JP2858067B2 - 光記録再生方法 - Google Patents
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体、特にコン
パクトディスク対応のライト・ワンス型の光記録ディス
クに対し記録および再生を行なう方法とに関する。
パクトディスク対応のライト・ワンス型の光記録ディス
クに対し記録および再生を行なう方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】特公平３−７５９４３号公報には、コン
パクトディスク（以下、ＣＤと略称する）規格に準拠し
た再生信号を得ることが可能な光情報記録媒体が提案さ
れている。同公報記載の実施例では、透光性樹脂基板の
上に、有機色素を含有する光吸収層を形成し、この上に
直接または硬質層を介して光反射層を形成し、この上に
樹脂保護層を形成して光記録ディスクを作製している。
この光記録ディスクでは、光吸収層に線速１．２m/s で
６mWのレーザを照射して記録を行ない、ＣＤ規格に準拠
した再生信号を得ている。レーザ照射部の透光性樹脂基
板表面は凸状に変形してピットとなり、これによる位相
差によって情報の読み出しが可能となっている。
パクトディスク（以下、ＣＤと略称する）規格に準拠し
た再生信号を得ることが可能な光情報記録媒体が提案さ
れている。同公報記載の実施例では、透光性樹脂基板の
上に、有機色素を含有する光吸収層を形成し、この上に
直接または硬質層を介して光反射層を形成し、この上に
樹脂保護層を形成して光記録ディスクを作製している。
この光記録ディスクでは、光吸収層に線速１．２m/s で
６mWのレーザを照射して記録を行ない、ＣＤ規格に準拠
した再生信号を得ている。レーザ照射部の透光性樹脂基
板表面は凸状に変形してピットとなり、これによる位相
差によって情報の読み出しが可能となっている。
【０００３】また、日経エレクトロニクス１９８９年１
月２３日号，Ｎｏ．４６５，Ｐ１０７にも同様な追記型
光ディスクが記載されている。この光記録ディスクは、
ポリカーボネート基板上に、有機色素層、Ａｕ反射膜お
よび保護層をこの順に設けたものであり、記録レーザ光
を照射すると有機色素層が光を吸収して融解ないし分解
するとともに基板も軟化して、色素材料と基板材料とが
界面で混じり合い、最終的に界面が変形して記録ピット
が形成される。このようにして形成されたピット部で
は、ＣＤと同様に光の位相差で反射率が下がる。
月２３日号，Ｎｏ．４６５，Ｐ１０７にも同様な追記型
光ディスクが記載されている。この光記録ディスクは、
ポリカーボネート基板上に、有機色素層、Ａｕ反射膜お
よび保護層をこの順に設けたものであり、記録レーザ光
を照射すると有機色素層が光を吸収して融解ないし分解
するとともに基板も軟化して、色素材料と基板材料とが
界面で混じり合い、最終的に界面が変形して記録ピット
が形成される。このようにして形成されたピット部で
は、ＣＤと同様に光の位相差で反射率が下がる。
【０００４】ＣＤでは基板を射出成形する際に同時にピ
ットを形成するので、形状および寸法精度の良好なピッ
トが得られ、ジッターが小さくなるが、上記各光記録デ
ィスクでは基板変形によりピットを形成するため、ジッ
ターが大きくなりやすい。
ットを形成するので、形状および寸法精度の良好なピッ
トが得られ、ジッターが小さくなるが、上記各光記録デ
ィスクでは基板変形によりピットを形成するため、ジッ
ターが大きくなりやすい。
【０００５】また、特公平３−７５９４３号公報記載の
光記録ディスクでは、記録時の線速度が再生時の線速度
と同じであるため、再生と同じ時間が記録に必要であ
る。
光記録ディスクでは、記録時の線速度が再生時の線速度
と同じであるため、再生と同じ時間が記録に必要であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＣＤ規格に
準拠した再生が可能な光記録媒体を用いた光記録再生方
法において、ジッターを低減し、かつ記録に要する時間
を短縮することを目的とする。
準拠した再生が可能な光記録媒体を用いた光記録再生方
法において、ジッターを低減し、かつ記録に要する時間
を短縮することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（３）により達成される。 （１） 表面にグルーブを有する樹脂製基板の表面側
に、直接または他の層を介して有機色素を含む記録層を
有し、記録層の表面側に直接または他の層を介して反射
層を有する光記録媒体を用い、前記基板の裏面側からグ
ルーブ内に記録光を照射することにより、記録層に記録
マークを形成する光記録再生方法であって、前記グルー
ブの深さが１１００〜２３００Ａであり、記録層に対す
る相対線速度が３．６ｍ／ｓ以上であり、パルス幅（ｎ
＋ｐ）Ｔ・ＶＲ／ＶＷ｛ただし、ｎ＝３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１であり、Ｔ＝２３１．４ｎｓで
あり、−０．５≦ｐ≦−０．２であり、ＶＲはコンパク
トディスクの標準再生線速度（１．２〜１．４ｍ／ｓ）
である｝のＥＦＭ信号により変調し、記録光により記録
層におけるピークパワーが９．５ｍＷ〜１７ｍＷの記録
を行ない、色素の部分分解により記録マークを形成し、
かつ、前記グルーブ底面およびグルーブ底面と記録層と
の間の前記他の層表面の変形量が前記グルーブの深さの
１８％以下とする光記録再生方法。 （２） 記録層におけるピークパワーが１０ｍＷ以上で
ある記録光を用いる上記 （１）の光記録再生方法。 （３） ＶＷを４．２〜５．６ｍ／ｓとして記録を行な
う上記（１）および（２）の光記録再生方法。
（１）〜（３）により達成される。 （１） 表面にグルーブを有する樹脂製基板の表面側
に、直接または他の層を介して有機色素を含む記録層を
有し、記録層の表面側に直接または他の層を介して反射
層を有する光記録媒体を用い、前記基板の裏面側からグ
ルーブ内に記録光を照射することにより、記録層に記録
