JPH04170737A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、優れた光磁気記録特性を有する光磁気記録媒
体に関し、さらに詳しくは、記録パワーマージンが広く
、しかも記録感度の線速依存性が小さく、かつＣ／Ｎ比
が高く、その上長期信頼性に優れた光磁気記録特性を有
する光磁気記録媒体に関する。

発明の技術的背景 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向と
は逆向きの小さな反転磁区を形成することができること
が知られている。この反転磁区の有無を「１」、「０」
に対応させることによって、上記のような光磁気記録膜
にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭５７−２０６９１号公報に
１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気記録
膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を添
加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらにＴｂ
−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系などの光磁気記録膜も知
られている。

このような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光磁気
記録媒体では、また記録感度の向上も望まれていた。

さらにこのような光磁気記録媒体に情報を書込む際には
、記録パワーマージンが広く、しかも記録感度の線速依
存性が小さいことが望まれている。

ここで情報を書込む際の記録パワーマージンが広いとは
、光磁気記録媒体にレーザ光などによって情報を書込む
際に、書込み光としてのレーザ光のパワーが多少変化し
ても正確に光磁気記録媒体に情報を書込むことかできる
ことを意味し、記録感度の線速依存性が小さいとは、光
磁気記録媒体にレーザ光などによって情報を書込む際に
、記録する位置の回転速度が変化しても書込み光として
のレーザ光の最適の記録パワーの変化のしかたが小さい
ことを意味している。

このようにＣ／Ｎ比が高く、かつ記録パワーマージンが
広く、その上記緑感度の線速依存性が小さいような光磁
気記録媒体の出現が望まれている。

本発明者らは、上記のような光磁気記録媒体を得るべく
鋭意検討したところ、基板上に、特定の第１保護膜と、
光磁気記録膜と、特定の第２保護膜と、特定の金属膜と
をこの順序で積層してなる光磁気記録媒体が優れた諸特
性を有していることを見出して、本発明を完成するに至
った。

発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、Ｃ／Ｎ比か高く、かつ記録パ
ワーマージンが広く、その上記緑感度の線速依存性が小
さいような光磁気記録媒体を提供することを目的として
いる。

発明の概要 本発明に係る第１の光磁気記録媒体は、基板上に、第１
保護膜（第１エンハンス膜）、光磁気記録膜、第２保護
膜（第２エンハンス膜）および金属膜がこの順序で積層
されてなる光磁気記録媒体であって、 第１保護膜（第１エンハンス膜）および第２保護膜（第
２エンハンス膜）が、ＳｉＮｘがらなり、光磁気記録膜
が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と
、（ｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とか
らなり、 金属膜が、アルミニウム合金からなることを特徴として
いる。

このような本発明に係る光磁気記録媒体は、上記のよう
な膜構成および膜組成を有しているため、Ｃ／Ｎ比が高
く、かつ記録パワーマージンが広く、その上記緑感度の
線速依存性が小さい。

また本発明に係る第２の光磁気記録媒体は、基板上に、
第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜、金属膜および
オーバーコート膜がこの順序で積層されてなる光磁気記
録媒体であって、第１保護膜および第２保護膜が、Ｓｉ
Ｎｘからなり、 光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少な
くとも１種と、（ｉ）希土類から選ばれる少なくとも１
種の元素からなり、 金属膜が、アルミニウム合金からなることを特徴として
いる。

このような光磁気記録媒体は、Ｃ／Ｎ比が高く、かつ記
録パワーマージンが広く、しかも記録感度の線速依存性
が小さく、長期信頼性に優れている。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。

第１図は、本発明の一実施例に係る光磁気記録媒体の概
略断面図である。

本発明に係る光磁気記録媒体１は、基板２上に、第１保
護膜３、光磁気記録膜４、第２保護膜５および金属膜６
がこの順序で積層されている。

基　　板 基板２は、透明基板であることが好ましく、具体的には
、ガラスあるいはアルミニウム等の無機材料の他に、ポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリカー
ボネートとポリスチレンとのポリマーアロイ、米国特許
４６１４７７８号明細書に示されるような非晶質ポリオ
レフィン、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹
脂、ポリエーテルサルフオン、ポリサルフオン、ポリエ
ーテルイミド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合
体等の有機材料が使用できる。特に上記米国特許第４８
１４７７８号明細書に示されるような非晶質ポリオレフ
ィンが好ましい。

本発明では、保護膜との密着性に優れ、しかも複屈折率
が小さく、光磁気記録膜を酸化から保護しうるという観
点から、下記に示すような基板が好ましく用いられる。

好ましい基板２は、 （ａ）エチレンと、 （ｂ）下記式［１］または［ＩＩ］ （式中、ｎはＯまたは１であり、ｍはＯまたは正の整数
であり、ｑは０または１てあり、Ｒ１〜Ｒ１Ｂは、それ
ぞれ独立に、水素原子、・・ロゲン原子または炭化水素
基であり、 Ｒ−ＲおよびＲ，Ｒｂは、互いに結合して単環または多
環を形成していてもよく、かつ該単環または多環は二重
結合を有していてもよく、また、ＲとＲとて、またはＲ
１７とＲｌＢとてアキリデン基を形成していてもよい。

