KR930008456B1 - 광자기 기록매체 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

[발명의 명칭]

광자기 기록매체

[도면의 간단한 설명]

제 1 도는 본 발명의 일실시예에 의한 광자기 기록매체의 확대 단면도.

제 2 도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 광자기 기록매체의 제 1 도와 같은 확대 단면도.

제 3 도는 본 발명의 또다른 실시예에 의한 광자기 기록매체의 제 1 도와 같은 확대 단면도.

제 4 도는 Pt를 함유하는 광자기 기록막중의 Co/{Fe+Co} 비[원자비]와 노이즈레벨(dBm)와의 관계를 나타낸 그래프.

제 5 도는 Pd를 함유하는 광자기 기록막중의 Co/{Fe+Co} 비[원자비]와 노이즈레벨(dBm)와의 관계를 나타낸 그래프.

제 6 도는 광자기 기록막중의 Co/{Fe+Co} 비[원자비]와 소거열화{△C/N 비 dB}와의 관계를 나타낸 그래프.

제 7 도는 광자기 기록막중의 Pt 및/또는 Pd의 함유량(원자%)과 내산화성(△C/N 비)과의 관계를 나타낸 그래프.

제 8 도는 광자기 기록막의 바이어스자계(Oe)와 C/N 비와의 관계를 나타낸 그래프.

제 9 도는 광자기 기록막중의 Pt 및/또는 Pd의 함유량(원자%)과 최소바이어스자계(H sat, {Oe})와의 관계를 각각 나타낸 그래프.

또 제 4 도-제 9 도의 광자기 기록매체는 모두 제 1 도의 구성의 것이며 기판이 에틸렌, 테트라시클로도데센 공중합체이며 이 기판상에 300Å의 기록막 및 1000Å의 니켈 합금막(반사막)을 순차로 적층시킨 것이다.

제 10 도는 Ni-Cr합금으로된 반사막에 있어서의 Ni 함량과 S/N비(dB)와의 관계를 나타낸 그래프.

[발명의 상세한 설명]

[기술배경]

본 발명은 우수한 내산화성 및 광자기 기록특성을 갖는 광자기 기록매체에 관한 것으로 더 상세히는 기판, 광자기 기록판 및 반사막으로 구성되고 상기 막들이 상기 기판상에 이 순서로 적층되고, 막면에 수직한 방향으로 자화용이 축을 갖으며 우수한 내산화성 및 광자기 기록특성을 갖는 기록매체에 관한 것이다.

[배경기술]

철, 코발트 등의 천이금속과 테르븀(T_b), 카도리늄(G_d)등의 희토류 원소와의 합금으로 된 광자기 기록막은 막면과 수직한 방향에 자화용이 축을 갖고 일방향으로 전면자화된 막면에 이전면 자화방향과는 역방향의 작은 반전자구를 형성할 수 있음이 알려졌다. 이 반전자구의 유무를 [1][0]에 대응시킴으로써 상기와 같은 광자기 기록막에 디지탈신호를 기록시킬 수 있게 된다.

이와 같은 천이금속과 희토류 원소로 된 광자기 기록막으로서는 예를들면 특공소 57-20691 호 공보에 15~30원자%의 T_b를 포함하는 T_b,F_e계 광자기 기록막이 개시되어 있고, 또 T_b-F_e제 3 의 금속을 첨가하여된 광자기 기록막도 사용되고 있으며, 또 T_b,C_o계 T_b-F_e-C_o계 등의 광자기 기록막도 알려졌다.

이들의 광자기 기록막은 우수한 기록재생 특성을 갖고 있으나 사용시에 이 광자기 기록막은 산화되어 그 특성이 경시적으로 변화되어 버린다는 실용상 큰 문제가 있었다.

이와 같은 천이금속과 희토류 원소를 포함하는 광자기 기록막의 산화열화의 메카니즘을 예를들면 일본응용자기학회지 제 9 권 NO, 2제 93~96페이지에 검토되어 있고 다음과 같은 3종 타입이 있음이 보고되어 있다.

A} 공식 {pit corrosion}

공식이라함은 광자기 기록막에 핀홀이 발생하는 것을 의미하지만 이 부식은 주로 고습분위기하에 진행되고 예를들면 T_b,F_e계, T_b-C_o계 등에서 현저히 진행된다.

B} 표면산화

광자기 기록막에 표면산화층이 형성되고 커 회전각(kerr-rotation angle) θ_k가 경시적으로 변화되고 결국에는 커 회전각 θ_k가 감소되어 버린다.

C} 희토류 금속의 선택산화

광자기 기록막중의 희토류 금속이 선택적으로 산화되고 보자력(coercive force) Hc가 경시적으로 크게 변화되어버린다.

상기와 같은 광자기 기록막의 산화열화를 방지하기 위하여 여러가지 방법이 시도되고 있다. 예를들면 광자기 기록막을 Si₃N₄, SiO, SiO₂등의 산화방지 보호막으로 샌드위치한 것과 같은 3층구조로 하는 방법이 검토되고 있다. 그런데 이 산화방지 보호막은 고가일뿐만 아니라 형성하는데 노력을 요하고 또 이 보호막을 형성시켜도 반드시 광자기 기록막의 산화열화를 충분히는 방지할 수 없다는 문제점이 있었다.

또 T_b-F_e계 , T_b-C_o계 등의 광자기 기록막 중에 이 박막의 내산화성을 향상시키기 위하여 제 3 의 금속을 첨가하는 방법이 여러가지로 시도되고 있다.

예를들면 상술한 일본응용 자기학회지에는 T_b-F_e또는 T_b-C_o에 C_o, Ni, Pt, Al, Cr, Ti, Pd 등의 제 3 금속을 3.5원자%까지의 양으로 첨가함으로써 T_b-F_e계 또는 T_b-C_o계 등의 광자기 기록막의 내산화성을 향상시키는 시도가 있다. 그리고 T_b-F_e또는 T_b-C_o에 Co, Ni, Pt를 소량첨가한 경우에는 표면산화의 방지 및 공식방지에는 유효하지만 이 광자기 기록막중의 희토류금속인 T_b의 선택산화방지에는 효과가 없다고 보고되어 있다. 이것은 T_b-F_e또는 T_b-C_o에 Co, Ni, Pt를 첨가한 경우에는 얻어지는 광자기 기록막에서는 T_b가 선택되어 보자력 Hc가 경사적으로 크게 변화되어 버린다는 것을 의미하고 있다. 따라서 T_b-F_e또는 T_b-C_o에 3,5원자%까지의 소량의 Co, Ni, Pt를 첨가해도 얻어지는 광자기 기록막의 내산화성은 충분히 개선되지 않는다.

