JPH024920A - 直流磁化用電磁厚板の製造方法 - Google Patents
直流磁化用電磁厚板の製造方法Info
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- JPH024920A JPH024920A JP15464288A JP15464288A JPH024920A JP H024920 A JPH024920 A JP H024920A JP 15464288 A JP15464288 A JP 15464288A JP 15464288 A JP15464288 A JP 15464288A JP H024920 A JPH024920 A JP H024920A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D3/00—Diffusion processes for extraction of non-metals; Furnaces therefor
- C21D3/02—Extraction of non-metals
- C21D3/06—Extraction of hydrogen
-
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- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
- C21D8/1216—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties the working step(s) being of interest
- C21D8/1222—Hot rolling
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
U産業上の利用分野コ
近年最先端科学技術である素粒子研究や医療機器の進歩
に伴って、大型構造物に磁気を用いる装置が使われ、そ
の性能向上が求められている。
に伴って、大型構造物に磁気を用いる装置が使われ、そ
の性能向上が求められている。
本発明はここにおいて直流磁化条件で使用される磁石の
鉄心用あるいは磁場を遮蔽するのに必要・な磁気シール
ド用の磁束密度の高い電磁厚鋼板の製造方法に関するも
のである。
鉄心用あるいは磁場を遮蔽するのに必要・な磁気シール
ド用の磁束密度の高い電磁厚鋼板の製造方法に関するも
のである。
[従来の技術]
磁束密度に優れた電磁鋼板としては、従来から薄板分野
で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数多くの材料が
提供されているのは公知である。
で珪素鋼板、電磁軟鉄板をはじめとする数多くの材料が
提供されているのは公知である。
しかし、構造部材として使用するには組み立て加工及び
強度上の問題があり、厚鋼板を利用する必要か生じてく
る。これまで電磁厚板としては純鉄系成分で製造されて
いる。たとえば、特開昭80−9[1749号公報が公
知である。
強度上の問題があり、厚鋼板を利用する必要か生じてく
る。これまで電磁厚板としては純鉄系成分で製造されて
いる。たとえば、特開昭80−9[1749号公報が公
知である。
しかしながら、近年の装置の大型化、能力の向上等に伴
いさらに磁気特性の優れた、とくに低磁場、たとえば8
0A/mでの磁束密度の高い鋼材開発の要望が強い。前
掲の特許等で開発された鋼材では、80A/mでの低磁
場での高い磁束密度が安定して得られない。
いさらに磁気特性の優れた、とくに低磁場、たとえば8
0A/mでの磁束密度の高い鋼材開発の要望が強い。前
掲の特許等で開発された鋼材では、80A/mでの低磁
場での高い磁束密度が安定して得られない。
[発明が解決しようとする課題]
本発明の目的は以上の点を鑑みなされたもので、低磁場
での磁束密度の高く、その板厚方向での磁気特性差の少
ない直流磁化用電磁厚板の製造方法を提供することにあ
る。
での磁束密度の高く、その板厚方向での磁気特性差の少
ない直流磁化用電磁厚板の製造方法を提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段]
本発明は重量%で、c : o、ot%以下、Si :
0.1〜1.0%、Mn:0.20%以下、P :0.
015%以下、S :0.010%以下、Cr:0.0
596以下、M o : 0 、旧%以下、Cu:o、
01%以下、All :0.005%以下、N:0.0
04%以下、O:0.005%以下、H: 0.000
2%以下、残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または
鋳片を1150〜1330℃に加熱し、仕上げ温度を9
00℃以上となる条件下で圧延形状比Aが0.7以上の
圧延パスが1回以上はとる圧延を行った後、板厚50m
m以上の厚板については600〜750℃の脱水素熱処
理を行った後、必要に応じて750〜950℃で焼鈍す
るかあるいは910〜1000℃で焼準し、板厚20m
+n以上50mm未満については750〜950℃で焼
鈍するかあるいは910〜1000℃で焼準することを
特徴とする磁場80A/mでの磁束密度が0.8テスラ
以上の磁気特性を有する板厚20+++m以上の直流磁
化用電磁厚板の製造方法である。
0.1〜1.0%、Mn:0.20%以下、P :0.
