JP2503123B2 - 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 - Google Patents
磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は中磁場での磁気特性が高
く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向性電磁厚板の
製造法を提供するものである。
く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向性電磁厚板の
製造法を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年最先端科学技術である素粒子研究や
医療機器の進歩に伴って、大型構造物に磁気を用いる装
置が使われ、その性能向上が求められている。直流磁化
条件で使用される粒子加速器用磁極材、リターンヨーク
材では、高い飽和磁束密度の他に高強度で、１０Ｏｅ
（８００Ａ／ｍ）付近の中磁場での高い磁束密度が求め
られている。
医療機器の進歩に伴って、大型構造物に磁気を用いる装
置が使われ、その性能向上が求められている。直流磁化
条件で使用される粒子加速器用磁極材、リターンヨーク
材では、高い飽和磁束密度の他に高強度で、１０Ｏｅ
（８００Ａ／ｍ）付近の中磁場での高い磁束密度が求め
られている。
【０００３】磁束密度に優れた電磁鋼板としては、従来
から薄板分野で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数
多くの材料が提供されているのは公知である。しかし、
構造部材として使用するには組立加工及び強度上の問題
があり、厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで
電磁厚板としては純鉄系成分で製造されている。たとえ
ば、特開昭６０−９６７４９号公報が公知である。
から薄板分野で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数
多くの材料が提供されているのは公知である。しかし、
構造部材として使用するには組立加工及び強度上の問題
があり、厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで
電磁厚板としては純鉄系成分で製造されている。たとえ
ば、特開昭６０−９６７４９号公報が公知である。
【０００４】しかしながら、近年の装置の大型化、能力
の向上等に伴いさらに磁気特性の優れた、特に中磁場、
たとえば１０Ｏｅ（８００Ａ／ｍ）付近での磁束密度の
高い鋼材開発の要望が強い。前掲の特許等で開発された
鋼材では、１０Ｏｅ付近での中磁場の高い磁束密度が安
定して得られていない。
の向上等に伴いさらに磁気特性の優れた、特に中磁場、
たとえば１０Ｏｅ（８００Ａ／ｍ）付近での磁束密度の
高い鋼材開発の要望が強い。前掲の特許等で開発された
鋼材では、１０Ｏｅ付近での中磁場の高い磁束密度が安
定して得られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は以上の
点を鑑みなされたもので、高強度で、中磁場での磁気特
性が高く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向性電磁
厚板の製造法を提供することである。
点を鑑みなされたもので、高強度で、中磁場での磁気特
性が高く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向性電磁
厚板の製造法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は重量％で、Ｃ：
０．０１％以下、Ｓｉ：０．１〜４．０％、Ｍｎ：０．
２０％以下、Ｓ：０．０１０％以下、Ａｌ：０．０４０
％以下、Ｎ：０．００４％以下、Ｏ：０．００５％以
下、Ｈ：０．０００２％以下、残部実質的に鉄からなる
鋼組成の鋼片または、鋳片を９５０〜１１５０℃に加熱
し、８００℃以上で圧延形状比Ａが０．６以上の圧延パ
スを１回以上はとる圧延を行ない、引き続き８００℃以
下で圧下率を３５〜７０％とする圧延を行なうことを特
徴とする高強度で、中磁場での磁気特性が高く、かつ、
高い固有抵抗値を有する無方向性電磁厚板の製造法であ
