JPH04253051A - ハロゲン化銀写真感光材料 - Google Patents
ハロゲン化銀写真感光材料Info
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- -1 Silver halide Chemical class 0.000 title claims abstract description 70
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 61
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 54
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 45
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 34
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 31
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 52
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims description 40
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 29
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 19
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 13
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000005133 alkynyloxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 4
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 1
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 7
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 abstract description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 12
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 12
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 12
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 12
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 12
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 9
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 9
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 9
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 9
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 5
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 5
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 5
- ZUNKMNLKJXRCDM-UHFFFAOYSA-N silver bromoiodide Chemical compound [Ag].IBr ZUNKMNLKJXRCDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 4
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-2-(4-fluorophenyl)acetate Chemical compound OC(=O)C(N)C1=CC=C(F)C=C1 JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021612 Silver iodide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- SBYHFKPVCBCYGV-UHFFFAOYSA-N quinuclidine Chemical compound C1CC2CCN1CC2 SBYHFKPVCBCYGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940045105 silver iodide Drugs 0.000 description 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 1-Phenyl-5-mercaptotetrazole Chemical compound SC1=NN=NN1C1=CC=CC=C1 GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000006224 matting agent Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 2
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- USPWKWBDZOARPV-UHFFFAOYSA-N pyrazolidine Chemical compound C1CNNC1 USPWKWBDZOARPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001397 quillaja saponaria molina bark Substances 0.000 description 2
- 229930182490 saponin Natural products 0.000 description 2
- 150000007949 saponins Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- BDKLKNJTMLIAFE-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1,3-oxazole-4-carbaldehyde Chemical compound FC1=CC=CC(C=2OC=C(C=O)N=2)=C1 BDKLKNJTMLIAFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVNPWFOVUDMGRP-UHFFFAOYSA-N 4-methylaminophenol sulfate Chemical compound OS(O)(=O)=O.CNC1=CC=C(O)C=C1.CNC1=CC=C(O)C=C1 ZVNPWFOVUDMGRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSGURAYTCUVDQL-UHFFFAOYSA-N 5-nitro-1h-indazole Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C2NN=CC2=C1 WSGURAYTCUVDQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPAZGLFMMUODDK-UHFFFAOYSA-N 6-nitro-1h-benzimidazole Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C2N=CNC2=C1 XPAZGLFMMUODDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOPVGQUDDIEQAO-UHFFFAOYSA-N 7-methyl-1h-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidin-5-one Chemical compound CC1=CC(=O)N=C2N=CNN12 BOPVGQUDDIEQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930024421 Adenine Natural products 0.000 description 1
