JPH0373445A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、金属層を有する情報記録媒体に関し、さらに
詳しくは、耐腐食性あるいは安定性に優れ、しかも記録
パワーの線速依存性が小さい情報記録媒体に関する。

発明の技術的背景 基板上に記録層と金属層とを有する書き換え可能な光磁
気ディスクなどの情報記録媒体では、該記録媒体に記録
するための記録パワーを内周部と外周部とで大きく異な
ることがないようにするため、記録パワーの線速依存性
を小さくすることが望まれている。

通常光磁気ディスクなどの情報記録媒体では、基板上に
光磁気記録層に加えて金属層が設けられているが、この
ような光磁気ディスクなどの情報記録媒体における金属
層としては、従来、ニッケル系合金、アルミニウム金属
あるいは０．１〜１０重量％のチタンを含むアルミニウ
ム合金からなる金属層が用いられてきた。ところがアル
ミニウム金属またはアルミニウムーチタン合金からなる
金属層は、耐腐食性に劣り、長期間の使用に耐えないと
いう問題点があった。

またニッケル合金からなる金属層は、その合金の種類に
よっては記録書込み時にディスクの内周部と外周部とで
必要な記録パワーが大きく異なり、記録パワーの線速依
存性が依然として大きいという問題点があった。

本発明者らは、耐腐食性あるいは長期安定性に優れ、し
かも記録パワーの線速依存性が小さいような情報記録媒
体を開発するため、鋭意検討したところ、チタンおよび
ニオブを少なくとも含むアルミニウム合金からなる金属
層を有する情報記録媒体は、耐腐食性に優れ、しかも記
録パワーの線速依存性が小さいことを見出して、本発明
を完成するに至った。

発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、耐腐食性に優れ、しかも記録
パワーの線速依存性が小さい情報記録媒体を提供するこ
とを目的としている。

発明の概要 本発明に係る情報記録媒体は、基板上に記録層と金属層
とを有する情報記録媒体において、該金属層が、アルミ
ニウム合金を構成する全原子数を基準としてチタン０．
５〜５原子％とニオブ０．５〜５原子％とを含み、かつ
チタンとニオブとの合計含有量が１〜５．５原子％の範
囲にあるアルミニウム合金からなることを特徴としてい
る。

このような本発明に係る情報記録媒体は、チタン０．５
〜５原子％とニオブ０．５〜５原子％とを含み、かつチ
タンとニオブとの合計含有量が１〜５．５原子％の範囲
にあるアルミニウム合金からなる金属層を有しているた
め、耐腐食性に優れ、しかも記録パワーの線速依存性が
小さく、かつ記録層の保護作用にも優れている。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る情報記録媒体について、具体的に説明
する。

第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の概略断
面図、第２図および第３図は本発明の他の実施例に係る
情報記録媒体の概略断面図である。

本発明に係る情報記録媒体では、レーザー光などの光に
よって、該記録媒体に書込まれた情報を読み出している
。このような情報記録媒体としては、具体的には、記録
されている情報の消去はできないが追加記録が可能な追
記型光ディスク、さらには記録されている情報の消去、
再生が可能であるとともに記録が可能な光磁気ディスク
、相変化ディスクなどの書換型光ディスクが挙げられる
。

本発明に係る情報記録媒体１は、たとえば第１図に示す
ように、基板２上に記録層３および金属層４とがこの順
序で設けられている。

本発明では、上記のような基板２の材質は特に限定され
ないが、基板２側（矢印Ａ）からレーザ光が入射する場
合には、透明基板であることが好ましく、具体的には、
ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネート
とポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１
４．７Ｔｌ１号明細書に開示しであるような環状オレフ
ィンランダム共重合体、下記の環状オレフィンランダム
共重合体（Ａ）、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポ
キシ樹脂、ポリエーテルサルフオン、ポリサルフオン、
ポリエーテルイミド等の有機材料を用いることができる
。この中では、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボ
ネート、米国特許第４、６１４．０８号明細書に記載の
ような共重合体および下記の環状オレフィンランダム共
重合体（Ａ）が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料としては
、特に記録膜との密着性が良く、複屈折率が小さいとい
う観点から、エチレンと、下記−般式［Ｉ］または［■
°〕で表わされる環状オレフィンとの共重合体からなる
環状オレフィン系ランダム共重合体が挙げられる。