マークを形成する光記録再生方法であって、前記グルー
ブの深さが１１００〜２３００Ａであり、記録層に対す
る相対線速度が３．６ｍ／ｓ以上であり、パルス幅（ｎ
＋ｐ）Ｔ・ＶＲ／ＶＷ｛ただし、ｎ＝３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１であり、Ｔ＝２３１．４ｎｓで
あり、−０．５≦ｐ≦−０．２であり、ＶＲはコンパク
トディスクの標準再生線速度（１．２〜１．４ｍ／ｓ）
である｝のＥＦＭ信号により変調し、記録光により記録
層におけるピークパワーが９．５ｍＷ〜１７ｍＷの記録
を行ない、色素の部分分解により記録マークを形成し、
かつ、前記グルーブ底面およびグルーブ底面と記録層と
の間の前記他の層表面の変形量が前記グルーブの深さの
１８％以下とする光記録再生方法。 （２） 記録層におけるピークパワーが１０ｍＷ以上で
ある記録光を用いる上記 （１）の光記録再生方法。 （３） ＶＷを４．２〜５．６ｍ／ｓとして記録を行な
う上記（１）および（２）の光記録再生方法。
【０００８】
【作用および効果】本発明では、所定深さのグルーブ内
に、ＣＤ規格の標準再生線速度の約３倍以上の線速度で
記録光を照射する。記録光照射部では有機色素が部分分
解されて記録マークが形成されており、照射部のグルー
ブ底面の変形量は、グルーブ深さの１８％以下と小さ
い。このため、ジッターが著しく小さくなる。また、記
録時の線速度が高いので、記録に要する時間が著しく短
縮される。
に、ＣＤ規格の標準再生線速度の約３倍以上の線速度で
記録光を照射する。記録光照射部では有機色素が部分分
解されて記録マークが形成されており、照射部のグルー
ブ底面の変形量は、グルーブ深さの１８％以下と小さ
い。このため、ジッターが著しく小さくなる。また、記
録時の線速度が高いので、記録に要する時間が著しく短
縮される。
【０００９】ところで、米国特許第６１５１１５０号明
細書には、基板上に記録層、反射層および保護層を有す
る光記録媒体が開示されており、この光記録媒体の記録
ピット部では、グルーブ底面が平坦ないし凹状である旨
が記載されている。しかし、この光記録媒体では、記録
光の線速度が１．２〜１．４m/s であって再生光の線速
度と同じである。このため、記録に要する時間が長く、
しかも記録ピット部のグルーブ底部に溶剤に不溶な分解
物が残存してしまう。この分解物は形状が複雑でグルー
ブ深さに対する変形量も大きいため、ジッターが大きく
なってしまう。
細書には、基板上に記録層、反射層および保護層を有す
る光記録媒体が開示されており、この光記録媒体の記録
ピット部では、グルーブ底面が平坦ないし凹状である旨
が記載されている。しかし、この光記録媒体では、記録
光の線速度が１．２〜１．４m/s であって再生光の線速
度と同じである。このため、記録に要する時間が長く、
しかも記録ピット部のグルーブ底部に溶剤に不溶な分解
物が残存してしまう。この分解物は形状が複雑でグルー
ブ深さに対する変形量も大きいため、ジッターが大きく
なってしまう。
【００１０】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１に、本発明の光記録媒体の構成例を示
す。
す。
【００１２】この光記録媒体１は、表面にグルーブ２３
を有する樹脂製基板２の表面側に、有機色素を含む記録
層３を有し、記録層３の表面側に反射層４を有し、反射
層４の表面側に保護層５を有する。記録光および再生光
は、基板２の裏面側からグルーブ２３内に照射される。
を有する樹脂製基板２の表面側に、有機色素を含む記録
層３を有し、記録層３の表面側に反射層４を有し、反射
層４の表面側に保護層５を有する。記録光および再生光
は、基板２の裏面側からグルーブ２３内に照射される。
【００１３】基板２は、記録光および再生光（７００〜
９００nm程度の半導体レーザ光、特に７８０nm）に対
し、実質的に透明（好ましくは透過率８０％以上）な樹
脂から形成される。基板２は、通常、ディスク状とさ
れ、ＣＤとして用いる場合、厚さは１．２mm程度、直径
は８０〜１２０mm程度とする。基板を構成する樹脂は特
に限定されないが、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ＴＰＸ等の熱可塑性
樹脂が適当である。グルーブ２３は、トラッキング制御
や時間情報の担持などに利用される。グルーブの深さ
（ランド部２１に対するグルーブ２３底面の深さ）は、
１１００〜２３００A 、好ましくは１３００〜２１００
A とする。グルーブが浅すぎると、グルーブ深さに対す
るグルーブ底面の変形率と反射膜の変形量とが大きくな
りやすく、このため、再生ＲＦ信号の波形歪みを誘発し
やすくなってジッターが大きくなってしまう。また、グ
ルーブが浅すぎると十分な信号変調度を得ることができ
ない。グルーブが深すぎると、記録マーク部のグルーブ
底面の変形量が不安定となり、ジッターが増大する。ま
た、再生信号やトラッキング信号の波長依存性が大きく
なってしまう。また、射出成形法を用いる場合、グルー
ブを均一な形状に形成することが困難となる。グルーブ
は基板成形時に同時に形成してもよく、２Ｐ法により形
成してもよい。グルーブの他、基板表面にはＲＯＭ領域
を設けてもよい。ＲＯＭ領域にはＣＤと同様なピットを
設ける。
９００nm程度の半導体レーザ光、特に７８０nm）に対
し、実質的に透明（好ましくは透過率８０％以上）な樹
脂から形成される。基板２は、通常、ディスク状とさ
れ、ＣＤとして用いる場合、厚さは１．２mm程度、直径
は８０〜１２０mm程度とする。基板を構成する樹脂は特
に限定されないが、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ＴＰＸ等の熱可塑性
樹脂が適当である。グルーブ２３は、トラッキング制御
や時間情報の担持などに利用される。グルーブの深さ
（ランド部２１に対するグルーブ２３底面の深さ）は、
１１００〜２３００A 、好ましくは１３００〜２１００
A とする。グルーブが浅すぎると、グルーブ深さに対す
