JPH05101460A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、クロ
ムおよび白金から選ばれる少なくとも一種の元素（Ａ）
およびニッケル（Ｂ）を含有する銅合金からなる金属膜
とがこの順序で積層されてなることを特徴とする光磁気
記録媒体。基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、保護
膜と、クロムおよび白金から選ばれる少なくとも一種の
元素（Ａ）およびニッケル（Ｂ）を含有する銅合金から
なる金属膜とがこの順序で積層されてなることを特徴と
する光磁気記録媒体。 【効果】 反りが小さく、耐食性に優れ、かつ記録パワ
ーマージンが広く、しかも記録パワーの線速依存性が小
さく、かつＣ／Ｎ比が高い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】 本発明は、特定の金属膜を有する
光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは反りが小さく、
耐食性に優れ、しかも記録感度に優れるとともに記録パ
ワーのマージンが広くかつ記録パワーの線速依存性が小
さい光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】鉄、コバルトなどの遷移金属と、
テルビウム（Ｔｂ）、カドリニウム（Ｇｄ）などの希土
類元素との合金からなる光磁気記録膜は、膜面と垂直な
方向に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面
にこの全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成
することができることが知られている。この反転磁区の
有無を「１」、「０」に対応させることによって、上記
のような光磁気記録膜にデジタル信号を記録させること
が可能となる。

【０００３】このような光磁気記録膜を基板上に積層し
てなる光磁気記録媒体では、反りが小さいなど機械的特
性に優れていることが望まれており、また耐食性および
記録感度（Ｃ／Ｎ比）の向上も望まれていた。さらにこ
のような光磁気記録媒体に情報を書込む際には、記録パ
ワーマージンが広く、しかも記録パワーの線速依存性が
小さいことが望まれている。

【０００４】ここで情報を書込む際の記録パワーマージ
ンが広いとは、光磁気記録媒体にレーザ光などによって
情報を書込む際に、書込み光としてのレーザ光のパワー
が多少変化しても正確に光磁気記録媒体に情報を書込む
ことができることを意味し、記録パワーの線速依存性が
小さいとは、光磁気記録媒体にレーザ光などによって情
報を書込む際に、記録媒体の内周部と外周部とで書込み
光としてのレーザ光の最適記録パワーの変化のしかたが
小さいことを意味している。

【０００５】本発明者らは、このような従来技術に鑑み
て鋭意検討したところ、基板上に、保護膜と、光磁気記
録膜と、ニッケルおよびクロムを含有する銅合金（以
下、Ｃu-Ｎi-Ｃr 合金と記載することがある。）または
ニッケルおよび白金を含有する銅合金（以下、Ｃu-Ｎi-
Ｐt合金と記載することがある。）またはニッケル、ク
ロムおよび白金を含有する銅合金（以下、Ｃu-Ｎi-Ｃr-
Ｐt 合金と記載することがある。）からなる金属膜とを
この順序で積層してなる光磁気記録媒体、あるいは、基
板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、保護膜と、ニッケ
ルおよびクロムを含有する銅合金またはニッケルおよび
白金を含有する銅合金またはニッケル、クロムおよび白
金を含有する銅合金からなる金属膜とをこの順序で積層
してなる光磁気記録媒体は、反りが小さく機械的特性、
耐食性に優れ、しかも記録パワーの線速依存性が小さ
く、かつ記録パワーマージンが広く、記録感度に優れて
いることを見いだして、本発明を完成するに至った。

【０００６】

【発明の目的】本発明は、反りが小さく、耐食性に優
れ、かつ記録パワーマージンが広く、しかも記録パワー
の線速依存性が小さく、かつＣ／Ｎ比が高いような光磁
気記録媒体を提供することを目的としている。

【０００７】

【発明の概要】本発明に係る第１の光磁気記録媒体は、
基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、クロムおよび白
金から選ばれる少なくとも一種の元素、金属（Ａ）およ
びニッケル（Ｂ）を含有する銅合金からなる金属膜とが
この順序で積層されてなることを特徴としている。

【０００８】本発明に係る第２の光磁気記録媒体は、基
板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、保護膜と、クロム
または白金から選ばれる少なくとも一種の元素、金属
（Ａ）およびニッケル（Ｂ）を含有する銅合金からなる
金属膜とがこの順序で積層されてなることを特徴として
いるこのような本発明に係る光磁気記録媒体は、反りが
小さく、耐食性に優れ、記録パワーの線速依存性が小さ
く、かつ記録パワーマージンが広く、記録感度に優れて
いる。

【０００９】

【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光磁気記録媒
体について具体的に説明する。図１および図２は、本発
明の一実施例に係る光磁気記録媒体の概略断面図であ
る。

【００１０】本発明に係る第１の光磁気記録媒体１０
は、たとえば図１に示すように、基板１上に、保護膜２
と、光磁気記録膜３と、Ｃu-Ｎi-Ｃr 合金またはＣu-Ｎ
i-Ｐt合金またはＣu-Ｎi-Ｃr-Ｐt 合金からなる金属膜
５とがこの順序で積層されて形成されている。

【００１１】本発明に係る第２の光磁気記録媒体１０
は、たとえば図２に示すように、基板１上に、保護膜２
と、光磁気記録膜３と、保護膜４と、Ｃu-Ｎi-Ｃr 合金
またはＣu-Ｎi-Ｐt 合金またはＣu-Ｎi-Ｃr-Ｐt 合金か
らなる金属膜５とがこの順序で積層されて形成されてい
る。