（以下余白） 一般式［■コ 一般式［Ｉ°］ （式中、ｎはＯまたは１であり、ｍは０または正の整数
であって、 Ｒ１，Ｒ口は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原
子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしく
は基を表し Ｒ＋ｓ〜Ｒ１１は、互いに結合して単環または多環を形
成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を
有していてもよく、 また、　ＲＩＳとＲ＋ａとで、またはＲＩ’ＦとＲＩ８
とでアルキリデン基を形成していてもよい）。

・・　［１′］ （式［ｙ’］中、ｐ　ｉｉｏまたは１以上の整数であり
、ｑおよびｒは、０、　ｌまたは２であり、Ｒ１〜Ｒｔ
ｓはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭
化水素基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基より
なる群から原子もしくは基を表しＲ８（またはＲ６）と
Ｒ９（またはＲ〒）と＋４　　炭素数１〜３のアルキレ
ン基を介して結合していてもよく、また何の基も介さず
に直接結合していてもよい。　） ただし　上記式［ｒ］において、ｎはＯまたは１であり
、好ましくはＯである。また、ｍはＯまたは正の整数で
あり、好ましくはＯ〜３である。

また上記式［Ｉ°］において、ｐはＯまたは１以上の整
数であり、好ましくはＯ〜３の整数である。

そして、Ｒ１，Ｒ１１（式［Ｉ］）、またハＲｌ〜Ｒ１
５（式［＋’ｌ）は、それぞれ独立に　水素原子、ハロ
ゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子
もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子としては、た
とえ（！、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ
素原子をあげることができる。

また、炭化水素基として１丸　それぞれ独立眠　通常は
炭素原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６のシ
クロアルキル基をあげることができ、アルキル基の具体
的な例として１転　メチル基　エチル基　イソプロピル
基　イソブチル基　アミル基をあげることができ、シク
ロアルキル基の具体的な例として１転　シクロヘキシル
基　シクロプロピル基　シクロブチル基　シクロペンチ
ル基を挙げることができる。

また上記式［Ｉ°］にわいて、Ｒ８（またはＲ６）とＲ
９（またはＲ丁）とは　炭素数ｌ〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。

さら屯　上記式［１］において、Ｒ言５〜ＲＩ８は互い
に結合して（共同して）単環または多環を形成していて
もよく、かつ該単環または多環が二重結合を有していて
もよい。また、′Ｒ＋％とＲＩ６とで、またはＲ１？と
Ｒ１・とでアルキリデン基を形成していてもよい。この
ようなアルキリデン基１九　通常は炭素原子数２〜４の
アルキリデン基をあげることができ、その具体的な例と
して１転　エチリデン基　プロピリデン基　イソプロピ
リデン基およびインブチリデン基をあげることができる
。

前記式［１Ｆまたは［ｒ’ｌで表される環状オレフィン
６九　シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類
あるいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反
応により縮合させることにより容易に製造することがで
きる。

前記式［Ｉコ または［Ｉ ］ で表される環状オレ フィンとしては、 具体的に１転 たとえば下記のよ うな化合物を挙げることができる。

（以下余白） などのようなビシクロ［２，２，１］ ヘプト−２− エン誘 導体； ン ５．１０−ジメチルテトラ ＣＨ。

　Ｈｈ Ｃ）ｆネ ２．１０−ジメチルテ トラ ２、７．９−　）リメチルテ ン ９−イソブチル−２，７− ９，１１，１２−）リフチル ９−エチル−１１，１２−ジメ ９−イソブチル−１１，１２ ８−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ ＋ｓ］−３−ドデセン ８−へキシルテトラシ ＣｌｓＨｍア ・目］−３−ドデセン ５、８．９．１０−テトラメチ ・１・コー３−ドデセン ８−メチル−９−エチルテ ８−クロロテトラシフ −３−ドデセン ８−プロモチトラシフ −３−ドデセン ８−フルオロテトラシ Ｓ・］−］３−ドデセ ン］−３−ドデセン ５．１丁・目］−３−ドデセン ン ８−エチリデン−９−イソ ７・Ｉ＠］、、−３−ドデセン 一ドデセン −３−ドデセン １２．５．１丁 ＋　＠］−３−ドデセ ン ＋ｓ］−３−ドデセン ５．１丁・同］−３−ドデセン 、１２・５．１７・目］−３−ドデセ ８−ｎ−プロピリデン−９ ン 一ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ８−イソプロピリデン ［４，４，０，１２１，１丁口・］−］３−ドデセ 一ドデセン ＋１］−３−ドデセン 」・コー３−ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ８−インプロピリデン ［４，４，Ｏ，ｌｔ、　ｓ　、　１丁・目］−３−ドデ
セン ードデセン などのテトラシクロ［４，４，０，１”・５．１丁目］
−３−ドデセ ン誘導体； （以下余白） ８−イソブロビリデン ＋３．Ｑ２．？、Ｑ１１．＋４３−４−ヘプタデセン などのへキサシクロ［６，５Ｊ、　１３．ｇ、ｌＩ＠、
ｌｆｆ、Ｑ２．？、Ｑｌｌデセン ・目］−４−へブタデセン誘導体； デセン トコセン ヘプタデセン １１・１・、１目・目　Ｑ３．Ｉ、Ｑ１２・Ｉ丁］−５
−トコセン １５−エチルオクタシフ ＣＨ。

