JPH05242539A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH05242539A JPH05242539A JP4404892A JP4404892A JPH05242539A JP H05242539 A JPH05242539 A JP H05242539A JP 4404892 A JP4404892 A JP 4404892A JP 4404892 A JP4404892 A JP 4404892A JP H05242539 A JPH05242539 A JP H05242539A
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- Japan
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- magneto
- optical recording
- film
- recording medium
- protective film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に、少なくとも保護膜と光磁気記録膜
とを有する光磁気記録媒体であって、該保護膜が、（Ｓ
ｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy ［ただし、ｘが０．３０≦ｘ≦
０．７０であり、ｙが０．４≦ｙ≦０．８である］で表
わされる組成を有する光磁気記録媒体およびその製造方
法。 【効果】 本発明の光磁気記録媒体の保護膜は、スパッ
タ率が高く、スパッタレート（スパッタ速度）が大き
い。この保護膜は、性能に優れた光磁気記録媒体を生産
性よく提供することができ、Ｃ／Ｎ比および反射率が良
好である。また、本発明の光磁気記録媒体は、耐腐食性
（耐酸化性）および記録・再生特性に優れるとともに、
長期の使用によっても読み取りエラーが生じ難く、長期
信頼性に優れている。本発明の光磁気記録媒体の製造方
法によれば、上記のような特性を有する光磁気記録媒体
を得ることができる。
とを有する光磁気記録媒体であって、該保護膜が、（Ｓ
ｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy ［ただし、ｘが０．３０≦ｘ≦
０．７０であり、ｙが０．４≦ｙ≦０．８である］で表
わされる組成を有する光磁気記録媒体およびその製造方
法。 【効果】 本発明の光磁気記録媒体の保護膜は、スパッ
タ率が高く、スパッタレート（スパッタ速度）が大き
い。この保護膜は、性能に優れた光磁気記録媒体を生産
性よく提供することができ、Ｃ／Ｎ比および反射率が良
好である。また、本発明の光磁気記録媒体は、耐腐食性
（耐酸化性）および記録・再生特性に優れるとともに、
長期の使用によっても読み取りエラーが生じ難く、長期
信頼性に優れている。本発明の光磁気記録媒体の製造方
法によれば、上記のような特性を有する光磁気記録媒体
を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、スパッタ率が高く、スパ
ッタレート（成膜速度）の大きい、すなわち成膜性に優
れた保護膜を有する光磁気記録媒体およびその製造方法
に関する。また、本発明は、上記のような保護膜を有す
るとともに長期信頼性に優れ、かつ、記録・再生特性お
よび生産性に優れた光磁気記録媒体およびその製造方法
に関する。
ッタレート（成膜速度）の大きい、すなわち成膜性に優
れた保護膜を有する光磁気記録媒体およびその製造方法
に関する。また、本発明は、上記のような保護膜を有す
るとともに長期信頼性に優れ、かつ、記録・再生特性お
よび生産性に優れた光磁気記録媒体およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】鉄、コバルト等の遷移元素と、テ
ルビウム（Ｔｂ）、ガドリニウム（Ｇｄ）等の希土類元
素との合金からなる光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面に、
この全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成す
ることができることが知られている。この反転磁区の有
無を「１」と「０」に対応させることによって、上記の
ような光磁気記録膜にデジタル信号を記録させることが
可能となる。また、このデジタル信号を再生する場合に
は、カ−効果（あるいはファラデ−効果）、すなわち、
反転磁区から反射される再生光の偏光面における回転方
向と反転磁区以外で反射される再生光の偏光面における
回転方向が異なるために反転磁区の有無を検出すること
が可能である。通常、この再生光の偏光面における回転
角はカ−回転角θk で表わされ、光磁気記録媒体の信号
対ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）はθk が大きいほど高くなる。
ルビウム（Ｔｂ）、ガドリニウム（Ｇｄ）等の希土類元
素との合金からなる光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面に、
この全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成す
ることができることが知られている。この反転磁区の有
無を「１」と「０」に対応させることによって、上記の
ような光磁気記録膜にデジタル信号を記録させることが
可能となる。また、このデジタル信号を再生する場合に
は、カ−効果（あるいはファラデ−効果）、すなわち、
反転磁区から反射される再生光の偏光面における回転方
向と反転磁区以外で反射される再生光の偏光面における
回転方向が異なるために反転磁区の有無を検出すること
が可能である。通常、この再生光の偏光面における回転
角はカ−回転角θk で表わされ、光磁気記録媒体の信号
対ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）はθk が大きいほど高くなる。
【０００３】このような遷移元素と希土類元素とからな
る光磁気記録膜としては、たとえば特公昭５７−２０６
９１号公報には、１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−
Ｆｅ系光磁気記録膜が開示されている。また、Ｔｂ−Ｆ
ｅに第３の金属を添加してなる光磁気記録膜も用いられ
ている。さらに、Ｔｂ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系等
の光磁気記録膜も知られている。Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−
Ｃｏ系等の光磁気記録膜中に、この薄膜の耐酸化性（耐
腐食性）を向上させるために、第３の金属を添加する方
法が種々試みられている。
る光磁気記録膜としては、たとえば特公昭５７−２０６
９１号公報には、１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−
Ｆｅ系光磁気記録膜が開示されている。また、Ｔｂ−Ｆ
ｅに第３の金属を添加してなる光磁気記録膜も用いられ
ている。さらに、Ｔｂ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系等
の光磁気記録膜も知られている。Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−
Ｃｏ系等の光磁気記録膜中に、この薄膜の耐酸化性（耐
腐食性）を向上させるために、第３の金属を添加する方
法が種々試みられている。
【０００４】このような光磁気記録膜を基板上に積層し
てなる光磁気記録媒体では、長期間使用しても読み取り
エラーが発生し難く、長期信頼性に優れていることが望
まれている。このような光磁気記録媒体は、基板上に、
第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜、金属膜がこの
順序で積層されており、各膜は、通常スパッタリング法
により形成される。この光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比はθ
k が大きいほど高くなるが、本来、θk は光磁気記録膜
の固有な値である。しかしながら、上記のような構成の
光磁気記録媒体では、第１保護膜が光磁気記録膜との多
重干渉によりθk をエンハンスする効果を有している。
このエンハンス効果は第１保護膜の屈折率が高いほど大
きいことが知られている。一般に、第１保護膜はＳｉＮ
x 、ＡｌＮなどの誘電体からなる材料であるが、これら
の屈折率は約２．０であり、より屈折率の高い第１保護
膜材料の出現が望まれている。また、これを製造ライン
で生産する場合、それぞれの材料からなるターゲットが
設置された薄膜形成装置を並べ、各膜を基板上に連続的
に成膜するのが一般的である。第１保護膜は、各膜の中
で一番厚く、しかも一般にＳｉＮx 等の誘電体からなる
材料であるため、スパッタリング速度は、光磁気記録
膜、金属膜に比べてはるかに遅い。したがって、光磁気
記録媒体を効率よく製造するには、特に第１保護膜の成
膜速度（スパッタレート）を高めることが望まれてお
り、成膜性に優れた保護膜の出現が望まれている。
てなる光磁気記録媒体では、長期間使用しても読み取り
エラーが発生し難く、長期信頼性に優れていることが望
まれている。このような光磁気記録媒体は、基板上に、
第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜、金属膜がこの
順序で積層されており、各膜は、通常スパッタリング法
により形成される。この光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比はθ
k が大きいほど高くなるが、本来、θk は光磁気記録膜
の固有な値である。しかしながら、上記のような構成の
光磁気記録媒体では、第１保護膜が光磁気記録膜との多
重干渉によりθk をエンハンスする効果を有している。
このエンハンス効果は第１保護膜の屈折率が高いほど大
きいことが知られている。一般に、第１保護膜はＳｉＮ
x 、ＡｌＮなどの誘電体からなる材料であるが、これら
の屈折率は約２．０であり、より屈折率の高い第１保護
膜材料の出現が望まれている。また、これを製造ライン
で生産する場合、それぞれの材料からなるターゲットが
設置された薄膜形成装置を並べ、各膜を基板上に連続的
に成膜するのが一般的である。第１保護膜は、各膜の中
で一番厚く、しかも一般にＳｉＮx 等の誘電体からなる
材料であるため、スパッタリング速度は、光磁気記録
膜、金属膜に比べてはるかに遅い。したがって、光磁気
記録媒体を効率よく製造するには、特に第１保護膜の成
膜速度（スパッタレート）を高めることが望まれてお
り、成膜性に優れた保護膜の出現が望まれている。
【０００５】また、従来、シリコンと窒素の化合物に、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、ＳｅおよびＴｅからな
る群から選ばれる１または２種以上の元素を含有させた
膜が、第１保護膜として採用できるとされている。しか
しながら、Ｃ／Ｎ比および反射率に優れた第１保護膜を
必ずしも生産性良く製造できないという問題があった。
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、ＳｅおよびＴｅからな
る群から選ばれる１または２種以上の元素を含有させた
膜が、第１保護膜として採用できるとされている。しか
しながら、Ｃ／Ｎ比および反射率に優れた第１保護膜を
必ずしも生産性良く製造できないという問題があった。
【０００６】本発明者らは、鋭意研究し、第１保護膜と
してＳｉとＧｅとＮとを特定の割合で含有する膜を成膜
したところ、Ｃ／Ｎ比および反射率に優れた第１保護膜
を生産性良く製造することができることを見出し、本発
明を完成するに至った。
してＳｉとＧｅとＮとを特定の割合で含有する膜を成膜
したところ、Ｃ／Ｎ比および反射率に優れた第１保護膜
を生産性良く製造することができることを見出し、本発
明を完成するに至った。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術におけ
る問題点を解決しようとするものであって、スパッタ率
が高く、スパッタレートの大きい、すなわち成膜性に優
れ、かつ、屈折率の高い保護膜を有する光磁気記録媒体
を提供することを目的にしている。
る問題点を解決しようとするものであって、スパッタ率
が高く、スパッタレートの大きい、すなわち成膜性に優
れ、かつ、屈折率の高い保護膜を有する光磁気記録媒体
を提供することを目的にしている。
【０００８】また、本発明は、上記のような保護膜を有
し、しかも、長期の使用によっても読み取りエラーが生
じ難く、長期信頼性に優れるとともに、記録・再生特性
および生産性に優れる光磁気記録媒体を提供することを
目的としている。さらに、本発明は、上記特性を有する
光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的として
いる。
し、しかも、長期の使用によっても読み取りエラーが生
じ難く、長期信頼性に優れるとともに、記録・再生特性
および生産性に優れる光磁気記録媒体を提供することを
目的としている。さらに、本発明は、上記特性を有する
光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的として
いる。
【０００９】
【発明の概要】本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上
に、少なくとも保護膜と光磁気記録膜とを有する光磁気
記録媒体であって、該保護膜が、（ＳｉxＧｅ1-x）1-y
Ｎy ［ただし、ｘが０．３０≦ｘ≦０．７０、好ましく
は０．４≦ｘ≦０．６、より好ましくは０．４５≦ｘ≦
０．５５であり、ｙが０．４≦ｙ≦０．８である］で表
わされる組成を有することを特徴としている。上記組成
よりｘが小さい場合は、スパッタレートおよび屈折率が
低下する。また、ｘが大きい場合は、消衰係数ｋが大き
くなり、再生信号の劣化となる。
に、少なくとも保護膜と光磁気記録膜とを有する光磁気
記録媒体であって、該保護膜が、（ＳｉxＧｅ1-x）1-y
Ｎy ［ただし、ｘが０．３０≦ｘ≦０．７０、好ましく
は０．４≦ｘ≦０．６、より好ましくは０．４５≦ｘ≦
０．５５であり、ｙが０．４≦ｙ≦０．８である］で表
わされる組成を有することを特徴としている。上記組成
よりｘが小さい場合は、スパッタレートおよび屈折率が
低下する。また、ｘが大きい場合は、消衰係数ｋが大き
くなり、再生信号の劣化となる。
【００１０】上記組成式において、ｘが０．３０≦ｘ≦
０．７０であり、ｙが０．４≦ｙ≦０．８で、かつ、４
００〜１２００ｎｍの範囲における光学定数の実数部ｎ
が１．９以上であり、虚数部ｋが０．０５以下であるＳ
ｉ、ＧｅおよびＮを含む膜は、特に、成膜性に優れると
ともに、Ｃ／Ｎ比が高く、長期信頼性に優れ、しかも、
再生レーザー光の光学的吸収が少ない。
０．７０であり、ｙが０．４≦ｙ≦０．８で、かつ、４
００〜１２００ｎｍの範囲における光学定数の実数部ｎ
が１．９以上であり、虚数部ｋが０．０５以下であるＳ
ｉ、ＧｅおよびＮを含む膜は、特に、成膜性に優れると
ともに、Ｃ／Ｎ比が高く、長期信頼性に優れ、しかも、
再生レーザー光の光学的吸収が少ない。
【００１１】また本発明では、上記光磁気記録膜が、３
ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも１種の元素（ｉ）
と、希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素（ｉ
ｉ）とからなる、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶
質合金薄膜、あるいはこれらの元素と、耐腐食性金属
（ｉｉｉ）とからなり、かつ、該耐腐食性金属の含有量
が５〜３０原子％である、膜面に垂直な磁化容易軸を有
する非晶質合金薄膜から形成されていることが好まし
い。
ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも１種の元素（ｉ）
と、希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素（ｉ
