JPH04333518A - 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 - Google Patents
磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法Info
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- JPH04333518A JPH04333518A JP3104488A JP10448891A JPH04333518A JP H04333518 A JPH04333518 A JP H04333518A JP 3104488 A JP3104488 A JP 3104488A JP 10448891 A JP10448891 A JP 10448891A JP H04333518 A JPH04333518 A JP H04333518A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は中磁場での磁気特性が高
く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向性電磁厚板の
製造法を提供するものである。
く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向性電磁厚板の
製造法を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】近年最先端科学技術である素粒子研究や
医療機器の進歩に伴って、大型構造物に磁気を用いる装
置が使われ、その性能向上が求められている。直流磁化
条件で使用される粒子加速器用磁極材、リターンヨーク
材では、高い飽和磁束密度の他に高強度で、10Oe(
800A/m)付近の中磁場での高い磁束密度が求めら
れている。
医療機器の進歩に伴って、大型構造物に磁気を用いる装
置が使われ、その性能向上が求められている。直流磁化
条件で使用される粒子加速器用磁極材、リターンヨーク
材では、高い飽和磁束密度の他に高強度で、10Oe(
800A/m)付近の中磁場での高い磁束密度が求めら
れている。
【0003】磁束密度に優れた電磁鋼板としては、従来
から薄板分野で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数
多くの材料が提供されているのは公知である。しかし、
構造部材として使用するには組立加工及び強度上の問題
があり、厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで
電磁厚板としては純鉄系成分で製造されている。たとえ
ば、特開昭60−96749号公報が公知である。
から薄板分野で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数
多くの材料が提供されているのは公知である。しかし、
構造部材として使用するには組立加工及び強度上の問題
があり、厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで
電磁厚板としては純鉄系成分で製造されている。たとえ
ば、特開昭60−96749号公報が公知である。
【0004】しかしながら、近年の装置の大型化、能力
の向上等に伴いさらに磁気特性の優れた、特に中磁場、
たとえば10Oe(800A/m)付近での磁束密度の
高い鋼材開発の要望が強い。前掲の特許等で開発された
鋼材では、10Oe付近での中磁場の高い磁束密度が安
定して得られていない。
の向上等に伴いさらに磁気特性の優れた、特に中磁場、
たとえば10Oe(800A/m)付近での磁束密度の
高い鋼材開発の要望が強い。前掲の特許等で開発された
鋼材では、10Oe付近での中磁場の高い磁束密度が安
定して得られていない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は以上の
点を鑑みなされたもので、高強度で、中磁場での磁気特
性が高く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向性電磁
厚板の製造法を提供することである。
点を鑑みなされたもので、高強度で、中磁場での磁気特
性が高く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向性電磁
厚板の製造法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は重量%で、C:
0.01%以下、Si:0.1〜4.0%、Mn:0.
20%以下、S:0.010%以下、Al:0.040
%以下、N:0.004%以下、O:0.005%以下
、H:0.0002%以下、残部実質的に鉄からなる鋼
組成の鋼片または、鋳片を950〜1150℃に加熱し
、800℃以上で圧延形状比Aが0.6以上の圧延パス
を1回以上はとる圧延を行ない、引き続き800℃以下
で圧下率を35〜70%とする圧延を行なうことを特徴
とする高強度で、中磁場での磁気特性が高く、かつ、高
い固有抵抗値を有する無方向性電磁厚板の製造法である
。
0.01%以下、Si:0.1〜4.0%、Mn:0.