セン などのオクタシクロ［８，８，０，１ｔ・・、１４？　
、　１１１ １・、１ −０３ ・Ｑ＋２．＋ｖｌ−５−トコセン誘導体；などのペンタ
シクロ［６，６，１，１”、０２・７．ｏ９・Ｉ　’　
］　−］４−ヘキサデセン誘導体 ；セン などのへブタシクロ−５−イコセン誘導体あるいはへブ
タシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体；ト リシクロ［４，３，０，１ ＣＨ。

２−メチルトリシクロ などのトリシクロ［４，４，０，１２・５］−３−ウン
デセン誘導体； ５−メチル−トリシクロ などのトリシクロ［４，３，０，１”　、　Ｉコー３−
デセン誘導体；１．６−シメチルベンタ メチル置換ベンタシ ＣＨ。

１４、１５−ジメチルベン などのペンタシクロ ［４７，０，１２，ｓ、（ｐ、＋３，１ｓ、＋２］−３
−ペンタデセン誘導体； などのペンタシクロＵ６，５．１．１’−＠、Ｑ２．ｙ
、０＊、＋５）−４−ペンタデセン誘導体； コセン ２、ＩＩＩコ 一４−エイコセン などのジエン化合物； などのへブタシクロ ［７，８，Ｏ，ｉｆｆ ＠、Ｑ２．７１１＠、１７．０ 嘗　１．１　＠、　　１１　れ　ＩＳ］−４−エイコセ
ン誘導体； そしてさらに（ム ・２１，１１１２・、０１′・ｉ９．１１Ｌ目］−５−
ベンタコセン −５−ベンタコセン などのノナシクロ［９，１０，１，１’・７．Ｑ３．＠
、Ｑｌｌ・ＱＩ２２１、１１．２１１．Ｑ１０．目、ｌ
ｌＳ目］　−５−ヘ：／　９　コセ：／誘導体等を挙げ
ることができる。

（以下余白） を挙げることができる。

（以下余白） ） 上記のようなエチレンと、一般式［ｒ］また（よ［Ｉ゛
］で表される環状オレフィンとの共重合体としてｉｔ、
　　１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が
ｏ、　ｏｓ〜１０ａ＊　／　ｇの範囲にあり、軟化温度
（ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダ
ム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａ］という）が好ましく用いられる。また所望により、
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］！、　　エチ
レンと、下記式［ｒ］または〔ｌ°］で表される環状オ
レフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカリン中
で測定した極限粘度［η］が０．０５〜５．１Ｒ／　Ｈ
の範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である
環状オレフィン系ランダム共重合体（以下環状オレフィ
ン系ランダム共重合体［Ｂ］という）を配合して用いて
もよ！、）。

