JPH0490154A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｉ更旦韮ヱ遣１ 本発明国　特定の金属膜を有する光磁気記録媒体に関し
　さらに詳しくは、記録ノ（ワーの線速依存性が小さく
、しかも記録感度に優れるとともに記録パワーのマージ
ンが広い光磁気記録媒体レニ関する。

又よ１は０１蝮互１ 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔ　ｂ）
、カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金から
なる光磁気記録媒体　膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向
とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができるこ
とが知られている。この反転磁区の有無をｒｌＪ、　「
０」に対応させることによって、上記のような光磁気記
録膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭５７−２０６９１号公報に
１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気記録
膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を添
加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらにＴｂ
−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ０系などの光磁気記録膜も知
られている。

このようなＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記
録膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第
３の金属を添加する方法が種々試みられている。

またこのような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光
磁気記録媒体代　耐酸化性および記録感度（Ｃ’／Ｎ比
）の向上も望まれてぃ九さらにこのような光磁気記録媒
体に情報を書込む際には、記録パワーマージンが広く、
しかも記録パワーの線速依存性がｌ卦さいことが望まれ
ている。ここで情報を書込む際の記録パワーマージンが
広いとは、光磁気記録媒体にレーザ光などによって情報
を書込む際に、書込み光としてのレーザ光のパワーが多
少変化しても正確に光磁気記録媒体に情報を書込むこと
ができることを意味し、記録パワーの線速依存性が小さ
いとは、光磁気記録媒体にレーザ光などによって情報を
書込む際に、記録媒体の内周部と外周部とで書込み光と
してのレーザ光の最適記録パワーの変化のしかたが小さ
いことを意味している。

このようにＣ／Ｎ比が高く、かつ記録パワーマージンが
広く、その上記録パワーの線速依存性が小さいような光
磁気記録媒体の出現が望まれている。

本発明者らは、このような従来技術に鑑みて鋭意検討し
たところ、基板上番ミ　保護膜と、光磁気記録膜と、窒
化チタン膜と、アルミニウム合金膜とをこの順序で積層
してなる光磁気記録媒体（戯記録パワーの線速依存性が
小さく、かつ記録／ｆワーマージンが広く、しかも耐酸
化性および記録感度に優れていることを見いだして、本
発明を完成するに至った ｉ皿ｉｌ道 本発明は、記録パワーマージンが広く、　しかも記録パ
ワーの線速依存性が小さく、かつＣ／Ｎ比が高いような
光磁気記録媒体を提供することを目的としている。

発１１宏１１ 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に、保護膜と、
光磁気記録膜と、窒化チタン膜と、アルミニウム合金膜
とがこの順序で積層されてなることを特徴としている。

このような本発明に係る光磁気記録媒体は、記録パワー
の線速依存性が小さく、かつ記録パワーマージンが広く
、しかも耐酸化性および記録感度に優れている。

日の　　　日 以下、本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説
明する。

本発明の光磁気記録媒体１０は、たとえば第１図に示す
ように、基板１上に、保護ＰＡ２と、光磁気記録膜３と
、窒化チタン膜４と、アルミニウム合金膜５とがこの順
序で積層されて形成されている。

以下、基板１、保護膜２、光磁気記録膜３、窒化チタン
膜４、アルミニウム合金膜５について順次説明する。

善−一一板 本発明では、基板１の材質は特に限定されない力Ｃ１基
板１側（矢印Ａ）からレーザ光が入射する場合には、透
明基板であることが好ましく、具体的には、ガラスやア
ルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリスチ
レンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１４．７７８
号明細書に開示しであるような環状オレフィンランダム
共重合倣　以下に説明するような環状オレフィンランダ
ム共重合朱　ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ
樹男敵ボリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリ
エーテルイミド等の有機材料を用いることができる。こ
の中では、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト、米国特許第４．６１４．７７８号明細書に記載のよ
うな共重合体および下記の環状オレフィンランダム共重
合体が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料としては
、特に保護膜との密着性が良く、複屈折率が小さいとい
う観点から、エチレンと、下記−般式［ｒ］または［ｌ
゛］で表される環状オレフィンとの共重合体からなる環
状オレフィンランダム共重合体が挙げられる。

一般式［１］ （式中、ｎは０または１であり、ｍはＯまたは正の整数
であって、 Ｒ１〜Ｒｏｅは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン
原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もし
くは基を表し、 Ｒ＋ｓ〜Ｒ１”は、互いに結合して単環または多環を形
成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を
有していてもよく、 また、　ＲＩＳとＲＩＢとで、　またはＲ１７とＲ１８
とでアルキリデン基を形成していてもよ＞））。

一般式［Ｉ°］ （式［ｒ’：ｌ中、ｐは０または１以上の整数であり、
ｑおよびｒは、０．　１または２であり、Ｒ１〜ＲＩ５
はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化
水素基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基よりな
る群から原子もしくは基を表し、Ｒ５（またはＲ８）と
ＲＱ（またはＲ７）とは、炭素数１〜３のアルキレン基
を介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直
接結合していてもよい。　） ただし、上記式［１］において、ｎは０またはｌであり
、好ましくは０である。また、ｍはＯまたは正の整数で
あり、好ましくは０〜３である。