る。
０．０１％以下、Ｓｉ：０．１〜４．０％、Ｍｎ：０．
２０％以下、Ｓ：０．０１０％以下、Ａｌ：０．０４０
％以下、Ｎ：０．００４％以下、Ｏ：０．００５％以
下、Ｈ：０．０００２％以下、残部実質的に鉄からなる
鋼組成の鋼片または、鋳片を９５０〜１１５０℃に加熱
し、８００℃以上で圧延形状比Ａが０．６以上の圧延パ
スを１回以上はとる圧延を行ない、引き続き８００℃以
下で圧下率を３５〜７０％とする圧延を行なうことを特
徴とする高強度で、中磁場での磁気特性が高く、かつ、
高い固有抵抗値を有する無方向性電磁厚板の製造法であ
る。
【数２】
【０００７】
【作用】従来は低磁場で高磁束密度を得るためには、磁
壁の移動の障害となる結晶粒の粗大化が重要な技術とな
っていた（特開昭６０−９６７４９号公報）。これに対
し、中磁場で高磁束密度を得るための方法については知
見がなかった。
壁の移動の障害となる結晶粒の粗大化が重要な技術とな
っていた（特開昭６０−９６７４９号公報）。これに対
し、中磁場で高磁束密度を得るための方法については知
見がなかった。
【０００８】発明者らは、ここにおいて中磁場で高磁束
密度を得るためには、従来言われていた磁壁を移動しや
すくするための結晶粒の粗大化よりも、磁化容易方向が
板面に平行な方向を向いていることが重要であることを
見出した。つまり、〔１００〕方向が板面に平行な方向
にランダムとなることで、中磁場の磁気特性が大幅に向
上することを見出したのである。
密度を得るためには、従来言われていた磁壁を移動しや
すくするための結晶粒の粗大化よりも、磁化容易方向が
板面に平行な方向を向いていることが重要であることを
見出した。つまり、〔１００〕方向が板面に平行な方向
にランダムとなることで、中磁場の磁気特性が大幅に向
上することを見出したのである。
【０００９】さらに、高強度を得るためには、低温領域
である値以上の圧下率を施し、かつ、圧延ままで製品と
することが重要であることを見出した。これらのための
熱間圧延条件として、８００℃以下において３５％以上
７０％以下の圧下率をとることで、〔１００〕の結晶方
位を圧延方向に平行にランダムとなると同時に、高強度
が得られる。
である値以上の圧下率を施し、かつ、圧延ままで製品と
することが重要であることを見出した。これらのための
熱間圧延条件として、８００℃以下において３５％以上
７０％以下の圧下率をとることで、〔１００〕の結晶方
位を圧延方向に平行にランダムとなると同時に、高強度
が得られる。
【００１０】図１に０．００７Ｃ−１．４Ｓｉ−０．０
１５Ａｌ鋼での８００℃以下の圧下率と１０Ｏｅでの磁
束密度を示す。３５〜７０％の圧下により、高磁束密度
が得られる。さらに中磁場での高磁束密度を得るための
手段として、内部応力の原因となる元素及び空隙性欠陥
の作用につき詳細な検討を行ない、所期の目的を達成し
た。また、空隙性欠陥の影響についても種々検討した結
果、そのサイズが１００μ以上のものが磁気特性を大幅
に低下することを知見したものである。そしてこの１０
０μ以上の有害な空隙性欠陥をなくすためには圧延形状
比Ａが０．６以上必要であることを見出した。
１５Ａｌ鋼での８００℃以下の圧下率と１０Ｏｅでの磁
束密度を示す。３５〜７０％の圧下により、高磁束密度
が得られる。さらに中磁場での高磁束密度を得るための
手段として、内部応力の原因となる元素及び空隙性欠陥
の作用につき詳細な検討を行ない、所期の目的を達成し
た。また、空隙性欠陥の影響についても種々検討した結
果、そのサイズが１００μ以上のものが磁気特性を大幅
に低下することを知見したものである。そしてこの１０
０μ以上の有害な空隙性欠陥をなくすためには圧延形状
比Ａが０．６以上必要であることを見出した。
【数３】
【００１１】さらに図３に示すように、鋼に高い固有抵
抗値と高強度を与え、かつ、Ａｌの無添加の領域でＡｌ
に代わる脱酸剤として使える元素としてＳｉが最適であ
ることを知見した。
抗値と高強度を与え、かつ、Ａｌの無添加の領域でＡｌ
に代わる脱酸剤として使える元素としてＳｉが最適であ
ることを知見した。
【００１２】次に成分限定理由を述べる。Ｃは鋼中の内
部応力を高め、磁気特性、特に低磁場での磁束密度を最
も下げる元素であり、極力下げることが中磁場での磁束
密度を低下させないことに寄与する。また、磁気時効の
点からも低いほど経時低下が少なく、磁気特性の良い状
