JPH04117644A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、優れた耐酸化性および光磁気記録特性を有す
る光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、優れた耐酸
化性を有するとともに記録パワーマージンが広く、しか
も記録感度の線速依存性が小さく、かつＣ／Ｎ比が高い
ような優れた光磁気記録特性を有する光磁気記録媒体に
関する。

発明の技術的背景 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム’（Ｔｂ）
、カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金から
なる光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向
とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができるこ
とが知られている。この反転磁区の有無を「１」、ｒＯ
Ｊに対応させることによって、上記のような光磁気記録
膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭５７−２０６９１号公報に
１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気記録
膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を添
加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらにＴｂ
−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系などの光磁気記録膜も知
られている。

このようなＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記
録膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第
３の金属を添加する方法が種々試みられている。

このような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光磁気
記録媒体は、耐酸化性が充分ではなく、また記録感度の
向上も望まれていた。

さらにこのような光磁気記録媒体に情報を書込む際には
、記録パワーマージンが広く、シかも記録感度の線速依
存性が小さいことが望まれている。

ここで情報を書込む際の記録パワーマージンが広いとは
、光磁気記録媒体にレーザ光などによって情報を書込む
際に、書込み光としてのレーザ光のパワーが多少変化し
ても正確に光磁気記録媒体に情報を書込むことができる
ことを意味し、記録感度の線速依存性が小さいとは、光
磁気記録媒体にレーザ光などによって情報を書込む際に
、記録する位置の回転速度が変化しても書込み光として
のレーザ光の最適の記録パワーの変化のしかたが小さい
ことを意味している。

このように耐酸化性に優れ、しかもＣ／Ｎ比が高＜、か
つ記録パワーマージンが広く、その上記録感度の線速依
存性が小さいような光磁気記録媒体の出現が望まれてい
る。

本発明者らは、上記のような光磁気記録媒体を得るべく
鋭意検討したところ、基板上に、特定の第１保護膜と、
特定の光磁気記録膜と、特定の第２保護膜と、特定の金
属膜とをこの順序で積層してなる光磁気記録媒体が優れ
た緒特性を有していることを見出して、本発明を完成す
るに至った。

発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、耐酸化性に優れ、長期間使用
しても光磁気記録特性が低下することがなく、シかもＣ
／Ｎ比が高く、かつ記録パワーマージンが広く、その上
記録感度の線速依存性が小さいような光磁気記録媒体を
提供することを目的としている。

発明の概要 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に、第１保護膜
（第１エンハンス膜）、光磁気記録膜、第２保護膜（第
２エンハンス膜）および金属膜がこの順序で積層されて
なる光磁気記録媒体であって、 第１保護膜（第１エンハンス膜）および第２保護膜（第
２エンハンス膜）が、ＳｉＮｘからなり、光磁気記録膜
が、（ｉｉｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、（ｉｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉｉｉ）希土類か
ら選ばれる少なくとも１種の元素とからなり、前記耐腐
食性金属の含有量が５〜３０原子％である、膜面に垂直
な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなり、 金属膜が、アルミニウム合金からなることを特徴として
いる。

このような本発明に係る光磁気記録媒体は、上記のよう
な膜構成および膜組成を有しているため、耐酸化性に優
れており、長期間使用しても記録特性が低下することが
なく、シかもＣ／Ｎ比が高く、かつ記録パワーマージン
が広く、その上記録感度の線速依存性が小さい。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。

第１図は、本発明の一実施例に係る光磁気記録媒体の概
略断面図である。

本発明に係る光磁気記録媒体１は、基板２上に、第１保
護膜３、光磁気記録膜４、第２保護膜５および金属膜６
がこの順序で積層されている。

基　　　板 基板２は、透明基板であることが好ましく、具体的には
、ガラスあるいはアルミニウム等の無機材料の他に、ポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリカー
ボネートとポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許４
６１４７７８号明細書で示されるような非晶質ポリオレ
フィン、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹脂
、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエー
テルイミド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体
等の有機材料が使用できる。特に上記米国特許第４６１
４７７８号明細書に示されるような非晶質ポリオレフィ
ンが好ましい。

本発明では、保護膜との密着性に優れ、しかも複屈折率
が小さく、記録膜を酸化から保護しつるという観点から
、下記に示すような基板が特に好ましく用いられる。

好ましい基板２は、 （ａ）エチレンと、 （ｂ）下記式［Ｉコまたは［ＩＩ］ （式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数
であり、ｑは０または１であり、ＲＩ、Ｒ１８は、それ
ぞれ独立に、水素原子、）＼ロゲン原子または炭化水素
基であり、 Ｒ１５〜Ｒ１８およびＲＲ１１は、互いに結合して単環
または多環を形成していてもよく、かつ該単環またーは
多環は二重結合を有していてもよく、また、Ｒ１５とＲ
１６とで、またはＲＩ７とＲ１８とでアキリデン基を形
成していてもよい。）［式中、ｌは０または１以上の整
数であり、ｍおよびｎは、０．１または２であり、Ｒ１
−Ｒ１５はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂
肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基またはアルコキシ基
であり、Ｒ５（またはＲ６）とＲ９（またはＲ７）とは
、炭素数１〜３のアルキレン基を介して結合していても
よく、また何の基も介さずに直接結合していてもよい。

］ で表わされる不飽和単量体からなる群から選ばれた少な
くとも１種の環状オレフィン との共重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定し
た極限粘度［η］が０．０５〜１０ｄ！／ｇの範囲にあ
る環状オレフィン系ランダム共重合体からなっている。

なお、上記式［Ｉ］において、ｑがＯの場合は、ｑを用
いて表される環は五員環を形成し、この場合　　　　　
　環状オレフィンは、下記の式で表わされる。

（式中・、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整
数であって、 Ｒ−Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素原子、ハ０ゲン原
子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしく
は基を表し、 Ｒ１５〜ＲＩｌｌは、互いに結合した単環または多環を
形成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合
を有していてもよく、 また、ＲＩｓとＲ１６とで、またはＲＩ７とＲ１１ｌと
でアルキリデン基を形成していてもよい）。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体のうち、
軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン
系ランダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共
重合体［Ａ］　という）が好ましく用いられる。この環
状オレフィン系ランダム系共重合体［Ａ］は一般式［１
］または［ＩＩ］で示される環状オレフィン類と、エチ
レンとを、炭化水素混合溶媒中あるいは上記環状オレフ
ィンからなる液相中で、該溶媒に可溶性のバナジウム化
合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒の存在下
に共重合させることより製造することができる。

