JPH05101463A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】基板上に、第１保護膜、光磁気記録膜、第２保
護膜、金属膜がこの順序で積層されてなる光磁気記録媒
体であって、第２保護膜がＳiＣx からなり、光磁気記
録膜が、（ｉ）３ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも１
種と、（ii）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素
とからなる、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合
金薄膜からなり、金属膜が、アルミニウム合金からなる
ことを特徴とする光磁気記録媒体。ＳiＣx のｘは、０.
５≦ｘ≦３であることが好ましく、第１保護膜は、Ｓi
ＣxまたはＳiＮx からなることが好ましく、光磁気記録
膜は、（ｉ）、（ii）に加えて（iii）耐腐食性金属を
含有していてもよい。また、基板はエチレンと環状オレ
フィンとのランダム共重合体からなることか好ましい。 【効果】長期信頼性に優れるとともに、高温でのリード
サイクルによる信号劣化が起こり難い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、長期信頼性に優れるとと
もに、高温での再生の繰り返しによる信号劣化の少ない
光磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【発明の技術的背景】鉄、コバルト等の遷移元素と、テ
ルビウム（Ｔb）、ガドリニウム（Ｇd）等の希土類元素
との合金からなる光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に
磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面にこの
全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成するこ
とができることが知られている。この反転磁区の有無を
「１」、「０」に対応させることによって、上記のよう
な光磁気記録膜にデジタル信号を記録させることが可能
となる。

【０００３】このような遷移元素と希土類元素とからな
る光磁気記録膜としては、例えば特公昭５７−２０６９
１号公報には１５〜３０原子％のＴbを含むＴb-Ｆe系光
磁気記録膜が開示されている。またＴb-Ｆeに第３の金
属を添加してなる光磁気記録膜も用いられている。さら
にＴb-Ｃo系、Ｔb-Ｆe-Ｃo系等の光磁気記録膜も知られ
ている。Ｔb-Ｆe系、Ｔb-Ｃo系等の光磁気記録膜中に、
この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第３の金属を
添加する方法が種々試みられている。

【０００４】このような光磁気記録膜を基板上に積層し
てなる光磁気記録媒体では、長期間使用しても読み取り
エラーが発生し難く長期信頼性に優れていることが望ま
れている。

【０００５】またこのような光磁気記録媒体は、再生を
繰り返すと再生パワーによる温度上昇により、記録した
信号が劣化するということが起こり得る。特に、記録再
生装置（ドライブ）を長時間運転しているとドライブ内
部の温度が上昇し、光磁気記録媒体の表面温度も高くな
り、５０℃以上になる場合もある。このような状態で再
生を繰り返すと再生パワーによって、光磁気記録膜の温
度はさらに上昇して記録した信号が弱まることがある。

【０００６】

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、長期信頼性に優れるととも
に、特に高温での再生の繰り返しによる信号劣化の起こ
り難い光磁気記録媒体を提供することを目的としてい
る。

【０００７】

【発明の概要】本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上
に、第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜、金属膜が
この順序で積層されてなる光磁気記録媒体であって、第
２保護膜がＳiＣx からなり、光磁気記録膜が、（ｉ）
３ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも１種と、（ii）希
土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる膜面
に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなり、
金属膜が、アルミニウム合金からなることを特徴として
いる。

【０００８】本発明では、上記第１保護膜がＳiＣx ま
たはＳiＮx から形成されていることが好ましく、また
前記光磁気記録膜は、（ｉ）３ｄ遷移元素から選ばれる
少なくとも１種と、（ii）希土類から選ばれる少なくと
も１種の元素と、（iii）耐腐食性金属とからなり、上
記耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％である膜面に
垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜から形成され
ていてもよい。

【０００９】本発明に係る光磁気記録媒体では、前記第
２保護膜を構成するＳiＣx において、ｘが原子比で０.
５≦ｘ≦３であると長期信頼性に優れ、しかも読取りレ
ーザー光の光学的吸収が少なく、しかも放熱効果に優れ
る。

【００１０】本発明では、上記基板が（Ａ）エチレン
と、下記一般式［Ｉ］および／または［II］で表される
環状オレフィンとのランダム共重合体、（Ｂ）下記一般
式［III］で表される繰り返し単位を含む重合体または
共重合体、（Ｃ）下記一般式［IV］で表される繰り返し
単位を含む重合体または共重合体よりなる群から選ばれ
る少なくとも一種の重合体または共重合体からなること
が好ましい。

【００１１】

【化５】

【００１２】

【化６】

【００１３】

【化７】

【００１４】

【化８】

【００１５】（式［Ｉ］中、ｎは０または１であり、ｍ
は０または正の整数であり、ｑは０または１であり、Ｒ
¹〜Ｒ¹⁸およびＲ^a、Ｒ^bは、それぞれ独立に、水素原
子、ハロゲン原子および炭化水素基よりな群から選ばれ
る原子もしくは基であり、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は、互いに結合し
て単環または多環を形成していてもよく、かつ該単環ま
たは多環が二重結合を有していてもよく、また、Ｒ¹⁵と
Ｒ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアルキリデン基を形成
していてもよい。

【００１６】式［II］中、ｐは０または１以上の整数で
あり、ｑおよびｒは、０、１また２であり、Ｒ¹〜Ｒ¹⁵
はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化
水素基、芳香族炭化水素基、およびアルコキシ基よりな
る群から選ばれる原子もしくは基であり、Ｒ⁵（または
Ｒ⁶）とＲ⁹（またはＲ⁷）とは、炭素数１〜３のアルキ
レン基を介して結合していてもよく、また何の基も介さ
ずに直接結合していてもよい。

【００１７】式［III］および［IV］中、ｎ、ｍ、ｋお
よびＲ¹ 〜Ｒ¹⁸は、式［Ｉ］と同様の意味である。）

【００１８】

【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光磁気記録媒
体について具体的に説明する図１は、本発明に係る光磁
気記録媒体の一実施例を示す概略断面図である。

【００１９】本発明に係る光磁気記録媒体１０は、基板
１上に、第１保護膜２、光磁気記録膜３、第２保護膜
４、金属膜５がこの順序で積層されている。 ［基板１］基板は、透明基板であることが好ましく、具
体的には、ガラスあるいはアルミニウム等の無機材料の
他に、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、
ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロイ、米
国特許４６１４７７８号明細書に示されるような非晶質
ポリオレフィン、ポリ4-メチル-1-ペンテン、エポキシ
樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリ
エーテルイミド等の有機材料を使用することができる
が、特に後述するような基板が好ましく用いられる。