제 9 회 일본응용자기학회 학술강연개요집(1985년 11월)의 제 209 페이지에는 역시 광자기 기록막의 내산화성을 향상시키는 목적으로 Tb-Fe 또는 Tb-Fe-Co에 Pt,Al,Cr,Ti를 10원%까지의 양으로 첨가해서 된 광자기 기록막이 교시되어 있다. 그런데 T_b-F_e또는 T_b-F_e-C_o에 10원자%까지 양의 Pt,Al,Cr,Ti를 첨가해도 표면산화 및 공식은 상당히 효과적으로 방지할 수 있으나 얻어지는 광자기 기록막중의 T_b의 선택산화에 대한 산화방지성은 충분치 않고 역시 시간의 경과와 더불어 보자력 Hc가 크게 변화되고 결국에는 보자력 Hc가 크게 저하되어버린다는 문제점은 여전히 남아있었다. 일본국 특개소 61-255546 호 공보에는 희토류원소와 천이원소로 된 광자기 기록막에 Pt,Au,Ag,Ru,Rh,Pd,Os,Ir 등의 귀금속 원소를 재생에 필요한 커회전각이 얻어지는 범위내로 첨가해서된 내산화성이 향상된 광자기 기록막이 개시되어 있다.

또 특개소 58-7806 호 공보에는 Pt, Co인 조성을 갖고 Pt가 10-30원%의 양으로 포함되어 있는 다결정박막으로 된 광자기 기록막이 개시되어 있다.

그런데 이 Pt Co인 조성을 갖는 다결정박막은 다결정이므로 성막후에 아닐링처리등의 열처리가 필요하고 또 결정간의 입계부분이 노이즈신호로서 발생되는 일이 있고 또 이 다결정 박막은 큐리점이 높다는 문제점이 있었다.

상술한 바와 같이 종래 T_b-F_e또는 T_b-C_o에 Co, Ni, Pt, Al, Cr, Ti, Pd 등의 제 3 금속이 첨가되어진 광자기 기록막은 알려져 있으나 종래 알려져 있는 광자기 기록막은 내산화성이 충분하지 않고 C/N비가 작고 노이즈레벨이 높고 또한 큰 바이어스자계를 가하지 않으면 높은 C/N 비를 얻을 수 없는, (바이어스자계의 의존성이 나쁘다)등의 어느 문제점이 있었다.

본 발명자들은 내산화성이 우수하고 장기간에 걸쳐서 사용할 수 있고 또한 C/N 비가 크고 또 노이즈레벨이 낮을 뿐만 아니라 작은 바이어스자계로 충분히 높은 C/N 비가 얻어진다는 바이어스자계 의존성이 우수한 광자기 기록매체를 제공하는 것을 목적으로 예의 연구한 결과 (ⅰ) 3d 천이금속으로부터 선택되는 적어도 1종과 (ⅱ) 내부식성금속과 (ⅲ)희토류로부터 선택된 적어도 1종의 원소로 되고 상기 내부식성 금속의 함유량이 5-30원자%인 광자기 기록막(Ⅰ)과 특정열전도율을 갖는 금속으로 된 반사막(Ⅱ)로 된 광자기 기록막이 우수한 제특성을 갖고 있음을 발견하여 본 발명을 완성했다.

[발명의 개시]

본 발명에 의한 광자기 기록매체는 기판위에 (Ⅰ) 광자기 기록막 (Ⅱ) 반사막이 이순서로 적층된 광자기 기록매체이다. (Ⅱ) 광자기 기록막이 (ⅰ) 3d 천이금속으로부터 선택된 적어도 1종과 (ⅱ) 내부식성금속과 (ⅲ) 희토류로부터 선택된 적어도 1종의 원소로 되고 상기 내부식성 금속의 함유량이 5~30원자%이며 막면에 수직인 자화용이축을 갖는 비정질합금박막이고 (Ⅱ) 반사막은 열전도율 2J/㎝ sec K 이하의 금속 또는 합금으로 되어 있다.

상술한 광자기 기록매체는 특히 반사율이 50% 이상이고 열전도율이 2J/㎝ sec, K 이하의 금속으로 된 반사막(Ⅱ)이 바람직하다.

본 발명에 의한 광자기 기록매체에서는 기판상에 특정 조성을 갖는 비정질합금 박막으로 된 광자기 기록막(Ⅰ)과 열전도율이 2J/㎝·sec·K 이하의 금속으로 된 반사막(Ⅱ)이 그 순서로 적층된 구성을 갖고 있고 내산화성이 우수하기 때문에 광자기 기록막을 얇게 할 수 있으며 광자기 기록매체에 휘임이나 균열이 생기기 어렵고 또한 우수한 C/N 비를 갖을 뿐만아니라 우수한 광자기 광학특성을 갖으며 경시적으로 보자력이 변화되거나 또는 커 회전각이 변화되는 일이없고 반사율도 높다.

발명을 실시하기 위한 최량의 형태

이하 본 발명에 의한 광자기 기록매체에 대해서 구체적으로 설명한다.

본 발명에 의한 광자기 기록매체 1은 제 1 도에 단면도를 나타낸 바와 같이 투명기판등의 기판 2위에 광자기 기록막 3과 반사막 4가 이 순서로 적층된 구성을 갖고 있다.

본 발명에 의한 광자기 기록매체 1은 제 2 도에 나타낸 바와 같이 기판 2와 광자기기록막 3과의 사이에 엔핸스막(emhance film) 5가 설비된 구조를 갖고 있다.

또 제 3 도에 나타낸 바와같이 본 발명에 의한 광자기 기록매체 1은 기판 2와 광자기 기록막 3과의 사이에 엔핸스막 5가 설비됨과 더불어 광자기 기록막 3과 반사막 4의 사이에 엔핸스막 5가 들어있는 구조를 갖고 있다.

기판 2는 투명기판인 것이 바람직하고 구체적으로는 유리 또는 알루미늄 등의 무기재료 이외에 폴리메틸메타클리레이트, 폴리카보네이크, 폴리카보네이트와 폴리스티렌의 폴리머알로이(Polymer alloy), 미국특허 4614778 호 명세서에 나타낸 것과 같은 비정질 폴리올레핀, 폴리 4-메틸-1-펜텐, 에폭시수지, 폴리에테르설폰, 폴리설폰, 폴리에테르이미드, 에틸렌 테트라시클로도데센 공중합체등의 유기재료가 사용된다. 특히 하기에 나타낸 바와 같은 에틸렌과 테트라시클로도데센류와의 공중합체가 바람직하다.

즉 기판 2는 에틸렌과 하기 일반식 {Ⅰ} 또는 {Ⅱ}로 표시되는 환상올레핀과의 공중합체로 되고 135℃의 데카린 중에서 측정한 극한점도 {μ}가 0.05~10dl/g의 범위이고, 연화온도(TMA)가 70℃ 이상인 환상올레핀계 랜덤공중합체 {A}로 형성되어 있는 것이 바람직하다.

(식중 n 및 m는 어느것이나 0 또는 정의 정수이고 ℓ는 3이상의 정수이고 R¹내지 R¹²는 각각 수소원자, 할로겐원자 또는 탄화수소기를 나타낸다)

환상올레핀계 랜덤공중합체(A)의 중합체쇄에 있어서 시클로올레핀으로부터 유도되는 성분은 일반식{Ⅲ} 및 {Ⅳ}로 각각 표시되는 구조를 형성하고 있다.