015%以下、S :0.010%以下、Cr:0.0
596以下、M o : 0 、旧%以下、Cu:o、
01%以下、All :0.005%以下、N:0.0
04%以下、O:0.005%以下、H: 0.000
2%以下、残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または
鋳片を1150〜1330℃に加熱し、仕上げ温度を9
00℃以上となる条件下で圧延形状比Aが0.7以上の
圧延パスが1回以上はとる圧延を行った後、板厚50m
m以上の厚板については600〜750℃の脱水素熱処
理を行った後、必要に応じて750〜950℃で焼鈍す
るかあるいは910〜1000℃で焼準し、板厚20m
+n以上50mm未満については750〜950℃で焼
鈍するかあるいは910〜1000℃で焼準することを
特徴とする磁場80A/mでの磁束密度が0.8テスラ
以上の磁気特性を有する板厚20+++m以上の直流磁
化用電磁厚板の製造方法である。
ただし、
A= (2√R(hi −h ’) ) /h、 十
hA :圧延形状比 hi:入側板厚 (關) h :出側板厚 (關) R:圧延ロール半径(++++n) [作 用] まず、低磁場での磁束密度を高くするために磁化のプロ
セスについて述べると、消磁状態の鋼を磁界の中に入れ
、磁界を強めていくと次第に磁区の向きに変化が生じ、
磁界の方向に近い磁区が優勢になり他の磁区を蚕食併合
していく。つまり、磁壁の移動が起こる。
hA :圧延形状比 hi:入側板厚 (關) h :出側板厚 (關) R:圧延ロール半径(++++n) [作 用] まず、低磁場での磁束密度を高くするために磁化のプロ
セスについて述べると、消磁状態の鋼を磁界の中に入れ
、磁界を強めていくと次第に磁区の向きに変化が生じ、
磁界の方向に近い磁区が優勢になり他の磁区を蚕食併合
していく。つまり、磁壁の移動が起こる。
さらに磁界が強くなり磁壁の移動が完了すると、次に磁
区全体の磁力方向が向きを変えていく。この磁化プロセ
スの中で低磁場での磁束密度を決めるのは磁壁の移動し
やすさである。つまり低磁場で高磁束密度を得るために
は磁壁の移動を障害するものを極力減らすことである。
区全体の磁力方向が向きを変えていく。この磁化プロセ
スの中で低磁場での磁束密度を決めるのは磁壁の移動し
やすさである。つまり低磁場で高磁束密度を得るために
は磁壁の移動を障害するものを極力減らすことである。
発明者らはここにおいて低磁場で高磁束密度を得るため
の手段として、内部応力の原因となる元素、空隙性欠陥
及び合金元素の利用につき詳細に検討を行い、所期の目
的を達することに成功したものである。
の手段として、内部応力の原因となる元素、空隙性欠陥
及び合金元素の利用につき詳細に検討を行い、所期の目
的を達することに成功したものである。
すなわち、粗粒化のためには、結晶粒微細化作用を有す
るAgNを減少するため、A11.Hの低下することが
必要である。特に、Agについては第1図に示すように
低くするに従い、フェライト粒の粒成長が起こるが、無
添加の領域、つまり0.005%以下になると結晶粒の
異常な粒成長が起こっている。ただし、Allを無添加
にすると別の脱酸剤を添加する必要がある。
るAgNを減少するため、A11.Hの低下することが
必要である。特に、Agについては第1図に示すように
低くするに従い、フェライト粒の粒成長が起こるが、無
添加の領域、つまり0.005%以下になると結晶粒の
異常な粒成長が起こっている。ただし、Allを無添加
にすると別の脱酸剤を添加する必要がある。
本発明者らはこのAfIに代わる脱酸剤でかつ低磁場で
の磁束密度を低下させない元素としてStかよいことを
知見した。さらに、製造方法としては、加熱温度を極力
上げ加熱オーステナイト粒の粗大化、圧延仕上げ温度を
極力高めにし、圧延による結晶粒の微細化を防止するこ
と並びに圧延後の焼鈍をすることである。
の磁束密度を低下させない元素としてStかよいことを
知見した。さらに、製造方法としては、加熱温度を極力
上げ加熱オーステナイト粒の粗大化、圧延仕上げ温度を
極力高めにし、圧延による結晶粒の微細化を防止するこ
と並びに圧延後の焼鈍をすることである。
次に内部応力減少のためには、Cの低下が必要である。
第2図に示す0.OLS i −0,1Mn −0,
01All鋼にあってC含有量の増加につれ、低磁場(
80A/m)での磁束密度が低下することかわかる。
01All鋼にあってC含有量の増加につれ、低磁場(
80A/m)での磁束密度が低下することかわかる。
さらに、鋼中の水素の存在も有害で、第3図に示すよう
に、脱水素熱処理を行うことによって磁気特性か大幅に
向上することを知見した。第3図で示すように0.00
7C−0,01Si −0,I Mn鋼にあって高形
状比圧延により空隙性欠陥のサイズを100μ以下にし
、かつ、脱水素熱処理により鋼中水素を減少することで
内部応力も減少し低磁場での磁束密度が大幅に上昇する
