JP2503110B2 - 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方法 - Google Patents
磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方法Info
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- JP2503110B2 JP2503110B2 JP3026494A JP2649491A JP2503110B2 JP 2503110 B2 JP2503110 B2 JP 2503110B2 JP 3026494 A JP3026494 A JP 3026494A JP 2649491 A JP2649491 A JP 2649491A JP 2503110 B2 JP2503110 B2 JP 2503110B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は中磁場での磁気特性の優
れた無方向性電磁厚板の製造方法に関するものである。
れた無方向性電磁厚板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年最先端科学技術である素粒子研究や
医療機器の進歩に伴って、大型構造物に磁気を用いる装
置が使われ、その性能向上が求められている。直流磁化
条件で使用される粒子加速器用磁極材、リターンヨーク
材では、高い飽和磁束密度の他に５Ｏｅ（４００Ａ／
ｍ）付近の中磁場での高い磁束密度が求められている。
医療機器の進歩に伴って、大型構造物に磁気を用いる装
置が使われ、その性能向上が求められている。直流磁化
条件で使用される粒子加速器用磁極材、リターンヨーク
材では、高い飽和磁束密度の他に５Ｏｅ（４００Ａ／
ｍ）付近の中磁場での高い磁束密度が求められている。
【０００３】磁束密度に優れた電磁鋼板としては、従来
から薄板分野で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数
多くの材料が提供されているのは公知である。しかし、
構造部材として使用するには組立加工及び強度上の問題
があり、厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで
電磁厚板としては純鉄系成分で製造されている。たとえ
ば特開昭６０−９６７４９号公報が公知である。しかし
ながら、近年の装置の大型化、能力の向上等に伴いさら
に磁気特性の優れた、特に中磁場、たとえば５Ｏｅ（４
００Ａ／ｍ）付近での磁束密度の高い鋼材開発の要望が
強い。従来５Ｏｅ付近での中磁場の高い磁束密度が安定
して得られていない。
から薄板分野で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数
多くの材料が提供されているのは公知である。しかし、
構造部材として使用するには組立加工及び強度上の問題
があり、厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで
電磁厚板としては純鉄系成分で製造されている。たとえ
ば特開昭６０−９６７４９号公報が公知である。しかし
ながら、近年の装置の大型化、能力の向上等に伴いさら
に磁気特性の優れた、特に中磁場、たとえば５Ｏｅ（４
００Ａ／ｍ）付近での磁束密度の高い鋼材開発の要望が
強い。従来５Ｏｅ付近での中磁場の高い磁束密度が安定
して得られていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は以上の
点を鑑みなされたもので、中磁場での磁気特性の優れた
無方向性電磁厚板の製造方法を提供するものである。
点を鑑みなされたもので、中磁場での磁気特性の優れた
無方向性電磁厚板の製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は次の通り
である。 （１） 重量％で、Ｃ：０．０１％以下、Ｓｉ：０．０
２％以下、Ｍｎ：０．２０％以下、Ｓ：０．０１０％以
下、Ａｌ：０．０４０％以下、Ｎ：０．００４％以下、
Ｏ：０．００５％以下、Ｈ：０．０００２％以下、残部
実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を９５０
〜１１５０℃に加熱し、８００℃以上で圧延形状比Ａが
０．６以上の圧延パスを１回以上はとる圧延を行ない、
引き続き８００℃以下で圧下率を３５％超７０％以下と