るグルーブ底面の変形率と反射膜の変形量とが大きくな
りやすく、このため、再生ＲＦ信号の波形歪みを誘発し
やすくなってジッターが大きくなってしまう。また、グ
ルーブが浅すぎると十分な信号変調度を得ることができ
ない。グルーブが深すぎると、記録マーク部のグルーブ
底面の変形量が不安定となり、ジッターが増大する。ま
た、再生信号やトラッキング信号の波長依存性が大きく
なってしまう。また、射出成形法を用いる場合、グルー
ブを均一な形状に形成することが困難となる。グルーブ
は基板成形時に同時に形成してもよく、２Ｐ法により形
成してもよい。グルーブの他、基板表面にはＲＯＭ領域
を設けてもよい。ＲＯＭ領域にはＣＤと同様なピットを
設ける。
【００１４】記録層３は、１種あるいは２種以上の色素
を相溶して形成される。記録層３の記録光および再生光
波長における消衰係数（複素屈折率の虚部）ｋは、０．
０１〜０．１０であることが好ましい。ｋが０．０１未
満となると記録層の光吸収率が低下し、大きな記録パワ
ーが必要となってしまう。ｋが０．１０を超えると、反
射率が６０％を下回ってしまい、ＣＤ規格による再生を
行なうことが困難となる。より好ましいｋの範囲は、
０．０２〜０．０５である。記録層の屈折率（複素屈折
率の実部）ｎは、好ましくは２．１〜３．５、より好ま
しくは２．２〜３．０である。ｎ＜２．１では記録前後
の反射率差が小さくなり、ＣＤ規格に準拠した再生が困
難となる傾向にある。また、ｎ＞３．５となる色素は入
手が困難である。
を相溶して形成される。記録層３の記録光および再生光
波長における消衰係数（複素屈折率の虚部）ｋは、０．
０１〜０．１０であることが好ましい。ｋが０．０１未
満となると記録層の光吸収率が低下し、大きな記録パワ
ーが必要となってしまう。ｋが０．１０を超えると、反
射率が６０％を下回ってしまい、ＣＤ規格による再生を
行なうことが困難となる。より好ましいｋの範囲は、
０．０２〜０．０５である。記録層の屈折率（複素屈折
率の実部）ｎは、好ましくは２．１〜３．５、より好ま
しくは２．２〜３．０である。ｎ＜２．１では記録前後
の反射率差が小さくなり、ＣＤ規格に準拠した再生が困
難となる傾向にある。また、ｎ＞３．５となる色素は入
手が困難である。
【００１５】記録層に用いる色素は特に限定されない
が、シアニン系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン
系、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメタン
系、ピリリウムないしチアピリリウム塩系、金属錯体色
素系等が好ましい。シアニン色素としては、インドレニ
ン環を有するシアニン色素であることが好ましい。ま
た、色素をクエンチャーと混合して混合物として用いて
もよい。さらに、色素カチオンとクエンチャーアニオン
とのイオン結合体を色素として用いてもよい。この場
合、色素としてはインドレニン環を有するシアニン色素
が、クエンチャーとしてはビスフェニルジチオール金属
錯体等の金属錯体色素が好ましい。
が、シアニン系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン
系、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメタン
系、ピリリウムないしチアピリリウム塩系、金属錯体色
素系等が好ましい。シアニン色素としては、インドレニ
ン環を有するシアニン色素であることが好ましい。ま
た、色素をクエンチャーと混合して混合物として用いて
もよい。さらに、色素カチオンとクエンチャーアニオン
とのイオン結合体を色素として用いてもよい。この場
合、色素としてはインドレニン環を有するシアニン色素
が、クエンチャーとしてはビスフェニルジチオール金属
錯体等の金属錯体色素が好ましい。
【００１６】好ましい色素、クエンチャー、結合体の詳
細については特開昭５９−２４６９２号、同５９−５５
７９４号、同５９−５５７９５号、同５９−８１１９４
号、同５９−８３６９５号、同６０−１８３８７号、同
６０−１９５８６号、同６０−１９５８７号、同６０−
３５０５４号、同６０−３６１９０号、同６０−３６１
９１号、同６０−４４５５４号、同６０−４４５５５
号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３９０号、同
６０−４７０６９号、同６０−２０９９１号、同６０−
７１２９４号、同６０−５４８９２号、同６０−７１２
９５号、同６０−７１２９６号、同６０−７３８９１
号、同６０−７３８９２号、同６０−７３８９３号、同
６０−８３８９２号、同６０−８５４４９号、同６０−
９２８９３号、同６０−１５９０８７号、同６０−１６
２６９１号、同６０−２０３４８８号、同６０−２０１
９８８号、同６０−２３４８８６号、同６０−２３４８
９２号、同６１−１６８９４号、同６１−１１２９２
号、同６１−１１２９４号、同６１−１６８９１号、同
６１−８３８４号、同６１−１４９８８号、同６１−１
６３２４３号、同６１−２１０５３９号、特願昭６０−
５４０１３号等に記載されている。
細については特開昭５９−２４６９２号、同５９−５５
７９４号、同５９−５５７９５号、同５９−８１１９４
号、同５９−８３６９５号、同６０−１８３８７号、同
６０−１９５８６号、同６０−１９５８７号、同６０−
３５０５４号、同６０−３６１９０号、同６０−３６１
９１号、同６０−４４５５４号、同６０−４４５５５
号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３９０号、同
６０−４７０６９号、同６０−２０９９１号、同６０−
７１２９４号、同６０−５４８９２号、同６０−７１２
９５号、同６０−７１２９６号、同６０−７３８９１
号、同６０−７３８９２号、同６０−７３８９３号、同
６０−８３８９２号、同６０−８５４４９号、同６０−
９２８９３号、同６０−１５９０８７号、同６０−１６