この上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重
合体である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］　
＃よび［Ｂ］臥　エチレンおよび前記環状オレフィンを
必須成分とするものであるが、該必須の二成分の他に本
発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重
合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意
に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体
的に１４　たとえば生成するランダム共重合体中のエチ
レン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブ
テン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−
オクテン、　１−デセン、　１−ドデセン、　１−テト
ラデセン、１−へキサデセン、ｌ−オクタデセン、ｌ−
エイコセンなどの炭素原子数が３〜２０のα−オレフィ
ンなどを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
では、エチレンに由来する繰り返１７単位（ａ）（戴　
４０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲
で存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り
返し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜
５０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する
繰り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する
繰り返し単位（ｂ）　１１　　ランダムに実質上線状に
配列している。なお、エチレン組成および環状オレフィ
ン組成は１３ｃｍＮＭＲによって測定した　この環状オ
レフィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル
状架橋構造を有していないことは、該共重合体が１３５
℃のデカリン中に完全に溶解することによって確認でき
る。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、０
．０５〜１０ａｍ／ｇ、　　好ましくは０．０８〜５ａ
ｎ　／　Ｈの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　１４　７０℃以上　好ましくは９０〜２５０℃
、さらに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。な
お軟化温度（ＴＭＡ）ＬＬ　　デュポン社製Ｔｈｅｒｍ
ｏｍｅｃｈａｎｉｅａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚
さ１ｍのシートの熱変形挙動により測定しら　すなわち
シート上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／
分で昇温していき、針が０．６３５Ｍ侵入した温度をＴ
ＭＡとし九　また、該環状オレフィン系ランダム共重合
体のガラス転移温度（Ｔｓ；ｌ）は、通常５０〜２３０
℃、好ましくは７０〜２１０ｔの範囲にあることが望ま
しい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ、］
のＸ線回折法によって測定した結晶化度１転０〜１０％
　　好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の
範囲である。

本発明で＋ｆ、　　また上記のような軟化温度（ＴＭＡ
）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合
体［Ａ］に、 エチレンと、上記式［Ｉ］または［Ｉ°］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［７コが０．０５〜５ａ／ｇ
の範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合してな
る環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から基板を
形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体ＣＢ］で１転エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）Ｉｆ、　　６０〜９８モル
覧　好ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており
、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）
は２〜４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で
存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）
および該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）
　ＩＬ　　ランダムに実質上線状に配列している。なお
、エチレン組成および環状オレフィン組成は１３ｃｍＮ
ＭＲによって測定し九　この環状オレフィン系ランダム
共重合体［Ｂコが実質上線状であり、ゲル状架橋構造を
有していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン
中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［Ｖ］　は、
　０．０５〜５　ａｘ　／　ｇ、　　好ましくは０．０
８〜３ａＱ／　ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　ｌｅｔ、　　７０℃未鳳　好ましくは一１０＝
６０℃、さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。

さらに、該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
ガラス転移温度（Ｔｇ）　ｌ＆　　通常−３０〜６０℃
、好ましくは一２０〜５０℃の範囲にあることが望まし
い。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度１４０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］およびＣＢ］を用いる場合に（九　該環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィ
ン系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．１
〜１００／１０、好ましくは１００１０．３〜１００／
７、とくに好ましくは１００１０．５〜１００１５の範
囲であることが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範囲で［
Ａ］戊分に配合することによって基板自体の優れた透明
性と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる反射膜
との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合に
比べさらに向上するという効果があり、　［Ａ］と［Ｂ
］とのブレンドよりなるこの上記の環状オレフィンラン
ダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用いる反
射膜との優れた密着性は高？Ｌ　　高湿条件下放置後に
おいてさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ１１；Ｌ　　特開昭６０−１６
８７０８号公抵　特開昭６１−１２０８１６号公抵　特
開昭６１−１１５９１２号公抵　特開昭６１−１１５９
１６号公楓　特開昭６２−２５２４０６号公叛　特開昭
６２−２５２４０７号公叛特開昭６１−２７１３０８号
公楓　特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本
出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択することに
より、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［１３または［ｌ°］で表される環状オレフ
ィンから導がれる構成単位（ｂ）は下記式［ｉまたは［
ｒ１°］で表される構造の繰り返し単位を形成している
と考えられる力ｔ　一部の構成単位（ｂ）が開積重合に
よって結合している場合もあり、また必要に応じて水素
添加することも可能である。

・・［ｎ］ （式［ｎ］中、ｍ、ｎおよびＲ＋　〜Ｒ目Ｉｆ　前記式
［Ｉ］における定義と同様である。） ・　［ｎ　　°コ （式［ｎ　’］中、Ｉ）Ｓｑ、　　ｒおよびＲ１＝Ｒｉ
は前記式［Ｉ゛］における定義と同様である。）本発明
に係る光磁気記録媒体の基板としては、前述したとおり
、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム共重合
体のほかに、同種または異種の環状オレフィン単量体を
開環して得られる環状オレフィン開環型合本　開環共重
合体またはそれらの水素添加物を用いることもできる。