）［式中、ｇは０または１以上の整数であり、ｍおよび
ｎは、０．１または２てあり、Ｒ１−Ｒ１５はそれぞれ
独立に水素原子、／、Ｘロゲン原子、脂肪族炭化水素基
、芳香族炭化水素基またはアルコキシ基であり、Ｒ５（
またはＲ６）とＲ９（またはＲ７）とは、炭素数１〜３
のアルキレン基を介して結合していてもよく、また何の
基も介さずに直接結合していてもよい。］ で表わされる不飽和単量体からなる群から選ばれた少な
くとも１種の環状オレフィン との共重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定し
た極限粘度［ηコか０．０５〜１０ｄｆｆ／ｇの範囲に
ある環状オレフィン系ランダム共重合体からなっている
。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体のうち、
軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン
系ランダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共
重合体［Ａ］という）が好ましく用いられる。この環状
オレフィン系ランダム系共重合体は一般式［１］または
［ＩＩ］で示される環状オレフィン類と、エチレンとを
、炭化水素混合溶媒中あるいは上記環状オレフィンから
なる液相中で、該溶媒に可溶性のバナジウム化合物と有
機アルミニウム化合物とからなる触媒の存在下に共重合
させることより製造することができる。

（以下余白） 本発明で用いられる上記式［Ｉ］て示される環状オレフ
ィンとしてＩＬ具体的に１ｉ。

以下のような化合物が挙げられる。

参　考（構造式） ％式％ ０１“冑−５−ペンタコセン誘導化　　　　　７　　　
９　　　　　Ｉ＋　　　　１３　　　　Ｉ５７　　　　
９　　　　　月　　　　Ｊ３以下にこのような化合物の
具体的な例を示す。

Ｃ以下余白） なとのようなビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン
誘導体。

などのテトラシクロ［４，４，０，１”ゝ　ｔ　７．　
Ｈ］　−３−ドデセン誘導体； １″７．０１１４］−４−へブタデセン誘導体；オクタ
シクロ など（Ｄオフ９シ’ｙロ［８，８，Ｏ，Ｉ”　、１”　
、１”　Ｉ”Ｉ　Ｉｌｌ＠　、　０″”　、ＯＩ！１７
］−５−トコセン誘導体：などのペンタシクロ［６，６
，１，１”　、０″・７．０１．＋４］−４−へキサデ
セン誘導体； などのヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体あるいはへ
ブタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体：などのトリシ
クロ［４，３，０，１”］−］３−デセン誘導体などの
トリシクロ［４，４，０，１”］−３−ウンデセン誘導
体：なトノペンタシフ０　［６，５，１，１”　、Ｑｌ
、ｆｆ　、Ｑｌ、＋１］＝４−ペンタデセン誘導体： などのジエン化合物； などのペンタシクロ［７，４，Ｏ，Ｉ’・５１１＋！、
ＯＬＨ］＝３−ペンタデセン誘導体： などのヘプタシクロ［８，７，０，１！、４．１１ｏ、
ｌｔ　、Ｉｌｔ、ｌ″。

ｏＬｌ　　、ｏ＋１．Ｉ＠　］−］４−エイコセン誘導
体などの／す’Ｊ’Ｚ口［１０，９，１，１”　、１”
！０．１１ｓ”　。

０目　ｏｔ・１０．　Ｑｌｔ、ｔ＋、　　０＋４．Ｉ＠
　］−］５−ベンタコセン誘導体などのへブタシクロ［
８，４，０，１”、　１”１６１．ｕ）−３ハキサブセ
ン誘導体；ヘプタシクロ −５−ヘンエイコセン などのヘプタシクロ［８，８，０，１’°７．１＋１．
１１．１Ｈ・ｌｊ　０１１．０１１．１７］−５−ヘン
エイコセン誘導体； ナトノ）ｔシクロ［１０，Ｉ　Ｏ，１，１”、　１１４
°１゜１１１°ｇａｌｌ。

０４、＠　、０１１！！、ｇｌ″！０　］−］５−ヘキ
サコセン誘導体そしてさらには、 を挙げることができる。　　（以下余白）上記式［１］
で示される環状オレフィンは、シクロペンタジェン類と
対応するオレフィン類とをディールス・アルダ−反応さ
せることにより容易に製造することができる。