する圧延を行ない、板厚５０mm以上の厚板とし、該厚板
を６００〜７５０℃で脱水素熱処理を行なうことを特徴
とする中磁場での磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の
製造方法。
である。 （１） 重量％で、Ｃ：０．０１％以下、Ｓｉ：０．０
２％以下、Ｍｎ：０．２０％以下、Ｓ：０．０１０％以
下、Ａｌ：０．０４０％以下、Ｎ：０．００４％以下、
Ｏ：０．００５％以下、Ｈ：０．０００２％以下、残部
実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を９５０
〜１１５０℃に加熱し、８００℃以上で圧延形状比Ａが
０．６以上の圧延パスを１回以上はとる圧延を行ない、
引き続き８００℃以下で圧下率を３５％超７０％以下と
する圧延を行ない、板厚５０mm以上の厚板とし、該厚板
を６００〜７５０℃で脱水素熱処理を行なうことを特徴
とする中磁場での磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の
製造方法。
【数３】
【０００６】（２） 板厚５０mm以上の厚板を脱水素処
理後、７５０〜９５０℃で焼鈍するかあるいは９１０〜
１０００℃で焼準することを特徴とする（１）記載の中
磁場での磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方
法。
理後、７５０〜９５０℃で焼鈍するかあるいは９１０〜
１０００℃で焼準することを特徴とする（１）記載の中
磁場での磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方
法。
【０００７】（３） 重量％で、Ｃ：０．０１％以下、
Ｓｉ：０．０２％以下、Ｍｎ：０．２０％以下、Ｓ：
０．０１０％以下、Ａｌ：０．０４０％以下、Ｎ：０．
００４％以下、Ｏ：０．００５％以下、Ｈ：０．０００
２％以下、残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片また
は、鋳片を９５０〜１１５０℃に加熱し、８００℃以上
で圧延形状比Ａが０．６以上の圧延パスを１回以上はと
る圧延を行ない、引き続き８００℃以下で圧下率を３５
％超７０％以下とする圧延を行ない、板厚５０mm未満の
厚板とし、該厚板を７５０〜９５０℃で焼鈍するかある
いは９１０〜１０００℃で焼準することを特徴とする中
磁場での磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方
法。
Ｓｉ：０．０２％以下、Ｍｎ：０．２０％以下、Ｓ：
０．０１０％以下、Ａｌ：０．０４０％以下、Ｎ：０．
００４％以下、Ｏ：０．００５％以下、Ｈ：０．０００
２％以下、残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片また
は、鋳片を９５０〜１１５０℃に加熱し、８００℃以上
で圧延形状比Ａが０．６以上の圧延パスを１回以上はと
る圧延を行ない、引き続き８００℃以下で圧下率を３５
％超７０％以下とする圧延を行ない、板厚５０mm未満の
厚板とし、該厚板を７５０〜９５０℃で焼鈍するかある
いは９１０〜１０００℃で焼準することを特徴とする中
磁場での磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方
法。
【数４】
【０００８】
【作用】まず、磁化のプロセスについて述べる。消磁状
態の鋼を磁界の中に入れ、磁界を強めていくと次第に磁
区の向きに変化が生じ、磁界の方向に近い磁区の優勢に
なり他の磁区を蚕食併合していく。つまり磁壁の移動が
起こる。さらに磁界が強くなり磁壁の移動が完了する
と、次に磁区全体が磁化方向に向きを変えていく。
態の鋼を磁界の中に入れ、磁界を強めていくと次第に磁
区の向きに変化が生じ、磁界の方向に近い磁区の優勢に
なり他の磁区を蚕食併合していく。つまり磁壁の移動が
起こる。さらに磁界が強くなり磁壁の移動が完了する
と、次に磁区全体が磁化方向に向きを変えていく。
【０００９】この磁化プロセスの中で低磁場での磁束密
度を決めているのは、磁壁の移動しやすさである。つま
り低磁場で高磁束密度を得るためには、磁壁の移動を障
害するものを極力減らすことであると定性的に言うこと
ができる。この観点から従来磁壁の移動の障害となる結
晶粒の粗大化が重要な技術となっていた（特開昭６０−
９６７４９号公報）。これに対し、中磁場で高磁束密度
を得るための方法については知見がなかった。
度を決めているのは、磁壁の移動しやすさである。つま