【００２０】本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、
一般式［Ｉ］および／または［II］で表される環状オレ
フィンとエチレンとのランダム共重合体、一般式［II
I］で表される繰り返し単位を含む重合体または共重合
体、一般式［IV］で表される繰り返し単位を含む重合体
または共重合体よりなる群から選ばれる少なくとも１種
の重合体または共重合体が好ましく用いられる。

【００２１】ここで一般式［III］で表される繰り返し
単位は、一般式［Ｉ］で表される環状オレフィンを開環
重合することにより形成され、一般式［IV］で表される
繰り返し単位は、一般式［III］で表される繰り返し単
位を水素添加することによって形成される。

【００２２】一般式［Ｉ］において、ｎは０または１で
あり、好ましくは０である。また、ｍは０または正の整
数であり、好ましくは０〜３である。また一般式［II］
において、ｐは０または１以上の整数であり、好ましく
は０〜３の整数である。

【００２３】そして、一般式［Ｉ］におけるＲ¹ 〜Ｒ¹⁸
ならびにＲ^aおよびＲ^b、あるいは一般式［II］における
Ｒ¹〜Ｒ¹⁵は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原
子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしく
は基を表す。炭化水素基としては、通常は炭素原子数１
〜６のアルキル基、炭素原子数３〜６のシクロアルキル
基を挙げることができ、アルキル基の具体的な例として
は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル
基、アミル基等を挙げることができ、シクロアルキル基
の具体的な例としては、シクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げる
ことができる。

【００２４】なお、一般式［Ｉ］において、ｋが０の場
合は、ｋを用いて表される環は五員環を形成する。さら
に、一般式［Ｉ］において、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は互いに結合し
て（共同して）単環または多環を形成していてもよく、
かつ該単環または多環が二重結合を有していてもよい。
このような単環または多環としては、以下に挙げる単環
または多環を例示することができる。さらに、これらの
環は、メチル基等の置換基を有していてもよい。

【００２５】

【化９】

【００２６】なお、上記式において、１および２を付し
て示した炭素原子は、式［Ｉ］においてＲ¹⁵〜Ｒ¹⁸で表
される基が結合している脂環構造の炭素原子を表す。ま
た、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアルキリデ
ン基を形成していてもよい。このようなアルキリデン基
は、通常は炭素原子数２〜４のアルキリデン基を挙げる
ことができ、その具体的な例としては、エチリデン基、
プロピリデン基、イソプロピリデン基およびイソブチリ
デン基を挙げることができる。

【００２７】上記一般式［Ｉ］または［II］で表される
環状オレフィンは、シクロペンタジエン類と、相応する
オレフィン類あるいは環状オレフィン類とをディールス
・アルダー反応により縮合させることにより容易に製造
することができる。

【００２８】上記一般式［Ｉ］または［II］で表される
環状オレフィンとしては、具体的には、例えば、ビシク
ロ［2.2.1］ヘプト-2-エン又はその誘導体、テトラシク
ロ［4.4.0.1^2,5.1^7,10］-3-ドデセン又はその誘導体、
ヘキサシクロ［6.6.1.1^3,6.1^{1 0,13}.0^2,7.0^9,14］-4-ヘ
プタデセン又はその誘導体、オクタシクロ［8.8.0.
1^2,9.1^4,7.1^11,18.1^13,16.0^3,8.0^12,17］-5-ドコセン又
はその誘導体、ペンタシクロ［6.6.1.1^3,6.0^2,7.
0^9,14］-4-ヘキサデセン又はその誘導体、ヘプタシクロ
-5-エイコセン又はその誘導体、ヘプタシクロ-5-ヘンエ
イコセン又はその誘導体、トリシクロ［4.3.0.1^2,5］-3
-デセン又はその誘導体、トリシクロ［4.4.0.1^2,5］-3-
ウンデセン又はその誘導体、ペンタシクロ［6.5.1.
1^3,6.0^2,7.0^9,13］-4-ペンタデセン又はその誘導体、ペ
ンタシクロペンタデカジエン又はその誘導体、ペンタシ
クロ［7.4.0.1^2,5.1^9,12.0^8,13］-3-ペンタデセン又は
その誘導体、ヘプタシクロ［8.7.0.1^3,6.1^10,17.
1^12,15.0^2,7.0^11,16］-4-エイコセン又はその誘導体、
ノナシクロ［10.9.1.1^4,7.1^13,20.1^15,18.0^3,8.0^2,10.0
^12,21.0^14,19］-5-ペンタコセン又はその誘導体、ペン
タシクロ［8.4.0.1^2,5.1^9,12.0^8,13］-3-ヘキサデセン
又はその誘導体、ヘプタシクロ［8.8.0.1^4,7.1^11,18.1
^13,16.0^3,8.0^12,17］-5-ヘンエイコセン又はその誘導
体、ノナシクロ［10.10.1.1^5,8.1^14,21.1^16,19.0^2,11.0
^4,9.0^13,22.0^15,20］-5-ヘキサコセン又はその誘導体、
5-フェニル−ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、5-メチ
ル-5-フェニル-ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、5-ベ
ンジル-ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、5-トリル-ビ
シクロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、5-（エチルフェニル）
-ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、5-（イソプロピル
フェニル）-ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、1,4-メ
タノ-1,4,4a,9a-テトラヒドロフルオレン、1,4-メタノ-
1,4,4a,5,10,10a-ヘキサヒドロアントラセン、シクロペ
ンタジエン-アセナフチレン付加物、5-（α-ナフチル）
-ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エン、5-（アントラセニ
ル）-ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エン等を挙げること
ができる。

【００２９】上記のような環状オレフィン類とエチレン
との共重合体である環状オレフィン系ランダム共重合体
は、エチレンおよび前記環状オレフィンを必須成分とす
るものであるが、必要に応じて他の共重合可能な不飽和
単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合されて
いてもよい該不飽和単量体として、具体的には、例えば
生成するランダム共重合体中のエチレン成分単位と等モ
ル未満の範囲のプロピレン、1-ブテン、4-メチル-1-ペ
ンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン、1-ドデセ
ン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセ
ン、1-エイコセン等の炭素原子数が３〜２０のα-オレ
フィン等を例示することができる。

【００３０】本発明では、光磁気記録媒体の基板として
上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体の他
に、一般式［Ｉ］で表される環状オレフィンの開環重合
体もしくは開環共重合体［III］、あるいはこれらの開
環重合体もしくは開環共重合体の水素添加物［IV］を用
いることもでき、このような重合体の例として、テトラ
シクロドデセンの開環重合体、テトラシクロドデセンと
ノルボルネンおよびそれらの誘導体との開環共重合体、
およびこれらの開環共重合体、ならびにこれら開環共重
合体の水素添加物が挙げられる。