（以下余白） 本発明で用いられる上記式［Ｉ］で示される環状オレフ
ィンとして（戴具体的には、以下のような化合物が挙げ
られる。

参 考 （構造式） 以下にこのような化合物の具体的な例を示す。

（以下余白） などのようなビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン
誘導体：しｔｉ３ などのテトラシクロ［４，４，０，１’１．１’１６］ ドデセン誘導体； などのヘキサシクロ ［６，６，１，Ｂ　“、１１０ 、Ｏｔ　７ ＋４］ ヘプタデセン誘導体。

オクタシクロ などのオクタシクロ［８，８，０，１”９　Ｍ、？、１
１１・１婁Ｉ′！・ｌ＠、ＯＬ＃、０１！・ＩＪ−５−
トコセン誘導体；しＨｌ −４−へ干ブアでン などのペンタシクロ［６，６，１，１’・１．０！・７
．０１・１４］−４−へキサデセン誘導体； などのヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体あるいはへ
ブタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体；などのトリシ
クロ［４，３，０，１”　］−］３−デセン誘導体など
のトリシクロ［４，４，０，１”］ウンデセン誘導体； などのペンタシクロ［６，５，１，１”　、０”・？、
０１．＋１］４−ペンタデセン誘導体； なとのジエン化合物； などのペンタシクロ［７，４，Ｏ，１″・Ｓ、ｌ＠、１
！、ＱＩ・１″］３−ペンタデセン誘導体； などのヘプタシクロ［８，７，０，１”−’　、１”０
霊・７　、ｏ”　＋４］−４−１−イ：Ｉｔ？：／ｉｌ
［体；、１１１・１ｓ などのノナシクロ［１０，９，１，！’・ＪＩ！・＊＠
　、　Ｉ　ＩＩ・１０１．０口・ｏ１口１，０１目１１
−５−ベンタコセン誘導体；などのペンタシクロ［８，
４，０，１目、Ｉ　Ｉｌｔ、　Ｏ”・１月−３−ヘキサ
デセン誘導体；ヘプタシクロ ■ −５−ヘンエイコセン なとのへブタシクロ［８，８，０，＋４．Ｊｌｌｌ、１
１！・１．０１・−０Ｌ１・＋１］ヘンエイコセン誘導
体； などのノナシクロ［１０，１０，１，Ｉ”、　ｌ′４・
！Ｊ１″・Ｉｌ、０！・１０４、＊、□Ｈ１，０ ｓ！６］ ５−へキサコセン誘導体； そしてさらには、 を挙げることができる。

（以下余白） 上記式［Ｉｌで示される環状オレフィンは、シクロペン
タジェン類と対応するオレフィン類とをディールス・ア
ルダ−反応させることにより容易に製造することができ
る。

この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］は、上記
のようにエチレンおよび前記環状オレフィンを必須成分
とするものであるが、該必須の二成分の他に本発明の目
的を損なわない範囲で、°必要に応じて他の共重合可能
な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に共重
合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的には
、たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン成分
単位と等モル未満の範囲のプロピレン、Ｉ−ブテン、４
−メチル−１−ペンテン、■−ヘキセン、１−オクテン
、ｌ−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、ｌ−
へキサデセン、Ｉ−オクタデセン、１−エイコセンなど
の炭素原子数が３〜２０のα−オレフィンなどを例示す
ることができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
では、エチレンに由来する繰り返し単位（１）は、４０
〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で存
在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し
単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５０
モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り
返し単位（１）および該環状オレフィンに由来する繰り
返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列してい
る。なお、エチレン組成および環状オレフィン組成は１
３Ｃ−ＮＭＲによって測定した。この環状オレフィン系
ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造
を有していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリ
ン中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ηコは、０
．０５〜１０ｄ／／ｇ、好ましくは０．０８〜５　ｄ　
ｌ　／　ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃以上、好ましくは９０〜２５０℃、さ
らに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。なお軟
化温度（Ｔ　Ｍ−Ａ　）は、デュポン社製Ｔｈｅ＋ｍｏ
ｍｅｃｈｔｎｉｃｘｌ　Ａｎｘ１７ｘｅｒを用いて１謹
厚さシートの熱変形挙動により測定した。すなわちシー
ト上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で
昇温していき、針が０．６３５ｍ侵入した温度をＴＭＡ
とした。また、該環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａ］のガラス転移温度（Ｔｇ）は、通常５０〜２３０℃
、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望まし
い。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくはＯ〜７に、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明では、また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
］に、エチレンと、上記式［Ｉ］または［ＩＩ］で表わ
される環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃
のデカリン中で測定した極限粘度［ηコが０，０１〜５
ｄＡ’／ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃
未満である環状オレフィン系ランダム共重合体（以下環
状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］　という）を配
合してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物か
ら基板を形成することが特に好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］では、エチレンに
由来する繰り返し単位（藁）は、６０〜９８モル％、好
ましくは６０〜９５モル％の範囲で存在しており、また
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２〜
４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で存在し
ており、エチレンに由来する繰り返し単位（１）および
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂｌ　は、
ランダムに実質上線状に配列している。なお、エチレン
組成および環状オレフィン組成は＋３０−ＮＭＲによっ
て測定した。この環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していな
いことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に
溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η〕は、０
．０１〜５　ｄ　Ｉ　／　ｇ好ましくは０．０５〜５　
ｄｌ　７ｇ、さらに好ましくは０．０８−３　ｄｌ　７
ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃未満、好ましくは一１０〜６０℃、さ
らに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さらに、該
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラス転移
温度（Ｔｇ）は、通常−３０〜６０℃、好ましくは一２
０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体組成物を用いる場合には、該環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン系ランダム共
重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．１ないし１００／
１０、好ましくは１００１０．３ないし１００／７、と
くに好ましくは１００１０．５ないし１００１５の範囲
であることが望ましい。［Ｂ］酸成分この範囲で［Ａ］
酸成分配合することによって、基板自体の優れた透明性
と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる光記録膜
との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合に
比べさらに向上するという効果があり、［Δ］と［Ｂ］
のブレンドよりなるこの上記の環状オレフィンランダム
共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用いる保護膜
との優れた密着性は高温、高湿条件下放置後においてさ
えも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］は、特開昭６０−１６８７０
８号公報、特開昭６１−１２０８１６号公報、特開昭６
１−１１５９１２号公報、特開昭６１−１１５９１６号
公報、特願昭６１−９５９０５号公報、特願昭６１−９
５９０６号公報、特開昭６１−２７１３０！１号公報、
特開昭６］−２７２２１６号公報などにおいて本出願人
が提案した方法に従い適宜条件を選択することにより、
製造することができる。