り低磁場で高磁束密度を得るためには、磁壁の移動を障
害するものを極力減らすことであると定性的に言うこと
ができる。この観点から従来磁壁の移動の障害となる結
晶粒の粗大化が重要な技術となっていた（特開昭６０−
９６７４９号公報）。これに対し、中磁場で高磁束密度
を得るための方法については知見がなかった。
【００１０】発明者らは、ここにおいて中磁場で高磁束
密度を得るためには、単に結晶粒の粗大化だけでなく、
隣あった結晶粒間の磁化の方向が圧延方向に平行に揃っ
ていることが重要であることを見出した。超粗大粒で
も、細粒でもない比較的粗粒（フェライト粒度No．が０
〜４番程度）でかつ（１００）方向が圧延方向に平行に
ランダムとなることで中磁場の磁気特性が大幅に向上す
ることを見出したのである。
密度を得るためには、単に結晶粒の粗大化だけでなく、
隣あった結晶粒間の磁化の方向が圧延方向に平行に揃っ
ていることが重要であることを見出した。超粗大粒で
も、細粒でもない比較的粗粒（フェライト粒度No．が０
〜４番程度）でかつ（１００）方向が圧延方向に平行に
ランダムとなることで中磁場の磁気特性が大幅に向上す
ることを見出したのである。
【００１１】このための熱間圧延条件として、８００℃
以下において３５％超７０％以下の圧下率をとること
で、圧延後の熱処理前の結晶粒を微細化して再結晶させ
やすくするとともに、鋼中に歪みを導入して、この歪み
を熱処理時の再結晶の駆動力とすることで、比較的大き
な結晶粒を板厚全体にわたって安定的に得ると同時に、
（１００）の結晶方位を圧延方向に平行にランダムとな
る。
以下において３５％超７０％以下の圧下率をとること
で、圧延後の熱処理前の結晶粒を微細化して再結晶させ
やすくするとともに、鋼中に歪みを導入して、この歪み
を熱処理時の再結晶の駆動力とすることで、比較的大き
な結晶粒を板厚全体にわたって安定的に得ると同時に、
（１００）の結晶方位を圧延方向に平行にランダムとな
る。
【００１２】図１に０．００５Ｓｉ−０．０６Ｍｎ−
０．０１５Ａｌ鋼での８００℃以下の圧下率と５Ｏｅで
の磁束密度を示す。３５超％７０％以下の圧下により、
高磁束密度が得られる。さらに中磁場での高磁束密度を
得るための手段として、内部応力の原因となる元素及び
空隙性欠陥の作用につき詳細な検討を行ない、所期の目
的を達成した。
０．０１５Ａｌ鋼での８００℃以下の圧下率と５Ｏｅで
の磁束密度を示す。３５超％７０％以下の圧下により、
高磁束密度が得られる。さらに中磁場での高磁束密度を
得るための手段として、内部応力の原因となる元素及び
空隙性欠陥の作用につき詳細な検討を行ない、所期の目
的を達成した。
【００１３】また、空隙性欠陥の影響についても種々検
討した結果、そのサイズが１００μ以上のものが磁気特
性を大幅に低下することを知見したものである。そして
この１００μ以上の有害な空隙性欠陥をなくすためには
圧延形状比Ａが０．６以上必要であることを見出した。
討した結果、そのサイズが１００μ以上のものが磁気特
性を大幅に低下することを知見したものである。そして
この１００μ以上の有害な空隙性欠陥をなくすためには
圧延形状比Ａが０．６以上必要であることを見出した。
【数５】
【００１４】さらに、鋼中の水素の存在も有害で、特に
板厚５０mm以上の厚板において、脱水素熱処理を行なう
ことによって磁気特性が大幅に向上することを知見し
た。高形状比圧延により空隙性欠陥のサイズを１００μ
以下にし、かつ、脱水素熱処理により鋼中水素を減少す
ることで中磁場での磁束密度が大幅に上昇する。
板厚５０mm以上の厚板において、脱水素熱処理を行なう
ことによって磁気特性が大幅に向上することを知見し
た。高形状比圧延により空隙性欠陥のサイズを１００μ
以下にし、かつ、脱水素熱処理により鋼中水素を減少す
ることで中磁場での磁束密度が大幅に上昇する。
【００１５】次に成分限定理由を述べる。Ｃは鋼中の内
部応力を高め、磁気特性、特に低磁場での磁束密度を最
も下げる元素であり、極力下げることが中磁場での磁束
密度を低下させないことに寄与する。また、磁気時効の
点からも低いほど経時低下が少なく、磁気特性の良い状
態で恒久的に使用できるものであり、このようなことか
ら、０．０１％以下に限定する。図２に示すようにさら
に、０．００５％以下にすることにより一層高磁束密度
が得られる。
部応力を高め、磁気特性、特に低磁場での磁束密度を最
も下げる元素であり、極力下げることが中磁場での磁束
密度を低下させないことに寄与する。また、磁気時効の
点からも低いほど経時低下が少なく、磁気特性の良い状
