
ニウム合金、（１４）ハフニウム０.１〜１０原子％、
マグネシウム０.１〜１０原子％およびクロム１０原子
％以下とを含み、かつ、ハフニウムとマグネシウムとク
ロムの合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム
合金、（１５）ハフニウム０.１〜１０原子％、マグネ
シウム０.１〜１０原子％、チタン０.１〜１０原子％お
よびクロム１０原子％以下とを含み、かつ、ハフニウム
とマグネシウムとチタンとクロムの合計含有量が１５原
子％未満であるアルミニウム合金、（１６）チタン０.
１〜１０原子％、マグネシウム０.１〜１０原子％およ
びクロム１０原子％以下とを含み、かつ、チタンとマグ
ネシウムとクロムとの合計含有量が１５原子％以下であ
るアルミニウム合金、（１７）ニッケルを０.１〜１０
原子％含むアルミニウム合金、（１８）ニッケルを０.
１〜１０原子％とクロムを２原子％以下とを含むアルミ
ニウム合金。

【００９３】上記のニッケル合金の例としては、以下の
ような合金が挙げられる。 （１）Ｎi-Ｃr 系合金（例えばＮｉ含有量３０〜９９原
子％、Ｃｒ含有量１〜７０原子％）、（２）Ｎi-Ｓi 系
合金（例えばＮｉ含有量８５原子％、Ｓｉ含有量１０原
子％、Ｃｕ含有量３原子％、Ａｌ含有量２原子％）、
（３）Ｎi-Ｃu 系合金（例えばＮｉ含有量６３原子％、
Ｃｕ含有量２９〜３０原子％、Ｆｅ含有量０.９〜２原
子％、Ｓｉ含有量０.１〜４原子％、Ａｌ含有量０〜２.
７５原子％）、（４）Ｎi-Ｍo-Ｆe 系合金（例えばＮｉ
含有量６０〜６５原子％、Ｍｏ含有量２５〜３５原子
％、Ｆｅ含有量５原子％）、（５）Ｎi-Ｍo-Ｆe-Ｃr 系
合金（例えばＮｉ含有量５５〜６０原子％、Ｍｏ含有量
１５〜２０原子％、Ｆｅ含有量６原子％、Ｃｒ含有量１
２〜１６原子％、Ｗ含有量５原子％）、（６）Ｎi-Ｍo-
Ｆe-Ｃr-Ｃu 系合金（例えばＮｉ含有量６０原子％、Ｍ
ｏ含有量５原子％、Ｆｅ含有量８原子％、Ｃｒ含有量２
１原子％、Ｃｕ含有量３原子％、Ｓｉ含有量１原子％、
Ｍｎ含有量１原子％、Ｗ含有量１原子％、あるいはＮｉ
含有量４４〜４７原子％、Ｍｏ含有量５.５〜７.５原子
％、Ｃｒ含有量２１〜２３原子％、Ｃｕ含有量０.１５
原子％、Ｓｉ含有量１原子％、Ｍｎ含有量１〜２原子
％、Ｃｏ含有量２.５原子％、Ｗ含有量１原子％、Ｎｂ
含有量１.７〜２.５原子％、残部Ｆｅ）、（７）Ｎi-Ｃ
r-Ｃu-Ｍo 系合金（例えばＮｉ含有量５６〜５７原子
％、Ｃｒ含有量２３〜２４原子％、Ｃｕ含有量８原子
％、Ｍｏ含有量４原子％、Ｗ含有量２原子％、Ｓｉまた
はＭｎ含有量１原子％）、（８）Ｎi-Ｃr-Ｆe 系合金
（例えばＮｉ含有量７９.５原子％、Ｃｒ含有量１３原
子％、Ｆｅ含有量６.５原子％、Ｃｕ含有量０.２原子
％、あるいはＮｉ含有量３０〜３４原子％、Ｃｒ含有量
１９〜２２原子％、Ｃｕ含有量０.５原子％、Ｓｉ含有
量１原子％、Ｍｎ含有量１.５原子％、残部Ｆｅ）。

【００９４】このような金属膜は、例えば第２保護膜上
に上記元素の複合ターゲットまたはその合金ターゲット
を用い、スパッタリング法等によって成膜することがで
きる。