ｉ）とからなる、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶
質合金薄膜、あるいはこれらの元素と、耐腐食性金属
（ｉｉｉ）とからなり、かつ、該耐腐食性金属の含有量
が５〜３０原子％である、膜面に垂直な磁化容易軸を有
する非晶質合金薄膜から形成されていることが好まし
い。
【００１２】さらに本発明では、上記基板がエチレン
と、下記の一般式［Ｉ］および／または［ＩＩ］で表わ
される環状オレフィンとのランダム共重合体（Ａ）と、
下記の一般式［ＩＩＩ］で表わされる繰り返し単位を含
む重合体または共重合体（Ｂ）と、下記の一般式［Ｉ
Ｖ］で表わされる繰り返し単位を含む重合体または共重
合体（Ｃ）からなる群から選ばれる少なくとも一種の重
合体または共重合体からなることが好ましい。
と、下記の一般式［Ｉ］および／または［ＩＩ］で表わ
される環状オレフィンとのランダム共重合体（Ａ）と、
下記の一般式［ＩＩＩ］で表わされる繰り返し単位を含
む重合体または共重合体（Ｂ）と、下記の一般式［Ｉ
Ｖ］で表わされる繰り返し単位を含む重合体または共重
合体（Ｃ）からなる群から選ばれる少なくとも一種の重
合体または共重合体からなることが好ましい。
【００１３】
【化５】
【００１４】
【化６】
【００１５】
【化７】
【００１６】
【化８】
【００１７】（式［Ｉ］中、ｎは０または１であり、ｍ
は０または正の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ
1 〜Ｒ18およびＲa 、Ｒb は、それぞれ独立に、水素原
子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ば
れる原子もしくは基であり、Ｒ15〜Ｒ18は、互いに結合
して単環または多環を形成していてもよく、かつ、該単
環または多環が二重結合を有していてもよく、また、Ｒ
15とＲ16とで、またはＲ17とＲ18とでアルキリデン基を
形成していてもよい。
は０または正の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ
1 〜Ｒ18およびＲa 、Ｒb は、それぞれ独立に、水素原
子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ば
れる原子もしくは基であり、Ｒ15〜Ｒ18は、互いに結合
して単環または多環を形成していてもよく、かつ、該単
環または多環が二重結合を有していてもよく、また、Ｒ
15とＲ16とで、またはＲ17とＲ18とでアルキリデン基を
形成していてもよい。
【００１８】式［ＩＩ］中、ｐは０または１以上の整数
であり、ｑおよびｒは、０、１または２であり、Ｒ1 〜
Ｒ15はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、脂肪
族炭化水素基、芳香族炭化水素基、およびアルコキシ基
からなる群から選ばれる原子もしくは基であり、Ｒ5
（またはＲ6 ）とＲ9 （またはＲ7 ）とは、炭素原子数
１〜３のアルキレン基を介して結合していてもよく、ま
た何の基も介さずに直接結合していてもよい。
であり、ｑおよびｒは、０、１または２であり、Ｒ1 〜
Ｒ15はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、脂肪
族炭化水素基、芳香族炭化水素基、およびアルコキシ基
からなる群から選ばれる原子もしくは基であり、Ｒ5
（またはＲ6 ）とＲ9 （またはＲ7 ）とは、炭素原子数
１〜３のアルキレン基を介して結合していてもよく、ま
た何の基も介さずに直接結合していてもよい。
【００１９】式［ＩＩＩ］および［ＩＶ］中、ｎ、ｍ、
ｋおよびＲ1 〜Ｒ18は、式［Ｉ］と同様の意味であ
る。）本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法は、基板
または記録膜上に、ドーピング剤をドープしたＳｉの粉
体と、ドーピング剤をドープしたＧｅの粉体とを焼結し
て得られたＳｉＧｅターゲット、またはＳｉとＧｅとの
溶融混合物にドーピング剤を添加して得られたＳｉＧｅ
ターゲットを用いてＮ2 との反応性マグネトロンスパッ
タ法で（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy［ただし、ｘが０．３
０≦ｘ≦０．７０であり、ｙが０．４≦ｙ≦０．８であ
る］で表わされる組成を有する保護膜を形成する工程を
含むことを特徴としている。
ｋおよびＲ1 〜Ｒ18は、式［Ｉ］と同様の意味であ
る。）本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法は、基板
または記録膜上に、ドーピング剤をドープしたＳｉの粉
体と、ドーピング剤をドープしたＧｅの粉体とを焼結し
て得られたＳｉＧｅターゲット、またはＳｉとＧｅとの
溶融混合物にドーピング剤を添加して得られたＳｉＧｅ
ターゲットを用いてＮ2 との反応性マグネトロンスパッ
タ法で（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy［ただし、ｘが０．３
０≦ｘ≦０．７０であり、ｙが０．４≦ｙ≦０．８であ
る］で表わされる組成を有する保護膜を形成する工程を
含むことを特徴としている。
【００２０】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光磁気記録媒
体およびその製造方法について具体的に説明する。図
１、図２、図３および図４は、本発明に係る光磁気記録
媒体の一実施例を示す概略断面図である。
体およびその製造方法について具体的に説明する。図
１、図２、図３および図４は、本発明に係る光磁気記録
媒体の一実施例を示す概略断面図である。
【００２１】本発明に係る光磁気記録媒体１０は、基板
上に、少なくとも保護膜と光磁気記録膜とを有する光磁
気記録媒体であり、具体的には、図１に示すように、少
なくとも基板１上に、保護膜２、光磁気記録膜３がこの
順序で積層されてなるか、あるいは図２に示すように、
少なくとも基板１上に、光磁気記録膜３、保護膜２がこ
の順序で積層されてなっている。また、本発明に係る光
磁気記録媒体１０は、図３および図４に示すように、基
板１と光磁気記録膜３との間に保護膜２（第１保護膜と
称する場合がある）があり、さらに、光磁気記録膜３と
金属膜５との間に保護膜４（第２保護膜と称する場合が
ある）がある構成であってもよい。また、図３および図
４に示すような光磁気記録媒体において、第１保護膜２
または第２保護膜４を除いた構成を有する光磁気記録媒
体も本発明に係る光磁気記録媒体に含まれる。
上に、少なくとも保護膜と光磁気記録膜とを有する光磁
気記録媒体であり、具体的には、図１に示すように、少
なくとも基板１上に、保護膜２、光磁気記録膜３がこの
順序で積層されてなるか、あるいは図２に示すように、
少なくとも基板１上に、光磁気記録膜３、保護膜２がこ
の順序で積層されてなっている。また、本発明に係る光
磁気記録媒体１０は、図３および図４に示すように、基
板１と光磁気記録膜３との間に保護膜２（第１保護膜と
称する場合がある）があり、さらに、光磁気記録膜３と
金属膜５との間に保護膜４（第２保護膜と称する場合が
ある）がある構成であってもよい。また、図３および図
４に示すような光磁気記録媒体において、第１保護膜２
または第２保護膜４を除いた構成を有する光磁気記録媒
体も本発明に係る光磁気記録媒体に含まれる。
【００２２】基板 上記の基板としては、透明基板であることが望ましく、
具体的には、ガラスあるいはアルミニウム等の無機材料
の他に、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロ
イ、米国特許４，６１４，７７８号明細書に示されるよ
うな非晶質ポリオレフィン、ポリ4-メチル-1- ペンテ
ン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサル
フォン、ポリエーテルイミド等の有機材料を使用するこ
とができるが、特に後述するような基板が好ましく用い
られる。
具体的には、ガラスあるいはアルミニウム等の無機材料
の他に、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロ
イ、米国特許４，６１４，７７８号明細書に示されるよ
うな非晶質ポリオレフィン、ポリ4-メチル-1- ペンテ
ン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサル
フォン、ポリエーテルイミド等の有機材料を使用するこ
とができるが、特に後述するような基板が好ましく用い
られる。
【００２３】本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、
上記の一般式［Ｉ］および／または［ＩＩ］で表わされ
る環状オレフィンとエチレンとのランダム共重合体、一
般式［ＩＩＩ］で表わされる繰り返し単位を含む重合体
または共重合体、一般式［ＩＶ］で表わされる繰り返し
単位を含む重合体または共重合体よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種の重合体または共重合体が好ましく用
いられる。
上記の一般式［Ｉ］および／または［ＩＩ］で表わされ
る環状オレフィンとエチレンとのランダム共重合体、一
般式［ＩＩＩ］で表わされる繰り返し単位を含む重合体
または共重合体、一般式［ＩＶ］で表わされる繰り返し
単位を含む重合体または共重合体よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種の重合体または共重合体が好ましく用
いられる。
【００２４】ここで、一般式［ＩＩＩ］で表される繰り
返し単位は、一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィン
を開環重合することにより形成され、一般式［ＩＶ］で
表わされる繰り返し単位は、一般式［ＩＩＩ］で表され
る繰り返し単位を水素添加することによって形成され
る。一般式［Ｉ］において、ｎは０または１であり、好
ましくは０である。また、ｍは０または正の整数であ
り、好ましくは０〜３である。
返し単位は、一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィン
を開環重合することにより形成され、一般式［ＩＶ］で
表わされる繰り返し単位は、一般式［ＩＩＩ］で表され
る繰り返し単位を水素添加することによって形成され
る。一般式［Ｉ］において、ｎは０または１であり、好
ましくは０である。また、ｍは０または正の整数であ
り、好ましくは０〜３である。
【００２５】また一般式［ＩＩ］において、ｐは０また
は１以上の整数であり、好ましくは０〜３の整数であ
る。そして、一般式［Ｉ］におけるＲ1 〜Ｒ18ならびに
Ｒa およびＲb 、あるいは一般式［ＩＩ］におけるＲ1
〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子お
よび炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしくは基
を表わす。
は１以上の整数であり、好ましくは０〜３の整数であ
る。そして、一般式［Ｉ］におけるＲ1 〜Ｒ18ならびに
Ｒa およびＲb 、あるいは一般式［ＩＩ］におけるＲ1
〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子お
よび炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしくは基
を表わす。
【００２６】上記炭化水素基としては、通常は炭素原子
数１〜６のアルキル基、炭素原子数３〜６のシクロアル
キル基を挙げることができ、アルキル基の具体的な例と
しては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブ
チル基、アミル基等を挙げることができ、シクロアルキ
ル基の具体的な例としては、シクロプロピル基、シクロ
ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙
げることができる。
数１〜６のアルキル基、炭素原子数３〜６のシクロアル
キル基を挙げることができ、アルキル基の具体的な例と
しては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブ
チル基、アミル基等を挙げることができ、シクロアルキ
ル基の具体的な例としては、シクロプロピル基、シクロ
ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙
げることができる。
【００２７】なお、一般式［Ｉ］において、ｋが０の場
合は、ｋを用いて表わされる環は五員環を形成する。さ
らに、一般式［Ｉ］において、Ｒ15〜Ｒ18は互いに結合
して（共同して）単環または多環を形成していてもよ
く、かつ、該単環または多環が二重結合を有していても
よい。このような単環または多環としては、以下に挙げ
る単環または多環を例示することができる。さらに、こ
れらの環は、メチル基等の置換基を有していてもよい。
合は、ｋを用いて表わされる環は五員環を形成する。さ
らに、一般式［Ｉ］において、Ｒ15〜Ｒ18は互いに結合
して（共同して）単環または多環を形成していてもよ
く、かつ、該単環または多環が二重結合を有していても
よい。このような単環または多環としては、以下に挙げ
る単環または多環を例示することができる。さらに、こ
れらの環は、メチル基等の置換基を有していてもよい。
【００２８】
【化９】
【００２９】なお、上記式において、１および２を付し
て示した炭素原子は、式［Ｉ］においてＲ15〜Ｒ18で表
わされる基が結合している脂環構造の炭素原子を表わ
す。また、Ｒ15とＲ16とで、またはＲ17とＲ18とでアル
キリデン基を形成していてもよい。このようなアルキリ
デン基は、通常は炭素原子数２〜４のアルキリデン基を
挙げることができ、その具体的な例としては、エチリデ
ン基、プロピリデン基、イソプロピリデン基およびイソ
ブチリデン基を挙げることができる。
て示した炭素原子は、式［Ｉ］においてＲ15〜Ｒ18で表
わされる基が結合している脂環構造の炭素原子を表わ
す。また、Ｒ15とＲ16とで、またはＲ17とＲ18とでアル
キリデン基を形成していてもよい。このようなアルキリ
デン基は、通常は炭素原子数２〜４のアルキリデン基を
挙げることができ、その具体的な例としては、エチリデ
ン基、プロピリデン基、イソプロピリデン基およびイソ
ブチリデン基を挙げることができる。
【００３０】上記一般式［Ｉ］または［ＩＩ］で表わさ
れる環状オレフィンは、シクロペンタジエン類と、相応
するオレフィン類あるいは環状オレフィン類とをディー
ルス・アルダー反応により付加させることにより容易に
製造することができる。上記一般式［Ｉ］または［Ｉ
Ｉ］で表わされる環状オレフィンとしては、具体的に
は、たとえば、ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エンまたは
その誘導体、テトラシクロ［4.4.0.12,5.17,10］-3-ド
デセンまたはその誘導体、ヘキサシクロ［6.6.1.13,6.1
10,13.02,7.09,14］-4- ヘプタデセンまたはその誘導
体、オクタシクロ［8.8.0.12,9.14,7.111,18.113,16.0
3,8.012,17］-5- ドコセンまたはその誘導体、ペンタシ
クロ［6.6.1.13,6.02,7.09,14］-4- ヘキサデセンまた
はその誘導体、ヘプタシクロ-5-エイコセンまたはその
誘導体、ヘプタシクロ-5- ヘンエイコセンまたはその誘
導体、トリシクロ［4.3.0.12,5］-3-デセンまたはその
誘導体、トリシクロ［4.4.0.12,5］-3- ウンデセンまた
はその誘導体、ペンタシクロ［6.5.1.13,6.02,7.
09,13］-4-ペンタデセンまたはその誘導体、ペンタシク
ロペンタデカジエンまたはその誘導体、ペンタシクロ
［7.4.0.12,5.19,12.08,13］-3- ペンタデセンまたはそ
の誘導体、ヘプタシクロ［8.7.0.13,6.110,17.112,15.0
2,7.011,16］-4- エイコセンまたはその誘導体、ノナシ
クロ［10.9.1.14,7.11 3,20.115,18.03,8.02,10.012,21.