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100177155 Arabidopsis thaliana HAC1 gene Proteins 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DHXGNDYOCQCVEF-UHFFFAOYSA-N CC1=CC2=C(NN=N2)C=C1.BrC1=CC2=C(NN=N2)C=C1 Chemical compound CC1=CC2=C(NN=N2)C=C1.BrC1=CC2=C(NN=N2)C=C1 DHXGNDYOCQCVEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100434170 Oryza sativa subsp. japonica ACR2.1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150108015 STR6 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- SJOOOZPMQAWAOP-UHFFFAOYSA-N [Ag].BrCl Chemical compound [Ag].BrCl SJOOOZPMQAWAOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCFIVNQHHFZRNR-UHFFFAOYSA-N [Ag].Cl[IH]Br Chemical group [Ag].Cl[IH]Br XCFIVNQHHFZRNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229960000643 adenine Drugs 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N ammonium thiosulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])(=O)=S XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 150000001661 cadmium Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002872 contrast media Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011033 desalting Methods 0.000 description 1
- AFOSIXZFDONLBT-UHFFFAOYSA-N divinyl sulfone Chemical group C=CS(=O)(=O)C=C AFOSIXZFDONLBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine group Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002473 indoazoles Chemical class 0.000 description 1
- 208000015181 infectious disease Diseases 0.000 description 1
- 230000002458 infectious effect Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000014 iron salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- VSEAAEQOQBMPQF-UHFFFAOYSA-N morpholin-3-one Chemical group O=C1COCCN1 VSEAAEQOQBMPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002891 organic anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- XSXHWVKGUXMUQE-UHFFFAOYSA-N osmium dioxide Inorganic materials O=[Os]=O XSXHWVKGUXMUQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003452 oxalyl group Chemical group *C(=O)C(*)=O 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003283 rhodium Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229940087562 sodium acetate trihydrate Drugs 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229960000999 sodium citrate dihydrate Drugs 0.000 description 1
- HLWRUJAIJJEZDL-UHFFFAOYSA-M sodium;2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]acetate Chemical compound [Na+].OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O HLWRUJAIJJEZDL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005556 structure-activity relationship Methods 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical class [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000626 sulfinic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003866 tertiary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003475 thallium Chemical class 0.000 description 1
- 125000001391 thioamide group Chemical group 0.000 description 1
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea group Chemical group NC(=S)N UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- AGXLJXZOBXXTBA-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate decahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O AGXLJXZOBXXTBA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、支持体上にハロゲン化
銀乳剤層を有する写真感光材料に関し、更に詳しくは高
コントラストが得られるハロゲン化銀写真感光材料に関
する。 【0002】 【発明の背景】写真製版過程には連続階調の原稿を網点
画像に変換する工程が含まれる。この工程には超硬調の
画像再現をなし得る技術として、伝染現像による技術が
用いられてきた。 【0003】伝染現像に用いられるリス型ハロゲン化銀
写真感光材料は、たとえば平均粒子径が0.2μmで粒
子分布が狭く粒子の形も揃っていて、かつ塩化銀の含有
率の高い(少なくとも50モル%以上)塩臭化銀乳剤よ
りなる。このリス型ハロゲン化銀写真感光材料を亜硫酸
イオン濃度が低いアルカリ性ハイドロキノン現像液、い
わゆるリス型現像液で処理することにより、高いコント
ラスト、高鮮鋭度、高解像力の画像が得られる。 【0004】しかしながら、これらのリス型現像液は空
気酸化を受けやすいことから保恒性が極めて悪いため、
連続使用の際においても、現像品質を一定に保つことは
難しい。上記のリス型現像液を使わずに迅速に、かつ高
コントラストの画像を得る方法が知られている。例えば
特開昭56−106244号公報等に見られるように、
ハロゲン化銀写真感光材料中にヒドラジン誘導体を含有
せしめるものである。 【0005】これらの方法によれば、保恒性がよく、迅
速処理可能な現像液で処理することによって硬調な画像
が得ることができるが、ヒドラジン誘導体の硬調性を十
分発揮させるためにpH11.0以上のpHを有する現
像液で処理しなければならなかった。pH11.0以上
の高pH現像液は、空気にふれると現像主薬が酸化しや
すく、リス現像液より安定であるとはいえ、現像主薬の
酸化によって、しばしば超硬調な画像が得られないこと
がある。 【0006】この欠点を補うため、特開昭63−297
51号公報及びヨーロッパ特許333,435号、同3
45,025号明細書等には、比較的低pHの現像液で
も硬調化する硬調化剤を含むハロゲン化銀写真感光材料
が開示されている。しかし、これらのような硬調化剤を
含むハロゲン化銀写真感光材料をpH11.0未満の現
像液で処理した場合、いま一つ硬調化が不十分であり、
満足な網点性能が得られないのが現状である。 【0007】また、ハロゲン化銀写真感光材料において
は、ポリエチレンテレフタレートのような支持体が一般
に使用されるが、特に冬季の如き低湿度においては帯電
し易いという問題がある。感光材料が帯電すると、その
放電によりスタチックマークがでたり、またはゴミ等の
異物を付着し、これによりピンホールを発生させたりし
て著しく品質を劣化し、その修正のため非常に作業性を
おとすことがあり、改良が強く望まれていた。 【0008】 【発明の目的】本発明の目的は、pH11未満の現像液