20%以下、S:0.010%以下、Al:0.040
%以下、N:0.004%以下、O:0.005%以下
、H:0.0002%以下、残部実質的に鉄からなる鋼
組成の鋼片または、鋳片を950〜1150℃に加熱し
、800℃以上で圧延形状比Aが0.6以上の圧延パス
を1回以上はとる圧延を行ない、引き続き800℃以下
で圧下率を35〜70%とする圧延を行なうことを特徴
とする高強度で、中磁場での磁気特性が高く、かつ、高
い固有抵抗値を有する無方向性電磁厚板の製造法である
。
【0007】
【数2】
【0008】
【作用】従来は低磁場で高磁束密度を得るためには、磁
壁の移動の障害となる結晶粒の粗大化が重要な技術とな
っていた(特開昭60−96749号公報)。これに対
し、中磁場で高磁束密度を得るための方法については知
見がなかった。
壁の移動の障害となる結晶粒の粗大化が重要な技術とな
っていた(特開昭60−96749号公報)。これに対
し、中磁場で高磁束密度を得るための方法については知
見がなかった。
【0009】発明者らは、ここにおいて中磁場で高磁束
密度を得るためには、従来言われていた磁壁を移動しや
すくするための結晶粒の粗大化よりも、磁化容易方向が
板面に平行な方向を向いていることが重要であることを
見出した。つまり、〔100〕方向が板面に平行な方向
にランダムとなることで、中磁場の磁気特性が大幅に向
上することを見出したのである。
密度を得るためには、従来言われていた磁壁を移動しや
すくするための結晶粒の粗大化よりも、磁化容易方向が
板面に平行な方向を向いていることが重要であることを
見出した。つまり、〔100〕方向が板面に平行な方向
にランダムとなることで、中磁場の磁気特性が大幅に向
上することを見出したのである。
【0010】さらに、高強度を得るためには、低温領域
である値以上の圧下率を施し、かつ、圧延ままで製品と
することが重要であることを見出した。これらのための
熱間圧延条件として、800℃以下において35%以上
70%以下の圧下率をとることで、〔100〕の結晶方
位を圧延方向に平行にランダムとなると同時に、高強度
が得られる。
である値以上の圧下率を施し、かつ、圧延ままで製品と
することが重要であることを見出した。これらのための
熱間圧延条件として、800℃以下において35%以上
70%以下の圧下率をとることで、〔100〕の結晶方
位を圧延方向に平行にランダムとなると同時に、高強度
が得られる。
【0011】図1に0.007Si−1.4Si−0.
015Al鋼での800℃以下の圧下率と10Oeでの
磁束密度を示す。35〜70%の圧下により、高磁束密
度が得られる。さらに中磁場での高磁束密度を得るため
の手段として、内部応力の原因となる元素及び空隙性欠
陥の作用につき詳細な検討を行ない、所期の目的を達成
した。また、空隙性欠陥の影響についても種々検討した
結果、そのサイズが100μ以上のものが磁気特性を大
幅に低下することを知見したものである。そしてこの1
00μ以上の有害な空隙性欠陥をなくすためには圧延形
状比Aが0.6以上必要であることを見出した。
015Al鋼での800℃以下の圧下率と10Oeでの
磁束密度を示す。35〜70%の圧下により、高磁束密
度が得られる。さらに中磁場での高磁束密度を得るため
の手段として、内部応力の原因となる元素及び空隙性欠
陥の作用につき詳細な検討を行ない、所期の目的を達成
した。また、空隙性欠陥の影響についても種々検討した
結果、そのサイズが100μ以上のものが磁気特性を大
幅に低下することを知見したものである。そしてこの1
00μ以上の有害な空隙性欠陥をなくすためには圧延形
状比Aが0.6以上必要であることを見出した。
【0012】
【数3】
【0013】さらに、鋼中の水素の存在も有害で、脱水
素熱処理を行なうことによって磁気特性が大幅に向上す
ることを知見した。高形状比圧延により空隙性欠陥のサ
イズを100μ以下にし、かつ、脱水素熱処理により鋼
中水素を減少することで中磁場での磁束密度が大幅に上
昇する。
素熱処理を行なうことによって磁気特性が大幅に向上す
ることを知見した。高形状比圧延により空隙性欠陥のサ
イズを100μ以下にし、かつ、脱水素熱処理により鋼
中水素を減少することで中磁場での磁束密度が大幅に上
昇する。
【0014】さらに図3に示すように、鋼に高い固有抵
抗値と高強度を与え、かつ、Alの無添加の領域でAl
に代わる脱酸剤として使える元素としてSiが最適であ
ることを知見した。
抗値と高強度を与え、かつ、Alの無添加の領域でAl
に代わる脱酸剤として使える元素としてSiが最適であ
ることを知見した。
【0015】次に成分限定理由を述べる。Cは鋼中の内
部応力を高め、磁気特性、特に低磁場での磁束密度を最
も下げる元素であり、極力下げることが中磁場での磁束
密度を低下させないことに寄与する。また、磁気時効の
点からも低いほど経時低下が少なく、磁気特性の良い状
態で恒久的に使用できるものであり、このようなことか