014,19］-5- ペンタコセンまたはその誘導体、ペンタシ
クロ［8.4.0.12,5.19,12.08,13］-3- ヘキサデセンまた
はその誘導体、ヘプタシクロ［8.8.0.14,7.111,18.1
13,16.03,8.012,17］-5- ヘンエイコセンまたはその誘
導体、ノナシクロ［10.10.1.15,8.114,21.116,19.
02,11.04,9.013,22.015,20］-5-ヘキサコセンまたはそ
の誘導体、5-フェニル- ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エ
ン、5-メチル-5- フェニル- ビシクロ［2.2.1］ヘプト-
2-エン、5-ベンジル- ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エ
ン、5-トリル-ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2- エン、5-
（エチルフェニル）- ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エ
ン、5-（イソプロピルフェニル）- ビシクロ［2.2.1］
ヘプト-2-エン、1,4-メタノ-1,4,4a,9a- テトラヒドロ
フルオレン、1,4-メタノ-1,4,4a,5,10,10a- ヘキサヒド
ロアントラセン、シクロペンタジエン- アセナフチレン
付加物、5-（α- ナフチル）-ビシクロ［2.2.1］ヘプト
-2- エン、5-（アントラセニル）-ビシクロ［2.2.1］ヘ
プト-2- エン等を挙げることができる。
れる環状オレフィンは、シクロペンタジエン類と、相応
するオレフィン類あるいは環状オレフィン類とをディー
ルス・アルダー反応により付加させることにより容易に
製造することができる。上記一般式［Ｉ］または［Ｉ
Ｉ］で表わされる環状オレフィンとしては、具体的に
は、たとえば、ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エンまたは
その誘導体、テトラシクロ［4.4.0.12,5.17,10］-3-ド
デセンまたはその誘導体、ヘキサシクロ［6.6.1.13,6.1
10,13.02,7.09,14］-4- ヘプタデセンまたはその誘導
体、オクタシクロ［8.8.0.12,9.14,7.111,18.113,16.0
3,8.012,17］-5- ドコセンまたはその誘導体、ペンタシ
クロ［6.6.1.13,6.02,7.09,14］-4- ヘキサデセンまた
はその誘導体、ヘプタシクロ-5-エイコセンまたはその
誘導体、ヘプタシクロ-5- ヘンエイコセンまたはその誘
導体、トリシクロ［4.3.0.12,5］-3-デセンまたはその
誘導体、トリシクロ［4.4.0.12,5］-3- ウンデセンまた
はその誘導体、ペンタシクロ［6.5.1.13,6.02,7.
09,13］-4-ペンタデセンまたはその誘導体、ペンタシク
ロペンタデカジエンまたはその誘導体、ペンタシクロ
［7.4.0.12,5.19,12.08,13］-3- ペンタデセンまたはそ
の誘導体、ヘプタシクロ［8.7.0.13,6.110,17.112,15.0
2,7.011,16］-4- エイコセンまたはその誘導体、ノナシ
クロ［10.9.1.14,7.11 3,20.115,18.03,8.02,10.012,21.
014,19］-5- ペンタコセンまたはその誘導体、ペンタシ
クロ［8.4.0.12,5.19,12.08,13］-3- ヘキサデセンまた
はその誘導体、ヘプタシクロ［8.8.0.14,7.111,18.1
13,16.03,8.012,17］-5- ヘンエイコセンまたはその誘
導体、ノナシクロ［10.10.1.15,8.114,21.116,19.
02,11.04,9.013,22.015,20］-5-ヘキサコセンまたはそ
の誘導体、5-フェニル- ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エ
ン、5-メチル-5- フェニル- ビシクロ［2.2.1］ヘプト-
2-エン、5-ベンジル- ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エ
ン、5-トリル-ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2- エン、5-
（エチルフェニル）- ビシクロ［2.2.1］ヘプト-2-エ
ン、5-（イソプロピルフェニル）- ビシクロ［2.2.1］
ヘプト-2-エン、1,4-メタノ-1,4,4a,9a- テトラヒドロ
フルオレン、1,4-メタノ-1,4,4a,5,10,10a- ヘキサヒド
ロアントラセン、シクロペンタジエン- アセナフチレン
付加物、5-（α- ナフチル）-ビシクロ［2.2.1］ヘプト
-2- エン、5-（アントラセニル）-ビシクロ［2.2.1］ヘ
プト-2- エン等を挙げることができる。
【００３１】上記のような環状オレフィン類とエチレン
との共重合体である環状オレフィン系ランダム共重合体
は、エチレンおよび前記環状オレフィンを必須成分とす
るものであるが、必要に応じて他の共重合可能な不飽和
単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合されて
いてもよい該不飽和単量体としては、具体的には、たと
えば生成するランダム共重合体中のエチレン成分単位と
等モル未満の範囲のプロピレン、1-ブテン、4-メチル-1
- ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン、1-ド
デセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデ
セン、1-エイコセン等の炭素原子数が３〜２０のα- オ
レフィン等を例示することができる。
との共重合体である環状オレフィン系ランダム共重合体
は、エチレンおよび前記環状オレフィンを必須成分とす
るものであるが、必要に応じて他の共重合可能な不飽和
単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合されて
いてもよい該不飽和単量体としては、具体的には、たと
えば生成するランダム共重合体中のエチレン成分単位と
等モル未満の範囲のプロピレン、1-ブテン、4-メチル-1
- ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン、1-ド
デセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデ
セン、1-エイコセン等の炭素原子数が３〜２０のα- オ
レフィン等を例示することができる。
【００３２】本発明では、光磁気記録媒体の基板として
上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体の他
に、一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンの開環重
合体もしくは開環共重合体［ＩＩＩ］、あるいはこれら
の開環重合体もしくは開環共重合体の水素添加物［Ｉ
Ｖ］を用いることもでき、このような重合体の例として
は、テトラシクロドデセンの開環重合体、テトラシクロ
ドデセンとノルボルネンおよびそれらの誘導体との開環
共重合体、およびこれらの開環共重合体、ならびにこれ
ら開環共重合体の水素添加物が挙げられる。
上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体の他
に、一般式［Ｉ］で表わされる環状オレフィンの開環重
合体もしくは開環共重合体［ＩＩＩ］、あるいはこれら
の開環重合体もしくは開環共重合体の水素添加物［Ｉ
Ｖ］を用いることもでき、このような重合体の例として
は、テトラシクロドデセンの開環重合体、テトラシクロ
ドデセンとノルボルネンおよびそれらの誘導体との開環
共重合体、およびこれらの開環共重合体、ならびにこれ
ら開環共重合体の水素添加物が挙げられる。
【００３３】このような環状オレフィン系重合体は、特
開昭60-168708号公報、特開昭61-120816号公報、特開昭
61-115912号公報、特開昭61-115916号公報、特開昭62-2
52406号公報、特開昭62-252407号公報、特開昭61-27130
8号公報、特開昭61-272216号公報等において本出願人が
提案した方法に従って適宜条件を選択することにより製
造することができる。
開昭60-168708号公報、特開昭61-120816号公報、特開昭
61-115912号公報、特開昭61-115916号公報、特開昭62-2
52406号公報、特開昭62-252407号公報、特開昭61-27130
8号公報、特開昭61-272216号公報等において本出願人が
提案した方法に従って適宜条件を選択することにより製
造することができる。
【００３４】本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、
このようにして製造される環状オレフィン共重合体の中
でも13Ｃ−ＮＭＲによって測定されるエチレンに由来す
る繰り返し単位が４０〜８５モル％、特に５０〜７５モ
ル％の範囲で存在し、同様にして測定される環状オレフ
ィンに由来する繰り返し単位が１５〜６０モル％、好ま
しくは２５〜５０モル％の範囲で存在し、これらのエチ
レンおよび環状オレフィンに由来する繰り返し単位がラ
ンダムに実質上線状に配列している環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体［Ａ］（以下、共重合体［Ａ］と記載す
る）が好ましく用いられる。また、このように重合体が
実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していないこと
は、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に溶解す
ることによって確認できる。
このようにして製造される環状オレフィン共重合体の中
でも13Ｃ−ＮＭＲによって測定されるエチレンに由来す
る繰り返し単位が４０〜８５モル％、特に５０〜７５モ
ル％の範囲で存在し、同様にして測定される環状オレフ
ィンに由来する繰り返し単位が１５〜６０モル％、好ま
しくは２５〜５０モル％の範囲で存在し、これらのエチ
レンおよび環状オレフィンに由来する繰り返し単位がラ
ンダムに実質上線状に配列している環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体［Ａ］（以下、共重合体［Ａ］と記載す
る）が好ましく用いられる。また、このように重合体が
実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していないこと
は、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に溶解す
ることによって確認できる。
【００３５】また本発明に係る光磁気記録媒体の基板に
用いられる共重合体［Ａ］としては、１３５℃のデカリ
ン中で測定した極限粘度［η］が０．０５〜１０ｄｌ／
ｇ、特に０．０８〜５ｄｌ／ｇの範囲にある環状オレフ
ィン系ランダム共重合体が好ましい。さらに、このよう
な共重合体［Ａ］は、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以
上、好ましくは９０〜２５０℃の範囲であることが望ま
しい。この軟化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製のサー
モメカニカル・アナライザーを用いて厚さ１ｍｍのシー
トの熱変形挙動により測定される。すなわち、シート上
に石英製の針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で昇
温していき、針がシート中に０．６３５ｍｍ埋入した際
の温度をＴＭＡとした。また、このような共重合体
［Ａ］のガラス転移温度（Ｔg ）は５０〜２３０℃、好
ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ましい。
用いられる共重合体［Ａ］としては、１３５℃のデカリ
ン中で測定した極限粘度［η］が０．０５〜１０ｄｌ／
ｇ、特に０．０８〜５ｄｌ／ｇの範囲にある環状オレフ
ィン系ランダム共重合体が好ましい。さらに、このよう
な共重合体［Ａ］は、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以
上、好ましくは９０〜２５０℃の範囲であることが望ま
しい。この軟化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製のサー
モメカニカル・アナライザーを用いて厚さ１ｍｍのシー
トの熱変形挙動により測定される。すなわち、シート上
に石英製の針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で昇
温していき、針がシート中に０．６３５ｍｍ埋入した際
の温度をＴＭＡとした。また、このような共重合体
［Ａ］のガラス転移温度（Ｔg ）は５０〜２３０℃、好
ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ましい。
【００３６】さらに、共重合体［Ａ］のＸ線回折法によ
って測定した結晶化度は、０〜１０％、好ましくは０〜
７％の範囲にあることが望ましい。本発明では、上記の
ような共重合体［Ａ］に、エチレンと上記一般式［Ｉ］
または［ＩＩ］で表わされる環状オレフィンとの共重合
体であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
［η］が０．０５〜５ｄｌ／ｇの範囲にあり、軟化温度
（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ｂ］（以下、共重合体［Ｂ］と記載する）
を配合してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成
物から基板を形成することが好ましい。
って測定した結晶化度は、０〜１０％、好ましくは０〜
７％の範囲にあることが望ましい。本発明では、上記の
ような共重合体［Ａ］に、エチレンと上記一般式［Ｉ］
または［ＩＩ］で表わされる環状オレフィンとの共重合
体であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
［η］が０．０５〜５ｄｌ／ｇの範囲にあり、軟化温度
（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ｂ］（以下、共重合体［Ｂ］と記載する）
を配合してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成
物から基板を形成することが好ましい。
【００３７】上記のような共重合体［Ｂ］では、前記と
同様にして測定されたエチレンに由来する繰り返し単位
が６０〜９８モル％の範囲で存在していることが好まし
く、環状オレフィンに由来する繰り返し単位が２〜４０
モル％、特に５〜４０モル％の範囲で存在していること
が好ましく、前記エチレンに由来する繰り返し単位およ
び環状オレフィンに由来する繰り返し単位がランダムに
実質上線状に配列していることが好ましい。また、この
ように重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有
していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中
に完全に溶解することによって確認できる。
同様にして測定されたエチレンに由来する繰り返し単位
が６０〜９８モル％の範囲で存在していることが好まし
く、環状オレフィンに由来する繰り返し単位が２〜４０
モル％、特に５〜４０モル％の範囲で存在していること
が好ましく、前記エチレンに由来する繰り返し単位およ
び環状オレフィンに由来する繰り返し単位がランダムに
実質上線状に配列していることが好ましい。また、この
ように重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有
していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中
に完全に溶解することによって確認できる。
【００３８】また、このような共重合体［Ｂ］の１３５
℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０．０５
〜５ｄｌ／ｇ、特に０．０８〜３ｄｌ／ｇの範囲にある
ことが好ましい。共重合体［Ｂ］は、共重合体［Ａ］と
同様にして測定した軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満、
好ましくは−１０〜６０℃の範囲にあることが望まし
い。また該共重合体［Ｂ］のガラス転移温度（Ｔg ）
は、−３０〜６０℃、好ましくは−２０〜５０℃の範囲
にあることが望ましい。さらに、共重合体［Ｂ］のＸ線
回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、好ま
しくは０〜７％の範囲にあることが望ましい。
℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０．０５
〜５ｄｌ／ｇ、特に０．０８〜３ｄｌ／ｇの範囲にある
ことが好ましい。共重合体［Ｂ］は、共重合体［Ａ］と
同様にして測定した軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満、
好ましくは−１０〜６０℃の範囲にあることが望まし
い。また該共重合体［Ｂ］のガラス転移温度（Ｔg ）
は、−３０〜６０℃、好ましくは−２０〜５０℃の範囲
にあることが望ましい。さらに、共重合体［Ｂ］のＸ線
回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、好ま
しくは０〜７％の範囲にあることが望ましい。
【００３９】本発明において、基板として環状オレフィ
ン系ランダム共重合体組成物を用いる場合には、前記共
重合体［Ａ］／共重合体［Ｂ］の重量比は、１００／