で処理しても硬調な写真特性を有し、しかも帯電防止特
性に優れ、特にピンホールの発生が少ないハロゲン化銀
写真感光材料を提供することにある。 【0009】 【発明の構成】本発明の上記目的は、下記の各構成によ
って達成される。 (1)支持体上に少なくとも1層のハロゲン化銀写真乳
剤層を有するハロゲン化銀写真感光材料において、該ハ
ロゲン化銀乳剤層及び/またはその隣接層中に下記式1
及び式2で表されるヒドラジン誘導体を少なくとも1種
と、アミン化合物及び4級オニウム塩から選ばれる少な
くとも1種の造核促進化合物を含有し、前記ハロゲン化
銀乳剤層と支持体の中間及び/または、該乳剤層に対し
て支持体の反対側に導電性層を有することを特徴とする
ハロゲン化銀写真感光材料。 【0010】 【式1】 【0011】 【式2】 【0012】〔式1又は式2において、Aはアリール基
または、硫黄原子又は酸素原子を少なくとも一つ含む複
素環基を表し、nは1又は2の整数を表す。n=1の時
、R1 及びR2 はそれぞれ水素原子、アルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、
ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、ア
ルキニルオキシ基、アリールオキシ基、又はヘテロ環オ
キシ基を表し、R1 とR2 【0013】は窒素原子と共に環を形成してもよい。n
=2の時、R1 及びR2 はそれぞれ水素原子、アル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、飽
和又は不飽和複素環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、
アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオ
キシ基、又はヘテロ環オキシ基を表す。ただしn=2の
時、R1 及びR2 のうち少なくとも一方はアルケニ
ル基、アルキニル基、飽和複素環 【0014】基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基
、又はヘテロ環オキシ基を表すものとする。R3 はア
ルキニル基又は飽和複素環基を表す。式1又は式2で表
される化合物には、これら式中の−NHNH−の少なく
ともいずれかのHが置換基で置換されたものを含む。〕
【0015】(2)前記第1項記載の導電性層が、水溶
性導電性ポリマーと疎水性ポリマー粒子と硬化剤を含有
することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 (3)前記第1項又は第2項記載の導電性層が、金属酸
化物を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光
材料。 【0016】尚、本発明の好ましい態様としては、上記
導電性層が、水溶性導電性ポリマーと疎水性ポリマー粒
子と硬化剤を含有することが望ましい。以下、本発明を
更に詳細に説明する。前記式1又は式2について、更に
詳しく説明すると、Aはアリール基又は、硫黄原子又は
酸素原子を少なくとも一つ含む複素環基を表す。 【0017】R1 及びR2 はそれぞれ水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、
複素環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオ
キシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、又は
ヘテロ環オキシ基を表し、n=1の時、R1 とR2
とは環を形成してもよい。 【0018】ただしn=2の時、R1 及びR2 のう
ち少なくとも一方はアルケニル基、アルキル基、飽和複
素環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキ
シ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基又はヘテ
ロ環オキシ基を表す。R3 で表されるアルキニル基及
び飽和複素環基の具体例は、上述したようなものが挙げ
られる。Aで表されるアリール基、又は、硫黄原子又は
酸素原子を少なくとも一つ有する複素環基に、種々の置
換基が導入できる。これらの置換基のうちスルホンアミ
ド基、アルキルアミノ基、アルキリデンアミノ基等が好
ましい。 【0019】各式中のAは耐拡散基又はハロゲン化銀吸
着促進基を少なくとも一つ含むことが好ましい。耐拡散
基としてはカプラー等の不動性写真用添加剤において常
用されているバラスト基が好ましい。このバラスト基は
8以上の炭素数を有する写真性に対して比較的不活性な
基であり、例えばアルキル基、アルコキシ基、フェニル
基、アルキルフェニル基、フェノキシ基、アルキルフェ
ノキシ基などの中から選ぶことができる。 【0020】ハロゲン化銀吸着促進基は、チオ尿素基、
チオウレタン基、複素環チオアミド基、メルカプト複素
環基、トリアゾール基等の米国特許第4,385,10
8号に記載された基が挙げられる。式1及び式2中の−
NHNH−のH、即ちヒドラジン基の水素原子は、スル
ホニル基、アシル基、オキザリル基等の置換基で置換さ
れていてもよく、式1及び式2で表される化合物はこの
ようなものも含む。 【0021】本発明においてより好ましい化合物は、式
1のn=2の場合の化合物、及び式2の化合物である。 式1のn=2の化合物において、R1 及びR2 が水
素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ア
リール基、飽和又は不飽和複素環基、ヒドロキシ基、又
はアルコキシ基であり、かつR1 及びR2 のうち少
なくとも一方はアルケニル基、アルキニル基、飽和複素
環基、ヒドロキシ基、又はアルコキシ基を表す化合物が
更に好ましい。 【0022】上記記載の各置換基についての詳しい説明
と上記式1及び式2で表される代表的な化合物について
は、特願平2−234203号明細書に記載されている
。特に好ましくは、以下に示すものがあるが、本発明に
おいて用い得る式1及び式2の具体的化合物は、これら
の化合物に限定されるものではない。 【0023】 【化1】 【0024】 【化2】 【0025】本発明において式1及び式2で表される化
合物と併用される造核促進化合物のアミン化合物、四級
オニウム塩化合物としては下記の式3〜式12の化合物
が挙げられる。下記式3〜式12で表される代表的な化
合物としては、特願平2−234203号明細書に詳し
く記載されている。 【0026】式3 R1 −N(R2
)R3 〔式中、R1 ,R2 ,R3 は水素原子又
は置換基を表す。R1 ,R2 ,R3 は互いに連結
して環を形成してもよい。R1 ,R2 ,R3 が表
す置換基としては、例えばアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基等が挙げられる
。R1 ,R2 ,R3 は互いに連結して環を形成し
てもよい。R1 ,R2 ,R3 で表される基には置
換基が置換してもよい。R1 ,R2 ,R3 として
は、水素原子及びアルキル基が好ましい。〕以下に式3
で表される好ましい具体例を挙げる。 【0027】 【化3】 【0028】 【式4】 【0029】〔式中、QはN又はP原子を表す。R1
,R2 ,R3 ,R4 は水素原子又は置換可能な基
を表す。 X− はアニオンを表す。R1 ,R2 ,R3 ,R
4 は互いに連結して環を形成してもよい。R1 ,R
2 ,R3 ,R4 で表される置換可能な基としては
式3のR1 ,R2 ,R3 で説明した 【0030】ものが挙げられる。R1 ,R2 ,R3
,R4 が形成し得る環として説明したものと同様の
ものが挙げられる。X− が表すアニオンとしてはハロ
ゲン化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン
、パラトルエンスルホン酸イオン等の無機及び有機のア
ニオンが挙げられる。〕以下に式4で表される化合物の
好ましい具体例を挙げる。 【0031】 【化4】 【0032】 式5 R1 (R2 )N−A−Y−R
3 〔式中、R1 ,R2 はアルキル基を表し、R1
とR2 は連結して環を形成してもよい。R3 はア
ルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、Aはアルキ
レン基を表す。 【0033】Yは−CONR4 −,−OCONR4
−,NR4 CONR4 −,−NR4 COO−,−
COO−,−OCO−,−CO−,−OCOO−,−N
R4 CO−,−SO2 NR4 −,−NR4 SO
2 −,−NR4 SO2 NR4 −,−SO2 −
,−S−,−O−,−NR1 −,−N=基を表し、R
4 水素原子もしくはアルキル基を表す。 【0034】R1 ,R2 で表されるアルキル基とし
ては、式3で説明したR1 ,R2 ,R3 のアルキ
ル基と同様のものが挙げられ、形成する環も同様のもの
が挙げられる。R3 で表されるアルキル基、アリール
基、ヘテロ環基も式3のR1 ,R2 ,R3 の表す
アルキル基、アリール基、ヘテロ環基と同様のものが挙
げられる。Aの基は置換されているものも含む。R4
で表されるアルキル基は炭素数1〜5の低級アルキル基
又はアラルキル基(例えばベンジル基など)が好ましい
。〕以下に式5で表される化合物の好ましい具体例を挙
げる。 【0035】 【化5】 【0036】式6 R1 (R2 )N
−E〔式中、R1 ,R2 は水素原子、アルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基