【００１２】以下、基板１、保護膜２、光磁気記録膜
３、保護膜４、金属膜５について順次説明する。基 板 １ 基板１は、透明基板であることが好ましく、具体的に
は、ガラスあるいはアルミニウム等の無機材料の他に、
ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリカ
ーボネートとポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許
４６１４７７８号明細書で示されるような環状オレフィ
ン系ポリマー、ポリ４-メチル-１- ペンテン、エポキシ
樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリ
エーテルイミド、等の有機材料が使用できる。特に上記
米国特許第４６１４７７８号明細書に示されるような非
晶質ポリオレフィンが好ましい。

【００１３】本発明では、保護膜との密着性に優れ、し
かも複屈折率が小さく、記録膜を酸化から保護しうると
いう観点から、下記に示すような基板が特に好ましく用
いられる。

【００１４】好ましい基板１は、（ａ）エチレンと、
（ｂ）下記式［Ｉ］または［II］

【００１５】

【化１】

【００１６】（式中、ｎは０または１であり、ｍは０ま
たは正の整数であり、ｑは０または１であり、Ｒ¹〜Ｒ
¹⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子および
炭化水素基であり、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸およびＲ^a、Ｒ^bは、互い
に結合して単環または多環を形成していてもよく、かつ
該単環または多環が二重結合を有していてもよく、ま
た、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアルキリデ
ン基を形成していてもよい。）

【００１７】

【化２】

【００１８】（式［II］中、ｐは０または１以上の整数
であり、ｑおよびｒは、０、１また２であり、Ｒ¹〜Ｒ
¹⁵はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭
化水素基、芳香族炭化水素基、およびアルコキシ基であ
り、Ｒ⁵（またはＲ⁶）とＲ⁹（またはＲ⁷）とは、炭素数
１〜３のアルキレン基を介して結合していてもよく、ま
た何の基も介さずに直接結合していてもよい。）で表わ
される不飽和単量体からなる群から選ばれた少なくとも
一種の環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃
のデカリン中で観測した極限粘度［η］が０．０５〜１
０ｄｌ／ｇの範囲にある環状オレフィン系ランダム重合
体からなっている。

【００１９】なお、上記式［Ｉ］において、ｑが０の場
合は、ｑを用いて表わされる環は五員環を形成し、 こ
の場合環状オレフィンは、下記式［Ｉ−ａ］で表わされ
る。

【００２０】

【化３】

【００２１】（式中、ｎは０または１であり、ｍは０ま
たは正の整数であり、ｑは０ または１であり、Ｒ¹ 〜
Ｒ¹⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子およ
び炭化水素基であり、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸およびＲ^a、Ｒ^bは、互
いに結合して単環または多環を形成していてもよく、か
つ該単環または多環が二重結合を有していてもよく、ま
た、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアルキリデ
ン基を形成していてもよい）。

【００２２】このような環状オレフィン系ランダム共重
合体のうち、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃である環状オ
レフィン系ランダム共重合体（以下、環状オレフィン系
ランダム共重合体［Ａ］という）が好ましく用いられ
る。この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］は、
一般式［Ｉ］または［II］で示される環状オレフィン類
と、エチレンとを、炭化水素混合溶液中あるいは上記環
状オレフィンからなる溶液中で、該溶媒に可溶性のバナ
ジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒
存在下に共重合させることにより製造することができ
る。

【００２３】本発明で用いられる上記式［Ｉ］で示され
る環状オレフィンとしては、以下のようなものが挙げら
れる。

【００２４】

【化４】

【００２５】

【化５】

【００２６】

【化６】

【００２７】

【化７】

【００２８】以下にこのような化合物の具体的な例を示
す。

【００２９】

【化８】

【００３０】

【化９】

【００３１】などのようなビシクロ［２.２.１］ヘプト
-２-エン誘導体

【００３２】

【化１０】

【００３３】

【化１１】

【００３４】

【化１２】

【００３５】

【化１３】

【００３６】

【化１４】

【００３７】

【化１５】

【００３８】

【化１６】

【００３９】

【化１７】

【００４０】

【化１８】

【００４１】

【００４２】

【化１９】

【００４３】などのようなヘキサシクロ［６.６.１.１
^3,6.１^10,13.０^2,7.０^9,14］-４-ヘプタデセン誘導体；

【００４４】

【化２０】

【００４５】などのオクタシクロ［８.８.０.１^2,9.１
^4,7.１^11,18１^13,16.０^3,8.０^12,17］-５-ドコセン誘導
体；

【００４６】

【化２１】

【００４７】などのペンタシクロ［６.６.１.１^3,6.０
^2,7.０^9,14］-４-ヘキサデセン誘導体；

【００４８】

【化２２】

【００４９】などのヘプタシクロ-５-エイコセン誘導体
あるいはヘプタシクロ-５-ヘンエイコセン誘導体；

【００５０】

【化２３】

【００５１】などのトリシクロ［４.３.０.１^2,5］-３-
デセン誘導体；

【００５２】

【化２４】

【００５３】などのトリシクロ［４.４.０.１^2,5］-３-
ウンデセン誘導体；

【００５４】

【化２５】

【００５５】などのペンタシクロ［６.５.１.１^3,6.０
^2,7.０^9,13］-４-ペンタデセン誘導体；

【００５６】

【化２６】

【００５７】などのジエン化合物；

【００５８】

【化２７】

【００５９】などのペンタシクロ［７.４.０.１^2,5.１
^9,12.０^8,13］-３-ペンタデセン誘導体；

【００６０】

【化２８】

【００６１】などのヘプタシクロ［８.７.０.１^3,6.１
^10,17.１^12,15.０^2,7 .０^11,16］-４-エイコセン誘導
体；

【００６２】

【化２９】

【００６３】などのノナシクロ［１０.９.１.１^4,7.１
^13,20.１^15,18.０^3,8.０^2,10.０^12,21.０^14,19］-５-ペ
ンタコセン誘導体；