態で恒久的に使用できるものであり、このようなことか
ら、０．０１％以下に限定する。図２に示すようにさら
に、０．００５％以下にすることにより一層高磁束密度
が得られる。
部応力を高め、磁気特性、特に低磁場での磁束密度を最
も下げる元素であり、極力下げることが中磁場での磁束
密度を低下させないことに寄与する。また、磁気時効の
点からも低いほど経時低下が少なく、磁気特性の良い状
態で恒久的に使用できるものであり、このようなことか
ら、０．０１％以下に限定する。図２に示すようにさら
に、０．００５％以下にすることにより一層高磁束密度
が得られる。
【００１３】Ｓｉは図３に示すように固有抵抗値、引張
強さを高めるには、不可欠な元素で、０．１％以上添加
する必要がある。しかし、４．０％を超えて添加すると
中磁場での磁束密度が低下するため、上限は４．０％と
する。
強さを高めるには、不可欠な元素で、０．１％以上添加
する必要がある。しかし、４．０％を超えて添加すると
中磁場での磁束密度が低下するため、上限は４．０％と
する。
【００１４】Ｍｎは中磁場での磁束密度の点から少ない
方が好ましく、ＭｎＳ系介在物を生成する点からも低い
方がよい。この意味からＭｎは０．２０％以下に限定す
る。さらにＭｎＳ系介在物を生成する点より望ましくは
０．１０％以下がよい。
方が好ましく、ＭｎＳ系介在物を生成する点からも低い
方がよい。この意味からＭｎは０．２０％以下に限定す
る。さらにＭｎＳ系介在物を生成する点より望ましくは
０．１０％以下がよい。
【００１５】Ｓ，Ｏは鋼中において非金属介在物を形成
し、結晶粒の粗大化を妨げる害を及ぼし含有量が多くな
るに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性を低下さ
せるので少ない程よい。このため、Ｓは０．０１０％以
下、Ｏは０．００５％以下とした。
し、結晶粒の粗大化を妨げる害を及ぼし含有量が多くな
るに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性を低下さ
せるので少ない程よい。このため、Ｓは０．０１０％以
下、Ｏは０．００５％以下とした。
【００１６】Ａｌは脱酸剤として用いるもので、Ａｌは
多くなりすぎると介在物を生成し鋼の性質を損なうので
上限は０．０４０％とする。さらに結晶粒粗大化を妨げ
る析出物であるＡｌＮを減少させるためには低いほどよ
く、望ましくは０．０２０％以下がよい。
多くなりすぎると介在物を生成し鋼の性質を損なうので
上限は０．０４０％とする。さらに結晶粒粗大化を妨げ
る析出物であるＡｌＮを減少させるためには低いほどよ
く、望ましくは０．０２０％以下がよい。
【００１７】Ｎは内部応力を高めかつＡｌＮにより結晶
粒微細化作用により中磁場での磁束密度を低下させるの
で上限は０．００４％とする。Ｈは磁気特性を低下さ
せ、かつ、空隙性欠陥の減少を妨げるので０．０００２
％以下とする。
粒微細化作用により中磁場での磁束密度を低下させるの
で上限は０．００４％とする。Ｈは磁気特性を低下さ
せ、かつ、空隙性欠陥の減少を妨げるので０．０００２
％以下とする。
【００１８】次に製造法について述べる。圧延条件につ
いては、まず圧延前加熱温度を１１５０℃以下にするの
は、１１５０℃を超える加熱温度では、加熱γ粒径の板
厚方向のバラツキは大きく、このバラツキが圧延後も残
り最終的な結晶粒が不均一となるため、上限を１１５０
℃とする。加熱温度が９５０℃未満となると圧延の変形
抵抗が大きくなり、以下に述べる空隙性欠陥をなくすた
めの形状比の高い圧延の圧延負荷が大きくなるため、９
５０℃を下限とする。
いては、まず圧延前加熱温度を１１５０℃以下にするの
は、１１５０℃を超える加熱温度では、加熱γ粒径の板
厚方向のバラツキは大きく、このバラツキが圧延後も残
り最終的な結晶粒が不均一となるため、上限を１１５０
℃とする。加熱温度が９５０℃未満となると圧延の変形
抵抗が大きくなり、以下に述べる空隙性欠陥をなくすた
めの形状比の高い圧延の圧延負荷が大きくなるため、９
５０℃を下限とする。
【００１９】熱間圧延にあたり前述の空隙性欠陥は鋼の
凝固過程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれ
をなくす手段は圧延によらなければならないので、熱間
圧延の役目は重要である。すなわち、熱間圧延１回当た
りの変形量を大きくし板厚中心部にまで変形が及ぶ熱間