(식중 n 및 m는 어느것이나 0 또는 정의 정수이고 ℓ는 3이상의 정수이고 R¹~ R¹²는 각각 수소원자, 할로겐원자 또는 탄화수소기를 나타낸다)

환상올레핀계 랜덤공중합체의 구성성분의 환상올레핀은 일반식{Ⅰ} 및 일반식 {Ⅱ}로 표시되는 불포화 단량체로 된 군으로부터 선택된 적어도 1종의 환상올레핀이다. 일반식중 {Ⅰ}로 표시되는 환상올레핀은 시클로펜타디에닐류와 상응하는 올레핀류를 디엘스, 알더 반응(Diels-Alder reaction)으로 축합시킴을써 용이하게 제조할 수 있다. 또 일반식{Ⅱ}로 표시되는 환상올레핀은 마찬가지로 시클로펜타디엔류와 상응하는 환상올레핀류를 디엘스, 알더 반응에 의해서 축합시킴으로써 용이하게 제조할 수 있다.

일반식 {Ⅰ}로 표시되는 환상올레핀으로서는 구체적으로는 표 1에 기재된 화합물 또는 1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌 이외에 2-메틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2-에틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2-프로필-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2-헥실-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2,3-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2-메틸-3-에텔-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2-클로로-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2-브로모-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌,2-플루오로-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌,2,3-디클로로-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2-시클로 헥실-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2-n-부틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌, 2-이소부틸-1,4,5,8-디메타노-1,2,3,4,4a,5,8,8a-옥타하이드로 나프탈렌류 및 표 2에 기재된 화합물을 예시할 수 있다.

[표 1]

[표 2a]

[표 2b]

[표 2c]

일반식(Ⅱ)로 표시되는 환상올레핀으로서 구체적으로는 예를들면 표 3 및 4에 나타낸 화합물 등을 예시할 수 있다.

[표 3a]

[표 3b]

[표 4]

한편 이 랜덤공중합체[A]는 에틸렌으로부터 유도된 제 1 의 성분과 일반식[Ⅰ] 또는 [Ⅱ]의 적어도 1종의 시클로올레핀으로부터 유도된 제 2 의 성분을 필수성분으로서 포함하고 필요에 응해서 공중합체중에 제 1 의 성분과 등몰의 양까지 함유하는 적어도 1종의 다른 공중합 단량체로부터 유도되는 제 3 의 성분을 더 포함할 수 있다. 제 3 의 성분을 형성하는데 사용될 수 있는 단량체들의 예로는 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-헥사데센, 1-옥타데센 및 1-에이코센등의 탄소원자 3~20개를 갖는 α-올레핀들을 들을 수 있다.

상기와 같은 환상올레핀계 랜덤공중합체[A]에 있어서 에틸렌에 유래되는 반복단위(a)는 40~85몰%, 바람직하기로는 50~75몰%의 범위로 존재하고 또 이 환상 올레핀에 유래되는 반복단위(b)는 15~60몰%, 바람직하기로는 25~50몰%의 범위로 존재하고 에틸렌에 유래되는 반복단위(a) 및 이 환상올레핀에 유래되는 반복단위(b)는 랜덤하게 실질상 선상으로 배열되어 있다. 또 에틸렌조성 및 활상올레핀 조성은¹³C-NMR에 의해서 측정됐다. 이 환상올레핀계 랜덤공중합체[A]가 실질상 선상이고 겔상 가교구조를 갖지 않는 것은 이 체가 135℃의 데카린 중에 완전히 용해됨으로서 확인할 수 있다.

이와같은 환상올레핀계 랜덤공중합체[A]의 135℃의 데카린중에서 측정한 극한점도[η]는 0.05~10dl/g, 바람직하기로는 0.08~5dl/g의 범위이다.

또 환상올레핀계 랜덤공중합체[A]의 서말 메카니칼어날라이저로 측정한 연화온도[TMA]는 70℃ 이상, 바람직하기로는 90~250℃, 더 바람직하기로는 100~200℃의 범위이다. 또 연화온도 [TMA]는 듀폰사제 Thermomechanical Analysor를 사용하여 1㎜ 두께의 쉬트의 열변형 거동에 의해서 측정했다. 즉, 쉬트위에 석영재침을 올려놓고 하중 49g를 가하여 5℃/분으로 승온시켜서 침이 0.635㎜ 침입한 온도를 TMA로 하였다.

또 이 환상올레핀계 랜덤공중합체[A]의 유리전이온도[Tg]는 통상 50~230℃, 바람직하기로는 70~210℃의 범위이다.

이 환상올레핀계 랜덤공중합체[A]의 X 선 회절법에 의해서 측정한 결정화도는 0~10%, 바람직하기로는 0~7%, 특히 바람직하기로는 0~5%의 범위이다.

광자기 기록막 3은 (ⅰ) 3d 천이금속으로부터 선택된 적어도 1종과 (ⅱ) 내부식성 금속과 (ⅲ) 희토류로부터 선택된 적어도 1종의 원소로 되어 있다. (ⅰ) 3d 천이금속으로서는 Fe, Co, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu, Zn 등이 사용되지만 이들중에서 Fe 또는 Cu 또는 이 양자인 것이 바람직하다.

이 3d 천이금속은 광자기 기록막 3중에 바람직하기로는 20~90원자%, 더 바람직하기로는 30~85원자%, 특히 바람직하기로는 35~80원자%의 양으로 존재하는 것이다.

(ⅱ) 내부식성 금속은 광자기 기록막 3에 포함시킴으로서 이 광자기 기록막의 내산화성을 높일 수 있다. 이와같은 내부식성 금속으로서는 Pt, Pd, Ti, Zr, Ta, Nb 등이 사용되지만 이들중에서 Pt, Pd, Ti가 바람직하고 특히 Pt 또는 Pd 또는 이 양자인 것이 바람직하다.

이 내부식성 금속은 광자기 기록막 3중에 5~30원자% 바람직하기로는 5~25원자%, 더욱 바람직하기로는 10~25원자%, 특히 바람직하기로는 10~20원자%의 양으로 존재하는 것이다.

이 내부식성 금속의 함유량이 5원자%, 미만이면 얻어지는 광자기 기록막의 내산화성이 충분히 개선되지 않고 경시적으로 보자력 Hc이 크게 변화되든지 또는 커회전각 θ_K가 감소되고 또 반사율 R도 Pt 또는 Pd를 첨가하지 않는계에 비해서 떨어지는 경향이 있다. 또 30원자%를 초과하여 존재하는 경우에는 얻어지는 비정질 합금박막의 큐리점이 실온이하가 되는 경향도 있기 때문에 바람직하지 못하다.

(ⅲ) 광자기 기록막 3은 상기 (ⅰ) 및 (ⅱ)에 더하여 Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm 및 Eu로부터 선택되는 적어도 1종의 희토류원소를 함유하고 있다. 이들 중에서 Gd, Tb, Dy, Ho, Nd, Sm, Pr가 바람직하게 사용된다.

상기와 같은 군으로부터 선택된 적어도 1종의 희토류 원소는 광자기기록막 3중에 바람직하기로는 5~50원자%, 더욱 바람직하기로는 8~45원자%, 특히 바람직하기로는 10~40원자%의 양으로 존재하는 것이다.

(Ⅰ) 광자기 기록막이 특히 하기에 기재한 것과 같은 조성을 갖는 것이 바람직하다.