この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］は、上記
のようにエチレンおよび前記環状オレフィンを必須成分
とするものであるが、該必須の二成分の他に本発明の目
的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能な
不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合
されていてもよい該不飽和単量体として、具体的には、
たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン成分単
位と等モル未満の範囲のプロピレン、■−ブテン、４−
メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、
■−デセン、■−ドデセン、■−テトラデセン、ｌ−へ
キサデセン、■−オクタデセン、１−エイコセンなどの
炭素原子数が３〜２０のα−オレフィンなどを例示する
ことができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
では、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は、４０
〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で存
在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し
単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５０
モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り
返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰り
返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列してい
る。なお、エチレン組成および環状オレフィン組成は１
３Ｃ−ＮＭＲによって測定した。この環状オレフィン系
ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造
を有していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリ
ン中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０
．０５〜１０ｄｊｌｌ／ｇ、好ましくは０．０８〜５　
ｄ　Ｄ　／　ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃以上、好ましくは９０〜２５０℃、さ
らに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。なお軟
化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製ＴｈｅｒｍｏＩＩＩ
ｅｃｈａｎｊｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて１龍厚
さシートの熱変形挙動により測定した。すなわちシート
上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で昇
温しでいき、針か０．６３５ｍｍ侵入した温度をＴＭＡ
とした。また、該環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａ］のガラス転移温度（Ｔｇ）は、通常５０〜２３０℃
、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望まし
い。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明では、また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
］に、エチレンと、上記式［１］またはＩｎＩ３で表わ
される環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃
のデカリン中で測定した極限粘度［η］が０．０１〜５
ｃｌＱの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満
である環状オレフィン系ランダム共重合体（以下環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ｂ］　という）を配合し
てなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から基
板を形成することが特に好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］では、エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）は、６０〜９８モル％、好
ましくは６０〜９５モル％の範囲で存在しており、また
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２〜
４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で存在し
ており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）および
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は、ラ
ンダムに実質上線状に配列している。なお、エチレン組
成および環状オレフィン組成は１３Ｃ−ＮＭＲによって
測定した。この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ
］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していない
ことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に溶
解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体ＣＢ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ηコは、０
．０１〜５ｄｉｌ／ｇ好ましくは０．０５〜５ｄ、ｌ！
／ｇ、さらに好ましくは０．０８〜３ｄＵ／ｇの範囲に
ある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃未満、好ましくは一１０〜６０℃、さ
らに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さらに、該
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラス転移
温度（Ｔｇ）は、通常−３０〜６０℃、好ましくは一２
０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体組成物を用いる場合には、該環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体［Ａ］　／該環状オレフィン系ランダム
共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．１ないし１００
／１０、好ましくは１００１０．３ないし１００／７、
とくに好ましくは１００１０．５ないし１００１５の範
囲であることが望ましい。ＣＢ］成分をこの範囲で［Ａ
］酸成分配合することによって、基板自体の優れた透明
性と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる光記録
膜との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合
に比べさらに向上するという効果があり、［Ａ］　と［
Ｂ］のブレンドよりなるこの上記の環状オレフィンラン
ダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用いる光
記録膜との優れた密着性は高温、高湿条件下放置後にお
いてさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］は、特開昭６０−１６８７０
８号公報、特開昭６１−１２０８１８号公報、特開昭６
１−１１５９１２号公報、特開昭８１−１１５９１８号
公報、特願昭６１−９５９０５号公報、特願昭６１−９
５９０６号公報、特開昭６１−２７１３０８号公報、特
開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本出願人が
提案した方法に従い適宜条件を選択することにより、製
造することができる。

また、基板を形成する樹脂として、上記のような環状オ
レフィンランダム共重合体と共に、上述の式［１］で表
わされる環状オレフィンが開環重合することにより形成
される次式［Ｉ［［］で表わされる繰り返し単位を含む
重合体もしくは共重合体を用いることもてき、さらに上
記式［ＩＩ［］で表わされる繰り返し単位を水添するこ
とにより形成される次式［■］て示すような繰り返し単
位を含む重合体あるいは共重合体を用いることもできる
。

