JPH04255928A - 光記録ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、光記録ディスク、たと
えば書き換え可能型の光磁気記録ディスクや相変化タイ
プの光記録ディスク、さらには各種追記型の光記録ディ
スク等に関する。 【０００２】 【従来の技術】光記録ディスクは、基板上に記録層を設
層して構成され、その記録・再生に際しては、通常、基
板側からレーザビーム等を照射する。このため、用いる
基板は透明なもの、例えば、ガラスや樹脂等から構成さ
れる。このような場合、ディスクの軽量化や、トラッキ
ング用のグルーブやピット形成の容易さの点から、従来
光記録ディスクの基板としては樹脂製の基板が用いられ
ており、特に、ポリメチルメタクリレートとポリカーボ
ネートが汎用されている。 【０００３】このうち、ポリメチルメタクリレートは光
弾性係数が小さく、複屈折が非常に小さいため、すぐれ
た光学特性をもっているが、吸水率が高く、耐熱性も低
いため、寸法安定性の面で劣っている。このため、吸水
率が小さく、耐熱性が比較的高いポリカーボネートが多
用されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、ポリカーボネ
ートは、光弾性係数が大きく、高分子鎖が流動方向に配
向しやすく、複屈折が大きくなりやすい。特に、近年、
より一層の高密度記録化や高転送レート化のため、２０
０ｍｍ以上の直径の大径ディスクを用い、これを１８０
０ｒｐｍ　以上の高速回転で記録再生を行なうことが試
みられているが、このような大径サイズでは、射出成形
時に複屈折が生じ、しかも高速回転時の応力の印加によ
って複屈折がより一層大きくなってしまい、記録再生出
力が低下してしまう。 【０００５】また、吸水率も十分小さいものではないの
で、基板が吸水して反ったり、剛性が不十分であるため
面ブレが生じ、１８００ｒｐｍ　以上、特に３０００ｒ
ｐｍ　以上の高速回転駆動時には、フォーカストラッキ
ングエラーが増大してしまう。 【０００６】また、基板より水が侵入して、記録層が腐
食するという不都合もある。 【０００７】これらから、最近要求されるようになって
きた高速回転駆動、特に１８００ｒｐｍ　以上、さらに
３０００ｒｐｍ　以上の高速回転駆動に対応するために
は、機械的強度の高い基板を用いることを考えなければ
ならない。 【０００８】しかし、ガラス製基板では誤って落とした
りぶつけたりした場合、破損する可能性がある。特に強
度の高い化学強化ガラスを用いたときには、ガラス小片
となって破損し、この小片が飛び散るという不都合もあ
る。また、ガラス基板では成形時にプレフォーマット情
報としてのグルーブ等を形成できず、工程増を招いてし
まう。 【０００９】一方記録層のヒッカキ等による機械的損傷
を防ぐためには、基板の記録層設層側に保護基板を設け
るか、一対の基板を記録層が内封されるように一体化す
る必要がある。 【００１０】本発明の主たる目的は、面ブレや変形を生
じることがなく、安定した高速回転を行なうことができ
、良好な記録再生特性と耐久性とを有する光記録ディス
クを提供することにある。 【００１１】 【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（８）の本発明によって達成される。 【００１２】（１）　　一対の基板を有し、この一対の
基板のうちの一方を樹脂製、他方をガラス製とし、この
樹脂製の基板上に記録層を形成し、これをガラス製の保
護基板と一体化した光記録ディスクであって、前記樹脂
が、エチレンと下記化１で表わされる環状オレフィンと
を共重合した環状ポリオレフィンの１種以上を含むもの
であることを特徴とする光記録ディスク。 【化２】 【００１３】（２）　　前記光記録ディスクの記録再生
に際して、前記基板の回転数を１８００ｒｐｍ　以上に
て行なう上記（１）に記載の光記録ディスク。 【００１４】（３）　　前記基板は、前記環状ポリオレ
フィンを射出成形したものである上記（１）または（２
）に記載の光記録ディスク。 【００１５】（４）　　前記基板は記録層側表層部に、
熱軟化点１４０℃以下のスキン層を有する上記（１）な
いし（３）のいずれかに記載の光記録ディスク。 【００１６】（５）　　前記熱軟化点が１００〜１４０
℃である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の光
記録ディスク。 【００１７】（６）　　前記基板は、前記スキン層の熱
軟化点と、この熱軟化点より１０℃以上高い第２の熱軟
化点とを有する上記（４）または（５）に記載の光記録
ディスク。 【００１８】（７）　　前記記録層が色素を含有し、こ
の記録層上に反射層を有する上記（１）ないし（６）の
いずれかに記載の光記録ディスク。 【００１９】（８）　　前記記録層は前記基板上に直接
または下地層を介して設層されており、前記記録層また
は下地層は気相成膜法により形成されている上記（１）
ないし（６）のいずれかに記載の光記録ディスク。 【００２０】 【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。 【００２１】本発明における基板材質には、エチレンと
前記化２で表わされる環状オレフィンとを共重合した環
状ポリオレフィンの１種以上を共重合した環状ポリオレ
フィンを用いる。 【００２２】前記化２で表わされる環状オレフィンは、
シクロペンタジエン類とこれに相応するオレフィン類と
をディールス・アルダー反応で縮合させて合成すればよ
い。 【００２３】化２で表わされる環状オレフィンとして具
体的には、テトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン（１、４、５、８−ジメタノ
−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロ
ナフタレン）、２−メチル−１、４、５、８−ジメタノ
−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロ
ナフタレン、２−エチル−１、４、５、８−ジメタノ−
１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２−プロピル−１、４、５、８−ジメタノ−
１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２−ヘキシル−１、４、５、８−ジメタノ−
１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２、３−ジメチル−１、４、５、８−ジメタ
ノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒド
ロナフタレン、２−メチル−３−エチル−１、４、５、
８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−
オクタヒドロナフタレン、２−クロロ−１、４、５、８
−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オ
クタヒドロナフタレン、２−ブロモ−１、４、５、８−
ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オク