【００６４】

【化３０】

【００６５】などのペンタシクロ［８.４.０.１^2,5.１
^9,12.０^8,13］-３-ヘキサデセン誘導体；

【００６６】

【化３１】

【００６７】などのヘプタシクロ［８.８.０.１^4,7.１
^11,18.１^13,16.０^3,8.０^12,17］-５-ヘンエイコセン誘
導体；

【００６８】

【化３２】

【００６９】などのノナシクロ［１０.１０.１.１^5,8.
１^14,21.１^16,19.０^2,11.０^4,9.０^{13,2 2}.０^15,20］-５-
ヘキサコセン誘導体；そしてさらには、

【００７０】

【化３３】

【００７１】

【化３４】

【００７２】

【化３５】

【００７３】を挙げることができる。前記式［Ｉ］で表
される環状オレフィンは、シクロペンタジエン類と対応
するオレフィン類とをディールス・アルダー反応させる
ことにより容易に製造することができる。

【００７４】この環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ａ］は、上記のようにエチレンおよび前記環状オレフ
ィンを必須成分とするものであるが、該必須の二成分の
他に本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他
の共重合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよ
い。任意に共重合されていてもよい該不飽和単量体とし
て、具体的には、たとえば生成するランダム共重合体中
のエチレン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、
１-ブテン、４-メチル-１-ペンテン、１-ヘキセン、１-
オクテン、１-デセン、１-ドデセン、１-テトラデセ
ン、１-ヘキサデセン、１-オクタデセン、１-エイコセ
ンなどの炭素原子数が３〜２０のα-オレフィンなどを
例示することができる。

【００７５】上記のような環状オレフィン系ランダム共
重合体［Ａ］では、エチレンに由来する繰り返し単位
（ａ）は４０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル
％の範囲で存在しており、また該環状オレフィンに由来
する繰り返し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましく
は２５〜５０モル％の範囲で存在しており、エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに
由来する繰り返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状
に配列している。なお、エチレン組成および環状オレフ
ィン組成は¹³Ｃ−ＮＭＲによって測定した。

【００７６】この環状オレフィン系ランダム共重合体が
実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していないこと
は、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に溶解す
ることによって確認できる。このような環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ａ］の１３５℃のデカリン中で測
定した極限粘度［η］は０．０５〜１０ｄｌ／ｇ、好ま
しくは０．０８〜５ｄｌ／ｇの範囲にある。

【００７７】また環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ａ］のサーマル・メカニカル・アナライザーで測定し
た軟化温度（ＴＭＡ）は７０℃以上、好ましくは９０〜
２５０℃、より好ましくは１００〜２００℃の範囲にあ
る。なお軟化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Thermome
chanical Analyser を用いて１ｍｍ厚さシートの熱変形
挙動により測定した。すなわちシート上に石英製針をの
せ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で昇温し、針が０．６
３５ｍｍ侵入した温度をＴＭＡとした。また、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］のガラス転移温度
（Ｔｇ）は通常５０〜２３０℃、好ましくは７０〜２１
０℃の範囲にあることが望ましい。

【００７８】また、この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ａ］のＸ線回析法によって測定した結晶化度は０
〜１０％、好ましくは０〜７％、より好ましくは０〜５
％の範囲である。

【００７９】本発明では、また上記のような軟化温度
（ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ａ］に、エチレンと、上記式［Ｉ］または
［II］で表わされる環状オレフィンとの共重合体であっ
て、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が
０．０１〜５ｄｌ／ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭ
Ａ）が７０℃未満である環状オレフィン系ランダム共重
合体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］と
いう）を配合してなる環状オレフィン系ランダム共重合
体組成物から基板を形成することが特に好ましい。

【００８０】上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未
満である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で
は、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は６０〜９
８モル％、好ましくは６０〜９５モル％の範囲で存在し
ており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位
（ｂ）は２〜４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の
範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位
（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰り返し単位
(b) は、ランダムに実質上線状に配列している。なお、
エチレン組成および環状オレフィン組成は¹³Ｃ−ＮＭＲ
によって測定した。この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有し
ていないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中に
完全に溶解することによって確認できる。

【００８１】このような環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］の１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
［η］は０．０１〜５ｄｌ／ｇ、好ましくは０．０５〜
５ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．０８〜３ｄｌ／ｇの範
囲にある。

【００８２】また環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ｂ］のサーマル・メカニカル・アナライザーで測定し
た軟化温度（ＴＭＡ）は７０℃未満、好ましくは−１０
〜６０℃、より好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。
さらに、該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
ガラス転移温度（Ｔｇ）は通常−３０〜６０℃、好まし
くは−２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

【００８３】また、この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］のＸ線回析法によって測定した結晶化度は０
〜１０％、好ましくは０〜７％、より好ましくは０〜５
％の範囲である。

【００８４】本発明において、基板として環状オレフィ
ンランダム共重合体組成物を用いる場合には、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００／０．１〜
１００／１０、好ましくは１００／０．３〜１００／
７、より好ましくは１００／０．５〜１００／５の範囲
であることが望ましい。

【００８５】［Ｂ］成分をこの範囲で［Ａ］成分に配合
することによって、基板自体の優れた透明性と表面平滑
性を維持したままで本発明で用いる光磁気記録膜との苛
酷な条件下での密着性が［Ａ］成分のみの場合に比べさ
らに向上するという効果があり、［Ａ］と［Ｂ］のブレ
ンドよりなる上記環状オレフィンランダム共重合体組成
物を基板に用いれば、本発明で用いる保護膜との優れた
密着性は高温、高湿条件下放置後においてさえも変化が
ないという特性を有している。