を表し、R1 ,R2,Eで環を形成してもよい。Eは
下記の基1で表される基を少なくとも1つ含む基である
。 【0037】 【基1】 【0038】nは2以上の整数を表す。R1 ,R2
で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
アリール基、ヘテロ環基及びR1 ,R2 ,Eで形成
される環としては、式3のR1 ,R2 ,R3 で説
明したものとが同様のものが挙げられる。〕以下に式6
で表される化合物の好ましい具体例を挙げる。 【0039】 【化6】 【0040】式7 R1 (R2 )N
−L−R3〔式中、R1 ,R2 ,R3 はアルキル
基、アルキニル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ
環基を表す。但し、R1 ,R2 ,R3 のうち少な
くとも一つはアルケニル基又はアルキニル基を表すか又
はR1 ,R2 ,のうち少なくとも一つはアリール基
又はヘテロ環基を表すものとする。R1 ,R2,L,
R3 で環を形成してもよい。 Lは連結基を表す。 【0041】R1 ,R2 ,R3 が表すアルキル基
、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環
基としては、式3のR1 ,R2 ,R3 で挙げた基
と同様のものが挙げられる。R1 ,R2 ,L,R3
で形成される環としては、例えばピペリジン、モルホ
リン、ピロリジン等のヘテロ環が挙げられる。Lで表さ
れる連結基としては例えば式5で挙げた−A−Y−が挙
げられる。〕以下に式7で表される好ましい化合物の具
体例を挙げる。 【0042】 【化7】 【0043】式8 R1 (R2 )N
−N(R3)−(L)m −R4 〔式中、R1 ,R2 ,R4 はアルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表す
。R3 は水素原子又は置換可能な基を表す。Lは連結
基を表し、nは0又は1の整数を表す。R1 ,R2
,R3 ,R4 で連結して環を形成してもよい。R1
,R2 ,R3 ,R4 で表されるアルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基と
しては、式3のR1 ,R2 ,R3で説明したものと
同様の基が挙げられる。 【0044】R3 で表される基のうち置換可能な基と
しては、例えばアルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リール、ヘテロ環等の各基であり、上述したものと同様
の基が挙げられる。Lは連結基を表すが例えば−CO−
,−COO−,−CONR5 −,−SO2 −,−S
O2 NR5 −等の基を表す。 【0045】R5 は水素原子又は置換可能な基を表す
。 R1 ,R2 ,R3 ,L,R4 で形成される環と
しては、例えばピペリジン、モルホリン等のヘテロ環が
挙げられる。〕以下に式8で表される好ましい化合物の
具体例を挙げる。 【0046】 【化8】 【0047】 【化9】 【0048】 【式9】 【0049】〔式中、R1 は水素原子又は置換可能な
基を表す。R2 はアルキル、アルケニル、アルキニル
、アリール、ヘテロ環の各基を表す。Lは連結基を表す
。 【0050】下記の核1は、含窒素ヘテロ環を表す。 【0051】 【核1】 【0052】nは0又は1の整数を表す。R1 は核1
と共に環を形成してもよい。R2 で表されるアルキル
、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロ環の各基
としては、式1のR1 ,R2 ,R3 で説明したの
と同様の基が挙げられる。 【0053】R1 で表される基のうち置換基としては
、例えば上記R2 で説明したものと同様の基が挙げら
れる。核1で表されるヘテロ環及びR1 と核1で形成
されるヘテロ環としては、例えばキヌクリジン、ピペリ
ジン、ピラゾリジン等のヘテロ環が挙げられる。〕好ま
しい具体例を次に示す。 【0054】 【化10】 【0055】 【化11】 【0056】 式10 R1 (R2 )N−N(R3 )
−R4 〔式中、R1 ,R2 はアルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表す
。R3 は水素原子又は置換可能な基を表す。R4 は
下記の基2で表される基を少なくとも一つを含む基であ
る。 【0057】 【基2】 【0058】Rは水素原子又はアルキル基を表し、Xは
O,S又はNH基を表し、Yは水素原子又はOH基を表
し、nは2以上の整数を表す。R1 ,R2 ,R3
,R4 で連結して環を形成してもよい。R1 ,R2
で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基
、アリール基、ヘテロ環基としては、式3のR1 ,R
2 ,R3 と同様の基で説明したものと同じものが挙
げられる。 【0059】R3 で表される基のうち置換基としては
、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ア
リール基、ヘテロ環基、アシル基、スルホニル基、オキ
シカルボニル基、カルバモイル基等が挙げられる。R3
で表される置換基のうちアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、式3
のR1 ,R2 ,R3 で説明したのと同様の基が挙
げられる。 【0060】また、その他アシル基、スルホニル基、オ
キシカルボニル基、カルバモイル基が挙げられる。 R1 ,R2 ,R3 ,R4 で形成される環として
は、ピペリジン、モルホリノン等の環が挙げられる。R
で表される基のうちアルキル基はメチル基が好ましい。 〕以下に式10で表される化合物の好ましい具体例を挙
げる。 【0061】 【化12】 【0062】 【化13】 【0063】式11 R1 (R2 )N−
T〔式中、R1 ,R2 は水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を
表し、R1 ,R2,Tで環を形成してもよい。Tは前
述の基2で表される各基を少なくとも一つ含む基である
。 【0064】Rは水素原子又はアルキル基を表し、Xは
O,S又はNH基を表し、Yは水素原子又はOH基を表
し、nは2以上の整数を表す。但しRが水素原子のとき
、XはS又はNH基を表すものとする。R1 ,R2
で表される基のうちアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、式3のR1
,【0065】R2 ,R3 で説明したものと同様
の基が挙げられる。R1 ,R2 ,Tで形成される環
としてはピペリジン、モルホリン、キヌクリジン、ピラ
ゾリジン等のヘテロ環が挙げられる。Rで表されるアル
キル基としてはメチル基が好ましい。〕以下に式11で
表される化合物の好ましい具体例を挙げる。 【0066】 【化14】 【0067】式12 R1 (R2 )N−
G〔式中、R1 ,R2 は水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を
表し、R1 ,R2,Gで環を形成してもよい。Gは前
記式6の置換基Eと同様の基を少なくとも一つ含み、か
つ疎水性置換基定数π値が−0.5〜−1.0の置換基
を少なくとも2つ含むか又はπ値が−1.0より【00
68】小の置換基を少なくとも1つ含むものとする。n
は2以上の整数を表す。R1 ,R2 で表される基の
うちアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘ
テロ環の各基としては、式3のR1 ,R2 ,R3
で説明したものと同様の基が挙げられる。R1 ,R2
,Gで形成される環としてはピペリジン、キヌクリジ
ン、モルホリン等の環が挙げられる。 【0069】疎水性置換基定数πについては薬物の構造
活性相関(南江堂)P79〜P103(昭和54年)に
記載されている。π値が−0.5〜−1.0の置換基と
しては例えば、−CN,−OH,−OSO2 CH3
,−OCOCH3 ,−SO2 N(CH3 )2 ,
−NHCOCH3 ,下記の基3等の基が挙げられる。 【0070】 【基3】 【0071】π値が−1.0より小の置換基としては例
えば、−CONH2,−CONHOH,−CONHCH
3 ,−NH2 ,−NHCONH2 ,−NHCSN
H2 −,−NHSO2 CH3 ,−N+ (CH3
)3 ,−O− ,−OCONH2 ,−SO3 −
,−SO2 NH2 ,−SOCH3 ,−SO2 C
H3 ,−COO− 等の基が挙げられる。〕以下に式
12で表される化合物の好ましい具体例を挙げる。 【0072】 【化15】 【0073】本発明に用いられるヒドラジン誘導体であ
る式1及び式2の化合物と造核促進化合物の添加量は、
好ましくは5×10−7〜5×10−1モル/Agモル
であり、特に好ましくは5×10−6〜1×10−2モ
ル/Agモルである。 【0074】本発明において導電性層を形成する代表的
方法としては、水溶性導電性ポリマー、疎水性ポリマー
粒子、硬化剤等を用いて形成する方法と、金属酸化物を
用いて形成する方法がある。詳しくは、特願平2−22
6971号明細書に記載されている。 【0075】本発明の水溶性導電性ポリマーについては
、スルホン酸基、硫酸エステル基、4級アンモニウム塩
、3級アンモニウム塩、カルボキシル基から選ばれる少
なくとも1つの導電性基を有するポリマーが挙げられる
。導電性基はポリマー1分子当たり5重量%以上を必要
とする。水溶性の導電性ポリマー中には、ヒドロキシ基