０．１〜１００／１０、好ましくは１００／０．３〜１
００／７の範囲にあることが望ましい。共重合体［Ｂ］
をこの範囲で共重合体［Ａ］に配合することによって基
板自体の優れた透明性と表面平滑性を維持したままで、
光磁気記録層との密着性が共重合体［Ａ］のみの場合に
比べてさらに向上するという効果がある。
ン系ランダム共重合体組成物を用いる場合には、前記共
重合体［Ａ］／共重合体［Ｂ］の重量比は、１００／
０．１〜１００／１０、好ましくは１００／０．３〜１
００／７の範囲にあることが望ましい。共重合体［Ｂ］
をこの範囲で共重合体［Ａ］に配合することによって基
板自体の優れた透明性と表面平滑性を維持したままで、
光磁気記録層との密着性が共重合体［Ａ］のみの場合に
比べてさらに向上するという効果がある。
【００４０】なお、上記のような開環重合体、開環共重
合体、これらの水素添加物および環状オレフィン系ラン
ダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カルボ
ン酸等で変性されていてもよい。このような変性物は、
上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カルボン
酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸のアルキ
ルエステル等の誘導体とを反応させることにより製造す
ることができる。この場合の環状オレフィン系樹脂の変
性物中における変性剤から導かれる構成単位の含有率
は、通常は５０〜１０モル％以下である。このような環
状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率になるよう
に環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグラフト重
合させて製造することもできるし、予め高変性率の変性
物を調製し、次いで、この変性物と未変性の環状オレフ
ィン系樹脂とを混合することによっても製造することが
できる。
合体、これらの水素添加物および環状オレフィン系ラン
ダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カルボ
ン酸等で変性されていてもよい。このような変性物は、
上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カルボン
酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸のアルキ
ルエステル等の誘導体とを反応させることにより製造す
ることができる。この場合の環状オレフィン系樹脂の変
性物中における変性剤から導かれる構成単位の含有率
は、通常は５０〜１０モル％以下である。このような環
状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率になるよう
に環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグラフト重
合させて製造することもできるし、予め高変性率の変性
物を調製し、次いで、この変性物と未変性の環状オレフ
ィン系樹脂とを混合することによっても製造することが
できる。
【００４１】以上のような開環重合体、開環共重合体、
これらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共
重合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合
わせて用いることができる。また本発明の光磁気記録媒
体の基板には、上述したような重合体に加えて、衝撃強
度を向上させるためのゴム成分を配合したり、耐熱安定
剤、耐候安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロ
ッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成
油等を適当量配合することができる。
これらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共
重合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合
わせて用いることができる。また本発明の光磁気記録媒
体の基板には、上述したような重合体に加えて、衝撃強
度を向上させるためのゴム成分を配合したり、耐熱安定
剤、耐候安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロ
ッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成
油等を適当量配合することができる。
【００４２】所望により配合される安定剤としては、フ
ェノール系酸化防止剤、脂肪酸金属塩、多価アルコール
の脂肪酸エステル等が挙げられる。これらの安定剤は、
単独で配合してもよく、組み合わせて配合してもよい。
本発明の光磁気記録媒体の基板には、フェノール系酸化
防止剤と多価アルコールの脂肪酸エステルとを組合せて
用いることが好ましく、この多価アルコールの脂肪酸エ
ステルは、３価以上の多価アルコールのアルコール性水
酸基の一部がエステル化された多価アルコール脂肪酸エ
ステルであることが好ましい。
ェノール系酸化防止剤、脂肪酸金属塩、多価アルコール
の脂肪酸エステル等が挙げられる。これらの安定剤は、
単独で配合してもよく、組み合わせて配合してもよい。
本発明の光磁気記録媒体の基板には、フェノール系酸化
防止剤と多価アルコールの脂肪酸エステルとを組合せて
用いることが好ましく、この多価アルコールの脂肪酸エ
ステルは、３価以上の多価アルコールのアルコール性水
酸基の一部がエステル化された多価アルコール脂肪酸エ
ステルであることが好ましい。
【００４３】このようなフェノール系酸化防止剤は、た
とえば前記［Ａ］成分および［Ｂ］成分の合計重量１０
０重量部に対して０〜１０重量部の量で用いることが望
ましく、また多価アルコールの脂肪酸エステルは、
［Ａ］成分および［Ｂ］成分の合計重量１００重量部に
対して０〜１０重量部の量で用いることが好ましい。ま
た本発明の光磁気記録媒体の基板には、本発明の目的お
よび透明性を損なわない範囲で、シリカ、珪藻土、アル
ミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バ
ルーン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩
基性炭酸マグネシウム、ドロマイト、硫酸カルシウム、
チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、
タルク、クレー、マイカ、ガラス繊維、ガラスフレー
ク、ガラスビーズ、珪酸カルシウム、モンモリロナイ
ト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉、硫
化モリブデン、ボロン繊維、炭化珪素繊維、ポリエチレ
ン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、ポリ
アミド繊維等の充填剤を配合してもよい。
とえば前記［Ａ］成分および［Ｂ］成分の合計重量１０
０重量部に対して０〜１０重量部の量で用いることが望
ましく、また多価アルコールの脂肪酸エステルは、
［Ａ］成分および［Ｂ］成分の合計重量１００重量部に
対して０〜１０重量部の量で用いることが好ましい。ま
た本発明の光磁気記録媒体の基板には、本発明の目的お
よび透明性を損なわない範囲で、シリカ、珪藻土、アル
ミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バ
ルーン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩
基性炭酸マグネシウム、ドロマイト、硫酸カルシウム、
チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、
タルク、クレー、マイカ、ガラス繊維、ガラスフレー
ク、ガラスビーズ、珪酸カルシウム、モンモリロナイ
ト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉、硫
化モリブデン、ボロン繊維、炭化珪素繊維、ポリエチレ
ン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、ポリ
アミド繊維等の充填剤を配合してもよい。
【００４４】このような基板の厚みは特に限定されない
が、通常０．５〜５ｍｍ、好ましくは０．５〜２ｍｍで
ある。保護膜 本発明に係る光磁気記録媒体では、保護膜として（Ｓｉ
x Ｇｅ1-x ）1-y Ｎy［ただし、ｘは原子比で表わした
場合に、０．３０≦ｘ≦０．７０であり、ｙは０．４≦
ｙ≦０．８である］で示される組成を有する保護膜が用
いられる。この保護膜は、上記３元素のみで構成されて
いてもよく、さらにＮ、Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂ
ｉ、Ｇａ等の他の元素を少量、たとえば保護膜を構成す
る全原子数を基準として５原子％以下、好ましくは３原
子％以下の割合で含んでいてもよい。
が、通常０．５〜５ｍｍ、好ましくは０．５〜２ｍｍで
ある。保護膜 本発明に係る光磁気記録媒体では、保護膜として（Ｓｉ
x Ｇｅ1-x ）1-y Ｎy［ただし、ｘは原子比で表わした
場合に、０．３０≦ｘ≦０．７０であり、ｙは０．４≦
ｙ≦０．８である］で示される組成を有する保護膜が用
いられる。この保護膜は、上記３元素のみで構成されて
いてもよく、さらにＮ、Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂ
ｉ、Ｇａ等の他の元素を少量、たとえば保護膜を構成す
る全原子数を基準として５原子％以下、好ましくは３原
子％以下の割合で含んでいてもよい。
【００４５】また、本発明に係る光磁気記録媒体が、図
３および図４に示すように、基板１と光磁気記録膜３と
の間に保護膜２（第１保護膜と称する場合がある）があ
り、さらに、光磁気記録膜３と金属膜５との間に保護膜
４（第２保護膜と称する場合がある）がある構成を有す
る光磁気記録媒体１０である場合には、上記の第１保護
膜２および第２保護膜４のうち、少なくとも一の保護膜
が上記組成を有する。
３および図４に示すように、基板１と光磁気記録膜３と
の間に保護膜２（第１保護膜と称する場合がある）があ
り、さらに、光磁気記録膜３と金属膜５との間に保護膜
４（第２保護膜と称する場合がある）がある構成を有す
る光磁気記録媒体１０である場合には、上記の第１保護
膜２および第２保護膜４のうち、少なくとも一の保護膜
が上記組成を有する。
【００４６】図３および図４に示すような光磁気記録媒
体１０において、第１または第２保護膜の一方に上記組
成以外の組成からなる保護膜を用いる場合、その保護膜
としては、特に制限はなく、従来公知の保護膜、たとえ
ばＳｉ3Ｎ4、ＳｉＮx （０＜ｘ＜４／３）、ＺｎＳ、Ｓ
ｉ、ＣｄＳ、ＳｉＣx （０．５≦ｘ≦３）など、あるい
は（ＳｉxＧｅ1-x）1-yＣy（０．５≦ｘ≦０．９８、
０．３≦ｙ≦０．８）を用いることができる。本発明で
は、第１保護膜２および第２保護膜４の両者とも、上記
組成を有することが望ましい。
体１０において、第１または第２保護膜の一方に上記組
成以外の組成からなる保護膜を用いる場合、その保護膜
としては、特に制限はなく、従来公知の保護膜、たとえ
ばＳｉ3Ｎ4、ＳｉＮx （０＜ｘ＜４／３）、ＺｎＳ、Ｓ
ｉ、ＣｄＳ、ＳｉＣx （０．５≦ｘ≦３）など、あるい
は（ＳｉxＧｅ1-x）1-yＣy（０．５≦ｘ≦０．９８、
０．３≦ｙ≦０．８）を用いることができる。本発明で
は、第１保護膜２および第２保護膜４の両者とも、上記
組成を有することが望ましい。
【００４７】上記の（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy で示され
る組成を有する保護膜では、ｘは、原子比で表わした場
合に、０．３０≦ｘ≦０．７０であるが、特に０．４≦
ｘ≦０．６であることが好ましい。またｙは０．４≦ｙ
≦０．８であるが、特に０．４≦ｙ≦０．６５であるこ
とが好ましい。ｘが０．３０未満であると、消衰係数ｋ
が上昇し、再生レザー光の光学的吸収が光磁気信号を減
衰させるほど大きくなり、一方、ｘが０．７０を超える
と、スパッタ速度が急激に低下し、また、屈折率が低下
し、エンハンス効果の減少による光磁気信号の減衰が起
こることがある。またｙが０．４未満であると、再生レ
ザー光の光学的吸収が光磁気信号を減衰させるほど大き
くなり、一方、ｙが０．８を超えると、屈折率が低下
し、エンハンス効果の減少による光磁気信号の減衰が起
こることがある。
る組成を有する保護膜では、ｘは、原子比で表わした場
合に、０．３０≦ｘ≦０．７０であるが、特に０．４≦
ｘ≦０．６であることが好ましい。またｙは０．４≦ｙ
≦０．８であるが、特に０．４≦ｙ≦０．６５であるこ
とが好ましい。ｘが０．３０未満であると、消衰係数ｋ
が上昇し、再生レザー光の光学的吸収が光磁気信号を減
衰させるほど大きくなり、一方、ｘが０．７０を超える
と、スパッタ速度が急激に低下し、また、屈折率が低下
し、エンハンス効果の減少による光磁気信号の減衰が起
こることがある。またｙが０．４未満であると、再生レ
ザー光の光学的吸収が光磁気信号を減衰させるほど大き
くなり、一方、ｙが０．８を超えると、屈折率が低下
し、エンハンス効果の減少による光磁気信号の減衰が起
こることがある。
【００４８】上記のＳｉ、ＧｅおよびＮの組成比は、蛍
光Ｘ線回折により求められる。また、上記光学定数の実
数部ｎは屈折率に対応する値であり、また、光学定数の
虚数部ｋは吸光係数ａと次式で示される関係がある。 ａ＝（４π／λ）×ｋ 本発明で用いられる保護膜は、たとえばターゲットとし
てＳｉＧｅＮ、ＳｉＮとＧｅまたはＧｅＮとＳｉの複合
ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜するこ
とができる。
光Ｘ線回折により求められる。また、上記光学定数の実
数部ｎは屈折率に対応する値であり、また、光学定数の
虚数部ｋは吸光係数ａと次式で示される関係がある。 ａ＝（４π／λ）×ｋ 本発明で用いられる保護膜は、たとえばターゲットとし
てＳｉＧｅＮ、ＳｉＮとＧｅまたはＧｅＮとＳｉの複合
ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜するこ
とができる。
【００４９】また、本発明に係る光磁気記録媒体を製造
する際に、基板または記録膜上に、ドーピング剤をドー
プしたＳｉの粉体と、ドーピング剤をドープしたＧｅの
粉体とを焼結して得られたＳｉＧｅターゲット、または
ＳｉとＧｅとの溶融混合物にドーピング剤を添加して得
られたＳｉＧｅターゲットを用いてＮ2 との反応性マグ
ネトロンスパッタ法でＳｉ、ＧｅおよびＮを含む保護膜
を形成する工程を採用することができる。たとえば、上
記のようなドーピング剤入りＳｉＧｅターゲットを窒素
雰囲気中（たとえばＡｒ／Ｎ2 ）等でスパッタリングす
ることによって成膜する。上記ドーピング剤としては、
具体的には、Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｇａな
どが挙げられる。中でも、Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂが好ましい。
上記のそれぞれの粉体に用いられるドーピング剤は、同
一であってもよく、また異なっていてもよい。また、こ
れらのドーピング剤は単独で、あるいは組み合わせて用
いることができる。これらのドーピング剤の保護膜中に
おける含有量は、光磁気記録媒体の要求される特性にも
よるが、通常２０ｐｐｍ以下である。
する際に、基板または記録膜上に、ドーピング剤をドー
プしたＳｉの粉体と、ドーピング剤をドープしたＧｅの
粉体とを焼結して得られたＳｉＧｅターゲット、または
ＳｉとＧｅとの溶融混合物にドーピング剤を添加して得
られたＳｉＧｅターゲットを用いてＮ2 との反応性マグ
ネトロンスパッタ法でＳｉ、ＧｅおよびＮを含む保護膜
を形成する工程を採用することができる。たとえば、上
記のようなドーピング剤入りＳｉＧｅターゲットを窒素
雰囲気中（たとえばＡｒ／Ｎ2 ）等でスパッタリングす
ることによって成膜する。上記ドーピング剤としては、
具体的には、Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｇａな
どが挙げられる。中でも、Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂが好ましい。
上記のそれぞれの粉体に用いられるドーピング剤は、同
一であってもよく、また異なっていてもよい。また、こ
れらのドーピング剤は単独で、あるいは組み合わせて用
いることができる。これらのドーピング剤の保護膜中に
おける含有量は、光磁気記録媒体の要求される特性にも
よるが、通常２０ｐｐｍ以下である。
【００５０】このような上記組成を有する保護膜は、通
常１．８以上、好ましくは１．９〜２．６の屈折率を有
していることが望ましい。保護膜は、厚さを変えると光
磁気記録媒体のＣ／Ｎ比および反射率が変化する。Ｃ／
Ｎ比は、屈折率×膜厚の関数であるため、同じ膜厚の場
合には屈折率が大きくなればＣ／Ｎ比も大となり、求め
られるＣ／Ｎ比を得るための膜厚は薄くてもよい。保護
膜として用いられる（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy で示され
る組成の膜は、屈折率が大きいため膜厚を薄くすること
ができ、しかも、膜厚が薄くても長期安定性に優れてい
る。また、上記組成を有する保護膜は、スパッタ速度が
大きく、かつ、膜厚を薄くすることができるので、Ｓｉ
Ｎx からなる保護膜に比べて生産性を高めることができ
る。
常１．８以上、好ましくは１．９〜２．６の屈折率を有
していることが望ましい。保護膜は、厚さを変えると光
磁気記録媒体のＣ／Ｎ比および反射率が変化する。Ｃ／
Ｎ比は、屈折率×膜厚の関数であるため、同じ膜厚の場
合には屈折率が大きくなればＣ／Ｎ比も大となり、求め