【００８６】本発明における基板を構成する上記の環状
オレフィン共重合体［Ａ］および［Ｂ］は、特開昭６０
-１６８７０８号公報、特開昭６１-１２０８１６号公
報、特開昭６１-１１５９１２号公報、特開昭６１-１１
５９１６号公報、特開昭６２-２５２４０６号公報、特
開昭６２-２５２４０７号公報、特開昭６１-２７１３０
８号公報、特開昭６１-２７２２１６号公報などにおい
て本出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択するこ
とにより、製造することができる。

【００８７】また、基板を形成する樹脂として、上記の
ような環状オレフィンランダム共重合体と共に、前記式
［Ｉ］で表わされる環状オレフィンが開環重合すること
により形成される次式［III］で表わされる繰り返し単
位を含む重合体あるいは共重合体を用いることもでき、
さらに上記式［III］で表わされる繰り返し単位を水添
することにより形成される次式［IV］で示すような繰り
返し単位を含む重合体あるいは共重合体を用いることも
できる。

【００８８】

【化３６】

【００８９】

【化３７】

【００９０】（ただし、上記式［III］および［IV］に
おいて、ｍ、ｎ、ｑおよびＲ¹〜Ｒ¹⁸ならびにＲ^aおよび
Ｒ^bは、前記式［Ｉ］で示される環状オレフィンにおけ
るｍ、ｎ、ｑおよびＲ¹〜Ｒ¹⁸ならびにＲ^aおよびＲ^bと
同様である。） また、上記環状オレフィン共重合体には必要に応じ、耐
熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、アン
チブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然
油、合成油、ワックスなどを配合することができ、その
配合割合は適宜量である。

【００９１】たとえば、任意成分として配合される安定
剤として、具体的には、テトラキス［メチレン-３(３,
５-ジ-ｔ- ブチル-４-ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ート］メタン、β-(３,５-ジ-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ
フェニル）プロピオン酸アルキルエステル（特に炭素数
１８以下のアルキルエステルが好ましい）、２,２'-オ
キザミドビス［エチル-３(３,５-ジ-ｔ-ブチル-４-ヒド
ロキシフェニル）プロピオネートなどのフェノール系酸
化防止剤、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウ
ム、１２-ヒドロキシステアリン酸カルシウムなどの脂
肪酸金属塩；グリセリンモノステアレート、グリセリン
モノラウレート、グリセリンジステアレート、ペンタエ
リスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトール
ジステアレート、ペンタエリスリトールトリステアレー
ト等の多価アルコール脂肪酸エステルなどを挙げること
ができる。

【００９２】これらは単独で配合してもよいが、組合わ
せて配合してもよく、たとえばテトラキス［メチレン-
３(３,５-ジ-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシフェニル）プロ
ピオネート］メタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリ
ンモノステアレートとの組合せ等を例示することができ
る。

【００９３】本発明では特に、フェノール系酸化防止剤
および多価アルコールの脂肪酸エステルとを組合せて用
いることが好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステ
ルは３価以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の
一部がエステル化された多価アルコール脂肪酸エステル
であることが好ましい。 このような多価アルコールの
脂肪酸エステルとしては、具体的には、グリセリンモノ
ステアレート、グリセリンモノラウレート、グリセリン
モノミリステート、グリセリンモノパルミテート、グリ
セリンジステアレート、グリセリンジラウレート等のグ
リセリン脂肪酸エステル、ペンタエリスリトールモノス
テアレート、ペンタエリスリトールモノラウレート、ペ
ンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリト
ールジラウレート、ペンタエリスリトールトリステアレ
ート等のペンタエリスリトールの脂肪酸エステルが用い
られる。

【００９４】このようなフェノール系酸化防止剤は、環
状オレフィン系ランダム共重合体組成物１００重量部に
対して０〜１０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量
部、より好ましくは０．０５〜３重量部、特に好ましく
は０．１〜１重量部の量で用いられ、また多価アルコー
ルの脂肪酸エステルは該組成物１００重量部に対して０
〜１０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部、より
好ましくは０．０５〜３重量部の量で用いられる。

【００９５】また、本発明の光磁気記録媒体の基板に
は、本発明の目的および透明性を損なわない範囲で、シ
リカ、ケイ藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシ
ウム、軽石粉、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水
酸化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、ドロマイ
ト、硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウ
ム、亜硫酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、アス
ベスト、ガラス繊維、ガラスフレーク、ガラスビーズ、
ケイ酸カルシウム、モンモリナイト、ベントナイト、グ
ラファイト、アルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロン
繊維、炭化ケイ素繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピ
レン繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維等の充填
剤を配合してもよい。

【００９６】本発明に係る光磁気記録媒体では、基板と
して、上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ａ］または該環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ａ］を含む組成物が用いられる場合には、基板と記録
層積層体特に保護膜とは密着性に優れており、したがっ
て本発明の記録層積層体は長期安定性に優れるとともに
記録膜の酸化が効果的に防止される。したがってこの環
状オレフィン系ランダム共重合体または該共重合体を含
む組成物からなる基板上に保護膜、記録膜、Ｃu-Ｎi-Ｃ
r 合金またはＣu-Ｎi-Ｐt 合金またはＣu-Ｎi-Ｃr-Ｐt
合金からなる金属膜を積層してなる光磁気記録媒体、あ
るいは基板上に第１保護膜、記録膜、第２保護膜、Ｃu-
Ｎi-Ｃr 合金またはＣu-Ｎi-Ｐt 合金またはＣu-Ｎi-Ｃ
r-Ｐt 合金からなる金属膜を積層してなる光磁気記録媒
体は、耐久性および長期安定性にも優れている。また本
発明に係る光磁気記録媒体は割れが生ずることがない。