ことがわかる。
に、脱水素熱処理を行うことによって磁気特性か大幅に
向上することを知見した。第3図で示すように0.00
7C−0,01Si −0,I Mn鋼にあって高形
状比圧延により空隙性欠陥のサイズを100μ以下にし
、かつ、脱水素熱処理により鋼中水素を減少することで
内部応力も減少し低磁場での磁束密度が大幅に上昇する
ことがわかる。
次に、空隙性欠陥について種々検討した結果、そのサイ
ズが100μ以上のものが磁気特性を大幅に低下するこ
とを知見した。そしてこの100μ以上の有害な空隙性
欠陥をなくすためには圧延形状比Aが0.7以上必要で
あることを見出した。
ズが100μ以上のものが磁気特性を大幅に低下するこ
とを知見した。そしてこの100μ以上の有害な空隙性
欠陥をなくすためには圧延形状比Aが0.7以上必要で
あることを見出した。
さらに、磁気特性の均質性を確保することも重要である
が、本発明による方法によれば、これに対しても極めて
有効な手段であることを確認した。
が、本発明による方法によれば、これに対しても極めて
有効な手段であることを確認した。
次に本発明の成分限定理由をのべる。
Cは鋼中の内部応力を高め、磁気特性、とくに低磁場で
の磁束密度を最も下げる元素であり、極力下げることが
低磁場での磁束密度を低下させないことに寄与する。ま
た、磁気時効の点からも低いほど経時劣化が少なく、磁
気特性の良い状態で恒久的に使用できるものであり、こ
のようなことから0.010%以下に限定する。
の磁束密度を最も下げる元素であり、極力下げることが
低磁場での磁束密度を低下させないことに寄与する。ま
た、磁気時効の点からも低いほど経時劣化が少なく、磁
気特性の良い状態で恒久的に使用できるものであり、こ
のようなことから0.010%以下に限定する。
第2図に示すようにさらに0.005%以下にすること
により一層高磁束密度が得られる。
により一層高磁束密度が得られる。
SiはAΩに代わる脱酸元素として用いるため0.1%
以上添加されるが、1.0%以上では低磁場での磁束密
度を低下させるので、0.1〜1.0%に限定する。
以上添加されるが、1.0%以上では低磁場での磁束密
度を低下させるので、0.1〜1.0%に限定する。
Mnは低磁場での磁束密度の点から少ない方が好ましく
、MnはMnS系介在物を生成する点からも低い方がよ
い。この意味からMnは0.20%以下に限定する。M
nに関してはMnS系介在物を生成する点よりさらに望
ましくは0.10%以下がよい。
、MnはMnS系介在物を生成する点からも低い方がよ
い。この意味からMnは0.20%以下に限定する。M
nに関してはMnS系介在物を生成する点よりさらに望
ましくは0.10%以下がよい。
p、 s、 oは鋼中において非金属介在物を形成
し、かつ偏析することにより磁壁の移動を妨げる害を及
ぼし、含有量が多くなるに従って磁束密度の低下が見ら
れ、磁気特性を低下させるので少ない程よい。このため
Pは0.015%以下、Sは0.010%以下、Oは0
.005%以下とした。
し、かつ偏析することにより磁壁の移動を妨げる害を及
ぼし、含有量が多くなるに従って磁束密度の低下が見ら
れ、磁気特性を低下させるので少ない程よい。このため
Pは0.015%以下、Sは0.010%以下、Oは0
.005%以下とした。
Cr 、Mo 、Cuは低磁場での磁束密度を低下させ
るので少ない程好ましく、また偏析度合を少なくするこ
とから極力低くすることが必要であり、この意味からC
rは0.05%以下、MOは0.01%以下、Cuは0
.01%以下とする。
るので少ない程好ましく、また偏析度合を少なくするこ
とから極力低くすることが必要であり、この意味からC
rは0.05%以下、MOは0.01%以下、Cuは0
.01%以下とする。
AρはAΩNを生成し結晶粒微細化作用を有するため極
力低下させる必要があるので、0.005%以下とする
。
力低下させる必要があるので、0.005%以下とする
。
Nは内部応力を高めかつAΩNにより結晶粒微細化作用
により、低磁場での磁束密度を低下させるので上限は0
.004%以下とする。
により、低磁場での磁束密度を低下させるので上限は0
.004%以下とする。
Hは電磁特性を低下させ、かつ、空隙性欠陥の減少を妨
げるので0.0002%以下とする。
げるので0.0002%以下とする。
次に製造法について述べる。
圧延条件については、まず圧延面加熱温度を1150℃
以上にするのは加熱オーステナイト粒を粗大化し磁気特
性をよくするためである。1300℃を超す加熱はスケ
ールロスの防止、省エネルギーの観点から不必要である
ため上限を1300℃とした。
以上にするのは加熱オーステナイト粒を粗大化し磁気特
性をよくするためである。1300℃を超す加熱はスケ
ールロスの防止、省エネルギーの観点から不必要である
ため上限を1300℃とした。
圧延仕上げ温度については、900℃以下の仕上げでは
低温圧延により結晶粒が微細化し、磁気特性が低下する