圧延が有効である。具体的には圧延形状比Ａが０．６以
上の圧延パスが１回以上を含む高形状比圧延を行ない、
空隙性欠陥のサイズを１００μ以下にすることが磁気特
性によい。
凝固過程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれ
をなくす手段は圧延によらなければならないので、熱間
圧延の役目は重要である。すなわち、熱間圧延１回当た
りの変形量を大きくし板厚中心部にまで変形が及ぶ熱間
圧延が有効である。具体的には圧延形状比Ａが０．６以
上の圧延パスが１回以上を含む高形状比圧延を行ない、
空隙性欠陥のサイズを１００μ以下にすることが磁気特
性によい。
【００２０】次に８００℃以下の温度において累積圧下
率３５％以上にすることにより、〔１００〕の結晶方位
を圧延方向に平行にランダムとする。ただし７０％超の
圧下率になると、熱処理後結晶粒度が板厚方向に不均一
になり、磁束密度のばらつきを大きくする。さらに、図
４に示すように８００℃以下の温度において累積圧下率
を３５％以上にすることにより、高強度が得られる。従
って高強度で、中磁場で高い磁気特性を得るために、圧
下率を３５〜７０％とする。
率３５％以上にすることにより、〔１００〕の結晶方位
を圧延方向に平行にランダムとする。ただし７０％超の
圧下率になると、熱処理後結晶粒度が板厚方向に不均一
になり、磁束密度のばらつきを大きくする。さらに、図
４に示すように８００℃以下の温度において累積圧下率
を３５％以上にすることにより、高強度が得られる。従
って高強度で、中磁場で高い磁気特性を得るために、圧
下率を３５〜７０％とする。
【００２１】
【実施例】表１に電磁厚板の製造条件とフェライト粒
径、中磁場での磁束密度を示す。
径、中磁場での磁束密度を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】例１〜８は本発明の実施例を示し、例９〜
２０は比較例を示す。例１〜５は板厚９０mmに仕上げた
もので、高強度で、中磁場で高磁束密度を示す。例１に
比べ、例２はさらに低Ｃ、例３，４は低Ｍｎ、例５は低
Ａｌであり、より高い磁気特性を示す。例６は４００m
m、例７は４５mm、例８は５mmに仕上げたもので、高強
度で、高磁束密度である。
２０は比較例を示す。例１〜５は板厚９０mmに仕上げた
もので、高強度で、中磁場で高磁束密度を示す。例１に
比べ、例２はさらに低Ｃ、例３，４は低Ｍｎ、例５は低
Ａｌであり、より高い磁気特性を示す。例６は４００m
m、例７は４５mm、例８は５mmに仕上げたもので、高強
度で、高磁束密度である。
【００２５】例９はＣが高く低磁気特性値となってい
る。例１０はＳｉが低く、強度が低く、固有抵抗値が低
くなっている。例１１はＳｉが高く、例１２はＭｎが高
く、例１３はＳが高く、例１４はＡｌが高く、例１５は
Ｎが高く、例１６はＯが高く、例１７はＨが高く、それ
ぞれ上限を超えるため低磁気特性値となっている。例１
８は加熱温度が上限を超え低磁束密度となっている。例
１９は加熱温度が下限をはずれ最大形状比が小さいた
め、低磁束密度となっている。例２０は８００℃以下の
圧下率が下限をはずれ低磁束密度となっている。
る。例１０はＳｉが低く、強度が低く、固有抵抗値が低
くなっている。例１１はＳｉが高く、例１２はＭｎが高
く、例１３はＳが高く、例１４はＡｌが高く、例１５は
Ｎが高く、例１６はＯが高く、例１７はＨが高く、それ
ぞれ上限を超えるため低磁気特性値となっている。例１
８は加熱温度が上限を超え低磁束密度となっている。例
１９は加熱温度が下限をはずれ最大形状比が小さいた
め、低磁束密度となっている。例２０は８００℃以下の
圧下率が下限をはずれ低磁束密度となっている。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、適切な成分限定により板厚の
厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せしめることに成
功し、直流磁化による磁気特性を利用する構造物に適用
可能としたものであり、かつその製造法も前述の成分限
定と熱間圧延を行なう方式であり、極めて経済的に製造
する方法を提供するもので産業上多大な効果を奏するも
のである。
厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せしめることに成
