JPH06104866B2 - 直流磁化用電磁厚板の製造方法 - Google Patents
直流磁化用電磁厚板の製造方法Info
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- JPH06104866B2 JPH06104866B2 JP63154642A JP15464288A JPH06104866B2 JP H06104866 B2 JPH06104866 B2 JP H06104866B2 JP 63154642 A JP63154642 A JP 63154642A JP 15464288 A JP15464288 A JP 15464288A JP H06104866 B2 JPH06104866 B2 JP H06104866B2
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- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
- C21D8/1216—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties the working step(s) being of interest
- C21D8/1222—Hot rolling
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 近年最先端科学技術である素粒子研究や医療機器の進歩
に伴って、大型構造物に磁気を用いる装置が使われ、そ
の性能向上が求められている。
に伴って、大型構造物に磁気を用いる装置が使われ、そ
の性能向上が求められている。
本発明はここにおいて直流磁化条件で使用される磁石の
鉄心用あるいは磁場を遮蔽するのに必要な磁気シールド
用の磁束密度の高い電磁厚鋼板の製造方法に関するもの
である。
鉄心用あるいは磁場を遮蔽するのに必要な磁気シールド
用の磁束密度の高い電磁厚鋼板の製造方法に関するもの
である。
［従来の技術］ 磁束密度に優れた電磁鋼板としては、従来から薄板分野
で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数多くの材料が
提供されているのは公知である。しかし、構造部材とし
て使用するには組み立て加工及び強度上の問題があり、
厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで電磁厚板
としては純鉄系成分で製造されている。たとえば、特開
昭60−96749号公報が公知である。
で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数多くの材料が
提供されているのは公知である。しかし、構造部材とし
て使用するには組み立て加工及び強度上の問題があり、
厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで電磁厚板
としては純鉄系成分で製造されている。たとえば、特開
昭60−96749号公報が公知である。
しかしながら、近年の装置の大型化、能力の向上等に伴
いさらに磁気特性の優れた、とくに低磁場、たとえば80
A/mでの磁束密度の高い鋼材開発の要望が強い。前掲の
特許等で開発された鋼材では、80A/mでの低磁場での高
い磁束密度が安定して得られない。
いさらに磁気特性の優れた、とくに低磁場、たとえば80
A/mでの磁束密度の高い鋼材開発の要望が強い。前掲の
特許等で開発された鋼材では、80A/mでの低磁場での高
い磁束密度が安定して得られない。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は以上の点を鑑みなされたもので、磁場80
A/mでの磁束密度が0.8テスラ以上の磁気特性を有し、そ
の板厚方向での磁気特性差の少ない直流磁化用電磁厚板
の製造方法を提供することにある。
A/mでの磁束密度が0.8テスラ以上の磁気特性を有し、そ
の板厚方向での磁気特性差の少ない直流磁化用電磁厚板
の製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の要旨は次の通りである。
（１）重量％で、 C:0.01％以下、Si:0.1〜1.0％、Mn:0.20％以下、P:0.01
5％以下、S:0.010％以下、Cr:0.05％以下、Mo:0.01％以
下、Cu:0.01％以下、Al:0.005％以下、N:0.004％以下、