また上記式［Ｉ゛］において、ｐは○または１以上の整
数であり、好ましくは０〜３の整数である。

そして、Ｒ１−Ｒ１８（弐［工］）、またはＲ１−Ｒ１
５（式［■’］　）は、それぞれ独立番ミ　　水素原子
、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれ
る原子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子として
は、たとえば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子および
ヨウ素原子を挙げることができる。

また、炭化水素基としては、それぞれ独立に、通常は炭
素原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６のシク
ロアルキル基を挙げることができ、アルキル基の具体的
な例としては、メチル基　エチル基　イソプロピル五　
イソブチル基　アミル基をあげることができ、シクロア
ルキル基の具体的な例としては、シクロヘキシル基　シ
クロプロピル基　シクロブチル基　シクロペンチル基を
挙げることができる。

また上記式［Ｉ°］において、Ｒ６（またはＲ６）とＲ
９（またはＲ〒）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。

さらに、上記式［Ｉ］において、ＲＩＳ〜Ｒ１１＋は互
いに結合して（共同して）単環または多環を形成してい
てもよく、かつ該単環または多環が二重結合を有してい
てもよい。また、ＲＩＢとＲ１１＋とで、またはＲ１７
とＲ１・とでアルキリデン基を形成していてもよい。こ
のようなアルキリデン基＋Ｌ　　通常は炭素原子数２〜
４のアルキリデン基をあげることができ、その具体的な
例としては、エチリデン基　プロピリデン基　イソプロ
ピリデン基およびイソブチリデン基をあげることができ
る。

前記式［２］または［Ｉ′］で表される環状オレフィン
は、シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類あ
るいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反応
により縮合させることにより容易に製造することができ
る。

前記式［Ｉ］または［■°〕で表される環状オレフィン
としては、具体的には、たとえば下記のような化合物を
挙げることができる。

（以下余白） ＣＨ。

ビシクロ［２，２，１］ヘブ ン メチルビシクロ［２ メチルビシクロ［２ などのようなビシクロ［２，２，１］ ヘプト−２ エン誘 導体 ン ５．１０−ジメチルテトラ −ｎ ブチルビシクロ 　Ｈｓ ２．１０−ジメチルテトラ ９−インブチル−２，７− ９、１１，１２−トリメチル ２、７．９ トリメチルテ ９−エチル−１１，１２−ジメ インブチルー１１．１２ −ドデセン ５、８．９．１０−テトラメチ （以下余白） 、＋１１コ ３−ドデセン ８−メチル−９−エチルテ ８−クロロテトラシフ −３−ドデセン ８−プロモチトラシフ ドデセン ８−フルオロテトラシ １＠］−３−ドデセン ・１ｅコー３−ドデセン メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ 目１ ３−ドデセン ８−へキシルテトラシ 、Ｈ，７ ＋　＠］−３−ドデセン ５．１７ １］ ３−ドデセン ７．１＠コー３ ドデセン −３−ドデセン 、Ｉｌｌ］ ３−ドデセン 、１２ ５．１７ ＋ｉ］−３−ドデセ ン ン ８−エチリデン−９−イソ 一ドデセン 、１２ Ｓ、ｌｖ、ｌＩｌ］−３−ドデセ ン ５．１丁・＋ｓ］−３−ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ８−イソプロピリデン 一ドデセン Ｉ＠］−３−ドデセン 一ドデセン などのテトラシクロ［４，４，０，１２５，１７・１リ
−３−ドデセ ン誘導体； （以下余白） ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１２ ６，１７ 目］−３ 一ドデセン Ｉ＠ココ− ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１２・　５．１） ＋ｓ］−３ 一ドデセン ８−イソプロピリデン １２−メチルへキサシフ デセン デセン ヘプタデセン １５−エチルオクタシフ ＋　３　、　Ｑ２　、　？　、　ＱＧ　。

４］−４−ヘン タデセン などのへキサシクロ［６，６，１，１３６，１１９ ＋　３　、　Ｑ２　、　？　、　Ｑ９ などのオクタシクロ［８，８，０，１２９，１４ ８，１ ４］−４−へブタデセン誘導体 ３、＋６．Ｑ３ ８、ＱＧ２ ＋７コー５ トコセン誘導体 トコセン ２・Ｉ７］−５−トコセン などのへブタシクロ ５−イコセン誘導体あるいはへ ブタシクロ−５ ヘンエイコセン誘導体： ＣＨ。

セン などのペンタシクロ［６，６，１，１’・６，０２・７
．０９目コ 一 ヘキサデセン誘導体； ５−メチル−トリシクロ などのト リシクロ［４，３，０，１２・１ ３−デセン誘導体； コセン ６−シメチルベンタ １４、１５−ジメチルベン などのト リシクロ［４，４，０，１２・５］−３−ウンデセン誘
導体： などのペンタシクロ［６，５，１，１３６、Ｏ２、？　
、　０９．　＋　２　］　−］４−ペンタデセン誘導体 ：、３−ジメチル−ペンタ などのジエン化合物： メチル置換ペンタシ 、２１，１１３．２＠、Ｑ電４．＋ｓ、ｌ＋１＠］ ５−ベンタコセン などのペンタシクロ ［４，７，０，１２、Ｓ　、　Ｏ８ ＋３．１９．＋２］ ペンタデセン誘導体ニ ー５−ベンタコセン コセン などのノナシクロ ［９，１０，１，１４７，０３・８．０２１　＠　、　
Ｑｌ　２ ２１．１１３ ２Ｎ、ＱＩＡ ９．１１５・１８］ −５−ベンタコセン誘導 体等を挙げることができる。