られるＣ／Ｎ比を得るための膜厚は薄くてもよい。保護
膜として用いられる（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy で示され
る組成の膜は、屈折率が大きいため膜厚を薄くすること
ができ、しかも、膜厚が薄くても長期安定性に優れてい
る。また、上記組成を有する保護膜は、スパッタ速度が
大きく、かつ、膜厚を薄くすることができるので、Ｓｉ
Ｎx からなる保護膜に比べて生産性を高めることができ
る。
【００５１】保護膜は、後述する光磁気記録膜を酸化等
から保護する働き、または光磁気記録膜の記録特性を高
めるエンハンス膜としての働き、あるいはその両方の働
きを果たしている。このような保護膜の膜厚は、通常５
０〜２，０００オングストロームである。また、このよ
うな保護膜を上記の第１保護膜として用いる場合には、
保護膜の膜厚は、通常１００〜２，０００オングストロ
ーム、好ましくは３００〜１，５００オングストローム
である。
から保護する働き、または光磁気記録膜の記録特性を高
めるエンハンス膜としての働き、あるいはその両方の働
きを果たしている。このような保護膜の膜厚は、通常５
０〜２，０００オングストロームである。また、このよ
うな保護膜を上記の第１保護膜として用いる場合には、
保護膜の膜厚は、通常１００〜２，０００オングストロ
ーム、好ましくは３００〜１，５００オングストローム
である。
【００５２】また、このような保護膜を上記の第２保護
膜として用いる場合には、保護膜の膜厚は、通常５０〜
１，０００オングストローム、好ましくは５０〜７００
オングストローム、さらに好ましくは１００〜４００オ
ングストローム程度である。光磁気記録媒体の構成を図
４の構成とし、かつ、第１保護膜と第２保護膜の膜厚を
上記の範囲にすることによって、特に良好なＣ／Ｎ比と
広い記録パワーマージンを有する光磁気記録媒体を得る
ことができる。
膜として用いる場合には、保護膜の膜厚は、通常５０〜
１，０００オングストローム、好ましくは５０〜７００
オングストローム、さらに好ましくは１００〜４００オ
ングストローム程度である。光磁気記録媒体の構成を図
４の構成とし、かつ、第１保護膜と第２保護膜の膜厚を
上記の範囲にすることによって、特に良好なＣ／Ｎ比と
広い記録パワーマージンを有する光磁気記録媒体を得る
ことができる。
【００５３】なお、第１保護膜と第２保護膜を有する構
成の光磁気記録媒体で、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｎを含む膜を一方
の保護膜に用いる場合には、他方の保護膜にＳｉ3Ｎ4か
らなる膜を用いることが好ましい。また、第１または第
２保護膜として従来公知の保護膜を用いる場合、その膜
厚は、第１保護膜では通常１００〜２，０００オングス
トローム、好ましくは３００〜１，５００オングストロ
ーム程度であり、第２保護膜では通常５０〜１，０００
オングストローム、好ましくは１００〜４００オングス
トローム程度である。
成の光磁気記録媒体で、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｎを含む膜を一方
の保護膜に用いる場合には、他方の保護膜にＳｉ3Ｎ4か
らなる膜を用いることが好ましい。また、第１または第
２保護膜として従来公知の保護膜を用いる場合、その膜
厚は、第１保護膜では通常１００〜２，０００オングス
トローム、好ましくは３００〜１，５００オングストロ
ーム程度であり、第２保護膜では通常５０〜１，０００
オングストローム、好ましくは１００〜４００オングス
トローム程度である。
【００５４】光磁気記録膜 本発明で用いられる光磁気記録膜としては、光磁気記録
膜としての性質を有するものであれば特に制限はない
が、その中でも、３ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも
１種の元素（ｉ）と、希土類元素から選ばれる少なくと
も１種の元素（ｉｉ）とからなる光磁気記録膜、あるい
は３ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも１種の元素
（ｉ）と、希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元
素（ｉｉ）と、耐腐食性金属（ｉｉｉ）とからなる光磁
気記録膜が好ましい。
膜としての性質を有するものであれば特に制限はない
が、その中でも、３ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも
１種の元素（ｉ）と、希土類元素から選ばれる少なくと
も１種の元素（ｉｉ）とからなる光磁気記録膜、あるい
は３ｄ遷移元素から選ばれる少なくとも１種の元素
（ｉ）と、希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元
素（ｉｉ）と、耐腐食性金属（ｉｉｉ）とからなる光磁
気記録膜が好ましい。
【００５５】上記３ｄ遷移元素（ｉ）としては、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等が用
いられるが、これらのうち、ＦｅまたはＣｏ、あるいは
この両者を用いることが好ましい。この３ｄ遷移元素
は、光磁気記録膜中に、該光磁気記録膜の全原子数を基
準として、通常２０〜９０原子％、好ましくは３０〜８
５原子％、特に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在
している。
Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等が用
いられるが、これらのうち、ＦｅまたはＣｏ、あるいは
この両者を用いることが好ましい。この３ｄ遷移元素
は、光磁気記録膜中に、該光磁気記録膜の全原子数を基
準として、通常２０〜９０原子％、好ましくは３０〜８
５原子％、特に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在
している。
【００５６】上記希土類元素（ｉｉ）としては、たとえ
ばＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕが挙げられ
る。これらのうち、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍが好ましく用いられる。上記のような群から選
ばれる少なくとも１種の希土類元素は、光磁気記録膜中
に、該光磁気記録膜の全原子数を基準として、通常５〜
５０原子％、好ましくは８〜４５原子％、特に好ましく
は１０〜４０原子％の量で存在している。
ばＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕが挙げられ
る。これらのうち、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍが好ましく用いられる。上記のような群から選
ばれる少なくとも１種の希土類元素は、光磁気記録膜中
に、該光磁気記録膜の全原子数を基準として、通常５〜
５０原子％、好ましくは８〜４５原子％、特に好ましく
は１０〜４０原子％の量で存在している。
【００５７】光磁気記録膜は、上記の３ｄ遷移元素
（ｉ）および希土類元素（ｉｉ）に加えて、耐腐食性金
属（ｉｉｉ）を含んでいてもよい。上記耐腐食性金属
（ｉｉｉ）は、光磁気記録膜中に含ませることにより、
この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることができ、長期
信頼性に優れた光磁気記録膜を得ることができる。この
ような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｎｂ等が用いられるが、これらのうち、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｔｉが好ましく、特にＰｔまたはＰｄ、ある
いはこの両者を用いることが好ましい。
（ｉ）および希土類元素（ｉｉ）に加えて、耐腐食性金
属（ｉｉｉ）を含んでいてもよい。上記耐腐食性金属
（ｉｉｉ）は、光磁気記録膜中に含ませることにより、
この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることができ、長期
信頼性に優れた光磁気記録膜を得ることができる。この
ような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｎｂ等が用いられるが、これらのうち、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｔｉが好ましく、特にＰｔまたはＰｄ、ある
いはこの両者を用いることが好ましい。
【００５８】この耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に、
該光磁気記録膜の全原子数を基準として、通常５〜３０
原子％、好ましくは５〜２５原子％、より好ましくは１
０〜２５原子％、特に好ましくは１０〜２０原子％の量
で存在している。上記のような量で耐腐食性金属を光磁
気記録膜中に存在させると、得られる光磁気記録膜の耐
酸化性が充分に改善され、経時的に保磁力Ｈc が大きく
変化したり、あるいはカー回転角θk が減少したりする
ことがない。また、３０原子％を超えて存在する場合に
は、得られる非晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下と
なる傾向が生ずる。
該光磁気記録膜の全原子数を基準として、通常５〜３０
原子％、好ましくは５〜２５原子％、より好ましくは１
０〜２５原子％、特に好ましくは１０〜２０原子％の量
で存在している。上記のような量で耐腐食性金属を光磁
気記録膜中に存在させると、得られる光磁気記録膜の耐
酸化性が充分に改善され、経時的に保磁力Ｈc が大きく
変化したり、あるいはカー回転角θk が減少したりする
ことがない。また、３０原子％を超えて存在する場合に
は、得られる非晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下と
なる傾向が生ずる。
【００５９】本発明では、光磁気記録膜が、特に下記に
記載するような組成を有することが好ましい。 （ｉ）３ｄ遷移元素 ３ｄ遷移元素は、光磁気記録膜中に、好ましくはＦｅま
たはＣｏあるいはこの両者が含まれており、Ｆｅおよび
／またはＣｏは、通常４０原子％以上８０原子％以下、
好ましくは４０原子％以上７５原子％未満、さらに好ま
しくは、４０原子％以上５９原子％以下の量で存在して
いることが望ましい。Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４
０原子％以上で８０原子％以下の範囲にあると、耐酸化
性に優れ、かつ、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもっ
た光磁気記録膜が得られるという利点を有する。
記載するような組成を有することが好ましい。 （ｉ）３ｄ遷移元素 ３ｄ遷移元素は、光磁気記録膜中に、好ましくはＦｅま
たはＣｏあるいはこの両者が含まれており、Ｆｅおよび
／またはＣｏは、通常４０原子％以上８０原子％以下、
好ましくは４０原子％以上７５原子％未満、さらに好ま
しくは、４０原子％以上５９原子％以下の量で存在して
いることが望ましい。Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４
０原子％以上で８０原子％以下の範囲にあると、耐酸化
性に優れ、かつ、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもっ
た光磁気記録膜が得られるという利点を有する。
【００６０】ところで、光磁気記録膜中に、Ｃｏを添加
すると、（イ）光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、ま
た（ロ）カー回転角（θk ）が大きくなるという現象が
認められ、その結果、Ｃｏの添加量により、光磁気記録
膜の記録感度を調整することができ、しかも、Ｃｏの添
加により、再生信号のキャリアレベルを増加することが
できる。本発明では、Ｃｏは、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比
の点からＣｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］が通常０〜
０．３、好ましくは０〜０．２、さらに好ましくは０．
０１〜０．２であるような量で、光磁気記録膜中に存在
していることが望ましい。
すると、（イ）光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、ま
た（ロ）カー回転角（θk ）が大きくなるという現象が
認められ、その結果、Ｃｏの添加量により、光磁気記録
膜の記録感度を調整することができ、しかも、Ｃｏの添
加により、再生信号のキャリアレベルを増加することが
できる。本発明では、Ｃｏは、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比
の点からＣｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］が通常０〜
０．３、好ましくは０〜０．２、さらに好ましくは０．
０１〜０．２であるような量で、光磁気記録膜中に存在
していることが望ましい。
【００６１】（ｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 希土類元素（ＲＥ）としては、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃ
ｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙまたはＨｏが用いられる。
これらの中では、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙが好ま
しく用いられ、特にＴｂが好ましく用いられる。また、
希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に、Ｔ
ｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有していること
が好ましい。
ｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙまたはＨｏが用いられる。
これらの中では、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙが好ま
しく用いられ、特にＴｂが好ましく用いられる。また、
希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に、Ｔ
ｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有していること
が好ましい。
【００６２】この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸をもった光磁気記録膜を得るという点からＲＥ
／（ＲＥ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］をｘで表わした場
合に、ｘが通常０．１５≦ｘ≦０．４５、好ましくは
０．２０≦ｘ≦０．４であるような量で光磁気記録膜中
に存在していることが望ましい。 （ｉｉｉ）耐腐食性金属 耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に、好ましくはＰｔま
たはＰｄあるいはこの両者が含まれており、Ｐｔおよび
／またはＰｄは、光磁気記録膜中に通常５〜３０原子
％、好ましくは１０原子％を超えて３０原子％以下、さ
らに好ましくは１０原子％を超えて２０原子％未満、最
も好ましくは１１原子％以上１９原子％以下の量で存在
していることが望ましい。
化容易軸をもった光磁気記録膜を得るという点からＲＥ
／（ＲＥ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］をｘで表わした場
合に、ｘが通常０．１５≦ｘ≦０．４５、好ましくは
０．２０≦ｘ≦０．４であるような量で光磁気記録膜中
に存在していることが望ましい。 （ｉｉｉ）耐腐食性金属 耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に、好ましくはＰｔま
たはＰｄあるいはこの両者が含まれており、Ｐｔおよび
／またはＰｄは、光磁気記録膜中に通常５〜３０原子
％、好ましくは１０原子％を超えて３０原子％以下、さ
らに好ましくは１０原子％を超えて２０原子％未満、最
も好ましくは１１原子％以上１９原子％以下の量で存在
していることが望ましい。
【００６３】光磁気記録膜中のＰｔおよび／またはＰｄ
の量が５原子％以上、特に１０原子％を超えて存在する
と、光磁気記録膜は耐酸化性に優れ、長期間使用しても
孔食が発生せず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有
する。たとえば、Ｐｔ13Ｔｂ28Ｆｅ50Ｃｏ9 （原子％）
あるいはＰｄ12Ｔｂ28Ｆｅ57Ｃｏ3 （原子％）で示され
る組成を有する光磁気記録膜を有する、本発明の光磁気
記録媒体は、相対湿度８５％、８０℃の環境下に１００
０時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は全く変化しない。
の量が５原子％以上、特に１０原子％を超えて存在する
と、光磁気記録膜は耐酸化性に優れ、長期間使用しても
孔食が発生せず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有
する。たとえば、Ｐｔ13Ｔｂ28Ｆｅ50Ｃｏ9 （原子％）
あるいはＰｄ12Ｔｂ28Ｆｅ57Ｃｏ3 （原子％）で示され
る組成を有する光磁気記録膜を有する、本発明の光磁気
記録媒体は、相対湿度８５％、８０℃の環境下に１００
０時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は全く変化しない。
