JPH0745689B2 - 良電磁厚板の製造方法 - Google Patents
良電磁厚板の製造方法Info
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- JPH0745689B2 JPH0745689B2 JP63156718A JP15671888A JPH0745689B2 JP H0745689 B2 JPH0745689 B2 JP H0745689B2 JP 63156718 A JP63156718 A JP 63156718A JP 15671888 A JP15671888 A JP 15671888A JP H0745689 B2 JPH0745689 B2 JP H0745689B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
- C21D8/1216—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties the working step(s) being of interest
- C21D8/1222—Hot rolling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D3/00—Diffusion processes for extraction of non-metals; Furnaces therefor
- C21D3/02—Extraction of non-metals
- C21D3/06—Extraction of hydrogen
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 近年最先端科学技術である素粒子研究や医療機器の進歩
に伴って、大型構造物に磁気を用いる装置が使われ、そ
の性能向上が求められている。
に伴って、大型構造物に磁気を用いる装置が使われ、そ
の性能向上が求められている。
本発明はここにおいて直流磁化条件で使用される磁石の
鉄心用、あるいは磁場を遮蔽するのに必要な磁気シール
ド用の磁束密度の高い電磁厚鋼板の製造方法に関するも
のである。
鉄心用、あるいは磁場を遮蔽するのに必要な磁気シール
ド用の磁束密度の高い電磁厚鋼板の製造方法に関するも
のである。
［従来の技術］ 磁束密度に優れた電磁鋼板としては、従来から薄板分野
で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数多くの材料が
提供されているのは公知である。しかし、構造部材とし
て使用するには組み立て加工及び強度上の問題があり、
厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで電磁厚板
としては鈍鉄系成分で製造されている。たとえば、特開
昭60−96749号公報が公知である。
で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数多くの材料が
提供されているのは公知である。しかし、構造部材とし
て使用するには組み立て加工及び強度上の問題があり、
厚鋼板を利用する必要が生じてくる。これまで電磁厚板
としては鈍鉄系成分で製造されている。たとえば、特開
昭60−96749号公報が公知である。
しかしながら、近年の装置の大型化、能力の向上等に伴
い強度の高く、たとえば引張強さ40kgf/mm2以上、さら
に磁気特性の優れた、とくに低磁場、たとえば80A/mで
の磁束密度の高く、かつ固有抵抗値の高い鋼材開発の要
望が強い。前掲の特許等で開発された鋼材では、80A/m
での低磁場での高い磁束密度が安定して得られない。
い強度の高く、たとえば引張強さ40kgf/mm2以上、さら
に磁気特性の優れた、とくに低磁場、たとえば80A/mで
の磁束密度の高く、かつ固有抵抗値の高い鋼材開発の要
望が強い。前掲の特許等で開発された鋼材では、80A/m
での低磁場での高い磁束密度が安定して得られない。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は以上の点を鑑みなされたもので、高強度
で低磁場の磁束密度の高く、その板厚方向での磁気特性
差の少ない良電磁厚板の製造方法を提供することにあ
る。
で低磁場の磁束密度の高く、その板厚方向での磁気特性
差の少ない良電磁厚板の製造方法を提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段］ 本発明の要旨は次の通りである。
（１）重量％で、C:0.01％以下、Si:1.4〜4.0％、Mn:0.