O:0.005％以下、H:0.0002％以下、残部実質的に鉄から
なる鋼組成の鋼片または鋳片を1150〜1300℃に加熱し、
仕上げ温度を900℃以上となる条件下で圧延形状比Ａが
0.7以上の圧延パスが１回以上はとる圧延を行い、空隙
性欠陥のサイズが100μ以下の板厚50mm以上の厚板と
し、該厚板を600〜750℃の温度で脱水素熱処理を行うこ
とを特徴とする直流磁化用電磁厚板の製造方法。
5％以下、S:0.010％以下、Cr:0.05％以下、Mo:0.01％以
下、Cu:0.01％以下、Al:0.005％以下、N:0.004％以下、
O:0.005％以下、H:0.0002％以下、残部実質的に鉄から
なる鋼組成の鋼片または鋳片を1150〜1300℃に加熱し、
仕上げ温度を900℃以上となる条件下で圧延形状比Ａが
0.7以上の圧延パスが１回以上はとる圧延を行い、空隙
性欠陥のサイズが100μ以下の板厚50mm以上の厚板と
し、該厚板を600〜750℃の温度で脱水素熱処理を行うこ
とを特徴とする直流磁化用電磁厚板の製造方法。
ただし、 A :圧延形状比 ｈｉ：入側板厚（mm） ｈｏ：出側板厚（mm） R :圧延ロール半径（mm） （２）板厚50mm以上の厚板を脱水素熱処理後750〜950℃
の温度で焼鈍するかあるいは910〜1000℃の温度で焼準
することを特徴とする（１）記載の直流磁化用電磁厚板
の製造方法。
の温度で焼鈍するかあるいは910〜1000℃の温度で焼準
することを特徴とする（１）記載の直流磁化用電磁厚板
の製造方法。
（３）重量％で、 C:0.01％以下、Si:0.1〜1.0％、Mn:0.20％以下、P:0.01
5％以下、S:0.010％以下、Cr:0.05％以下、Mo:0.01％以
下、Cu:0.01％以下、Al:0.005％以下、N:0.004％以下、
O:0.005％以下、H:0.0002％以下、残部実質的に鉄から
なる鋼組片の鋼片または鋳片を1150〜1300℃に加熱し、
仕上げ温度を900℃以上となる条件下で圧延形状比Ａが
0.7以上の圧延パスが１回以上はとる圧延を行い、空隙
性欠陥のサイズが100μ以下の板厚20mm以上50mm未満の
厚板とし、該厚板を750〜950℃の温度で焼鈍するかある
いは910〜1000℃の温度で焼準することを特徴とする直
流磁化用電磁厚板の製造方法。
5％以下、S:0.010％以下、Cr:0.05％以下、Mo:0.01％以
下、Cu:0.01％以下、Al:0.005％以下、N:0.004％以下、
O:0.005％以下、H:0.0002％以下、残部実質的に鉄から
なる鋼組片の鋼片または鋳片を1150〜1300℃に加熱し、
仕上げ温度を900℃以上となる条件下で圧延形状比Ａが
0.7以上の圧延パスが１回以上はとる圧延を行い、空隙
性欠陥のサイズが100μ以下の板厚20mm以上50mm未満の
厚板とし、該厚板を750〜950℃の温度で焼鈍するかある
いは910〜1000℃の温度で焼準することを特徴とする直
流磁化用電磁厚板の製造方法。
ただし、 A :圧延形状比 ｈｉ：入側板厚（mm） ｈｏ：出側板厚（mm） R :圧延ロール半径（mm） ［作用］ まず、低磁場での磁束密度を高くするために磁化のプロ
セスについて述べると、消磁状態の鋼を磁界の中に入
れ、磁界を強めていくと次第に磁区の向きに変化が生
じ、磁界の方向に近い磁区が優勢になり他の磁区を蚕食
併合していく。つまり、磁壁の移動が起こる。
セスについて述べると、消磁状態の鋼を磁界の中に入
れ、磁界を強めていくと次第に磁区の向きに変化が生
じ、磁界の方向に近い磁区が優勢になり他の磁区を蚕食
併合していく。つまり、磁壁の移動が起こる。
さらに磁界が強くなり磁壁の移動が完了すると、次に磁
区全体の磁力方向が向きを変えていく。この磁化プロセ
スの中で低磁場での磁束密度を決めるのは磁壁の移動し
やすさである。つまり低磁場で高磁束密度を得るために
は磁壁の移動を障害するものを極力減らすことである。
区全体の磁力方向が向きを変えていく。この磁化プロセ
スの中で低磁場での磁束密度を決めるのは磁壁の移動し
やすさである。つまり低磁場で高磁束密度を得るために
は磁壁の移動を障害するものを極力減らすことである。
発明者らはここにおいて低磁場で高磁束密度を得るため
の手段として、内部応力の原因となる元素、空隙性欠陥
及び合金元素の利用につき詳細に検討を行い、所期の目
的を達することに成功したものである。
の手段として、内部応力の原因となる元素、空隙性欠陥
及び合金元素の利用につき詳細に検討を行い、所期の目