また、基板を形成する樹脂として、上記のような環状オ
レフィンランダム共重合体と共に、上述の式［Ｎで表わ
される環状オレフィンが開環重合することにより形成さ
れる次式［１１１］で表わされる繰り返し単位を含む重
合体もしくは共重合体を用いることもでき、さらに上記
式［１［Ｉ］で表わされる繰り返し単位を水添すること
により形成される次式［ＩＶ］で示すような繰り返し単
位を含む重合体あるいは共重合体を用いることもできる
。

ただし、上記式［１１ｒ］および［ＩＶ］において、ｍ
ｚ　ｎ　ｓ　ＱおよびＲ１−Ｒ１８ならびにＲおよびＲ
ｂは、前記式［Ｉ］で示される環状オレフィンにおける
ｍ、ｎ、ｑおよびＲ１−Ｒ１８ならびにＲ１およびＲｈ
と同じ意味である。

また上記の環状オレフィン共重合体には、必要に応じ、
耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、ア
ンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然
油、合成油、ワックスなどを配合することができ、その
配合割合は適宜量である。たとえば、任意成分として配
合される安定剤として、具体的には、テトラキス［メチ
レン−３（３，５−ジー１−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネートコメタン、β−（３，５−シー
トブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸アル
キルエステル（特に炭素数１８以下のアルキルエステル
が好ましい）、２．２’−オキザミドビス［エチル−３
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネートなどのフェノール系酸化防止剤、ステア
リン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、Ｉ２−ヒドロキ
システアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グリセ
リンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、グ
リセリンジステアレート、ペンタエリスリトールモノス
テアレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペ
ンタエリスリトールトリステアレート等の多価アルコー
ル脂肪酸エステルなどを挙げることができる。これらは
単独で配合してもよいが、組合わせて配合してもよく、
たとえばテトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメ
タンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノステアレ
ートとの組合せ等を例示することができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組合せて用いることが好
ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価以上
の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエステ
ル化された多価アルコール脂肪酸エステルであることが
好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的には、グリセリンモノステアレート、グリセリン
モノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリセ
リンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、グ
リセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル、
ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリス
リトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジステ
アレート、ペンタエリスリトールジラウレート、ペンタ
エリスリトールジステアレート等のペンタエリスリトー
ルの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、環状オレフィン
系ランダム共重合体組成物１００重量部に対して０〜１
０重量部好ましくは０．０１〜１０重量部さらに好まし
くは０．０５〜３重量部特に好ましくは０．１〜１重量
部の量で用いられ、また多価アルコールの脂肪酸エステ
ルは該組成物１００重量部に対して０〜１０重量部好ま
しくは０．０１〜１０重量部さらに好ましくは０．０５
〜３重量部の量で用いられる。

また、本発明の光磁気記録媒体の基板には、本発明の目
的および透明性を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土
、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、
軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウ
ム、塩基性炭酸マグネシウム、ドロマイト、硫酸カルシ
ウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシ
ウム、タルク、クレー、マイカ、アスベスト、ガラス繊
維、ガラスフレーク、ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム
、モンモリナイト、ベントナイト、グラファイト、アル
ミニウム粉、硫化モリブデン、ボロン繊維、炭化ケイ素
繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエ
ステル繊維、ポリアミド繊維等の充填剤を配合してもよ
い。

本発明に係る光記録媒体では、基板として、上記のよう
な環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］または該環
状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］を含む組成物が
用いられる場合には、基板と記録層積層体特に保護膜と
は密着性に優れており、したがって本発明の記録層積層
体は長期安定性に優れるとともに記録膜の酸化が効果的
に防止される。したがってこの環状オレフィン系ランダ
ム共重合体または該共重合体を含む組成物からなる基板
上に第１保護膜、記録膜、第２保護膜、アルミニウム合
金膜を積層してなる光記録媒体は、耐久性および長期安
定性にも優れている。また本発明に係る光記録媒体は割
れが生ずることがない。

また上記のような基板は、高湿雰囲気下での反りが比較
的小さいという利点もある。

このよ−うな基板２の厚みは特に限定されないが、好ま
しくは０．５〜５＋＋ｍ特に好ましくは１〜２閣である
。

保　　護　　膜 本発明に係る光磁気記録媒体１で用いられる第１保護膜
３および第２保護膜５は、ＳｉＮｘで示される組成の膜
から形成されており、５ｊＮｘ膜としては、たとえば窒
化ケイ素膜または窒化ケイ素含有膜が例示できる。

ＳｉＮｘで示される保護膜では、原子比で表わした場合
に０＜ｘ≦５／３特にＯ＜ｘ≦４／３であることが好ま
しく、具体的には、５ｉ３Ｎ４（四窒化三ケイ素）など
の窒化ケイ素膜あるいはＱ　＜　ｘ　＜　４　／　３と
なるようにＳｉ３Ｎ４とＳｔとを混合した混合膜が特に
好ましく用いられる。このようなＳｉＮｘで示される保
護膜は、たとえばターゲットとして、Ｓｔ　　Ｎ　　ま
たはＳ　ｉ３Ｎ　４と８１とを用いて、スパッタリング
法により成膜することができる。またＳｉを含窒素雰囲
気中（たとえばＡｒ／Ｎ）などでスパッタリングするこ
とによって成膜することもできる。このようなＳｉＮｘ
からなる第１保護膜３および第２保護膜５は、通常１，
８以上好ましくは１．８〜２．２の屈折率を有している
ことが望ましく、後述する光磁気記録膜４を酸化などか
ら保護する働きあるいは光磁気記録膜４の記録特性を高
めるエンハンス膜としての働きあるいはその両方の働き
をしている。またＳｉＮｘ　（０＜Ｘ≦４／３）からな
る第１保護膜３および第２保護膜５は、特に耐クラツク
性に優れている。