【００６４】本発明では、光磁気記録膜中に上記以外の
他の元素を少量含ませて、キュリー温度や補償温度ある
いは保磁力Ｈc やカー回転角θk の改善または低コスト
化を計ることもできる。これらの元素は、光磁気記録膜
を構成する全原子数に対してたとえば１０原子％未満の
割合で用いることができる。併用できる他の元素の例と
しては、以下のような元素が挙げられる。 （Ｉ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素、たとえばＳｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等。 （ＩＩ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素、たとえばＹ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ等。 （ＩＩＩ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素、たとえばＨｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｈｇ等。 （ＩＶ）ＩＩＩ Ｂ族元素、 たとえばＢ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｔｌ等。 （Ｖ）ＩＶ Ｂ族元素、 たとえばＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ等。 （ＶＩ）Ｖ Ｂ族元素、 たとえばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、
Ｂｉ等。 （ＶＩＩ）ＶＩ Ｂ族元素、 たとえばＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、
Ｐｏ等。
他の元素を少量含ませて、キュリー温度や補償温度ある
いは保磁力Ｈc やカー回転角θk の改善または低コスト
化を計ることもできる。これらの元素は、光磁気記録膜
を構成する全原子数に対してたとえば１０原子％未満の
割合で用いることができる。併用できる他の元素の例と
しては、以下のような元素が挙げられる。 （Ｉ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素、たとえばＳｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等。 （ＩＩ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素、たとえばＹ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ等。 （ＩＩＩ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素、たとえばＨｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｈｇ等。 （ＩＶ）ＩＩＩ Ｂ族元素、 たとえばＢ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｔｌ等。 （Ｖ）ＩＶ Ｂ族元素、 たとえばＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ等。 （ＶＩ）Ｖ Ｂ族元素、 たとえばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、
Ｂｉ等。 （ＶＩＩ）ＶＩ Ｂ族元素、 たとえばＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、
Ｐｏ等。
【００６５】上記のような組成を有する光磁気記録膜
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒス
テリシスが良好な角形ループを示す垂直磁気および光磁
気記録可能な非晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回折等
により確かめられる。このような光磁気記録膜の膜厚
は、通常１００〜６００オングストローム、好ましくは
１００〜４００オングストローム、さらに好ましくは１
５０〜３５０オングストローム程度である。
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒス
テリシスが良好な角形ループを示す垂直磁気および光磁
気記録可能な非晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回折等
により確かめられる。このような光磁気記録膜の膜厚
は、通常１００〜６００オングストローム、好ましくは
１００〜４００オングストローム、さらに好ましくは１
５０〜３５０オングストローム程度である。
【００６６】金属膜 本発明に係る光磁気記録媒体では、図３に示すように、
上記のような第２保護膜４上に、または光磁気記録膜３
上に、金属膜５が設けられていることが好ましい。上記
の金属膜としては、たとえばＡｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、
あるいはこれらの合金、ニッケル合金、たとえばニッケ
ルを主成分とし、かつ、シリコン、モリブデン、鉄、ク
ロムおよび銅からなる群から選ばれる少なくとも１種を
含有しているニッケル合金（例、ＮｉＣｒ合金）、チタ
ン合金あるいは下記のようなアルミニウム合金からなっ
ている。本発明では、特にアルミニウム合金が好まし
い。このアルミニウム合金は、アルミニウムと、アルミ
ニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成されて
いる。
上記のような第２保護膜４上に、または光磁気記録膜３
上に、金属膜５が設けられていることが好ましい。上記
の金属膜としては、たとえばＡｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、
あるいはこれらの合金、ニッケル合金、たとえばニッケ
ルを主成分とし、かつ、シリコン、モリブデン、鉄、ク
ロムおよび銅からなる群から選ばれる少なくとも１種を
含有しているニッケル合金（例、ＮｉＣｒ合金）、チタ
ン合金あるいは下記のようなアルミニウム合金からなっ
ている。本発明では、特にアルミニウム合金が好まし
い。このアルミニウム合金は、アルミニウムと、アルミ
ニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成されて
いる。
【００６７】このような金属膜を構成するアルミニウム
合金としては、具体的には、以下のようなものが例示で
きる。なお下記のアルミニウム合金において、各金属の
含有量は、該アルミニウム合金を構成する全原子数に対
する原子％である。 （１）Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２）Ａｌ−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子
％）、 （３）Ａｌ−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子
％）、 （４）Ａｌ−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子
％）、 （５）Ａｌ−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子
％）、 （６）Ａｌ−Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０原子％）、 （７）Ａｌ−Ｔｉ合金（Ｔｉ含有量０．１〜１０原子
％）、 （８）Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原
子％、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、 （９）Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原
子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 （１０）Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５
原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 （１１）Ａｌ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５
原子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、 （１２）Ａｌ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃr含有量０．１〜５
原子％、Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、 （１３）Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５
原子％、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、 （１４）Ａｌ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量０．１〜１０原子
％）、 （１５）Ａｌ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子
％）、 （１６）Ａｌ−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１
０原子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、 （１７）Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１
０原子％、Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、 （１８）Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１
０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 （１９）Ａｌ−Ｓｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２０）Ａｌ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２１）Ａｌ−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２２）Ａｌ−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１
０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 （２３）Ａｌ−Ｓｉ合金（Ｓｉ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２４）Ａｌ−Ａｇ合金（Ａｇ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２５）Ａｌ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２６）Ａｌ−Ｐｔ合金（Ｐｔ含有量０．１〜１０原子
％）。
合金としては、具体的には、以下のようなものが例示で
きる。なお下記のアルミニウム合金において、各金属の
含有量は、該アルミニウム合金を構成する全原子数に対
する原子％である。 （１）Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２）Ａｌ−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子
％）、 （３）Ａｌ−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子
％）、 （４）Ａｌ−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子
％）、 （５）Ａｌ−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子
％）、 （６）Ａｌ−Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０原子％）、 （７）Ａｌ−Ｔｉ合金（Ｔｉ含有量０．１〜１０原子
％）、 （８）Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原
子％、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、 （９）Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原
子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 （１０）Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５
原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 （１１）Ａｌ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５
原子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、 （１２）Ａｌ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃr含有量０．１〜５
原子％、Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、 （１３）Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５
原子％、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、 （１４）Ａｌ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量０．１〜１０原子
％）、 （１５）Ａｌ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子
％）、 （１６）Ａｌ−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１
０原子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、 （１７）Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１
０原子％、Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、 （１８）Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１
０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 （１９）Ａｌ−Ｓｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２０）Ａｌ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２１）Ａｌ−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２２）Ａｌ−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１
０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 （２３）Ａｌ−Ｓｉ合金（Ｓｉ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２４）Ａｌ−Ａｇ合金（Ａｇ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２５）Ａｌ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量０．１〜１０原子
％）、 （２６）Ａｌ−Ｐｔ合金（Ｐｔ含有量０．１〜１０原子
％）。
【００６８】これらの金属膜を構成するアルミニウム合
金のうち、特に以下のような合金が、光磁気記録媒体の
線速依存性を小さくし、かつ、耐酸化性（耐腐食性）に
優れているので好ましい。 （１）ハフニウム（Ｈｆ）０．１〜１０原子％を含むア
ルミニウム合金、 （２）ニオブ（Ｎｂ）０．１〜１０原子％を含むアルミ
ニウム合金、 （３）チタン（Ｔｉ）０．５〜５原子％とハフニウム
０.５〜５原子％とを含み、かつ、チタンとハフニウム
の合計含有量が１〜５．５原子％であるアルミニウム合
金、 （４）クロム（Ｃｒ）０．１〜５原子％とチタン０．１
〜９．５原子％とを含み、かつ、クロムとチタンの合計
含有量が１０原子％以下であるアルミニウム合金、 （５）マグネシウム（Ｍｇ）０．１〜１０原子％とクロ
ム０．１〜１０原子％とを含み、かつ、マグネシウムと
クロムの合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウ
ム合金、 （６）クロム０．１〜５原子％とハフニウム０．１〜
９．５原子％とを含み、かつ、クロムとハフニウムの合
計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム合金、 （７）マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム
０．１〜１０原子％とを含み、かつ、マグネシウムとハ
フニウムの合計含有量が１５原子％以下であるアルミニ
ウム合金、 （８）クロム０．１〜５原子％とジルコニウム（Ｚｒ）
０．１〜９．５原子％を含み、かつ、クロムとジルコニ