タヒドロナフタレン、２−フルオロ−１、４、５、８−
ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オク
タヒドロナフタレン、２、３−ジクロロ−１、４、５、
８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−
オクタヒドロナフタレン、２−シクロヘキシル−１、４
、５、８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、
８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−ｎ−ブチル−−１
、４、５、８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、
８、８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−イソブチル−
１、４、５、８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５
、８、８ａ−オクタヒドロナフタレンなどのオクタヒド
ロナフタレン類などの化合物を挙げることができる。 【００２４】さらに、化２で表わされる環状オレフィン
の例としては、以下に記載する化合物を挙げることがで
きる。ビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、６−
メチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、５、
６−ジメチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン
、１−メチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン
、６−エチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン
、６−ｎ−ブチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−
エン、６−イソブチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−
２−エン、７−メチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−
２−エン、などのようなビシクロ［２、２、１］ヘプト
−２−エン誘導体；テトラシクロ［４、４、０、１２、
５　、１７、１０］−３−ドデセン、５、１０−ジメチ
ルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０
］−３−ドデセン、２、１０−ジメチルテトラシクロ［
４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン
、１１、１２−ジメチルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、２、７、９−
トリメチルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン、９−エチル−２、７−ジメ
チルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１
０］−３−ドデセン、９−イソブチル−２、７−ジメチ
ルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０
］−３−ドデセン、９、１１、１２−トリメチルテトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン、９−エチル−１１、１２−ジメチルテトラシ
クロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ド
デセン、９−イソブチル−１１、１２−ジメチルテトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン、５、８、９、１０−テトラメチルテトラシク
ロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデ
セン、８−メチルテトラシクロ［４、４、０、１２、５
　、１７、１０］−３−ドデセン、８−エチルテトラシ
クロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ド
デセン、８−プロピルテトラシクロ［４、４、０、１２
、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ヘキシルテ
トラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−
３−ドデセン、８−ステアリルテトラシクロ［４、４、
０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８、９
−ジメチルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン、８−メチル−９−エチルテ
トラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−
３−ドデセン、８−クロロテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ブロモ
テトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］
−３−ドデセン、８−フルオロテトラシクロ［４、４、
０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８、９
−ジクロロテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン、８−シクロヘキシルテトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン、８−イソブチルテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ブチル
テトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］
−３−ドデセン、８−エチリデンテトラシクロ［４、４
、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−
エチリデン−９−メチルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−エチリデ
ン−９−エチルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　
、１７、１０］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−
イソプロピルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、
１７、１０］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−ブ
チルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１
０］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピリデンテトラシク
ロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデ
セン、８−ｎ−プロピリデン−９−メチルテトラシクロ
［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセ
ン、８−ｎ−プロピリデン−９−エチルテトラシクロ［
４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン
、８−ｎ−プロピリデン−９−イソプロピルテトラシク
ロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデ
セン、８−ｎ−プロピリデン−９−ブチルテトラシクロ
［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセ
ン、８−イソプロピリデンテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソプ
ロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソプロ
ピリデン−９−エチルテトラシクロ［４、４、０、１２
、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソプロピ
リデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソプ
ロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、などのテトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン誘導体；ヘキサシクロ［６、６、１、１３、６
　、１１０、１３　、０２、７　、０９、１４］−４−
ヘプタデセン、１２−メチルヘキサシクロ［６、６、１
、１３、６　、１１０、１３　、０２、７　、０９、１
４］−４−ヘプタデセン、１２−エチルヘキサシクロ［
６、６、１、１３、６　、１１０、１３　、０２、７　
、０９、１４］−４−ヘプタデセン、１２−イソブチル
ヘキサシクロ［６、６、１、１３、６　、１１０、１３
　、０２、７　、０９、１４］−４−ヘプタデセン、１
、６、１０−トリメチル−１２−イソブチルヘキサシク
ロ［６、６、１、１３、６　、１１０、１３　、０２、
７　、０９、１４］−４−ヘプタデセン、などのヘキサ
シクロ［６、６、１、１３、６　、１１０、１３　、０
２、７　、０９、１４］−４−ヘプタデセン誘導体；オ
クタシクロ［８、８、０、１２、９　、１４、７　、１
１１、１８　、１１３、１６　、０３、８　、０１２、
１７　］−５−ドコセン、１５−メチルオクタシクロ［
８、８、０、１２、９　、１４、７　、１１１、１８　
、１１３、１６　、０３、８　、０１２、１７　］−５
−ドコセン、１５−エチルオクタシクロ［８、８、０、
１２、９　、１４、７　、１１１、１８　、１１３、１
６　、０３、８　、０１２、１７］−５−ドコセン、な
どのオクタシクロ［８、８、０、１２、９　、１４、７
　、１１１、１８　、１１３、１６　、０３、８　、０
１２、１７　］−５−ドコセン誘導体；ペンタシクロ［
６、６、１、１３、６　、０２、７、０９、１４］−４
−ヘキサデセン、１、３−ジメチルペンタシクロ［６、
６、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４−
ヘキサデセン、１、６−ジメチルペンタシクロ［６、６
、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４−ヘ
キサデセン、１５、１６−ジメチルペンタシクロ［６、
６、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４−
ヘキサデセン、などのペンタシクロ［６、６、１、１３
、６　、０２、７、０９、１４］−４−ヘキサデセン誘
導体；ヘプタシクロ［８、７、０、１２、９　、１４、
７　、１１１、１７　、０３、８　、０１２、１６　］
−５−イコセン、ヘプタシクロ［８、７、０、１２、９
　、１４、７　、１１１、１７　、０３、８　、０１２
、１６　］−５−ヘンエイコセン、などのヘプタシクロ
−５−イコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−５−ヘン
エイコセン誘導体；トリシクロ［４、３、０、１２、５
］−３−デセン、２−メチルトリシクロ［４、３、０、
１２、５　］−３−デセン、５−メチル−トリシクロ［
４、３、０、１２、５　］−３−デセン、などのトリシ
クロ［４、３、０、１２、５　］−３−デセン誘導体；
トリシクロ［４、４、０、１２、５　］−３−ウンデセ
ン、１０−メチル−トリシクロ［４、４、０、１２、５
　］−３−ウンデセン、などのトリシクロ［４、４、０
、１２、５　］−３−ウンデセン誘導体；ペンタシクロ
［６、５、１、１３、６　、０２、７　、０９、１３］
−４−ペンタデセン、１、３−ジメチル−ペンタシクロ
［６、５、１、１３、６　、０２、７　、０９、１３］
−４−ペンタデセン、１、６−ジメチルペンタシクロ［
６、５、１、１３、６　、０２、７　、０９、１３］−
４−ペンタデセン、１４、１５−ジメチルペンタシクロ
［６、５、１、１３、６　、０２、７　、０９、１３］
−４−ペンタデセン、などのペンタシクロ［６、５、１
、１３、６　、０２、７　、０９、１３］−４−ペンタ
デセン誘導体；ペンタシクロ［６、５、１、１３、６　
、０２、７　、０９、１３］−４、１０−ペンタデカジ
エン誘導体；ペンタシクロ［４、７、０、１２、５　、
０８、１３、０９、１２］−３−ペンタデセン、メチル
置換ペンタシクロ［４、７、０、１２、５、０８、１３
、０９、１２］−３−ペンタデセン、などのペンタシク
ロ［４、７、０、１２、５　、０８、１３、０９、１２
］−３−ペンタデセン誘導体；ヘプタシクロ［７、８、
０、１３、６　、０２、７　、１１０、１７　、０１１
、１６　、１１２、１５　］−４−エイコセン、ジメチ
ル置換ヘプタシクロ［７、８、０、１３、６　、０２、
７　、１１０、１７　、０１１、１６　、１１２、１５
　］−４−エイコセン、などのヘプタシクロ［７、８、
０、１３、６　、０２、７　、１１０、１７　、０１１
、１６　、１１２、１５　］−４−エイコセン誘導体；
ノナシクロ［９、１０、１、１４、７　、０３、８　、
０２、１０、０１２、２１　、１１３、２０　、０１４
、１９　、１１５、１８　］−５−ペンタコセン、トリ
メチル置換ノナシクロ［９、１０、１、１４、７　、０
３、８　、０２、１０、０１２、２１　、０１３、２０
　、０１４、１９　、１１５、１８　］−５−ペンタコ
セン、などのノナシクロ［９、１０、１、１４、７　、
０３、８　、０２、１０、０１２、２１　、０１３、２
０　、０１４、１９　、１１５、１８］−５−ペンタコ
セン誘導体。 【００２５】本発明における環状ポリオレフィンは、エ