本発明の光磁気記録媒体では、基板上に第１保護膜、特
定の光磁気記録膜、第２保護膜、アルミニウム合金から
なる金属膜を積層した４層構成とし、かつ第１保護膜と
第２保護膜として５ｊＮｘを用いているため、広い記録
パワーマージンを得ることができるとともに線速依存性
も小さくなる。

本発明において、第１保護膜３の膜厚は４００〜２００
０人好ましくは７００〜１５００人であり、第２保護膜
５の膜厚は、５０〜１０００人好ましくは５０〜７００
人さら１こ好ましくは１００〜４０〇−人程度である。

本発明においては、保護膜の膜厚を上記のような範囲に
することによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワーマ
ージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

また第１保護膜の膜厚を上記のような範囲にすることに
よって、光磁気記録媒体の見かけのθｋを大きくするこ
とができる。さらに第２保護膜の膜厚を上記のような範
囲にすることによって、光磁気記録媒体は優れたＣ／Ｎ
比を保ったまま広い記録パワーマージンを有することが
できる。

光磁気記録膜 光磁気記録膜４は、（ｉｉｉ）３ｄ遷移金属から選ばれ
る少なくとも１種と、（ｉｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉ
ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とから
なっている。

（ｉｉｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ５Ｔｉ。

■、Ｃｒ　ＳＭ　ｎ　％　Ｎ　Ｉ　１Ｃｕ　％　Ｚ　ｎ
などが用いられるが、このうちＦｅまたはＣｏあるいは
この両者であることが好ましい。

この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜４中に好ましくは２
０〜９０原子％より好ましくは３０〜８５原子％とくに
好ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。

（ｉｉｉ）耐腐食性金属は、光磁気記録膜４に含ませる
ことによって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めるこ
とができる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ５
Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるが、こ
のうちＰｔ、Ｐｄ５Ｔｉが好ましくとくにｐｔまたはＰ
ｄあるいはこの両者であることが好ましい。

この耐腐食性金属は、光磁気記録膜４中に、該記録膜の
全原子数を基準として、５〜３０原子％好ましくは５〜
２５原子％、とくには１０〜２５原子％さらに好ましく
は１０〜２０原子％の量で存在している。

上記のような量で耐腐食性金属を光磁気記録膜中に存在
させると、得られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には
改善され、経時的に保磁力Ｈｃが大きく変化したりある
いはカー回転角θｋが減少したりす−ることがない。ま
た、３０原子％を超えて存在する場合には、得られる非
晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下となる傾向が生ず
る。

光磁気記録膜４は、上記（ｉｉｉ）および（ｉｉｉ）に
加えて、（ｉｉｉ）希土類元素から選ばれた少なくとも
１種の元素を含んで構成されている。

（ｉｉｉ）希土類元素としては、たとえばＧｄ、Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ。

Ｌｕ５Ｌａ、Ｃｅ５ＰｒＳＮｄ、Ｐｍ１５ｍ。

Ｅｕが挙げられる。

このうちＧ　ｄ　ＳＴ　ｂ　ＳＤ　ｙ　１Ｈｏ、Ｎｄ５
５ｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素は、光磁気記録膜゛奮′中に、好ましくは５〜５０原
子％さらに好ましくは８〜４５原子％とくに好ましくは
１０〜４０原子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜４が、特に、下記に記載する
ような組成を有することが好ましい。

（ｉｉｉ）３ｄ遷移元素 本発明において光磁気記録膜中には、（ｉｉｉ）３ｄ遷
移元素として、好ましくはＦｅまたはＣＯあるいはこの
両者が含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏは、４０
原子％以上８０原子％以下好ましくは４０原子％以上７
５原子％未満さらに好ましくは４０原子％以上５９原子
％以下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ
）比［原子比コが０以上０．３以下好ましくは０以上０
．２以下さらに好ましくは０．０１以上０．２以下であ
るような量で、光磁気記録膜中に存在していることが望
ましい。

Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０原子％以上で８０原
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優れ、かつ膜面に
垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られ
るという利点を有する。

ところで光磁気記録膜中に、ＣＯを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認められ、その
結果、Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を
調整することができ、しかもＣＯの添加により、再生信
号のキャリアレベルを増加することができる。本発明に
係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比の点か
らＣｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］は０以上０．３以
下好ましくは０以上０．２以下さらに好ましくは０．０
１以上０，２以下であることが望ましい。

このような本発明に用いる光磁気記録膜は、記録および
消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずることはない
。たとえば本発明においてＰ　ｔ　１３Ｔ　ｂ　２８Ｆ
　ｅ　５０ＣＯ９なる組成（原子％）を有する光磁気記
録膜を用いた場合、１０Ｔ回の記録および消去を縁り返
し行なってもＣ／Ｎ比の低下は認められない。

（ｉｉｉ）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中には、（ｉｉｉ）耐腐食
性金属として、好ましくはｐｔまたはＰｄあるいはこの
両者が含まれており、Ｐｔおよび／またはＰｄは、光磁
気記録膜中に５〜３０原子％、好ましくは１０原子％を
超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０原子％を
超えて２０原子％未満、最も好ましくは１１原子％以上
１９原子％以下の量で存在していることが望ましい。

光磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰｄの量が５原子
％以上特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記録
膜の耐酸化性に優れ、長期間使用しても孔食が発生せず
、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。

たとえばＰ　ｔ　１３Ｔ　ｂ　２８Ｆ　ｅ　ｓｏＣＯｇ
　　（原子％）あるいはＰ　ｄ　１２Ｔ　ｂ　２８Ｆ　
ｅ　５７ＣＯ３（原子％）で示される組成を有する光磁
気記録膜を有する本発明の光磁気記録媒体は、相対湿度
８５％、８０℃の環境下に１０００時間保持しても、Ｃ
／Ｎ比は全く変化しない。

また光磁気記録膜中にｐｔおよび／またはＰｄを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読出す際に、小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／’Ｎ比が得られると、バイ
アス磁界発生用のマグネットを小さくすることができ、
しかもマグネットからの発熱も押えることができるため
、光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡
素化することができる。しかも小さなバイアス磁界で充
分に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバーライド可
能な磁界変調記録用のマグネットの設計も容易となる。

（ｉｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素としては、Ｎｄ、Ｓｍ
、Ｐｒ５Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ１Ｔｂ。

ＤｙまたはＨｏが用いられる。

これらの中では、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ。

ｐｙが好ましく用いられ、特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ十Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［原子比］をＸで表わした場合に、０．１５≦Ｘ
≦０．４５好ましくは０．２０≦Ｘ≦０，４であるよう
な量で光磁気記録膜中に存在していることが望ましい。