的を達することに成功したものである。
すなわち、粗粒化のためには、結晶粒微細化作用を有す
るAlNを減少するため、Al,Nの低下することが必要であ
る。特に、Alについては第１図に示すように低くするに
従い、フェライト粒の粒成長が起こるが、無添加の領
域、つまり0.005％以下になると結晶粒の異常な粒成長
が起こっている。ただし、Alを無添加にすると別の脱酸
剤を添加する必要がある。
るAlNを減少するため、Al,Nの低下することが必要であ
る。特に、Alについては第１図に示すように低くするに
従い、フェライト粒の粒成長が起こるが、無添加の領
域、つまり0.005％以下になると結晶粒の異常な粒成長
が起こっている。ただし、Alを無添加にすると別の脱酸
剤を添加する必要がある。
本発明者らはこのAlに代わる脱酸剤でかつ低磁場での磁
束密度を低下させない元素としてSiがよいことを知見し
た。さらに、製造方法としては、加熱温度を極力上げ加
熱オーステナイト粒の粗大化、圧延仕上げ温度を極力高
めにし、圧延による結晶粒の微細化を防止すること並び
に圧延後の焼鈍をすることである。
束密度を低下させない元素としてSiがよいことを知見し
た。さらに、製造方法としては、加熱温度を極力上げ加
熱オーステナイト粒の粗大化、圧延仕上げ温度を極力高
めにし、圧延による結晶粒の微細化を防止すること並び
に圧延後の焼鈍をすることである。
次に内部応力減少のためには、Ｃの低下が必要である。
第２図に示す0.01Si−0.1Mn−0.01Al鋼にあってＣ含有
量の増加につれ、低磁場（80A/m）での磁束密度が低下
することがわかる。
第２図に示す0.01Si−0.1Mn−0.01Al鋼にあってＣ含有
量の増加につれ、低磁場（80A/m）での磁束密度が低下
することがわかる。
さらに、鋼中の水素の存在も有害で、第３図に示すよう
に、脱水素熱処理を行うことによって磁気特性が大幅に
向上することを知見した。第３図で示すように0.007C−
0.01Si−0.1Mn鋼にあって高形状比圧延により高隙性欠
陥のサイズを100μ以下にし、かつ、脱水素熱処理によ
り鋼中水素を減少することで内部応力も減少し低磁場で
の磁束密度が大幅に上昇することがわかる。
に、脱水素熱処理を行うことによって磁気特性が大幅に
向上することを知見した。第３図で示すように0.007C−
0.01Si−0.1Mn鋼にあって高形状比圧延により高隙性欠
陥のサイズを100μ以下にし、かつ、脱水素熱処理によ
り鋼中水素を減少することで内部応力も減少し低磁場で
の磁束密度が大幅に上昇することがわかる。
次に、空隙性欠陥について種々検討した結果、そのサイ
ズが100μ以上のものが磁気特性を大幅に低下すること
を知見した。そしてこの100μ以上の有害な空隙性欠陥
をなくすためには圧延形状比Ａが0.7以上必要であるこ
とを見出した。
ズが100μ以上のものが磁気特性を大幅に低下すること
を知見した。そしてこの100μ以上の有害な空隙性欠陥
をなくすためには圧延形状比Ａが0.7以上必要であるこ
とを見出した。
さらに、磁気特性の均質性を確保することも重要である
が、本発明による方法によれば、これに対しても極めて
有効な手段であることを確認した。
が、本発明による方法によれば、これに対しても極めて
有効な手段であることを確認した。
次に本発明の成分限定理由をのべる。
Ｃは鋼中の内部応力を高め、磁気特性、とくに低磁場で
の磁束密度を最も下げる元素であり、極力下げることが
低磁場での磁束密度を低下させないことに寄与する。ま
た、磁気時効の点からも低いほど経時劣化が少なく、磁
気特性の良い状態で恒久的に使用できるものであり、こ
のようなことから0.010％以下に限定する。
の磁束密度を最も下げる元素であり、極力下げることが
低磁場での磁束密度を低下させないことに寄与する。ま
た、磁気時効の点からも低いほど経時劣化が少なく、磁
気特性の良い状態で恒久的に使用できるものであり、こ
のようなことから0.010％以下に限定する。
第２図に示すようにさらに0.005％以下にすることによ
り一層高磁束密度が得られる。
り一層高磁束密度が得られる。
SiはAlに代わる脱酸元素として用いるため0.1％以上添
加されるが、1.0％以上では低磁場での磁束密度を低下
させるので、0.1〜1.0％に限定する。
加されるが、1.0％以上では低磁場での磁束密度を低下
させるので、0.1〜1.0％に限定する。
Mnは低磁場での磁束密度の点から少ない方が好ましく、
MnはMnS系介在物を生成する点からも低い方がよい。こ
の意味からMnは0.20％以下に限定する。Mnに関してはMn