(ⅰ) 3d 천이원소

본 발명에 의한 광자기 기록막중에는 (ⅰ) 3d 천이원소로서 바람직하기로는 Fe 또는 Co 또는 이 양자가 포함되어 있고, Fe 및/또는 Co는 40원자% 이상, 80원자% 이하, 바람직하기로는 40원자% 이상 75원자% 미만, 더욱 바람직하기로는 59원자%이상 원자% 이하의 양으로 존재하는 것이 바람직하다.

또 Fe 및/또는 Co는 Co/(Fe+Co)비[원자비]가 0이상 0.3이하 바람직하기로는 0이상 0.2이하, 더 바람직하기로는 0.01이상 0.2이하인 양으로 광자기 기록막 중에 존재하는 것이 요망된다.

Fe 및/또는 Co의 양이 40원자% 이상 80원자% 이하의 범위이면 내산화성이 우수하고 또한 막면에 수직인 방향으로 자화용 이축을 갖는 광자기 기록막이 얻어진다는 이점을 갖는다.

그런데 광자기 기록막 중에 Co를 첨가하면 (a) 광자기 기록막의 큐리점이 상승되고 또 (b) 커 회전각 (θ_K)이 커진다는 현상을 볼 수 있고, 그 결과 Co의 첨가량에 의해서 광자기 기록막의 기록감도를 조정할 수 있고 Co의 첨가에 의해서 재생신호의 캐리어 레벨을 증가할 수 있다. 본 발명에 의한 광자기 기록막에서는 노이즈레벨 C/N 비란 점에서 Co/(Fe+Co)비 [원자비]는 0이상 0.3이하, 바람직하기로는 0이상 0.2이하, 더 바람직하기로는 0.01이상 0.2이하인 것이 요망된다.

제 4 도에 Pt,Tb,Fe,Co계 광자기 기록막에 있어서의 Co/(Fe+Co)비[원자비]와 노이즈레벨(dBm)의 관계를 나타내고 또 제 5 도에 Pd, Tb, Fe, Co계 광자기 기록막에 있어서의 Co/(Fe+Co)비[원자비]와 노이즈레벨(dBm)의 관계를 나타냈다.

제 4 도에서 보는 바와같이 Pt₁₃, Tb₂₈, Fe₅₀, Co₉로 표시되는 조성을 갖는 본 발명에 의한 광자기 기록막 [Co/(Fe+Co)비[원자비] : 0.15]은 노이즈레벨이 -56dBm인데 비해서 Pt₁₃, Tb₂₈, Fe₃₅, Co₂₃으로 표시되는 조성을 갖는 광자기 기록막 [Co/(Fe+Co)비[원자비] : 0.39]는 노이즈레벨이 -50dBm이고 노이즈레벨이 커지는 경향이 있다. 또 Pd₁₄, Tb₂₇, Fe₅₂, Co₇로 표시되는 조성을 갖는 본 발명에 의한 광자기 기록막 [Co/(Fe+Co)비[원자비] : 0.12]은 노이즈레벨이 -56dBm인데 대해서 Pd₁₄, Tb₂₇, Fe₄₁, Co₁₈으로 표시되는 조성을 광자기 기록막 [Co/(Fe+Co)비[원자비] : 0.31]는 노이즈레벨이 -51dBm이고 노이즈 레벨이 커지는 경향이 있다.

제 6 도에 Pt Tb Fe Co 또는 Pd Tb Fe Co로 표시도는 조성을 갖는 광자기 기록막에 있어서의 Co/(Fe+Co)비[원자비]와 서거 열화(△C/N비(dB)와의 관계를 나타냈다. 구체적으로는 본 발명에 사용되는 Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉인 조성을 갖는 광자기 기록막 [Co/(Fe+Co)비[원자비] : 0.155]로 일단 기록된 정보를 소거할때에 막에 조사하는 에너지를 크게 하여도 막변질은 전혀 생기지 않고 새로운 정보도 C/N 비의 값으로서는 소거전의 것과 같은 기록을 할 수 있다.

또 본 발명에 사용되는 광자기 기록막은 기록 및 소거를 반복해서 행하여도 막변질이 생기는 일은 없다. 예를들면 본 발명에 의한 Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉인 조성을 갖는 광자기 기록막은 10만회의 기록 및 소거를 반복해서 행하여도 C/N 비의 저하는 볼 수 없다.

(ⅱ) 내부시성 금속

본 발명에 사용되는 광자기 기록막 중에는 (ⅱ) 내부식상 금속으로서 바람직하기로는 Pt 또는 Pd 또는 이 양자가 포함되어 있고 Pt 및/또는 Pd는 광자기 기록막 중에 5~30원자%, 바람직하기로는 10원자%를 초과하여 30원자% 이하, 더 바람직하기로는 10원자%를 초과하여 20원자%미만, 가장 바람직하기로는 11원자% 이상 19원자% 이하의 양으로 존재하는 것이 요망된다.

광기지 기록막중의 Pt 및/또는 Pd의 양이 5원자% 이상, 특히 10원자%를 초과하여 존재하면 광자기 기록막의 내산화성이 우수하고 장기간 사용해도 공식이 발생되지 않고 C/N 비도 열화하지 않는다는 이점을 갖는다.

제 7 도에 광자기 기록막중에 Pt 및/또는 Pd함유량과 광자기 기록막을 상대습도 85%, 80℃의 환경하에 1000시간 보지한 경우의 △C/N 비와의 관계를 나타냈다.

이 제 7 도에서 광자기 기록막 중의 Pt 및/또는 Pd의 양이 5원자% 이상, 특히 10원자%를 초과한 경우에는 광자기 기록막의 내산화성이 향상되고 장기간 사용해도 공식이 발생되지 않고 C/N비가 열화되는 일이 없음을 알 수 있다.

예를들면 Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉또는 Pd₁₂Tb₂₈Fe₅₃Co₇로 표시되는 조성을 갖는 본 발명에 의한 광자기 기록막은 상대습도 85%, 80℃의 환경하에 1000시간 보지해도 C/N비는 전혀 변화되지 않는다. 이것에 대해서 Pt 또는 Pd를 포함하지 않는 Tb₂₅Fe₅₅Co₇로 표시되는 조성물을 갖는 광자기 기록막은 상대습도 85%, 80℃의 환경하에 100시간 보지하면 C/N비는 크게 저하된다.

광자기 기록막 중에 Pt 및/또는 Pd를 상기와 같은 범위의 양으로 첨가함으로써 광자기 기록막에 정보를 기록하든지 또는 정보를 독출할때에 작은 바이어스 자계로 충분히 높은 C/N비가 얻어진다. 작은 바이어스자계로 충분히 높은 C/N비가 얻어지면 바이어스자계 발생용 마그네트를 작게 할 수 있고, 또 마그네트에서의 발열도 억제할 수 있기 때문에 광자기 기록막을 갖는 광디스크의 구동장치를 간소화시킬 수 있다. 또 작은 바이어스자계로 충분히 큰 C/N 비가 얻어지기 때문에 오버라이트 가능한 자계변조기록용의 마그네트의 설계도 용이하게 된다.

제 8 도에 Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉로 표시되는 조성을 갖는 본 발명에 의한 광자기 기록막 및 Tb₂₉Fe₆₈Co₇로 표시되는 조성을 갖는 광자기 기록막의 바이어스 자계 의존성과 C/N 비(dB)의 관계를 나타냈다.