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｃや
カー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素は、記録膜を構成する全原子数に
対してたとえば１０原子％未満の割合で用いることがで
きる。

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。

（Ｉ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｊ、ＶＳＣｒ、Ｍｎ１ＮｉＳＣｕ
ＳＺｎが用いられる。

これらのうち、Ｔ　１ＳＮｉＳＣｕ、Ｚｎなどが好まし
く用いられる。

（ＩＩ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、ＹＳＺｒ、ＮｂＳＭｏ、Ｔｃ。

Ｒｕ、ＲｈＳＡｇ、Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ。

Ｉ　ｒ、ＡｕＳＨｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ＩＶ）ＩｌｒＢ族元素 具体的には、Ｂ５Ａｌ５Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩが用いられる
。

このうちＢ、ＡＡ’、Ｇａが好ましく用いられる。

（Ｖ）ＴＶＢＶＢ族 元素的には、Ｃ，Ｓ　ｉ、Ｇｅ５Ｓｎ、Ｐｂが用いられ
る。

このうち、Ｓ　ｉ、Ｇｅ、５ｎＳＰｂが好ましく用いら
れる。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ　ｉが用いられる
。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＴＢ族元素 具体的には、５Ｓ３６．Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜４は、膜面に垂
直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良
好な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な
非晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回折などにより確か
められる。

なお本明細書において、カー−ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに、）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θｋ　）との比θ
に２／θｋｌが０．８以上であることを意味している。

この光磁気記録膜４の膜厚は１００〜６００人好ましく
は１００〜４００人より好ましくは１５０〜３５０人程
度である。

金　　属　　膜 本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のような第２
保護膜５上に、金属膜６が設けられている。

本発明・では、金属膜６は、アルミニウム合金からなっ
ている。このアルミニウム合金は、アルミニウムと、ア
ルミニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成さ
れている。

このような金属膜６を構成するアルミニウム合金として
は、具体的には以下のようなものが例示できる。なお下
記のアルミニウム合金において、各金属の含有量は該ア
ルミニウム合金を構成する全原子数に対する原子％であ
る。

Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子％）、 ＡＪ−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）、 ＡＩ−Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＩ　
−Ｔ　ｉ合金（Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％、
Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、ＡＪ−Ｔｉ−Ｈｆ合金
（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１
０原子％）、Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０．１
〜５原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ７！
−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、Ｔｉ
含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ１−Ｃｒ−Ｚｒ合金
（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、Ｚｒ含有量０．１〜１
０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１
〜５原子％、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、ＡＩ−Ｎ
＋金合金Ｎｉ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％
、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｒ
合金（Ｍｇ含有量０，１〜１０原子％、Ｃｒ含有量０．
１〜１０原子％）、ＡＩ　−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有
量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％
）、ＡＡ’−Ｓｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０原子％
）、 ＡＩ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、 ＡＡ’−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％）、 ＡＩ−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％
、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−８ｔ合金（
Ｓｉ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ａｇ合金（Ａｇ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｐｔ合金（ｐｔ含有量０．１〜１０原子％）。

これらの金属膜を構成するアルミニウム合金のうち、特
に以下のようなものが、光磁気記録媒体の線速依存性を
小さくし、かつ耐腐食性に優れているので好ましい。

ハフニウム０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金
、 ニオブ０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金、 チタン０．５〜５原子％とハフニウム０．５〜５原子％
を含み、チタンとハフニウムの合計含有量が１〜５，５
原子％であるアルミニウム合金、クロム０．１〜５原子
％とチタン０．１〜９゜５原子％を含み、クロムとチタ
ンの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム合
金、マグネシウム０．１〜１０原子％とクロム０．１〜
１０原子％を含み、マグネシウムとクロムの合計含有量
が１５原子％以下であるアルミニウム合金、 クロム０．１〜５原子％とハフニウム０．１〜９．５原
子％を含み、クロムとハフニウムの合計含有量が１０原
子％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム０．１
〜１０原子％とハフニウム０．１〜１０原子％を含み、
マグネシウムとハフニウムの合計含有量が１５原子％以
下であるアルミニウム合金、 クロム０．１〜５原子％とジルコニウム０．１〜９．５
原子％を含み、クロムとジルコニウムの合計含有量が１
０原子％以下であるアルミニウム合金、 タンタル０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜１０
原子％とを含み、タンタルとハフニウムの合計含有量が
１５原子％以下であるアルミニウム合金、 チタン０．５〜５原子％とニオブ０，５〜５原子％を含
み、チタンとニオブの合計含有量が１〜５．５原子％で
あるアルミニウム合金、マグネシウム０，１〜１０原子
％とチタン０．１〜１０原子％を含み、マグネシウムと
チタンの合計含有量が１５原子％以下であるアルミニウ
ム合金。

ハウニウム０．１〜９．５原子％、クロム０．１〜５原
子％およびチタン０，１〜９．５原子％を含み、ハフニ
ウムとクロムとチタンとの合計含有量が１０原子％以下
であるアルミニウム合金。

ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜
１０原子％およびチタン０．１〜１０原子％を含み、ハ
フニウムとクロムとマグネシウムとの合計含有量が１５
原子％以下であるアルミニウム合金。

ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜
１０原子％およびクロム１０原子％以下とを含み、ハフ
ニウムとマグネシウムとクロムの合計含有量が１５原子
％以下であるアルミニウム合金。

ハフニウム０．１〜１０原子％、マグネシウム０．１〜
１０原子％、チタン０，１〜１０原子％およびクロム１
０原子％以下とを含み、ハフニウムとマグネシウムとチ
タンとクロムとの合計含有量が１５原子％未満であるア
ルミニウム合金。

チタン０．１〜１０原子％、マグネシウム°０．１〜１
０原子％およびクロム１０原子％以下とを含み、チタン
とマグネシウムとクロムとの合計含有量が１５原子％以
下であるアルミニウム合金。