チレンと前記化２で表わされる環状オレフィンを必須成
分とするものであるが、この他、必要に応じて他の共重
合可能な不飽和単量体成分を含有させてもよい。例えば
プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、
１−ヘキセン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラ
デセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エ
イコセンなどの炭素原子数が３〜２０のα−オレフィン
などを挙げることができる。 【００２６】これら環状ポリオレフィンの１種または２
種以上を用いて、後述の熱軟化点Ｔ２　が後述の値とな
るようにすることが好ましい。このような１種以上の環
状オレフィン共重合体は、特開昭６０−１６８７０８号
公報、特開昭６１−１２０８１６号公報、特開昭６１−
１１５９１２号公報、特開昭６１−１１５９１６号公報
、特願昭６１−９５９０５号公報、特願昭６１−９０９
０６号公報、特開昭６１−２７１３０８号公報、特開昭
６１−２７２２１６号公報などの方法に従い適宜条件を
選択することにより、製造することができる。 【００２７】また、環状オレフィンのランダム共重合体
とともに、上述の化２で表わされる環状オレフィンが開
環重合することにより形成される繰り返し単位を含む重
合体、もしくは共重合体が含まれていてもよく、さらに
、この繰り返し単位を水添することにより形成される繰
り返し単位を含む重合体あるいは共重合体が含まれてい
てもよい。 【００２８】さらに、これらには酸化防止剤や安定剤が
含有されていてもよい。 【００２９】本発明においては、一対の基板のうち保護
基板をガラス製、記録層設層用の基板を環状ポリオレフ
ィン製とする軽量かつ剛性の光記録ディスクを実現する
ことができ、しかも十分な信頼性を得ることができる。 【００３０】そして、本発明の光記録ディスクによれば
、１８００ｒｐｍ　以上、特に３０００ｒｐｍ　以上の
安定な高速回転駆動を容易に行うことができ、その際面
ブレや変形も防止することができる。 【００３１】また、一方の基板は樹脂製であるため、光
記録ディスクを落としたりしたときの破損や、破損した
ときのガラス飛散も防止することができる。 【００３２】特に、環状ポリオレフィン製の基板上に記
録層等を形成し、これをガラス製の保護基板と一体化し
た光記録ディスクによれば、記録・再生上の障害となる
複屈折を防止することができる。そして記録・再生を行
う環状ポリオレフィン製基板側は、耐熱性、耐湿性に優
れるため、高温ないし低温および、高湿ないし低湿下で
の長期間の保存によっても変形や変質等がほとんど生じ
ない。特に、環状ポリオレフィンの吸水率が小さいので
、記録層が水分から保護され、基板自身の吸水による反
りもないので、面ブレが効果的に防止できる。 【００３３】このような基板の厚さは１．０〜１．５ｍ
ｍ程度とする。また、基板表面には、成形時に、グルー
ブやピット等のプレフォーマット情報等のパターンを容
易に形成することができる。 【００３４】また、基板には、ハブが一体化されていて
もよい。ハブには、割れやクラック防止のため、ガラス
繊維を混入することが好ましい。 【００３５】このような基板は、記録光および再生光（
６００〜９００ｎｍ程度、特に７００〜８００ｎｍ程度
の半導体レーザー光、特に７８０ｎｍ）に対し、実質的
に透明（好ましくは透過率８０％以上）である。これに
より、基板裏面側からの記録および再生が可能となる。 【００３６】このような基板の記録層設層側の表層部に
はスキン層が存在し、このスキン層の熱軟化点は、１４
０℃以下、特に１００〜１４０℃、より好ましくは１０
０〜１３５℃、さらに好ましくは１１０〜１３５℃であ
ることが好ましい。熱軟化点が１４０℃をこえると、記
録感度が低下し、Ｃ／Ｎが劣化してしまう。また、１０
０℃未満となると、例えば反射層積層時の耐熱性に問題
が生じたり、寸法精度が低下してきたりする。 【００３７】この場合、表層部のスキン層の熱軟化点と
は、下記のように測定された温度である。まず、被検基
板の上に針を置いて、５ｇ　程度の荷重を加え、昇温速
度２℃／ｍｉｎ　程度で、３０℃程度から昇温していっ
て、針の進入量を測定する。針の断面は直径１ｍｍ程度
の円柱形とする。 【００３８】このように測定される温度と針進入量との
関係が図１に示される。図１に示されるように、本発明
の基板では、針進入量の温度特性プロファイルにおいて
、第１の屈曲点と第２の屈曲点とが生じる。 【００３９】例えば、注型基板や、ある種の射出成形基
板では、針進入量の温度特性には１つの屈曲点しか現わ
れないか、あるいは第１の屈曲点はわずかにしか現われ
ない。また、第１の屈曲点によって生じる１段目の針進
入量は、概ね２００μｍ　程度以下である。従って、こ
れらから第１の屈曲点は、基板表層のスキン層の軟化点
に由来するものと考えられる。 【００４０】そこで、温度特性プロファイルの第１の屈
曲点近傍にて、針進入前の直線部と、１段目の進入時の
直線部との交点をＴ１　とし、これをスキン層の熱軟化
点Ｔ１　と定義する。そして、本発明では、このＴ１　
を前記のとおり規制するものである。 【００４１】一方、第２の屈曲点近傍においても、１段
目の進入時と２段目の進入時との直線部の交点をＴ２　
とし、これを第２の熱軟化点Ｔ２と定義する。この第２
の熱軟化点Ｔ２　は、基板中心部での熱軟化点であると
考えられる。 【００４２】そして、この第２の熱軟化点Ｔ２　は、第
１の熱軟化点Ｔ１　より１０℃以上、より好ましくは１
０〜５０℃高い温度であり、１４０℃以上、特に１４５
〜１８０℃の温度であると好ましい。これにより、寸法
精度や機械的特性や耐熱性等がすぐれたものとなる。 【００４３】なお、スキン層は、基板表層部断面のＳＥ
Ｍ像からも、周囲と色の異なる層として確認でき、その
厚さは、一般に１〜２００μｍ　、特に１０〜１００μ
ｍ　程度であると考えられる。また、前記の針進入量の
温度特性プロファイルは、ＴＭＡ（熱機械分析装置、サ
ーモメカニカルアナライザー）として市販されている各
種装置、例えばデュポン社製９４３熱機械分析装置等に
よって測定すればよい。 【００４４】このようなスキン層を形成するには、上記
の環状ポリオレフィンを射出成形することが好ましい。 【００４５】そして、これらは、例えば注型したとき、
前記の第２の熱軟化点Ｔ２　をもつものとする。 【００４６】このような樹脂を用いて、射出成形時にス
キン層を形成するには、射出圧を２５０〜４００ｋｇ／
ｃｍ２程度に設定することが好ましい。そして、溶融温
度は３００〜４００℃程度、金型温度は８０〜１２０℃
程度とし、その他、保圧や型締力等は通常の条件とすれ
ばよい。 【００４７】なお、必要に応じ、基板２の外表面や、外
周面等に酸素遮断性の被膜を形成してもよい。 【００４８】このような基板上には、直接、あるいは適
当な下地層ないし中間層を介して記録層が設けられる。 また記録層上には必要に応じ、保護層や反射層等が設け
られ、種々の光記録ディスク構造とされる。 【００４９】この場合、光記録ディスクとしては、変調
された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報が
磁気的に記録され、記録情報を磁気−光変換して再生す