ら、0.01%以下に限定する。図2に示すようにさら
に、0.005%以下にすることにより一層高磁束密度
が得られる。
部応力を高め、磁気特性、特に低磁場での磁束密度を最
も下げる元素であり、極力下げることが中磁場での磁束
密度を低下させないことに寄与する。また、磁気時効の
点からも低いほど経時低下が少なく、磁気特性の良い状
態で恒久的に使用できるものであり、このようなことか
ら、0.01%以下に限定する。図2に示すようにさら
に、0.005%以下にすることにより一層高磁束密度
が得られる。
【0016】Siは図3に示すように固有抵抗値、引張
強さを高めるには、不可欠な元素で、0.1%以上添加
する必要がある。しかし、4.0%を超えて添加すると
中磁場での磁束密度が低下するため、上限は4.0%と
する。
強さを高めるには、不可欠な元素で、0.1%以上添加
する必要がある。しかし、4.0%を超えて添加すると
中磁場での磁束密度が低下するため、上限は4.0%と
する。
【0017】Mnは中磁場での磁束密度の点から少ない
方が好ましく、MnS系介在物を生成する点からも低い
方がよい。この意味からMnは0.20%以下に限定す
る。さらにMnS系介在物を生成する点より望ましくは
0.10%以下がよい。
方が好ましく、MnS系介在物を生成する点からも低い
方がよい。この意味からMnは0.20%以下に限定す
る。さらにMnS系介在物を生成する点より望ましくは
0.10%以下がよい。
【0018】S,Oは鋼中において非金属介在物を形成
し、結晶粒の粗大化を妨げる害を及ぼし含有量が多くな
るに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性を低下さ
せるので少ない程よい。このため、Sは0.010%以
下、Oは0.005%以下とした。
し、結晶粒の粗大化を妨げる害を及ぼし含有量が多くな
るに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性を低下さ
せるので少ない程よい。このため、Sは0.010%以
下、Oは0.005%以下とした。
【0019】Alは脱酸剤として用いるもので、Alは
多くなりすぎると介在物を生成し鋼の性質を損なうので
上限は0.040%とする。さらに結晶粒粗大化を妨げ
る析出物であるAlNを減少させるためには低いほどよ
く、望ましくは0.020%以下がよい。
多くなりすぎると介在物を生成し鋼の性質を損なうので
上限は0.040%とする。さらに結晶粒粗大化を妨げ
る析出物であるAlNを減少させるためには低いほどよ
く、望ましくは0.020%以下がよい。
【0020】Nは内部応力を高めかつAlNにより結晶
粒微細化作用により中磁場での磁束密度を低下させるの
で上限は0.004%とする。Hは磁気特性を低下させ
、かつ、空隙性欠陥の減少を妨げるので0.0002%
以下とする。
粒微細化作用により中磁場での磁束密度を低下させるの
で上限は0.004%とする。Hは磁気特性を低下させ
、かつ、空隙性欠陥の減少を妨げるので0.0002%
以下とする。
【0021】次に製造法について述べる。圧延条件につ
いては、まず圧延前加熱温度を1150℃以下にするの
は、1150℃を超える加熱温度では、加熱γ粒径の板
厚方向のバラツキは大きく、このバラツキが圧延後も残
り最終的な結晶粒が不均一となるため、上限を1150
℃とする。加熱温度が950℃未満となると圧延の変形
抵抗が大きくなり、以下に述べる空隙性欠陥をなくすた
めの形状比の高い圧延の圧延負荷が大きくなるため、9
50℃を下限とする。
いては、まず圧延前加熱温度を1150℃以下にするの
は、1150℃を超える加熱温度では、加熱γ粒径の板
厚方向のバラツキは大きく、このバラツキが圧延後も残
り最終的な結晶粒が不均一となるため、上限を1150
℃とする。加熱温度が950℃未満となると圧延の変形
抵抗が大きくなり、以下に述べる空隙性欠陥をなくすた
めの形状比の高い圧延の圧延負荷が大きくなるため、9
50℃を下限とする。
【0022】熱間圧延にあたり前述の空隙性欠陥は鋼の
凝固過程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれ
をなくす手段は圧延によらなければならないので、熱間
圧延の役目は重要である。すなわち、熱間圧延1回当た
りの変形量を大きくし板厚中心部にまで変形が及ぶ熱間
圧延が有効である。
凝固過程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれ
をなくす手段は圧延によらなければならないので、熱間
圧延の役目は重要である。すなわち、熱間圧延1回当た
りの変形量を大きくし板厚中心部にまで変形が及ぶ熱間
圧延が有効である。
【0023】具体的には圧延形状比Aが0.6以上の圧
延パスが1回以上を含む高形状比圧延を行ない、空隙性
欠陥のサイズを100μ以下にすることが磁気特性によ