【００９７】また上記のような基板は、高湿雰囲気下で
の反りが比較的小さいという利点もある。このような基
板１の厚みは特に限定されないが、好ましくは０．５〜
５ｍｍ、さら好ましくは１〜２ｍｍである。

【００９８】保護膜２ 本発明に係る光磁気記録媒体で用いられる保護膜２は、
ＳｉＮ_x、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、Ｓｉ、ＡｌＮな
どで示される組成の膜から形成されており、このうちＳ
ｉＮ_x膜が特に好ましい。

【００９９】ＳｉＮ_xで示される保護膜では、０＜ｘ≦
４／３であることが好ましく、具体的には、Ｓｉ₃Ｎ
₄（四窒化三ケイ素）などの窒化ケイ素膜あるいは０＜
ｘ＜４／３となるようにＳｉ₃Ｎ₄とＳｉとを混合した混
合膜が特に好ましく用いられる。

【０１００】このようなＳｉＮ_xで示される保護膜は、
たとえばターゲットとして、Ｓｉ₃Ｎ ₄または、Ｓｉター
ゲットとＮ₂ ガスを用いて、スパッタリング法により成
膜することができる。このようなＳｉＮ_xからなる保護
膜２は通常１.８以上、好ましくは１.８〜２.２の屈折
率を有していることが望ましく、後述する光磁気記録膜
３を酸化などから保護する働き、あるいは光磁気記録膜
の記録特性を高めるエンハンス膜としての働き、あるい
はその両方の働きをしている。またＳｉＮ_x（０＜ｘ≦
４／３）からなる保護膜は、特に耐クラック性に優れて
いる。

【０１０１】本発明において、保護膜２の膜厚は５００
〜２０００Å、好ましくは８００〜１５００Å程度であ
ることが望ましい。本発明においては、保護膜２の膜厚
を上記のような範囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ
比と広い記録パワーマージンを有する光磁気記録媒体を
得ることができる。

【０１０２】光磁気記録膜 ３ 本発明に係る光磁気記録媒体で用いられる光磁気記録膜
３は、（ｉ）３ｄ遷移属から選ばれる少なくとも１種
と、（iii）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素
とからなるか、あるいは（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれ
る少なくとも１種と、（ii）耐腐食性金属と、（iii）
希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからなって
いる。このうち（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なく
とも１種と、（ii）耐腐食性金属と、（iii）希土類か
ら選ばれる少なくとも１種の元素とからなる光磁気記録
膜が好ましい。

【０１０３】（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用
いられるが、このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者
であることが好ましい。

【０１０４】この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜中に２
０〜９０原子％、好ましくは３０〜８５原子％、より好
ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。 （ii）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませることに
よって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることがで
きる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるが、このうち
Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉが好ましく、とくにＰｔまたはＰｄあ
るいはこの両者であることが好ましい。

【０１０５】この耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に３
０原子％以下、好ましくは５〜２５原子％、より好まし
くは１０〜２５原子％、さらに好ましくは１０〜２０原
子％の量で存在している。

【０１０６】希土類元素としては、下記のような元素が
挙げられる。 Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅ
ｕこのうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ
が好ましく用いられる。

【０１０７】上記のような群から選ばれる少なくとも１
種の希土類元素は、光磁気記録膜中５〜５０原子％、好
ましくは８〜４５原子％、より好ましくは１０〜４０原
子％の量で存在している。

【０１０８】本発明では、光磁気記録膜が、特に下記に
記載するような組成を有することが好ましい。 （ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中には、（ｉ）３ｄ遷移元素
として、好ましくはＦｅまたはＣｏあるいはこの両者が
含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏは４０原子％以
上８０原子％以下、好ましくは４０原子％以上７５原子
％未満、より好ましくは５０原子％以上７０原子％以下
の量で存在していることが望ましい。

【０１０９】さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／
（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］が０以０.３以下、好まし
くは０以上０.２以下、より好ましくは０.０１以上０.
２以下であるような量で、光磁気記録膜中に存在してい
ることが望ましい。

【０１１０】Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０原子％
以上で８０原子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優
れ、かつ膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気
記録膜が得られるという利点を有する。

【０１１１】ところで光磁気記録膜中に、Ｃｏを添加す
ると、（イ）光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また
（ロ）カー回転角（θk）が大きくなるという現象が認
められ、その結果、Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜
の記録感度を調整することができ、しかもＣｏの添加に
より、再生信号のキャリアレベルを増加することができ
る。本発明に係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ
／Ｎ比の点からＣｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］は０
以上０.３以下、好ましくは０以上０.２以下、より好ま
しくは０.０１以上０.２以下であることが望ましい。

【０１１２】このような本発明に用いる光磁気記録膜
は、記録および消去を繰り返し行なっても、膜変質が生
ずることはない。たとえば本発明に係る原子％でＰｔ₁₀
Ｔｂ₂₆Ｆｅ₆₁Ｃｏ₃なる組成を有する光磁気記録膜は、
１０万回の記録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ
比の低下は認められない。

【０１１３】（ii）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中には、（ii）耐腐食性金
属として、好ましくはＰｔまたはＰｄあるいはこの両者
が含まれており、Ｐｔおよび／またはＰｄは、光磁気記
録膜中に５〜３０原子％、好ましくは１０原子％を超え
て３０原子％以下、より好ましくは１０原子％を超えて
２０原子％未満、特に好ましくは１１原子％以上１９原
子％以下の量で存在していることが望ましい。