20％以下、P:0.015％以下、S:0.010％以下、Cr:0.05％
以下、Mo:0.01％以下、Cu:0.01％以下、Al:0.040％以
下、N:0.004％以下、O:0.005％以下、H:0.0002％以下、
残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を11
50〜1300℃に加熱し、仕上げ温度を900℃以上となる条
件下で圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上は
とる圧延を行い、空隙性欠陥のサイズ100μｍ以下の板
厚50mm以上の厚板とし、該厚板を600〜750℃の温度で脱
水素熱処理を行うことを特徴とする磁場80A/mでの磁束
密度が0.8テスラ以上の磁気特性と高い固有抵抗を有す
る良電磁厚板の製造方法。
20％以下、P:0.015％以下、S:0.010％以下、Cr:0.05％
以下、Mo:0.01％以下、Cu:0.01％以下、Al:0.040％以
下、N:0.004％以下、O:0.005％以下、H:0.0002％以下、
残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を11
50〜1300℃に加熱し、仕上げ温度を900℃以上となる条
件下で圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上は
とる圧延を行い、空隙性欠陥のサイズ100μｍ以下の板
厚50mm以上の厚板とし、該厚板を600〜750℃の温度で脱
水素熱処理を行うことを特徴とする磁場80A/mでの磁束
密度が0.8テスラ以上の磁気特性と高い固有抵抗を有す
る良電磁厚板の製造方法。
ただし、 A:圧延形状比 hi:入側板厚（mm） ho:出側板厚（mm） R:圧延ロール半径（mm） （２）板厚50mm以上の厚板を脱水素熱処理後750〜950℃
の温度で焼鈍するかあるいは910〜1000℃の温度で焼準
することを特徴とする（１）記載の直流磁化用電磁厚板
の製造方法。
の温度で焼鈍するかあるいは910〜1000℃の温度で焼準
することを特徴とする（１）記載の直流磁化用電磁厚板
の製造方法。
（３）重量％で、C:0.01％以下、Si:1.4〜4.0％、Mn:0.
20％以下、P:0.015％以下、S:0.010％以下、Cr:0.05％
以下、Mo:0.01％以下、Cu:0.01％以下、Al:0.040％以
下、N:0.004％以下、O:0.005％以下、H:0.0002％以下、
残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を11
50〜1300℃に加熱し、仕上げ温度を900℃以上となる条
件下で圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上は
とる圧延を行い、空隙性欠陥のサイズ100μｍ以下の板
厚20mm以上50mm未満の厚板とし、該厚板を750〜950℃で
焼鈍するかあるいは910〜1000℃で焼準することを特徴
とする磁場80A/mでの磁束密度が0.8テスラ以上の磁気特
性と高い固有抵抗を有する良電磁厚板の製造方法。
20％以下、P:0.015％以下、S:0.010％以下、Cr:0.05％
以下、Mo:0.01％以下、Cu:0.01％以下、Al:0.040％以
下、N:0.004％以下、O:0.005％以下、H:0.0002％以下、
残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を11
50〜1300℃に加熱し、仕上げ温度を900℃以上となる条
件下で圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上は
とる圧延を行い、空隙性欠陥のサイズ100μｍ以下の板
厚20mm以上50mm未満の厚板とし、該厚板を750〜950℃で
焼鈍するかあるいは910〜1000℃で焼準することを特徴
とする磁場80A/mでの磁束密度が0.8テスラ以上の磁気特
性と高い固有抵抗を有する良電磁厚板の製造方法。
ただし、 A:圧延形状比 hi:入側板厚（mm） ho:出側板厚（mm） R:圧延ロール半径（mm） ［作用］ まず、低磁場での磁束密度を高くするために磁化のプロ
セスについて述べると、消磁状態の鋼を磁界の中に入
れ、磁界を強めていくと次第に磁区の向きに変化が生
じ、磁界の方向に近い磁区が優勢になり他の磁区を蚕食
併合していく。つまり、磁壁の移動が起こる。
セスについて述べると、消磁状態の鋼を磁界の中に入
れ、磁界を強めていくと次第に磁区の向きに変化が生
じ、磁界の方向に近い磁区が優勢になり他の磁区を蚕食
併合していく。つまり、磁壁の移動が起こる。
さらに磁界が強くなり磁壁の移動が完了すると、次に磁
区全体の磁力方向が向きを変えていく。この磁化プロセ