い。圧延中にこの高形状比圧延により空隙性欠陥をなく
すことで、後で行なう脱水素熱処理における脱水素効率
が飛躍的に上昇するのである。
延パスが1回以上を含む高形状比圧延を行ない、空隙性
欠陥のサイズを100μ以下にすることが磁気特性によ
い。圧延中にこの高形状比圧延により空隙性欠陥をなく
すことで、後で行なう脱水素熱処理における脱水素効率
が飛躍的に上昇するのである。
【0024】次に800℃以下の温度において累積圧下
率35%以上にすることにより、〔100〕の結晶方位
を圧延方向に平行にランダムとする。ただし70%超の
圧下率になると、熱処理後結晶粒度が板厚方向に不均一
になり、磁束密度のばらつきを大きくする。さらに、図
4に示すように800℃以下の温度において累積圧下率
を35%以上にすることにより、高強度が得られる。従
って高強度で、低磁場で高い磁気特性を得るために、圧
下率を35〜70%とする。
率35%以上にすることにより、〔100〕の結晶方位
を圧延方向に平行にランダムとする。ただし70%超の
圧下率になると、熱処理後結晶粒度が板厚方向に不均一
になり、磁束密度のばらつきを大きくする。さらに、図
4に示すように800℃以下の温度において累積圧下率
を35%以上にすることにより、高強度が得られる。従
って高強度で、低磁場で高い磁気特性を得るために、圧
下率を35〜70%とする。
【0025】
【実施例】表1に電磁厚板の製造条件とフェライト粒径
、中磁場での磁束密度を示す。
、中磁場での磁束密度を示す。
【0026】
【表1】
【0027】
【表2】
【0028】例1〜8は本発明の実施例を示し、例9〜
20は比較例を示す。例1〜5は板厚90mmに仕上げ
たもので、高強度で、中磁場で高磁束密度を示す。例1
に比べ、例2はさらに低C、例3,4は低Mn、例5は
低Alであり、より高い磁気特性を示す。例6は400
mm、例7は45mm、例8は5mmに仕上げたもので
、高強度で、高磁束密度である。
20は比較例を示す。例1〜5は板厚90mmに仕上げ
たもので、高強度で、中磁場で高磁束密度を示す。例1
に比べ、例2はさらに低C、例3,4は低Mn、例5は
低Alであり、より高い磁気特性を示す。例6は400
mm、例7は45mm、例8は5mmに仕上げたもので
、高強度で、高磁束密度である。
【0029】例9はCが高く低磁気特性値となっている
。例10はSiが低く、強度が低く、固有抵抗値が低く
なっている。例11はSiが高く、例12はMnが高く
、例13はSが高く、例14はAlが高く、例15はN
が高く、例16はOが高く、例17はHが高く、それぞ
れ上限を超えるため低磁気特性値となっている。例18
は加熱温度が上限を超え低磁束密度となっている。例1
9は加熱温度が下限をはずれ最大形状比が小さいため、
低磁束密度となっている。例20は800℃以下の圧下
率が下限をはずれ低磁束密度となっている。
。例10はSiが低く、強度が低く、固有抵抗値が低く
なっている。例11はSiが高く、例12はMnが高く
、例13はSが高く、例14はAlが高く、例15はN
が高く、例16はOが高く、例17はHが高く、それぞ
れ上限を超えるため低磁気特性値となっている。例18
は加熱温度が上限を超え低磁束密度となっている。例1
9は加熱温度が下限をはずれ最大形状比が小さいため、
低磁束密度となっている。例20は800℃以下の圧下
率が下限をはずれ低磁束密度となっている。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば適切な成分限定により板
厚の厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せしめること
に成功し、直流磁化による磁気特性を利用する構造物に
適用可能としたものであり、かつその製造法も前述の成
分限定と熱間圧延を行なう方式であり、極めて経済的に
製造する方法を提供するもので産業上多大な効果を奏す
るものである。
厚の厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せしめること
に成功し、直流磁化による磁気特性を利用する構造物に
適用可能としたものであり、かつその製造法も前述の成
分限定と熱間圧延を行なう方式であり、極めて経済的に
製造する方法を提供するもので産業上多大な効果を奏す
るものである。
【図1】10Oeにおける磁束密度に及ぼす800℃以
下の圧下率の影響を示すグラフである。
下の圧下率の影響を示すグラフである。
【図2】10Oeにおける磁束密度に及ぼすC含有量の
影響を示すグラフである。
影響を示すグラフである。
【図3】固有抵抗値、引張強さに及ぼすSi含有量の影
響を示すグラフである。
響を示すグラフである。
【図4】引張強さに及ぼす800℃以下の圧下率の影響
を示すグラフである。