（以下余白） ２．１１ −４−エイコセン なとのへブタシクロ［’７．８，０．１３．＠、０２・
７　、１１　＠・１）、０目、＋６．１１２ １ｓコ −４−エイコセン誘導体； そしてさらには、 フェニル−ビシクロ［ ２−エン を挙げることができる。

（以下余白） 上記のようなエチレンと、一般式［＋］または［＋’］
で表される環状オレフィンとの共重合体としては、１３
５℃のデカリン中で測定した極限粘度［＋］が０．０５
〜１０１ｉＩｌ／ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）
が７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体
（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］という
）が好ましく用いられる。また所望により、環状オレフ
ィン系ランダム共重合体［Ａ］に、エチレンと、下記式
［１］または［Ｉ°］で表される環状オレフィンとの共
重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限
粘度［ηコが０．０５〜５ｄｌｌ／ｇの範囲にあり、軟
化温度（ＴＭＡ）が７０″Ｃ未満である環状オレフィン
系ランダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共
重合体［Ｂ］という）を配合して用いてもよい。

上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重合体
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ］は、エチレンおよび前記環状オレフィンを必須成
分とするものであるが、該必須の二成分の他に本発明の
目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能
な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に共重
合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的には
、たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン成分
単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテン、４
−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン
、　１−デセン、　１−ドデセン、　１−テトラデセン
、１−へキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセ
ンなどの炭素原子数が３〜２０のａ−オレフィンなどを
例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
では、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は、４０
〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で存
在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し
単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５０
モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り
返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰り
返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列してい
る。なお、エチレン組成および環状オレフィン組成は１
３ｃｍＮＭＲによって測定した　この環状オレフィン系
ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造
を有していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリ
ン中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［Ｖ］　は、
０．０５〜１０ｄＱ／ｇ、　　好ましくは０．０８〜ｓ
ｄｉ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃以上、好ましくは９０〜２５０℃、さ
らに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。なお軟
化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚さ１−１
１のシートの熱変形挙動により測定した　すなわちシー
ト上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で
昇温しでいき、針が０．６３５．、侵入した温度をＴＭ
Ａとしｔラ　　また、該環状オレフィン系ランダム共重
合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、通常５０〜２３０℃
、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望まし
い。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、　とくに好ましくは０〜５％の範
囲である。

本発明では、また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
コに、 エチレンと、上記式［ｒ］または［Ｉ’］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で（測定した極限粘度［η］が０．０５〜５ｄ１
２７Ｈの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合
してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から
基板を形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で１戴エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）は、６０〜９８モル％、好
ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、また
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２〜
４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で存在し
ており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）および
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は、ラ
ンダムに実質上線状に配列している。なお、エチレン組
成および環状オレフィン組成は１３ｃｍＮＭＲによって
測定した。この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ
］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していない
ことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に溶
解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［Ｖ］は、０
．０５〜５ａ／ｇ、好ましくは０．０８〜３ａＱ／ｇの
範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　ｉＬ　　７０℃未諏　好ましくは一１０〜６０
℃、さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さら
に、該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラ
ス転移温度（Ｔｇ）は、通常−３０〜６０℃、好ましく
は一２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用いる場合には、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．１〜
１００／１０．　　好ましくは１００１０．３〜１００
／７、とくに好ましくは１００１０．５〜１００１５の
範囲であることが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範囲で
［Ａ］酸成分配合することによって基板自体の優れた透
明性と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる保護
膜との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合
に比べさらに向上するという効果があり、　［Ａ］　と
［Ｂ］とのブレンドよりなるこの上記の環状オレフィン
ランダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用い
る反射膜との優れた密着性は高温、高温条件下放置後に
おいてさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］は、特開昭６０−１６８７０
８号公報、特開昭６１−１２０８１６号公転　特開昭６
１−１１５９１２号公報、特開昭６１−１１５９１６号
公報、特開昭６２−２５２４０６号公転　特開昭６２−
２５２４０７号公報、特開昭６１−２７１３０８号公転
　特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本出願
人が提案した方法に従い適宜条件を選択することにより
、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［’ｒ’］で表される環状オレ
フィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［ｍ］また
は［■′］で表される構造の繰り返し単位を形成してい
ると考えられるが、一部の構成単位（ｂ）が開環重合に
よって結合している場合もあり、また必要に応じて水素
添加することも可能である。

［■コ （式［■］中、ｒｒ５ｎおよびＲ１−Ｒ１は前記式［１
］における定義と同様である。） （式［ｎ　’］中、ｐｓ　　Ｑ％　　ｒおよびＲｌ−Ｒ
Ｉ　５は前記式［Ｉ’］における定義と同様である。）
本発明に係る光磁気記録媒体の基板としては、前述した
とおり、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム
共重合体のほかに、同種または異種の環状オレフィン単
量体を開環して得られる環状オレフィン開環重合化　開
環共重合体またはそれらの水素添加物を用いることもで
きる。このような環状オレフィン開環重合像　開環共重
合体およびこれらの水素添加物について、前記式［ｒ］
で表される環状オレフィンを例にして説明すると、以下
に記載するように反応して開環共重合体およびこれらの
水素添加物を構成していると考えられる。