態で恒久的に使用できるものであり、このようなことか
ら、０．０１％以下に限定する。図２に示すようにさら
に、０．００５％以下にすることにより一層高磁束密度
が得られる。
【００１６】Ｓｉ，Ｍｎは中磁場での磁束密度の点から
少ない方が好ましく、ＭｎはＭｎＳ系介在物を生成する
点からも低い方がよい。この意味からＳｉは０．０２％
以下、Ｍｎは０．２０％以下に限定する。Ｍｎに関して
はＭｎＳ系介在物を生成する点よりさらに望ましくは
０．１０％以下がよい。
少ない方が好ましく、ＭｎはＭｎＳ系介在物を生成する
点からも低い方がよい。この意味からＳｉは０．０２％
以下、Ｍｎは０．２０％以下に限定する。Ｍｎに関して
はＭｎＳ系介在物を生成する点よりさらに望ましくは
０．１０％以下がよい。
【００１７】Ｓ，Ｏは鋼中において非金属介在物を形成
し、結晶粒の粗大化を妨げる害を及ぼし含有量が多くな
るに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性を低下さ
せるので少ない程よい。このため、Ｓは０．０１０％以
下、Ｏは０．００５％以下とした。Ａｌは脱酸剤として
用いるもので、多くなりすぎると介在物を生成し鋼の性
質を損なうので上限は０．０４０％とする。さらに結晶
粒粗大化を妨げる析出物であるＡｌＮを減少させるため
には低いほどよく、望ましくは０．０２０％以下がよ
い。
し、結晶粒の粗大化を妨げる害を及ぼし含有量が多くな
るに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性を低下さ
せるので少ない程よい。このため、Ｓは０．０１０％以
下、Ｏは０．００５％以下とした。Ａｌは脱酸剤として
用いるもので、多くなりすぎると介在物を生成し鋼の性
質を損なうので上限は０．０４０％とする。さらに結晶
粒粗大化を妨げる析出物であるＡｌＮを減少させるため
には低いほどよく、望ましくは０．０２０％以下がよ
い。
【００１８】Ｎは内部応力を高めかつＡｌＮにより結晶
粒微細化作用により中磁場での磁束密度を低下させるの
で上限は０．００４％とする。Ｈは磁気特性を低下さ
せ、かつ、空隙性欠陥の減少を妨げるので０．０００２
％以下とする。
粒微細化作用により中磁場での磁束密度を低下させるの
で上限は０．００４％とする。Ｈは磁気特性を低下さ
せ、かつ、空隙性欠陥の減少を妨げるので０．０００２
％以下とする。
【００１９】次に製造法について述べる。圧延条件につ
いては、まず圧延前加熱温度を１１５０℃以下にするの
は、１１５０℃を超える加熱温度では、加熱γ粒径の板
厚方向のバラツキは大きく、このバラツキが圧延後も残
り最終的な結晶粒が不均一となるため、上限を１１５０
℃とする。加熱温度が９５０℃未満となると圧延の変形
抵抗が大きくなり、以下に述べる空隙性欠陥をなくすた
めの形状比の高い圧延の圧延負荷が大きくなるため、９
５０℃を下限とする。
いては、まず圧延前加熱温度を１１５０℃以下にするの
は、１１５０℃を超える加熱温度では、加熱γ粒径の板
厚方向のバラツキは大きく、このバラツキが圧延後も残
り最終的な結晶粒が不均一となるため、上限を１１５０
℃とする。加熱温度が９５０℃未満となると圧延の変形
抵抗が大きくなり、以下に述べる空隙性欠陥をなくすた
めの形状比の高い圧延の圧延負荷が大きくなるため、９
５０℃を下限とする。
【００２０】熱間圧延にあたり前述の空隙性欠陥は鋼の
凝固過程で大小はあるが、必ず発生するものであり、こ
れをなくす手段は圧延によらなければならないので、熱
間圧延の役目は重要である。すなわち、熱間圧延１回当
たりの変形量を大きくし、板厚中心部にまで変形が及ぶ
熱間圧延が有効である。
凝固過程で大小はあるが、必ず発生するものであり、こ
れをなくす手段は圧延によらなければならないので、熱
間圧延の役目は重要である。すなわち、熱間圧延１回当
たりの変形量を大きくし、板厚中心部にまで変形が及ぶ
熱間圧延が有効である。
【００２１】具体的には８００℃以上で圧延形状比Ａが
０．６以上の圧延パスが１回以上を含む高形状比圧延を
行ない、空隙性欠陥のサイズを１００μ以下にすること
が磁気特性によい。圧延中にこの高形状比圧延により空
隙性欠陥をなくすことで、後で行なう脱水素熱処理にお
ける脱水素効率が飛躍的に上昇するのである。ここに８
００℃以上で高形状比圧延を行う理由は、８００℃未満
の低温では変形抵抗が大きく通常の圧延機では圧下が困
難となるからである。
０．６以上の圧延パスが１回以上を含む高形状比圧延を
行ない、空隙性欠陥のサイズを１００μ以下にすること
が磁気特性によい。圧延中にこの高形状比圧延により空