このような環状オレフィン開環型合本　開環共重合体お
よびこれらの水素添加物について、前記式［１１で表さ
れる環状オレフィンを例にして説明すると、以下に記載
するように反応して開環共重合体およびこれらの水素添
加物を構成していると考えられる。

↓開環 ↓水素添加 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共電合本　及
びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合像　開環
共重合像　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
は、上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カル
ボン酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸のア
ルキルニスデル等の誘導体とを反応させることにより製
造することができる。な駁　この場合の環状オレフィン
系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単位
の含有率は、通常は５０〜（０モル％以下である。この
ような環状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率に
なるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグ
ラフト重合させて製造することもできるし　予め高変性
率の変性物を調製し　次いでこの変性物と未変性の環状
オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造する
ことができる。

本発明において、上記の開環重合像　開環共重合像　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができる。

さらに　本発明において１転　上記のような環状オレフ
ィン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる
重合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］また
は［Ｉ“］で表される環状オレフィン以外の環状オレフ
ィンを重合させることもできる。このような環状オレフ
ィンとしては、たとえば、 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−Ｉ
Ｈ−インデン ３ａ、　５．６．７ａ−テトラヒドロ　−４，７−メタ
ノ−１Ｈ−インデンなどをあげることができる。このよ
うなイ也の環状オレフィンは単独で、あるし）（よ組み
合わせて使用することができ、通常、Ｏ〜５０モル％の
量で用いられる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板番こ１よ、１−
、記［Ａ］および［Ｂ］酸成分他を二、衝撃弓蛮度を向
上させるためのゴム成分を配合したり、耐熱安定却Ｌ　
耐候安定斉Ｌ　￥ｆ？！防止斉Ｌ　スリップｍｌ　　ア
ンチブロッキング斉Ｌ　防ｉ邦Ｌ　滑Ｋ　　染料、顔料
、天然礁　合成法　ワックスなどを配合すること力Ｃで
き、その配合割合は適宜量である。たとえ（戴任意成分
として配合される安定剤として具体的には、テトラキス
〔メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオネートコメタン、β−（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ン酸アルキルエステル、２，２°−オキザミドビス［エ
チル−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）］プロピオネートなどのフェノール系酸化防止
Ｋ　　ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、１
２−ヒドロキシステアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金
属塩、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノラ
ウレート、グリセリンジステアレート、ペンタエリスリ
トールモノステアレート、ペンタエリスリトールジステ
アレート、ペンタエリスリトールトリステアレート等の
多価アルコールの脂肪酸エステルなどを挙げることがで
きる。これらは単独で配合してもよいが、組み合わせで
配合してもよく、たとえば、テトラキス［メチレン−３
（３゜５−ジー七−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネートコメタンとステアリン酸亜鉛およびグリ
セリンモノステアレートとの組合せ等を例示することが
できる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以」二の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部が
エステル化された多価アルコール脂肪酸エステルである
ことが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的には、グリセリンモノステアレート、グリセリン
モノラウレート、グリセリンモノミリステート、　グリ
セリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、
グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル
、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリ
スリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジラ
ウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペン
タエリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリ
トールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、前記［Ａ］酸成
分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重量部に対して０〜
１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましくは０
〜２重量部の量で用いら汎　また多価アルコールの脂肪
酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１
００ｆｆｉ量部に対してＯ〜１０重量脈　好ましくは０
〜５重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板に（入　必要により
本発明の目的および透明性を損なわない範囲で、シリカ
、ケイ藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム
、軽石粒、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸化
マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、　ドロマイト
、硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、
亜硫酸カルシウム、タルク、クレー　マイカ、アスベス
ト、ガラスｍａ　　ガラスフレーク、ガラスピーズ、ケ
イ酸カルシウム、モンモリロナ１′ト、ベントナイト、
グラフｒイト、アルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロ
ン織縁　炭化ケイ素織縁　ポリエチレン繊維、ポリプロ
ピレン繊機　ポリエステル繊紘　ポリアミド繊維等の充
填剤を配合してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、この環状オレフィン系ラン
ダム共重合体または該共重合体を含む組成物からなる基
板と記録層または保護層とが密着性に優れているために
、記録膜は長期安定性に優れるとともに記録膜の酸化が
効果的に防止される。したがってこの環状オレフィン系
ランダム共重合体からなる基板上に記録膜を積層してな
る光記録媒体は、耐久性および記録特性などの面におけ
る長期安定性にも優れている。