たたし、上記式ＣＩＩＮおよび［ＩＶ］にお０て、ｎお
よびＲ−Ｒ１２は、前記式［１］で示される環状オレフ
ィンにおけるｎおよびＲ−Ｒ１２と同じ意味である。

また上記の環状オレフィン共重合体には、必要に応じ、
耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、ア
ンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然
油、合成油、ワックスなどを配合することができ、その
配合割合は適宜量である。たとえば、任意成分として配
合される安定剤として、具体的には、テトラキス［メチ
レン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネートコメタン、β−（３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸ア
ルキルエステル（特に炭素数１８以下のアルキルエステ
ルが好ましい）　、２，２°−オキザミドビス［エチル
−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロピオネートなどのフェノール系酸化防止剤、ス
テアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、１２−ヒド
ロキシステアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グ
リセリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート
、グリセリンジステアレート、ペンタエリスリトールモ
ノステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート
、ペンタエリスリトールトリステアレート等の多価アル
コール脂肪酸エステルなどを挙げることができる。これ
らは単独で配合してもよいが、組合わせて配合してもよ
く、たとえばテトラキス［メチレン−３（３，５−ジー
１−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト
コ　メタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノス
テアレートとの組合せ等を例示することができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組合せて用いることが好
ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは、３価以
上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエス
テル化された多価アルコール脂肪酸エステルであること
が好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的には、グリセリンモノステアレート、グリセリン
モノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリセ
リンモノパルミテート、グリセリンシステアレート、グ
リセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル、
ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリス
リトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジステ
アレート、ペンタエリスリトールジラウレート、ペンタ
エリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリト
ールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、環状オレフィン
系ランダム共重合体組成物１００重量部に対して０．０
１〜１０重量部好ましくは０．０５〜３重量部さらに好
ましくは０．１〜１重量部の量で用いられ、また多価ア
ルコールの脂肪酸エステルは該組成物１００重量部に対
して０．０１〜１０重量部好ましくは０．０５〜３重量
部の量で用いられる。

本発明に係る光記録媒体では、基板として、上記のよう
な環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］または該環
状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］を含む組成物か
用いられる場合には、基板と記録膜とは密着性に優れて
おり、したかって記録膜は長期安定性に優れるとともに
記録膜の酸化が効果的に防止される。したがってこの環
状オレフィン系ランダム共重合体組成物からなる基板上
を用いた光記録媒体は、耐久性および長期安定性にも優
れている。また本発明に係る光記録媒体は、割れが生ず
ることがない。

また上記のような基板は、高湿雰囲気下での反りが比較
的小さいという利点もある。

このような基板２の厚みは特に限定されないが、好まし
くは０．５〜５ｍｍ特に好ましくは１〜２Ｍである。

保　　護　　膜 本発明に係る光磁気記録媒体１で用いられる第１保護膜
３および第２保護膜５は、ＳｉＮｘで示される組成の膜
から形成されており、ＳｉＮｘ膜としては、たとえば窒
化ケイ素膜または窒化ケイ素含有膜が例示できる。

ＳｉＮｘで示される保護膜では、０＜ｘ≦４／３である
ことが好ましく、具体的には、Ｓｉ３Ｎ４　（四窒化三
ケイ素）などの窒化ケイ素膜あるいは０＜ｘ＜４／３と
なるようにＳｉ３Ｎ４とＳｉとを混合した混合膜が特に
好ましく用いられる。このようなＳｉＮｘで示される保
護膜は、たとえばターゲットとして、Ｓｉ３Ｎ４または
Ｓｉ３Ｎ４とＳｔとを用いて、スパッタリング法により
成膜することができる。またＳｔを含窒素雰囲気中（た
とえばＡｒ／Ｎ）などでスパッタリングすることによっ
て成膜することもできる。

このようなＳｉＮｘからなる第１保護膜３および第２保
護膜５は、通常１．８以上好ましくは１．８〜２．２の
屈折率を有していることが望ましく、後述する光磁気記
録膜４を酸化などから保護する働きあるいは光磁気記録
膜４の記録特性を高めるエンハンス膜としての働きある
いはその両方の働きをしている。また５ｉＮｘ（０＜ｘ
≦４／３）からなる第１保護膜３および第２保護膜５は
、特に耐クラツク性に優れている。

本発明の光磁気記録媒体では、基板上に第１保護膜、特
定の光磁気記録膜、第２保護膜、アルミニウム合金から
なる金属膜を積層した４層構成とし、かつ第１保護膜と
第２保護膜としてＳｉＮｘを用いているため、広い記録
パワーマージンを得ることができるとともに線速依存性
も小さくなる。

本発明において、第１保護膜３の膜厚は４００〜２００
０人好ましくは７００〜１５００人であり、第２保護膜
５の膜厚は、５０〜１０００人好ましくは５０〜７００
人さらに好ましくは１００〜４００人程度である。

本発明においては、保護膜の膜厚を上記のような範囲に
することによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワーマ
ージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

また第１保護膜の膜厚を上記のような範囲にすることに
よって、光磁気記録媒体の見かけのθｋを大きくするこ
とができる。さらに第２保護膜の膜厚を上記のような範
囲にすることによって、光磁気記録媒体は優れたＣ／Ｎ
比を保ったまま広い記録パワーマージンを有することが
できる。

光磁気記録膜 光磁気記録膜４は、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少
なくとも１種と、（ｉ）希土類から選ばれる少なくとも
１種の元素とからなっている。

（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆ　ｅ　Ｎ　Ｃｏ　−、
Ｔ　１ｓＶＳＣｒ、Ｍｎ、Ｎ　ｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用
いられるが、このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者
であることが好ましい。