【００３１】このような環状オレフィン系重合体は、特
開昭60-168708号公報、特開昭61-120816号公報、特開昭
61-115912号公報、特開昭61-115916号公報、特開昭62-2
52406号公報、特開昭62-252407号公報、特開昭61-27130
8号公報、特開昭61-272216号公報等において本出願人が
提案した方法に従って適宜条件を選択することにより製
造することができる。

【００３２】本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、
このようにして製造される環状オレフィン共重合体の中
でも¹³Ｃ−ＮＭＲによって測定されるエチレンに由来す
る繰り返し単位が４０〜８５モル％、特に５０〜７５モ
ル％の範囲で存在し、同様にして測定される環状オレフ
ィンに由来する繰り返し単位が１５〜６０モル％、好ま
しくは２５〜５０モル％の範囲で存在し、これらのエチ
レンおよび環状オレフィンに由来する繰り返し単位がラ
ンダムに実質上線状に配列している環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体［Ａ］（以下共重合体［Ａ］と記載す
る）が好ましく用いられる。またこのように重合体が実
質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していないこと
は、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に溶解す
ることによって確認できる。

【００３３】また本発明に係る光磁気記録媒体の基板に
用いられる共重合体［Ａ］としては、１３５℃のデカリ
ン中で測定した極限粘度［η］が０.０５〜１０dl／
ｇ、特に０.０８〜５dl／ｇの範囲にある環状オレフィ
ン系ランダム共重合体が好ましい。

【００３４】さらにこのような共重合体［Ａ］は、軟化
温度（ＴＭＡ）が７０℃以上、好ましくは９０〜２５０
℃の範囲であることが望ましい。この軟化温度（ＴＭ
Ａ）は、デュポン社製のサーモメカニカル・アナライザ
ーを用いて厚さ１ｍｍのシートの熱変形挙動により測定
される。すなわちシート上に石英製の針をのせ、荷重４
９ｇをかけ、５℃／分で昇温していき、針がシート中に
０.６３５ｍｍ埋入した際の温度をＴＭＡとした。また
このような共重合体［Ａ］のガラス転移温度（Ｔｇ）は
５０〜２３０℃、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあ
ることが望ましい。

【００３５】さらに共重合体［Ａ］のＸ線回析法によっ
て測定した結晶化度は、０〜１０％、好ましくは０〜７
％の範囲にあることが望ましい。本発明では、上記のよ
うな共重合体［Ａ］に、エチレンと上記一般式［Ｉ］ま
たは［II］で表わされる環状オレフィンとの共重合体で
あって、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
［η］が０.０５〜５dl／ｇの範囲にあり、軟化温度
（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ｂ］（以下共重合体［Ｂ］と記載する）を
配合してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物
から基板を形成することが好ましい。

【００３６】上記のような共重合体［Ｂ］では、前記と
同様にして測定されたエチレンに由来する繰り返し単位
が６０〜９８モル％の範囲で存在していることが好まし
く、環状オレフィンに由来する繰り返し単位が２〜４０
モル％、特に５〜４０モル％の範囲で存在していること
が好ましく、前記エチレンに由来する繰り返し単位およ
び環状オレフィンに由来する繰り返し単位がランダムに
実質上線状に配列していることが好ましい。またこのよ
うに重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有し
ていないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中に
完全に溶解することによって確認できる。

【００３７】またこのような共重合体［Ｂ］の１３５℃
のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０.０５〜
５dl／ｇ、特に０.０８〜３dl／ｇの範囲にあることが
好ましい。

【００３８】共重合体［Ｂ］は、共重合体［Ａ］と同様
にして測定した軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満、好ま
しくは−１０〜６０℃の範囲にあることが望ましい。ま
た該共重合体［Ｂ］のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−３
０〜６０℃、好ましくは−２０〜５０℃の範囲にあるこ
とが望ましい。さらに共重合体［Ｂ］のＸ線回析法によ
って測定した結晶化度は、０〜１０％、好ましくは０〜
７％の範囲にあることが望ましい。

【００３９】本発明において、基板として環状オレフィ
ン系ランダム共重合体組成物を用いる場合には、前記共
重合体［Ａ］／共重合体［Ｂ］の重量比は、１００／
０.１〜１００／１０、好ましくは１００／０.３〜１０
０／７の範囲にあることが望ましい。共重合体［Ｂ］を
この範囲で共重合体［Ａ］に配合することによって基板
自体の優れた透明性と表面平滑性を維持したままで、光
磁気記録層との密着性が共重合体［Ａ］のみの場合に比
べてさらに向上するという効果がある。

【００４０】なお、上記のような開環重合体、開環共重
合体、これらの水素添加物および環状オレフィン系ラン
ダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カルボ
ン酸等で変性されていてもよい。このような変性物は、
上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カルボン
酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸のアルキ
ルエステル等の誘導体とを反応させることにより製造す
ることができる。この場合の環状オレフィン系樹脂の変
性物中における変性剤から導かれる構成単位の含有率
は、通常は５０〜１０モル％以下である。このような環
状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率になるよう
に環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグラフト重
合させて製造することもできるし、予め高変性率の変性
物を調製し、次いでこの変性物と未変性の環状オレフィ
ン系樹脂とを混合することによっても製造することがで
きる。

【００４１】以上のような開環重合体、開環共重合体、
これらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共
重合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合
わせて用いることができる。

【００４２】また本発明の光磁気記録媒体の基板には、
上述したような重合体に加えて、衝撃強度を向上させる
ためのゴム成分を配合したり、耐熱安定剤、耐候安定
剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、
防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油等を適当量
配合することができる。

【００４３】所望により配合される安定剤としては、フ
ェノール系酸化防止剤、脂肪酸金属塩、多価アルコール
の脂肪酸エステル等が挙げられる。これらの安定剤は、
単独で配合してもよく、組み合わせて配合してもよい。

【００４４】本発明の光磁気記録媒体の基板にはフェノ
ール系酸化防止剤と多価アルコールの脂肪酸エステルと
を組合せて用いることが好ましく、この多価アルコール
の脂肪酸エステルは３価以上の多価アルコールのアルコ
ール性水酸基の一部がエステル化された多価アルコール
脂肪酸エステルであることが好ましい。

【００４５】このようなフェノール系酸化防止剤は、例
えば前記［Ａ］成分および［Ｂ］成分の合計重量１００
重量部に対して０〜１０重量部の量で用いることが望ま
しく、また多価アルコールの脂肪酸エステルは、［Ａ］
成分および［Ｂ］成分の合計重量１００重量部に対して
０〜１０重量部の量で用いることが好ましい。

【００４６】また本発明の光磁気記録媒体の基板には、
本発明の目的および透明性を損なわない範囲で、シリ
カ、珪藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、軽石粉、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸
化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、ドロマイ
ト、硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウ
ム、亜硫酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス繊維、ガラスフレーク、ガラスビーズ、珪酸カルシウ
ム、モンモリロナイト、ベントナイト、グラファイト、
アルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロン繊維、炭化珪
素繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリ
エステル繊維、ポリアミド繊維等の充填剤を配合しても
よい。