を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項1】 重量%で、 C :0.01%以下、 Si:0.1〜4.0%、 Mn:0.20%以下、 S :0.010%以下、 Al:0.040%以下、 N :0.004%以下、 O :0.005%以下、 H :0.0002%以下、 残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を9
50〜1150℃に加熱し、800℃以上で圧延形状比
Aが0.6以上の圧延パスを1回以上はとる圧延を行な
い、引き続き800℃以下で圧下率を35〜70%とす
る圧延を行なうことを特徴とする高強度で、中磁場での
磁気特性が高く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向
性電磁厚板の製造法。 【数1】
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3104488A JP2503123B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3104488A JP2503123B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 |
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JPH04333518A true JPH04333518A (ja) | 1992-11-20 |
JP2503123B2 JP2503123B2 (ja) | 1996-06-05 |
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JP3104488A Expired - Lifetime JP2503123B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 |
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JP (1) | JP2503123B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109023116A (zh) * | 2018-09-30 | 2018-12-18 | 日照钢铁控股集团有限公司 | 一种采用薄板坯无头轧制生产无取向电工钢的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63171825A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 歪付与型強磁性厚鋼板 |
JPH02243716A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-27 | Nippon Steel Corp | 板厚方向の磁気特性の均一な無方向性電磁厚板の製造法 |
JPH034606A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-10 | Toshiba Corp | 増幅回路 |
JPH04268021A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-24 | Nippon Steel Corp | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP3104488A patent/JP2503123B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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JPH04268021A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-24 | Nippon Steel Corp | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109023116A (zh) * | 2018-09-30 | 2018-12-18 | 日照钢铁控股集团有限公司 | 一种采用薄板坯无头轧制生产无取向电工钢的方法 |
CN109023116B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-09-07 | 日照钢铁控股集团有限公司 | 一种采用薄板坯无头轧制生产无取向电工钢的方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2503123B2 (ja) | 1996-06-05 |
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