功し、直流磁化による磁気特性を利用する構造物に適用
可能としたものであり、かつその製造法も前述の成分限
定と熱間圧延を行なう方式であり、極めて経済的に製造
する方法を提供するもので産業上多大な効果を奏するも
のである。
【図１】１０Ｏｅにおける磁束密度に及ぼす８００℃以
下の圧下率の影響を示すグラフである。
下の圧下率の影響を示すグラフである。
【図２】１０Ｏｅにおける磁束密度に及ぼすＣ含有量の
影響を示すグラフである。
影響を示すグラフである。
【図３】固有抵抗値、引張強さに及ぼすＳｉ含有量の影
響を示すグラフである。
響を示すグラフである。
【図４】引張強さに及ぼす８００℃以下の圧下率の影響
を示すグラフである。
を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 重量％で、 Ｃ ：０．０１％以下、 Ｓｉ：０．１〜４．０％、 Ｍｎ：０．２０％以下、 Ｓ ：０．０１０％以下、 Ａｌ：０．０４０％以下、 Ｎ ：０．００４％以下、 Ｏ ：０．００５％以下、 Ｈ ：０．０００２％以下、 残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を９
５０〜１１５０℃に加熱し、８００℃以上で圧延形状比
Ａが０．６以上の圧延パスを１回以上はとる圧延を行な
い、引き続き８００℃以下で圧下率を３５〜７０％とす
る圧延を行なうことを特徴とする高強度で、中磁場での
磁気特性が高く、かつ、高い固有抵抗値を有する無方向
性電磁厚板の製造法。 【数１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104488A JP2503123B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104488A JP2503123B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04333518A JPH04333518A (ja) | 1992-11-20 |
| JP2503123B2 true JP2503123B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=14381936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3104488A Expired - Lifetime JP2503123B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503123B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109023116B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-09-07 | 日照钢铁控股集团有限公司 | 一种采用薄板坯无头轧制生产无取向电工钢的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171825A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 歪付与型強磁性厚鋼板 |
| JPH0713264B2 (ja) * | 1989-03-16 | 1995-02-15 | 新日本製鐵株式会社 | 板厚方向の磁気特性の均一な無方向性電磁厚板の製造法 |
| JP2609723B2 (ja) * | 1989-05-31 | 1997-05-14 | 株式会社東芝 | 増幅回路 |
| JP2503111B2 (ja) * | 1991-02-20 | 1996-06-05 | 新日本製鐵株式会社 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造法 |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP3104488A patent/JP2503123B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04333518A (ja) | 1992-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960130 |