スの中で低磁場での磁束密度を決めるのは、磁壁の移動
しやすさである。
区全体の磁力方向が向きを変えていく。この磁化プロセ
スの中で低磁場での磁束密度を決めるのは、磁壁の移動
しやすさである。
つまり低磁場で高磁束密度を得るためには、磁壁の移動
を障害するものを極力減らすことであると定性的に言う
ことができる。
を障害するものを極力減らすことであると定性的に言う
ことができる。
発明者らはここにおいて低磁場で高磁束密度を得るため
の手段として内部応力の原因となる元素、空隙性欠陥及
び合金元素の利用につき、詳細な検討を行い、所期の目
的を達することに成功したものである。
の手段として内部応力の原因となる元素、空隙性欠陥及
び合金元素の利用につき、詳細な検討を行い、所期の目
的を達することに成功したものである。
即ち、粗粒化のためには、結晶粒微細化作用を有するAl
Nを減少するため、Al,Nを低下すること、及び製造方法
としては、加熱温度を極力上げ加熱オーステナイト粒の
粗大化、圧延仕上げ温度を極力高めにし、圧延による結
晶粒の微細化を防止すること並びに圧延後の焼鈍をする
ことである。
Nを減少するため、Al,Nを低下すること、及び製造方法
としては、加熱温度を極力上げ加熱オーステナイト粒の
粗大化、圧延仕上げ温度を極力高めにし、圧延による結
晶粒の微細化を防止すること並びに圧延後の焼鈍をする
ことである。
次に内部応力減少のためには、Ｃの低下が必要である。
第１図に示す3.0Si−0.1Mn−0.01Al鋼にあってＣ含有量
の増加につれ低磁場（80A/m）での磁束密度が低下する
ことがわかる。
第１図に示す3.0Si−0.1Mn−0.01Al鋼にあってＣ含有量
の増加につれ低磁場（80A/m）での磁束密度が低下する
ことがわかる。
さらに鋼中の水素の存在も有害で、第２図に示すよう
に、脱水素熱処理を行うことによって磁気特性が大幅に
向上することを知見した。
に、脱水素熱処理を行うことによって磁気特性が大幅に
向上することを知見した。
第２図で示すように0.007C−2.0Si−0.1Mn鋼にあって高
形状比圧延により空隙性欠陥のサイズを100μ以下に
し、かつ、脱水素熱処理により鋼中水素を減少すること
で内部応力も減少し低磁場での磁束密度が大幅に上昇す
ることがわかる。
形状比圧延により空隙性欠陥のサイズを100μ以下に
し、かつ、脱水素熱処理により鋼中水素を減少すること
で内部応力も減少し低磁場での磁束密度が大幅に上昇す
ることがわかる。
空隙性欠陥の影響についても種々検討した結果、そのサ
イズが100μ以上のものが磁気特性を大幅に低下するこ
とを知見した。そしてこの100μ以上の有害な空隙性欠
陥をなくすためには、圧延形状比Ａが0.7以上必要であ
ることを見出した。
イズが100μ以上のものが磁気特性を大幅に低下するこ
とを知見した。そしてこの100μ以上の有害な空隙性欠
陥をなくすためには、圧延形状比Ａが0.7以上必要であ
ることを見出した。
さらに磁気特性の均質性を確保することも重要である
が、本発明による方法によれば、これに対しても極めて
有効な手段である。
が、本発明による方法によれば、これに対しても極めて
有効な手段である。
さらに、Alの無添加の領域でAlに変わる脱酸剤として使
え、かつ、鋼に高強度、つまり、引張強さ40kgf/mm2以
上と高い固有抵抗値、つまり、30μΩ・cm以上を与える
ことのできる元素として第３図に示すようにSiが最適で
あることを知見した。
え、かつ、鋼に高強度、つまり、引張強さ40kgf/mm2以
上と高い固有抵抗値、つまり、30μΩ・cm以上を与える
ことのできる元素として第３図に示すようにSiが最適で
あることを知見した。
次に本発明の成分限定理由をのべる。
Ｃは鋼中の内部応力を高め、磁気特性、とくに低磁場で
の磁束密度を最も下げる元素であり、極力下げることが
低磁場での磁束密度を低下させないことに寄与する。ま
た、磁気時効の点からも低いほど経時劣化が少なく、磁
気特性の良い状態で恒久的に使用できるものであり、こ
のようなことから0.010％以下に限定する。第１図に示
すように、さらに0.005％以下にすることにより一層高
磁束密度が得られる。
の磁束密度を最も下げる元素であり、極力下げることが
低磁場での磁束密度を低下させないことに寄与する。ま
た、磁気時効の点からも低いほど経時劣化が少なく、磁
気特性の良い状態で恒久的に使用できるものであり、こ
のようなことから0.010％以下に限定する。第１図に示
すように、さらに0.005％以下にすることにより一層高
磁束密度が得られる。
SiはAlが無添加の領域で、つまりAlが0.005％以下、Al
に代わる脱酸剤として使え、かつ、引張強さ40kgf/mm2
以上、固有抵抗値35μΩ・cm以上を得るためには、1.4
％以上添加する必要がある。しかし、4.0％以上添加す
ると低磁場での磁束密度が低下するため、1.0〜4.0％に
限定する。
