JPH046646A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｉ皿立蓋量遣１ 本発明頃　特定の金属膜を有する光磁気記録媒体に関し
　さらに詳しく檄　記録パワーの線速依存性が小さく、
かつソリが小さいなど機械的特性に優へ　しかも記録感
度に優れるとともに記録パワーのマージンが広い光磁気
記録媒体に関する。

ｉ見立五五上１１ 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る光磁気記録ｊｌｔＩｌｔ、　　膜面と垂直な方向に磁
化容易軸を有し　一方向に全面磁化された膜面にこの全
面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成すること
ができることが知られている。この反転磁区の有無を「
ｌ」、　ｒＯＪに対応させることによって、上記のよう
な光磁気記録膜にデジタル信号を記録させることが可能
となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭５７−２０６９１号公報に
１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気記録
膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を添
加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらにＴｂ
−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ０系などの光磁気記録膜も知
られている。

コノようなＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記
録膜中く　この薄膜の耐酸化性を向上させるためく　第
３の金属を添加する方法が種々試みられている。

このような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光磁気
記録媒体で頃　ソリが小さいなど機械的特性に優れてい
ることが望まれている。

またこのような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光
磁気記録媒体は、耐酸化性および記録感度（Ｃ／Ｎ比）
の向上も望まれていた さらにこのような光磁気記録媒体に情報を書込む際には
、記録パワーマージンが広く、しかも記録パワーの線速
依存性が小さいことが望まれている。ここで情報を書込
む際の記録パワーマージンが広いとｌ＆　　光磁気記録
媒体にレーザ光などによって情報を書込む際＆−書込み
光としてのレーザ光のパワーが多少変化、しても正確に
光磁気記録媒体に情報を書込むことができることを意味
し　記録パワーの線速依存性が）Ｊｚさいと＋３　　光
磁気記録媒体にレーザ光などによって情報を書込む際へ
記録媒体の内周部と外周部とで書込み光としてのレーザ
光の最適記録パワーの変化のしがたが小さいことを意味
している。

このようにソリが小さく耐酸化性に便法　しがもＣ／Ｎ
比が高く、かつ記録パワーマージンが広く、その上記録
パワーの線速依存性が小さいような光磁気記録媒体の出
現が望まれている。

本発明者らは、このような従来技術に鑑みて鋭意検討し
たところ、基板上番へ　保護膜と、光磁気記録膜と、保
護膜と、アルミニウム合金膜と、ニッケル合金膜とをこ
の順序で積層してなる光磁気記録媒体１表　ソリが１Ｊ
ｚさく機械的特性に優ね　記録パワーの線速依存性が小
さく、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐酸化性
および記録感度に優れていることを見いだして、本発明
を完成するに至りな 又貝Ｌ１濃 本発明は、ソリが小さいなど機械的特性に優蜆かつ記録
パワーマージンが広く、しかも記録パワーの線速依存性
が小さく、がっＣ／Ｎ比が高いような光磁気記録媒体を
提供することを目的としている。

介護ｍ 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に、　保護膜と
、光磁気記録膜と、保護膜と、アルミニウム合金膜と、
ニッケル合金膜とがこの順序で積層されてなることを特
徴としている。

このような本発明に係る光磁気記録媒体１）ソリが１Ｊ
ｚさいなど機械的特性に便法　記録パワーの線速依存性
が小さく、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐酸
化性および記録感度に優れている。

公１し【ル潜ｍ朋 以下、本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説
明する。

本発明の光磁気記録媒体１０７４　　たとえば第１図に
示すように、基板１上に、　保護膜２と、光磁気記録膜
３と、保護膜４と、アルミニウム合金膜５と、ニッケル
合金膜６とがこの順序で積層されて形成されている。

以下、基板１、保護膜２、光磁気記録膜３、保護膜４と
、アルミニウム合金膜５、ニッケル合金膜６に°ついて
順次説明する。

五−玉一」 本発明では、基板１の材質は特に限定されない力（、基
板１側（矢印Ａ）がらレーザ光が入射する場合に１４　
　透明基板であることが好ましく、具体的に（戴　ガラ
スやアルミニウム等の無機材料の信号　ポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポ
リスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１４．
７７８号明細書に開示しであるような環状オレフィンラ
ンダム兵員合本　以下に説明するような環状オレフィン
ランダム兵員合本　ポリ４−メチル−１−ペンテン、エ
ポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン
、ポリエーテルイミド等の有機材料を用いることができ
る。この中では、ポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、米国特許第４．６１４．７７８号明細書に記
載のような共重合体および下記の環状オレフィンランダ
ム共重合体が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料としては
、特に保護膜あるいは記録膜との密着性が良く、複屈折
率が小さいという観点から、エチレンと、下記−数式［
Ｉ］または［ｌ’］で表される環状オレフィンとの共重
合体からなる環状オレフィンランダム共重合体が挙げら
れる。

−数式［Ｉコ 一般式［工’コ （式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数
であって、 Ｒ１−Ｒ１・１４　　それぞれ独立へ　水素原子、ハロ
ゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子
もしくは基を表し Ｒｊ　１４　ＲＩ　柑Ｌ　　互いに結合して単環または
多環を形成していてもよく、かつ該単環または多環が二
重結合を有していてもよく、 また、　ＲＩｓとＲＩＢとで、またはＲ１〒とＲ１１と
でアルキリデン基を形成していてもよい）。

（式［Ｉ゛］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑ
およびｒＩＬＯｌ　１または２であり、ＲＩ〜Ｒ１１は
それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水
素基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基よりなる
群から原子もしくは基を表しＲ６（またはＲ６）とＲ・
（またはＲ４）と憾　炭素数１〜３のアルキレン基を介
して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接結
合していてもよい。　） ただし　上記式［工］において、ｎは０または１であり
、好ましくは０である。また、ｍはＯまたは正の整数で
あり、好ましくは０〜３である。