【０１１４】光磁気記録膜中のＰｔおよび／またはＰｄ
の量が５原子％以上、特に１０原子％を超えて存在する
と、光磁気記録膜の耐酸化性に優れ、長期間使用しても
孔食が発生せず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有
する。

【０１１５】たとえばＰｔ₁₃Ｔｂ₂₈Ｆｅ₅₀Ｃｏ₉（原子
％）あるいはＰｄ₁₂Ｔｂ₂₈Ｆｅ₅₃Ｃｏ₇（原子％）で示
される組成を有する本発明に係る光磁気記録膜は、相対
湿度８５％、８０℃の環境下に１０００時間保持して
も、Ｃ／Ｎ比は全く変化しない。

【０１１６】これに対してＰｔまたはＰｄを含まないＴ
ｂ₂₅Ｆｅ₆₈Ｃｏ₇（原子％）で示される組成を有する光
磁気記録膜は、相対湿度８５％、８０℃の環境下に１０
００時間保持すると、Ｃ／Ｎ比は大きく低下する。

【０１１７】また光磁気記録膜中にＰｔおよび／または
Ｐｄを上記のような範囲の量で添加することにより、光
磁気記録膜に情報を記録したりあるいは情報を読出す際
に、小さなバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られ
る。小さなバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られ
ると、バイアス磁界発生用のマグネットを小さくするこ
とができ、しかもマグネットからの発熱も押えることが
できるため、光磁気記録膜を有する光ディスクのドライ
ブ装置を簡素化することができる。しかも小さなバイア
ス磁界で充分に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバ
ーライト可能な磁界変調記録用のマグネットの設計も容
易となる。

【０１１８】（iii）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素としては、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙまたはＨｏが
用いられる。

【０１１９】これらの中では、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙが好ましく用いられ、特にＴｂが好ましい。ま
た希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合にＴ
ｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有していること
が好ましい。

【０１２０】この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸をもった光磁気を得るという点からＲＥ／（Ｒ
Ｅ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］をｘで表わした場合に
０.１５≦ｘ≦０.４５、好ましくは０.２０≦ｘ≦０.４
であるような量で光磁気記録膜中に存在していることが
望ましい。

【０１２１】本発明においては、光磁気記録膜に種々の
元素を少量添加して、キュリー温度や補償温度あるいは
保磁力Ｈｃやカー回転角θｋの改善あるいは低コスト化
を計ることもできる。これらの元素は、記録膜を構成す
る全原子数に対してたとえば１０原子％未満の割合で用
いることができる。

【０１２２】併用できる他の元素の例としては、以下の
ような元素が挙げられる。 （Ｉ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎが用いられる。

【０１２３】これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎな
どが好ましく用いられる。 （II）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

【０１２４】このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられ
る。 （III）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａ
ｕ、Ｈｇが用いられる。

【０１２５】このうちＴａが好ましく用いられる。 （IV）IIIＢ族元素 具体的には、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌが用いられ
る。

【０１２６】このうちＢ、Ａｌ、Ｇａが好ましく用いら
れる。 （Ｖ）IVＢ族元素 具体的には、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられ
る。

【０１２７】このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ま
しく用いられる。 （VI）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。

【０１２８】このうちＳｂが好ましく用いられる。 （VII）VIＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

【０１２９】このうちＴｅが好ましく用いられる。上記
のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直な磁
化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非晶質
薄膜となることが、広角Ｘ線回析などにより確かめられ
る。

【０１３０】なお本明細書において、カー・ヒステリシ
スが良好な角形ループを示すとは、最大外部磁場におけ
るカー回転角である飽和カー回転角（θｋ₁）と外部磁
場ゼロにおけるカー回転角である残留カー回転角（θｋ
₂）との比θｋ₂／θｋ₁が０.８以上であることを意味し
ている。

【０１３１】この光磁気記録膜の膜厚は１００〜６００
Å、好ましくは１００〜４００Å、より好ましくは２０
０〜３５０Å程度である。保護膜 ４ 本発明に係る光磁気記録媒体では、上記のような光磁気
記録膜３上に保護膜４を設けてもよい。

【０１３２】この保護膜４としては、上述したような保
護膜２と同様なものが用いられる。このような保護膜４
の膜厚は５００〜２０００Å、好ましくは８００〜１５
００Å程度であることが望ましい。

【０１３３】本発明においては、保護膜４の膜厚を上記
のような範囲にすることによって良好なＣ／Ｎ比と広い
記録パワーマージンを有する光磁気記録媒体を得ること
ができる。

【０１３４】金属膜 ５ 本発明に係る光磁気記録媒体では、上記のような光磁気
記録膜３または保護膜上に、銅−ニッケル−クロム合金
（Ｃu-Ｎi-Ｃr 合金）または銅−ニッケル−白金合金
（Ｃu-Ｎi-Ｐt 合金）または銅−ニッケル−クロム−白
金合金（Ｃu-Ｎi-Ｃr-Ｐt 合金）からなる金属膜５が設
けられている。

【０１３５】このようなＣu-Ｎi-Ｃr 合金またはＣu-Ｎ
i-Ｐt 合金またはＣu-Ｎi-Ｃr-Ｐt合金からなる金属膜
は下記式［Ｖ］で示される組成（原子％）の膜から形成
されている。

【０１３６】Ｃｕ_100-X-YＮｉ_xＭ_Y …［Ｖ］ （式中、ｘは０＜ｘ≦４０、好ましくは０＜ｘ≦３０、
より好ましくは０＜ｘ≦２０であり、Ｙは０＜Ｙ≦４
０、好ましくは０＜Ｙ≦３０、より好ましくは０＜Ｙ≦
２０であり、ＭはＣｒおよび／またはＰｔである。） このようなＣu-Ｎi-Ｃr 合金またはＣu-Ｎi-Ｐt 合金ま
たはＣu-Ｎi-Ｃr-Ｐt合金からなる金属膜５は、銅、ニ
ッケル、クロム、白金以外に下記のような金属（元素）
を１種または２種以上含んでいてもよい。