・　［■　“］ ↓水素添加 ↓開環 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環弁型合本　及
びその水素話力Ｕ物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合木　開環
弁型合本　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていテモヨい。このような変性物
は、上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カル
ボン酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸のア
ルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより製
造することができる。なお、この場合の環状オレフィン
系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単位
の含有率は、通常は５０〜１０モル％以下である。この
ような環状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率に
なるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグ
ラフト重合させて製造することもできるし、予め高変性
率の変性物を調製し、次いでこの変性物と未変性の環状
オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造する
ことができる。

本発明において、上記の開環重合体　開環弁型合本　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができる。

さらに、本発明においては、上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる重
合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］または
［ｒ’］で表される環状オレフィン以外の環状オレフィ
ンを重合させることもできる。このような環状オレフィ
ンとしては、たとえば、 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒトＯ−４，７−メタノ−Ｉ
Ｈ−インデン ３ａ、　５．６．７ａ−テトラヒトＤ　−４，７−メタ
ノ−ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このよ
うな他の環状オレフィンは単独で、あるいは組み合わせ
て使用することができ、通常、０〜５０モル％の量で用
いられる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、上記［Ａ
］および［Ｂ］酸成分他に、衝撃強度を向上させるため
のゴム成分を配合したり、耐熱安定弁Ｌ　耐候安定斉Ｌ
　帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング斎具　
　防曇剤、滑＊ｌＬ　　染料、顔料、天然源　合成法　
ワックスなどを配合することができ、その配合割合は適
宜量である。たとえば、任意成分として配合される安定
剤として具体的には、テトラキス［メチレン−３（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネートコメタン、β（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオン酸アルキルエステノ区
　２．２−オキザミドビス［エチル−３（３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）コプロビオネー
トなどのフェノール系酸化防止剤、ステアリン酸亜鉛、
ステアリン酸カルシウム、１２−ヒドロキシステアリン
酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリンモノステ
アレート、グリセリンモノラウレート、グリセリンジス
テアレート、ペンタエリスリトールモノステアレート、
ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリ
トールトリステアレート等の多価アルコールの脂肪酸エ
ステルなどを挙げることができる。これらは単独で配合
してもよいが、組み合わせて配合してもよく、たとえば
、テトラキス［メチレン−３（３゜５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメタンと
ステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノステアレートと
の組合せ等を例示することができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエ
ステル化された多価アルコール脂肪酸エステルであるこ
とが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的には、グリセリンモノステアレート、　グリセリ
ンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリ
セリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、
グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル
、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリ
スリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジラ
ウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペン
タエリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリ
トールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、前記［Ａ］酸成
分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重量部に対して０〜
１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましくは０
〜２重量部の量で用いら瓢　また多価アルコールの脂肪
酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１
００重量部に対して０〜１０重量音医　好ましくは０〜
５重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、本発明の目的
を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、酸
化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン、
水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸
マグネシウム、　ドロマイト、硫酸カルシウム、チタン
酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タルク
、クレーマイカ、アスベスト、ガラス繊維、ガラスフレ
ーク、ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロナ
イト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉、
硫化゛モリブデン、ボロン繊維、炭化ケイ素繊維、ポリ
エチレン縁縁　ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維
、ポリアミド繊維等の充填剤を配合してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、理由は定かではないが、記
録感度が特に優れているという特長を有する。またこの
環状オレフィン系ランダム共重合体または該共重合体を
含む組成物からなる基板と記録層積層体とは密着性に優
れており、　したがって記録膜は長期安定性に優れると
ともに記録膜の酸化が効果的に防止される。したがって
この環状オレフィン系ランダム共重合体からなる基板上
に記録膜を積層してなる光記録媒体は、記録感度に優蜆
　また耐久性および長期安定性にも優れている。また本
発明に係る光記録媒体版割れが生ずることがない。

このような基板１の厚みは特に限定されないが、好まし
くは０．５〜５龍特に好ましくは１〜２１である。

保」１勝 本発明に係る光磁気記録媒体１０で用いられる保護膜２
は、Ｓ　Ｉ　ＮＸ５Ｚ　ｎ　Ｓ−、Ｚ　ｎ　Ｓ　ｅＳＣ
ｄ　ＳｓＳｌ、ＡＱＮなとで示される組成の膜から形成
されており、　このうちＳｉＮ、膜が特に好ましい。