また上記式［Ｉ°］において、ｐは０または１以上の整
数であり、好ましくは０〜３の整数である。

そして、Ｒ１−Ｒ１８（式［工］）、またはＲ１−Ｒ１
１６（式［１’］）ＩＬ　　それぞれ独立＆−水素原子
、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれ
る原子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子として
憾　たとえ３戴　　フッ素原子、塩素原子、臭素原子お
よびヨウ素原子を挙げることができる。

また、炭化水素基としてｊＬ　　それぞれ独立く　通常
は炭素原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６の
シクロアルキル基を挙げることができ、アルキル基の具
体的な例として屯　メチル基　エチル基　イソプロピル
基　イソブチル基　アミル基をあげることができ、シク
ロアルキル基の具体的な例としては、シクロヘキシル基
　シクロプロピル基　シクロブチル基　シクロペンチル
基を挙げることができる。

また上記式［！°］において、ＲＩ（またはＲ８）とＲ
ｅ（またはＲｊ）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。

さらく　上記式［Ｉコにおいて、ＲＩ　％　−、−ＲＩ
　ｍは互いに結合して（共同して）単環または多環を形
成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を
有、していてもよい。また、ＲＩＢとＲＩ６とで、また
はＲ１↑とＲ”とでアルキリデン基を形成していてもよ
い。このようなアルキリデン基哄　通常は炭素原子数２
〜４のアルキリデン基をあげることができ、その具体的
な例としてＩＬ　　エチリデン基　プロピリデン器　イ
ソプロピリデン基およびイソブチリデン基をあげること
ができる。

前記式［！］または［Ｉ°〕で表される環状オレフィン
檄　シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類あ
るいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反応
により縮合させることにより容易に製造することができ
る。

前記式［Ｉ］または［ｒ’］で表される環状オレフィン
としては、 具体的には、 たとえば下記のよ うな化合物を挙げることができる。

（以下余白） ン ７−メチルビシクロ［２ などのようなビシクロ［２，２，１］ ヘプト−２−エン誘 導体； ン ５．１０−ジメチルテトラ ＣＨ。

Ｈｓ ジメチルテトラ ２、７．９ トリメチルテ ９−イソブチル−２，７− ９，１１，１２−）ジメチル ９−エチル−１１，１２−ジメ ９−イソブチル−１１，１２ ８−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ １・］−］３−ドデセ ン−ヘキシルテトラシ Ｃ１番１１．７ ・１・］−］３−ドデセ ン、　８．９．１０−テトラメチ ・Ｉ　Ｉ　］−］３−ドデセ ン−メチル−９−エチルテ ８−クロロテトラシフ −３−ドデセン −３−ドデセン １・コー３−ドデセン ・ｌ　＠　］−３−ドデセン ！、１７．１＠］−３−ドデセン ン ８−エチリデン−９−イソ ＋＠］−３−ドデセン 一ドデセン −３−ドデセン 、１２ ５．１７ Ｉ］ ３−ドデセ ン 、１・］−］３−ドデセ ン、１７ １１−３−ドデセ＝／ １ａ、ｓ、１丁・＋＠］−３−ドデセ ８−ｎ−プロピリデン−９ ン 一ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ８−イソプロピリデン 一ドデセン 一ドデセン ＋ｓ］−３−ドデセン Ｉ＠］ ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ 一ドデセン 一ドデセン なとのテトラシクロ［４，４，０，１２・ｓ、１丁＋ｓ
］−３−ドデセ ン誘導体； （以下余白） ８−イソプロピリデン １ζ０２　フ、０・、＋４］−４−ヘプタデセン などのへキサシクロ［６，６，１，１３・６．１１・・
＋　３　、　Ｑ２・７．Ｏ９デセン 、ｌ’１−４−ヘプタデセン誘導体； デセン トコセン ヘプタデセン 口、Ｉ・、Ｉｌｌ ＋　８　、　（ｐ　、・、０１ ２・Ｉ？］−５−トコセン １５−エチルオクタシフ などのオクタシクロ［８，８，０，１２・９．１４丁、
１目 目１＋ ｓ、＋ｓ、０３ −０１２・１丁］−５−トコセン誘導体；などのペンタ
シクロ［６，６，１，１”８　、　Ｑ２　、　？　、　
Ｑｅ ＋４］−４− ヘキサデセン誘導体； コセン などのへブタシクロ−５−イコセン誘導体あるＩ／１は
へブタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体；トリシクロ
［４，３，０，１ などのトリシクロ［４，４，０，１２ １−３−ウンデセン誘導 体 ５−メチル−トリシクロ などのトリシクロ［４，３，０，１２ ３−デセン誘導体： １．６−シメチルベンタ メチル置換ベンタシ １４、１５−ジメチルベン などのペンタシクロ［４，７，０，１２・６，０＠・１
３．ｐ・１２コ＝３−ペンタデセン誘導体： などのペンタシクロ［６，５，１，１”＠　、　Ｑ２　
、）、０９ ＋　３　］　−４− コセン ペンタデセン誘導体； ＋１ ＝４−エイコセン などのジエン化合物； などのへブタシクロ ［７，８，０，１３・６．０２ ｖ、１＋＠ １＋２．＋ｓ］ −４−エイコセン誘導体； そしてさらに１戴 ５−フェニル−ビシクロ［ ２１，１１３４１１，Ｑ１０．ｌ＠、１１ｓ１傘］−５
−ベンタコセン ０Ｈ・　　　３．１’１１．。１４．、。、□１６．ｌ
＊］−５−ベンタコセン などのノナシクロ［９，１０，１，１４・？　、　（ｐ
　、　＠　、　Ｑ２　、　Ｉ・、０Ｌ２２１．１１３．
２＠、−Ｑ１０．Ｉ＠、１１１１・］　−］５−ベンタ
コセン誘導体を挙げることができる。