このような基板２の厚みは特に限定されないが、好まし
くは０．５〜５Ｎ特に好ましくは１〜２鈴である。

（以下余白） また本発明では、記録層３の材質も特に限定されないが
、たとえば記録層３が膜面に対して垂直な方向に一軸異
方性を有する光磁気記録層である場合には、記録層３は
、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、
（ｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とから
なるか、あるいは（ｉ）３ｄｊｌ移金属から選ばれる少
なくとも１種と、（木）耐腐食性金属と、（雨）希土類
力）ら選ばれる少なくとも１種の元素からなることが好
ましい。

（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ％Ｃｏ、Ｔｉ。

■、Ｃｒ、Ｍｎ、、ＮｌＸＣｕ、Ｚｎなどが用いられる
が、このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であるこ
とが好ましい。

（ｉ）耐腐食性金属は、記録層３に含ませることによっ
て、この光磁気記録層の耐酸化性を高めることができる
。このような耐腐食性金属としては、Ｐ　ｔ　ｓ　Ｐ　
ｄ　％　Ｔ　ｒ　ｓ　Ｚ　ｒ　ｓ　Ｔ　ａ　％　Ｍ　ｏ
　ＳＮ　ｂ　ｓＨｆなどが用いられるが、このうちＰｔ
、Ｐｄ。

Ｔｉが好ましく、特にｐｔまたはＰｄあるいはこの両者
であることが好ましい。

（ｉ）希土類元素としては、たとえばＧｄ、Ｔｂ。

Ｄｙ、Ｈａ、Ｅ　ｒ　％　Ｔ　ｍ　Ｎ　Ｙ　ｂ　−、Ｌ
　ｕ　−、Ｌ　ａ　−（：６．Ｐｒ、ＮｄｌＰｍ５　Ｓ
ｍ５Ｅｕなどが用いられる。

コノうちＧｄ、Ｔｂ５Ｄｙ％　ＨＯｌＮｄ、Ｓｍ。

Ｐｒが好まり、　＜用いられる。

このような光磁気記録層では、（ｉ）３ｄ遷移金属は、
３０〜８５原子％好ましくは４０〜７０原子％の置で、
（ｉ）耐腐食性金属は３０原子％まで好ましくは５〜２
５原子％までの景で、（ｉ）希土類元素は５〜５０原子
％好ましくは２５〜４５原子％の盪で存在していること
が望ましい。

記録層３が光磁気記録層以外の、たとえば相変化型記録
層である場合には、記録層３は、たとえば、Ｔｅを主成
分とした合金薄膜、Ｓｅを主成分とした合金薄膜、Ｔｅ
−Ｇｅ−８ｂ合金薄膜、Ｉｎ−３ｂ−Ｔｅ合金薄膜、Ｔ
ｅ−Ｇｅ−Ｃｒ合合金Ｎ護膜Ｔｅ−Ｇｅ−Ｚｎ合金薄膜
等で構成される。また追記型、相変化型の記録層として
ポリメチン系化合物、シアニン系化合物などの有機色素
膜を用いることもできる。

本発明では、記録層４の膜厚は、特に限定されないが、
５０〜５０００人、好ましくは１００〜２０００大であ
る。

本発明では、このような情報記録媒体における金属層４
は、アルミニウム合金を構成する全原子数を基準として
チタン０．５〜５原子％とニオブ０．５〜５原子％とを
含み、チタンとニオブとの合計含有量が１〜５原子％の
範囲にあるアルミニウム合金から形成されている。

チタンの含有量は０．５〜５原子％の範囲にあり、特に
ｌ〜３原子原子箱囲にあることが好ましい。

また、ニオブの含有量は０．５〜５原子％の範囲にあり
、特に１〜３原子％の範囲にあることが好ましい。

また、チタンとニオブとの合計含有量が１〜５．５原子
％の範囲にあり、２〜４原子％の範囲にあることが特に
好ましい。本発明では、チタンの含ｎ″眼が０．５〜５
原子％、ニオブの含有量が０．５〜５原子％の範囲にあ
り、かつチタンとニオブの合計含有量が■〜５原子％の
範囲にあるアルミニウム合金を合金層として用いること
により、金屑層および情報記録媒体が耐腐食性に優れ、
かつ、情報記録媒体の線速依存性が小さく、記録層の保
護作用にも優れるという効果を有する。