【００９５】また上記のような金属膜は、それぞれの金
属膜を構成する金属以外に下記のような金属（元素）を
１種または２種以上含ませることもできる。このような
金属としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム
（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン
（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、タングステ
ン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）、
マグネシウム（Ｍｇ）、バナジウム（Ｖ）等が挙げら
れ、このような他の金属は、通常５原子％以下、好まし
くは２原子％以下の量で含まれる。ただし、金属膜に
は、上記に例示するような金属（元素）のうち、既に金
属膜に含まれている金属（元素）をさらに上記の量で重
ねて含ませることはないものとする。例えば、金属膜を
構成するアルミニウム合金が、上記したＡl-Ｔｉ合金、
Ａl-Ｔi-Ｈｆ合金等である場合には、上記の金属（元
素）のうちでチタン（Ｔｉ）がさらに上記のような量で
上記アルミニウム合金中に含まれることはない。

【００９６】このような金属膜の膜厚は、通常１００〜
５０００Å、好ましくは５００〜３０００Å、より好ま
しくは７００〜２０００Å程度である。本発明におい
て、金属膜は、反射膜または熱良伝導体、あるいはこの
両方の機能を果している。この金属膜が存在することに
よって、光磁気記録膜に記録されたピットの中心部が記
録レーザ光によって過度に高温になることが防止され、
その結果、記録パワーの線速依存性が小さくなると考え
られる。

【００９７】アルミニウム合金からなる金属膜は、特に
熱良伝導体としての機能に優れ、しかも耐腐食性（耐酸
化性）に優れているため、長期間使用した後において
も、記録媒体の線速依存性が小さいという特徴を有して
おり、光磁気記録膜に対する保護作用にも優れている。

【００９８】［オーバーコート膜］本発明に係る光磁気
記録媒体では、図４に示すように、金属膜５上にオーバ
ーコート膜６が設けられていてもよい。

【００９９】オーバーコート膜としては、アクリル系紫
外線硬化樹脂等の紫外線硬化樹脂が好ましく用いられ
る。このようなオーバーコート膜は、紫外線硬化樹脂を
例えばロールコート法、スピンコート法等によって金属
膜上に塗布することにより形成することができる。

【０１００】このオーバーコート膜の膜厚は、好ましく
は１〜１００μｍ、特に好ましくは１〜５０μｍであ
る。オーバーコート膜を金属膜上に設けることによっ
て、長期間使用しても読み取りエラーが生じ難く、長期
信頼性に優れた光磁気記録媒体を得ることができる。

【０１０１】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体では、保護膜と
してＳｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨ、またはＳｉ、Ｇｅ、Ｃお
よびＨを特定の割合で含む膜を用いている。このような
組成の保護膜は、Ｈを添加していることにより、消衰係
数ｋが低下し、Ｇｅの含有量が多い場合においても屈折
率が高くしかも再生レーザー光の光学的吸収が少ないた
め、この保護膜を有する光磁気記録媒体はＣ／Ｎ比に優
れている。また、従来の保護膜（Ｓｉ₃Ｎ₄からなる保護
膜）と比較して、成膜性が著しく優れているので、成膜
時のスパッタ速度を上げることができ、性能に優れた光
磁気記録媒体を生産性よく提供することができる。

【０１０２】また、本発明に係る光磁気記録媒体は、上
記のＳｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨ、またはＳｉ、Ｇｅ、Ｃお
よびＨを特定の割合で含む膜を保護膜として使用してい
るので、耐腐食性（耐酸化性）および記録・再生特性に
優れるとともに、長期の使用によっても読み取りエラー
が生じ難く、長期信頼性に優れている。

【０１０３】本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法に
よれば、上記のような優れた特性を有する光磁気記録媒
体を得ることができる。

【０１０４】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明の光磁気記録
媒体およびその製造方法をさらに具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【０１０５】

【実施例１】エチレンとテトラシクロ［4.4.0.1^2,5.1
^7,10］-3-ドデセンとを重合させて得られる非晶性の環
状オレフィンランダム共重合体（¹³Ｃ−ＮＭＲ分析で測
定したエチレン含量５９モル％、テトラシクロ［4.4.0.
1^2,5.1^7,10］-3-ドデセン含量４１モル％、１３５℃デ
カリン中で測定した極限粘度［η］が０.４２ｄｌ／
ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）１５４℃）からなる基板（厚さ
１.２ｍｍ）上に、マグネトロンスパッタリング法で下
記のようにして光磁気記録媒体を形成した。