（以下余白） を挙げることができる。

（以下余白） 上記ノようなエチレンと、−数式［Ｉ］または［工°］
で表される環状オレフィンとの共重合体としてＩＬ　　
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が０．
０５〜１ｏａ／ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が
７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体（
以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］　という
）が好ましく用いられる。また所望により、環状オレフ
ィン系ランダム共重合体［Ａ］！、　　エチレンと、下
記式［ｒ］または［ｒ’］で表される環状オレフィンと
の共重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定した
極限粘度［η］が０、０５〜５ａｌｌ　／　ｇノ範囲に
あり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレ
フィン系ランダム共重合体（以下環状オレフィン系ラン
ダム共重合体［Ｂ］という）を配合して用いてもよい。

上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重合体
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ］は、エチレンおよび前記環状オレフィンを必須成
分とするものであるが、該必須の二成分の他に本発明の
目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能
な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に共重
合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的には
、たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン成分
単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテン、４
−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン
、　１−デセン、　１−ドデセン、　１−テトラデセン
、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセ
ンなどの炭素原子数が３〜２０のａ−オレフィンなどを
例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
で１戴　エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）１戴　
４０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲
で存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り
返し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜
５０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する
繰り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する
繰り返し単位（ｂ）　ＩＬ　　ランダムに実質上線状に
配列している。なお、エチレン組成および環状オレフィ
ン組成は＋３Ｃ−ＮＭＲによって測定した　この環状オ
レフィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル
状架橋構造を有していないことは、該共重合体が１３５
℃のデカリン中に完全に溶解することによって確認でき
る。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０
．０５〜１０ａｕ／ｇ、　　好ましくは０．０８〜５ａ
／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　ＩＬ　　７０℃以ム　好ましくは９０〜２５０
℃、さらに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。

なお軟化温度（ＴＭＡ）＋Ｌ　　デュポン社製Ｔｈｅｒ
ｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて
厚さＩＩのシートの熱変形挙動により測定した　すなわ
ちシート上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃
／分で昇温していき、針が０．６３５０侵入した温度を
ＴＭＡとした　また、該環状オレフィン系ランダム共重
合体のガラス転移温度（Ｔｇ）Ｉｔ、　　通常５０〜２
３０℃、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが
望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明では、また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
コに、 エチレンと、上記式［ｒ］または［１’］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［η］が０．０５〜５ｄ５Ｉ
／ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満で
ある環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合し
てなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から基
板を形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］では、エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）は、６０〜９８モル％、好
ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、また
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２〜
４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で存在し
ており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）および
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）　１１
　　ランダムに実質上線状に配列している。なお、エチ
レン組成および環状オレフィン組成は１３ｃｍＮＭＲに
よって測定した　この環状オレフィン系ランダム共重合
体［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有して
いないことｊＬ　　該共重合体が１３５℃のデカリン中
に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η１　ｊＬ
　　０．０５〜５ｄｌｌ／ｇ、　　好ましくは０．０８
〜３ａ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　頃　７０℃未汲　好ましくは一１０〜６０℃、
さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さらく　
該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラス転
移温度（Ｔｇ）　ｌ＆　　通常−３０〜６０℃、好まし
くは一２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体ＣＢ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度１戴０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用いる場合に６戴　該環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィ
ン系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．１
〜Ｚｏｏ／１０、好ましくは１００１０．３〜Ｚｏｏ／
７、とくに好ましくは１００１０．５〜Ｚｏｏ１５の範
囲であることが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範囲で［
Ａ］酸成分配合することによって基板自体の優れた透明
性と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる反射膜
との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合に
比べさらに向上するという効果があり、　［Ａ］と［Ｂ
］とのブレンドよりなるこの上記の環状オレフィンラン
ダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用いる反
射膜との優れた密着性は高激　高湿条件下放置後におい
てさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］ｌｋ　　特開昭６〇−１６８
７０８号公転　特開昭６１−１２０８１６号公転　特開
昭６１−１１５９１２号公転　特開昭６１−１１５９１
６号公転　特開昭６２−２５２４０６号公私　特開昭６
２−２５２４０７号公転　特開昭６１−２７１３０８号
公転　特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本
出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択することに
より、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［１’］で表される環状オレフ
ィンから導間れる構成単位（ｂ）は下記式［ｎｌまたは
［■°］で表される構造の繰り返し単位を形成している
と考えられるカζ　一部の構成単位（ｂ）が開環重合に
よって結合している場合もあり、また必要に応じて水素
添加することも可能である。

［ｎｌ （式［ｎｌ中、ハ　ｎおよびＲ１−Ｒ１１＋は前記式［
Ｉ］における定義と同様である。） ・・・　［■　゛］ （式Ｅｎ’コ中、　ｐ、　　ｑ、　　ｒおよびＲｌ−Ｒ
＋　５は前記式［Ｉ’］における定義と同様である。）
本発明に係る光磁気記録媒体の基板として田前述したと
おり、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム共
重合体のほかに、同種または異種の環状オレフィン単量
体を開環して得られる環状オレフィン開環重合化　開環
共重合体またはそれらの水素添加物を用いることもでき
る。このような環状オレフィン開環重合化　開環共重合
体およびこれらの水素添加物について、前記式［Ｉ］で
表される環状オレフィンを例にして説明すると、以下に
記載するように反応して開環共重合体およびこれらの水
素添加物を構成していると考えられる。