また上記のような金属層４は、アルミニウム（ＡＩ）、
チタン（Ｔｉ）　、ニオブ（Ｎｂ）のみからなる合金か
らなっていてもよく、またアルミニウム、チタン、ニオ
ブに加えて、少頂の他の元素（金属）を１挿以上含むこ
ともできる。このような元素（金属）としては、たとえ
ば、シリコン（Ｓｉ）　、タンタル（Ｔｇ）　、銅（Ｃ
０、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（ｚ「）、マン
ガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）　、バナジウム（
Ｖ）、クロム（Ｃ「）などが挙げられ、このような他の
元素（金属）を含む場合、他の元素は、通常５原子％以
下好ましくは２原子％以下の量で含まれる。

上述したような金属層の膜厚は、通常１００λ〜５００
０大、好ましくは５００λ〜３０００　Ａ。

特に好ましくは７００ム〜２０００大である。

本発明に係る金属層は熱良伝導体層としての機能を果し
ており、この金屑層が存在することによって記録層に記
録されたビットの中心部が記録レーザ光によって過度に
高温になることが防止され、その結果、記録パワーの線
速依存性が小さくなると考えられる。

また本発明における金属層は、耐腐食性に優れているた
め、長期間使用した後においても、記録媒体の線速依存
性が小さいという特徴を有しており、また記録層に対す
る保護作用にも優れている。

本発明に係る情報記録媒体は、第１図に示す構成に限定
されず、たとえば第２図に示すように、上記のような基
板２上に保護膜（エンハンス膜）５を積層し、その上に
記録層３と金属層４とを積層させてもよい。また第３図
に示すように、基板２上に第１保護膜５を積層し、その
上に記録層３を積層し、さらにその上に第２保護膜５お
よび金属膜４を順次積層させてもよい。このような保護
膜（エンハンスＭ）５としては、たとえばＳｉ　　Ｎ　
　、５ｔＮｘ（０＜ｘ＜４／３）４ Ａ／　Ｎ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＳ、Ｓ　ｉまたはＣｄＳから
形成されることが好ましいが、これらに限定されない。

このような保護膜の膜厚は、１００〜２０００Å好まし
５くは３００〜１５００ム程度である。この中で耐クラ
ツク性および記録パワーの線速依存性の点から、特にＳ
ｉ　　Ｎ　　５ＳｊＮｘ４ （０＜Ｘ＜４／３）を用いることが好ましい。

保護膜は、記録膜を保護する働きをするとともに、場合
によっては情報記録媒体の感度を高め、エンハンス膜と
しての働きをもしている。このような保護膜は、基板の
屈折率よりも大きな屈折率を有していることが好ましい
。

本発明に係る情報記録媒体は、基板上に記録層および金
属層そして必要に応じて保護層を、たとえば真空蒸着法
、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法などの成
膜法を採用して成膜することによって製造することがで
きる。

象些囚匁（ このように本発明に係る情報記録媒体は、チタンとハフ
ニウムとを特定量で含むアルミニウム合金からなる金属
層を有しているため、耐腐食性に優れ、しかも記録パワ
ーの線速依存性が小さく、かつ記録層の保護作用にも優
れている。

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。

なお、本明細書において、最適記録パワーとはｆ＝ＩＭ
Ｈｘ　、ｄｏ１７　５０％の書込み信号に対して丙生信
号の２次高調波が最小となる記録パワーのことを表わし
、線速による最適記録パワーの差が小さい程線速依存性
が小さい。

実施例を 以下、まず金属層の耐腐食性を下記のようにして検討し
た。

ガラス基板上に、アルミニウム（１）−チタン（Ｔｉ）
−ニオブ（Ｎｂ）の複合ターゲットを用いてスパッタリ
ングによって、厚さ１０００入のアルミニウムーチタン
−ニオブ合金よりなる反射金属層を作製した。各元素の
含有量はＴ＋が１．５原子％、Ｎ　＋）が１．５原子％
であった。

この金属層を、６０℃の１０重量％塩化ナトリウム水溶
液に４時間浸漬し、金属層の耐腐食性を反射率の変化を
測定することによって評価した。

金ｆｉ層の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と
浸漬後で変化しなかった。また浸漬後の金属層の単位面
積当り（５ｃｍＸ５ｃｍ）に発生したピンホール数は４
０個以下（３８ｇ）であった。