この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜４中に好ましくは２
０〜８５原子％より好ましくは５５〜８５原子％とくに
好ましくは６０〜８０原子％の量で存在している。

光磁気記録膜４は、上記のような３ｄ遷移金属に加えて
、下記の群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素を
含んで構成されている。

Ｇ　ｄ　ＳＴ　ｂ　％　Ｄ　ｙ　ＳＨｏ　ＳＥ　ｒ　ｓ
　Ｔ　ｍ　ｓ　Ｙ　ｂ　５ＬｕＳＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ。

Ｅｕ このうちＧｄ、Ｔｂ５Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ５５ｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素は、光磁気記録膜３中に、好ましくは５〜５０原子％
さらに好ましくは８〜４５原子％とくに好ましくは１０
〜４０原子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜４が、特に、下記に記載する
ような組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中には、（ｉ）３ｄ遷移元素
として、好ましくはＦｅまたはＣＯあるいはこの両者が
含まれており、Ｆｅおよび／またはＣＯは、希土類元素
と鉄とコバルトとの合計原子数に対して、５５原子％以
上８５原子％以下好ましくは６０原子％以上８０原子％
未滴の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣＯは、Ｃｏ／（Ｆｅ十Ｃｏ
）比［原子比］が０以上０．３以下好ましくは０以上０
．２以下さらに好ましくは０．０１以上０．２以下であ
るような量で、光磁気記録膜中に存在していることが望
ましい。

Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０原子％以上で８０原
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優れ、かつ膜面に
垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られ
るという利点を有する。

ところで光磁気記録膜中に、ＣＯを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認められ、その
結果、Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を
調整することができ、しかもＣｏの添加により、再生信
号のキャリアレベルを増加することができる。本発明に
係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比の点か
らＣｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］は０以上０．３以
下好ましくは０以上０．２以下さらに好ましくは０．０
１以上０．２以下であることが望ましい。

（ｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素としては、Ｎｄ、Ｓｍ
、Ｐ　ｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ。

ＤｙまたはＨＯが用いられる。

これらの中では、Ｎｄ５ＰｒＳＧｄ、Ｔｂ。

Ｄｙが好ましく用いられ、特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気記録膜を得るという点からＲＥ／　（ＲＥ＋
Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比コをＸで表わした場合に、０．
１５≦Ｘ≦０．４５好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４で
あるような量で光磁気記録膜中に存在していることが望
ましい。

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｅや
カー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素は、記録膜を構成する全原子数に
対してたとえば１０原子％未滴の割合で用いることがで
きる。

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。

（Ｉ）ＦｅＳＣｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓ　ｃ、Ｔ　ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ。

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、ＣｕＳＺｎなどが好ましく
用いられる。

（ｎ）４ｄ遷移元素 具体的には、Ｐｄｓ　ＹＳＺ　ｒＳＮｂＳＭｏｚＴ　ｃ
　ｓ　Ｒｕ　％　Ｒｈ　％　Ａ　ｇ　％　Ｃｄが用いら
れる。

このうちＰｄ、Ｚｒ５Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）５ｄ遷移元素 具体的には、Ｐ　ｔ、Ｈｆ、Ｔａｓ　Ｗ％　Ｒｅ。

Ｏｓ１１　ｒ、Ａｕ、、Ｈｇが用いられる。

このうちＰｔ５Ｔａが好ましく用いられる。

ＣｒＶｉｍＢ族元素 具体的には、Ｂ、Ａｆ　、Ｇａ、Ｉ　ｎ５Ｔｌが用いら
れる。

このうちＢＳＡＪ、Ｇａが好ましく用いられる。

（Ｖ）ＩＶＢＶＢ族 元素的には、ＣＳＳ　ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられ
る。

このうち、５ｉＳＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用いられ
る。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、ＰＳＡｓＳＳｂＳＢ　ｉが用いられる
。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的には、５ＳＢｅ、Ｔｅ５Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜３は、膜面に垂
直な磁化容易軸を有し、多（はカー・ヒステリシスが良
好な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な
非晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回折などにより確か
められる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θｋｌ）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θｋｌが０．８以上であることを意味している。

この光磁気記録膜４の膜厚は１００〜６００人好ましく
は１００〜４００人より好ましくは１５０〜３００人程
度である。

金　　属　　膜 本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のような第２
保護膜５上に、金属膜６が設けられている。

本発明では、金属膜６は、アルミニウム合金からなって
いる。このアルミニウム合金は、アルミニウムと、アル
ミニウム以外の少な（とも１種の元素を含んで構成され
ている。

このような金属膜６を構成するアルミニウム合金として
は、具体的には以下のようなものが例示できる。なお下
記のアルミニウム合金において、各金属の含有量は該ア
ルミニウム合金を構成する全原子数に対する原子％であ
る。