↓開環 ↓水素添加 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合体　及
びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合機　開環
共重合体　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
は、上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カル
ボン酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸のア
ルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより製
造することができる。なお、この場合の環状オレフィン
系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単位
の含有率は、通常は５０〜１０モル％以下である。この
ような環状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率に
なるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグ
ラフト重合させて製造することもできるし　予め高変性
率の変性物を調製し　次いでこの変性物と未変性の環状
オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造する
ことができる。

本発明において、上記の開環重合木　開環共重合体　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物哄　単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができる。

さらに、本発明においては、上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる重
合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］または
［１゛］で表される環状オレフィン以外の環状オレフィ
ンを重合させることもできる。このような環状オレフィ
ンとしては、たとえ６戴 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒトｌ：Ｉ−４，７−メタノ
−ＩＨ−インデン、 ”Ｌ　５，６．７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−
ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このような
他の環状オレフィンは単独で、あるいは組み合わせて使
用することができ、通常、０〜５０モル％の量で用いら
れる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板に檄上記［Ａ］
およびＣＢ］成分の他へ　衝撃強度を向上させるための
ゴム成分を配合したり、耐熱安定＊ＩＫ　　耐候安定弁
Ｌ　帯電防止弁Ｌ　スリップ斉Ｌ　アンチブロッキング
斉Ｌ　防曇却Ｌｆ＃斉Ｌ　染料、顔料、天然法　合成池
　ワックスなどを配合することができ、その配合割合は
適宜量である。たとえ眠任意成分として配合される安定
剤として具体的に６戴　テトラキス［メチレン−３（３
，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオネートコメタン、β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸アルキルエステ
ル、２，２°−オキザミドビス［エチル−３（３，５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）コプロビオ
ネートなどのフェノール系酸化防止舷　ステアリン酸亜
鉛、ステアリン酸カルシウム、１２−ヒドロキシステア
リン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリンモノ
ステアレート、グリセリンモノラウレート、グリセリン
ジステアレート、ペンタエリスリトールモノステアレー
ト、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリ
スリトールトリステアレート等の多価アルコールの脂肪
酸エステルなどを挙げることができる。これらは単独で
配合してもよいカー　組み合わせて配合してもよく、た
とえＣ戴　　テトラキス［メチレン−３（３゜５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート
コメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノステ
アレートとの組合せ等を例示することができる。

本発明では特自　フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アフレコールのアルコール性水酸基の一部が
エステル化された多価アルコール脂肪酸エステルである
ことが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的に６戴　グリセリンモノステアレート、グリセリ
ンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリ
セリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、
グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル
、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリ
スリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジラ
ウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペン
タエリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリ
トールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止斉１１Ｌ　　前記［Ａ
］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重量部に対し
て０〜１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好まし
くは０〜２重量部の量で用いら瓢　また多価アルコール
の脂肪酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計
重量１００重量部に対して０−１０重量服　好ましくは
０〜５重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、本発明の目的
を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、酸
化チタス　酸化マグネシウム、軽石粒、軽石バルーン、
水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸
マグネシウム、　ドロマイト、硫酸カルシウム、チタン
酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タルク
、クレーマイカ、アスベスト、ガラス繊維、ガラスフレ
ーク、ガラスピーズ、ケイ酸力Ｊレシウム、モンモリロ
ナイト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉
、硫化モリブデン、ボロン繊紙　炭化ケイ素Ｊ＊、ＩＬ
　　ポリエチレン繊紙　ポリプロピレン縁縁　ポリエス
テル＊、！　　ポリアミド＃ｌｌ！維等の充填剤を配合
してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、理由は定かではないカξ　
記録感度が特に優れているという特長を有する。またこ
の環状オレフィン系ランダム共重合体または該共重合体
を含む組成物からなる基板と記録層積層体とは密着性に
優れており、したがって記録膜は長期安定性に優れると
ともに記録膜の酸化が効果的に防止される。したがって
この環状オレフィン系ランダム共重合体からなる基板上
に記録膜を積層してなる光記録媒体代記録感度に便法　
また耐久性および長期安定性にも優れている。また本発
明に係る光記録媒体は反りがなく割れが生ずることがな
い。

このような基板１の厚みは特に限定されない力＼好まし
くは０．５〜５工特に好ましくは１〜２工である。

保ｍ−ヱ 本発明に係る光磁気記録媒体１０で用いられる保護膜２
は、Ｓ　ｉ　Ｎ、、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＣｄＳ。

Ｓｉ１　ＡＱＮなどで示される組成の膜から形成されて
おり、このうちＳｉＮ、膜が特に好ましい。

ＳｉＮｘで示される保護膜でｌｉ、Ｏ＜ｘ≦４／３であ
ることが好ましく、具体的に１ｔｓｉ３Ｎａ（四窒化三
ケイ素）などの窒化ケイ素膜あるいはＯ〈ｘ　＜　４／
３となるように５ｉ３ＮａとＳｉとを混合した混合膜が
特に好ましく用いられる。このようなＳｉＮｘで示され
る保護膜は、たとえばターゲットとして、　Ｓｉ３Ｎ、
または、　Ｓ　ｉ、Ｎ４とＳｉとを用いて、スパッタリ
ング法により成膜することができる。このようなＳｉＮ
、からなる保護膜２１Ｌ　　通常２．０以上の屈折率を
有していることが好ましく、後述する光磁気記録膜３を
酸化などから保獲する働き、あるいは光磁気記録膜の記
録特性を高めるエンハンス膜としての働き、あるいはそ
の両方の働きをしている。またＳｉＮ、（０（ｘ≦４７
３）からなる保護膜２１転　　特に耐クランク性に優れ
ている。

本発明において、保護膜２の膜厚は５００〜２０００人
、好ましくは８００〜１５００人程度であることが望ま
しい。

本発明において１戴　保護膜の膜厚を上記のような範囲
にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワー
マージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