ＳｉＮ、で示される保護膜では、０．＜ｘ≦４７３であ
ることが好ましく、具体的には、Ｓ　ｉ３Ｎ、（四望化
三ケイ素）などの窒化ケイ素膜あるいはＯ〈ｘ＜４／３
となるようにＳｉ、Ｎ、とＳｉとを混合した混合膜が特
に好ましく用いられる。このようなＳｉＮ、で示される
保護膜は、たとえばターゲットとして、　５ｉ３Ｎａま
たは、　Ｓｉ、Ｎ、とＳｉとを用いて、スパッタリング
法により成膜することができる。このようなＳｉＮ、か
らなる保護膜２は、通常１．８以上好ましくは２．０以
上、具体的には１．８〜２．２の屈折率を有しているこ
とが好ましく、後述する光磁気記録膜３を酸化などから
保護する働き、あるいは光磁気記録膜の記録特性を高め
るエンハンス膜としての働き、あるいはその両方の働き
をしている。またＳ　１Ｎｘ（０（ｘ≦４／３）からな
る保護膜法　特に耐クラツク性に優れている。

本発明において、保護膜２の膜厚は５００〜２０００人
、好ましくは８００〜１５００人程度であることが望ま
しい。

本発明においては、保護膜の膜厚を上記のような範囲に
することによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワーマ
ージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

ｉ藍久又旦１ 光磁気記録膜３は、　（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
少なくとも１種と、　（１ｉｉ）希土類力）ら選（Ｉれ
る少なくとも１種の元素とからなるか、あるし）は（ｉ
）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、　（１
１）耐腐食性金属と、　（１ｉｉ）希土類力・ら選ばれ
る少なくとも１種の元素とからなってし）る。

このうち（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、　（１１）耐腐食性金属と、　（ｉｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素と力・らなる光磁気
記録膜が好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、　　Ｃｏ、　　Ｔ
ｉ。

Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＮｉＳ　Ｃｕ、Ｚｎなどが用し）られ
るが、このうちＦｅまたはＣＯあるいはこの両者である
ことが好ましい。

この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜中に好ましくは２０
〜９０原子％、より好ましくは３０〜８５原子％、とく
に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在してし）る。

（１１）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませること
によって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることが
できる。このような耐腐食性金属としては、ＰｔＳ　Ｐ
ｄ、Ｔｉ、ＺｒＳ　Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるが、こ
のうちＰｔＳ　Ｐｄ、Ｔｉが好ましくとくにｐｔまたは
Ｐｄあるいはこの両者であることが好ましい。

この耐腐食性金属は、光磁気記録膜中レミ　３０原子％
以下、好ましくは５〜２５原子％、とくには１０〜２５
ｆｆ千％、さらに好ましくは１０〜２０原子％の量で存
在している。

希土類元素としては、下記のような元素が挙げられる。

Ｇｄ、　　Ｔｂ、　　ＤｙＳ　Ｈｏ、　Ｅｒ５ＴｒｒＬ
、Ｙｂ。

Ｌｕ、　　ＬａＳ　Ｃｅ、　　Ｐｒ１　Ｎｄ、　　Ｐｍ
、　　Ｓｍ。

ｕ このうちＧｄＳ　ＴｂＳ　ＤｙＳ　Ｈｏ１　ＮｄＳ　Ｓ
ｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素は、光磁気記録膜中に、好ましくは５〜５０原子％、
さらに好ましくは８〜４５ｗ、子％とくに好ましくは１
０〜４０原子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜が、特に、下記に記載するよ
うな組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中には、　（ｉ）３ｄ遷移元
素として、好ましくはＦｅまたはＣＯあるいはこの両者
が含まれており、Ｆｅおよび／またはＣＯは、４０原子
％以上８０ＪＸ子％以下、好ましくは４０原子％以上７
５原子％未２ｆｋ　　さらに好ましくは４０原子％以上
５９原子％以下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣＯは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ
）比［Ｗ子比コが０以上０．３以下、好ましくは０以上
０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以下
であるような量で、光磁気記録膜中に存在していること
が望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣＯの量が４０原子％以上で８０原
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に便法かつ膜面に垂
直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られる
という利点を有する。

ところで光磁気記録膜中に、Ｃｏを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めら娼　その
結果、ＣＯの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を
調整することができ、しかもＣｏの添加により、再生信
号のキャリアレベルを増加することができる。本発明に
係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比の点か
らＣｏ／　（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］は０以上０．３
以下、好ましくは０以上０．２以下、さらに好ましくは
０．０１以上０．２以下であることが望ましい。

このような本発明に用いる光磁気記録膜は、記録および
消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずることはない
。たとえば本発明に係るＰ　ｔ　１３Ｔ　ｂ２ｓＦ　ｅ
ｓ、ｃ　Ｏｓなる組成ヲ有スル光磁気記録膜は、　１０
Ｔ回の記録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の
低下は認められない。

（１１）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中には、　（１１）耐腐食
性金属として、好ましくはＰｔまたはＰｄあるいはこの
両者が含まれており、Ｐｔおよび／またはＰｄは、光磁
気記録膜中に５〜３０原子％、好ましくは１０原子％を
超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０原子％を
超えて２０ｙｆ、子％未満、最も好ましくは１１原子％
以上１９原子％以下の量で存在していることが望ましい
。

光磁気記録膜中のＰｔおよび／またはＰｄの量が５原子
％以上、特に１０Ｗ子％を超えて存在すると、光磁気記
録膜の耐酸化性に便法　長期間使用しても孔食が発生せ
ず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。