る、いわゆる光磁気記録ディスクや、いわゆる相変化型
の記録層を有し、反射率変化により記録・再生を行なう
光記録ディスク等の消去可能型のディスクや、エアーサ
ンドイッチ構造を有し、ピット形成により反射率変化を
生じる、いわゆるピット形成型の記録層を有する光記録
ディスク、あるいはこれに反射層を設けたレーザーディ
スク（ＬＤ）規格対応の光記録ディスク等の追記型ディ
スクなどのいずれであってもよい。 【００５０】このような大径の光記録ディスクは、１８
００ｒｐｍ　以上の回転数にて回転され、記録再生が行
なわれる。１８００ｒｐｍ　未満の回転数では、本発明
の出力向上ないしノイズ低減効果は顕在化しない。なお
、回転数の上限は、一般に、５４００ｒｐｍ　程度であ
り、回転方式はＣＡＶであっても、ＣＬＶであってもよ
い。 【００５１】本発明の光記録媒体１の好適例が図２に示
される。この光記録媒体１は基板２上に記録層３を有す
る光磁気記録ディスクである。 【００５２】図２に示される光磁気記録ディスクにおい
て、基板２上には、下地層としての保護層４、中間層５
を介して記録層３が形成されている。 【００５３】中間層５は、Ｃ／Ｎ比を向上させるために
設けられ、各種誘電体物質から形成されることが好まし
く、その層厚は３０〜１５０ｎｍ程度であることが好ま
しい。また保護層４とともに記録層３の上にも保護層６
を設けることもできる。併用する場合には、保護層４と
保護層６の組成は同一であっても異っていてもよい。 【００５４】必要に応じて設けられる保護層４および保
護層６は、記録層３の耐食性向上のために設けられるも
のであり、これらは少なくとも一方、好ましくは両方が
設けられることが好ましい。 【００５５】これら保護層は、各種酸化物、炭化物、窒
化物、硫化物あるいはこれらの混合物からなる無機薄膜
から構成されることが好ましい。また、保護層４、６は
、上記の中間層材質で形成してもよい。保護層の層厚は
３０〜３００ｎｍ程度であることが耐食性向上の点から
好ましい。 【００５６】このような保護層４、６や中間層５は、ス
パッタ、蒸着、イオンプレーティング等の各種気相成膜
法、特にスパッタによって形成されることが好ましい。 【００５７】記録層３は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生されるもので
ある。 【００５８】記録層３は、光磁気記録が行なえるもので
あればその材質に特に制限はないが、希土類金属元素を
含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、
スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッ
タにより、非晶質膜として形成したものであることが好
ましい。 【００５９】希土類金属としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、
Ｇｄ、Ｓｍ、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ま
しい。遷移金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。 この場合、ＦｅとＣｏの総含有量は、６５〜８５ａｔ％
であることが好ましい。そして、残部は実質的に希土類
金属である。好適に用いられる記録層の組成としては、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、１０
ａｔ％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。また、１０ａｔ％以下の範囲で、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒ
、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の他の希土類金属元素を含有して
もよい。 【００６０】このような記録層３の層厚は、通常、１０
〜１０００ｎｍ程度である。 【００６１】このような記録層３や、下地層としての中
間層５をスパッタ等の気相成膜法で設層しても、前記の
スキン層を設けることにより、記録層３や中間層５の基
板２からの膜はがれを効果的に防止することができる。 【００６２】保護層６上には、保護コート７が設層され
ることが好ましい。保護コート７は、例えば紫外線硬化
樹脂等の各種樹脂材質から、通常は、０．１〜１００μ
ｍ　程度の厚さに設層すればよい。保護コート７は、層
状であってもシート状であってもよい。保護コート７は
、特に放射線硬化型化合物および光重合増感剤を含有す
る塗膜を放射線硬化したものであることが好ましい。 【００６３】保護基板１１は、記録層３の損傷等を有効
に防止するために設けられるものである。 【００６４】そして、樹脂製の基板２に用いる保護基板
１１はガラス製とする。 【００６５】このように一対の基板２、１０のうち一方
をガラス製、他方を樹脂製とすることにより、軽量でし
かも高い剛性を有するディスクが得られる。このため面
ブレのない安定した高速回転駆動、例えば３０００ｒｐ
ｍ　以上の回転駆動を行うことができる。 【００６６】さらに、一方の基板が樹脂製であるため、
ディスクを落としたりしたときの破損の防止や、割れた
場合のガラス飛散の防止も図ることができる。 【００６７】本発明において特に好ましいものは、樹脂
製の基板２とガラス製の保護基板１とを一体化するディ
スクである。つまり、このディスクによれば前述した複
屈折の防止や耐候性耐久性の向上に加え、高速回転駆動
時の面ブレを一層低減することができる。 【００６８】本発明の保護基板１１に用いるガラスに制
限はなく、例えば不透明なものであってもよい。なお、
記録・再生は通常基板２側から行われるが、保護基板１
１として、透明なガラスを用いれば、保護基板１１側か
ら記録を行うこともできる。 【００６９】基板２は強化ガラスから構成することが好
ましい。強化ガラスを用いることにより、より高い剛性
やより優れた耐候性、耐久性が得られる。 【００７０】強化ガラスには、その強化法から物理強化
ガラスと化学強化ガラスとがあり、用途に応じて使用さ
れている。本発明で用いる強化ガラスに特に制限はなく
、通常の強化法を用いて強化したガラスが使用されるが
、好ましくは化学強化ガラスを使用する。 【００７１】化学強化ガラスは、例えば、ガラス構成元
素としてのアルカリ金属イオンの一部を外部から供給さ
れる他種アルカリ金属イオンと交換することにより、特
にＬｉとＮａおよびＮａとＫの交換によりガラス内に圧
縮応力層を形成し、機械的強度を高めたガラスである。 化学強化処理は、通常、硝酸塩、硫酸塩等のアルカリ塩
を加熱溶融し、溶融液中に被処理ガラスを数時間から数
十時間程度浸漬することにより行なわれる。 【００７２】このような化学強化処理により作製された
ガラスは、通常、ガラス表面付近だけに圧縮応力層が形
成された表面強化ガラスとなる。この場合、圧縮応力層
の厚さは１０〜２００μｍ　、特に３０〜７５μｍ　程
度であることが好ましい。 【００７３】用いる化学強化ガラスとしては、ソーダ・
石灰・ケイ酸ガラス等に上記の化学強化処理を施したも
のであってもよいが、特に機械的強度が高いことから、
アルミナケイ酸ガラスに化学強化処理を施したものを用