【００４７】このような基板の厚みは特に限定されない
が、通常０.５〜５ｍｍ、好ましくは０.５〜２ｍｍであ
る。 ［第１保護膜２］第１保護膜としては、ＳiＣx で示さ
れる組成の膜またはＳiＮxで示される組成の膜あるいは
ＺnＳ膜等が用いられ、ＳiＣx またはＳiＮxで示される
組成の膜が好ましく用いられる。

【００４８】ＳiＣx で示される第１保護膜では、原子
比で表わした場合に０.５≦ｘ≦３、特に０.８≦ｘ≦
２.５であることが好ましい。ｘがこの価より小さい
と、再生レザー光の光学的吸収が光磁気信号を減衰させ
るほど大きくなり、ｘの価が大きすぎても同様に光学的
吸収が大きくなり光磁気信号を減衰させる。

【００４９】ＳiＣx で示される第１保護膜は、具体的
にはＳiＣ（炭化珪素）膜あるいは０.５≦ｘ≦３となる
ようなＳiＣとＳiとの混成膜、あるいはＳiＣとＣとの
混成膜が用いられる。このようなＳiＣx で示される第
１保護膜は、例えばターゲットとしてＳiＣ、ＳiＣとＳ
iとの混合ターゲットあるいはＳiＣとＣとの混合ターゲ
ットを用いて、スパッタリング法により成膜することが
できる。またＳiを含炭化水素雰囲気中（例えばＡr／Ｃ
Ｈ₄）等でスパッタリングすることによって成膜するこ
ともできる。このようなＳiＣx からなる第１保護膜
は、通常１.９以上、好ましくは１.９〜２.６の屈折率
を有していることが望ましい。

【００５０】ＳiＮxで示される第１保護膜では、原子比
で表わした場合に０＜ｘ≦５／３、特に０＜ｘ≦４／３
であることが好ましく、具体的には、Ｓi₃Ｎ₄（四窒化
三ケイ素）等の窒化ケイ素膜あるいは０＜ｘ＜４／３と
なるようなＳi₃Ｎ₄とＳiとの混成膜が特に好ましく用い
られる。このようなＳiＮxで示される第１保護膜は、例
えばターゲットとして、Ｓi₃Ｎ₄またはＳi₃Ｎ₄とＳiと
を用いて、スパッタリング法により成膜することができ
る。またＳiを含窒素雰囲気中（例えばＡr／Ｎ ₂）等で
スパッタリングすることによって成膜することもでき
る。このようなＳiＮxからなる第１保護膜は、通常１.
８以上、好ましくは１.８〜２.２の屈折率を有している
ことが望ましい。

【００５１】第１保護膜の厚さを変えるとＣ／Ｎ比およ
び反射率が変化する。Ｃ／Ｎ比および反射率は、それぞ
れが屈折率×膜厚の関数であるため、Ｃ／Ｎ比および反
射率を変えずに膜厚を薄くするためには屈折率を大きく
すればよい。第１保護膜としてＳiＣx を用いると、膜
厚を薄くすることができるため生産性を上げることがで
き、しかも長期安定性に優れている。

【００５２】このような第１保護膜は、後述する光磁気
記録膜を酸化等から保護する働きまたは光磁気記録膜の
記録特性を高めるエンハンス膜としての働きあるいはそ
の両方の働きをしている。

【００５３】第１保護膜の膜厚は、通常１００〜２００
０Å、好ましくは３００〜１５００Åである。 ［光磁気記録膜３］光磁気記録膜は、（ｉ）３ｄ遷移元
素から選ばれる少なくとも１種と、（ii）希土類から選
ばれる少なくとも１種の元素とからなっているか、ある
いは（ｉ）３ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも１種
と、（ii）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素
と、（iii）耐腐食性金属とからなっている。（ｉ）３
ｄ遷移元素としては、Ｆe、Ｃo、Ｔi、Ｖ、Ｃr、Ｍn、
Ｎi、Ｃu、Ｚn等が用いられるが、これらのうちＦeまた
はＣoあるいはこの両者であることが好ましい。

【００５４】この３ｄ遷移元素は、光磁気記録膜中に、
該光磁気記録膜の全原子数を基準として、通常２０〜９
０原子％、好ましくは３０〜８５原子％、特に好ましく
は３５〜８０原子％の量で存在している。（ii）希土類
元素としては、例えば Ｇd、Ｔb、Ｄy、Ｈo、Ｅr、Ｔm、Ｙb、Ｌu、Ｌa、Ｃe、
Ｐr、Ｎd、Ｐm、Ｓm、Ｅuが挙げられる。

【００５５】これらのうちＧd、Ｔb、Ｄy、Ｈo、Ｎd、
Ｓm、Ｐrが好ましく用いられる。上記のような群から選
ばれる少なくとも１種の希土類元素は、光磁気記録膜中
に、該光磁気記録膜の全原子数を基準として、通常５〜
５０原子％、好ましくは８〜４５原子％、特に好ましく
は１０〜４０原子％の量で存在している。

【００５６】光磁気記録膜は、上記（ｉ）３ｄ遷移元素
および（ii）希土類元素に加えて、（iii）耐腐食性金
属を含んでいてもよい。（iii）耐腐食性金属は、光磁
気記録膜に含ませることによって、この光磁気記録膜の
耐酸化性を高めることができ、長期信頼性に優れた光磁
気記録膜を得ることができる。このような耐腐食性金属
としては、Ｐt、Ｐd、Ｔi、Ｚr、Ｔa、Ｎb等が用いられ
るが、このうちＰt、Ｐd、Ｔiが好ましく、特にＰtまた
はＰdあるいはこの両者であることが好ましい。

【００５７】この耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に、
該光磁気記録膜の全原子数を基準として、通常５〜３０
原子％、好ましくは５〜２５原子％、より好ましくは１
０〜２５原子％、特に好ましくは１０〜２０原子％の量
で存在している。

【００５８】上記のような量で耐腐食性金属を光磁気記
録膜中に存在させると、得られる光磁気記録膜の耐酸化
性が充分に改善され、経時的に保磁力Ｈc が大きく変化
したりあるいはカー回転角θk が減少したりすることが
ない。また、３０原子％を超えて存在する場合には、得
られる非晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下となる傾
向が生ずる。

【００５９】本発明では、光磁気記録膜が、特に下記に
記載するような組成を有することが好ましい。 （ｉ）３ｄ遷移元素 ３ｄ遷移元素は、光磁気記録膜中に好ましくはＦeまた
はＣoあるいはこの両者が含まれており、Ｆeおよび／ま
たはＣoは、通常４０原子％以上８０原子％以下、好ま
しくは４０原子％以上７５原子％未満、さらに好ましく
は、４０原子％以上５９原子％以下の量で存在している
ことが望ましい。