ため結晶粒の粗大化による磁束密度の上昇を狙い900
℃以上とした。
低温圧延により結晶粒が微細化し、磁気特性が低下する
ため結晶粒の粗大化による磁束密度の上昇を狙い900
℃以上とした。
さらに熱間圧延にあたり前述の空隙性欠陥は鋼の凝固過
程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれをなく
す手段は圧延によらなければならないので、熱間圧延の
役目は重要である。すなわち、熱間圧延1回当たりの変
形量を大きくし板厚中心部にまで変形が及ぶ熱間圧延が
有効である。
程で大小はあるが、必ず発生するものでありこれをなく
す手段は圧延によらなければならないので、熱間圧延の
役目は重要である。すなわち、熱間圧延1回当たりの変
形量を大きくし板厚中心部にまで変形が及ぶ熱間圧延が
有効である。
具体的には圧延形状比Aが0,7以上の圧延パスが1回
以上を含む高形状比圧延を行い、空隙性欠陥のザイスを
100μ以下にすることが電磁特性によい。圧延中にこ
の高形状比圧延により空隙性欠陥をなくすことで、後で
行う脱水素熱処理における脱水素効率が飛躍的に上昇す
るのである。
以上を含む高形状比圧延を行い、空隙性欠陥のザイスを
100μ以下にすることが電磁特性によい。圧延中にこ
の高形状比圧延により空隙性欠陥をなくすことで、後で
行う脱水素熱処理における脱水素効率が飛躍的に上昇す
るのである。
次に熱間圧延に引き続き結晶粒粗大化、内部歪除去及び
板厚50++++n以上の厚手材については脱水素熱処
理を施す。板厚50mm以上では水素の拡散かしにくく
、これか空隙性欠陥の原因となり、かつ水素自身の作用
と合わさって低磁場での磁束密度を低下させる。
板厚50++++n以上の厚手材については脱水素熱処
理を施す。板厚50mm以上では水素の拡散かしにくく
、これか空隙性欠陥の原因となり、かつ水素自身の作用
と合わさって低磁場での磁束密度を低下させる。
このため、脱水素熱処理を行うかこの脱水素熱処理温度
としては600℃未満では脱水素効率か悪<750℃超
では変態か一部開始するので600〜750℃の温度範
囲で行う。脱水素時間としては種々検討の結果[0,6
(t −50) + 6)時間(を板厚)か適当である
。
としては600℃未満では脱水素効率か悪<750℃超
では変態か一部開始するので600〜750℃の温度範
囲で行う。脱水素時間としては種々検討の結果[0,6
(t −50) + 6)時間(を板厚)か適当である
。
焼鈍は結晶粒粗大化及び内部歪除去のために行うが、7
50℃未満では結晶粒粗大化が起こらず、また、950
℃以上では結晶粒の板厚方向の均質性が保てないため、
焼鈍温度としては750〜950℃に限定する。
50℃未満では結晶粒粗大化が起こらず、また、950
℃以上では結晶粒の板厚方向の均質性が保てないため、
焼鈍温度としては750〜950℃に限定する。
規準は板厚方向の結晶粒調整及び内部歪除去のために行
うが、A c a点の91(1℃以上でか引oo。
うが、A c a点の91(1℃以上でか引oo。
℃以上では結晶粒の板厚方向の均質性が保てないので、
規準温度は910〜1000℃に限定する。なお、板厚
50+n+n以上の厚手材で行う脱水素熱処理でこの焼
鈍あるいは規準をかねることが可能である。
規準温度は910〜1000℃に限定する。なお、板厚
50+n+n以上の厚手材で行う脱水素熱処理でこの焼
鈍あるいは規準をかねることが可能である。
一方、板厚20mm以上50mm未満のものは水素の拡
散が容易なため、脱水素熱処理は不要で前述の焼鈍また
は規準するのみて良い。
散が容易なため、脱水素熱処理は不要で前述の焼鈍また
は規準するのみて良い。
[実 施 例]
第1表に電磁厚板の製造条件とフェライト粒径、低磁場
での磁束密度を示す。
での磁束密度を示す。
例1〜12は本発明の実施例を示し、例13〜33は比
較例を示す。
較例を示す。
例1〜7は板厚100mmに仕上げたもので、均一かつ
粗粒で高い磁気特性を示す。例2,3は高Stであるが
磁気特性は良好である。例1に比べ、さらに例4は低C
1例5,6は低Mns例7は低へρであり、より高い磁
気特性を示す。例8〜lOは500龍、例11は40
mm s例12は20順に仕上げたもので、均一かつ粗
粒で高い磁気特性を示す。
粗粒で高い磁気特性を示す。例2,3は高Stであるが
磁気特性は良好である。例1に比べ、さらに例4は低C
1例5,6は低Mns例7は低へρであり、より高い磁
気特性を示す。例8〜lOは500龍、例11は40
mm s例12は20順に仕上げたもので、均一かつ粗
粒で高い磁気特性を示す。
例13はCが高く、例14.15はSiが高く、例16
はMnが高く、例17はPが高く、例18はSが高く、
例19はC「が高く、例20はMoが高く、例21はC
υが高く、例22.23は八Ωが高く、例24はNが高
く、例25はOが高く、例26はHが高く、それぞれ上
限を超えるため低磁気特性値となっている。