S系介在物を生成する点よりさらに望ましくは0.10％以
下がよい。
MnはMnS系介在物を生成する点からも低い方がよい。こ
の意味からMnは0.20％以下に限定する。Mnに関してはMn
S系介在物を生成する点よりさらに望ましくは0.10％以
下がよい。
P,S,Oは鋼中において非金属介在物を形成し、かつ偏析
することにより磁壁の移動を妨げる害を及ぼし、含有量
が多くなるに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性
を低下させるので少ない程よい。このためＰは0.015％
以下、Ｓは0.010％以下、Ｏは0.005％以下とした。
することにより磁壁の移動を妨げる害を及ぼし、含有量
が多くなるに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性
を低下させるので少ない程よい。このためＰは0.015％
以下、Ｓは0.010％以下、Ｏは0.005％以下とした。
Cr,Mo,Cuは低磁場での磁束密度を低下させるので少ない
程好ましく、また偏析度合を少なくすることから極力低
くすることが必要であり、この意味からCrは0.05％以
下、Moは0.01％以下、Cuは0.01％以下とする。
程好ましく、また偏析度合を少なくすることから極力低
くすることが必要であり、この意味からCrは0.05％以
下、Moは0.01％以下、Cuは0.01％以下とする。
AlはAlNを生成し結晶粒微細化作用を有するため極力低
下させる必要があるので、0.005％以下とする。
下させる必要があるので、0.005％以下とする。
Ｎは内部応力を高めかつAlNにより結晶粒微細化作用に
より、低磁場での磁束密度を低下させるので上限は0.00
4％以下とする。
より、低磁場での磁束密度を低下させるので上限は0.00
4％以下とする。
Ｈは電磁特性を低下させ、かつ、空隙性欠陥の減少を妨
げるので0.0002％以下とする。
げるので0.0002％以下とする。
次に製造法について述べる。
圧延条件については、まず圧延前加熱温度を1150℃以上
にするのは加熱オーステナイト粒を粗大化し磁気特性を
よくするためである。1300℃を超す加熱はスケールロス
の防止、省エネルギーの観点から不必要であるため上限
を1300℃とした。
にするのは加熱オーステナイト粒を粗大化し磁気特性を
よくするためである。1300℃を超す加熱はスケールロス
の防止、省エネルギーの観点から不必要であるため上限
を1300℃とした。
圧延仕上げ温度については、900℃以下の仕上げでは低
温圧延により結晶粒が微細化し、磁気特性が低下するた
め結晶粒の粗大化による磁束密度の上昇を狙い900℃以
上とした。
温圧延により結晶粒が微細化し、磁気特性が低下するた
め結晶粒の粗大化による磁束密度の上昇を狙い900℃以
上とした。
さらに熱間圧延にあたり前述の空隙性欠陥は鋼の凝固過
程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれをなく
す手段は圧延によらなければならないので、熱間圧延の
役目は重要である。すなわち、熱間圧延１回当たりの変
形量を大きくし板厚中心部にまで変形が及ぶ熱間圧延が
有効である。
程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれをなく
す手段は圧延によらなければならないので、熱間圧延の
役目は重要である。すなわち、熱間圧延１回当たりの変
形量を大きくし板厚中心部にまで変形が及ぶ熱間圧延が
有効である。
具体的には圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以
上を含む高形状比圧延を行い、空隙性欠陥のサイズを10
0μ以下にすることが電磁特性によい。圧延中にこの高
形状比圧延により空隙性欠陥をなくすことで、後で行う
脱水素熱処理における脱水素効率が飛躍的に上昇するの
である。
上を含む高形状比圧延を行い、空隙性欠陥のサイズを10
0μ以下にすることが電磁特性によい。圧延中にこの高
形状比圧延により空隙性欠陥をなくすことで、後で行う
脱水素熱処理における脱水素効率が飛躍的に上昇するの
である。
次に熱間圧延に引き続き結晶粒粗大化、内部歪除去及び
板厚50mm以上の厚手材については脱水素熱処理を施す。
板厚50mm以上では水素の拡散がしにくく、これが空隙性
欠陥の原因となり、かつ水素自身の作用と合わさって低
磁場での磁束密度を低下させる。