、アミノ基、エポキシ基、アジリジン基、活性メチレン
基、スルフィン酸基、アルデヒド基、ビニルスルホン基
を含んでいてもよい。 【0076】ポリマーの分子量は3,000〜100,
000であり、好ましくは3,500〜50,000で
ある。以下、本発明に用いられる水溶性導電性ポリマー
の化合物例を挙げるがこれに限定されるものではない。 【0077】 【化16】 【0078】 【化17】 【0079】尚、上記A−1〜A−4において、Mnは
平均分子量(本明細書中、平均分子量とは数平均分子量
を示す。)を表し、ポリエチレングリコール換算で表し
たGPCによる測定値によるものである。本発明に用い
られる水溶性導電性ポリマーの添加量は、50mg/m
2 〜2000mg/m2 であり、特に好ましくは1
00mg/m2 〜1000mg/m2 である。 【0080】本発明の水溶性導電性ポリマー層中に含有
させる疎水性ポリマー粒子は、実質的に水に溶解しない
所謂ラテックスで構成されている。この疎水性ポリマー
は、任意の組み合わせで選ばれるモノマーを重合して得
られる。特にスチレン誘導体、アルキルアクリレート、
アルキルメタクリレートが少なくとも30モル%含有さ
れているのが好ましい。特に50モル%以上が好ましい
。 【0081】本発明のラテックスに含有させるアミド基
を有するモノマーとしては、下記式13で表されるもの
が好ましい。 【0082】 【式13】 【0083】〔式中、Rは水素原子、炭素数1〜4の低
級アルキル基を表す。Lは2価の基、aは0または1を
表す。R1 、R2 は水素原子、炭素数1〜6の低級
アルキル基を表す。〕本発明のモノマーの具体例を挙げ
る。 【0084】 【化18】 【0085】 【化19】 【0086】疎水性ポリマーをラテックス状にするには
乳化重合する、固体状のポリマーを低沸点溶媒に溶かし
て微分散後、溶媒を溜去するという2つの方法があるが
、粒径が細かくしかもそろったものができるという点で
乳化重合することが好ましい。疎水性ポリマーの分子量
は3000以上であれば良く、分子量による透明性の差
はほとんどない。 【0087】本発明の疎水性ポリマーラテックスにポリ
アルキレンオキシド鎖を導入する方法としては、ポリア
ルキレンオキシド鎖を有するモノマーを共重合させるこ
とによる方法が好ましい。モノマーは、下記式14で表
されるものが好ましい。 【0088】 【式14】 【0089】ここでRは、水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、−CH2 −L−Xを表し、Lは、−C
OO−、−CON(R1 )−、または炭素数6から1
2のアリール基を表す。R1 は、水素原子、アリール
基、低級アルキル基、Xを表し、Xは、下記の基4を表
す。 【0090】 【基4】 【0091】R2 は−CH2 CH2 −、−CH2
CH(CH3 )、−CH2 CH2 CH2 −、
−CH2 CH(CH3 )CH2 −、−CH2 C
H2 CH2 CH2 −、−CH2 CH(OH)C
H2 −から選ばれる少なくとも1種からなり、R3
は水素原子、低級アルキル基、アルキルスルホン酸又は
その塩、アルキルカルボン酸基またはその塩を表す。n
は2以上で70以下の整数である。 次にこれらモノマー具体例を挙げる。 【0092】 【化19】 【0093】以下に本発明のラテックスの具体例を挙げ
る。 【0094】 【化20】 【0095】 【化21】 【0096】本発明のエポキシ化合物としては、ヒドロ
キシ基またはエーテル縮合を含有擦るものが好ましい。 本発明のエポキシ化合物の具体例を挙げる。 【0097】 【化22】 【0098】 【化23】 【0099】帯電防止層に含まれる疎水性ポリマーラテ
ックスの添加量は、好ましくは、10mg/m2 〜1
000mg/m2 、特に好ましくは100mg/m2
から500mg/m2 、水溶性導電性ポリマーの添
加量は、好ましくは50mg/m2 から2000mg
/m2 、特に好ましくは100mg/m2 〜100
0mg/m2 、エポキシ系化合物の添加量は、好まし
くは10mg/m2 〜500mg/m2 、特に好ま
しくは50mg/m2 〜300mg/m2 である。 【0100】帯電防止層には分散剤を用いることができ
、かかる分散剤としてはノニオン活性剤が用いられ、ポ
リアルキレンオキサイド化合物が好ましく用いられる。 本発明において用いられるポリアルキレンオキサイド化
合物とは、分子中に少なくとも2以上、多くとも500
以下のポリアルキレンオキサイド鎖を含む化合物をいい
、活性水素原子を有すかる化合物との縮合反応により、
またはポリプロピレングリコール、ポリオキシテトラメ
チレン重合体などのポリオールに脂肪族メルカプタン、
有機アミン、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイ
ドなどを縮合させて合成することができる。 【0101】上記ポリアルキレンオキサイド化合物は、
分子中の、ポリアルキレンオキサイド鎖は1個ではなく
2ケ所以上に分割されたブロック共重合体であってもよ
い。この際、ポリアルキレンオキサイドの合計重合度は
3以上で100以下が好ましい。本発明において任意に
用いられる上記ポリアルキレンオキサイド化合物の具体
例を以下に示す。 【0102】 【化24】 【0103】 【化25】 【0104】次に金属酸化物を用いて導電性層を形成す
る方法を説明する。金属酸化物として好ましいのは、結
晶性の金属酸化粒子であるが、酸素欠陥を含むもの及び
用いられる金属酸化物に対してドナーを形成する異種原
子を少量含むもの等は一般的的に言って導電性が高いの
で特に好ましく、特に後者の用いられる金属酸化物に対
してドナーを形成する異種原子を少量含むものは、ハロ
ゲン化銀乳剤にカブリを与えないので特に好ましい。 【0105】金属酸化の例としては、ZnO2 、Ti
O2 、SnO2 、Al2 O3 、In2 O3
、SiO2 、MgO、BaO、MoO3 、V2 O
5 等或いはこれらの複合酸化物が好ましく、特にZn
O2 、TiO2 、SnO2 が好ましい。異種原子
を含む例としては例えばSnOに対してSb等の添加あ
るいはTiO2 に対してはNb、Ta等の添加が効果
的である。これら異種原子の添加量は0.01〜30モ
ル%の範囲が好ましいが、0.1〜10モル%の範囲で
あれば特に好ましい。 【0106】本発明に用いられる金属酸化物の粒子は、
導電性を有するものであり、その体積抵抗率は107
Ωcm以下、特に105 Ωcm以下であることが好ま
しい。この酸化物については特開昭56−143431
号、同56−120519号、同58−62647号等
に記載されている。 【0107】金属酸化物の粒子はバインダー中に分散又
は溶解させて用いられる。金属酸化物をより効果的に使
用して導電性層の抵抗を下げるために、導電性層中にお
ける金属酸化物の体積含有率は高い方が好ましいが、層
としての強度を十分に持たせるために最低5%程度のバ
インダーが必要であるので、金属酸化物の体積百分率は
5〜95%の範囲が好ましい。 【0108】金属酸化物の使用量は0.05〜10g/
m2 が好ましく、より好ましくは0.01〜5g/m
2 である。これにより帯電防止性が得られる。本発明
において、導電性層はハロゲン化銀乳剤層と支持体の中
間および/または該乳剤層に対して支持体の反対側に設
けられる。即ち透明支持体の感光性乳剤面側に設けられ
てもよいし、あるいは感光性乳剤面に対して透明支持体
の反対側、いわゆる背面に設けられてもよい。 【0109】かかる導電性層は、透明支持体上に塗布に
よって形成される。透明支持体は写真用のもの全てが使
えるが、好ましくは、可視光を90%以上透過するよう
に作られたポリエチレンテレフタレートまたセルロース
トリアセテートである。 【0110】これらの透明支持体は、当業者に良く知ら
れた方法で作成されるものであるが、場合によっては染
料を若干添加して青味付けしたりしても良い。支持体は
、コロナ放電処理をした後ラテックスポリマーを含有す
る下引層が塗設されていてもよい。コロナ放電処理は、
エネルギー値として1mW〜1KW/m2 minが特
に好ましく適用される。また特に好ましくは、ラテック
ス下引層を塗布後、導電性層を塗設する前にコロナ放電
処理を再度行うとよい。 【0111】本発明の写真感光材料に含まれる式1又は
2式のヒドラジン誘導体及び式3〜式12の造核促進化
合物の量は、写真感光材料中に含有されるハロゲン化銀
1モル当たり5×10−7モル〜5×10−1モルであ
ることが好ましい。特に5×10−6モル〜1×10−
2モルの範囲とすることが好ましい。 【0112】本発明のハロゲン化銀写真感光材料のハロ
ゲン化銀乳剤層は、支持体の片面に少なくとも一層設け
られていることもあるし、支持体の両面に少なくとも一
層設けられていることもある。そして、このハロゲン化
銀乳剤は支持体上に直接塗設されるか、或いは他の層例
えばハロゲン化銀乳剤を含まない親水性コロイド層を介
して塗設することもでき、更にハロゲン化銀乳剤層の上
には、保護層を塗設してもよい。 【0113】またハロゲン化銀乳剤層は、異なる感度、
例えば高感度及び低感度の各ハロゲン化銀乳剤層に分け
て塗設してもよい。この場合、各ハロゲン化銀乳剤層の
間に、中間層を設けてもよい。またハロゲン化銀乳剤層
と保護層との間に、中間層、保護層、アンチハレーショ
ン層、バッキング層等の非感光性親水性コロイド層を設
けてもよい。 【0114】次に本発明のハロゲン化銀写真感光材料に
用いるハロゲン化銀について説明する。ハロゲン化銀と
しては、4モル%以下の沃化銀、好ましくは3モル%以
下の沃化銀を含む塩沃臭化銀、もしくは沃臭化銀である
。このハロゲン化銀の粒子の平均粒径は0.05〜0.