【００６０】Ｆeおよび／またはＣoの量が４０原子％以
上で８０原子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優れ、
かつ膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録
膜が得られるという利点を有する。

【００６１】ところで光磁気記録膜中に、Ｃoを添加す
ると、（イ）光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また
（ロ）カー回転角（θk）が大きくなるという現象が認
められ、その結果、Ｃoの添加量により、光磁気記録膜
の記録感度を調整することができ、しかもＣoの添加に
より、再生信号のキャリアレベルを増加することができ
る。本発明に係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ
／Ｎ比の点からＣo／（Ｆe＋Ｃo）比［原子比］は、通
常０以上０.３以下、好ましくは０以上０.２以下、さら
に好ましくは０.０１以上０.２以下であるような量で、
光磁気記録膜中に存在していることが望ましい。

【００６２】（ii）希土類元素（ＲＥ） 希土類元素（ＲＥ）としては、Ｎd、Ｓm、Ｐr、Ｃe、Ｅ
u、Ｇd、Ｔb、ＤyまたはＨoが用いられる。これらの中
では、Ｎd、Ｐr、Ｇd、Ｔb、Ｄyが好ましく用いられ、
特にＴbが好ましい。また希土類元素は２種以上併用し
てもよく、この場合にＴbを希土類元素のうち５０原子
％以上含有していることが好ましい。

【００６３】（iii）耐腐食性金属 耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に好ましくはＰtまた
はＰdあるいはこの両者が含まれており、Ｐtおよび／ま
たはＰdは、光磁気記録膜中に通常５〜３０原子％、好
ましくは１０原子％を超えて３０原子％以下、さらに好
ましくは１０原子％を超えて２０原子％未満、最も好ま
しくは１１原子％以上１９原子％以下の量で存在してい
ることが望ましい。

【００６４】光磁気記録膜中のＰtおよび／またはＰdの
量が５原子％以上、特に１０原子％を超えて存在する
と、光磁気記録膜の耐酸化性に優れ、長期間使用しても
孔食が発生せず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有
する。

【００６５】例えばＰt₁₃Ｔb₂₈Ｆe₅₀Ｃo₉（原子％）あ
るいはＰd₁₂Ｔb₂₈Ｆe₅₇Ｃo₃（原子％）で示される組成
を有する光磁気記録膜を有する本発明の光磁気記録媒体
は、相対湿度８５％、８０℃の環境下に１０００時間保
持しても、Ｃ／Ｎ比は全く変化しない。

【００６６】本発明では、光磁気記録膜に上記以外の他
の元素を少量添加して、キュリー温度や補償温度あるい
は保磁力Ｈc やカー回転角θk の改善あるいは低コスト
化を計ることもできる。これらの元素は、光磁気記録膜
を構成する全原子数に対して例えば１０原子％未満の割
合で用いることができる。

【００６７】併用できる他の元素の例としては、以下の
ような元素が挙げられる。 （Ｉ）Ｆe、Ｃo以外の３ｄ遷移元素、例えばＳc、Ｔi、
Ｖ、Ｃr、Ｍn、Ｎi、Ｃu、Ｚn等。 （II）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素、例えばＹ、Ｚr、Ｎb、
Ｍo、Ｔc、Ｒu、Ｒh、Ａg、Ｃd等。 （III）Ｐt以外の５ｄ遷移元素、例えばＨf、Ｔa、Ｗ、
Ｒe、Ｏs、Ｉr、Ａu、Ｈg等。 （IV）III Ｂ族元素、例えばＢ、Ａl、Ｇa、Ｉn、Ｔl
等。 （Ｖ）IVＢ族元素、例えばＣ、Ｓi、Ｇe、Ｓn、Ｐb等。 （VI）ＶＢ族元素、例えばＮ、Ｐ、Ａs、Ｓb、Ｂi等。 （VII）VIＢ族元素、例えばＳ、Ｓe、Ｔe、Ｐo等。

【００６８】上記のような組成を有する光磁気記録膜
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒス
テリシスが良好な角形ループを示す垂直磁気および光磁
気記録可能な非晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回析等
により確かめられる。

【００６９】このような光磁気記録膜の膜厚は、通常１
００〜６００Å、好ましくは１００〜４００Å、より好
ましくは１５０〜３５０Å程度である。 ［第２保護膜４］本発明に係る光磁気記録媒体で用いら
れる第２保護膜は、ＳiＣx で示される組成の膜から形
成されている。

【００７０】ＳiＣx で示される第２保護膜では、原子
比で表わした場合に０.５≦ｘ≦３、特に０.８≦ｘ≦
２.５であることが好ましい。ｘがこの価より小さい
と、再生レザー光の光学的吸収が光磁気信号を減衰させ
るほど大きくなり、ｘの価が大きすぎても同様に光学的
吸収が大きくなり光磁気信号を減衰させる。

【００７１】第２保護膜は、具体的にはＳiＣ（炭化珪
素）膜あるいは０.５≦ｘ≦３となるようなＳiＣとＳi
との混成膜、あるいはＳiＣとＣとの混成膜が用いられ
る。このような第２保護膜は、例えばターゲットとして
ＳiＣ、ＳiＣとＳiとの混合ターゲットあるいはＳiＣと
Ｃとの混合ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
り成膜することができる。またＳiを含炭化水素雰囲気
中（例えばＡr／ＣＨ₄）等でスパッタリングすることに
よって成膜することもできる。

【００７２】このようなＳiＣx からなる第２保護膜
は、通常１.８以上、好ましくは１.９〜２.６の屈折率
を有していることが望ましい。第２保護膜は、前述の光
磁気記録膜を酸化等から保護する働きまたは光磁気記録
膜の記録特性を高めるエンハンス膜としての働きあるい
はその両方の働きをしているが、それだけでなく次の働
きも有している。

【００７３】光磁気記録膜にレーザー光が照射される
と、光磁気記録膜が加熱されて温度が上昇する。記録、
消去はこの温度上昇を利用しているが、再生時のリード
パワーによっても光磁気記録膜の温度が上昇し、記録し
た信号が弱まる場合がある。ＳiＣx からなる膜は熱伝
導性に優れるため、再生時のリードパワーによって光磁
気記録膜の温度が上昇し、記録信号を弱めることを防ぐ
ことができる。このような効果は、後述する金属膜をア
ルミニウム合金とすることによりさらに増大させること
ができる。