제 8 도에서 종래 공지의 Tb₂₅, Fe₆₈, Co₇로 표시되는 광자기 기록막에서 2500e 이상의 바이어스 자계를 인가하지 않으면 C/N비는 포화되지 않는데 대해서 본 발명에 의한 Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉로 표시되는 광자기 기록막에서는 작은 바이어스 자계로도 충분히 기록 가능하고 1200e 이상에서 C/N 비는 포화되어 있는 것을 알 수 있다. 또 이하에 나타낸 실시예 및 비교예에서는 표중에 각 광자기 기록막에 대해서 C/N비가 포화되는데 필요한 최소 바이어스 자계 Hsat의 값을 나타냈다. 이 값 Hast가 작을 수록 더 작은 바이어스자계로 C/N 비가 포화되게 된다.

또 제 9 도에서 Pt Tb Fe Co계 광자기 기록막 및 Pd Tb Fe Co계 광자기 기록막에서의 Pt 및/또는 Pd의 함유량과 최소 바이어스 자계(Hsat(Oa))의 관계를 나타냈다.

이 제 9 도에서 Pt 및/또는 Pd의 함유량이 10원자%를 초과하면 최소 바이어스 자계 Hsat가 충분히 작아지는 것을 알 수 있다.

(ⅲ) 희토류 원소(R E)

본 발명에 의한 광자기 기록막 중에는 희토류 원소(R E)가 포함되어 있고 이 희토류 원소로는 Nd Sm Pr Ce Eu Gd Tb Dy 또는 Ho가 사용된다. 이들 중에서는 Nd Pr Gd Tb Dy가 바람직하게 사용되고 특히 Tb가 바람직하다. 또 희토류 원소는 2종이상 병용해도 좋으며 이 경우에도 Tb를 희토류 원소중 50원자%이상 함유한 것이 바람직하다.

이 희토류원소는 막면에 수직인 방향으로 자화용이축을 갖는 광자기를 얻는다는 점에서 R E/(R E+Fe+Co)비[원자비]를 X로 표시하는 경우에 0.15≤X≤0.45, 바람직하기로는 0.20≤X≤0.4인 양으로 광자기 기록막중에 존재하는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 광자기 기록막에 여러가지 원소를 소량 첨가하여 큐리온도나 보상온도 또는 보자력 H C나 커 회전각 θ_K의 개선 또는 저원가화를 도모할 수도 있다. 이들의 원소는 기록막을 구성하는 전원수에 대해서 예를들면 10원자% 미만의 비율로 사용할 수 있다.

병용할 수 있는 다른 원소의 예로는 하기와 같은 원소를 들을 수 있다.

(Ⅰ) Fe Co 이외의 3d 천이원소

구체적으로는 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu, Zn이 사용된다. 이들중에서 Ti, Ni, Cu, Zn 등이 바람직하게 사용된다.

(Ⅱ) Pd 이외의 4d 천이원소

구체적으로는 Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Ag, Cd가 사용된다. 이들중에서 Zr, Nb가 바람직하게 사용된다.

(Ⅲ)Pt 이외의 5d 천이원소

구체적으로는 Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Au, Hg가 사용된다. 이들중에서 Ta가 바람직하게 사용된다.

(Ⅳ) Ⅲ B족 원소

구체적으로는 B, Al, Ga, In, Tl가 사용된다. 이들중에서 B, Al, Ga가 바람직하게 사용된다.

(Ⅴ) Ⅳ B족 원소

구체적으로는 C, Si, Ge, Sn, Pb가 사용된다. 이들중에서 Si, Ge, Sn, Pb가 바람직하게 사용된다.

(Ⅵ) Ⅴ B족 원소

구체적으로는 N, P, As, Sb, Bi가 사용된다. 이들 중에서 Sb가 바람직하게 사용된다.

(Ⅶ) Ⅵ B족 원소

구체적으로는 S, Se, Te, Po가 사용된다. 이들중에선 Te가 바람직하게 사용된다.

상기와 같은 조성을 갖는 광자기 기록막 3은 막면에 수직인 자화용이축을 가지며 대부분은 커, 히스테리시스가 양호한 각형 루프를 나타내는 수직자기 및 광자기기록 가능한 비정질 박막이 되는 것이 광각 X 선 회절등에 의해서 확인된다.

또 본 명세서에서 커, 히스테리시스가 양호한 각형 루프를 나타낸다함은 최대 외부자장에서의 커 회전각인 포화 커 회전각(θ_K1)과 외부가장 재로에서의 커회전각인 잔류커 회전각(θ_K2)와의 비 θ_K2/θ_K1가 0.8이상인 것을 의미하고 있다.

이 광자기 기록막 3에서는 후술하는 반사막 4를 설비하지 않은 경우에 5%이상의 광선투과율을 갖는 막두께인 것이 바람직하고 구체적으로는 광자기 기록막 3의 막두께는 100~600Å, 바람직하기로는 100~400Å, 더욱 바람직하기로는 150~300Å 정도이다.

[반사막]

본 발명에 의한 광자기 기록매체 1에서는 상기와 같은 광자기 기록막 3위에 반사막 4가 설비되어 있다. 이 반사막 4는 열전도율이 2J/㎝·sec·K 이하, 바람직하기로는 1J/㎝·sec·K 이하인 금속 또는 합금으로 구성되어 있다.

더욱 바람직하기로는 반사막 4는 반사율이 50% 이상, 바람직하기로는 70% 이상이고 또 열전도율이 2J/㎝·sec·K이하, 바람직하기로는 1J/㎝·sec·K 이하인 금속 또는 합금으로 구성되어 있다.

구체적으로는 반사막 4는 열전도율이 0.71J/㎝·sec·K인 Pt, 열전도율이 0.76J/㎝·sec·K인 Pd, 열전도율이 0.22J/㎝·sec·K인 Ti 또는 열전도율이 0.99J/㎝·sec·K인 Co, 열전도율이 0.23J/㎝·sec·K인 ZZr 또는 이들의 합금으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 또 반사막 4가 반사율이 50%이상 바람직하기로는 70% 이상이고 열전도율이 2J/㎝·sec·K 이하인 니켈계 합금인 것이 바람직하다.

본 발명에 반사막을 구성하는 니켈계 합금은 특히 니켈을 주성분으로 하고 또한 실리콘, 몰리브덴, 철, 코롬 및 동으로 된 군으로부터 선택된 적어도 1종을 함유하고 있는 것이 바람직하다. 이와같은 니켈계 합금에서는 니켈은 30~99원자%, 바람직하기로는 50~90원자%의 양으로 존재한다.

상기와 같은 반사막을 구성하는 니켈합금으로서는 구체적으로는 하기와 같은 합금을 사용할 수 있다.