5μmの範囲のものが好ましく用いられるが、中でも0
.10〜0.40μmのものが好適である。 【0115】本発明で用いるハロゲン化銀粒子の粒径分
布は任意であるが、以下定義する単分散度の値が1〜3
0のものが好ましく、更に好ましくは5〜20の範囲と
なるように調製する。ここで単分散度は、粒径の標準偏
差を平均粒径で割った値を100倍した数値として定義
されるものである。なおハロゲン化銀粒子の粒径は、便
宜上、立方晶粒子の場合は稜長で表し、その他の粒子(
8面体、14面体等)は、投影面積の平方根で算出する
。 【0116】本発明を実施する場合、例えばハロゲン化
銀の粒子として、その構造が少なくとも2層の多層構造
を有するタイプのものを用いることができ、例えばコア
部に沃臭化銀、シェル部が臭化銀である沃臭化銀粒子か
ら成るものを用いることができる。このとき、沃素を任
意の層に5モル%以内で含有させることができる。 【0117】本発明のハロゲン化銀乳剤に用いられるハ
ロゲン化銀粒子は、粒子を形成する過程及び/又は成長
させる過程で、カドミウム塩、亜鉛塩、鉛塩、タリウム
塩、イリジウム塩(これを含む錯塩)、ロジウム塩(こ
れ含む錯塩)及び鉄塩(これを含む錯塩)から選ばれる
少なくとも1種を用いて金属イオンを添加し、粒子内部
及び/又は粒子表面にこれらの金属原子を含有させるこ
とができ、また適当な還元的雰囲気におくことにより、
粒子内部及び/又は粒子表面に還元増感核を付与できる
。 【0118】更に又、ハロゲン化銀は種々の化学増感剤
によって増感することができる。又、本発明に用いられ
るハロゲン化銀乳剤は、メルカプト類(1−フェニル−
5−メルカプトテトラゾール、2−メルカプトベンツチ
アゾール等)、ベンゾトリアゾール類(5−ブロムベン
ゾトリアゾール−5−メチルベンゾトリアゾール等)、
ベンツイミダゾール類(6−ニトロベンツイミダゾール
等)、インダゾール類(5−ニトロインダゾール等)な
どを用いて安定化またはカブリ抑制を行うことができる
。 【0119】感光性ハロゲン化銀乳剤層又はその隣接層
には、感度上昇、コントラスト上昇または現像促進の目
的で、リサーチ・ディスクロージャー(Researc
hDisclousure)17463号のXXI項B
〜Dに記載されている化合物を添加することができる。 本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤には、増感色素、
可塑剤、帯電防止剤、界面活性剤、硬膜剤などを加える
こともできる。 【0120】本発明に係わる一般式の化合物を親水性コ
ロイド層に添加する場合、該親水性コロイド層のバイン
ダーとしてはゼラチンが好適であるが、ゼラチン以外の
親水性コロイドも用いることができる。これらの親水性
バインダーは支持体の両面にそれぞれ10g/m2 以
下で塗設することが好ましい。 【0121】本発明に用いられる現像液はpH11未満
のものが使用できることが特徴である。好ましくはpH
10.0〜10.8のものが良い。又、現像液には無機
現像抑制剤及び有機現像抑制剤、金属イオン捕捉剤、現
像促進剤、界面活性剤、硬膜剤、イオン強度調整剤等の
添加を行うことは任意である。本発明において使用され
る現像液には、本発明に係わる化合物とは別に、有機溶
媒としてグリコール類を含有させてもよい。 【0122】 【実施例】以下実施例によって本発明を具体的に説明す
る。尚、当然のことではあるが、本発明は以下述べる実
施例に限定されるものではない。 実施例1 下引き処理したポリエチレンテレフタレートに8W/(
m2 ・min)のエネルギーでコロナ放電した後下記
構成の帯電防止液を、下記の付量になる様に30m/m
inの速さでロールフィットコーティングパン及びエア
ーナイフを使用して塗布した。 【0123】(導電性層を有する支持体の調製)下引き
処理した厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート
にコロナ放電した後、下記構成の帯電防止液を、下記の
付量になる様に70m/minの速さでロールフィット
コーティングパン及びエアーナイフを使用して塗布した
。 【0124】 水溶性導電性ポリマーA(表1)
0.6g/m2 疎水性
ポリマー粒子B−4
0.4g/m2 ポリエ
チレンオキサイド化合物(分子量 500)
0.06g/m2 硬化剤E−4
0.2g/m2 90℃、2分間乾
燥し、140℃、90秒間熱処理した。この導電性層を
支持体に塗布したものをそれぞれ表1のように調製した
。 【0125】(ハロゲン化銀写真乳剤Aの調製)同時混
合法を用いて沃臭化銀乳剤(銀1モル当たり沃化銀2モ
ル%)を調製した。この混合時にK2 IrCl6 を
銀1モル当たり8×10−7モル添加した。得られた乳
剤は平均粒径0.24μmの立方体単分散度粒子(変動
係数9%)からなる乳剤であった。 【0126】この乳剤に銀1モル当たり6.5ccの1
%沃化カリウム水溶液を添加した後、変成ゼラチン(特
願平1−180787号明細書記載の例示化合物G−8
)を加え、特願平1−180787号明細書記載の実施
例1と同様の方法で水洗、脱塩した。脱塩後の40℃の
pAgは8.0であった。さらに再分散時に抗菌剤とし
て化合物〔A〕、〔B〕、〔C〕、の混合物を添加した
。 【0127】 処方(1)(ハロゲン化銀乳剤層組成) ゼ
ラチン
2.0
g/m2 ハロゲン化銀乳剤Aの銀量
3
.2g/m2 増感色素:S−1
8 mg/m2 増感色素:S−
2
0.2mg/m2 安定
剤:4−メチル−6−ヒドロキシ−1,3,3a,7−
テトラザインデ ン
30mg/m2 【0128
】 カブリ防止剤:アデニン
10mg/
m2 界面活性剤:サポニン
0
.1g/m2 界面活性剤:Su−1
8mg/m2 本発明に係わるヒド
ラジン誘導体、及び造核促進剤 表1に