【０１３７】このような金属としては、たとえば、チタ
ン（Ｔｉ）、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マンガン
（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バナジウム（Ｖ）な
どが挙げられる。

【０１３８】このような他の金属は合金を形成する全原
子数を基準として、通常１０原子％以下、好ましくは８
原子％以下の量でＣu-Ｎi-Ｃr 合金またはＣu-Ｎi-Ｐt
合金またはＣu-Ｎi-Ｃr-Ｐt 合金からなる金属膜５に含
まれる。

【０１３９】このような金属膜５の膜厚は１００〜５０
００Å、好ましくは５００〜４０００Å、より好ましく
は８００〜３０００Åであることが望ましい。この金属
膜５は、熱良伝導体層としての機能を果たしており、こ
の金属膜が存在することによって記録層が記録レーザ光
によって過度に高温になることが防止され、その結果、
記録パワーの線速依存性が小さくなると考えられる。

【０１４０】また本発明における金属膜は、耐腐食性に
優れているため、長期間使用した後においても、記録媒
体の線速依存性が小さいという特徴を有しており、記録
層に対する保護作用にも優れている。

【０１４１】なお、本発明に係る光磁気記録媒体では最
外層である金属膜の上にオーバーコート膜を設けてもよ
い。オーバーコート剤としては、紫外線硬化樹脂、例え
ばアクリル型紫外線硬化樹脂が用いられる。このような
オーバーコート膜は、紫外線硬化樹脂を塗布法たとえば
ロールコート法、スピンコート法などによって金属膜上
に塗布することによって形成することができる。このオ
ーバーコート膜の膜厚は通常１〜１００μｍ程度であ
る。また、保護膜とは反対側の基板上にトップコートを
施してもよい。

【０１４２】本発明に係る光磁気記録媒体１０は、基板
上に、保護膜、光磁気記録膜、保護膜、Ｃu-Ｎi-Ｃr 合
金またはＣu-Ｎi-Ｐt 合金またはＣu-Ｎi-Ｃr-Ｐt 合金
からなる金属膜を、たとえば真空蒸着法、スパッタリン
グ法あるいは電子ビーム蒸着法などの成膜法を採用して
成膜することによって製造することができる。

【０１４３】

【発明の効果】本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上
に保護膜と、光磁気記録膜と、保護膜と、Ｃu-Ｎi-Ｃr
合金またはＣu-Ｎi-Ｐt 合金またはＣu-Ｎi-Ｃr-Ｐt 合
金からなる金属膜とがこの順序で積層されているので、
反りが小さいなど機械的特性、耐食性に優れ、記録パワ
ーの線速依存性が小さく、かつ記録パワーマージンが広
く、記録感度に優れている。

【０１４４】以下本発明を実施例によって説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。な
お、本発明（本明細書）においては、光磁気記録媒体の
特性を、下記のようにして測定した。

【０１４５】［最適記録パワー］記録周波数１ＭＨｚ、
デューティー比（Ｄｕｔｙ比）５０％で記録し、再生レ
ーザーパワー１ｍＷで線速５.７ｍ／秒（ｓｅｃｏｎ
ｄ）、１１.３ｍ／秒（ｓｅｃｏｎｄ）について評価し
た。

【０１４６】［パワーマージン］下記の条件で測定した
Ｃ／Ｎの最高値（Ｃ／Ｎｍａｘ）から３ｄＢ低下するま
での記録パワーの範囲をパワーマージンとした。

【０１４７】すなわち本発明において、パワーマージン
とは、Ｃ／Ｎｍａｘ−３ｄＢ以上が得られる記録パワー
の範囲のことである。 ［Ｃ／Ｎ（ｄＢ）］記録周波数３.７ＭＨｚ、Ｄｕｔｙ
比３３.３％再生レーザーパワーは１.０ｍＷとした。

【０１４８】［反り変化］相対湿度８５％、８０℃の環
境下で１０００時間経過後の反り変化を調べた。

【０１４９】

【実施例１】エチレンと１,４,５,８-ジメタノ-１,２,
３,４,４ａ,５,８,８ａ-オクタヒドロナフタレン

【０１５０】

【化３８】

【０１５１】の非晶性の共重合体（¹³Ｃ−ＮＭＲ分析で
測定したエチレン含量５９モル％、ＤＭＯＮ含量４１モ
ル％、１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［η］が
０.４２ｄｌ／ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）１５４℃）から
なる基板上に、Ｓｉ₃Ｎ₄ターゲットを用いて、スパッタ
リング法により保護膜としてのＳｉ₃Ｎ₄膜を１１００Å
の膜厚で被着させた。

【０１５２】このＳｉ₃Ｎ₄膜上に、ＦｅとＣｏとからな
るターゲットにＰｔおよびＴｂチップを載置してなる複
合ターゲットを用いて、スパッタリング法により原子％
でＰｔ₁₀Ｔｂ₂₈Ｆｅ₆₀Ｃｏ₂の組成有する膜を３００Å
の膜厚で被着させた。

【０１５３】さらにこのＰｔ₁₀Ｔｂ₂₈Ｆｅ₆₀Ｃｏ₂膜上
に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｒの複合ターゲットを用いて、スパ
ッタリング法により原子％でＣｕ₈₀Ｎｉ₁₀Ｃｒ₁₀の組成
の膜を１２００Åの膜厚で被着させた。