に代わる脱酸剤として使え、かつ、引張強さ40kgf/mm2
以上、固有抵抗値35μΩ・cm以上を得るためには、1.4
％以上添加する必要がある。しかし、4.0％以上添加す
ると低磁場での磁束密度が低下するため、1.0〜4.0％に
限定する。
Mnは低磁場での磁束密度の点から少ない方が好ましく、
MnはMnS系介在物を生成する点からも低い方がよい。こ
の意味から、Mnは0.20％以下に限定する。Mnに関しては
MnS系介在物を生成する点より、さらに望ましくは0.10
％以下がよい。
MnはMnS系介在物を生成する点からも低い方がよい。こ
の意味から、Mnは0.20％以下に限定する。Mnに関しては
MnS系介在物を生成する点より、さらに望ましくは0.10
％以下がよい。
P,S,Oは鋼中において非金属介在物を形成し、かつ偏析
することにより磁壁の移動を妨げる害を及ぼし、含有量
が多くなるに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性
を低下させるので少ないほどよい。このためＰは0.015
％以下、Ｓは0.010％以下、Ｏは0.005％以下とした。
することにより磁壁の移動を妨げる害を及ぼし、含有量
が多くなるに従って磁束密度の低下が見られ、磁気特性
を低下させるので少ないほどよい。このためＰは0.015
％以下、Ｓは0.010％以下、Ｏは0.005％以下とした。
Cr,Mo,Cuは低磁場での磁束密度を低下させるので少ない
程好ましく、また偏析度合を少なくすることから極力低
くすることが必要であり、この意味からCrは0.05％以
下、Moは0.01％以下、Cuは0.01％以下とする。
程好ましく、また偏析度合を少なくすることから極力低
くすることが必要であり、この意味からCrは0.05％以
下、Moは0.01％以下、Cuは0.01％以下とする。
Alは脱酸剤として用いるものであるが、多くなりすぎる
と介在物を生成し鋼の性質を損ない、かつ、電磁特性を
低下させるので上限は0.040％以下とする。さらに結晶
粒微細化作用を有するAlNを減少させるためには望まし
くは0.020％以下がよい。さらに、無添加の0.005％以下
では低磁場での磁束密度が一層向上する。
と介在物を生成し鋼の性質を損ない、かつ、電磁特性を
低下させるので上限は0.040％以下とする。さらに結晶
粒微細化作用を有するAlNを減少させるためには望まし
くは0.020％以下がよい。さらに、無添加の0.005％以下
では低磁場での磁束密度が一層向上する。
Ｎは内部応力を高めかつAlNにより結晶粒微細化作用に
より、低磁場での磁束密度を低下させるので上限は0.00
4％以下とする。
より、低磁場での磁束密度を低下させるので上限は0.00
4％以下とする。
Ｈは電磁特性を低下させ、かつ、空隙性欠陥の減少を妨
げるので0.0002％以下とする。
げるので0.0002％以下とする。
次に製造法について述べる。
圧延条件については、まず圧延前加熱温度を1150℃以上
にするのは、加熱オーステナイト粒を粗大化し磁気特性
をよくするためである。1300℃を超す加熱はスケールロ
スの防止、省エネルギーの観点から不必要であるため上
限を1300℃とした。
にするのは、加熱オーステナイト粒を粗大化し磁気特性
をよくするためである。1300℃を超す加熱はスケールロ
スの防止、省エネルギーの観点から不必要であるため上
限を1300℃とした。
圧延仕上げ温度については、900℃以下の仕上げでは低
温圧延により結晶粒が微細化し、磁気特性が低下するた
め結晶粒の粗大化による磁束密度の上昇を狙い900℃と
した。
温圧延により結晶粒が微細化し、磁気特性が低下するた
め結晶粒の粗大化による磁束密度の上昇を狙い900℃と
した。
さらに熱間圧延にあたり前述の空隙性欠陥は鋼の凝固過
程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれをなく
す手段は圧延によらなければならないので、熱間圧延の
役目は重要である。
程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれをなく
す手段は圧延によらなければならないので、熱間圧延の
役目は重要である。
すなわち、熱間圧延１回当たりの変形量を大きくし、板
厚中心部にまで変形が及ぶ熱間圧延が有効である。具体
的には圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上を
含む高形状比圧延を行い、空隙性欠陥のサイズを100μ
以下にすることが電磁特性によい。
厚中心部にまで変形が及ぶ熱間圧延が有効である。具体
的には圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上を
含む高形状比圧延を行い、空隙性欠陥のサイズを100μ
以下にすることが電磁特性によい。