示す量 ラテックスポリマー(m:n=50:5
0) 1g/m2
ポリエチレングリコール分子量4000
0.1g/m2 硬
膜剤:H−1
60mg/m
2 【0129】 処方(2)〔乳剤保護層組成〕 ゼラチン
0.9g/m2 界面活性剤:Su−2
10g/m2 界面活性剤:
Su−3
10mg/m2 マッ
ト剤:平均粒径3.5μmのシリカ
3mg/m2 硬膜剤:ホ
ルマリン
30mg/m2 【013
0】 処方(3)(バッキング層組成) 化合物(a)
30mg/m2 化合物(b)
75mg/m2 化合物(c
)
30mg/m2
ゼラチン
2.4g/m2 界面活性剤:サポニン
0.1g/m2 界面活性剤:Su
−1
6mg/m2 硬化剤
:E−4
55mg/m2
【0131】 処方(4)〔バッキング保護層組成〕 ゼラ
チン
1.4g
/m2 マット剤:平均粒径3.0〜5.0μ
mのポリメチルメタクリート
15mg/m
2 界面活性剤:Su−2
10
mg/m2 塩化ナトリウム
80mg/m2 硬膜剤:グリオキ
ザール
25mg/m2 硬膜剤:H
−1
35mg/m2 【0132】 【化26】 【0133】 【化27】 【0134】 【化28】 【0135】(試料の作製)上記帯電防止層を有する支
持体を用いて、支持体上の片側に15W/(m2 ・m
in)のエネルギーでコロナ放電した後、下記処方(1
)のハロゲン化銀乳剤層をゼラチン量が2.0g/m2
、鉄量が3.2g/m2 になる様に塗設し、さらにそ
の上に下記処方(2)の乳剤保護層をゼラチン量が1.
0g/m2 になる様に塗設した。 【0136】また支持体上の片側に15W/(m2 ・
min)のエネルギーでコロナ放電した後、下記処方(
3)に従ってバッキング層をゼラチン量が2.4g/m
2 になる様に塗設し、さらにその上に下記処方(4)
のバッキング保護層をゼラチン量が1g/m2 になる
様に塗設して試料No.1〜19を得た。 【0137】得られた試料を、ステップウェッジを密着
し、3200Kのタングステン光で5秒間露光した後、
下記に示す組成の現像液及び定着液投入した迅速処理用
自動現像機にて下記条件で処理を行った。 【0138】 現像液処方 エチレンジアミン四酢酸ナトリウム塩
1g
亜硫酸ナトリウム
60g リン酸三ナトリウム(12水塩)
75g ハイドロキノン
22.5g 水酸化ナトリウム
8g 臭化ナ
トリウム
3g【0139】 5−メチルベンゾトリアゾール
0.25g
1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール
0.08g メトール
0.25
g 水を加えて
1リットル水酸化ナトリウムにてpHを10.
4に調製する。 【0140】 定着液処方 (組成A) チオ硫酸アンモニウム(72.5%W/V水溶液)
240ミリリットル 亜硫酸ナトリウム
17g 酢酸ナトリ
ウム・3水塩
6.5g 硼酸
6.0g クエン酸ナトリウム・2水塩
2.0g【0141】 (組成B) 純水(イオン交換水)
17ミリリットル
硫酸 (50%W/V水溶液)
4.7
g 硫酸アルミニウム(Al2 O3 換算含量が8
.1%W/V水溶液)
26.5g定着
液の使用時に水500ミリリットル中に上記組成A、組
成Bの順に溶かし、1リットルに仕上げて用いた。この
定着液のpHは酢酸で4.8に調製した。 【0142】 (現像処理条件) (工程) (温度
) (時間)
現像 40℃
15秒 定着
35℃
15秒 水洗
30℃
10秒 乾燥
50℃ 10
秒【0143】なお、処方(1)におけるハロゲン化銀
乳剤層に添加した本発明にかかるヒドラジン誘導体の比
較化合物としては以下の(d)の化合物を添加した。 【0144】 【化29】化合物(d) 【0145】得られた現像処済の試料をコニカデジタル
濃度計PDA−65で測定し、試料No.1の濃度3.
0における感度を100とした相対感度で示し、更に濃
度0.3と3.0との正接をもってガンマを表示した。 6未満のガンマ値では使用不可能であり、6以上1
0未満のガンマ値ではまだ不十分な硬調性能である。ガ
ンマ値10以上で超硬調な画像となり、十分に実用可能
となる。 【0146】〔ピンホール評価〕貼り込み用ベース上に
網フィルムを載せて、更に網フィルムの周辺を製版用の
透明なスコッチテープで固定しておき、露光現像処理し
た後、ピンホールの発生が無い時を5とし、最も発生が
多くて悪いレベルを1とした。尚、3以下は実用上問題
がある。この結果を表2に示した。 【0147】 表1 ヒドラジン誘導体 造
核促進剤 導電性ポリマー No
.構造 添加量(モル 構造 添加量(
モル 構造 添加量(モル
/モルAg) /モルAg)
A /モルAg) 1 a 2×
10−3 − −
− − 2
a 2×10−3 −
− 1 0.6
3 a 2×10−3 5−3
1.5×10−3 − −
4 a 2×10−3 5−
3 1.5×10−3 1 0.6
5 1 2×10−3 −
− −
− 6 1 2×10−
3 − −
1 0.6 7 1
2×10−3 5−3 1.5×10−3
− − 8 1
2×10−3 5−3 1.5×10−3
1 0.6 9 1
2×10−3 5−3 1.5×10−3
3 0.6 10 1 2
×10−3 1−3 1.5×10−3
1 0.6 11 1 2×1
0−3 1−3 1.5×10−3 3
0.6 12 3 2×10−
3 7−1 1.5×10−3 1
0.6 13 3 2×10−3
7−1 1.5×10−3 3
0.6 14 3 2×10−3
5−2 1.5×10−3 1 0.
6 15 3 2×10−3 5
−2 1.5×10−3 3 0.6
16 5 2×10−3 4−2
1.5×10−3 1 0.6
17 5 2×10−3 4−2
1.5×10−3 3 0.6 1
8 5 2×10−3 6−1 1.