【０１５４】次にこのＣｕ₈₀Ｎｉ₁₀Ｃｒ₁₀膜上に、アク
リル系紫外線硬化樹脂（商品名ＳＤ１０１、大日本イン
キ化学工業（株）製）をロールコーダで塗布し、厚さ１
０μｍのオーバーコート膜を形成して、光磁気記録媒体
を製造した。

【０１５５】このようにして得られた光磁気記録媒体の
特性を測定した。結果を表１に示す。

【０１５６】

【実施例２】実施例１で用いたものと同様の基板上に、
Ｓｉ₃Ｎ₄ターゲットを用いて厚さ、スパッタリング法に
より保護膜としてのＳｉ₃Ｎ₄膜を１１００Åの膜厚で被
着させた。

【０１５７】このＳｉ₃Ｎ₄膜上に、ＦｅとＣｏとからな
るターゲットにＰｔおよびＴｂを載置してなる複合ター
ゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＰｔ
₁₀Ｔｂ₂₈Ｆｅ₆₀Ｃｏ₂の組成を有する膜を２５０Åの膜
厚で被着させた。

【０１５８】さらにこのＰｔ₁₀Ｔｂ₂₈Ｆｅ₆₀Ｃｏ₂膜上
にＳｉ₃Ｎ₄ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
り第２保護膜としてのＳｉ₃Ｎ₄膜を２５０Åの膜厚で被
着させた。

【０１５９】次に、このＳｉ₃Ｎ₄膜上に、Ｃｕ−Ｎｉ−
Ｃｒの複合ターゲットを用いてスパッタリング法によ
り、原子％でＣｕ₈₀Ｎｉ₁₀Ｃｒ₁₀の組成を有する膜を２
０００Åの膜厚で被着させた。

【０１６０】このＣｕ₈₀Ｎｉ₁₀Ｃｒ₁₀膜上に、実施例１
で用いたものと同様のアクリル系紫外線硬化樹脂をロー
ルコーダで塗布し、厚さ１０μｍのオーバーコート膜を
形成して、光磁気記録媒体を製造した。このようにして
得られた光磁気記録媒体の特性を測定した。

【０１６１】結果を表１に示す。

【０１６２】

【実施例３】実施例１で用いたものと同様の基板上に、
Ｓｉ₃Ｎ₄ターゲットを用いて厚さ、スパッタリング法に
より保護膜としてのＳｉ₃Ｎ₄膜を１１００Åの膜厚で被
着させた。

【０１６３】このＳｉ₃Ｎ₄膜上に、ＦｅとＣｏとからな
るターゲットにＰｔおよびＴｂを載置してなる複合ター
ゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＰｔ
₁₀Ｔｂ₃₀Ｆｅ₅₈Ｃｏ₂の組成を有する膜を２５０Åの膜
厚で被着させた。

【０１６４】さらにこのＰｔ₁₀Ｔｂ₃₀Ｆｅ₅₈Ｃｏ₂膜上
にＳｉ₃Ｎ₄ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
り第２保護膜としてのＳｉ₃Ｎ₄膜を２８０Åの膜厚で被
着させた。

【０１６５】次に、このＳｉ₃Ｎ₄膜上に、Ｃｕ−Ｎｉ−
Ｐｔの複合ターゲットを用いてスパッタリング法によ
り、原子％でＣｕ₈₀Ｎｉ₁₀Ｐｔ₁₀の組成を有する膜を２
２００Åの膜厚で被着させた。

【０１６６】このＣｕ₈₀Ｎｉ₁₀Ｐｔ₁₀膜上に、実施例１
で用いたものと同様のアクリル系紫外線硬化樹脂をロー
ルコーダで塗布し、厚さ１０μｍのオーバーコート膜を
形成して、光磁気記録媒体を製造した。このようにして
得られた光磁気記録媒体の特性を測定した。

【０１６７】結果を表１に示す。

【０１６８】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の概略断面図であ
る。

【図２】本発明に係る光磁気記録媒体の概略断面図であ
る。

【符号の説明】 １ 基板 ２ 保護膜 ３ 光磁気記録膜 ４ 保護膜５ Ｃu-Ｎi-Ｃr 合金またはＣu-Ｎi-Ｐ
t 合金またはＣu-Ｎi-Ｃr-Ｐt 合金 １０ 光磁気記録媒体

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成４年６月１９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１６】（式中、ｎは０または１であり、ｍは０ま
たは正の整数であり、ｑは０または１であり、Ｒ¹〜Ｒ
¹⁸およびＲ^a、Ｒ^b は、それぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子および炭化水素基であり、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸ は、互い
に結合して単環または多環を形成していてもよく、かつ
該単環または多環が二重結合を有していてもよく、ま
た、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアルキリデ
ン基を形成していてもよい。）

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２１】（式中、ｎは０または１であり、ｍは０ま
たは正の整数であり、ｑは０ または１であり、Ｒ¹ 〜
Ｒ¹⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子およ
び炭化水素基であり、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸ は、互いに結合して単
環または多環を形成していてもよく、かつ該単環または
多環が二重結合を有していてもよく、また、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶
とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアルキリデン基を形成して
いてもよい）。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、
   クロムおよび白金から選ばれる少なくとも一種の元素
   （Ａ）およびニッケル（Ｂ）を含有する銅合金からなる
   金属膜とがこの順序で積層されてなることを特徴とする
   光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、
   保護膜と、クロムおよび白金から選ばれる少なくとも一
   種の元素（Ａ）およびニッケル（Ｂ）を含有する銅合金
   からなる金属膜とがこの順序で積層されてなることを特
   徴とする光磁気記録媒体。