圧延中にこの高形状比圧延により空隙性欠陥をなくすこ
とで、後で行う脱水素熱処理における脱水素効率が飛躍
的に上昇するのである。
とで、後で行う脱水素熱処理における脱水素効率が飛躍
的に上昇するのである。
次に熱間圧延に引き続き結晶粒粗大化、内部歪除去及び
板厚50mm以上の厚手材については脱水素熱処理を施す。
板厚50mm以上では水素の拡散がしにくく、これが空隙性
欠陥の原因となり、かつ、水素自身の作用と合わさって
低磁場での磁束密度を低下させる。
板厚50mm以上の厚手材については脱水素熱処理を施す。
板厚50mm以上では水素の拡散がしにくく、これが空隙性
欠陥の原因となり、かつ、水素自身の作用と合わさって
低磁場での磁束密度を低下させる。
このため、脱水素熱処理を行うがこの脱水素熱処理温度
としては、600℃未満では脱水素効率が悪く750℃超では
変態が一部開始するので600〜750℃の温度範囲で行う。
脱水素時間としては種々検討の結果〔0.6（ｔ−50）＋
６〕時間（t:板厚）が適当である。
としては、600℃未満では脱水素効率が悪く750℃超では
変態が一部開始するので600〜750℃の温度範囲で行う。
脱水素時間としては種々検討の結果〔0.6（ｔ−50）＋
６〕時間（t:板厚）が適当である。
焼鈍は結晶粒粗大化及び内部歪除去のために行うが、75
0℃未満では結晶粒粗大化が起こらず、また、950℃以上
では結晶粒の板厚方向の均質性が保てないため、焼鈍温
度としては750〜950℃に限定する。
0℃未満では結晶粒粗大化が起こらず、また、950℃以上
では結晶粒の板厚方向の均質性が保てないため、焼鈍温
度としては750〜950℃に限定する。
焼準は板厚方向の結晶粒調整及び内部歪除去のために行
うが、焼準温度は910〜1000℃に限定する。910℃未満で
はオーステナイト域とフェライト域の混在により結晶粒
が混粒となり、1000℃超では結晶粒の板厚方向の均質性
が保てない。なお、磁気特性向上のためには、結晶粒粗
大化と内部歪み除去とが考えられるが、特に内部歪み除
去は必須条件である。内部歪み除去は、板厚50mm以上厚
手材では脱水素熱処理を行うことができる。したがっ
て、本発明の厚手材では脱水素熱処理で、上記焼鈍ある
いは焼準を兼ねることができる。
うが、焼準温度は910〜1000℃に限定する。910℃未満で
はオーステナイト域とフェライト域の混在により結晶粒
が混粒となり、1000℃超では結晶粒の板厚方向の均質性
が保てない。なお、磁気特性向上のためには、結晶粒粗
大化と内部歪み除去とが考えられるが、特に内部歪み除
去は必須条件である。内部歪み除去は、板厚50mm以上厚
手材では脱水素熱処理を行うことができる。したがっ
て、本発明の厚手材では脱水素熱処理で、上記焼鈍ある
いは焼準を兼ねることができる。
一方、板厚20mm以上50mm未満のものは水素の拡散が容易
なため、脱水素熱処理は不要で前述の焼鈍または焼準を
施せば良い。
なため、脱水素熱処理は不要で前述の焼鈍または焼準を
施せば良い。
［実 施 例］ 第１表に電磁厚板の製造条件とフェライト粒径、低磁場
での磁束密度を示す。
での磁束密度を示す。
例１〜11は本発明の実施例を示し、例12〜31は比較例を
示す。例１〜６は板厚100mmに仕上げたもので、均一か
つ粗粒で引張強さ40kgf/mm2以上で、低磁場での磁束密
度及び固有抵抗値が高い。例１に比べ、さらに例２は低
Ｃ、例3,4は低Mn、例５は低Alであり、例６ではAl無添
加の領域までAlを下げており、より高い磁気特性を示
す。例７〜９は500mm、例10は40mm、例11は20mmに仕上
げたもので、均一かつ粗粒で引張強さ40kgf/mm2以上で
低磁場での磁束密度及び固有抵抗値が高い。
示す。例１〜６は板厚100mmに仕上げたもので、均一か
つ粗粒で引張強さ40kgf/mm2以上で、低磁場での磁束密
度及び固有抵抗値が高い。例１に比べ、さらに例２は低
Ｃ、例3,4は低Mn、例５は低Alであり、例６ではAl無添
加の領域までAlを下げており、より高い磁気特性を示
す。例７〜９は500mm、例10は40mm、例11は20mmに仕上
げたもので、均一かつ粗粒で引張強さ40kgf/mm2以上で
低磁場での磁束密度及び固有抵抗値が高い。
例12はＣが高く上限を超えるため低磁場での磁束密度が
低い。例13はSiが低く引張強さ及び固有抵抗値が低い。
例14はSiが高く、例15はMnが高く、例16はＰが高く、例
17はＳが高く、例18はCrが高く、例19はMoが高く、例20
がCuが高く、例21はAlが高く、例22はＮが高く、例23は
Ｏが高く、例24はＨが高く、それぞれ上限を超えるため
低磁場での磁束密度が低くなっている。
低い。例13はSiが低く引張強さ及び固有抵抗値が低い。
例14はSiが高く、例15はMnが高く、例16はＰが高く、例
17はＳが高く、例18はCrが高く、例19はMoが高く、例20