たとえばＰ　ｔ　＋３Ｔ　ｂ２ｓＦ　ｅｓｅｃ　Ｏｓ　
（原子％）あルイはＰ　ｄ＋２Ｔｂ２ｓＦ　ｅｓ３ｃ　
Ｏ？　（ｆｆｌ子％）で示される組成を有する本発明に
係る光磁気記録膜は、相対湿度８５％、８０℃の環境下
に１０００時間保持しても、　Ｃ／Ｎ比は全く変化しな
い。これに対してｐｔまたはＰｄを含まないＴｂ２５Ｆ
ｅ６８Ｃｏ７（原子％）で示される組成を有する光磁気
記録膜は、相対湿度８５％、８０℃の環境下に１０００
時間保持すると、Ｃ／Ｎ比は大きく低下する。

また光磁気記録膜中にｐｔおよび／またはＰｄを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読出す際に、小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、バイア
ス磁界発生用のマグネットを小さくすることができ、し
かもマグネットからの発熱も押えることができるため、
光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素
化することができる。しかも小さなバイアス磁界で充分
に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバーライド可能
な磁界変調記録用のマグネットの設計も容易となる。

（１ｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素とじては、　　Ｎｄ、
　　　Ｓｍ１　　ＰｒＳ　　Ｃｅ、　　　Ｅｕ、　　　
ＧｄＳ　　Ｔｂ。

ＤｙまたはＨＯが用いられる。

これらの中では、Ｎｄ、ＰｒＳ　Ｇｄ１　Ｔｂ。

ＤＹが好ましく用いら瓢　特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ＋Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［原子比］をＸで表わした場合に、０．１５≦Ｘ
≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４であるよ
うな量で光磁気記録膜中に存在していることが望ましい
。

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｅや
カー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素は、記録膜を構成する全原子数に
対してたとえば１０原子％未溝の割合で用いることがで
きる。

併用できる他の元素の例としてＩＬ　　以下のような元
素が挙げられる。

（１）ＦｅＳ　Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素具体的には、Ｓ
ｃ、　　Ｔｉ、　　Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ。

Ｎｉ、　　Ｃｕ、　　Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、ＣｕＳ　Ｚｎなどが好まし
く用いられる。

（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、　　Ｚｒ、　　ＮｂＳＭｏ、Ｔｃ。

Ｒｕ、　　Ｒｈ、Ａｇ、　　Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ１　Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ５Ｔａ、　　Ｗ、　　Ｒｅ、　　Ｏｓ
。

ＩｒＳ　Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（■）ｍＢ族元素 具体的にＬ　　Ｂ、ＡＱ、Ｇａ、　　Ｉｎ、ＴＱが用い
られる。

このうちＢ、ＡＱＳ　Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）ｒｖＢ族元素 具体的に＋４　　Ｃ，Ｓｉ、　　Ｇｅ、　　Ｓｎ、　　
Ｐｂが用いられる。

このうち、　ＳｉＳ　Ｇｅ、　　Ｓｎ、Ｐｂが好ましく
用いられる。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、　　Ｐ、　　Ａｓ、　　Ｓｂ、　　Ｂ
ｉが用いられる。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、ＳｅＳ　Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直
な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非
晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回折などにより確かめ
られる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに＋）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θに１　が０．８以上であることを意味している
。

この光磁気記録膜の膜厚は１００〜６００人、好ましく
は１００〜４００人、より好ましくは１５０〜３００人
程度である。

２進Ｊシ江に茎 本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のような光
磁気記録膜３上に、窒化チタン膜４例えばＴｉＮが設け
られている。

この窒化チタン膜４は、たとえばＴｉＮをターゲットと
して用いてスパッタリング法により形成することができ
る。

このような窒化チタン膜４は、光磁気記録膜３を酸化な
どから保護する働き、あるいは光磁気記録膜の記録特性
を高めるエンハンス膜としての働き、あるいはその両方
の働きをしている。

本発明において、窒化チタン膜４の膜厚は５０〜１００
ＯＡ、　　好ましくは１５０〜５００八程度であること
が望ましい。

本発明において１戴　窒化チタン膜４の膜厚を上記のよ
うな範囲にすることによって、良好なＣＺＮ比と広い記
録パワーマージンを有する光磁気記録媒体を得ることが
できる。

アルミニウム合金 本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のような窒
化チタン膜４上に、アルミニウム合金膜５が設けられて
いる。

このアルミニウム合金膜５は、アルミニウムと、アルミ
ニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成されて
いる。

このようなアルミニウム合金としては、具体的には以下
のようなものが例示できる。

ＡＱ　−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１−１０原子％）、
ＡＱ−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１−１０原子％）、Ａ
Ｑ−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子％〕、Ａ１
−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−
Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｂ
合金（Ｂ含有量０．１〜１０原千％）、ＡＱ−Ｔｉ合金
（Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｕ−Ｔｉ−Ｎｂ
合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％、Ｎｂ含有量０．１
〜５Ｗ、子％）、Ａｌ１−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量
０．１〜５原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原千％）、
ＡＱ−Ｃｒ−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０．１−５原子％、
Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｔｉ合
金（Ｃｒ含有量０．１−５原子％、Ｔｉ含有量０．１〜
１０原子％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有量Ｏ６
１〜５原子％、Ｚｒ含有量ｏ、ｉ〜ｉｏ原子％）、ＡＱ
　−Ｔ　１−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％、
Ｎｂ含有量０．１〜５原子％）、 ＡＱ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量０．１〜１１子％）、Ａ１
１−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ
−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｔ
ｉ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｍｇ−Ｃｒ合金
（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｃｒ含有量０．１〜
１０原子％）、ＡＱ−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有量０．
１−１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｕ　−５ｅ合金（Ｓｅ含有量０．１−１０原子％）、Ａ
Ｑ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１−１０原子％）、Ａ９
−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１−１０原子％）、ＡＱ−
Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％、Ｈｆ
含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−８１合金（Ｓｉ含
有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ａｇ合金（Ａｇ含有
量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有量
０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｐ　を合金（Ｐｔ含有量
０．１〜１０原子％）。