ウムの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム
合金、 （９）タンタル（Ｔａ）０．１〜１０原子％とハフニウ
ム０．１〜１０原子％とを含み、かつ、タンタルとハフ
ニウムの合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウ
ム合金、 （１０）チタン０．５〜５原子％とニオブ０．５〜５原
子％とを含み、かつ、チタンとニオブの合計含有量が１
〜５．５原子％であるアルミニウム合金、 （１１）マグネシウム０．１〜１０原子％とチタン０．
１〜１０原子％とを含み、かつ、マグネシウムとチタン
の合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合
金、 （１２）ハフニウム０．１〜９．５原子％、クロム０．
１〜５原子％およびチタン０．１〜９．５原子％を含
み、かつ、ハフニウムとクロムとチタンの合計含有量が
１０原子％以下であるアルミニウム合金、 （１３）ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム
０．１〜１０原子％およびチタン０．１〜１０原子％を
含み、かつ、ハフニウムとチタンとマグネシウムの合計
含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、 （１４）ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム
０．１〜１０原子％およびクロム１０原子％以下とを含
み、かつ、ハフニウムとマグネシウムとクロムの合計含
有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、 （１５）ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム
０．１〜１０原子％、チタン０．１〜１０原子％および
クロム１０原子％以下とを含み、かつ、ハフニウムとマ
グネシウムとチタンとクロムの合計含有量が１５原子％
未満であるアルミニウム合金、 （１６）チタン０．１〜１０原子％、マグネシウム０．
１〜１０原子％およびクロム１０原子％以下とを含み、
かつ、チタンとマグネシウムとクロムとの合計含有量が
１５原子％以下であるアルミニウム合金、 （１７）ニッケルを０．１〜１０原子％含むアルミニウ
ム合金、 （１８）ニッケルを０．１〜１０原子％とクロムを２原
子％以下とを含むアルミニウム合金。
金のうち、特に以下のような合金が、光磁気記録媒体の
線速依存性を小さくし、かつ、耐酸化性（耐腐食性）に
優れているので好ましい。 （１）ハフニウム（Ｈｆ）０．１〜１０原子％を含むア
ルミニウム合金、 （２）ニオブ（Ｎｂ）０．１〜１０原子％を含むアルミ
ニウム合金、 （３）チタン（Ｔｉ）０．５〜５原子％とハフニウム
０.５〜５原子％とを含み、かつ、チタンとハフニウム
の合計含有量が１〜５．５原子％であるアルミニウム合
金、 （４）クロム（Ｃｒ）０．１〜５原子％とチタン０．１
〜９．５原子％とを含み、かつ、クロムとチタンの合計
含有量が１０原子％以下であるアルミニウム合金、 （５）マグネシウム（Ｍｇ）０．１〜１０原子％とクロ
ム０．１〜１０原子％とを含み、かつ、マグネシウムと
クロムの合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウ
ム合金、 （６）クロム０．１〜５原子％とハフニウム０．１〜
９．５原子％とを含み、かつ、クロムとハフニウムの合
計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム合金、 （７）マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム
０．１〜１０原子％とを含み、かつ、マグネシウムとハ
フニウムの合計含有量が１５原子％以下であるアルミニ
ウム合金、 （８）クロム０．１〜５原子％とジルコニウム（Ｚｒ）
０．１〜９．５原子％を含み、かつ、クロムとジルコニ
ウムの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム
合金、 （９）タンタル（Ｔａ）０．１〜１０原子％とハフニウ
ム０．１〜１０原子％とを含み、かつ、タンタルとハフ
ニウムの合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウ
ム合金、 （１０）チタン０．５〜５原子％とニオブ０．５〜５原
子％とを含み、かつ、チタンとニオブの合計含有量が１
〜５．５原子％であるアルミニウム合金、 （１１）マグネシウム０．１〜１０原子％とチタン０．
１〜１０原子％とを含み、かつ、マグネシウムとチタン
の合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合
金、 （１２）ハフニウム０．１〜９．５原子％、クロム０．
１〜５原子％およびチタン０．１〜９．５原子％を含
み、かつ、ハフニウムとクロムとチタンの合計含有量が
１０原子％以下であるアルミニウム合金、 （１３）ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム
０．１〜１０原子％およびチタン０．１〜１０原子％を
含み、かつ、ハフニウムとチタンとマグネシウムの合計
含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、 （１４）ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム
０．１〜１０原子％およびクロム１０原子％以下とを含
み、かつ、ハフニウムとマグネシウムとクロムの合計含
有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、 （１５）ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム
０．１〜１０原子％、チタン０．１〜１０原子％および
クロム１０原子％以下とを含み、かつ、ハフニウムとマ
グネシウムとチタンとクロムの合計含有量が１５原子％
未満であるアルミニウム合金、 （１６）チタン０．１〜１０原子％、マグネシウム０．
１〜１０原子％およびクロム１０原子％以下とを含み、
かつ、チタンとマグネシウムとクロムとの合計含有量が
１５原子％以下であるアルミニウム合金、 （１７）ニッケルを０．１〜１０原子％含むアルミニウ
ム合金、 （１８）ニッケルを０．１〜１０原子％とクロムを２原
子％以下とを含むアルミニウム合金。
【００６９】上記のニッケル合金の例としては、以下の
ような合金が挙げられる。 （１）Ｎｉ−Ｃｒ系合金（たとえばＮｉ含有量３０〜９
９原子％、Ｃｒ含有量１〜７０原子％）、 （２）Ｎｉ−Ｓｉ系合金（たとえばＮｉ含有量８５原子
％、Ｓｉ含有量１０原子％、Ｃｕ含有量３原子％、Ａｌ
含有量２原子％）、 （３）Ｎｉ−Ｃｕ系合金（たとえばＮｉ含有量６３原子
％、Ｃｕ含有量２９〜３０原子％、Ｆｅ含有量０．９〜
２原子％、Ｓｉ含有量０．１〜４原子％、Ａｌ含有量０
〜２．７５原子％）、 （４）Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ系合金（たとえばＮｉ含有量６
０〜６５原子％、Ｍｏ含有量２５〜３５原子％、Ｆｅ含
有量５原子％）、 （５）Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ−Ｃｒ系合金（たとえばＮｉ含
有量５５〜６０原子％、Ｍｏ含有量１５〜２０原子％、
Ｆｅ含有量６原子％、Ｃｒ含有量１２〜１６原子％、Ｗ
含有量５原子％）、 （６）Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｕ系合金（たとえば
Ｎｉ含有量６０原子％、Ｍｏ含有量５原子％、Ｆｅ含有
量８原子％、Ｃｒ含有量２１原子％、Ｃｕ含有量３原子
％、Ｓｉ含有量１原子％、Ｍｎ含有量１原子％、Ｗ含有
量１原子％、あるいはＮｉ含有量４４〜４７原子％、Ｍ
ｏ含有量５．５〜７．５原子％、Ｃｒ含有量２１〜２３
原子％、Ｃｕ含有量０．１５原子％、Ｓｉ含有量１原子
％、Ｍｎ含有量１〜２原子％、Ｃｏ含有量２．５原子
％、Ｗ含有量１原子％、Ｎｂ含有量１．７〜２．５原子
％、残部Ｆｅ）、 （７）Ｎｉ−Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍｏ系合金（たとえばＮｉ含
有量５６〜５７原子％、Ｃｒ含有量２３〜２４原子％、
Ｃｕ含有量８原子％、Ｍｏ含有量４原子％、Ｗ含有量２
原子％、ＳｉまたはＭｎ含有量１原子％）、 （８）Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金（たとえばＮｉ含有量７
９．５原子％、Ｃｒ含有量１３原子％、Ｆｅ含有量６．
５原子％、Ｃｕ含有量０．２原子％、あるいはＮｉ含有
量３０〜３４原子％、Ｃｒ含有量１９〜２２原子％、Ｃ
ｕ含有量０．５原子％、Ｓｉ含有量１原子％、Ｍｎ含有
量１．５原子％、残部Ｆｅ）。
ような合金が挙げられる。 （１）Ｎｉ−Ｃｒ系合金（たとえばＮｉ含有量３０〜９
９原子％、Ｃｒ含有量１〜７０原子％）、 （２）Ｎｉ−Ｓｉ系合金（たとえばＮｉ含有量８５原子
％、Ｓｉ含有量１０原子％、Ｃｕ含有量３原子％、Ａｌ
含有量２原子％）、 （３）Ｎｉ−Ｃｕ系合金（たとえばＮｉ含有量６３原子
％、Ｃｕ含有量２９〜３０原子％、Ｆｅ含有量０．９〜
２原子％、Ｓｉ含有量０．１〜４原子％、Ａｌ含有量０
〜２．７５原子％）、 （４）Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ系合金（たとえばＮｉ含有量６
０〜６５原子％、Ｍｏ含有量２５〜３５原子％、Ｆｅ含
有量５原子％）、 （５）Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ−Ｃｒ系合金（たとえばＮｉ含
有量５５〜６０原子％、Ｍｏ含有量１５〜２０原子％、
Ｆｅ含有量６原子％、Ｃｒ含有量１２〜１６原子％、Ｗ
含有量５原子％）、 （６）Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｕ系合金（たとえば
Ｎｉ含有量６０原子％、Ｍｏ含有量５原子％、Ｆｅ含有
量８原子％、Ｃｒ含有量２１原子％、Ｃｕ含有量３原子
％、Ｓｉ含有量１原子％、Ｍｎ含有量１原子％、Ｗ含有
量１原子％、あるいはＮｉ含有量４４〜４７原子％、Ｍ
ｏ含有量５．５〜７．５原子％、Ｃｒ含有量２１〜２３
原子％、Ｃｕ含有量０．１５原子％、Ｓｉ含有量１原子
％、Ｍｎ含有量１〜２原子％、Ｃｏ含有量２．５原子
％、Ｗ含有量１原子％、Ｎｂ含有量１．７〜２．５原子
％、残部Ｆｅ）、 （７）Ｎｉ−Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍｏ系合金（たとえばＮｉ含
有量５６〜５７原子％、Ｃｒ含有量２３〜２４原子％、
Ｃｕ含有量８原子％、Ｍｏ含有量４原子％、Ｗ含有量２
原子％、ＳｉまたはＭｎ含有量１原子％）、 （８）Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金（たとえばＮｉ含有量７
９．５原子％、Ｃｒ含有量１３原子％、Ｆｅ含有量６．
５原子％、Ｃｕ含有量０．２原子％、あるいはＮｉ含有
量３０〜３４原子％、Ｃｒ含有量１９〜２２原子％、Ｃ
ｕ含有量０．５原子％、Ｓｉ含有量１原子％、Ｍｎ含有
量１．５原子％、残部Ｆｅ）。
【００７０】このような金属膜は、たとえば第２保護膜
上に上記元素の複合ターゲットまたはその合金ターゲッ
トを用い、スパッタリング法等によって成膜することが
できる。また上記のような金属膜は、それぞれの金属膜
を構成する金属以外に下記のような金属（元素）を１種
または２種以上含ませることもできる。
上に上記元素の複合ターゲットまたはその合金ターゲッ
トを用い、スパッタリング法等によって成膜することが
できる。また上記のような金属膜は、それぞれの金属膜
を構成する金属以外に下記のような金属（元素）を１種
または２種以上含ませることもできる。
【００７１】このような金属としては、たとえば、チタ
ン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、ク
ロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、
銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バナ
ジウム（Ｖ）等が挙げられ、このような他の金属は、通
常５原子％以下、好ましくは２原子％以下の量で含まれ
る。ただし、金属膜には、上記に例示するような金属
（元素）のうち、既に金属膜に含まれている金属（元
素）をさらに上記の量で重ねて含ませることはないもの
とする。たとえば、金属膜を構成するアルミニウム合金
が、上記したＡｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金等
である場合には、上記の金属（元素）のうちでチタン
（Ｔｉ）がさらに上記のような量で上記アルミニウム合
金中に含まれることはない。
ン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、ク
ロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、
銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バナ
ジウム（Ｖ）等が挙げられ、このような他の金属は、通
常５原子％以下、好ましくは２原子％以下の量で含まれ
る。ただし、金属膜には、上記に例示するような金属
（元素）のうち、既に金属膜に含まれている金属（元
素）をさらに上記の量で重ねて含ませることはないもの
とする。たとえば、金属膜を構成するアルミニウム合金
が、上記したＡｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金等
である場合には、上記の金属（元素）のうちでチタン
（Ｔｉ）がさらに上記のような量で上記アルミニウム合
金中に含まれることはない。
【００７２】このような金属膜の膜厚は、通常１００〜
５，０００オングストローム、好ましくは５００〜３，
０００オングストローム、より好ましくは７００〜２，
０００オングストローム程度である。本発明において、
アルミニウム合金からなる金属膜は、熱良伝導体として
の機能を果しており、この金属膜が存在することによっ
て光磁気記録膜に記録されたピットの中心部が記録レー
ザ光によって過度に高温になることが防止され、その結
果、記録パワーの線速依存性が小さくなると考えられ
る。
５，０００オングストローム、好ましくは５００〜３，
０００オングストローム、より好ましくは７００〜２，
０００オングストローム程度である。本発明において、
アルミニウム合金からなる金属膜は、熱良伝導体として
の機能を果しており、この金属膜が存在することによっ
て光磁気記録膜に記録されたピットの中心部が記録レー
ザ光によって過度に高温になることが防止され、その結
果、記録パワーの線速依存性が小さくなると考えられ
る。
【００７３】また、アルミニウム合金からなる金属膜
は、特に耐腐食性（耐酸化性）に優れているため、長期
間使用した後においても、記録媒体の線速依存性が小さ
いという特徴を有しており、光磁気記録膜に対する保護
作用にも優れている。オーバーコート膜 本発明に係る光磁気記録媒体では、図４に示すように、
金属膜５上にオーバーコート膜６が設けられていてもよ
い。
は、特に耐腐食性（耐酸化性）に優れているため、長期
間使用した後においても、記録媒体の線速依存性が小さ
いという特徴を有しており、光磁気記録膜に対する保護
作用にも優れている。オーバーコート膜 本発明に係る光磁気記録媒体では、図４に示すように、
金属膜５上にオーバーコート膜６が設けられていてもよ
い。
【００７４】オーバーコート膜としては、アクリル系紫
外線硬化樹脂等の紫外線硬化樹脂が好ましく用いられ
る。このようなオーバーコート膜は、紫外線硬化樹脂を
たとえばロールコート法、スピンコート法等によって金
属膜上に塗布することにより形成することができる。
外線硬化樹脂等の紫外線硬化樹脂が好ましく用いられ
る。このようなオーバーコート膜は、紫外線硬化樹脂を
たとえばロールコート法、スピンコート法等によって金
属膜上に塗布することにより形成することができる。
【００７５】このオーバーコート膜の膜厚は、好ましく
は１〜１００μｍ、特に好ましくは１〜５０μｍであ
る。オーバーコート膜を金属膜上に設けることによっ
て、長期間使用しても読み取りエラーが生じ難く、長期
信頼性に優れた光磁気記録媒体を得ることができる。
は１〜１００μｍ、特に好ましくは１〜５０μｍであ
る。オーバーコート膜を金属膜上に設けることによっ
て、長期間使用しても読み取りエラーが生じ難く、長期
信頼性に優れた光磁気記録媒体を得ることができる。
【００７６】
【発明の効果】本発明では、保護膜としてＳｉ、Ｇｅお
よびＮを特定の割合で含む膜を用いているので、スパッ
タ率が高く、スパッタレート（スパッタ速度）が大き
い。この保護膜は、従来の保護膜（Ｓｉ3Ｎ4）と比較し
て、スパッタ速度を上げることができ、保護膜の成膜性
が著しく優れているので、性能に優れた光磁気記録媒体
を生産性よく提供することができ、この保護膜は、Ｃ／
Ｎ比および反射率が良好である。
よびＮを特定の割合で含む膜を用いているので、スパッ
タ率が高く、スパッタレート（スパッタ速度）が大き
い。この保護膜は、従来の保護膜（Ｓｉ3Ｎ4）と比較し
て、スパッタ速度を上げることができ、保護膜の成膜性
が著しく優れているので、性能に優れた光磁気記録媒体
を生産性よく提供することができ、この保護膜は、Ｃ／
Ｎ比および反射率が良好である。
【００７７】また、本発明に係る光磁気記録媒体は、上
記のＳｉ、ＧｅおよびＮを特定の割合で含む膜を保護膜
として使用しているので、耐腐食性（耐酸化性）および
記録・再生特性に優れるとともに、長期の使用によって
も読み取りエラーが生じ難く、長期信頼性に優れてい
る。本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法によれば、
上記のような特性を有する光磁気記録媒体を得ることが
できる。