Ａｎ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｊ！−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子％）、 ＡＡ’−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１−１０原子％）、 Ａｌ−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａ７−Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＩ　
−Ｔ　ｉ　合金（Ｔ　ｉ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｊ　−Ｔ　１−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子
％、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ
合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％、Ｈｆ含有量０，１
〜１０原子％）、Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０
．　１〜５　　。

原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｃｒ
−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、Ｔｉ含有量
０．１〜１０原子％）、Ａｎ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含
有量０．１．〜５原子％、Ｚｒ含有量０．１〜１ｏ原子
％）、Ａｌ　−Ｔ　１−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜
５原子％、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、Ａｌ−Ｎｉ
合金（Ｎｉ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％）、 ＡＡ’−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子
％、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｃ
ｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％１．Ｃｒ含有量
０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含
有量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子
％）、Ａｌ−Ｓｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０原子％
）、 Ａｌ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、 ＡＡ’−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％）、 ＡＡ’　−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原
子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｎ−８ｉ合
金（Ｓｔ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ａｇ合金（Ａｇ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｊ！−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｐｔ合金（ｐｔ含有量０．１〜１０原子％）。

これらの金属膜を構成するアルミニウム合金のうち、特
に以下のようなものが、光磁気記録媒体の線速依存性を
小さくし、かつ耐腐食性に優れているので好ましい。

ハフニウム０，１〜１０原子％を含むアルミニウム合金
。

ニオブ０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金。

チタン０．５〜５原子％とハフニウム０．５〜５原子％
を含み、チタンとハフニウムの合計含有量が１〜５．５
原子％であるアルミニウム合金。

クロム０．１〜５原子％とチタン０．１〜９．５原子％
を含み、クロムとチタンの合計含有量が１０原子％以下
であるアルミニウム合金。

マグネシウム０．１〜１０原子％とクロム０．１〜１０
原子％を含み、マグネシウムとクロムの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金。

クロム０．１〜５原子％とハフニウム０．１〜９．５原
子％を含み、クロムとハフニウムの合計含有量が１０原
子％以下であるアルミニウム合金。

マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０原子％を含み、マグネシウムとハフニウムの合計含
有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金。

クロム０．１〜５原子％とジルコニウム０．　１〜９．
５原子％を含み、クロムとジルコニウムの合計含有量が
１０原子％以下であるアルミニウム合金。

タンタル０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜１０
原子％とを含み、タンタルとハフニウムの合計含有量が
１５原子％以下であるアルミニウム合金。

チタン０．５〜５原子％とニオブ０．５〜５原子％を含
み、チタンとニオブの合計含有量が１〜５．５原子％で
あるアルミニウム合金。

マグネシウム０．１〜１０原子％とチタン０．１〜１０
原子％を含み、マグネシウムとチタンの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金。

ハウニウム０．１〜９．５原子％、クロム０．１〜５原
子％およびチタン０．１〜９．５原子％を含み、ハフニ
ウムとクロムとチタンとの合計含有量が１０原子％以下
であるアルミニウム合金。

ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜
１０原子％およびチタン０．１〜１０原子％を含み、ハ
フニウムとクロムとマグネシウムとの合計含有量が１５
原子％以下であるアルミニウム合金。

ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜
１０原子％およびクロム１０原子％以下とを含み、ハフ
ニウムとマグネシウムとクロムの合計含有量が１５原子
％以下であるアルミニウム合金。

ハフニウム０．１−１０原子％、マグネシウム０．１〜
１０原子％、チタン０．１〜１０原子％およびクロム１
０原子％以下とを含み、ハフニウムとマグネシウムとチ
タンとクロムとの合計含有量が１５原子％未満であるア
ルミニウム合金。

チタン０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜１０
原子％およびクロム１０原子％以下とを含み、チタンと
マグネシウムとクロムとの合計含有量が１５原子％以下
であるアルミニウム合金。

このような金属膜６はたとえば第２保護膜上に上記元素
の複合ターゲットまたはその合金ターゲットを用い、ス
パッタリング法等によって成膜することができる。

また上記のような金属膜６は、それぞれの金属膜６を構
成する金属以外に下記のような金属（元素）を１種また
は２種以上含ませることもできる。

このような金属としては、たとえば、チタン（Ｔｉ）　
、ハフニウム（Ｈｌ）　、ニオブ（Ｎｂ）　、クロム（
Ｃｒ）　、シリコン（Ｓｉ）　、タンタル（Ｔり、銅（
Ｃｏ）　、タングステン（Ｗ）、ジコルニウム（Ｘ＋）
、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）　、バナジ
ウム（Ｖ）などが挙げられ、このような他の金属は通常
５原子％以下好ましくは２原子％以下の量で含まれる。