【００７４】このような第２保護膜の膜厚は、通常５０
〜１０００Å、好ましくは５０〜７００Å、より好まし
くは１００〜４００Å程度である。 ［金属膜５］本発明に係る光磁気記録媒体では、上記の
ような第２保護膜上に、金属膜が設けられている。

【００７５】本発明では、金属膜は、アルミニウム合金
からなっている。このアルミニウム合金は、アルミニウ
ムと、アルミニウム以外の少なくとも１種の元素を含ん
で構成されている。

【００７６】このような金属膜を構成するアルミニウム
合金として具体的には、以下のようなものが例示でき
る。なお下記のアルミニウム合金において、各金属の含
有量は該アルミニウム合金を構成する全原子数に対する
原子％である。

【００７７】Ａl-Ｃr合金（Ｃr含有量０.１〜１０原子
％）、Ａl-Ｃu合金（Ｃu含有量０.１〜１０原子％）、
Ａl-Ｍn合金（Ｍn含有量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｈf
合金（Ｈf含有量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｎb合金
（Ｎb含有量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｂ合金（Ｂ含有
量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｔi合金（Ｔi含有量０.１
〜１０原子％）、Ａl-Ｔi-Ｎb合金（Ｔi含有量０.１〜
５原子％、Ｎb含有量０.１〜５原子％）、Ａl-Ｔi-Ｈf
合金（Ｔi含有量０.１〜５原子％、Ｈf含有量０.１〜１
０原子％）、Ａl-Ｃr-Ｈf合金（Ｃr含有量０.１〜５原
子％、Ｈf含有量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｃr-Ｔi合
金（Ｃr含有量０.１〜５原子％、Ｔi含有量０.１〜１０
原子％）、Ａl-Ｃr-Ｚr合金（Ｃr含有量０.１〜５原子
％、Ｚr含有量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｔi-Ｎb合金
（Ｔi含有量０.１〜５原子％、Ｎb含有量０.１〜５原子
％）、Ａl-Ｎi合金（Ｎi含有量０.１〜１０原子％）、
Ａl-Ｍg合金（Ｍg含有量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｍg
-Ｔi合金（Ｍg含有量０.１〜１０原子％、Ｔi含有量０.
１〜１０原子％）、Ａl-Ｍg-Ｃr合金（Ｍg含有量０.１
〜１０原子％、Ｃr含有量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｍ
g-Ｈf合金（Ｍg含有量０.１〜１０原子％、Ｈf含有量
０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｓe合金（Ｓe含有量０.１〜
１０原子％）、Ａl-Ｚr合金（Ｚr含有量０.１〜１０原
子％）、Ａl-Ｔa合金（Ｔa含有量０.１〜１０原子
％）、Ａl-Ｔa-Ｈf合金（Ｔa含有量０.１〜１０原子
％、Ｈf含有量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｓi合金（Ｓi
含有量０.１〜１０原子％）、Ａl-Ａg合金（Ａg含有量
０.１〜１０原子％）、Ａl-Ｐd合金（Ｐd含有量０.１〜
１０原子％）、Ａl-Ｐt合金（Ｐt含有量０.１〜１０原
子％）。

【００７８】これらの金属膜を構成するアルミニウム合
金のうち、特に以下のようなものが、光磁気記録媒体の
線速依存性を小さくし、かつ耐腐食性に優れているので
好ましい。

【００７９】ハフニウム０.１〜１０原子％を含むアル
ミニウム合金、ニオブ０.１〜１０原子％を含むアルミ
ニウム合金、チタン０.５〜５原子％とハフニウム０.５
〜５原子％を含み、チタンとハフニウムの合計含有量が
１〜５.５原子％であるアルミニウム合金、クロム０.１
〜５原子％とチタン０.１〜９.５原子％を含み、クロム
とチタンの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニ
ウム合金、マグネシウム０.１〜１０原子％とクロム０.
１〜１０原子％を含み、マグネシウムとクロムの合計含
有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、クロム
０.１〜５原子％とハフニウム０.１〜９.５原子％を含
み、クロムとハフニウムの合計含有量が１０原子％以下
であるアルミニウム合金、マグネシウム０.１〜１０原
子％とハフニウム０.１〜１０原子％を含み、マグネシ
ウムとハフニウムの合計含有量が１５原子％以下である
アルミニウム合金、クロム０.１〜５原子％とジルコニ
ウム０.１〜９.５原子％を含み、クロムとジルコニウム
の合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム合
金、タンタル０.１〜１０原子％とハフニウム０.１〜１
０原子％とを含み、タンタルとハフニウムの合計含有量
が１５原子％以下であるアルミニウム合金、チタン０.
５〜５原子％とニオブ０.５〜５原子％を含み、チタン
とニオブの合計含有量が１〜５.５原子％であるアルミ
ニウム合金、マグネシウム０.１〜１０原子％とチタン
０.１〜１０原子％を含み、マグネシウムとチタンの合
計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金。

【００８０】ハフニウム０.１〜９.５原子％、クロム
０.１〜５原子％およびチタン０.１〜９.５原子％を含
み、ハフニウムとクロムとチタンとの合計含有量が１０
原子％以下であるアルミニウム合金。

【００８１】ハフニウム０.１〜１０原子％、マグネシ
ウム０.１〜１０原子％およびチタン０.１〜１０原子％
を含み、ハフニウムとクロムとマグネシウムとの合計含
有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金。

【００８２】ハフニウム０.１〜１０原子％、マグネシ
ウム０.１〜１０原子％およびクロム１０原子％以下と
を含み、ハフニウムとマグネシウムとクロムの合計含有
量が１５原子％以下であるアルミニウム合金。

【００８３】ハフニウム０.１〜１０原子％、マグネシ
ウム０.１〜１０原子％、チタン０.１〜１０原子％およ
びクロム１０原子％以下とを含み、ハフニウムとマグネ
シウムとチタンとクロムとの合計含有量が１５原子％未
満であるアルミニウム合金。

【００８４】チタン０.１〜１０原子％、マグネシウム
０.１〜１０原子％およびクロム１０原子％以下とを含
み、チタンとマグネシウムとクロムとの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金。

【００８５】ニッケルを０.１〜１０原子％含むアルミ
ニウム合金。ニッケルを０.１〜１０原子％、クロムを
２原子％以下で含むアルミニウム合金。

【００８６】このような金属膜は、例えば第２保護膜上
に上記元素の複合ターゲットまたはその合金ターゲット
を用い、スパッタリング法等によって成膜することがで
きる。