アルミニウム合金としては、特に以下のようなもの紙　
光磁気記録媒体の線速依存性が）ＪＳさくかつ耐腐食性
に優れているので好ましい。

ハフニウム０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金
、 ニオブ０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金、チ
タン０．５〜５原子％とハフニウム０．５〜５原子％を
含へ　チタンとハフニウムの合計含有量が１〜５．５Ｉ
子％であるアルミニウム合金、クロム０．１〜５原子％
とチタン０．１〜９．５ｆｆ　子％を含永　クロムとチ
タンの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム
合金、 クロム０，１〜５原子％とチタン０．１〜９．５原子％
とハフニウム０．１〜９．５原子％とを含永　クロムと
チタンとハフニウムの合計含有量が１０原子％以下であ
るアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とクロム０．１〜１０
原子％を合本　マグネシウムとクロムの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金、クロム０．１〜
５Ｎ、子％とハフニウム０．１〜９．５原子％を合本　
クロムとハフニウムの合計含有量が１０原子％以下であ
るアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０原子％を合本　マグネシウムとハフニウムの合計含
有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、クロム
０．１〜５原子％とジルコニウム０．１〜９．５原子％
を台木　クロムとジルコニウムの合計含有量が１０原子
％以下であるアルミニウム合金、タンタル０．１〜１０
Ｗ、子％とハフニウム０．１〜１０Ｗ子％とを含永　　
タンタルとハフニウムの合計含有量が１５原子％以下で
あるアルミニウム合金、チタン０．５〜５原子％とニオ
ブ０．５〜５原子％を含永　チタンとニオブの合計含有
量が１〜５，５原子％であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とチタン０．１〜１ｏ
原子％を含ヘ　マグネシウムとチタンの合計含有量が１
５原子％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム０
．１〜１０原子％とチタン０．１〜１０［子％とを含べ
　がつマグネシウムとチタンの合計含有量が１５原子％
以下であるアルミニウム合金、マグネシウム０．１〜１
０ＪＰｔ子％とハフニウム０．１〜１０原子％とチタン
０．１〜１０原子％とを含べ　がっマグネシウムとハフ
ニウムとチタンの合計含有量が１５原子％以下であるア
ルミニウム合金、マグネシウム０．１〜１０原子％とハ
フニウム０．１〜１０原子％とクロム１０原子％以下と
を含べ　がっマグネシウムとハフニウムとクロムとの合
計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、マ
グネシウム０．１〜１ｏ原子％とチタン０．１〜１０Ｗ
子％とクロム１０原子％以下とを合本　かつマグネシウ
ムとチタンとクロムとの合計含有量が１５ｉ子％以下で
あるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０原子％とチタン０．１〜１０原子％とクロム１０原
子％以下とを含べ　かつマグネシウムとハフニウムとチ
タンとクロムとの合計含有量が１５原子％以下であるア
ルミニウム合也 また上記のようなアルミニウム合金膜１戴　それぞれの
アルミニウム合金膜を構成する金属以外に下記のような
金属（元素）を１種または２種以上含ませることもでき
る。このような金属としては、たとえば、チタン（Ｔｉ
）、クロム（Ｃｒ）、シリ：＋ン（Ｓｉ）、タンタル（
Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウ
ム（Ｚ　ｒ　Ｌ　　マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（
Ｍｇ）、バナジウム（Ｖ）などが挙げら瓢　このような
他の金属は通常５原千％以下好ましくは２原子％以下の
量で含まれる。　（ただし　アルミニウム合金膜に（転
上記に例示するような金属（元素）のうち、既にアルミ
ニウム合金膜に含まれている金属（元素）をさらに上記
の量で重ねて含ませることはないものとする。たとえば
、アルミニウム合金膜を構成するアルミニウム合金が、
上記したＡｉｌ　−Ｔ　ｉ合金、Ａ２−Ｔｉ−Ｈｆ合金
等である場合には、上記の金属（元素）のうちでチタン
（Ｔｉ）がさらに上記のような量で上記アルミニウム合
金中に含まれることはない。） このようなアルミニウム合金膜５の膜厚は、１００〜５
０００人好ましくは５００〜３０００人さらに好ましく
は７００〜２０００人程度であることが望ましい。

このアルミニウム合金膜５は、熱良伝導体層としての機
能を果たしており、このアルミニウム合金膜が存在する
ことによって光磁気記録層が記録レーザ光によって過度
に高温になることが防止さ札　その結果　記録パワーの
線速依存性が小さくなると考えられる。