（ただし、金属膜６には、上記に例示するような金属（
元素）のうち、既に金属膜６に含まれている金属（元素
）をさらに上記の量で重ねて含ませることはないものと
する。たとえば、金属膜６を構成するアルミニウム合金
が、上記したＡｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金等
である場合には、上記の金属（元素）のうちでチタン（
Ｔｉ）がさらに上記のような量で上記アルミニウム合金
中に含まれることはない。） このような金属膜６の膜厚は、１００〜５０００人好ま
しくは５００〜３０００人さらに好ましくは７００〜２
０００人程度であることが望ましい。

本発明において、アルミニウム合金からなる金属層は、
熱良伝導体層としての機能を果しており、この金属層が
存在することによって記録層に記録されたビットの中心
部が記録レーザ光によって過度に高温になることが防止
され、その結果、記録パワーの線速依存性が小さくなる
と考えられる。

また本発明における金属層は、耐肩食性に優れているた
め、長期間使用した後においても、記録媒体の線速依存
性が小さいという特徴を有しており、記録層に対する保
護作用にも優れている。

上記のような第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜お
よび反射金属膜は、基板上に、スパッタリング法、電子
ビーム蒸着法、真空蒸着法、イオンブレーティング法な
どの従来公知の方法によって成膜することができる。

また本発明では、金属膜の上にオーバーコートを施して
もよい。オーバーコート剤としては、紫外線硬化樹脂、
たとえばアクリル型紫外線硬化樹脂が用いられ、通常、
１〜１００μｍ程度の膜厚にコートされる。また、保護
膜とは反対側の基板上にトップコートを施してもよい。

オーバーコート膜を有する光磁気記録媒体は、長期信頼
性にも優れている。

発明の効果 上記のような本発明に係る光磁気記録媒体は、特定の膜
構成および膜組成を有しているため、Ｃ／Ｎ比が高く、
かつ記録パワーマージンが広く、その上記緑感度の線速
依存性が小さい。また本発明に係る光磁気記録媒体は、
特定の４層構造（すなわち基板／　Ｓ　ｉ　Ｎ　ｘから
なる第１保護膜／光磁気記録膜／　Ｓ　ｉ　Ｎ　ｘから
なる第２保護膜／金属膜）をとり、さらに金属膜として
アルミニウム合金を用いているので、記録パワーマージ
ンが広い。さらに本発明に係る光磁気記録媒体は、アル
ミニウム合金からなる金属膜を有しているので、記録感
度の線速依存性が小さい。

なお、本明細書において、最適記録パワーとはｆ＝ＩＭ
Ｈｚ、ｄｕ１７　５０％の書込ミ信号ニ対シて再生信号
の２次高調波が最小となる記録パワーのことを表わし、
線速による最適記録パワーの差が小さい程線速依存性が
小さい。

以下本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

以下の実施例において、光磁気記録膜および金属膜の組
成は、原子％である。

実施例１ エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４
，４１，５，８゜以下ＤＭＯＮと略記する）とを共重合
させて得られる非品性共重合体［”’Ｃ−ＮＭＲ分析で
測定したエチレン含量５９モル％、ＤＭＯＮ含量４１モ
ル％、１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［η］が
０．４２ｄｌ／ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）１５４℃コから
なる基板上に、Ｓ　１　ａ　Ｎ　４ターゲツトを用いて
、スパッタリング法により第１保護膜としてのＳｉ３Ｎ
４膜を１０００人の膜厚で被着させた。

このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣＯとからなるターゲッ
トにＴｂチップを載置してなる複合ターゲットを用いて
、スパッタリング法によりＴｂ３゜Ｆｅ６６Ｃｏ４膜を
２７０人の膜厚で被着させた。

さ　ら　に　こ　の　Ｔ　　ｂ　　Ｆ　ｅ　　ＣＯ４膜
上に、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを用いて、スパッタリング
法により第２保護膜としての８１３Ｎ　４膜を１６０人
の膜厚で被着させた。

次にこのＳｉ３Ｎ４膜上に、Ａｊ−Ｃｒ−Ｈｆの複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法によりＡ　Ｉ　　
Ｃｒ　　Ｈｆ　２膜を１８００人の膜厚で被着させた。

このようにして得られた光磁気記録媒体の特性を、下記
のようにして測定した。

最適記録パワー二記録周波数ＩＭＨｚ、デユーティ−比
（Ｄｕｊ７比）５０％で記録し、再生レーザーパワー１
ｍＷで線速 ５．７ｍ／ｓｓ　１１．３ｍ／ｓについて評価し、た。

パワーマージン：下記の条件で測定したＣ／Ｎの最高値
から３ｄＢ低下するまでの記 録パワーの範囲をパワーマージンとし た。

Ｃ／Ｎ　（ｄＢ）：記録周波数３．７ＭＨｚ。

ＤｕｔＩ比３３．３％、再生レーザーパワーは１．０ｍ
Ｗとした。

基板とエンハンス層との密着性を、以下のようにして評
価した。

密着性試験［基盤目試験（ＪＩＳ　Ｋ５４００　）］　
　：試料の記録膜、エンハンス膜上に、直交する縦横１
１本ずつの平行線をカッターナイフを用いて１ｍの間隔
でひく。１ｃＩｌの中に１００個の升目ができるように
基盤目状の切傷を付ける。