【０１０６】［前排気］上記基板をスパッタリング装置
の中に入れて真空排気を行ない、真空度が１×１０^-7Ｔ
ｏｒｒ以下になるまで排気した。

【０１０７】［第１保護膜の成膜］ボロンを１０ｐｐｍ
ドープしたＳｉ₇₀Ｇｅ₃₀（原子％）の焼結ターゲットを
用い、Ａｒガス、Ｎ₂ガスおよびＨ₂ガスを導入して圧力
を２ｍＴｏｒｒに保って１.５ｋＷのＤＣパワーでプラ
ズマ放電を起こさせた。５分間のプレスパッタの後、基
板とターゲットの間にあるシャッターを開いてスパッタ
リングを行ない、厚み１１００ÅのＳｉ_19.35Ｇｅ_19.35
Ｎ_51.3Ｈ_10.0（原子％）の組成を有する膜を形成した。
この第１保護膜の成膜時間は、７分１８秒であった。な
お、この保護膜のｎ₀（屈折率に対応する値）および消
衰係数ｋは、それぞれ２.２および０.００１である。な
お、ｎ₀およびｋは、波長８３０ｎｍの測定光に対する
保護膜の複素屈折率の実数部および虚数部の値を示して
いる。

【０１０８】［光磁気記録膜の成膜］次に、Ａｒガスの
供給を一旦停止し、排気を行なって、２×１０^-7Ｔｏｒ
ｒになったところで光磁気記録膜の成膜を行なった。す
なわちＴｂＦｅＣｏからなるターゲット上にＰｔチップ
を置いたところに、Ａｒガスを導入し圧力を３ｍＴｏｒ
ｒに保ってＤＣパワー１ｋＷを供給しプラズマ放電を起
こさせた。２分間プレスパッタの後、基板とターゲット
の間にあるシャッターを開いて１分４５秒間スパッタリ
ングを行ない、厚み３００ÅのＰｔ₁₀Ｔｂ₂₈Ｆｅ₆₀Ｃｏ
₂（原子％）の組成を有する光磁気記録膜を成膜した。

【０１０９】［第２保護膜の成膜］ボロンを１０ｐｐｍ
ドープしたＳｉ₇₀Ｇｅ₃₀（原子％）の焼結ターゲット
（抵抗率約５×１０^-3Ω・ｃｍ）を用い、Ａｒガス、Ｎ
₂ガスおよびＨ₂ガスを導入して圧力を２ｍＴｏｒｒに保
って１.５ｋＷのＤＣパワーでプラズマ放電を起こさせ
た。５分間のプレスパッタの後、基板とターゲットの間
にあるシャッターを開いて２分間スパッタリングを行な
い、厚み３００ÅのＳｉ_19.35Ｇｅ_19.35Ｎ_51.3Ｈ
_10.0（原子％）の組成を有する膜を形成した。なお、こ
の保護膜のｎ₀（屈折率に対応する値）および消衰係数
ｋは、それぞれ２.２および０.００１である。なお、ｎ
₀およびｋは、波長８３０ｎｍの測定光に対する保護膜
の複素屈折率の実数部および虚数部の値を示している。

【０１１０】［金属膜の成膜］次に、Ａｒガスの供給を
一旦停止し、排気を行なって、２×１０^-7Ｔｏｒｒにな
ったところで金属膜の成膜を行なった。すなわち、Ａｌ
からなるターゲット上にＴｉとＨｆチップを置いたとこ
ろに、Ａｒガスを導入し圧力を３ｍＴｏｒｒに保ってＤ
Ｃパワー１.５ｋＷを供給しプラズマ放電を起こさせ
た。２分間プレスパッタの後、基板とターゲットの間に
あるシャッターを開いて３分１５秒間スパッタリングを
行ない、厚み１０００ÅのＡｌ₉₇Ｔｉ₁Ｈｆ₂（原子％）
組成を有する金属膜を成膜した。

【０１１１】［オーバーコート膜の成膜］スパッタリン
グ装置から取り出した成膜した基板上にアクリル系紫外
線硬化樹脂用組成物（大日本インキ化学工業（株）製、
商品名ダイキュアクリアＳＤ１０１）をスピンコーター
で塗布し、ＵＶを照射し、厚さ１０μｍのオーバーコー
ト膜を形成した。