２６９１号、同６０−２０３４８８号、同６０−２０１
９８８号、同６０−２３４８８６号、同６０−２３４８
９２号、同６１−１６８９４号、同６１−１１２９２
号、同６１−１１２９４号、同６１−１６８９１号、同
６１−８３８４号、同６１−１４９８８号、同６１−１
６３２４３号、同６１−２１０５３９号、特願昭６０−
５４０１３号等に記載されている。
【００１７】用いる色素によっては記録時の線速度を
３．６m/s 以上としてもグルーブ底面に過度の変形が生
じることがあるので、過度の変形が生じないように適宜
色素を選択する。このような色素としては、例えば、下
記化１に示される光安定化シアニン色素、すなわち、シ
アニン色素カチオンとクエンチャーアニオンとのイオン
結合体が挙げられる。
３．６m/s 以上としてもグルーブ底面に過度の変形が生
じることがあるので、過度の変形が生じないように適宜
色素を選択する。このような色素としては、例えば、下
記化１に示される光安定化シアニン色素、すなわち、シ
アニン色素カチオンとクエンチャーアニオンとのイオン
結合体が挙げられる。
【００１８】
【化１】
【００１９】上記化１において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およ
びＲ4 は、それぞれアルキル基またはフェニル基であ
り、Ｒ5 およびＲ6 はそれぞれアルキル基である。Ｍｅ
はＣｕまたはＮｉである。
びＲ4 は、それぞれアルキル基またはフェニル基であ
り、Ｒ5 およびＲ6 はそれぞれアルキル基である。Ｍｅ
はＣｕまたはＮｉである。
【００２０】本発明では、上記のような色素、色素−ク
エンチャー混合物、色素−クエンチャー結合体から上記
範囲のｎおよびｋを有するものを選択するか、あるいは
新たに分子設計を行ない合成することもできる。
エンチャー混合物、色素−クエンチャー結合体から上記
範囲のｎおよびｋを有するものを選択するか、あるいは
新たに分子設計を行ない合成することもできる。
【００２１】色素の記録光および再生光に対するｋは、
その骨格や置換基により０〜２程度まで変化するため、
例えばｋが０．０１〜０．１０の色素を選定するに際し
ては、その骨格や置換基に制限がある。このため、使用
可能な塗布溶媒に制限を生じたり、基板材質によっては
塗工できないこともある。また、新たに分子設計を行な
う場合、設計および合成に大きな労力を必要とする。一
方、本発明者らの実験によれば、２種以上の色素を含有
する記録層のｋは、用いる各色素単独から構成される記
録層のｋに応じ、その混合比にほぼ対応する値になるこ
とが判明した。従って、本発明では、記録層３は２種以
上の色素を相溶して形成されてもよい。この際、ほとん
どの色素の混合系で混合比にほぼ比例したｋが得られ
る。すなわち、ｉ種の色素の混合分率およびｋをそれぞ
れＣｉおよびｋｉとしたとき、ｋは、ほぼΣＣｉｋｉと
なる。従って、ｋの異なる色素同士を混合比を制御して
混合することにより、ｋ＝０．０２〜０．０５の記録層
を得ることができる。このため、きわめて広い範囲の色
素群の中から用いる色素を選択することができる。この
ことは、波長依存性の改善にも適用できる。半導体レー
ザの波長は通常±１０nmの範囲にあり、市販のＣＤプレ
ーヤにおいては、７７０〜７９０nmの範囲で反射率を７
０％以上に確保する必要がある。一般に色素のｋ値は波
長依存性が大きいことが多く、７８０nmでは適切な値で
あっても、７７０nmあるいは７９０nmでは大きくはずれ
てしまう場合が多い。このような場合には、第二の色素
を混合することによって、７８０±１０nmの範囲で常に
適切なｎおよびｋ値が得られるように設定することがで
きる。この結果、塗布溶媒等の制約など成膜法に制限は
なくなり、また、合成が容易で安価な色素の使用や、特
性の良好な色素の使用や、難溶性の色素の使用をも可能
とすることができる。記録層３を混合色素層とする場
合、用いる色素は、ｎ＝１．９〜６．５、ｋ＝０〜２の
範囲内のものから選択すればよい。
その骨格や置換基により０〜２程度まで変化するため、
例えばｋが０．０１〜０．１０の色素を選定するに際し
ては、その骨格や置換基に制限がある。このため、使用
可能な塗布溶媒に制限を生じたり、基板材質によっては
塗工できないこともある。また、新たに分子設計を行な
う場合、設計および合成に大きな労力を必要とする。一
方、本発明者らの実験によれば、２種以上の色素を含有
する記録層のｋは、用いる各色素単独から構成される記
録層のｋに応じ、その混合比にほぼ対応する値になるこ
とが判明した。従って、本発明では、記録層３は２種以
上の色素を相溶して形成されてもよい。この際、ほとん
どの色素の混合系で混合比にほぼ比例したｋが得られ
る。すなわち、ｉ種の色素の混合分率およびｋをそれぞ
れＣｉおよびｋｉとしたとき、ｋは、ほぼΣＣｉｋｉと
なる。従って、ｋの異なる色素同士を混合比を制御して
混合することにより、ｋ＝０．０２〜０．０５の記録層
を得ることができる。このため、きわめて広い範囲の色
素群の中から用いる色素を選択することができる。この
ことは、波長依存性の改善にも適用できる。半導体レー
ザの波長は通常±１０nmの範囲にあり、市販のＣＤプレ
ーヤにおいては、７７０〜７９０nmの範囲で反射率を７
０％以上に確保する必要がある。一般に色素のｋ値は波
長依存性が大きいことが多く、７８０nmでは適切な値で
あっても、７７０nmあるいは７９０nmでは大きくはずれ
てしまう場合が多い。このような場合には、第二の色素
を混合することによって、７８０±１０nmの範囲で常に
適切なｎおよびｋ値が得られるように設定することがで
きる。この結果、塗布溶媒等の制約など成膜法に制限は
なくなり、また、合成が容易で安価な色素の使用や、特
性の良好な色素の使用や、難溶性の色素の使用をも可能
とすることができる。記録層３を混合色素層とする場
合、用いる色素は、ｎ＝１．９〜６．５、ｋ＝０〜２の
範囲内のものから選択すればよい。
【００２２】ｎおよびｋの測定に際しては、所定の透明
基板上に記録層を例えば４００〜８００A 程度の厚さに