セロハンテープにチバン製）を用いて剥離評価する。

結果を表１に示す。

実施例２ 実施例１で用いた基板と同様の基板上に、８１３Ｎ　＜
ターゲットを用いて、スパッタリング法により第１保護
膜としての３１　ａ　Ｎ　４膜　を１１００人の膜厚で
被着させた。

このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣｏとからなるターゲッ
トにＴｂチップを載置してなる複合ターゲットを用いて
、スパッタリング法によりＴｂ３゜Ｆ　ｅ　６６ＣＯ４
膜を３００人の膜厚で被着させた。

さ　ら　に　この　Ｔ　　ｂ　ａｏ　Ｆ　ｅ　６ａ　Ｃ
Ｏ４膜上に１Ｓｔ３Ｎ４ターゲツトを用いて、スパッタ
リング法により第２保護膜としての５１３Ｎ４膜を２２
０人の膜厚で被着させた。

次にこのＳｉ３Ｎ４膜上に、Ａｊ−Ｍｇ−Ｈｆの複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法によりＡｚ　　Ｍ
ｇ　　Ｈｆ２膜を１５００人の膜厚で被着させた。

得られた光磁気記録媒体を用いて、実施例１と同様にし
て緒特性を測定した。

結果を表１に示す。

実施例３ 実施例１と同じ基板上に、実施例１と同様にして第１保
護膜としてのＳｉ３Ｎ４を１１００人の膜厚で被着させ
た。

このＳｉ３Ｎ４膜上に実施例１と同様にして原子％でＴ
　ｂ　ａｏ　Ｆ　ｅ　ｅｅ　ＣＯ４の組成を有する記録
膜を２８０人の膜厚で被着させた。

さらにこのＴ　ｂ　ａ　ｏ　Ｆ　ｅ　ｅ　ｅ　ＣＯ４膜
上に、実施例１と同様にして５ｔ３Ｎ４膜を２５０人の
膜厚で被着させた。

次にこの５ｔ８Ｎ４膜上に、実施例１と同様にして原子
％でＡ　ＩＩ　　Ｔ　ｔ　　Ｈｆ　２の組成を有するア
ルミニウム合金膜を１７００人の膜厚で被着させた。

次いでこの金属膜上にアクリル系紫外線硬化樹脂（ＳＤ
ＩＯＩ　　大日本インキ製）をスピンコーターで塗布し
、紫外線照射し、厚さ１０μｍのオーバーコート膜を形
成した。

得られた光磁気記録媒体を用いて、実施例１と同様にし
て緒特性を測定した。

結果を表２に示す。

また得られ・た光磁気記録媒体のバイトエラーレート（
ＢＥＲ）は、初期及び該記録媒体を６５℃から一４０℃
に２４時間で変化させるヒートサイクルに２０回付した
後に測定した。バイトエラーレートは初期にはｌＸｌ０
−’であり、２０回のヒートサイクル後には、１×１０
１であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る光磁気記録媒体の概略断面図で
ある。 １・・・光磁気記録媒体　　　２・・・基板３・・・第
１保護膜　　　　　４・・・光磁気記録膜５・・・第２
保護膜　　　　　６・・・金属展出　願　人　　三井石
油化学工業株式会社代　　理　　人　　　弁理士　　　
鈴　　木　　俊一部ｊ 鴫 特許庁長官　　深　沢　　　亘　殿 「； 】 光磁気記録媒体 内容に変更なし） Ｅの内容 ：１）明細書第８頁下から５行目に記載の日よびＲ−、
ＲｂＪを削除する。 ：２）明細書第８頁下から７行目に記載のく１〜Ｒ１８
」と、　「は、それぞれ」との間にシらびにＲ・および
Ｒｂ」との記載を挿入する。 −以上一

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板上に、第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜
   および金属膜がこの順序で積層されてなる光磁気記録媒
   体であって、 第１保護膜および第２保護膜が、ＳｉＮｘからなり、 光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少な
   くとも１種と、（ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも
   １種の元素とからなり、 金属膜が、アルミニウム合金からなることを特徴とする
   光磁気記録媒体。 ２）基板上に、第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜
   、金属膜およびオーバーコート膜がこの順序で積層され
   てなる光磁気記録媒体であって、第１保護膜および第２
   保護膜が、ＳｉＮｘからなり、 光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少な
   くとも１種と、（ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも
   １種の元素とからなり、 金属膜が、アルミニウム合金からなることを特徴とする
   光磁気記録媒体。