また本発明におけるアルミニウム合金膜は、耐腐食性に
優れているため、長期間使用した後においても、記録媒
体の線速依存性が小さいという特徴を有しており、記録
層に対する保護作用にも優れている。

本発明に係る光磁気記録媒体１０は、基板上に、保護風
　光磁気記録風　窒化チタン民　アルミニウム合金膜を
、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電子
ビーム蒸着法などの成膜法を採用して成膜することによ
って製造することができる。

久馴目り廟迷 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に保護風　光磁
気記録風　窒化チタン既　アルミニウム合金膜を有し　
かつ基板上に保護風　光磁気記録風　窒化チタン既　ア
ルミニウム合金膜がこの順序で積層されているので、記
録パワーの線速依存性が小さく、かつ記録パワーマージ
ンが広く、しかも耐酸化性および記録感度に優れている
。

し実施例］ 以下本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

叉墓漬」 エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４
，４ａ、　５．８゜以下ＤＭＯＮと略記する）とを共重
合させて得られる非品性の環状オレフィンランダム共重
合体（＋　３　（。

ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量５９モル％、ＤＭＯ
Ｎ含量４１モル％、１３５℃デカリン中で測定した極限
粘度［η］が０．４２ｄｌ／ｇ、軟化温度（ＴＭＡ）　
１５４℃）からなる非晶質ポリオレフィン製基板（厚さ
１．２．、）上に、　Ｓｉ３Ｎ、ターゲットを用いて、
スパッタリング法により保護膜としてのＳｉ、Ｎ、膜を
１１００人の膜厚で被着させ九 このＳｉ３Ｎ、膜上に、ＦｅとＣｏとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰ　ｔ　
、、Ｔ　ｂ２．Ｆ　ｅａｅｃ　Ｏ２の組成を有する記録
膜を２５０Ａの膜厚で被着させたさらにこのＰ　ｔ　、
、Ｔ　ｂ２ｓＦ　ｅｅｅｃ　０２膜上に、ＴｉＮターゲ
ットを用いて、スパッタリング法によりＴｉＮ膜を２５
ＯＡの膜厚で被着させた次にこのＴｉＮ膜上＆″Ｓ　Ａ
Ｑ−Ｔｉ−Ｈｆの複合ターゲットを用いて、スパッタリ
ング法により原子％でＡ　Ｑ　＊　？　Ｔ　ｉＨＨｆ　
２の組成を有するアルミニウム合金膜を１８００へのＭ
厚で被着させたこのようにして得られた光磁気記録媒体
の特性を測定した 結果を表１に示す。

寒、ｔｍＮＪ２ 実施例１で使用した基板と同様の基板上に、Ｓｉ、Ｎ４
ターゲツトを用いて、スパッタリング法により保護膜と
してのＳｉ３Ｎ、膜をｌ１００Ａの膜厚で被着させた このＳｉ３Ｎ、膜上に、ＦｅとＣＯとからなるターゲッ
トにＰｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰ　ｔ　
＋ｓＴ　ｂ２ｓＦ　ｅ６１１ｃ　ｏ２（７）組成を有す
る記録膜を２８０人の膜厚で被着させたさらにこのＰ　
ｔ　ＩＩＩＴ　ｂ２ａＦ　ｅｓｓＣ０２膜上に、ＴｉＮ
ターゲットを用いて、スパッタリング法によりＴｉＮ膜
を３２０人の膜厚で被着させた次にこのＴｉＮ膜上に、
Ａｌ１−Ｃｒ−Ｈｆの複合ターゲットを用いて、スパッ
タリング法により原子％でＡ　Ｑ　９　ｖ　Ｃｒ　ＨＨ
ｆ　２の組成を有するアルミニウム合金膜を１８００Ａ
の膜厚で被着させ九このようにして得られた光磁気記録
媒体の特性を測定し島 結果を表１に示す。

失速漬」 実施例１で使用した基板と同様の基板上に、Ｓ　ｉ３Ｎ
、ターゲットを用いて、スパッタリング法により保護膜
としてのＳｉ３Ｎ、膜を１１００への膜厚で被着させた このＳｉ、Ｎ、膜上に、ＦｅとＣＯとからなるターゲッ
トにＰｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰ　ｔ　
、＠Ｔ　ｂ３＠Ｆ　ｅｓｅｃ　Ｏａの組成を有する記録
膜を２７０Ａの膜厚で被着させたさらにこのｐ　ｔ　、
、Ｔ　ｂ、、Ｆ　ｅｓａｃ　ｏｓ腹膜上、ＴｉＮターゲ
ットを用いて、スパッタリング法によりＴｉＮ膜を２８
０人の膜厚で被着させへ次にこのＴｉＮ膜上に、Ａｎ−
Ｈｆの複合ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
り原子％でＡＱ、、Ｈｆ２の組成を有するアルミニウム
合金膜を２０００人の膜厚で被着させた このようにして得られた光磁気記録媒体の特性を測定し
八 結果を表１に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図は、 本発明の光磁気記録媒体の断面図で ある。 基板 光磁気記録膜 保護膜 窒化チタン膜 アルミニウム合金膜 光磁気記録媒体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、窒化チタ
   ン膜と、アルミニウム合金膜とがこの順序で積層されて
   なることを特徴とする光磁気記録媒体。