はMnが高く、例17はPが高く、例18はSが高く、
例19はC「が高く、例20はMoが高く、例21はC
υが高く、例22.23は八Ωが高く、例24はNが高
く、例25はOが高く、例26はHが高く、それぞれ上
限を超えるため低磁気特性値となっている。
例27は加熱温度が下限をはずれ、例28は圧延仕上げ
温度が上限をはずれ、例29は最大形状比が上限をはず
れ、例30は脱水素熱処理温度が下限をはずれ、例3[
は焼鈍温度が下限をはずれ、例32は焼型志度が上限を
超え、例33は脱水素熱処理がないため低磁気特性値と
なっている。
温度が上限をはずれ、例29は最大形状比が上限をはず
れ、例30は脱水素熱処理温度が下限をはずれ、例3[
は焼鈍温度が下限をはずれ、例32は焼型志度が上限を
超え、例33は脱水素熱処理がないため低磁気特性値と
なっている。
[発明の効果]
以上詳細に述べた如く、本発明によれば適切な成分限定
により、板厚の厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せ
しめることに成功し、直流磁化による磁気性質を利用す
る構造物に適用I″11能としたものであり、かつその
製造法も前述の成分限定と、熱間圧延後結晶粒調整及び
脱水素熱処理を同時に行う方式であり、極めて経済的な
製造法を提供するもので、産業上多大な効果を奏するも
のである。
により、板厚の厚い厚鋼板に均質な高電磁特性を具備せ
しめることに成功し、直流磁化による磁気性質を利用す
る構造物に適用I″11能としたものであり、かつその
製造法も前述の成分限定と、熱間圧延後結晶粒調整及び
脱水素熱処理を同時に行う方式であり、極めて経済的な
製造法を提供するもので、産業上多大な効果を奏するも
のである。
第1図はフェライト粒径に及ぼすAj7含有量の影響を
を示すグラフ、第2図は80A/mにおける磁束密度に
及ぼすC含有量の影響を示すグラフ、第3図は80A/
mにおける磁束密度に及ぼす空隙性欠陥の大きさ及び脱
水素熱処理の影響を示すグラフである。 代 理 人 弁理士 茶野木 立 夫θθl θ02 θθ3 θO4 へ2合肩量 (%) θθ2 θθ4 (r(%) θθ6 0.08 第 図 磁場の作東さao AkL 〜]ま
を示すグラフ、第2図は80A/mにおける磁束密度に
及ぼすC含有量の影響を示すグラフ、第3図は80A/
mにおける磁束密度に及ぼす空隙性欠陥の大きさ及び脱
水素熱処理の影響を示すグラフである。 代 理 人 弁理士 茶野木 立 夫θθl θ02 θθ3 θO4 へ2合肩量 (%) θθ2 θθ4 (r(%) θθ6 0.08 第 図 磁場の作東さao AkL 〜]ま
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 重量%で、 C:0.01%以下、 Si:0.1〜1.0%、 Mn:0.20%以下、 P:0.015%以下、 S:0.010%以下、 Cr:0.05%以下、 Mo:0.01%以下、 Cu:0.01%以下、 Al:0.005%以下、 N:0.004%以下、 O:0.005%以下、 H:0.0002%以下、 残部実質的に鉄からなる鋼組成の鋼片または鋳片を11
50〜1300℃に加熱し、仕上げ温度を900℃以上
となる条件下で圧延形状比Aが0.7以上の圧延パスが
1回以上はとる圧延を行った後、板厚50mm以上の厚
板については600〜750℃の脱水素熱処理を行った
後、必要に応じて750〜950℃で焼鈍するかあるい
は910〜1000℃で焼準し、板厚20mm以上50
mm未満については750〜950℃で焼鈍するかある
いは910〜1000℃で焼準することを特徴とする磁
場80A/mでの磁束密度が0.8テスラ以上の磁気特
性を有する板厚20mm以上の直流磁化用電磁厚板の製
造方法。 ただし、 A=(2√R(h_i−h_o))/h_i+h_o A:圧延形状比 h_i:入側板厚(mm) h_o:出側板厚(mm) R:圧延ロール半径(mm)
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63154642A JPH06104866B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 直流磁化用電磁厚板の製造方法 |
US07/368,031 US4950336A (en) | 1988-06-24 | 1989-06-19 | Method of producing non-oriented magnetic steel heavy plate having high magnetic flux density |
DE68921377T DE68921377T2 (de) | 1988-06-24 | 1989-06-23 | Verfahren zur Herstellung nichtorientierter Stahl-Grobbleche mit hoher magnetischer Flussdichte. |