Ni-Cr계 합금(예를 들면 30~90원자%의 Ni, 1~70원자%의 Cr, 특히 바람직하기로는 70~95원자%의 Ni, 50~30원자%의 Cr)

Ni-Si계 합금(예를 들면 85원자%의 Ni, 10원자%의 Si, 3원자%의 Cu, 2원자%의 Al)

Ni-Cu계 합금(예를들면 63원자%의 Ni, 29~30원자%의 Cu, 9.9~2원자%에 Yn, 7.1~4원자%의 Si, 0~2.75원자%의 Al)

Ni-Mo-Fe계 합금(예를들면 60~65원자%의 Ni, 25~35원자%의 Mo, 5원자%의 Fe)

Ni-Mo-Fe-Cr계 합금(예를들면 55~60원자%의 Ni, 15~20원자%의 6원자%의 Fe, 12~16원자%의 Cr, 5원자%의 W)

Ni-Mo-Fe-Cr-Cu계 합금(예를들면 60원자%의 Ni, 5원자%의 Mo, 8원자%의 Fe, 21원자%의 Cr, 3원자%의 Cu, 1원자%의 Si, 1원자%의 Mn, 1원자%의 W 또는 44-47원자%의 Ni, 5.5~7.5원자%의 Mo, 21~33원자%의 Cr, 0.15원자%의 Cu, 1원자%의 Si, 1~2원자%의 Mn, 2.5원자%의 Co, 1원자%의 W, 1.7~2.5원자%의 Nb, 잔부가 Fe)

Ni-Cr-Cu-Mo계 합금(예를들면 56~57원자%의 Ni, 23~24원자%의 Cr, 8원자%의 Cu, 4원자%의 Mo, 2원자%의 W, 1원자%의 Si 또는 Mn).

Ni-Cr-Fe계 합금(예를들면 79.5원자%의 Ni, 13원자%의 Cu, 6.5%의 Fe 0.2원자%의 W 또는 30~34원자%의 Ni, 19~22원자%의 Cr, 0.5원자%의 Cu, 1원자%의 Si, 1.5원자%의 Mn, 잔부가 fe)

알루미늄, 동 또는 금으로된 반사막을 갖는 광자기 기록막에 비해서 여기에 기재된 반사막을 갖는 광자기 기록막이 우수한 C/N비를 갖고 있다.

즉, 알루미늄등의 열전도율이 큰 반사막을 사용하면 레이저빔을 조사하려 광자기 기록막에 피트를 형성한는 경우에 레이저빔으로부터 광자기 기록막에 피트를 형성하는 경우에 레이저빔으로부터 광자기 기록막에 주어지는 열에너지가 이 반사막으로 전도되어 확산되기 때문에 큰 기록레이저 파워를 필요로 한다. 광기록 막에 형성되는 피트의 형사이 커지든지 형상이 허틀어져 버린다. 그외에도 반사막의 막두께에 대한 기록파워 의존성이 너무 커져 버린다.

또 여기에 제안된 반사막은 광자기 기록막의 내산회성을 향상시키는 효과를 갖고 있다. 따라서 장기 신뢰성이 우수한 광자기 기록매체가 얻어진다.

열전도율이 2J/㎝·sec·K 이하, 바람직하기로는 1J/㎝·sec·K 이하의 니켈계 합금으로 된 반사막이 바람직하고 특히 Ni-Cr합금(예를 들면 30~99원자%의 니켈, 1~70원자%의 Cr)이 바람직하고 더우기 Ni가 70~95원자%, Cr이 5~30원자%의 Ni-Cr 합금으로된 반사막이 높은 C/N비가 얻어지기 때문에 바람직하다.

낮은 열전도율과 높은 반사율을 갖는 금속 특히 니켈계 합금으로된 반사막을 설비할 경우에 광자기 기록막의 막두께를 얇게 하여도 높은 커-회전각, 반사율을 얻을 수 있다.

반사막의 막두께는 보통 100~4000Å, 바람직하기로는 200~2000Å 정도이다.

광자기 기록막 3과 반사막 5와의 합계막 두께는 300~4600Å, 바람직하기로는 350~2400Å정도이다.

본 발명에 의한 광자기 기록매체 1에서는 상기와 같은 기판 2와 광자기 기록막 3과의 사이에 언핸스막 5가 설비되어도 되고 또 광자기 기록막 3과 반사막 4의 사이에 엔핸스막 5가 설비되어도 된다. 이 엔핸스막 5는 본 발명에 의한 광자기 기록매체 1의 감도를 높이는 역할을 함과 동시에 광자기 기록막 3의 보호막으로도 작용한다. 이와같은 엔핸스막 5는 기판의 굴절율보다도 큰 굴절율을 갖는 투명막이면 사용할 수 있다.

이 엔핸스막은 ZnS, ZnSe, CdS, Si₃N₄, SiNx(0〈X〈4/3), Si, Al 등을 사용할 수 있다. 이 엔핸스막의 막두께는 100~1000Å, 바람직하기로는 300~850Å 정도이다. 이들중에서 내균열성이란 관점에서 특히 Si₃N₄, SiNx(0〈X〈4/3)를 언핸스막으로서 사용하는 것이 바람직하다.

상기의 엔핸스막 5를 기판 2와 기록막 3사이에 사용하는 경우에는 기판 2로서 하기와 같은 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 기판 2는 에틸렌과 일반식[Ⅰ] 또는 [Ⅱ]의 적어도 하나의 시클로올레핀과의 랜덤공중합체로 되고 135℃의 테카린중에서 측정한 극한점도[η]가 0.05~10dl/g의 범위이고 연화온도[TMA]가 70℃ 이상인 것이 바람직하다.

[식중 n 및 m는 어느것이나 0 또는 정의 정수이고 l는 3이상의 정수이고 R¹~ R¹²는 각각 수소원자, 할로겐원자 또는 탄화수소기를 나타낸다]

이 황산 올레핀계 랜덤공중합체[A]의 중합쇄중에는 일반식[Ⅰ] 및 [Ⅱ]의 시클로올레핀으로부터 유도된 성분이 다음 일반식[Ⅲ] 및 [Ⅳ]로 각각 표시되는 반복단위의 형태로 존재한다.

[식중에서 n 및 m는 어느 것이나 0 또는 정의 정수이고 l는 3이상의 정수이고 R¹~ R¹²는 각각 수소원자, 할로겐원자 또는 탄화수소기이다.]

한편, 이 랜덤공중합체[A]는 필스성분으로서 에틸렌으로부터 유도되는 제 1 의 성분과 일반식[Ⅰ] 또는 [Ⅱ]의 적어도 하나의 시클로올레핀으로부터 유도되는 제 2 성분으로 되지만 필요에 따라서 다른 공중합 당량체로부터 유도되고 이 공중합체중에 함유된 제 1 의 성분과 등몰량까지의 양으로 제 3 성분을 함유할 수 있다. 제 3 성분을 형성시키는데 사용될 수 있는 단량체의 예로는 프로피렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-헥사데센, 1-옥타데센 및 1-에어코센등의 탄소수 원자 수가 3~20인 α-올레핀을 들을 수 있다.

공중합체 [A]에서 에틸렌으로부터 유래되는 반복단위(a)는 40~85몰, 바람직하기로는 50~75몰%의 범위의 양으로 존재하는 한편 시클로올레핀 또는 시클로올레핀류로부터 유도되는 일반식[Ⅲ] 또는 [Ⅳ]의 반복단위(b)는 15~60몰%, 바람직하기로는 25~50몰%의 범위의 양으로 존재한다.

또 이들 반복단위(a) 및 (b)는 공중합체[A]중에 실질적으로 랜덤하게 배열되어 있다. 135℃의 온도에서의 데카린중에 공중합체[A]가 완전히 용해되는 사실은 공중합체[A]가 실질적으로 선상이고 겔상 가교구조가 아닌것을 나타내는 것이다.