がCuが高く、例21はAlが高く、例22はＮが高く、例23は
Ｏが高く、例24はＨが高く、それぞれ上限を超えるため
低磁場での磁束密度が低くなっている。
例25は加熱温度が下限をはずれ、例26は圧延仕上げ温度
が下限をはずれ、例27は最大形状比が下限をはずれ、例
28は脱水素熱処理温度が下限をはずれ、例29は焼鈍温度
が下限をはずれ、例30は焼準温度が上限を超え、例31は
脱水素熱処理がないため低磁場での磁束密度が低くなっ
ている。
が下限をはずれ、例27は最大形状比が下限をはずれ、例
28は脱水素熱処理温度が下限をはずれ、例29は焼鈍温度
が下限をはずれ、例30は焼準温度が上限を超え、例31は
脱水素熱処理がないため低磁場での磁束密度が低くなっ
ている。
［発明の効果］ 以上詳細に述べた如く、本発明によれば適切な成分限定
により、板厚の厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せ
しめることに成功し、直流磁化による磁気性質を利用す
る構造物に適用可能としたものであり、かつその製造法
も前述の成分限定と、熱間圧延後結晶粒調整及び脱水素
熱処理を同時に行う方式であり、極めて経済的な製造法
を提供するもので産業上多大な効果を奏するものであ
る。
により、板厚の厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せ
しめることに成功し、直流磁化による磁気性質を利用す
る構造物に適用可能としたものであり、かつその製造法
も前述の成分限定と、熱間圧延後結晶粒調整及び脱水素
熱処理を同時に行う方式であり、極めて経済的な製造法
を提供するもので産業上多大な効果を奏するものであ
る。
第１図は80A/mにおける磁束密度に及ぼすＣ含有量の影
響を示すグラフ、第２図は80A/mにおける磁束密度に及
ぼす空隙性欠陥のサイズ及び脱水素熱処理の影響を示す
グラフ、第３図は引張強さ、固有抵抗値に及ぼすSi含有
量の影響を示すグラフである。
響を示すグラフ、第２図は80A/mにおける磁束密度に及
ぼす空隙性欠陥のサイズ及び脱水素熱処理の影響を示す
グラフ、第３図は引張強さ、固有抵抗値に及ぼすSi含有
量の影響を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 熊谷 達也 愛知県東海市東海町５―３ 新日本製鐵株 式会社名古屋製鐵所内 (56)参考文献 特開 平２−4920（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−96749（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−208418（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】重量％で、 C:0.01％以下、 Si:1.4〜4.0％、 Mn:0.20％以下、 P:0.015％以下、 S:0.010％以下、 Cr:0.05％以下、 Mo:0.01％以下、 Cu:0.01％以下、 Al:0.040％以下、 N:0.004％以下、 O:0.005％以下、 H:0.0002％以下、 残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を11
50〜1300℃に加熱し、仕上げ温度を900℃以上となる条
件下で圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上は
とる圧延を行い、空隙性欠陥のサイズ100μｍ以下の板
厚50mm以上の厚板とし、該厚板を600〜750℃の温度で脱
水素熱処理を行うことを特徴とする磁場80A/mでの磁束
密度が0.8テスラ以上の磁気特性と高い固有抵抗を有す
る良電磁厚板の製造方法。 ただし、 A:圧延形状比 hi:入側板厚（mm） ho:出側板厚（mm） R:圧延ロール半径（mm） - 【請求項２】板厚50mm以上の厚板を脱水素熱処理後750
〜950℃の温度で焼鈍するかあるいは910〜1000℃の温度
で焼準することを特徴とする請求項１記載の直流磁化用
電磁厚板の製造方法。 - 【請求項３】重量％で、 C:0.01％以下、 Si:1.4〜4.0％、 Mn:0.20％以下、 P:0.015％以下、 S:0.010％以下、 Cr:0.05％以下、 Mo:0.01％以下、 Cu:0.01％以下、 Al:0.040％以下、 N:0.004％以下、 O:0.005％以下、 H:0.0002％以下、 残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または、鋳片を11
50〜1300℃に加熱し、仕上げ温度を900℃以上となる条
件下で圧延形状比Ａが0.7以上の圧延パスが１回以上は
とる圧延を行い、空隙性欠陥のサイズ100μｍ以下の板
厚20mm以上50mm未満の厚板とし、該厚板を750〜950℃焼