ニッケルを０．１〜１０原子％含むアルミニウム合金。

ニッケルを０．１〜１０原子％、クロムを２原子％以下
で含むアルミニウム合金。

このような金属膜６はたとえば第２保護膜上に上記元素
の複合ターゲットまたはその合金ターゲットを用い、ス
パッタリング法等によって成膜することができる。

また上記のような金属膜６は、それぞれの金属膜６を構
成する金属以外に下記のような金属（元素）を１種また
は２種以上含ませることもできる。

このような金属としては、たとえば、チタン（Ｔｉ）　
、ハフニウム（ｌ（＋）　、ニオブ（Ｎｂ）　、クロム
（Ｃ＋）、シリコン（Ｓｉ）　、タンタル（Ｔり、銅（
Ｃｕ）　、タングステン（Ｗ）、ジコルニウム（Ｚｒ）
、マンガン（Ｍｎ）　、マグネシウム（Ｍｇ）、バナジ
ウム（Ｖ）などが挙げられ、このような他の金属は通常
５原子％以下好ましくは２原子％以下の量で含まれる。

（ただし、金属膜６には、上記に例示するような金属（
元素）のうち、既に金属膜６に含まれている金属（元素
）をさらに上記の量で重ねて含ませることはないものと
する。たとえば、金属膜６を構成するアルミニウム合金
が、上記したＡＩ　−Ｔ　ｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合
金等である場合には、上記の金属（元素）のうちでチタ
ン（Ｔｉ）がさらに上記のような量で上記アルミニウム
合金中に含まれることはない。）このような金属膜６の
膜厚は、１００〜５０００人好ましくは５００〜３００
０人さら；こ好ましくは７００〜２０００人程度である
ことが望ましい。

本発明において、アルミニウム合金からなる金属層は、
熱良伝導体層としての機能を果しており、この金属層が
存在することによって記録層に記録されたピットの中心
部が記録レーザ光によって過度に高温になることが防止
され、その結果、記録パワーの線速依存性が小さくなる
と考えられる。

また本発明における金属層は、耐腐食性に優れているた
め、長期間使用した後においても、記録媒体の線速依存
性が小さいという特徴を有しており、記録層に対する保
護作用にも優れている。

上記のような第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜お
よび金属膜は、基板上に、スパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法、真空蒸着法、イオンブレーティング法などの
従来公知の方法によ゛って成膜することができる。

また本発明では金属膜の上にオーバーコートを施しても
よい。オーバーコート剤としては、紫外線硬化樹脂、例
えばアクリル型紫外線硬化樹脂が用いられ、通常、１〜
１００μｍ程度の膜厚にコートされる。また、保護膜と
は反対側の基板上にトップコートを施してもよい。

発明の効果 上記のような本発明に係る光磁気記録媒体は、特定の膜
構成および膜組成を有しているため、耐酸化性に優れ、
長期間使用しても光磁気記録特性が低下することがなく
、しかもＣ／Ｎ比が高く、かつ記録パワーマージンが広
く、その上記緑感度の線速依存性が小さい。また本発明
に係る光磁気記録媒体は、特定の４層構造（すなわち基
板上に特定の第１保護膜／特定の記録膜／特定の第２保
護膜／金属膜を積層した構造）をとり、第１保護膜、第
２保護膜として５ｊＮｘを用い、さらに金属膜としてア
ルミニウム合金膜を用いているので、記録パワーマージ
ンが広い。さらに本発明に係る光磁気記録媒体では、ア
ルミニウム合金からなる金属膜を有しているので、記録
感度の線速依存性が小さい。

なお、本明細書において、最適記録パワーとはｆ＝ＩＭ
Ｈｚ、ｄｕｔｙ　　５０％の書込み信号に対して再生信
号の２次高調波が最小となる記録パワーのことを表わし
、線速による最適記録パワーの差が小さい程線速依存性
が小さい。

以下本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

以下の実施例において、光磁気記録膜および金属膜の組
成は、原子％である。

実施例１ エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４
，４＆５８以下ＤＭＯＮと略記する）とを共重合させて
得られる非品性の環状オレフィンランダム共重合体ｃ１
３ｃｍＮＭＲ分析で測定したエチレン含量５９モル％、
ＤＭＯＮ含量４１モル％、１３５℃デカリン中で測定し
た極限粘度［η］が０．　４２　ｄｊ！　７ｇ、軟化温
度（ＴＭＡ）１５４℃］からなる非晶質ポリオレフィン
製基板（厚さ１．２ｍｍ）上に、Ｓ　Ｉ　３　Ｎ　４タ
ーゲツトを用いて、スパッタリング法により第１保護膜
としてのＳｉ３Ｎ、膜を１０００人の膜厚で被着させた
。

この５ｔ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣＯとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰｔ　Ｔ
ｂ２９Ｆｅ５８Ｃｏ４の組成を有する記録膜を２７０人
の膜厚で被着させた。

さらにこのＰ　Ｌ　９　Ｔ　ｂ　２９Ｆ　ｅ　ｓｓＣＯ
４膜上に、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを用いて、スパッタリ
ング法により第２保護膜としての５１３Ｎ４膜を１６０
人の膜厚で被着させた。

次にこの５ｊ３Ｎ４膜上に、Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆの複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＡ
７９６Ｃｒ２Ｈｆ２の組成を有するアルミニウム合金膜
を１８００人の膜厚で被着させた。

なお本発明においては、このようにして得られた光磁気
記録媒体の特性を、下記のようにして測定した。

最適記録パワー：記録周波数ＩＭ）Ｉｚ、デユーティ−
比（ＤＩｌｌＨ比）５０％で記録し、再生レーザーパワ
ー１ｍＷで線速 ５．７ｍ／秒（ｓｅｃｏｎｄ）　、１１．　３ｍ／秒（
５ｅｔａｎｔ）について評価した。

パワーマージン：下記の条件で測定したＣ／Ｎの最高値
（Ｃ／Ｎｍｘｘ）から３ｄＢ低下するまでの記録パワー
の範囲をパ ワーマージンとした。すなわち本発明 において、パワーマージンとはＣＮ ｍ５Ｘ−３ｄＢ以上が得られる記録パ ワーの範囲のこ七である。

Ｃ／Ｎ　（ｄＢ）：記録周波数３．７ＭＨｚ。

Ｄｕｔ７比３３，３％、再生レーザーパワーは１．０ｍ
Ｗとした。

基板とエンハンス層との密着性を、以下のようにして評
価した。

密着性試験［基盤目試験ＣＩｔｓ　Ｋ　５４００）　］
試料の記録膜、エンハンス膜上に、直交する縦横１１本
ずつの平行線をカッターナイフを用いて１鴫の間隔でひ
く。１ｃＩＩｌの中に１００個の升目ができるように基
盤目状の切傷を付ける。