이 공중합체[A]는 135℃ 테카린 중에서 측정한 극한점도[η]가 0.05~10dl/g, 바람직하기로는 0.08~5dl/g의 범위이다.

이 공중합체의 서말 메카니칼 아날라이저로 측정한 연화온도[TMA]는 70℃이상, 바람직하기로는 90℃~250℃, 더욱 바람직하기로는 100℃~200℃의 범위이다.

이 공중합체[A]는 유리전이온도(Tg)가 통상 50℃~230℃, 바람직하기로는 70℃~210℃의 범위이다.

X선 회절법에 의해서 측정한 이 공중합체[A]의 결정화도는 통상 0~10%, 바람직하게로는 0~7%, 더욱 바람직하기로는 0~5%의 범위이다.

본 발명에 의한 광자기 기록매체의 제조방법을 이하에 설명하겠다.

이 광자기 기록매체는 기판온도를 실온정도로 유지하고 비정질 합금 박막을 구성하는 각 원소로 되는 칩을 소정비율로 배치한 복합타케트 또는 소정 비율의 조성을 갖는 합금 타게트를 사용하여 스퍼터링법 도는 전자빔 증착법등의 종래 공지의 성막 조건을 채용하고 이 기판(기판은 고정해도 좋고 또 그 축위에서 자전해도 좋다)위에 소정 조성의 비정질 합금박막을 피착시키고 이어서 그위에 반사막을 상기와 같이 피착시킴으로써 제조할 수 있다.

이 광기록매체는 상온에서 성막이 가능하고 막면에 자화용이축을 갖게하기 위하여 성막후에 아닐링 처리 등의 열처리를 할 필요는 없다.

필요에 따라서 기판온도를 50~600℃로 가열하면서 또는 -50℃까지 냉각하면서 기판상에 비정질 합금박막을 형성시킬 수도 있다.

더우기 스퍼터링시에 기판을 부전위가 되도록 바이어스할 수도 있다. 이와같이 하면 전계로 가속된 아르곤등의 불활성 가스이온을 타게트물질뿐만 아니라 성막되어 있는 수직 자화막을 때리게 되어 우수한 특성을 갖는 수직 자화막이 얻어질 수 있다.

[발명의 효과]

본 발명에 의한 광기록 매체에서는 기판상에 특정 조성을 갖는 비정질합금 박막으로 된 광자기 기록막(Ⅰ)와, 열전도율이 2J/㎝·sec·K이하인 금속 또는 합금으로 되는 반사막(Ⅱ)가 순차 적층되어 구성되어 있고 내산화성이 우수하기 때문에 광자기 기록막을 얇게 할 수 있고 광자기 기록매체에 휘임이나 막의 균열이 생기기 어렵고 또한 우수한 C/N비를 갖고 경시적으로 보자력이 변화하든지 커회전각이 변화되지 않고 반사율로 높다.

이하 본 발명을 실시예에 의해서 설명하겠으나 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1]

에틸렌, 테트라 시클로 도데센 공중합체(에틸렌 함량 60몰%, 테트라 시클로 도데센 함량 40몰%, 연화온도(TMA) 155℃, [η]=0.45dl/g, X선 해석에 의한 결정화도 0%) 제 디스크 기판상에 스퍼터법에 의해서 엔헨스층으로서 600Å의 ZnS, 광자기 기록층으로서 200Å의 Pt₂₀Tb₃₂Fe₃₆Co₁₂반사층으로서 200Å의 Ti를 축차 적층 형성하여 광자기 디스크를 제조했다.

이 디스크의 기록재생 특성을 기록 주파수 1MHZ(듀티비 50%) 선속도 11m/sec에서 측정했다. 그 결과 최적 기록 레이저파워즌 3.0mW, C/N는 42dB(재생 레이저 파워는 1.0mW)였다.

[비교예 1]

실시예 1에서 사용한 것과 같은 에틸렌, 테트라 시클로도데센 공중합체 제 디스크기판상에 스퍼터법에 의해서 엔헨스층으로서 600Å의 ZnS, 광자기 기록층으로서 200Å의 Pt₂₀Tb₃₂Fe₃₆Co₁₂,반사층으로서 200Å의 Al를(열전도율 2.37J/㎝·sec·K)를 축차 적층 형성하여 광자기 디스크를 제조했다.

이와같이 얻어진 디스크의 평가물 실시예 1과 같이 행한 결과 최적 기록 레이저파워는 6.2mW, C/N는 42dB였다.

실시예 1과 비교하면 C/N는 같은 레벨이지만 기록에 필요한 레이저파워는 2배이상 필요하였다.

[실시예 2]

Ti의 막두께를 400Å로 한 이외는 실시예 1과 같이 행하였다. 그 결과 최전 레이저 파워는 3.1mW, C/N는 44dB였다.

[비교예 2]

Al의 막두께를 400Å로 한 것 이외는 비교예 2과 같이 행하였다. 그 결과 레이저 파워를 8.0mW까지 증가시켰으나 기록할 수 없었다.

실시예 1, 2 및 비교에 1, 2에서 알 수 있는 바와같이 본 발명의 구성의 디스크는 기록 레이저 파워가 반사막의 막두께의 의해서 변화되지 않는데 대해서 Al를 반사막으로 사용한 것은 막두께에 의해서 기록 레이저 파워가 크게 변동된다.

[실시예 3]

광기록층의 조성을 Pt₂₀Tb₃₂Fe₂₈Co₂₂으로 한 것 이외는 실시예 1과 같이 행하였다. 그 결과 최적 레이저 파워는 3.9mW, C/N는 44dB였다.

[실시예 4]

광기록층의 조성을 Pt₂₀Tb₃₂Fe₂₂Co₂₆으로 한 것 이외는 실시예 1과 같이 행하였다. 그 결과 최적 레이저파워는 5.8mW, C/N는 46dB였다.

[실시예 5]

반사막으로서 200Å의 Pt를 사용한 이외는 실시예 1과 같이 행하였다. 최적 레이저 파워는 3.5mW, C/N는 45dB였다.

[실시예 6]

반사막으로서 400Å의 Pt를 사용한 이외는 실시예 1과 같이 행하였다. 최적 레이저 파워는 3.8mW, C/N는 47dB였다.

[실시예 7]

반사막으로서 200Å의 Pd를 사용한 이외는 실시예 1과 같이 행하였다. 최적 레이저 파워는 3.5mW, C/N는 45dB였다.

[실시예 8]

실시예 1에서 사용한 것과 같은 에틸렌, 테트라시클로 도데센 공중합체(에틸렌 함량 60몰%, 테트라 시클로 도데센 함량 40몰%)제 디스크 기판상에 스퍼터링법에 의해서 엔헨스층으로서 700Å의 SiNx, 광기록층으로서 300Å의 Pt₁₈Tb₃₄Fe₃₈Co₁₀, 반사층으로서 700Å의 Ni₈₀Cr₂₀을 축차 적층형성하여 광자기 디스크를 제조했다.

이와같이 얻어진 디시크의 기록재생 특성을 기록주파수 1MHZ(듀티비 50%), 신속 5.4m/sec로 측정했다.