【００８７】また上記のような金属膜は、それぞれの金
属膜を構成する金属以外に下記のような金属（元素）を
１種または２種以上含ませることもできる。このような
金属としては、例えば、チタン（Ｔi）、ハフニウム
（Ｈf）、ニオブ（Ｎb）、クロム（Ｃr）、シリコン
（Ｓi）、タンタル（Ｔa）、銅（Ｃu）、タングステン
（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚr）、マンガン（Ｍn）、マグ
ネシウム（Ｍg）、バナジウム（Ｖ）等が挙げられ、こ
のような他の金属は、通常５原子％以下、好ましくは２
原子％以下の量で含まれる。（ただし、金属膜には、上
記に例示するような金属（元素）のうち、既に金属膜に
含まれている金属（元素）をさらに上記の量で重ねて含
ませることはないものとする。例えば、金属膜を構成す
るアルミニウム合金が、上記したＡl-Ｔi合金、Ａl-Ｔi
-Ｈf合金等である場合には、上記の金属（元素）のうち
でチタン（Ｔi）がさらに上記のような量で上記アルミ
ニウム合金中に含まれることはない。） 本発明において、アルミニウム合金からなる金属膜は、
熱良伝導体としての機能を果しており、この金属膜が存
在することによって光磁気記録膜に記録されたピットの
中心部が再生レーザ光によって過度に高温になることが
防止され、その結果、繰り返し再生による記録信号の劣
化が防げる。

【００８８】また本発明における金属膜は、耐腐食性に
優れているため、光磁気記録膜に対する保護作用にも優
れている。このような金属膜の膜厚は、通常１００〜５
０００Å、好ましくは５００〜３０００Å、より好まし
くは７００〜２０００Å程度である。

【００８９】［オーバーコート膜６］本発明に係る光磁
気記録媒体では、図２に示すように金属膜上に、オーバ
ーコート膜が設けられていてもよい。

【００９０】オーバーコート膜としては、アクリル系紫
外線硬化樹脂等の紫外線硬化樹脂が好ましく用いられ
る。このようなオーバーコート膜は、紫外線硬化樹脂を
例えばロールコート法、スピンコート法等によって金属
膜上に塗布することにより形成することができる。

【００９１】このオーバーコート膜の膜厚は、好ましく
は１〜１００μｍ、特に好ましくは１〜５０μｍであ
る。オーバーコート膜を金属膜上に設けることによっ
て、長期間使用しても読み取りエラーが生じ難く、長期
信頼性に優れた光磁気記録媒体が得られる。

【００９２】上記のような、第１保護膜、光磁気記録
膜、第２保護膜および金属膜は、スパッタリング法以外
に、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法等の方法によっても成膜することができる。

【００９３】

【発明の効果】本発明によると、第２保護膜として熱伝
導性の高いＳiＣx からなる膜を用いているため、再生
時に光磁気記録膜の温度が上昇し、記録信号を弱めるこ
とを防ぐことができる。また、金属膜としてアルミニウ
ム合金を用いているので放熱効果に優れている。

【００９４】また、本発明に係る光磁気記録媒体は、特
定の膜構成および膜組成を有しているので、耐腐食性に
優れるとともに長期の使用によっても読み取りエラーが
生じ難く、長期信頼性に優れている。

【００９５】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるも
のではない。

【００９６】

【実施例１】エチレンと1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,
5,8,8a-オクタヒドロナフタレン（以下ＤＭＯＮと略記
する）とを共重合させて得られる非晶性の環状オレフィ
ンランダム共重合体［¹³Ｃ−ＮＭＲ分析で測定したエチ
レン含量５９モル％、ＤＭＯＮ含量４１モル％、１３５
℃デカリン中で測定した極限粘度［η］が０.４２ｄｌ
／ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）１５４℃］からなる基板（厚
さ１.２ｍｍ）上に、スパッタリング法で光磁気記録媒
体を形成した。

【００９７】［前排気］基板をスパッタリング装置の中
に入れて真空排気を行い、真空度が１×１０^-7Ｔｏｒｒ
以下になるまで排気した。

【００９８】［第１保護膜の成膜］Ｓｉターゲットを用
い、ＡｒガスとＮ₂ガスを導入して圧力を３ｍｍＴｏｒ
ｒに保って１ｋＷのＲＦパワーでプラズマ放電を起こさ
せた。１分間のプレスパッタの後、基板とターゲットの
間にあるシャッターを開いて６分間スパッタリングを行
い、１２００ÅのＳｉＮx 膜を形成した。

【００９９】［光磁気記録膜の成膜］次に、Ａｒガスの
供給を一旦停止し、排気を行って、１×１０^-7Ｔｏｒｒ
になったところで光磁気記録膜の成膜を行った。即ちＴ
ｂＦｅＣｏからなるターゲット上にＰｔチップを置いた
ところに、Ａｒガスを導入し圧力を３ｍｍＴｏｒｒに保
ってＤＣパワー１ｋＷを供給しプラズマ放電を起こさせ
た。２分間のプレスパッタの後、基板とターゲットの間
にあるシャッターを開いて４５秒間スパッタリングを行
い、３００ÅのＰｔ₁₀Ｔｂ₂₈Ｆｅ₆₀Ｃｏ₂ （原子％）の
組成を有する光磁気記録膜を成膜した。

【０１００】［第２保護膜の成膜］ＳｉＣの焼結ターゲ
ットを用い、Ａｒガスを導入して圧力を３ｍｍＴｏｒｒ
に保って１ｋＷのＲＦパワーでプラズマ放電を起こさせ
た。１分間のプレスパッタの後、基板とターゲットの間
にあるシャッターを開いて４０秒間スパッタリングを行
い、２００ÅのＳｉＣx 膜を形成した。

【０１０１】［金属膜の成膜］次に、Ａｒガスの供給を
一旦停止し、排気を行って、１×１０^-7Ｔｏｒｒになっ
たところで金属膜の成膜を行った。即ちＡｌからなるタ
ーゲット上にＴｉとＨｆチップを置いたところに、Ａｒ
ガスを導入し圧力を３ｍｍＴｏｒｒに保ってＤＣパワー
１ｋＷを供給しプラズマ放電を起こさせた。２分間プレ
スパッタの後、基板とターゲットの間にあるシャッター
を開いて４５秒間スパッタリングを行い、１０００Åの
厚さでＡｌ₉₇Ｔｉ₁Ｈｆ₂（原子％）の組成を有する金属
膜を成膜した。

【０１０２】［オーバーコート膜の成膜］スパッタリン
グ装置から取り出した、成膜した基板上にアクリル系紫
外線硬化樹脂用組成物をスピンコーターで塗布し、ＵＶ
を照射し、厚さ１０μｍのオーバーコート膜を形成し
た。

【０１０３】このようにして得られた光磁気記録媒体を
１８００ｒｐｍで回転させ、半径位置３０ｍｍのトラッ
ク上で３.７ＭＨz の信号を記録したところ、Ｃ／Ｎ比
は５０ｄＢであった。また、光磁気記録媒体を温風で５
０℃に加熱し、消去方向に４０００ｅ磁場を印加して、
２ｍＷの直流パワーを照射し続けたところ、１０⁶ 回で
もＣ／Ｎ比の低下はほとんど見られなかった。