板厚50mm以上の厚手材については脱水素熱処理を施す。
板厚50mm以上では水素の拡散がしにくく、これが空隙性
欠陥の原因となり、かつ水素自身の作用と合わさって低
磁場での磁束密度を低下させる。
このため、脱水素熱処理を行うがこの脱水素熱処理温度
としては600℃未満では脱水素効率が悪く750℃超では変
態が一部開始するので600〜750℃の温度範囲で行う。脱
水素時間としては種々検討の結果〔0.6（ｔ−50）＋
６〕時間（t:板厚）が適当である。
としては600℃未満では脱水素効率が悪く750℃超では変
態が一部開始するので600〜750℃の温度範囲で行う。脱
水素時間としては種々検討の結果〔0.6（ｔ−50）＋
６〕時間（t:板厚）が適当である。
焼鈍は結晶粒粗大化及び内部歪除去のために行うが、75
0℃未満では結晶粒粗大化が起こらず、また、950℃以上
では結晶粒の板厚方向の均質性が保てないため、焼鈍温
度としては750〜950℃に限定する。
0℃未満では結晶粒粗大化が起こらず、また、950℃以上
では結晶粒の板厚方向の均質性が保てないため、焼鈍温
度としては750〜950℃に限定する。
焼準は板厚方向の結晶粒調整及び内部歪除去のために行
うが、焼準温度は910〜1000℃に限定する。910℃未満で
はオーステナイト域とフェライト域の混在により結晶粒
が混粒となり、1000℃超では結晶粒の板厚方向の均質性
が保てない。なお、磁気特性向上のためには、結晶粒粗
大化と内部歪み除去とが考えられるが、特に内部歪み除
去は必須条件である。内部歪み除去は、板厚50mm以上の
厚手材では脱水素熱処理で行うことができる。したがっ
て、本発明の厚手材では脱水素熱処理で、上記焼鈍ある
いは焼準を兼ねることができる。
うが、焼準温度は910〜1000℃に限定する。910℃未満で
はオーステナイト域とフェライト域の混在により結晶粒
が混粒となり、1000℃超では結晶粒の板厚方向の均質性
が保てない。なお、磁気特性向上のためには、結晶粒粗
大化と内部歪み除去とが考えられるが、特に内部歪み除
去は必須条件である。内部歪み除去は、板厚50mm以上の
厚手材では脱水素熱処理で行うことができる。したがっ
て、本発明の厚手材では脱水素熱処理で、上記焼鈍ある
いは焼準を兼ねることができる。
一方、板厚20mm以上50mm未満のものは水素の拡散が容易
なため、脱水素熱処理は不要で前述の焼鈍または焼準す
るのみで良い。
なため、脱水素熱処理は不要で前述の焼鈍または焼準す
るのみで良い。
［実施例］ 第１表に電磁厚板の製造条件とフェライト粒径、低磁場
での磁束密度を示す。
での磁束密度を示す。
例１〜12は本発明の実施例を示し、例13〜33は比較例を
示す。
示す。
例１〜７は板厚100mmに仕上げたもので、均一かつ粗粒
で高い磁気特性を示す。例2,3は高Siであるが磁気特性
は良好である。例１に比べ、さらに例４は低Ｃ、例５、
６は低Mn、例７は低Alであり、より高い磁気特性を示
す。例８〜10は500mm、例11は40mm、例12は20mmに仕上
げたもので、均一かつ粗粒で高い磁気特性を示す。
で高い磁気特性を示す。例2,3は高Siであるが磁気特性
は良好である。例１に比べ、さらに例４は低Ｃ、例５、
６は低Mn、例７は低Alであり、より高い磁気特性を示
す。例８〜10は500mm、例11は40mm、例12は20mmに仕上
げたもので、均一かつ粗粒で高い磁気特性を示す。
例13はＣが高く、例14,15はSiが高く、例16はMnが高
く、例17はＰが高く、例18はＳが高く、例19はCrが高
く、例20はMoが高く、例21はCuが高く、例22,23はAlが
高く、例24はＮが高く、例25はＯが高く、例26はＨが高
く、それぞれ上限を超えるため低磁気特性値となってい
る。
く、例17はＰが高く、例18はＳが高く、例19はCrが高
く、例20はMoが高く、例21はCuが高く、例22,23はAlが
高く、例24はＮが高く、例25はＯが高く、例26はＨが高
く、それぞれ上限を超えるため低磁気特性値となってい
る。
例27は加熱温度が下限をはずれ、例28は圧延仕上げ温度
が下限をはずれ、例29は最大形状比が下限をはずれ、例
30は脱水素熱処理温度が下限をはずれ、例31は焼鈍温度
が下限をはずれ、例32は焼準温度が上限を超え、例33は
脱水素熱処理がないため低磁気特性値となっている。
が下限をはずれ、例29は最大形状比が下限をはずれ、例
30は脱水素熱処理温度が下限をはずれ、例31は焼鈍温度
が下限をはずれ、例32は焼準温度が上限を超え、例33は
脱水素熱処理がないため低磁気特性値となっている。