EP89111463A EP0349853B1 (en) | 1988-06-24 | 1989-06-23 | Method of producing non-oriented magnetic steel heavy plate having high magnetic flux density |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63154642A JPH06104866B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 直流磁化用電磁厚板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH024920A true JPH024920A (ja) | 1990-01-09 |
JPH06104866B2 JPH06104866B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=15588679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63154642A Expired - Lifetime JPH06104866B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 直流磁化用電磁厚板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06104866B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0375314A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-03-29 | Nippon Steel Corp | 磁束密度の高い無方向性電磁厚板の製造方法 |
JPH0382715A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 厚板電磁軟鉄の製造方法 |
JPH03274229A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 磁気シールド用熱延鋼板の製造方法 |
JPH03274228A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 磁気シールド用熱延鋼板の製造方法 |
US5411605A (en) * | 1991-10-14 | 1995-05-02 | Nkk Corporation | Soft magnetic steel material having excellent DC magnetization properties and corrosion resistance and a method of manufacturing the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6096749A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-30 | Nippon Steel Corp | 直流磁化用厚板及びその製造方法 |
JPS62185828A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シヤドウマスク用フレ−ム材の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63154642A patent/JPH06104866B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6096749A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-30 | Nippon Steel Corp | 直流磁化用厚板及びその製造方法 |
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US5411605A (en) * | 1991-10-14 | 1995-05-02 | Nkk Corporation | Soft magnetic steel material having excellent DC magnetization properties and corrosion resistance and a method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06104866B2 (ja) | 1994-12-21 |
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