実際の条件にて設層して、測定サンプルを作製する。次
いで、基板を通しての、あるいは記録層側からの反射率
を測定する。反射率は記録再生光波長を用いて鏡面反射
（５°程度）にて測定する。また、サンプルの透過率を
測定する。これらの測定値から、例えば、共立全書「光
学」石黒浩三Ｐ１６８〜１７８に準じ、ｎおよびｋを算
出すればよい。
基板上に記録層を例えば４００〜８００A 程度の厚さに
実際の条件にて設層して、測定サンプルを作製する。次
いで、基板を通しての、あるいは記録層側からの反射率
を測定する。反射率は記録再生光波長を用いて鏡面反射
（５°程度）にて測定する。また、サンプルの透過率を
測定する。これらの測定値から、例えば、共立全書「光
学」石黒浩三Ｐ１６８〜１７８に準じ、ｎおよびｋを算
出すればよい。
【００２３】記録層３の厚さは、平均で１５００〜３０
００A とすることが好ましい。この範囲外では反射率が
低下して、ＣＤ規格の再生を行なうことが難しくなる。
００A とすることが好ましい。この範囲外では反射率が
低下して、ＣＤ規格の再生を行なうことが難しくなる。
【００２４】記録層３の形成方法に特に制限はないが、
本発明では、色素選択や、媒体設計や、製造上の自由度
や容易さがより拡大する点で、塗布によって形成するこ
とが好ましい。記録層３の塗設には、ケトン系、エステ
ル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、
アルコール系等の各種溶媒を用いることができ、溶媒選
択の自由度も大きい。塗布には、スピンコート等を用い
ればよい。
本発明では、色素選択や、媒体設計や、製造上の自由度
や容易さがより拡大する点で、塗布によって形成するこ
とが好ましい。記録層３の塗設には、ケトン系、エステ
ル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、
アルコール系等の各種溶媒を用いることができ、溶媒選
択の自由度も大きい。塗布には、スピンコート等を用い
ればよい。
【００２５】記録層３の表面側に密着して設けられる反
射層４には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の高反射率金属または
これらの一種以上を含む合金などを用いることが好まし
く、特にＡｕを用いることが好ましい。反射層４の膜厚
は、通常、５００A 以上、好ましくは８００〜１５００
A とし、蒸着、スパッタ等により形成すればよい。これ
により、基板を通しての反射率は、未記録部で６０％以
上、特に７０％以上がえられる。
射層４には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の高反射率金属または
これらの一種以上を含む合金などを用いることが好まし
く、特にＡｕを用いることが好ましい。反射層４の膜厚
は、通常、５００A 以上、好ましくは８００〜１５００
A とし、蒸着、スパッタ等により形成すればよい。これ
により、基板を通しての反射率は、未記録部で６０％以
上、特に７０％以上がえられる。
【００２６】反射層４の表面側に密着して設けられる保
護層５は、例えば紫外線硬化樹脂等の各種樹脂材質から
構成することが好ましく、その厚さは、一般に３〜１０
０μm 程度とすればよい。保護層５は、層状であっても
シート状であってもよい。
護層５は、例えば紫外線硬化樹脂等の各種樹脂材質から
構成することが好ましく、その厚さは、一般に３〜１０
０μm 程度とすればよい。保護層５は、層状であっても
シート状であってもよい。
【００２７】本発明では、図示例の構成に限らず、基板
と記録層との間および／または記録層と反射層との間に
他の層を設けた構成としてもよい。基板と記録層との間
や、記録層と反射層との間に設けられる層としては、例
えば、厚さ５００A 以下のＳｉＯ2 層などが挙げられ
る。なお、基板と記録層との間に他の層を設けた場合、
記録後の前記他の層表面の変形量も、後述するグルーブ
底面の変形量と同範囲とする。
と記録層との間および／または記録層と反射層との間に
他の層を設けた構成としてもよい。基板と記録層との間
や、記録層と反射層との間に設けられる層としては、例
えば、厚さ５００A 以下のＳｉＯ2 層などが挙げられ
る。なお、基板と記録層との間に他の層を設けた場合、
記録後の前記他の層表面の変形量も、後述するグルーブ
底面の変形量と同範囲とする。
【００２８】光記録媒体１に記録ないし追記を行なうに
は、基板２の裏面側から基板２を通して記録光をパルス
状に照射する。本発明では、記録層に対する記録光の相
対線速度ＶW を３．６m/s 以上として記録を行なう。一
方、再生時には、記録層に対する再生光の相対線速度
を、通常、ＣＤ規格の標準再生線速度ＶR （１．２〜
１．４m/s ）とするが、ＶR を超える速度、例えばＶR
の２〜４倍程度としてデータ転送速度を高くする構成と
することもできる。記録時の線速度を上記のように高く
することにより、グルーブ深さに対するグルーブ底面の
変形量を小さくすることができ、かつ記録光照射部の色
素を融解してその一部を分解することができる。記録光
照射部では、色素とその分解物が混じりあった混合物６
が形成され、屈折率が減少する。このため、混合物６存
在領域は位相差による反射率変化を示す記録マークとな
る。このとき、グルーブ底面の変形量がグルーブ深さに
対し小さいので、ジッターを著しく小さくすることがで
きる。本発明では、グルーブ深さに対するグルーブ底面
の変形量を±１８％以下と小さくでき、±１５％以下に
することも可能である。なお、グルーブ底面の変形量
は、グルーブ底面を基準面として基板厚さ方向に測定す
る。
は、基板２の裏面側から基板２を通して記録光をパルス
状に照射する。本発明では、記録層に対する記録光の相
対線速度ＶW を３．６m/s 以上として記録を行なう。一
方、再生時には、記録層に対する再生光の相対線速度
を、通常、ＣＤ規格の標準再生線速度ＶR （１．２〜
１．４m/s ）とするが、ＶR を超える速度、例えばＶR