隙性欠陥をなくすことで、後で行なう脱水素熱処理にお
ける脱水素効率が飛躍的に上昇するのである。ここに８
００℃以上で高形状比圧延を行う理由は、８００℃未満
の低温では変形抵抗が大きく通常の圧延機では圧下が困
難となるからである。
【００２２】次に８００℃以下の温度において累積圧下
率３５％超にすることにより結晶粒を微細化するととも
に歪みを導入し、これに続く熱処理時の再結晶を促進さ
せる。さらにこの圧延により（１００）の結晶方位を圧
延方向に平行にランダムとする。ただし７０％超の圧下
率になると、熱処理後結晶粒度が板厚方向に不均一にな
り、磁束密度のばらつきを大きくする。従って板厚方向
に均一な比較的粗大な粒を得るために、圧下率を３５％
超７０％以下とする。
率３５％超にすることにより結晶粒を微細化するととも
に歪みを導入し、これに続く熱処理時の再結晶を促進さ
せる。さらにこの圧延により（１００）の結晶方位を圧
延方向に平行にランダムとする。ただし７０％超の圧下
率になると、熱処理後結晶粒度が板厚方向に不均一にな
り、磁束密度のばらつきを大きくする。従って板厚方向
に均一な比較的粗大な粒を得るために、圧下率を３５％
超７０％以下とする。
【００２３】次に熱間圧延に引き続き結晶粒粗大化、内
部歪除去及び板厚５０mm以上の厚手材については脱水素
熱処理を施す。板厚５０mm以上では水素の拡散がしにく
く、これが空隙性欠陥の原因となり、かつ、水素自身の
作用と合わさって中磁場での磁束密度を低下させる。こ
のため、脱水素熱処理を行なうが、その際６００℃未満
では脱水素効率が悪く７５０℃超では変態が一部開始す
るので６００〜７５０℃の温度範囲で行なう。脱水素時
間としては種々検討の結果〔０．６（ｔ−５０）＋６〕
時間（ｔ：板厚）が適当である。
部歪除去及び板厚５０mm以上の厚手材については脱水素
熱処理を施す。板厚５０mm以上では水素の拡散がしにく
く、これが空隙性欠陥の原因となり、かつ、水素自身の
作用と合わさって中磁場での磁束密度を低下させる。こ
のため、脱水素熱処理を行なうが、その際６００℃未満
では脱水素効率が悪く７５０℃超では変態が一部開始す
るので６００〜７５０℃の温度範囲で行なう。脱水素時
間としては種々検討の結果〔０．６（ｔ−５０）＋６〕
時間（ｔ：板厚）が適当である。
【００２４】焼鈍は結晶粒粗大化及び内部歪除去のため
に行なうが、７５０℃未満では結晶粒粗大化が起こら
ず、また、９５０℃超では結晶粒の板厚方向の均質性が
保てないため、焼鈍温度としては７５０〜９５０℃に限
定する。
に行なうが、７５０℃未満では結晶粒粗大化が起こら
ず、また、９５０℃超では結晶粒の板厚方向の均質性が
保てないため、焼鈍温度としては７５０〜９５０℃に限
定する。
【００２５】焼準は板厚方向の結晶粒調整及び内部歪除
去のために行なうが、焼準温度は９１０〜１０００℃に
限定する。９１０℃未満ではオーステナイト域とフェラ
イト域の混在により結晶粒が混粒となり、１０００℃超
では結晶粒の板厚方向の均一性が保てない。
去のために行なうが、焼準温度は９１０〜１０００℃に
限定する。９１０℃未満ではオーステナイト域とフェラ
イト域の混在により結晶粒が混粒となり、１０００℃超
では結晶粒の板厚方向の均一性が保てない。
【００２６】なお、磁気特性向上のためには、結晶粒粗
大化と内部歪除去とが考えられるが、特に内部歪除去は
必須条件である。内部歪除去は、板厚５０mm以上の厚手
材では脱水素熱処理で行うことができるので、本発明の
厚手材では脱水素熱処理で、上記焼鈍あるいは焼準を兼
ねることができる。
大化と内部歪除去とが考えられるが、特に内部歪除去は
必須条件である。内部歪除去は、板厚５０mm以上の厚手
材では脱水素熱処理で行うことができるので、本発明の
厚手材では脱水素熱処理で、上記焼鈍あるいは焼準を兼
ねることができる。
【００２７】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともにあげ
る。表１に電磁厚板の製造条件とフェライト粒径、中磁
場での磁束密度を示す。
る。表１に電磁厚板の製造条件とフェライト粒径、中磁
場での磁束密度を示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】例１〜１０は本発明の実施例を示し、例１
１〜２６は比較例を示す。例１〜５は板厚８０mmに仕上
げたもので、中磁場で高磁束密度を示す。例１に比べ、
例２はさらに低Ｃ、例３、４は低Ｍｎ、例５は低Ａｌで
あり、より高い磁気特性を示す。例６〜８は４００mm、