［発明の効果］ 以上詳細に述べた如く、本発明によれば適切な成分限定
により、板厚の厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せ
しめることに成功し、直流磁化による磁気性質を利用す
る構造物に適用可能としたものであり、かつその製造法
も前述の成分限定と、熱間圧延後結晶粒調整及び脱水素
熱処理を同時に行う方式であり、極めて経済的な製造法
を提供するもので、産業上多大な効果を奏するものであ
る。
により、板厚の厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せ
しめることに成功し、直流磁化による磁気性質を利用す
る構造物に適用可能としたものであり、かつその製造法
も前述の成分限定と、熱間圧延後結晶粒調整及び脱水素
熱処理を同時に行う方式であり、極めて経済的な製造法
を提供するもので、産業上多大な効果を奏するものであ
る。
第１図はフェライト粒径に及ぼすAl含有量の影響をを示
すグラフ、第２図は80A/mにおける磁束密度に及ぼすＣ
含有量の影響を示すグラフ、第３図は80A/mにおける磁
束密度に及ぼす空隙性欠陥の大きさ及び脱水素熱処理の
影響を示すグラフである。
すグラフ、第２図は80A/mにおける磁束密度に及ぼすＣ
含有量の影響を示すグラフ、第３図は80A/mにおける磁
束密度に及ぼす空隙性欠陥の大きさ及び脱水素熱処理の
影響を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−96749（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−185828（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−208418（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】重量％で、 C :0.01％以下、 Si:0.1〜1.0％、 Mn:0.20％以下、 P :0.015％以下、 S :0.010％以下、 Cr:0.05％以下、 Mo:0.01％以下、 Cu:0.01％以下、 Al:0.005％以下、 N :0.004％以下、 O :0.005％以下、 H :0.0002％以下、 残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または鋳片を1150
〜1300℃に加熱し、仕上げ温度を900℃以上となる条件
下で圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上はと
る圧延を行い、空隙性欠陥のサイズが100μ以下の板厚5
0mm以上の厚板とし、該厚板を600〜750℃の温度で脱水
素熱処理を行うことを特徴とする直流磁化用電磁厚板の
製造方法。 ただし、 A :圧延形状比 ｈｉ：入側板厚（mm） ｈｏ：出側板厚（mm） R :圧延ロール半径（mm） - 【請求項２】板厚50mm以上の厚板を脱水素熱処理後750
〜950℃の温度で焼鈍するかあるいは910〜1000℃の温度
で焼準することを特徴とする請求項１記載の直流磁化用
電磁厚板の製造方法。 - 【請求項３】重量％で、 C :0.01％以下、 Si:0.1〜1.0％、 Mn:0.20％以下、 P :0.015％以下、 S :0.010％以下、 Cr:0.05％以下、 Mo:0.01％以下、 Cu:0.01％以下、 Al:0.005％以下、 N :0.004％以下、 O :0.005％以下、 H :0.0002％以下、 残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または鋳片を1150
〜1300℃に加熱し、仕上げ温度を900℃以上となる条件
下で圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上はと
る圧延を行い、空隙性欠陥のサイズが100μ以下の板厚2
0mm以上50mm未満の厚板とし、該厚板を750〜950℃の温
度で焼鈍するかあるいは910〜1000℃の温度で焼準する
ことを特徴とする直流磁化用電磁厚板の製造方法。 ただし、 A :圧延形状比 ｈｉ：入側板厚（mm） ｈｏ：出側板厚（mm） R :圧延ロール半径（mm）