いることが好ましい。アルミナケイ酸ガラスとしては、
機械的強度が高いことから、Ａ１２Ｏ３　含有量が１０
ｗｔ％　以上であることが好ましく、特に、１５〜３０
ｗｔ％　のＡ１２　Ｏ３　を含有するものを用いること
が好ましい。 【００７４】本発明で好適に用いられるアルミナケイ酸
ガラスの組成範囲を、以下に示す。 ＳｉＯ２　　　　　　　　　　　　　５０〜６０ｗｔ％
　Ａ１２　Ｏ３　　　　　　　　　　　１５〜３０ｗｔ
％　Ｂ２　Ｏ３　　　　　　　　　　　　　　　１〜１
０ｗｔ％　ＲＩ２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　１０
〜２５ｗｔ％　ＲＩＩＯ　　　　　　　　　　　　　　
　　１〜１０ｗｔ％　（ただし、ＲＩ　およびＲＩＩは
、それぞれ１価および２価の金属） ＴｉＯ２　等　　　　　　　　　　　　０〜５ｗｔ％　
【００７５】そして、Ｋ＋　置換率は、０．０１〜１ｍ
ｇ／ｃｍ３程度であることが好ましい。 【００７６】保護基板１１の厚さは、剛性を確保するた
めに、０．５〜２．０ｍｍ程度とする。そして、保護基
板１の形状は、基板２の形状に合わせればよい。 【００７７】本発明では保護基板１は、接着剤層１２に
より基板２と一体化される。 【００７８】この接着には、公知の各種接着剤を用いる
ことができる。 【００７９】また本発明は、この他、いわゆる相変化型
等の記録層を有し、反射率変化により記録・再生を行な
う光記録ディスクにも適用することができる。 【００８０】このような記録層としては、例えば、特公
昭５４−４１９０２号、特許第１００４８３５号などに
記載のＴｅ−Ｓｅ系合金、特開昭６２−７６０３５号な
どに記載のＴｅ−Ｇｅ系合金、特開昭６３−５６８２７
号などに記載のＴｅ−Ｉｎ系合金、特願昭６１−３０７
２９８号、特願昭６１−３０７２９９号などに記載のＴ
ｅ−Ｓｎ系合金、特開昭５８−５４３３８号、特許第９
７４２５７号、特許第９７４２５８号、特許第９７４２
５７号などに記載のＴｅ酸化物系、その他各種Ｔｅ、Ｓ
ｅを主体とするカルコゲン系、 Ｇｅ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｓｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ等の結晶構
造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−Ｓｂ等の結
晶粒径の変化を生じる合金などがある。 【００８１】これらのいずれの場合も、気相成膜法によ
る下地層や保護層を有していてもよい。 【００８２】このように、本発明は気相成膜法、特にス
パッタリングにより、記録層や下地層が設けられており
、特に金属の記録層を有する相変化型の光記録ディスク
と、希土類金属元素等の金属を含有する記録層を有する
光磁気記録媒体に好適である。 【００８３】本発明の光記録媒体の他の好適例が図３に
示される。この光記録媒体１は、基板２上に、色素を含
有する記録層３を有し、記録層３に密着して、反射層８
、保護膜９を形成した密着型の光記録ディスクである。 【００８４】この場合の記録層３は、好ましくは、１種
あるいは２種以上の色素を相溶して形成される。 【００８５】この場合、光吸収色素にクエンチャーを混
合してもよく、さらに、色素カチオンとクエンチャーア
ニオンとのイオン結合体を光吸収色素として用いてもよ
い。 【００８６】記録層３の記録光および再生光波長におけ
る消衰係数（複素屈折率の虚部）ｋは、０．０３〜０．
２５であることが好ましい。ｋが０．０３未満となると
記録層の吸収率が低下し、通常の記録パワーで記録を行
うことが困難となってくる。また、ｋが０．２５をこえ
ると、反射率が６０％を下回ってきて、ＣＤ規格による
再生を行うことが困難となってくる。 【００８７】また、屈折率（複素屈折率の実部）ｎは、
１．８〜４．０、より好ましくは、２．２〜３．３であ
ることが好ましい。ｎ＜１．８では反射率が低下し、Ｃ
Ｄ規格による再生が困難となる傾向にある。また、ｎ＞
４．０とするためには、原料色素の入手が難しい。 【００８８】ｎおよびｋの測定に際しては、所定の透明
基板上に、記録層を例えば４００〜１０００Ａ程度の厚
さに実際の条件にて設層して、測定サンプルを作製する
。次いで、基板を通しての、あるいは記録層側からの反
射率を測定する。反射率は記録再生光波長を用いて鏡面
反射（５°程度）にて測定する。また、サンプルの透過
率を測定する。これらの測定値から、例えば、共立全書
「光学」石黒浩三Ｐ１６８〜１７８に準じ、ｎ、ｋを算
出すればよい。 【００８９】用いる光吸収性の色素としては、吸収極大
が６００〜９００ｎｍ、好ましくは６００〜８００ｎｍ
、より好ましくは６５０〜７５０ｎｍであれば、他に特
に制限はないが、シアニン系、フタロシアニン系、ナフ
タロシアニン系、アントラキノン系、アゾ系、トリフェ
ニルメタン系、ピリリウムないしチアピリリウム塩系、
スクワリリウム系、クロコニウム系、金属錯体色素系等
の１種ないし２種以上が好ましい。シアニン色素として
は、インドレニン環、特にベンゾインドレニン環を有す
るシアニン色素であることが好ましい。 【００９０】記録層３の厚さは５００〜２０００Ａ　と
することが好ましい。この範囲外では反射率が低下する
。 【００９１】このような記録層３には、直接密着して反
射層８が設層される。反射層８にはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等
の高反射率金属ないし合金を用いればよい。 【００９２】反射層８の厚さは５００Ａ　以上であるこ
とが好ましく、蒸着、スパッタ等により設層すればよい
。 また、厚さの上限に特に制限はないが、コスト、生産作
業時間等を考慮すると、１２００Ａ程度以下であること
が好ましい。これにより、反射層４単独での反射率は、
９０％以上、媒体の未記録部の基板をとおしての反射率
は、６０％以上、特に７０％以上がえられる。 【００９３】反射層８上には、保護膜９が設層されるこ
とが好ましい。保護膜９は、例えば紫外線硬化樹脂等の
各種樹脂材質から、通常は、０．１〜１００μｍ　程度
の厚さに設層すればよい。保護膜９は、層状であっても
シート状であってもよい。保護膜９は、特に放射線硬化
型化合物および光重合増感剤を含有する塗膜を放射線硬
化したものであることが好ましい。 【００９４】そして、保護膜９の硬度が、２５℃におけ
る鉛筆硬度（ＪＩＳ　　Ｋ−５４００）で、Ｈ〜８Ｈ、
特に２Ｈ〜７Ｈであるように構成されることが好ましい
。 【００９５】このように構成することにより、アイパタ
ーンが良好になり、ジッターが格段と減少する。また、
高温・高湿あるいは温湿度変化条件下の保存においても
、保護膜と反射層との剥離が生じない。より具体的には
、保護膜の硬度がＨより軟らかいとアイパターンが乱れ
、ジッターが増大し、８Ｈより硬くなると塗膜がもろく
なり膜形成能が低下する他、反射層との接着力が低下す
る。 【００９６】このような保護膜形成に用いる放射線硬化
型化合物には、オリゴエステルアクリレートが含まれる
ことが好ましい。オリゴエステルアクリレートは、アク
リレート基またはメタクリレート基を複数有するオリゴ
エステル化合物である。そして好ましいオリゴエステル
アクリレートとしては、分子量１０００〜１００００、