セロハンテープにチバン製）を用いて剥離評価する。

また得られた光磁気記録媒体を、８０℃で相対湿度８５
％の雰囲気下に１０００時間放置した後に、再度Ｃ／Ｎ
比を測定した。

結果を表１に示す。

実施例２ 実施例１において、第２保護膜としてのＳ　ｒ　ａＮ４
膜の膜厚を２４０人とした以外は、実施例１と同様にし
た。

結果を表１に示す。

実施例３ 実施例１で用いた基板と同様の基板上に、Ｓｉ　３Ｎ４
ターゲツトを用いて、スパッタリング法により第１保護
膜としてのＳｉ３Ｎ４膜　を１０００人の膜厚で被着さ
せた。

この５４３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣｏとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰｔ　Ｔ
ｂ２９Ｆｅ５８Ｃ０４の組成を有する記録膜を３６０人
の膜厚で被着させた。

さらにこのＰｔ９Ｔｂ２９Ｆｅ５８ＣＯ４膜上に、５ｔ
３Ｎ４ターゲツトを用いて、スパッタリング法により第
２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜を２５０人の膜厚で被着
させた。

次にこのＳｉ３Ｎ４膜上に、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆの複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＡ
ｔ　　Ｍｇ　　Ｈｆ２の組成を有するアルミニウム合金
膜を１５００人の膜厚で被着させた。

得られた光磁気記録媒体を用いて、実施例１と同様にし
て諸特性を測定した。

結果を表１に示す。

実施例４ 実施例３において、第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜の
膜厚を３５０人とした以外は、実施例３と同様にした。

結果を表１に示す。

実施例５ 実施例１で用いた基板と同様の基板上に、８１３Ｎ４タ
ーゲツトを用いて、スパッタリング法により第１保護膜
としてのＳｉ３Ｎ４膜　を１１００人の膜厚で被着させ
た。

このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣＯとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰ　ｔ　
ＩＯＴ　ｔ）　３ｏＦ　ｅ　ｓａｃ　Ｏ２の組成を有す
る記録膜を３００人の膜厚で被着させた。

さらにこのＰ　ｊ　ＩＯＴ　ｂ　ａｏＦ　ｅ　ｓａｃ　
Ｏ２膜上に、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを用いて、スパッタ
リング法により第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜を２２
０人の膜厚で被着させた。

次にこの５１３Ｎ４膜上に、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ複合ター
ゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＡ　
Ｉ　　Ｔ　ｉＨｆ　２の組成を有する７ルミニウム合金
膜を１５００人の膜厚で被着させた。

得られた光磁気記録媒体を用いて、実施例１と同様にし
て諸特性を測定した。

結果を表１に示す。

実施例６ 実施例５において、第２保護膜としてのＳＩ３Ｎ４膜の
膜厚を１２０人とした以外は、実施例５と同様にした。

結果を表１に示す。

０」ユ〜 実施例１で用いた基板と同様の基板上に、’Ｓｉ３Ｎ４
ターゲットを用いて、スパッタリング法により第１保護
膜としてのＳｉ３Ｎ４膜　を１１００人の膜厚で被着さ
せた。

このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣｏとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰ　ｊ　
ＩＯＴ　ｂ　ａｏＦ　ｅ　ｓｓＣＯ２の組成を有する記
録膜を３００人の膜厚で被着させた。

さらにこのＰ　ｔ　Ｉ［ｌＴ　ｂ　３ＧＦ　ｅ　ｓａｃ
　Ｏ２膜上に、５ｔ３Ｎ４ターゲツトを用いて、スパッ
タリング法により第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ、膜を１
８０人の膜厚で被着させた。

次にこのＳｉ３Ｎ４膜上に、ＡＡ’　−Ｍｇ−Ｃｒの複
合ターゲットを用いて、スパッタリング法により原子％
でＡ　１９４Ｍ　ｇ　４　Ｃｒ　２の組成を有するアル
ミニウム合金膜を１５００人の膜厚で被着させた。

得られた光磁気記録媒体を用いて、実施例１と同様にし
て緒特性を測定した。

結果を表１に示す。

実施例８ 実施例７において、第２保護膜としてのＳ　Ｉ　３Ｎ４
膜の膜厚を３２０人とした以外は、実施例７と同様にし
た。

実施例９ エチレンとＤＭＯＮとの非品性共重合体（Ａ）［１３Ｃ
−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量５９モル％、１３
５℃デカリン中で測定した極限粘度［ηコが０．　４２
　ｄｉ　７ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）１５４℃］、 および、エチレンとＤＭＯＮとの非品性共重合体（Ｂ）
［”’Ｃ−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量８９モル
％、１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［η］が０
．４４　ｄｌ／ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）３９℃］をそれ
ぞれ４００ｇ、４ｇ（重量比：　　（Ａ）／　（Ｂ）＝
１００／１）の量でシクロヘクサン８１に投入し、充分
撹拌しながら約５０℃で溶解させた。得られた均一溶液
をアセトン２４１に投入し、（Ａ）／　（Ｂ）ブレンド
物を析出させた。得られたブレンド物を１２０℃で減圧
下で一昼夜乾燥させた。

得られた（Ａ）／　（Ｂ）ブレンド物に安定剤としてテ
トラキスしメチレン−３（３，５−ジー（＝ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメタン、ステ
アリン酸亜鉛、グリセリンモノステアレートを樹脂［Ａ
Ｉ、［Ｂ］の総量に対してそれぞれ０．５％、０．０５
％、０．５％配合し、２０ＩＩｆｆｌφ押出機（Ｌ／Ｄ
＝２０）を用いて２３℃でペレタイズ後、射出成形機を
用い、厚さ１目、１３０ｍｍφの光デイスク基板を成形
した。

上記基板上に、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを用いて、スパッ
タリング法により第１保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜を１
０００人の膜厚で被着させた。

このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣＯとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリ・レグ法により原子％でＰｔ　
Ｔｂ２９Ｆｅ５８Ｃ０４の組成を有する記録膜を２７０
人の膜厚で被着させた。

さらにこのＰ　ｔ　ｔ、　Ｔ　ｂ　２９Ｆ　ｅ　ｓｓＣ
Ｏ４膜上に、５１３Ｎ４ターゲツトを用いて、スパッタ
リング法により第２保護膜としての５ｔ３Ｎ４膜を１６
０人の膜厚で被着させた。