の２〜４倍程度としてデータ転送速度を高くする構成と
することもできる。記録時の線速度を上記のように高く
することにより、グルーブ深さに対するグルーブ底面の
変形量を小さくすることができ、かつ記録光照射部の色
素を融解してその一部を分解することができる。記録光
照射部では、色素とその分解物が混じりあった混合物６
が形成され、屈折率が減少する。このため、混合物６存
在領域は位相差による反射率変化を示す記録マークとな
る。このとき、グルーブ底面の変形量がグルーブ深さに
対し小さいので、ジッターを著しく小さくすることがで
きる。本発明では、グルーブ深さに対するグルーブ底面
の変形量を±１８％以下と小さくでき、±１５％以下に
することも可能である。なお、グルーブ底面の変形量
は、グルーブ底面を基準面として基板厚さ方向に測定す
る。
【００２９】グルーブ底面の変形量は以下のようにして
測定する。まず、測定用サンプルから保護層５と反射層
４とを剥離する。次いで、基板２の表面をアルコール系
の溶剤で洗浄した後、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）
によりグルーブ底面の変形を調べる。本発明の光記録媒
体では米国特許第６１５１１５０号明細書記載の光記録
媒体とは異なり、溶剤中において基板２を軽く揺らす程
度の弱い洗浄を行なった場合でも、グルーブ底面に色素
の分解物は残存しない。
測定する。まず、測定用サンプルから保護層５と反射層
４とを剥離する。次いで、基板２の表面をアルコール系
の溶剤で洗浄した後、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）
によりグルーブ底面の変形を調べる。本発明の光記録媒
体では米国特許第６１５１１５０号明細書記載の光記録
媒体とは異なり、溶剤中において基板２を軽く揺らす程
度の弱い洗浄を行なった場合でも、グルーブ底面に色素
の分解物は残存しない。
【００３０】記録光のピークパワーは、記録層において
９．５ｍＷ以上、好ましくは１０ｍＷ以上、より好まし
くは１１〜１７ｍＷとする。記録光のパワーが小さすぎ
ると色素の分解が不十分となって、記録マーク部におけ
る反射率低下が不十分となる。また、記録光のパワーが
大きすぎるとグルーブ底面に過度の変形が生じることが
あり、本発明の効果が得られなくなることがある。な
お、記録用光ピックアップの開口数（ＮＡ）は、通常、
０．４７〜０．５５程度である。
９．５ｍＷ以上、好ましくは１０ｍＷ以上、より好まし
くは１１〜１７ｍＷとする。記録光のパワーが小さすぎ
ると色素の分解が不十分となって、記録マーク部におけ
る反射率低下が不十分となる。また、記録光のパワーが
大きすぎるとグルーブ底面に過度の変形が生じることが
あり、本発明の効果が得られなくなることがある。な
お、記録用光ピックアップの開口数（ＮＡ）は、通常、
０．４７〜０．５５程度である。
【００３１】ＣＤ信号はＥＦＭ信号であり、前記標準再
生線速度ＶＲにおいて幅ｎＴ（ｎ＝３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１であり、Ｔ＝２３１．４ｎｓで
ある）のパルスの組み合わせとして再生される。本発明
では記録時の線速度ＶＷが標準再生線速度ＶＲと異なる
ので、記録光を変調する信号のパルス幅はＶＲとＶＷと
の比に基づいて適宜決定すればよいが、好ましくは記録
光を変調するＥＦＭ信号のパルス幅を（ｎ＋ｐ）Ｔ・Ｖ
Ｒ／ＶＷ（−０．５≦ｐ≦−０．２）とする。ｐが前記
範囲を外れると、ジッターの直流成分が増加する傾向に
ある。ＶＷを４．８〜５．６ｍ／ｓとして、−０．５≦
ｐ≦−０．２とすることが好ましい。
生線速度ＶＲにおいて幅ｎＴ（ｎ＝３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１であり、Ｔ＝２３１．４ｎｓで
ある）のパルスの組み合わせとして再生される。本発明
では記録時の線速度ＶＷが標準再生線速度ＶＲと異なる
ので、記録光を変調する信号のパルス幅はＶＲとＶＷと
の比に基づいて適宜決定すればよいが、好ましくは記録
光を変調するＥＦＭ信号のパルス幅を（ｎ＋ｐ）Ｔ・Ｖ
Ｒ／ＶＷ（−０．５≦ｐ≦−０．２）とする。ｐが前記
範囲を外れると、ジッターの直流成分が増加する傾向に
ある。ＶＷを４．８〜５．６ｍ／ｓとして、−０．５≦
ｐ≦−０．２とすることが好ましい。
【００３２】このようにして記録マークを形成したの
ち、基板２を通して例えば７８０nmの再生光を照射する
と、記録マークにより光の位相差を生じ、反射率が６０
％以上低下する。一方、未記録部では、６０％以上、特
に７０％以上の高反射率が得られるので、ＣＤ規格によ
る再生が可能となる。
ち、基板２を通して例えば７８０nmの再生光を照射する
と、記録マークにより光の位相差を生じ、反射率が６０
％以上低下する。一方、未記録部では、６０％以上、特
に７０％以上の高反射率が得られるので、ＣＤ規格によ
る再生が可能となる。
【００３３】
【実施例】スパイラル状のグルーブ（幅０．４μm 、深
さ１５００A 、ピッチ１．６μm）を有するポリカーボ
ネート樹脂基板（外径１２０mm、内径１５mm、厚さ１．
２mm）上に、下記化２に示す色素の７重量％溶液をスピ
ンコーターで塗布して乾燥し、記録層とした。溶媒には
ＤＡＡを用いた。記録層の厚さは平均約２１００Aとし
た。波長７８５nmにおいて、記録層の屈折率（ｎ）は
２．３、消衰係数（ｋ）は０．０３であった。ｎおよび
ｋは、化２に示す色素を含有する溶液を測定用基板上に
乾燥膜厚６００A に成膜して被検記録層とし、この被検
記録層のｎおよびｋを測定することにより求めた。な
お、この測定は、「光学」（石黒浩三著、共立全書）第
１６８〜１７８ページの記載に準じて行なった。
さ１５００A 、ピッチ１．６μm）を有するポリカーボ
ネート樹脂基板（外径１２０mm、内径１５mm、厚さ１．
２mm）上に、下記化２に示す色素の７重量％溶液をスピ
ンコーターで塗布して乾燥し、記録層とした。溶媒には
ＤＡＡを用いた。記録層の厚さは平均約２１００Aとし