光藍久り廊１−」 光磁気記録膜３ｉＪ（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少
なくとも１種と、　（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少な
くとも１種の元素とからなるが、あるいは（ｉ）３ｄ遷
移金属から選ばれる少なくとも１種と、　（ｉｉ）耐腐
食性金属と、　（１ｉｉ）希土類から選ばれる少なくと
も１種の元素とがらなっている。

このうち（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、　（１１）耐腐食性金属と、　（１ｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる光磁気記
録膜が好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移金属として１３　　Ｆｅ、　　Ｃｏ、　
　Ｔｉ。

Ｖ、ＣｒＳ　ＭｎＳ　ＮｉＳ　Ｃｕ、　　Ｚｎなどが用
いられるが、このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者
であることが好ましい。

この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜中に好ましくは２０
〜９０ｉ子％、より好ましくは３０〜８５原子％、とく
に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。

（１１）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませること
によって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることが
できる。このような耐腐食性金属としては、ＰｔＳ　Ｐ
ｄＳ　ＴｉＳ　Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるが、
このうちＰｔＳ　ＰｄＳ　Ｔｊが好ましく、とくにＰｔ
またはＰｄあるいはこの両者であることが好ましい。

この耐腐食性金属：戴　光磁気記録膜中に、　３ｏ原子
％以下、好ましくは５〜２５原子％、とくには１０〜２
５原子％、さらに好ましくは１０〜２０原子％の量で存
在している。

希土類元素としては、下記のような元素が挙げられる。

ＧｄＳ　ＴｂＳ　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　　Ｅｒ、　　Ｔｍ
、　　Ｙｂ。

ＬｕＳ　ＬａＳ　ＣｅＳ　ＰｒＳ　Ｎｄ１　Ｐｍ、　Ｓ
ｍ。

ｕ このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＮｄＳ　Ｓｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素は、光磁気記録膜中＆へ　好ましくは５〜５０原子％
、さらに好ましくは８〜４５Ｎ子％とくに好ましくは１
０〜４０１］Ｋ子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜が、特＆−下記に記載するよ
うな組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中に１１（ｉ）３ｄ遷移元素
として、好ましくはＦｅまたはＣＯあるいはこの両者が
含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏｌ戴４０原子％
以上８０原子％以下、好ましくは４０原子％以上７５原
子％未糞　さらに好ましくは４０原子％以上５９原子％
以下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣＯは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ
）比［原子比コが０以上０．３以下、好ましくは０以上
０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０，２以下
であるような量で、光磁気記録膜中に存在していること
が望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣＯの量が４０原子％以上で８０原
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に便法かつ膜面に垂
直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られる
という利点を有する。

ところで光磁気記録膜中く　ＣＯを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し　また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めら瓢　その
結策　ＣＯの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を
調整することができ、しかもＣＯの添加により、再生信
号のキャリアレベルを増加することができる。本発明に
係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比の点か
らＣｏ／　（Ｆｅ十Ｃｏ）比［ｙｌ、子比］は０以上０
．３以下、好ましくは０以上０．２以下、さらに好まし
くは０．０１以上０．２以下であることが望ましい。

このような本発明に用いる光磁気記録膜Ｊ４　　記録お
よび消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずることは
ない。たとえば本発明に係るＰｔ、、Ｔｂ２．Ｆｅ、。

Ｃｏ・なる組成を有する光磁気記録膜１３１０万回の記
録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の低下は認
められない。

（１１）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中には、　（１１）耐腐食
性金属として、好ましくはｐｔまたはＰｄあるいはこの
両者が含まれており、Ｐｔおよび／またはＰｄは、光磁
気記録膜中に５〜３０原子％、好ましくは１０原子％を
超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０原子％を
超えて２０原子％未鳳　最も好ましくは１１原子％以上
１９ｇ、子％以下の量で存在していることが望ましい。

光磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰｄの量が５原子
％以ム　特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記
録膜の耐酸化性に優へ　長期間使用しても孔食が発生せ
ず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。

たとえばＰ　ｔ　＋　ｓ　Ｔ　ｂ２ａ　Ｆ　ｅｓｓ　Ｃ
ＯｓあるいはＰｄ＋２Ｔｂ２ｓＦｅＨＣＯｔで示される
組成を有する本発明に係る光磁気記録１１４Ｌ　　相対
湿度８５％、８０℃の環境下に１０００時間保持しても
、Ｃ／Ｎ比は全く変化しない。これに対してｐｔまたは
Ｐｄを含まないＴ　ｂ２ｓＦ　ｅｓｓｃ　ｏ７で示され
る組成を有する光磁気記録膜ＩＬ　　相対湿度８５％、
８０℃の環境下に１０００時間保持すると、Ｃ／Ｎ比は
大きく低下する。

また光磁気記録膜中にＰｔおよび／またはＰｄを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読出す際く　小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。かさなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、バイア
ス磁界発生用のマグネットを小さくすることができ、し
かもマグネットからの発熱も押えることができるため、
光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素
化することができる。しかも小さなバイアス磁界で充分
に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバーライド可能
な磁界変調記録用のマグネットの設計も容易となる。

（ｉｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中にＩＬ　　希土類元素（Ｒ
Ｅ）が含まれており、この希土類元素として４１　　Ｎ
ｄ、　　Ｓｍ、　　Ｐｒ、　　Ｃｅ、　　Ｅｕ５ＧｄＳ
Ｔｂ。

ＤＹまたはＨＯが用いられる。

これらの中でｌｅｔ、　　Ｎｄ、　　Ｐｒ、　　Ｇｄ、
　　Ｔｂ。

Ｄｙが好ましく用いら瓢　特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からＲＥ／（Ｒ，Ｅ＋Ｆｅ十
Ｃｏ）比［原子比コをＸで表わした場合＆−０，１５≦
Ｘ≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４である
ような量で光磁気記録膜中に存在していることが望まし
い。