【０１０４】比較例として、第２保護膜をＳiＮx と
し、他の構成は同じにし、上記と同一条件でテストする
と、Ｃ／Ｎ比で約１ｄＢ低下した。

【０１０５】

【実施例２】実施例１で用いた基板と同様の基板上に、
スパッタリング法で光磁気記録媒体を形成した。

【０１０６】［前排気］基板をスパッタリング装置の中
に入れて真空排気を行い、真空度が１×１０^-7Ｔｏｒｒ
以下になるまで排気した。

【０１０７】［第１保護膜の成膜］ＳｉＣの焼結ターゲ
ットを用い、Ａｒガスを導入して圧力を３ｍｍＴｏｒｒ
に保って１ｋＷのＲＦパワーでプラズマ放電を起こさせ
た。１分間のプレスパッタの後、基板とターゲットの間
にあるシャッターを開いて２、３分間スパッタリングを
行い、７００ÅのＳｉＣx 膜を形成した。

【０１０８】［光磁気記録膜の成膜］次に、Ａｒガスの
供給を一旦停止し、排気を行って、１×１０^-7Ｔｏｒｒ
になったところで光磁気記録膜の成膜を行った。即ちＴ
ｂＦｅＣｏからなるターゲット上にＰｔチップを置いた
ところに、Ａｒガスを導入し圧力を３ｍｍＴｏｒｒに保
ってＤＣパワー１ｋＷを供給しプラズマ放電を起こさせ
た。２分間のプレスパッタの後、基板とターゲットの間
にあるシャッターを開いて４５秒間スパッタリングを行
い、３００ÅのＰｔ₁₀Ｔｂ₂₈Ｆｅ₆₀Ｃｏ₂ （原子％）の
組成を有する光磁気記録膜を成膜した。

【０１０９】［第２保護膜の成膜］ＳｉＣの焼結ターゲ
ットを用い、Ａｒガスを導入して圧力を３ｍｍＴｏｒｒ
に保って１ｋＷのＲＦパワーでプラズマ放電を起こさせ
た。１分間のプレスパッタの後、基板とターゲットの間
にあるシャッターを開いて４０秒間スパッタリングを行
い、２００ÅのＳｉＣx 膜を形成した。

【０１１０】［金属膜の成膜］次に、Ａｒガスの供給を
一旦停止し、排気を行って、１×１０^-7Ｔｏｒｒになっ
たところで金属膜の成膜を行った。即ちＡｌからなるタ
ーゲット上にＴｉとＨｆチップを置いたところに、Ａｒ
ガスを導入し圧力を３ｍｍＴｏｒｒに保ってＤＣパワー
１ｋＷを供給しプラズマ放電を起こさせた。２分間プレ
スパッタの後、基板とターゲットの間にあるシャッター
を開いて４５秒間スパッタリングを行い、１０００Åの
厚さでＡｌ₉₇Ｔｉ₁Ｈｆ₂（原子％）の組成を有する金属
膜を成膜した。

【０１１１】［オーバーコート膜の成膜］スパッタリン
グ装置から取り出した、成膜した基板上にアクリル系紫
外線硬化樹脂用組成物をスピンコーターで塗布し、ＵＶ
を照射し、厚さ１０μｍのオーバーコート膜を形成し
た。

【０１１２】このようにして得られた光磁気記録媒体の
特性を実施例１と同様に測定した結果、Ｃ／Ｎ比の低下
はほとんど見られなかった。さらに、第１保護膜をＳｉ
Ｃx としたことでスパッタ時間の短縮が図れた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の一実施例を示す
概略断面図である。

【図２】本発明に係る光磁気記録媒体の他の実施例を示
す概略断面図である。

【符号の説明】

１０ 光磁気記録媒体 １ 基板 ２ 第１保護膜 ３ 光磁気記録膜 ４ 第２保護膜 ５ 金属膜 ６ オーバーコート膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、第１保護膜、光磁気記録膜、
   第２保護膜、金属膜がこの順序で積層されてなる光磁気
   記録媒体であって、 第２保護膜がＳiＣx からなり、 光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移元素から選ばれる少な
   くとも１種と、（ii）希土類から選ばれる少なくとも１
   種の元素とからなる、膜面に垂直な磁化容易軸を有する
   非晶質合金薄膜からなり、 金属膜が、アルミニウム合金からなることを特徴とする
   光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 第１保護膜がＳiＣx またはＳiＮx から
   なる請求項１に記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移元
   素から選ばれる少なくとも１種と、（ii）希土類から選
   ばれる少なくとも１種の元素と、（iii）耐腐食性金属
   とからなり、上記耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子
   ％である、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金
   薄膜からなる請求項１ないし請求項２に記載の光磁気記
   録媒体。
4. 【請求項４】 前記第２保護膜を構成するＳiＣx にお
   いて、ｘが原子比で０.５≦ｘ≦３である請求項１ない
   し請求項３に記載の光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 上記基板が、 （Ａ）エチレンと、下記一般式［Ｉ］および／または
   ［II］で表される環状オレフィンとのランダム共重合
   体、 （Ｂ）下記一般式［III］で表される繰り返し単位を含
   む重合体または共重合体、 （Ｃ）下記一般式［IV］で表される繰り返し単位を含む
   重合体または共重合体よりなる群から選ばれる少なくと
   も一種の重合体または共重合体からなることを特徴とす
   る請求項１ないし請求項４に記載の光磁気記録媒体。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 （式［Ｉ］中、ｎは０または１であり、ｍは０または正
   の整数であり、ｑは０または１であり、 Ｒ¹〜Ｒ¹⁸およびＲ^a、Ｒ^bは、それぞれ独立に、水素原
   子、ハロゲン原子および炭化水素基よりな群から選ばれ
   る原子もしくは基であり、 Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は、互いに結合して単環または多環を形成し
   ていてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を有し
   ていてもよく、また、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ
   ¹⁸とでアルキリデン基を形成していてもよい。式［II］
   中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑおよびｒは、
   ０、１また２であり、Ｒ¹〜Ｒ¹⁵はそれぞれ独立に水素
   原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水
   素基、およびアルコキシ基よりなる群から選ばれる原子
   もしくは基であり、Ｒ⁵（またはＲ⁶）とＲ⁹（または
   Ｒ⁷）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を介して結合
   していてもよく、また何の基も介さずに直接結合してい
   てもよい。式［III］および［IV］中、ｎ、ｍ、ｋおよ
   びＲ¹ 〜Ｒ¹⁸は、式［Ｉ］と同様の意味である。）