た。波長７８５nmにおいて、記録層の屈折率（ｎ）は
２．３、消衰係数（ｋ）は０．０３であった。ｎおよび
ｋは、化２に示す色素を含有する溶液を測定用基板上に
乾燥膜厚６００A に成膜して被検記録層とし、この被検
記録層のｎおよびｋを測定することにより求めた。な
お、この測定は、「光学」（石黒浩三著、共立全書）第
１６８〜１７８ページの記載に準じて行なった。
【００３４】
【化２】
【００３５】次いで、記録層上に、蒸着によりＡｕを１
０００A 厚に形成して反射層とし、さらに、アクリル系
の紫外線硬化型樹脂を１０μm 厚に塗布した後、紫外線
硬化して保護層とし、光記録ディスクを得た。
０００A 厚に形成して反射層とし、さらに、アクリル系
の紫外線硬化型樹脂を１０μm 厚に塗布した後、紫外線
硬化して保護層とし、光記録ディスクを得た。
【００３６】この光記録ディスクについて、ＥＦＭ信号
の記録および再生の実験を行なった。記録に際しては、
開口数（ＮＡ）０．５、波長７８５nmの光記録用ピック
アップを用いて記録光をグルーブ内に集光した。再生
は、コンパクトディスクプレーヤで行ない、ブロックエ
ラーレート（ＢＬＥＲ）とジッターとを測定した。記録
光のディスクに対する相対線速度ＶW を下記表１および
表２に示す。再生光のディスクに対する相対線速度は、
ＣＤ規格における標準再生線速度ＶR とした。ＶR の具
体値を各表に示す。また、記録光の記録層におけるピー
クパワーを各表に示す。記録光はパルス幅（ｎ＋ｐ）Ｔ
・ＶR ／ＶW のＥＦＭ信号により変調し、各表にはｐを
示した。
の記録および再生の実験を行なった。記録に際しては、
開口数（ＮＡ）０．５、波長７８５nmの光記録用ピック
アップを用いて記録光をグルーブ内に集光した。再生
は、コンパクトディスクプレーヤで行ない、ブロックエ
ラーレート（ＢＬＥＲ）とジッターとを測定した。記録
光のディスクに対する相対線速度ＶW を下記表１および
表２に示す。再生光のディスクに対する相対線速度は、
ＣＤ規格における標準再生線速度ＶR とした。ＶR の具
体値を各表に示す。また、記録光の記録層におけるピー
クパワーを各表に示す。記録光はパルス幅（ｎ＋ｐ）Ｔ
・ＶR ／ＶW のＥＦＭ信号により変調し、各表にはｐを
示した。
【００３７】次に、実験に用いた各ディスクの保護層お
よび反射層を剥離し、記録層をＤＡＡ溶媒で洗浄した
後、基板表面に厚さ１００A のＡｕ膜をスパッタリング
で形成し、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を用いて、
グルーブ底面の中心線に沿った断面における表面状態を
示すグラフを作製した。このグラフを用いて、１１Ｔ信
号記録部におけるグルーブ底面の変形量を測定した。こ
の変形量は、未記録部のグルーブ底面を基準面として基
板厚さ方向に測定された高さである。グルーブ深さを１
００％としたときの変形量の比率（変形率）を、各表に
示す。また、実験No. １−２に用いたディスクに関する
グラフを図２の（ａ）に、実験No. １−８に用いたディ
スクに関するグラフを図２（ｂ）に示す。グラフの縦軸
は変形率であり、横軸はグルーブ延在方向の距離であ
る。
よび反射層を剥離し、記録層をＤＡＡ溶媒で洗浄した
後、基板表面に厚さ１００A のＡｕ膜をスパッタリング
で形成し、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を用いて、
グルーブ底面の中心線に沿った断面における表面状態を
示すグラフを作製した。このグラフを用いて、１１Ｔ信
号記録部におけるグルーブ底面の変形量を測定した。こ
の変形量は、未記録部のグルーブ底面を基準面として基
板厚さ方向に測定された高さである。グルーブ深さを１
００％としたときの変形量の比率（変形率）を、各表に
示す。また、実験No. １−２に用いたディスクに関する
グラフを図２の（ａ）に、実験No. １−８に用いたディ
スクに関するグラフを図２（ｂ）に示す。グラフの縦軸
は変形率であり、横軸はグルーブ延在方向の距離であ
る。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】以上の結果から、本発明の効果が明らかで
ある。すなわち、３．６m/s 以上の線速度で記録を行な
った場合には、グルーブ底面の変形率を１８％以下とす
ることができる。そして、変形率の小さいものは低ジッ
ターであり、ブロックエラーレートも低い。
ある。すなわち、３．６m/s 以上の線速度で記録を行な
った場合には、グルーブ底面の変形率を１８％以下とす
ることができる。そして、変形率の小さいものは低ジッ
ターであり、ブロックエラーレートも低い。
【図１】本発明の光記録媒体の構成例の一部を示す断面
図である。
図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、記録層を洗
浄除去した後の基板表面のグルーブに沿った断面におけ
る表面状態が示されるグラフである。
浄除去した後の基板表面のグルーブに沿った断面におけ
る表面状態が示されるグラフである。
１ 光記録媒体 ２ 基板 ２１ ランド部 ２３ グルーブ ３ 記録層 ４ 反射層 ５ 保護層 ６ 混合物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−22224（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−12671（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/00 G11B 7/125
Claims (3)
- 【請求項１】 表面にグルーブを有する樹脂製基板の表
面側に、直接または他の層を介して有機色素を含む記録
層を有し、記録層の表面側に直接または他の層を介して
反射層を有する光記録媒体を用い、 前記基板の裏面側からグルーブ内に記録光を照射するこ
とにより、記録層に記録マークを形成する光記録再生方