鈍するかあるいは910〜1000℃で焼準することを特徴と
する磁場80A/mでの磁束密度が0.8テスラ以上の磁気特性
と高い固有抵抗を有する良電磁厚板の製造方法。 ただし、 A:圧延形状比 hi:入側板厚（mm） ho:出側板厚（mm） R:圧延ロール半径（mm）
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156718A JPH0745689B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 良電磁厚板の製造方法 |
| US07/368,031 US4950336A (en) | 1988-06-24 | 1989-06-19 | Method of producing non-oriented magnetic steel heavy plate having high magnetic flux density |
| DE68921377T DE68921377T2 (de) | 1988-06-24 | 1989-06-23 | Verfahren zur Herstellung nichtorientierter Stahl-Grobbleche mit hoher magnetischer Flussdichte. |
| EP89111463A EP0349853B1 (en) | 1988-06-24 | 1989-06-23 | Method of producing non-oriented magnetic steel heavy plate having high magnetic flux density |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156718A JPH0745689B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 良電磁厚板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028323A JPH028323A (ja) | 1990-01-11 |
| JPH0745689B2 true JPH0745689B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=15633821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156718A Expired - Lifetime JPH0745689B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-27 | 良電磁厚板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745689B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4293604C2 (de) * | 1991-10-14 | 1997-04-03 | Nippon Kokan Kk | Weichmagnetisches Stahlmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP5375149B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2013-12-25 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 無方向性電磁鋼板およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096749A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-30 | Nippon Steel Corp | 直流磁化用厚板及びその製造方法 |
| JPS60208418A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高透磁率構造部材用厚鋼板の製造方法 |
| JPH07116099B2 (ja) * | 1986-12-16 | 1995-12-13 | 三菱化学株式会社 | メタブロモ安息香酸の精製法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63156718A patent/JPH0745689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH028323A (ja) | 1990-01-11 |
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