本発明において頃　光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｅや
カー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素檄　記録膜を構成する全原子数に
対してたとえば１０原子％未溝の割合で用いることがで
きる。

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。

（ｒ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、　　Ｔｉ、　　Ｖ、　　Ｃｒ、　　
Ｍｎ。

Ｎｉ、　　Ｃｕ、　　Ｚｎが用いられる。

これらのうち、ＴｉＳ　Ｎｉ、ＣｕＳ　Ｚｎなどが好ま
しく用いられる。

（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、　　Ｚｒ、　　Ｎｂ、　　Ｍｏ、Ｔ　
ｃ。

ＲｕＳ　ＲｈＳ　ＡｇＳ　Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的にｉ４　　Ｈｆ、　　Ｔａ５Ｗ、　　Ｒｅ、　　
Ｏｓ。

Ｉｒ、Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（！Ｖ）ＩＩＩＢ族元素 具体的には、Ｂ５Ａｌ１、Ｇａ、　　Ｉｎ、Ｔｇが用い
られる。

このうちＢ、ＡＱＳ　Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）ｒｖＢ族元素 具体的には、ＣＳ　Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎＳ　Ｐｂが用いら
れる。

このうち、ＳｉＳ　ＧｅＳ　Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用い
られる。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的に鷹　Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ１　Ｂｉが用いられる
。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的に屯　Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直
な磁化容易軸を有し　多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非
晶質薄膜となること八　広角Ｘ線回折などにより確かめ
られる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すと代　最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに＋）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θに、が０．８以上であることを意味している。

この光磁気記録膜３の膜−厚は１００〜６００人、好ま
しくは１００〜４００人、より好ましくは１５０〜３０
０人程度である。

保Ｕ 本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のような光
磁気記録膜３上に、保護膜４が設けられている。

この保護膜４として１戯　上述したような保護膜２と同
様なものが用いられる。

このような保護膜４の膜厚は、５００〜２０００人、好
ましくは８００〜１５００人程度であることが望ましい
。

本発明において頃　保護膜４の膜厚を上記のような範囲
にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワー
マージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

アルミニウム合金　　５ 本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のような保
護膜４上＆へ　アルミニウム合金膜５が設けられている
。

このアルミニウム合金膜５（戴　アルミニウムと、アル
ミニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成され
ている。

このようなアルミニウム合金としては、具体的には以下
のようなものが例示できる。

ＡＱ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜ｌ０ＪＪＸ千％）
、Ａ１１−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子％）
、Ａｎ−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子％）、
Ａ１１−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、
Ａｇ−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０ｆｆｉ子％）
、Ａ９−Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０厚子％）、Ａ１
１−Ｔ　ｉ合金（Ｔｉ含有量０．１〜１０ｍ子％）、Ａ
ｌｌ　−Ｔ　１−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５ぷ子
％、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、 ＡＱ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５Ｗ、子％
、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ１−Ｃｒ−Ｈ
ｆ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５　Ｗ、子％、Ｈｆ含有量
０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含
有量０．１〜５　Ｊｌ’を子％、Ｔｉ含有量０．１〜１
ＯＮ子％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有量０．１
〜５　ｉ子％、Ｚｒ含有量０．１−１０原子％）、ＡＱ
　−Ｔ　１−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５ｇ、子％
、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、 ＡＱ　−Ｎ　ｉ合金（Ｎｉ含有量０．１〜１０原子％）
、ＡＱ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０，１〜１ＯＮ、子％）
、ＡＱ−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子
％、Ｔｉ含有量０．１〜１０厚子％）、ＡＱ−Ｍｇ−Ｃ
ｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０ｍ子％、Ｃｒ含有量０
．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有
量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％
）、Ａｒｔ−Ｓｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０ｊＫ子
％）、ＡＱ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％
）、ＡＱ−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０ｍ子％）
、ＡＱ−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子
％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｓｔ金合
金Ｓｉ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ａｇ合金（
Ａｇ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ１１−Ｐｄ合金（
Ｐｄ含有量０．１〜１ＯＮ子％）、ＡＬＪ−Ｐ　を合金
（Ｐｔ含有量０．１〜１０原子％）。

アルミニウム合金としては、特に以下のようなものが、
光磁気記録媒体の線速依存成性が小さく、かつ耐腐食性
に優れているので好ましい。

ハフニラＡ　０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合
金、 ニオブ０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金、チ
タン０．５〜５原子％とハフニウム０．５〜５原子％を
合本　チタンとハフニウムの合計含有量が１〜５．５原
子％であるアルミニウム合金、クロム０．１〜５ｆｆｌ
子％とチタン０．１〜９．　Ｓｉ子％を合本　クロムと
チタンの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウ
ム合金、 クロム０．１〜５原子％とチタン０．１〜９．５原子％
とハフニウム０．１〜９．５原子％とを合本　クロムと
チタンとハフニウムの合計含有量が１０原子％以下であ
るアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とクロム０．１〜１ｏ
原子％を合本　マグネシウムとクロムの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金、クロム０６１〜
５原子％とハフニウム０．１〜９．５原子％を含も　ク
ロムとハフニウムの合計含有量が１０原子％以下である
アルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０Ｗ、千％を合本　マグネシウムとハフニウムの合計
含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、クロ
ム０．１〜５原子％とジルコニウム０．１〜９．５原子
％をｔ、ｋ　　クロムとジルコニウムの合計含有量が１
０原子％以下であるアルミニウム合金、タンタル０．１
〜１０原子％とハフニウム０．１〜１０原子％とを含永
　タンタルとハフニウムの合計含有量が１５原子％以下
であるアルミニウム合金、チタン０．５〜５原子％とニ
オブ０．５〜５原子％を含永　チタンとニオブの合計含
有量が１〜５．５原子％であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とチタン０．１〜１０
原子％を合本　マグネシウムとチタンの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム０
．１〜１ＯＮ、千％とチタン０．１〜１０原子％とを合
本　かつマグネシウムとチタンの合計含有量が１５原子
％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム０．１〜
１ｏ原子％とハフニウム０．１〜１０原子％とチタン０
．１〜１０原子％とを含べ　かつマグネシウムとハフニ
ウムとチタンの合計含有量が１５原子％以下であるアル
ミニウム合金、マグネシウム０．１〜１０原子％とハフ
ニウム０．１〜１０原子％とクロム１０原子％以下とを
合本　がつマグネシウムとハフニウムとクロムとの合計
含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、マグ
ネシウム０．１〜１０原子％とチタン０．１〜１０Ｗ。