例９は５０mm、例１０は６mmに仕上げたもので、高磁束
密度である。
１〜２６は比較例を示す。例１〜５は板厚８０mmに仕上
げたもので、中磁場で高磁束密度を示す。例１に比べ、
例２はさらに低Ｃ、例３、４は低Ｍｎ、例５は低Ａｌで
あり、より高い磁気特性を示す。例６〜８は４００mm、
例９は５０mm、例１０は６mmに仕上げたもので、高磁束
密度である。
【００３１】例１１はＣが高く、例１２はＳｉが高く、
例１３はＭｎが高く、例１４はＳが高く、例１５はＡｌ
が高く、例１６はＮが高く、例１７はＯが高く、例１８
はＨが高く、それぞれ上限を超えるため低磁気特性値と
なっている。例１９は加熱温度が上限を超え低磁束密度
となっている。例２０は加熱温度が下限をはずれている
ため、低磁束密度となっている。例２１は８００℃以下
の圧下率が下限をはずれ低磁束密度となている。例２２
は最大形状比が下限をはずれ、例２３は脱水素熱処理温
度が下限をはずれ、例２４は焼鈍温度が下限をはずれ、
例２５は焼準温度が上限を超え、例２６は脱水素熱処理
がないため低磁束密度となっている。
例１３はＭｎが高く、例１４はＳが高く、例１５はＡｌ
が高く、例１６はＮが高く、例１７はＯが高く、例１８
はＨが高く、それぞれ上限を超えるため低磁気特性値と
なっている。例１９は加熱温度が上限を超え低磁束密度
となっている。例２０は加熱温度が下限をはずれている
ため、低磁束密度となっている。例２１は８００℃以下
の圧下率が下限をはずれ低磁束密度となている。例２２
は最大形状比が下限をはずれ、例２３は脱水素熱処理温
度が下限をはずれ、例２４は焼鈍温度が下限をはずれ、
例２５は焼準温度が上限を超え、例２６は脱水素熱処理
がないため低磁束密度となっている。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、適切な成分限定により板厚の
厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せしめることに成
功し、直流磁化による磁気特性を利用する構造物に適用
可能としたものであり、かつその製造法も前述の成分限
定と熱間圧延後結晶粒調整及び脱水素熱処理を同時に行
なう方式であり、極めて経済的に製造する方法を提供す
るもので産業上多大な効果を奏するものである。
厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せしめることに成
功し、直流磁化による磁気特性を利用する構造物に適用
可能としたものであり、かつその製造法も前述の成分限
定と熱間圧延後結晶粒調整及び脱水素熱処理を同時に行
なう方式であり、極めて経済的に製造する方法を提供す
るもので産業上多大な効果を奏するものである。
【図１】５Ｏｅにおける磁束密度におよぼす８００℃以
下の圧下率の影響を示すグラフである。
下の圧下率の影響を示すグラフである。
【図２】５Ｏｅにおける磁束密度に及ぼすＣ含有量の影
響を示すグラフである。
響を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 重量％で、 Ｃ ：０．０１％以下、 Ｓｉ：０．０２％以下、 Ｍｎ：０．２０％以下、 Ｓ ：０．０１０％以下、 Ａｌ：０．０４０％以下、 Ｎ ：０．００４％以下、 Ｏ ：０．００５％以下、 Ｈ ：０．０００２％以下、 残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を９
５０〜１１５０℃に加熱し、８００℃以上で圧延形状比
Ａが０．６以上の圧延パスを１回以上はとる圧延を行な
い、引き続き８００℃以下で圧下率を３５％超７０％以
下とする圧延を行ない、板厚５０mm以上の厚板とし、該
厚板を６００〜７５０℃で脱水素熱処理を行なうことを
特徴とする中磁場での磁気特性の優れた無方向性電磁厚
板の製造方法。 【数１】 - 【請求項２】 板厚５０mm以上の厚板を脱水素処理後、
７５０〜９５０℃で焼鈍するかあるいは９１０〜１００
０℃で焼準することを特徴とする請求項１記載の中磁場
での磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方法。 - 【請求項３】 重量％で、 Ｃ ：０．０１％以下、 Ｓｉ：０．０２％以下、 Ｍｎ：０．２０％以下、 Ｓ ：０．０１０％以下、 Ａｌ：０．０４０％以下、 Ｎ ：０．００４％以下、 Ｏ ：０．００５％以下、 Ｈ ：０．０００２％以下、 残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を９