次にこのＳｉ３Ｎ４膜上に、Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆの複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＡ
　Ｉ　　Ｃｒ　　Ｈｆ　２の組成を有するアルミニウム
合金膜を１８００人の膜厚で被着させた。このようにし
て得られた光磁気記録媒体の基板とエンハンス膜との密
着性の評価をした。

結果を表２に示す。

また得られた光磁気記録媒体について、実施例１と同様
にして諸特性を測定した。

結果を表３に示す。

実施例１０ 実施例９において、第２保護膜としての５１３Ｎ４膜の
膜厚を２４０人とした以外は、実施例９と同様にした。

結果を表２および表３に示す。

実施例１１ 実施例９で用いた基板と同様の基板上に、Ｓｉ３Ｎ４タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により第１保護膜
としての５１３Ｎ４膜　を１０００人の膜厚で被着させ
た。

このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣｏとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰｔ　Ｔ
ｂ２９Ｆｅ５８Ｃ０４の組成を有する記録膜を３６０人
の膜厚で被着させた。

さらにこのＰ　ｊ　９　Ｔ　ｂ　２９Ｆ　ｅ　ｓａｃ　
Ｏ＜膜上に、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを用いて、スパッタ
リング法により第２保護膜としての５ｔ３Ｎ４膜を２５
０人の膜厚で被着させた。

次にこのＳｉ３Ｎ４膜上に、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆの複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＡ
ｌ　９４Ｍｇ４Ｈｆ　２の組成を有するアルミニウム合
金膜を１５００人の膜厚で被着させた。

得られた光磁気記録媒体を用いて、光磁気記録媒体の諸
特性および実施例９と同様にして基板とエンハンス膜と
の密着性の評価をした。

結果を表２および表３に示す。

実施例１２ 実施例１１において、第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜
の膜厚を３５０人とした以外は、実施例１１と同様にし
た。

結果を表２および表３に示す。

実施例】３ 実施例９で用いた基板と同様の基板上に、Ｓｉ３Ｎ４タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により第１保護膜
としてのＳｉ３Ｎ４膜を１１００人の膜厚で被着させた
。

このＳｉ３Ｎ４膜上に、Ｆｅとｃｏとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰ　ｔ　
ＩＯＴ　ｂ　３ｏＦ　ｅ　ｓｓＣＯ２の組成を有する記
録膜を３００人の膜厚で被着させた。

さらにこのＰ　ｔ　ＩＯＴ　ｂ　３０Ｆ　ｅ　ｓｇＣＯ
２膜上に、Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを用いて、スパッタリ
ング法により第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜を２２０
人の膜厚で被着させた。

次にこのＳｉ３Ｎ４膜上に、ＡＩ−Ｔ＋−Ｈｆ複合ター
ゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＡｔ
’９６Ｔｉ２Ｈｆ２の組成を有するアルミニウム合金膜
を１５００人の膜厚で被着させた。

得られた光磁気記録媒体を用いて、実施例９と同様にし
て、光磁気記録媒体としての諸特性および基板とエンハ
ンス膜との密着性の評価をした。

結果を表２および表３に示す。

実施例１４ 実施例１３において、第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜
の膜厚を１２０人とした以外は、実施例１３と同様にし
た。

結果を表２および表３に示す。

実施例１５ 実施例９で用いた基板と同様の基板上に、Ｓ　ｌ　３　
Ｎ　４ターゲツトを用いて、スパッタリング法により第
１保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜　を１１００人の膜厚で
被着させた。

このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣＯとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰ　ｊ　
ｌ［ｌＴ　ｂ　３０Ｆ　ｅ　５ｓＣＯ２の組成を有する
記録膜を３００λの膜厚で被着させた。

さらにこのＰ　ｊ　＋ｏＴ　ｂ　３０Ｆ　ｅ　ｓｓＣＯ
２膜上に、Ｓ　Ｉ　３　Ｎ　４ターゲツトを用いて、ス
パッタリング法により第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜
を１８０人の膜厚で被着させた。

次にこの５ｔ３Ｎ４膜上に、ＡＩ　−Ｍｇ−Ｃｒの複合
ターゲットを用いて、スパッタリング法により原子％で
ＡＪ　、４Ｍｇ４Ｃｒ２の組成を有するアルミニウム合
金膜を１５００人の膜厚で被着させた。

得られた光磁気記録媒体を用いて、実施例９と同様にし
て、光磁気記録媒体としての諸特性および基板とエンハ
ンス膜との密着性の評価をした。

結果を表２および表３に示す。

実施例１６ 実施例１５において、第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜
の膜厚を３２０人とした以外は、実施例１５と同様にし
た。

結果を表２および表３に示す。

表 実施例１７〜２１ 実施例１において、保護膜の組成および膜厚、金属膜の
組成および膜厚、光磁気記録膜の組成および膜厚を表４
に示すように代えた以外は実施例１と同様にして、光磁
気記録媒体を製造した。

結果を表４に示す。

なお、表４において、光磁気記録膜および金属膜の組成
は、原子％である。

実施例２２ 実施例１において、保護膜の組成および膜厚、金属膜の
組成および膜厚、光磁気記録膜の組成および膜厚を表５
に示すように代え、しかも基板としてエチレン・ＤＭＯ
Ｎ共重合体の代わりにポリカーボネートを用いた以外は
、実施例１と同様にして、光磁気記録媒体を製造した。

結果を表５に示す。

なお、表５において、光磁気記録膜および金属膜の組成
は原子％である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る光磁気記録媒体の概略断面図で
ある。 １・・・光磁気記録媒体 ３・・・第１保護膜 ５・・・第２保護膜 ２・・・基板 ４・・・光磁気記録膜 ６・・・金属膜 特許出願人　　三井石油化学工業株式会社代　　理　　
人　　　弁理士　　　鈴　　木　　俊一部第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に、第１保護膜、光磁気記録膜、第２保護膜およ
   び金属膜がこの順序で積層されてなる光磁気記録媒体で
   あって、 第１保護膜および第２保護膜が、ＳｉＮｘからなり、 光磁気記録膜が、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少な
   くとも１種と、（ｉｉ）耐腐食性金属と、（ｉｉｉ）希
   土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからなり、前
   記耐腐食性金属の含有量が５〜３０原子％である、膜面
   に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなり、 金属膜が、アルミニウム合金からなることを特徴とする
   光磁気記録媒体。