子％とクロム１０原子％以下とを含べ　かつマグネシウ
ムとチタンとクロムとの合計含有量が１５原子％以下で
あるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０ｇ、子％とハフニウム０．１
〜１０原子％とチタン０．１〜１０原子％とクロムｌ０
ＪＸ子％以下とを合本　かつマグネシウムとハフニウム
とチタンとクロムとの合計含有量が１５原子％以下であ
るアルミニウム合気 また上記のようなアルミニウム合金膜は、それぞれのア
ルミニウム合金膜を構成する金属以外に下記のような金
属（元素）を１種または２種以上含ませることもできる
。このような金属としては、たとえは　チタン（ＴＩ）
、クロム（Ｃｒ）、シ＋Ｊコニｚ（Ｓｉ）、タンタル（
Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウ
ム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）
、バナジウム（Ｖ）などが挙げら蜆　このような他の金
属は通常５原子％以下好ましくは２原子％以下の量で含
まれる。　（ただし　アルミニウム合金膜には、上記に
例示するような金属（元素）のうち、既にアルミニウム
合金膜に含まれている金Ｒ（元素）をさらに上記の量で
重ねて含ませることはないものとする。たとえば、アル
ミニウム合金膜を構成するアルミニウム合金が、上記し
たＡＱ−Ｔｉ合金、ＡＱ−Ｔｉ−Ｈｆ合金等である場合
には、上記の金属（元素）のうちでチタン（Ｔｉ）がさ
らに上記のような量で上記アルミニウム合金中に含まれ
ることはない。） このようなアルミニウム合金膜５の膜厚は、１００〜５
０００人好ましくは５００〜３０００人さらに好ましく
は７００〜２０００人程度であることが望ましい。

このアルミニウム合金膜５は、熱良伝導体層としての機
能を果たしており、このアルミニウム合金膜が存在する
ことによって記録層が記録レーザ光によって過度に高温
になることが防止さ瓢　その給気　記録パワーの線速依
存性が／Ｊ）さくなると考えられる。

また本発明におけるアルミニウム合金膜（戴　耐腐食性
に優れているため、長期間使用した後においても、記録
媒体の線速依存性が、／Ｉ）さいという特徴を有してお
り、記録層に対する保護作用にも優れている。

ニッケル合金　　６ 本発明に係る光磁気記録媒体１０で１転　上記のような
アルミニウム合金膜５上に、　ニッケル合金膜６が設け
られている。

このニッケル合金膜６は、ニッケルと、ニッケル以外の
少なくとも１種の元素を含んで構成されている。

このようなニッケル合金として屯　具体的に１戴下記の
ような合金を用いることができる。

Ｎｉ−Ｃｒ系合金（たとえば３０〜９９原子％Ｎｉ、１
〜７０原子％Ｃｒ、　　特に好ましくは７０〜９５原子
％Ｎｉ、５−３０ｉ子％Ｃｒ）Ｎｉ−Ｓｉ系合金（たと
えば８５原子％Ｎｉ。

１０原子％Ｓｉ、３Ｗ、子％Ｃｕ、２原子％Ａ）Ｎｉ−
Ｃｕ系合金（たとえば６３原子％Ｎｉ。

２９〜３０原子％Ｃｕ、　　０．９〜２ｊｉ！子％Ｆ　
ｅ。

０．１〜４原子％Ｓｉ、Ｏ〜２．７５原子％Ａ）Ｎｉ−
Ｍｏ−Ｆｅ系合金（たとえば６０〜６５原子％Ｎｉ、２
５〜３５３５原子ｏ、５Ｊ］ｉ！子％Ｆｅ） Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ−Ｃｒ系合金（たとえば５５〜６０原
子％Ｎｉ、１５〜２０２０原子ｏ、６原子％Ｆｅ、１２
〜１６１６原子ｒ、５原子％Ｗ）Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｒ−Ｃｕ系合金（たとえば６０原子％Ｎｊ、５ｉ子％Ｍ
ｏ、８Ｊｌ子％Ｆ　ｅ。

２１原子％Ｃｒ、３５子％Ｃｕ、１原子％Ｓ　ｉ。

工原子％Ｍｎ、１［子％Ｗ、あるいは４４〜４７原子％
Ｎｉ、　　５．５〜７．５原子％Ｍｏ、２１−２３原子
％Ｃｒ、０．１５ｆｆｉ子％Ｃｕ、１原子％Ｓｉ、１−
２７Ｊｐ子％Ｍｎ、２．５原子％Ｃ０１ＩＷ子％Ｗ、　
　ＩＬ７−２．５原子％Ｎ　ｂ、　　残部Ｆｅ）Ｎｉ−
Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍｏ系合金（たとえば５６〜５７原子％Ｎ
ｉ、２３〜２４原子％Ｃｒ、８原子％Ｃｕ、４原子％Ｍ
Ｏ１２Ｎ子％Ｗ、　　１原子％ＳｉまたはＭｎ） Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金（たとえば７９．５Ｊｌ［子％
Ｎｉ、１３原子％Ｃｕ、　　６．５ｊｌ（子％Ｆ　ｅ。