５０〜１１５０℃に加熱し、８００℃以上で圧延形状比
Ａが０．６以上の圧延パスを１回以上はとる圧延を行な
い、引き続き８００℃以下で圧下率を３５％超７０％以
下とする圧延を行ない、板厚５０mm未満の厚板とし、該
厚板を７５０〜９５０℃で焼鈍するかあるいは９１０〜
１０００℃で焼準することを特徴とする中磁場での磁気
特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方法。 【数２】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026494A JP2503110B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026494A JP2503110B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268020A JPH04268020A (ja) | 1992-09-24 |
| JP2503110B2 true JP2503110B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=12195051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3026494A Expired - Lifetime JP2503110B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503110B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7654094B2 (en) | 2004-03-09 | 2010-02-02 | Hitachi, Ltd. | Radial turbine and method of cooling nozzle of the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2503122B2 (ja) * | 1991-05-09 | 1996-06-05 | 新日本製鐵株式会社 | 磁気特性の優れた無方向性電磁厚板の製造方法 |
| KR101977507B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-05-10 | 주식회사 포스코 | 자기장 차폐용 강판 및 그 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096749A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-30 | Nippon Steel Corp | 直流磁化用厚板及びその製造方法 |
| JPH0266119A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Nkk Corp | 磁気シールド特性に優れた高透磁率軟磁性純鉄板の製造方法 |
| JPH02243719A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-27 | Nippon Steel Corp | 切削性が良く板厚方向の磁気特性の均一な良電磁厚板の製造方法 |
| JPH034606A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-10 | Toshiba Corp | 増幅回路 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3026494A patent/JP2503110B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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| US7654094B2 (en) | 2004-03-09 | 2010-02-02 | Hitachi, Ltd. | Radial turbine and method of cooling nozzle of the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04268020A (ja) | 1992-09-24 |
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