【０１１２】上記のようにして得られた光磁気記録媒体
のＣ／Ｎ比は、４８ｄＢであった。また、鏡面部の反射
率Ｒは２１.０％であった。なお、Ｃ／Ｎ比は、半径３
０ｍｍの光磁気記録媒体を２４００ｒｐｍで回転させ、
回転している光磁気記録媒体に基板側から書き込み光と
して波長８３０ｎｍ、ビーム径１.５μｍおよび出力７.
０ｍＷを有する半導体レーザ光を記録周波数４.９３Ｍ
Ｈｚ、デューティ２５％で照射して記録した情報につい
て求めた。

【０１１３】

【実施例２、３】実施例１において、それぞれ第１表に
示した組成を有するターゲットおよび成膜時間で第１保
護膜を成膜した以外は、実施例１と同様に行った。

【０１１４】その結果を第１表に示す。

【０１１５】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の一実施例を示す
概略断面図である。

【図２】本発明に係る光磁気記録媒体の他の実施例を示
す概略断面図である。

【図３】本発明に係る光磁気記録媒体の他の実施例を示
す概略断面図である。

【図４】本発明に係る光磁気記録媒体の他の実施例を示
す概略断面図である。

【符号の説明】

１０ 光磁気記録媒体 １ 基板 ２ 保護膜または第１保護膜 ３ 光磁気記録膜 ４ 第２保護膜 ５ 金属膜 ６ オーバーコート膜

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも保護膜と光磁気記録
   膜とを有する光磁気記録媒体において、 該保護膜がＳｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨを含む膜、またはＳ
   ｉ、Ｇｅ、ＣおよびＨを含む膜であることを特徴とする
   光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記保護膜が、 ｛(Ｓi_xＧe_1-x)_1-yＭ_y｝_1-ZＨ_z （ただし、ＭはＮまたはＣであり、ｘは０.３０≦ｘ≦
   ０.９０であり、ｙは０.４≦ｙ≦０.８であり、ｚは０
   ＜ｚ＜１である。）で表わされる組成を有する膜である
   請求項１に記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 透過光の波長が４００〜１２００ｎｍの
   範囲における前記保護膜の複素屈折率ｎ（ｎはｎ₀＋ｉ
   ｋで表され、ｎ₀は屈折率に対応する値であり、ｉは虚
   数単位であり、ｋは消衰係数である。）の実数部ｎ₀が
   １.９以上であり、かつ、消衰係数ｋが０.０５以下であ
   る請求項１ないし請求項２に記載の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 基板上に積層される光磁気記録膜と該光
   磁気記録膜上に積層される金属膜とを有し、上記基板と
   光磁気記録膜との間および上記光磁気記録膜と金属膜と
   の間の少なくともいずれか一方に保護膜が設けられてい
   る光磁気記録媒体であって、 少なくとも一の保護膜がＳｉ、Ｇｅ、ＮおよびＨを含む
   膜、またはＳｉ、Ｇｅ、ＣおよびＨを含む膜であること
   を特徴とする光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記保護膜が、 ｛(Ｓi_xＧe_1-x)_1-yＭ_y｝_1-ZＨ_z （ただし、ＭはＮまたはＣであり、ｘは０.３０≦ｘ≦
   ０.９０であり、ｙは０.４≦ｙ≦０.８であり、ｚは０
   ＜ｚ＜１である。）で表わされる組成を有する膜である
   請求項４に記載の光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 透過光の波長が４００〜１２００ｎｍの
   範囲における前記保護膜の複素屈折率ｎ（ｎはｎ₀＋ｉ
   ｋで表され、ｎ₀は屈折率に対応する値であり、ｉは虚
   数単位であり、ｋは消衰係数である。）の実数部ｎ₀が
   １.９以上であり、かつ、消衰係数ｋが０.０５以下であ
   る請求項４ないし請求項５に記載の光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 前記金属膜が、アルミニウム合金からな
   ることを特徴とする請求項４ないし請求項６に記載の光
   磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 前記光磁気記録膜が、３ｄ遷移元素から
   選ばれる少なくとも１種の元素（ｉ）と、希土類元素か
   ら選ばれる少なくとも１種の元素（ii）とからなる、膜
   面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなる
   請求項１ないし請求項７に記載の光磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 前記光磁気記録膜が、３ｄ遷移元素から