０．２原子％Ｃｕ、　　あるいは３０〜３４原子％Ｎｉ
。

１９〜２２原子％Ｃｒ、　　０．５原子％Ｃｕ、１原子
％Ｓｉ、　　１．５原子％Ｍｎ、　　残部Ｆｅ）これら
のうち特にＮｉ−Ｃｒ系合金膜が好ましく用いられる。

このようなニッケル合金膜６の膜厚檄２００〜５０００
人好ましくは３００〜３０００人さらに好ましくは５０
０〜２０００人程度であることが望ましい。

上記のようなニッケル合金膜６を有する本発明の光磁気
記録媒体は、ソリがノ」１さいなど機械的特性に優れて
いる。

なお本発明に係る光磁気記録媒体１ｏでは、上記のよう
なアルミニウム合金膜５とニッケル合金膜６との間に、
　保護膜を有していてもよい。このような保護膜として
は、上記したような保護膜２と同様なものが用いられる
。

最外層であるニッケル合金層の上にオーバーコートを施
してもよい。オーバーコート剤として檄紫外線硬化樹脂
、例えばアクリル型紫外線硬化樹脂が用いら汰　通常、
　１〜１００μｍ程度の膜厚にコートされる。また、保
護膜とは反対側の基板上にトップコートを施してもよい
。

本発明に係る光磁気記録媒体１０代　基板上へ保護１　
光磁気記録膜　保護層　アルミニウム合金層　ニッケル
合金膜を、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法ある
いは電子ビーム蒸着法などの成膜法を採用して成膜する
ことによって製造することができる。

ｉ囲Ａ皇遇 本発明に係る光磁気記録媒体１　基板上に保護膜と光磁
気記録膜と保護膜とアルミニウム合金膜とニッケル合金
膜を有し　かつ基板上に保護膜と光磁気記録膜と保護膜
とアルミニウム合金膜とニッケル合金膜がこの順序で積
層されているので、ソリが７」）さいなど機械的特性に
優枳　記録パワーの線速依存性が小さく、かつ記録パワ
ーマージンが広く、しかも耐酸化性および記録感度に優
れている。

［実施例］ 以下本発明を実施例によって説明する八　本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

以下ＤＭＯＮと略記する）の非品性の共重合体（１３Ｃ
−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量５９モル％、ＤＭ
ＯＮ含量４１モル％、１３５℃デカリン中で測定した極
限粘度［η］が０．４２ｄｌ／　ｇ、軟化温度（ＴＭＡ
）　１５４℃）からなる基板上番な　厚さ１１００人の
５ｔ３Ｎ４からなる保護膜と、厚さ３００人のＰｔ、。

Ｔ　ｂ２．Ｆ　ｅ、＠Ｃｏ２からなる光磁気記録膜とを
順次スパッタリング法により積層し　さらに厚さ２５０
人のＳｉ３Ｎ、からなる保護層を積層した後、この保護
層上にアルミニウムーチタン−ハフニウムの複合ターゲ
ットを用いてスパッタリング法によって、厚さ ２０００人のアルミニウムーチタン−ハフニウム合金か
らなるアルミニ・ラム合金層を積層した　得られたアル
ミニウム合金層を構成するアルミニウム合金（層）中の
チタンの含有量は１原子％であり、ハフニウムの含有量
は２原子％であった　さら番−このアルミニウム合金層
上番ミ　ニッケルークロムの複合ターゲットを用いてス
パッタリング法によって、厚さ１０００人のニッケルー
クロム合金からなるニッケル合金層を積層した　得られ
たニッケル合金（層）中のニッケルの含有量は９０原子
％であり、クロムの含有量は１ｏ原子％であった得られ
た光磁気記録媒体を、７０℃、相対湿度８５％の雰囲気
下に約４８時間保持した後、この光磁気記録媒体のソリ
　（反り）変化を調べたところ、基板（成膜前）に比べ
て変化が認められなかつた また、この光磁気記録媒体は記録パワーの線速依存性に
ライてはｆ　＝　Ｉ　ＭＨｚ、　　ｄｕｔｙ　５０χで
線速５　、７　ｍ　／ｓｅｃにおける最適記録パワーが
４．３ｍＷであり、線速１１．３ｍ／ｓｅｅにおける最
適記録パワーが６．０ｍＷであった また、パワーマージンとは、Ｃ／　Ｎ　Ｍａｘ−３ｄ　
Ｂ以上が得られる記録パワーの範囲のことであり、ｆ　
＝３．７ＭＨｚ、　　ｄｕｔｙ　　３３．、ｌｌＫ　　
線速＝５．７ｍ／ｓｅｃにおいて、パワーマージン（Ｐ
ｍ）は４．５ｍＷであり、Ｃ／Ｎ比は４８．０ｄＢであ
った なお、本明細書において、最適記録パワーとはｆ＝ＩＭ
Ｈｚ、ｄｕｔｙ　５０％の書込み信号に対して再生信号
の２次高調波が最小となる記録パワーのことを表わし　
線速による最適記録パワーの差が外さい程線速依存性が
小さい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光磁気記録媒体の断面図である。 １・・基板　　　　　２ ３・・・光磁気ご己録Ｍ４ ５・・アルミニウム合金膜 ６・・・ニッケル合金膜 １０・・光磁気記録媒体 保護膜 保護膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、保護膜と
   、アルミニウム合金膜と、ニッケル合金膜とがこの順序
   で積層されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。