好ましくは２０００〜７０００であって、重合度２〜１
０、好ましくは、３〜５のものが挙げられる。また、こ
れらのうちアクリレート基またはメタクリレート基を２
〜６個、好ましくは３〜６個有する多官能オリゴエステ
ルアクリレートが好ましい。また、上記の化合物に加え
て、あるいはこれにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変
性することによって得られる放射線硬化型化合物を用い
てもよい。 【００９７】このような放射線硬化型化合物の保護膜の
膜厚は０．１〜３０μｍ　、より好ましくは１〜１０μ
ｍ　である。この膜厚が０．１μｍ　未満になると、一
様な膜を形成しにくく、湿度が高い雰囲気中での防湿効
果が十分でなく、記録層の耐久性が下がる。しかも、ジ
ッター防止効果が低下する。また、３０μｍ　をこえる
と、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反り
や保護膜中のクラックが生じやすい。 【００９８】このような塗膜は、通常、スピンナーコー
ト、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、
種々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。この
時の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。 【００９９】本発明において塗膜に照射する放射線とし
ては、紫外線、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ま
しい。紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。 【０１００】光重合増感剤としては、例えば、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、α−メ
チルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾイン等のベ
ンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン、モルホ
リノジメチルメチル−４−メチルチオフェニルケトン、
ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、ア
ントラキノン、フェナントラキノン等のキノン類、ベン
ジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィ
ド等のスルフィド類等を挙げることができる。 【０１０１】そして、このような光重合増感剤と放射線
硬化型化合物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させ
るには、公知の種々の方法に従えばよい。たとえば、キ
セノン放電管、水銀放電管などの紫外線電球等を用いれ
ばよい。また、場合によっては電子線を用いることもで
きる。 【０１０２】このような保護膜９上に、前記と同様のガ
ラス製の保護基板１１を接着する。 【０１０３】このような構成の光記録媒体１に記録ない
し追記を行なうには、例えば７８０ｎｍの記録光を、基
板２をとおしてパルス状に照射する。 【０１０４】これにより、記録層３が光を吸収して発熱
し、同時に基板２も加熱される。この結果、基板２と記
録層３との界面近傍において、色素等の記録層材質の融
解や分解が生じ、記録層３と基板２との界面に圧力が加
わり、グルーブ２３の底壁や側壁を変形させる。 【０１０５】この場合記録層３の融解物や分解物を含有
する分解物層１０１が、通常グルーブ２３の底部および
基板２との境界を覆うような形状に残存する。しかも、
基板表層部は所定の熱軟化点をもつので、分解物層１０
１は、さらに凸状に基板側に侵入し、ピット部１０の形
状はより大きく形成される。基板２のへこみ量は、ピッ
ト部１０の寸法が大きい程大きく、３００Ａ　程度以下
の深さである。 【０１０６】分解物層１０１の材質は、実質的に基板材
質を含まない材質であり、記録層材質の分解物あるいは
記録層材質の分解物と、記録層材質との混合物によって
構成される。分解物層１０１は、グルーブ内の記録層３
の厚さの通常３０〜１００％程度の厚さである。そして
、通常、分解物層１０１上には、反射層との界面に空隙
が形成され、分解物層１０１と、空隙１０３とがピット
部１０に形成される。空隙１０３は、記録層３の厚さの
通常５〜７０％程度の厚さである。 【０１０７】また、ピツト部の外形形状や、凹形状も良
好なものである。そして、スキン層の存在により、ピッ
ト形状が大きくなるとともに良好ともなり、Ｃ／Ｎが向
上し、感度が向上するものである。 【０１０８】 【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。 【０１０９】実施例１ 特開昭６０−１６８７０８号公報の記載にしたがい、テ
トラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−
３−ドデセン（以下ＤＭＯＮ）］とエチレンとをランダ
ム重合させて、エチレンのモル分率の異なる２種の共重
合体を得た。 【０１１０】この２種の共重合体を、基板として用いる
樹脂の熱軟化点（ＴＭＡ）Ｔ２　が１６３℃となるよう
にブレンドした。 【０１１１】これを３５０℃にて溶融し、金型温度１０
０℃、射出圧３５０ｋｇ／ｃｍ２で射出成形し、３００
ｍｍ直径、厚さ１．２ｍｍの基板を得た　。 【０１１２】この基板に、ガラス製の保護層を高周波マ
グネトロンスパッタにより４０ｎｍの層厚に設層した。 この保護層上に、ＳｉＮｘからなる中間層を高周波マグ
ネトロンスパッタにより層厚８０ｎｍに設層した。次に
、この中間層上に、Ｔｂ２３Ｆｅ７２Ｃｏ５　の組成を
有する記録層を、スパッタにより層厚８０ｎｍに設層し
た。 【０１１３】さらに、この記録層上に、前記保護層と同
組成の保護層を高周波マグネトロンスパッタにより層厚
１００ｎｍに設置し、この保護層上に、保護コートを設
置した。なお、保護コートは、オリゴエステルアクリレ
ートを含有する紫外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外線
硬化して５μｍ　厚の保護膜とし、この上に、接着剤層
１２によりガラス製保護基板を接着して第２図に示され
る片面記録型の光磁気記録ディスクを製造した。 【０１１４】ガラス製保護基板は、アルミナケイ酸系の
化学強化ガラスとし、外径３００ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ
のディスク状とした。 【０１１５】接着剤層は、ピネン系樹脂を含有するホッ
トメルト系接着剤を用い、ロールコータにより設層し、
その厚さを８０μｍ　とした。 【０１１６】これとは別に比較例として、ビスフェノー
ルＡタイプのポリカーボネート（数平均分子量１５００
０）製基板を溶融温度３４０℃、金型温度１００℃、射
出圧３００ｋｇ／ｃｍ２の条件で射出整形いし、その他
は同様にして比較光磁気記録ディスクサンプルを作製し
た。 【０１１７】これらの光磁気記録ディスクに対し、瞬時
面ブレ加速度の測定を行なった。測定は、ディスク回転