法であって、 前記グルーブの深さが１１００〜２３００Ａであり、 記録層に対する相対線速度が３．６ｍ／ｓ以上であり、
パルス幅（ｎ＋ｐ）Ｔ・ＶＲ／ＶＷ｛ただし、ｎ＝３、
４、５、６、７、８、９、１０、１１であり、Ｔ＝２３
１．４ｎｓであり、−０．５≦ｐ≦−０．２であり、Ｖ
Ｒはコンパクトディスクの標準再生線速度（１．２〜
１．４ｍ／ｓ）である｝のＥＦＭ信号により変調し、記
録光により記録層におけるピークパワーが９．５ｍＷ〜
１７ｍＷの記録を行ない、 色素の部分分解により記録マークを形成し、かつ、 前記グルーブ底面およびグルーブ底面と記録層との間の
前記他の層表面の変形量が前記グルーブの深さの１８％
以下とする光記録再生方法。 - 【請求項２】 記録層におけるピークパワーが１０ｍＷ
以上である記録光を用いる請求項１の光記録再生方法。 - 【請求項３】 ＶＷを４．２〜５．６ｍ／ｓとして記録
を行なう請求項１および２の光記録再生方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145660A JP2858067B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 光記録再生方法 |
| US08/226,358 US5441848A (en) | 1993-05-25 | 1994-04-12 | Optical recording/reproducing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145660A JP2858067B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 光記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338059A JPH06338059A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2858067B2 true JP2858067B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=15390150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5145660A Expired - Lifetime JP2858067B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 光記録再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5441848A (ja) |
| JP (1) | JP2858067B2 (ja) |
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| AU2001232280A1 (en) * | 2000-02-14 | 2001-08-20 | Taiyo Yuden Co. Ltd. | Optical information recording medium, method for recording/reproducing the same,and optical pickup |
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| JP2007323719A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | 光ディスク、情報記録方法、情報再生方法 |
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| JPS63127469A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Sony Corp | 記録可能型光デイスク記録再生装置 |
| US5075147A (en) * | 1989-03-24 | 1991-12-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for optically recording information and information recorded medium |
| JP2732314B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1998-03-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 光情報記録方法および情報記録媒体 |
| US5244706A (en) * | 1991-02-27 | 1993-09-14 | Tdk Corporation | Optical recording disk |
| JP3062294B2 (ja) * | 1991-05-10 | 2000-07-10 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2668604B2 (ja) * | 1991-07-05 | 1997-10-27 | 富士写真フイルム株式会社 | 光情報記録方法 |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP5145660A patent/JP2858067B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-04-12 US US08/226,358 patent/US5441848A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5441848A (en) | 1995-08-15 |
| JPH06338059A (ja) | 1994-12-06 |
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