   選ばれる少なくとも１種の元素（ｉ）と、希土類元素か
   ら選ばれる少なくとも１種の元素（ii）と、耐腐食性金
   属（iii）とからなり、かつ、 該耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％である、膜面
   に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなる請
   求項１ないし請求項８に記載の光磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】 前記基板が、 (a) エチレンと、下記一般式［Ｉ］および／または［I
    I］で表わされる環状オレフィンとのランダム共重合
    体、 (b) 下記一般式［III］で表わされる繰り返し単位を含
    む重合体または共重合体、 (c) 下記一般式［IV］で表わされる繰り返し単位を含む
    重合体または共重合体、 からなる群から選ばれる少なくとも一種の重合体または
    共重合体からなる請求項１ないし請求項９に記載の光磁
    気記録媒体。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 （式［Ｉ］中、ｎは０または１であり、ｍは０または正
    の整数であり、ｋは０または１であり、 Ｒ¹ 〜Ｒ¹⁸およびＲ^a 、Ｒ^b は、それぞれ独立に、水素
    原子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選
    ばれる原子もしくは基であり、 Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は、互いに結合して単環または多環を形成し
    ていてもよく、かつ、該単環または多環が二重結合を有
    していてもよく、また、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷と
    Ｒ¹⁸とでアルキリデン基を形成していてもよい。式［I
    I］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑおよびｒ
    は、０、１または２であり、Ｒ¹ 〜Ｒ¹⁵はそれぞれ独立
    に、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香
    族炭化水素基およびアルコキシ基からなる群から選ばれ
    る原子もしくは基であり、Ｒ⁵ （またはＲ⁶ ）とＲ
    ⁹ （またはＲ⁷ ）とは、炭素原子数１〜３のアルキレン
    基を介して結合していてもよく、また何の基も介さずに
    直接結合していてもよい。式［III］および［IV］中、
    ｎ、ｍ、ｋおよびＲ¹ 〜Ｒ¹⁸は、式［Ｉ］と同様の意味
    である。）
11. 【請求項１１】 基板または記録膜上に、 ドーピング剤をドープしたＳｉの粉体と、ドーピング剤
    をドープしたＧｅの粉体とを焼結して得られたＳｉＧｅ
    ターゲット、またはＳｉとＧｅとの溶融混合物にドーピ
    ング剤を添加して得られたＳｉＧｅターゲットを用い
    て、 ＡｒとＨ₂ とＮ₂ 雰囲気中、またはＡｒとＮＨ₃ 雰囲気
    中での反応性マグネトロンスパッタ法によって ｛(Ｓi_xＧe_1-x)_1-yＮ_y｝_1-ZＨ_z （ただし、ｘは０.３０≦ｘ≦０.９０であり、ｙは０.
    ４≦ｙ≦０.８であり、ｚは０＜ｚ＜１である。）で表
    わされる組成を有する保護膜を形成する工程を含むこと
    を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
12. 【請求項１２】 基板または記録膜上に、 ＳｉＣの粉体と、ドーピング剤をドープしたＧｅの粉体
    とを焼結して得られたＳｉＧｅＣターゲット、またはＳ
    ｉＣとＧｅとの溶融混合物にドーピング剤を添加して得
    られたＳｉＧｅＣターゲットを用いて、 ＡｒとＨ₂ 雰囲気中、またはＡｒとＣＨ₄ 雰囲気中、ま
    たはＡｒとＣ₂Ｈ₆ 雰囲気中での反応性マグネトロンス
    パッタ法によって ｛(Ｓi_xＧe_1-x)_1-yＣ_y｝_1-ZＨ_z （ただし、ｘは０.３０≦ｘ≦０.９０であり、ｙは０.
    ４≦ｙ≦０.８であり、ｚは０＜ｚ＜１である。）で表
    わされる組成を有する保護膜を形成する工程を含むこと
    を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記それぞれの粉体にドープされるド
    ーピング剤が、同一であっても、異なっていてもよく、 Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｌ、ＢｉおよびＧａ からなる群から選ばれる１または２以上のドーピング剤
    である請求項１１または請求項１２に記載の光磁気記録
    媒体の製造方法。