数を１８００ｒｐｍ　とし、ディスク中心から半径３０
〜６０ｍｍの範囲を５ｍｍ間隔で行なった。なお、測定
サンプル数は、各光磁気記録ディスクについて３個とし
、各サンプルの最大面ブレ加速度の平均値を求めた。 【０１１８】測定は温度８０℃、湿度ＲＨ＝８０％の条
件で行なった。 【０１１９】面ブレ加速度は、フォーカシングサーボ時
の光ピックアップの加速度で表わされ、トラッキング用
グルーブが形成された基板の平坦度を示すものである。 この値は、ＩＳＯ規格では、外径１３０ｍｍの光磁気記
録ディスクの場合２０ｍ／ｓ２以下、特に１０ｍ／ｓ２
以下であることが好ましい。 【０１２０】この結果、基板に環状ポリオレフイィンを
用いた本発明品の瞬時面ブレ加速度が２０ｍ／ｓ２であ
るのに対し、基板にポリカーボネートを用いた比較品で
は、５５ｍ／ｓ２となり、格段の効果が得られた。 【０１２１】実施例２ 実施例１でブレンドした環状ポリオレフィンを実施例１
と同一の条件で射出成形し、３００ｍｍ径、厚さ１．２
ｍｍとした基板をサンプルＮｏ．１とする。 【０１２２】この基板の熱軟化点を、ＴＭＡにて下記の
ように測定した。 針断面：１ｍｍ径円柱 荷重：５ｇ　 昇温速度：２℃／ｍｉｎ　 【０１２３】上記条件にて、針進入の温度プロファイル
を測定し、第１および第２の熱軟化点Ｔｉ１　、Ｔｉ２
　を算出した。表３に使用基板のＴｉ１　、Ｔｉ２　を
示す。また、この基板のＳＥＭ像からスキン層の厚さは
１００μｍ　程度以下であると考えられた。 【０１２４】この基板上にシアニン色素を含有する記録
層を塗設した。色素層の厚さはグループ部で１４００Ａ
　、ランド部で９００Ａ　であった。この記録層上に、
スパッタリングによりＡｕ膜を１０００Ａ　厚に設置し
て反射層とし、さらに、オリゴエステルアクリレートを
含有する紫外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外線硬化し
て５μｍ　厚の保護膜とし、この上に、実施例１と同様
にして、厚さ１．２ｍｍのガラス製保護基板を接着して
、光記録ディスクサンプルＮｏ．１　を得た。なお、保
護膜の鉛筆硬度は２Ｈであった。 【０１２５】得られた各サンプルに対し、感度を測定し
た。感度の測定は回転速度１８００ｒｐｍ　、記録周波
数８ＭＨｚにて、最大の信号が得られる記録パワーをも
って記録感度とした。結果を表１に示す。 【０１２６】 【表１】 【０１２７】なお、このものは、良好なＣ／Ｎとジッタ
ー特性とを示した。 【０１２８】実施例３ 実施例１における環状ポリオレフィンのブレンド比率を
変え、射出成形条件を、射出圧３５０ｋｇ／ｃｍ２、溶
融温度３６０℃、金型温度１００℃として射出成形を行
なった基板サンプルＮｏ．　２を作製し、実施例１と同
様にディスクサンプルＮｏ．　２を得た。結果を表１に
併記する。 このものも良好なＣ／Ｎおよびジッター特性を示した。 【０１２９】実施例４ 実施例１における環状ポリオレフィンのブレンド比率を
変え、射出成形条件を、射出圧３５０ｋｇ／ｃｍ２、溶
融温度３７０℃、金型温度を１１０℃とした他は、同様
にディスクサンプルＮｏ．　３を作製した。結果を表１
に併記する。表１に示される結果から本発明の効果が明
らかである。 【０１３０】実施例５ 実施例１の光磁気記録ディスクをサンプルＮｏ．４とし
、サンプルＮｏ．　４について密着性試験を行った。密
着性試験はＪＩＳ　　Ｋ５４００の碁盤目試験にて行っ
た。すなわち、サンプルの記録層上に、直交する縦横１
１本ずつの平行線をカッターナイフを用いて１ｍｍの間
隔でひき、１ｃｍ２　の中に１００個の升目ができるよ
うに碁盤目状の切傷をつける。この上にセロハンテープ
（ニチバン製）を貼りつけ剥離評価を行った。 【０１３１】サンプルＮｏ．　４を温度８０℃、湿度８
０％ＲＨの条件下で１０００時間放置し、成膜直後のサ
ンプルと比較した。結果を表２に示す。なお、表中の１
００／１００は１００個の升目のうち剥離しなかった升
目が１００個あることを示す。 【０１３２】 【表２】 【０１３３】実施例６ 実施例３の基板サンプルＮｏ．　２を用い、実施例４と
同様にサンプルＮｏ．　５を得た。結果を表２に併記す
る。 【０１３４】実施例７ 比較例１の基板サンプルＮｏ．　３を用い、実施例４と
同様にサンプルＮｏ．　６を作製した。結果を表２に併
記する。表２から明らかなとおり、本発明のサンプルＮ
ｏ．　４およびＮｏ．　５は、サンプルＮｏ．　６と比
較して、優れた密着性を示す。 【０１３５】 【発明の効果】本発明の光記録ディスクは、基板の面ブ
レが少ないので、高速回転で使用してもフォーカストラ
ッキングエラーが少ない。 【０１３６】また、所定のスキン層を形成することによ
り、記録感度が向上したり、あるいは記録層と基板との
密着性が向上するので、耐久性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録ディスクの熱軟化点を説明する
ためのグラフである。

【図２】本発明の光記録ディスクの１例を示す部分断面
図である。

【図３】本発明の光記録ディスク１１の他の１例を示す
部分断面図である。

【符号の説明】

１　　光記録ディスク ２　　基板 ２１　　ランド部 ２３　　グルーブ ２４　　基板ピット部 ３　　記録層 ４　　保護層 ５　　中間層 ６　　保護層 ７　　保護コート ８　　反射層 ９　　保護膜 １０　　ピット部 １０１　　分解物層 １０３　　空隙 １１　　保護基板 １２　　接着剤層 Ｔ１　　　第１の熱軟化点 Ｔ２　　　第２の熱軟化点

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　一対の基板を有し、この一対の基板の
   うちの一方を樹脂製、他方をガラス製とし、この樹脂製
   の基板上に記録層を形成し、これをガラス製の保護基板
   と一体化した光記録ディスクであって、前記樹脂が、エ
   チレンと下記化１で表わされる環状オレフィンとを共重
   合した環状ポリオレフィンの１種以上を含むものである
   ことを特徴とする光記録ディスク。 【化１】
2. 【請求項２】　　前記光記録ディスクの記録再生に際し
   て、前記基板の回転数を１８００ｒｐｍ　以上にて行な
   う請求項１に記載の光記録ディスク。
3. 【請求項３】　　前記基板は、前記環状ポリオレフィン
   を射出成形したものである請求項１または２に記載の光
   記録ディスク。
4. 【請求項４】　　前記基板は記録層側表層部に、熱軟化
   点１４０℃以下のスキン層を有する請求項１ないし３の
   いずれかに記載の光記録ディスク。
5. 【請求項５】　　前記熱軟化点が１００〜１４０℃であ
   る請求項１ないし４のいずれかに記載の光記録ディスク
   。
6. 【請求項６】　　前記基板は、前記スキン層の熱軟化点
   と、この熱軟化点より１０℃以上高い第２の熱軟化点と
   を有する請求項４または５に記載の光記録ディスク。
7. 【請求項７】　　前記記録層が色素を含有し、この記録
   層上に反射層を有する請求項１ないし６のいずれかに記
   載の光記録ディスク。
8. 【請求項８】　　前記記録層は前記基板上に直接または
   下地層を介して設層されており、前記記録層または下地
   層は気相成膜法により形成されている請求項１ないし６
   のいずれかに記載の光記録ディスク。