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63154642A JPH06104866B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 直流磁化用電磁厚板の製造方法 |
| US07/368,031 US4950336A (en) | 1988-06-24 | 1989-06-19 | Method of producing non-oriented magnetic steel heavy plate having high magnetic flux density |
| DE68921377T DE68921377T2 (de) | 1988-06-24 | 1989-06-23 | Verfahren zur Herstellung nichtorientierter Stahl-Grobbleche mit hoher magnetischer Flussdichte. |
| EP89111463A EP0349853B1 (en) | 1988-06-24 | 1989-06-23 | Method of producing non-oriented magnetic steel heavy plate having high magnetic flux density |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63154642A JPH06104866B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 直流磁化用電磁厚板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH024920A JPH024920A (ja) | 1990-01-09 |
| JPH06104866B2 true JPH06104866B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=15588679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63154642A Expired - Lifetime JPH06104866B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 直流磁化用電磁厚板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104866B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0762174B2 (ja) * | 1989-08-18 | 1995-07-05 | 新日本製鐵株式会社 | 磁束密度の高い無方向性電磁厚板の製造方法 |
| JPH0765103B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1995-07-12 | 住友金属工業株式会社 | 磁気シールド用熱延鋼板の製造方法 |
| JPH0765102B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1995-07-12 | 住友金属工業株式会社 | 磁気シールド用熱延鋼板の製造方法 |
| DE4293604C2 (de) * | 1991-10-14 | 1997-04-03 | Nippon Kokan Kk | Weichmagnetisches Stahlmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6096749A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-30 | Nippon Steel Corp | 直流磁化用厚板及びその製造方法 |
| JPS62185828A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シヤドウマスク用フレ−ム材の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63154642A patent/JPH06104866B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH024920A (ja) | 1990-01-09 |
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