記のＳｉ、ＧｅおよびＮを特定の割合で含む膜を保護膜
として使用しているので、耐腐食性（耐酸化性）および
記録・再生特性に優れるとともに、長期の使用によって
も読み取りエラーが生じ難く、長期信頼性に優れてい
る。本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法によれば、
上記のような特性を有する光磁気記録媒体を得ることが
できる。
【００７８】以下、本発明を実施例により説明するが、
本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【００７９】
【実施例１】エチレンとテトラシクロ［４．４．０．１
2,5．１7,10］-３- ドデセンとを共重合させて得られる
非晶性の環状オレフィンランダム共重合体［13Ｃ−ＮＭ
Ｒ分析で測定したエチレン含量５９モル％、テトラシク
ロ［４．４．０．１2,5．１7 ,10］-３- ドデセン含量４
１モル％、１３５℃デカリン中で測定した極限粘度
［η］が０．４２ｄｌ／ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）１５４
℃］からなる基板（厚さ１．２ｍｍ）上に、スパッタリ
ング法で下記のようにして光磁気記録媒体を形成した。
2,5．１7,10］-３- ドデセンとを共重合させて得られる
非晶性の環状オレフィンランダム共重合体［13Ｃ−ＮＭ
Ｒ分析で測定したエチレン含量５９モル％、テトラシク
ロ［４．４．０．１2,5．１7 ,10］-３- ドデセン含量４
１モル％、１３５℃デカリン中で測定した極限粘度
［η］が０．４２ｄｌ／ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）１５４
℃］からなる基板（厚さ１．２ｍｍ）上に、スパッタリ
ング法で下記のようにして光磁気記録媒体を形成した。
【００８０】［前排気］上記基板をスパッタリング装置
の中に入れて真空排気を行ない、真空度が１×１０-7Ｔ
ｏｒｒ以下になるまで排気した。 ［第１保護膜の成膜］ボロンを１０ｐｐｍドープしたＳ
ｉ70Ｇｅ30の焼結ターゲットを用い、ＡｒガスおよびＮ
2 ガスを導入して圧力を２ｍＴｏｒｒに保って１．５ｋ
ＷのＤＣパワーでプラズマ放電を起こさせた。５分間の
プレスパッタの後、基板とターゲットの間にあるシャッ
ターを開いてスパッタリングを行ない、厚み１，１００
オングストロームの（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy 膜［ｘ＝
０．５０、ｙ＝０．５７］を形成した。この第１保護膜
の成膜時間は、７分１８秒であった。なお、この保護膜
のｎ（屈折率に対応する値）およびｋは、それぞれ２．
２、０．００５であり、波長８３０ｎｍの測定光に対す
る光学定数の実数部および虚数部の値を示している。
の中に入れて真空排気を行ない、真空度が１×１０-7Ｔ
ｏｒｒ以下になるまで排気した。 ［第１保護膜の成膜］ボロンを１０ｐｐｍドープしたＳ
ｉ70Ｇｅ30の焼結ターゲットを用い、ＡｒガスおよびＮ
2 ガスを導入して圧力を２ｍＴｏｒｒに保って１．５ｋ
ＷのＤＣパワーでプラズマ放電を起こさせた。５分間の
プレスパッタの後、基板とターゲットの間にあるシャッ
ターを開いてスパッタリングを行ない、厚み１，１００
オングストロームの（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy 膜［ｘ＝
０．５０、ｙ＝０．５７］を形成した。この第１保護膜
の成膜時間は、７分１８秒であった。なお、この保護膜
のｎ（屈折率に対応する値）およびｋは、それぞれ２．
２、０．００５であり、波長８３０ｎｍの測定光に対す
る光学定数の実数部および虚数部の値を示している。
【００８１】［光磁気記録膜の成膜］次に、Ａｒガスの
供給を一旦停止し、排気を行なって、１×１０-7Ｔｏｒ
ｒになったところで光磁気記録膜の成膜を行なった。す
なわちＴｂＦｅＣｏからなるターゲット上にＰｔチップ
を置いたところに、Ａｒガスを導入し圧力を３ｍＴｏｒ
ｒに保ってＤＣパワー１ｋＷを供給しプラズマ放電を起
こさせた。２分間プレスパッタの後、基板とターゲット
の間にあるシャッターを開いて４５秒間スパッタリング
を行ない、厚み３００オングストロームのＰｔ10Ｔｂ28
Ｆｅ60Ｃｏ2（原子％）の組成を有する光磁気記録膜を
成膜した。
供給を一旦停止し、排気を行なって、１×１０-7Ｔｏｒ
ｒになったところで光磁気記録膜の成膜を行なった。す
なわちＴｂＦｅＣｏからなるターゲット上にＰｔチップ
を置いたところに、Ａｒガスを導入し圧力を３ｍＴｏｒ
ｒに保ってＤＣパワー１ｋＷを供給しプラズマ放電を起
こさせた。２分間プレスパッタの後、基板とターゲット
の間にあるシャッターを開いて４５秒間スパッタリング
を行ない、厚み３００オングストロームのＰｔ10Ｔｂ28
Ｆｅ60Ｃｏ2（原子％）の組成を有する光磁気記録膜を
成膜した。
【００８２】［第２保護膜の成膜］ボロンを１０ｐｐｍ
ドープしたＳｉ70Ｇｅ30の焼結ターゲット（抵抗率約５
×１０-3Ω・ｃｍ）を用い、ＡｒガスおよびＮ2 ガスを
導入して圧力を２ｍＴｏｒｒに保って１．５ｋＷのＤＣ
パワーでプラズマ放電を起こさせた。５分間のプレスパ
ッタの後、基板とターゲットの間にあるシャッターを開
いて２分間スパッタリングを行ない、厚み３００オング
ストロームの（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy 膜［ｘ＝０．５
０、ｙ＝０．５７］を形成した。なお、この保護膜のｎ
（屈折率に対応する値）およびｋは、それぞれ２．２、
０．００５であり、波長８３０ｎｍの測定光に対する光
学定数の実数部および虚数部の値を示している。
ドープしたＳｉ70Ｇｅ30の焼結ターゲット（抵抗率約５
×１０-3Ω・ｃｍ）を用い、ＡｒガスおよびＮ2 ガスを
導入して圧力を２ｍＴｏｒｒに保って１．５ｋＷのＤＣ
パワーでプラズマ放電を起こさせた。５分間のプレスパ
ッタの後、基板とターゲットの間にあるシャッターを開
いて２分間スパッタリングを行ない、厚み３００オング
ストロームの（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy 膜［ｘ＝０．５
０、ｙ＝０．５７］を形成した。なお、この保護膜のｎ
（屈折率に対応する値）およびｋは、それぞれ２．２、
０．００５であり、波長８３０ｎｍの測定光に対する光
学定数の実数部および虚数部の値を示している。
【００８３】［金属膜の成膜］次に、Ａｒガスの供給を
一旦停止し、排気を行なって、１×１０-7Ｔｏｒｒにな
ったところで金属膜の成膜を行なった。すなわち、Ａｌ
からなるターゲット上にＴｉとＨｆチップを置いたとこ
ろに、Ａｒガスを導入し圧力を３ｍＴｏｒｒに保ってＤ
Ｃパワー１ｋＷを供給しプラズマ放電を起こさせた。２
分間プレスパッタの後、基板とターゲットの間にあるシ
ャッターを開いて４５秒間スパッタリングを行ない、厚
み１，０００オングストロームのＡｌ97Ｔｉ1Ｈｆ2（原
子％）の組成を有する金属膜を成膜した。
一旦停止し、排気を行なって、１×１０-7Ｔｏｒｒにな
ったところで金属膜の成膜を行なった。すなわち、Ａｌ
からなるターゲット上にＴｉとＨｆチップを置いたとこ
ろに、Ａｒガスを導入し圧力を３ｍＴｏｒｒに保ってＤ
Ｃパワー１ｋＷを供給しプラズマ放電を起こさせた。２
分間プレスパッタの後、基板とターゲットの間にあるシ
ャッターを開いて４５秒間スパッタリングを行ない、厚
み１，０００オングストロームのＡｌ97Ｔｉ1Ｈｆ2（原
子％）の組成を有する金属膜を成膜した。
【００８４】［オーバーコート膜の成膜］スパッタリン
グ装置から取り出した、成膜した基板上にアクリル系紫
外線硬化樹脂用組成物をスピンコーターで塗布し、ＵＶ
を照射し、厚み１０μｍのオーバーコート膜を形成し
た。上記のようにして得られた光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
比は、４８ｄＢであった。また、鏡面部の反射率Ｒは２
１．０％であった。
グ装置から取り出した、成膜した基板上にアクリル系紫
外線硬化樹脂用組成物をスピンコーターで塗布し、ＵＶ
を照射し、厚み１０μｍのオーバーコート膜を形成し
た。上記のようにして得られた光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
比は、４８ｄＢであった。また、鏡面部の反射率Ｒは２
１．０％であった。
【００８５】なお、Ｃ／Ｎ比は、半径３０ｍｍの光磁気
記録媒体を２，４００ｒｐｍで回転させ、回転している
光磁気記録媒体に基板側から書き込み光として波長８３
０ｎｍ、ビーム径１．５μｍおよび出力７．０ｍＷを有
する半導体レーザ光を記録周波数４．９３ＭＨｚ、デュ
ーティ２５％で照射して記録した情報について求めた。
記録媒体を２，４００ｒｐｍで回転させ、回転している
光磁気記録媒体に基板側から書き込み光として波長８３
０ｎｍ、ビーム径１．５μｍおよび出力７．０ｍＷを有
する半導体レーザ光を記録周波数４．９３ＭＨｚ、デュ
ーティ２５％で照射して記録した情報について求めた。
【００８６】
【実施例２、比較例１および比較例２】実施例１におい
て、それぞれ第１表に示した組成を有するターゲットお
よび成膜時間で第１保護膜を成膜した以外は、実施例１
と同様に行なった。その結果を第１表に示す。
て、それぞれ第１表に示した組成を有するターゲットお
よび成膜時間で第１保護膜を成膜した以外は、実施例１
と同様に行なった。その結果を第１表に示す。
【００８７】
【表１】
【図１】図１は、本発明に係る光磁気記録媒体の一実施
例を示す概略断面図である。
例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明に係る光磁気記録媒体の他の実
施例を示す概略断面図である。
施例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本発明に係る光磁気記録媒体の他の実
施例を示す概略断面図である。
施例を示す概略断面図である。
【図４】図４は、本発明に係る光磁気記録媒体の他の実
施例を示す概略断面図である。
施例を示す概略断面図である。
１０：光磁気記録媒体 １：基板 ２：保護膜または第１保護膜 ３：光磁気記録膜 ４：第２保護膜 ５：金属膜 ６：オーバーコート膜
Claims (10)
- 【請求項１】基板上に、少なくとも保護膜と光磁気記録
膜とを有する光磁気記録媒体であって、 該保護膜が、（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy ［ただし、ｘが
０．３０≦ｘ≦０．７０であり、ｙが０．４≦ｙ≦０．
８である］で表わされる組成を有することを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記保護膜の４００〜１２００ｎｍの範囲
における光学定数の実数部ｎが１．９以上であり、か
つ、虚数部ｋが０．０５以下であることを特徴とする請
求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】基板上に積層される光磁気記録膜と該光磁
気記録膜上に積層される金属膜とを有し、上記基板と光
磁気記録膜との間および上記光磁気記録膜と金属膜との
間の少なくともいずれか一方に保護膜が設けられている
光磁気記録媒体であって、 少なくとも一の保護膜が、（ＳｉxＧｅ1-x）1-y Ｎy
［ただし、ｘが０．３０≦ｘ≦０．７０であり、ｙが
０．４≦ｙ≦０．８である］で表わされる組成を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】前記保護膜の４００〜１２００ｎｍの範囲
における光学定数の実数部ｎが１．９以上であり、か
つ、虚数部ｋが０．０５以下であることを特徴とする請
求項３に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】前記光磁気記録膜が、３ｄ遷移元素から選
ばれる少なくとも１種の元素（ｉ）と、希土類元素から
選ばれる少なくとも１種の元素（ｉｉ）とからなる、膜
面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなる
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項６】前記光磁気記録膜が、３ｄ遷移元素から選
ばれる少なくとも１種の元素（ｉ）と、希土類元素から
選ばれる少なくとも１種の元素（ｉｉ）と、耐腐食性金
属（ｉｉｉ）とからなり、かつ、 該耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％である、膜面
に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなる請
求項１〜５のいずれかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】前記基板が、 エチレンと、下記の一般式［Ｉ］および／または［Ｉ
Ｉ］で表わされる環状オレフィンとのランダム共重合体
（Ａ）と、 下記の一般式［ＩＩＩ］で表わされる繰り返し単位を含
む重合体または共重合体（Ｂ）と、 下記の一般式［ＩＶ］で表わされる繰り返し単位を含む
重合体または共重合体（Ｃ）とからなる群から選ばれる
少なくとも一種の重合体または共重合体からなる請求項
１〜１０のいずれかに記載の光磁気記録媒体。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 （式［Ｉ］中、ｎは０または１であり、ｍは０または正
の整数であり、ｋは０または１であり、 Ｒ1 〜Ｒ18およびＲa 、Ｒb は、それぞれ独立に、水素
原子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選
ばれる原子もしくは基であり、 Ｒ15〜Ｒ18は、互いに結合して単環または多環を形成し
ていてもよく、かつ、該単環または多環が二重結合を有
していてもよく、また、Ｒ15とＲ16とで、またはＲ17と
Ｒ18とでアルキリデン基を形成していてもよい。式［Ｉ
Ｉ］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑおよびｒ
は、０、１または２であり、Ｒ1 〜Ｒ15はそれぞれ独立
に、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香
族炭化水素基、およびアルコキシ基からなる群から選ば
れる原子もしくは基であり、Ｒ5 （またはＲ6 ）とＲ9
（またはＲ7 ）とは、炭素原子数１〜３のアルキレン基
を介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直
接結合していてもよい。式［ＩＩＩ］および［ＩＶ］
中、ｎ、ｍ、ｋおよびＲ1 〜Ｒ18は、式［Ｉ］と同様の
意味である。） - 【請求項８】前記金属膜が、アルミニウム合金からなる
ことを特徴とする請求項３〜７のいずれかに記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項９】基板または記録膜上に、 ドーピング剤をドープしたＳｉの粉体と、ドーピング剤
をドープしたＧｅの粉体とを焼結して得られたＳｉＧｅ
ターゲット、またはＳｉとＧｅとの溶融混合物にドーピ
ング剤を添加して得られたＳｉＧｅターゲットを用いて
Ｎ2 との反応性マグネトロンスパッタ法で（ＳｉxＧｅ
1-x）1-y Ｎy［ただし、ｘが０．３０≦ｘ≦０．７０で
あり、ｙが０．４≦ｙ≦０．８である］で表わされる組
成を有する保護膜を形成する工程を含むことを特徴とす
る光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】前記それぞれの粉体にドープされるドー
ピング剤が、同一であっても、異なっていてもよく、
Ｂ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｌ、ＢｉおよびＧａからなる群
から選ばれる１または２以上のドーピング剤であること
を特徴とする請求項第９項に記載の光磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4404892A JPH05242539A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4404892A JPH05242539A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05242539A true JPH05242539A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12680732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4404892A Pending JPH05242539A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05242539A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426940A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4404892A patent/JPH05242539A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426940A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
| EP1426940A4 (en) * | 2001-09-12 | 2006-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND CORRESPONDING RECORDING METHOD |
| US7304930B2 (en) | 2001-09-12 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using the same |
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