実施例２ 非晶質ポリオレフィンからなる基板上に、Ｓｉ３Ｎ、か
らなる保護膜（１４１０００人）と、ＰｔＴｈＦｅＣｏ
　（Ｉ’ｔ、ｏＴｂ″２９Ｆｅ５５Ｃｏ６）からなる記
録層（膜ＦＸ　Ｓ　００ム）とを順次スパッタリング法
により積層し、この記録膜−ヒにＡｌ−Ｔｉ−Ｎｂの複
合ターゲットを用いてスパッタリング法によって、厚さ
７００大のＡＩ−Ｔ　ｉ　−Ｎｂ合金からなる金属層を
積層した。得られた金属層を構成するＡ１合金（層）中
のＴｉの含有量は２原子％、Ｎｂ含有員は２原子％であ
った。

得られた情報記録媒体を、８０℃、相対湿度８５％の雰
囲気下に約７２０時間保持し、金属層の耐腐食性を情報
記録媒体の反射率の変化を測定することによって評価し
た。

情報記録媒体の反射率は、８０℃、相対湿度８５％の雰
囲気下に保持する前後で変化しなかった。

またこの情報記録媒体の線速５．７　ｍ　／　ｓ　ｅ　
ｃでの最適記録パワーは３．６ｍＷであり、線速１１、
．３ｍ／ｓｅｔでの最適記録パワーは５．５ｍＷであっ
た。

実施例３ エチレンとＩ、　４．５．　ｌｉ−ジメタノ−１，２，
３，４，４ｇ、　５．８以下ＤＭＯＮと略記する）の非
品性の共重合体（”Ｃ−ＮＭＲ分析で測定したエチレン
食潰５９モル％、ＤＭＯＮ含量４１モル％、１３５℃デ
カリン中で測定した極限粘度［η］が０．４２６１７ｇ
。

軟化温度（ＴＭ＾）１５４℃）からなる基板上に、Ｓｉ
３Ｎ、からなる保護膜（膜厚ｌｌ００ム）と、Ｐ　Ｌ　
ＩＯＴ　ｂ　２９Ｆ　ｅ　ｓｓＣＱ　６からなる記録層
（膜厚２６０入）とを順次スパッタリング法により積層
し、この記録膜上にＡｌ−Ｔｉ−Ｎｂの複合ターゲット
を用いてスパッタリング法によって、厚さ５０〇六のＡ
１−Ｔｉ−Ｎｂ合金からなる金属層を積層した。得られ
た金属層を構成するＡ１合金（層）中のＴｉの含有量は
２原子％、Ｎｂ含有量は２原子％であった。

（１られた情報記録媒体を、８０℃、相対湿度８５％の
雰囲気下に約７２０時間保持し、金属層の耐腐食性を情
報記録媒体の反射率の変化を測定することによって評価
した。

ｔｆｌ報記録媒体の反射率は、８０℃、相対湿度８５％
の雰囲気下に保持する前後で変化しなかった。

比−蚊瓢、」 ガラス基板上にＡｊ！−Ｔｉの複合ターゲットを用いて
、スパッタリングによって厚さ１０００入のＡＮ−Ｔｉ
合金よりなる金属層を作製した。

Ｔｉの含有量は４原子％とした。

この金属層をＮａＣ１濃度が１０重量％、温度が６０℃
食塩水に浸漬し、４時間後の反射率の変化と膜状体の変
化を調べた。この結果、反射率は浸漬の前後では約２％
低下した。

また浸漬後の金属層の単位面積（５ａｍ　Ｘ　５　ａｎ
　）当りに発生したピンホール数は極めて多数（１１５
個以上）であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の概略断
面図、第２図および第３図は本発明の他の実施例に係る
情報記録媒体の概略断面図である。 １・・・情報記録媒体　　　２・・・基板３・・・記録
層　　　　　　４・・・金属層５・・・保護膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板上に記録層と金属層とを有する情報記録媒体に
   おいて、該金属層が、アルミニウム合金を構成する全原
   子数を基準として、チタン０．５〜５原子％とニオブ０
   ．５〜５原子％とを含み、かつチタンとニオブとの合計
   含有量が１〜５．５原子％の範囲にあるアルミニウム合
   金からなることを特徴とする情報記録媒体。