그 결과 최적 기록 레이저 파워는 3.5mW였고, C/N는 50dB(재생 레이저 파워는 1.0mW)였다.

[실시예 9~14, 비교예 3~4]

실시예 8과 같이 행하여 표 5에 나타낸 조성및 구조를 갖는 광자기 디스크를 제조하고 얻어진 디스크를 실시예 8과 같이 평가했다. 그 결과를 표 5에 나타냈다.

[실시예 15]

실시예 1에서 사용한 것과 같은 에틸렌 테트라 시클로 도데센 공중합체(에틸렌 함량 60몰%, 테트라 시클로 도데센 함량 40몰%)제 디스크 기판상에 스퍼터법에 의해서 엔헨스층으로서 600Å의 SiNx(0〈x〈4/3, n=2.3, 감쇄계수 0.014), 광자기 기록층으로서 300Å의 Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₃Co₆, 반사층으로서 200Å의 Ni₉₃Cr₇을 축차 적층하여 광자기 디스크를 제조했다.

반사층의 조성 NiCr를 제 10 도에 나타낸 바와같이 변화시켜 광자기 디스크를 제조했다.

그와같이 제조된 광자기 디스크의 C/N(dB)를 측정하여 그 결과를 제 10 도에 나타냈다.

[표 5]

이상의 실시예에서 제조한 광자기 기록매체를 하기와 같이 평가했다.

(1) 광탄성 정수의 측정

프레스 성형에 의해서 성형한 10×10×0.5㎜ 크기의 시험편에 대해서 무하중시 또는 50g, 100g, 200g의 무게를 달아매어 시험편에 압력이 걸린 상태시에서의 시험편의 복굴절도를 파장 632.8㎜의 헬륨-네온 레이저 광원의 투과형 엘리프소미터(ellipsometer)를 사용하여 측정하여 복굴절도와 응력의 관계로부터 광탄성 정수를 구했다.

(2) 레터제이숀(Letterzation)(double path)

(무부하시의 복굴절도×시험편 두계)×2의 식으로부터 레터제이숀을 구했다.

[참고실시예 1]

에틸렌 함유율 60몰%의 에틸렌과 테트라 시클로 도데센(

) 공중합체¹³C-NMR에 의해서 공중합체 중에서 테트라 시클로 도데센은

의 구조를 갖고 있음이 확인됐다)와 광디스크의 원료 폴리머인 폴리메틸 메타크릴레이트(교오와 가스가가꾸 고오교오제 110-10), 폴리카보네이트(데이진 가세이제 AD-5503)의 광탄성 저수를 측정했다.

또 레이저의 조사각도를 연직방향을 0°로 하고 10°씩 경사지게 변화시켜갔을때의 레터제이숀(더블패스)를 원형으로 성형된 시험편을 중심으로부터 반경 r mm의 거리에서 측정했다. 그 결과를 표 6에 나타냈다.

[표 6]

표 6의 결과로부터 알 수 있는 바와같이 에텔렌 테트라 시클로 도데센 공중합체는 광탄성 정수가 작으므로 사출성형과 같은 잔류응력이 발생하는 성형 조건으로 기판을 성형시켜도 광학적 영향을 거의 나타내지 않음 예측할 수 있다. 또 에틸렌, 테트라 시클로 도데센 공중합체로 된 기판은 레이저의 입사각도가 변화되어도 복굴절이 거의 변화되지 않고 일정하다. 또 에틸렌, 테트라 시클로 도데센 공중합체로 된 기판은 기판과 엔헨스막과의 밀착성이 다른 중합체로 된 기판에 비해서 더 우수하다는 이점을 갖고 있다.

[참고실시예 2]

참고실시예 1의 에틸렌, 테트라 시클로 도데센 공중합체상에 엔헨스막을 표 7에 나타낸 바와같은 여러가지 화합물들로부터 선택되는 화합물을 각각 함유하는 막으로 형성하고 각 경우의 막형성시에 제막속도를 표 7에 나타냈다.

[표 7]

표 7의 결과로부터 명백한 바와같이 ZnSe와 CdS의 제막속도가 현저히 커서 생산성이란 면에서는 양 화합물이 특히 우수함을 알았다.

[실시예 16-21]

참고실시예 1에서 사용한 에틸렌, 테트라 시클로 도데센 공중합체(P O)를 사용하여 직경 130㎜의 디스크기판을 성형하고 이와같이 성형된 기판위에 스퍼터링법에 의해서 표 8에 나타낸 각 화합물을 사용하여 500Å 두께로 엔헨스층을 형성하고 그 위에 TbFe로 되는 광자기 기록막층을 형성하고 그 위에 500Å의 엔헨스층을 형성시켰다.

이와같이하여 얻어진 광자기 기록매체를 7일간 70℃, RH 85%에서 방치하고 -20℃에서 2시간, +60℃에서 2시간 교호로 방치하는 히트사이클테스트를 7일간 계속하여 보자력(HC)를 측정했다. 그 결과를 표 8에서 나타냈다.

[표 8]

표 8의 결과로부터 명백한 바와같이 본 발명에 의한 광자기 기록매체가 초기 보자력을 극히 안정되게 유지하고 있음을 알 수 있다.

Claims (4)

1. 기판과, 엔헨스막과, 광자기기록막(Ⅰ)으로 구성되며, 상기 기판은 에틸렌과 하기 일반식[Ⅰ] 또는 [Ⅱ]으로 표시되는 시클로올레핀과의 랜덤 공중합체로 되고, 상기 엔헨스막은 상기 기판상에 형성되며 또한 ZnA, ZnSe, CdS, SiN₄, SiNx(0〈x〈4/3), Si 또는 AlN중에서 선택된 한화합물로 된 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체.

   

   식중 n 및 m은 0 또는 정의 정수, ℓ은 3이상의 정수, R¹~R¹²는 각각 수소원자 또는 할로겐원자 또는 탄화수소기이다.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 랜덤 공중합체는 135℃의 테카린중에서 측정한 극한점도(η)가 0.05~10dl/g이고 70℃이상의 연화온도를 갖는 것이 특징인 광자기 기록매체.
3. 기판과, 상기 기판상에 형성된 제 1 엔헨스막과, 상기 제 1 엔헨스막상에 형성된 광자기 기록막(Ⅰ)과, 상기 광자기 기록막상에 형성된 제 2 엔헨스막으로 구성되며, 상기 기판은 에틸렌과 하기 일반식[Ⅰ] 또는 [Ⅱ]으로 표시되는 시클로올렌핀과의 랜덤 공중합체로 되고, 상기 제 1 및 제 2 엔헨스막은 각각 ZnS, ZnSe, CdS, Si₃N₄, SiNx(0〈x〈4/3), Si 또는 AlN중에서 선택된 한화합물로 된 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체.

   

   식중 n 및 m은 0 또는 정의 정수, ℓ은 3이상의 정수, R¹~R¹¹는 각각 수소원자 또는 할로겐원자 또는 탄화수소기이다.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 랜덤 공중합체는 135℃의 데카린중에서 측정한 극한점도[η]가 0.05~10dl/g이고 70℃이상의 연화온도를 갖는 것이 특징인 광자기 기록매체.

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