5×10−3 1 0.6 19
5 2×10−3 6−1 1.5×
10−3 3 0.6 【0148】 【0149】表2からも明らかなように、pH11未満
の現像液で処理した場合、本発明にかかる試料No.8
〜19は、比較に対して硬調で、かつピンホールの発生
も少ないことがわかる。 【0150】実施例2 〔導電性層を有する支持体の調製〕厚さ100μmの下
引処理したポリエチレンテレフタレート支持体上にコロ
ナ放電した後、下記構成の導電性層を塗布した。 ゼラチン
35mg/m2 SnO2 /Sb(8/
2)(粒径0.3μm) 250mg/
m2 化合物(e)
5mg/m2 【0151】 【化30】 【0152】これを90℃、2分間乾燥し、140℃で
90秒間熱処理した。実施例1と全く同様にして、乳剤
層、乳剤保護層、裏面層、裏面保護層を設けて試料を作
製した。この試料を用い、実施例1と同様にして実験を
行った結果、実施例1と同等の結果が得られた。 【0153】 【発明の効果】本発明は、式1及び式2で示されるよう
なヒドラジン誘導体及び造核促進化合物を含むと共に導
電性層を有するので、pH11未満の現像液で処理して
も硬調な写真特性が得られ、かつ帯電防止特性に優れて
いるため、ピンホールの発生も少ないハロゲン化銀写真
感光材料を提供することができた。
銀乳剤層を有する写真感光材料に関し、更に詳しくは高
コントラストが得られるハロゲン化銀写真感光材料に関
する。 【0002】 【発明の背景】写真製版過程には連続階調の原稿を網点
画像に変換する工程が含まれる。この工程には超硬調の
画像再現をなし得る技術として、伝染現像による技術が
用いられてきた。 【0003】伝染現像に用いられるリス型ハロゲン化銀
写真感光材料は、たとえば平均粒子径が0.2μmで粒
子分布が狭く粒子の形も揃っていて、かつ塩化銀の含有
率の高い(少なくとも50モル%以上)塩臭化銀乳剤よ
りなる。このリス型ハロゲン化銀写真感光材料を亜硫酸
イオン濃度が低いアルカリ性ハイドロキノン現像液、い
わゆるリス型現像液で処理することにより、高いコント
ラスト、高鮮鋭度、高解像力の画像が得られる。 【0004】しかしながら、これらのリス型現像液は空
気酸化を受けやすいことから保恒性が極めて悪いため、
連続使用の際においても、現像品質を一定に保つことは
難しい。上記のリス型現像液を使わずに迅速に、かつ高
コントラストの画像を得る方法が知られている。例えば
特開昭56−106244号公報等に見られるように、
ハロゲン化銀写真感光材料中にヒドラジン誘導体を含有
せしめるものである。 【0005】これらの方法によれば、保恒性がよく、迅
速処理可能な現像液で処理することによって硬調な画像
が得ることができるが、ヒドラジン誘導体の硬調性を十
分発揮させるためにpH11.0以上のpHを有する現
像液で処理しなければならなかった。pH11.0以上
の高pH現像液は、空気にふれると現像主薬が酸化しや
すく、リス現像液より安定であるとはいえ、現像主薬の
酸化によって、しばしば超硬調な画像が得られないこと
がある。 【0006】この欠点を補うため、特開昭63−297
51号公報及びヨーロッパ特許333,435号、同3
45,025号明細書等には、比較的低pHの現像液で
も硬調化する硬調化剤を含むハロゲン化銀写真感光材料
が開示されている。しかし、これらのような硬調化剤を
含むハロゲン化銀写真感光材料をpH11.0未満の現
像液で処理した場合、いま一つ硬調化が不十分であり、
満足な網点性能が得られないのが現状である。 【0007】また、ハロゲン化銀写真感光材料において
は、ポリエチレンテレフタレートのような支持体が一般
に使用されるが、特に冬季の如き低湿度においては帯電
し易いという問題がある。感光材料が帯電すると、その
放電によりスタチックマークがでたり、またはゴミ等の
異物を付着し、これによりピンホールを発生させたりし
て著しく品質を劣化し、その修正のため非常に作業性を
おとすことがあり、改良が強く望まれていた。 【0008】 【発明の目的】本発明の目的は、pH11未満の現像液
で処理しても硬調な写真特性を有し、しかも帯電防止特
性に優れ、特にピンホールの発生が少ないハロゲン化銀
写真感光材料を提供することにある。 【0009】 【発明の構成】本発明の上記目的は、下記の各構成によ
って達成される。 (1)支持体上に少なくとも1層のハロゲン化銀写真乳
剤層を有するハロゲン化銀写真感光材料において、該ハ
ロゲン化銀乳剤層及び/またはその隣接層中に下記式1
及び式2で表されるヒドラジン誘導体を少なくとも1種
と、アミン化合物及び4級オニウム塩から選ばれる少な
くとも1種の造核促進化合物を含有し、前記ハロゲン化
銀乳剤層と支持体の中間及び/または、該乳剤層に対し
て支持体の反対側に導電性層を有することを特徴とする
ハロゲン化銀写真感光材料。 【0010】 【式1】 【0011】 【式2】 【0012】〔式1又は式2において、Aはアリール基
または、硫黄原子又は酸素原子を少なくとも一つ含む複
素環基を表し、nは1又は2の整数を表す。n=1の時
、R1 及びR2 はそれぞれ水素原子、アルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、
ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、ア
ルキニルオキシ基、アリールオキシ基、又はヘテロ環オ
キシ基を表し、R1 とR2 【0013】は窒素原子と共に環を形成してもよい。n
=2の時、R1 及びR2 はそれぞれ水素原子、アル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、飽
和又は不飽和複素環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、
アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオ
キシ基、又はヘテロ環オキシ基を表す。ただしn=2の
時、R1 及びR2 のうち少なくとも一方はアルケニ
ル基、アルキニル基、飽和複素環 【0014】基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基
、又はヘテロ環オキシ基を表すものとする。R3 はア
ルキニル基又は飽和複素環基を表す。式1又は式2で表
される化合物には、これら式中の−NHNH−の少なく
ともいずれかのHが置換基で置換されたものを含む。〕
【0015】(2)前記第1項記載の導電性層が、水溶
性導電性ポリマーと疎水性ポリマー粒子と硬化剤を含有
することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 (3)前記第1項又は第2項記載の導電性層が、金属酸
化物を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光
材料。 【0016】尚、本発明の好ましい態様としては、上記
導電性層が、水溶性導電性ポリマーと疎水性ポリマー粒
子と硬化剤を含有することが望ましい。以下、本発明を
更に詳細に説明する。前記式1又は式2について、更に
詳しく説明すると、Aはアリール基又は、硫黄原子又は
酸素原子を少なくとも一つ含む複素環基を表す。 【0017】R1 及びR2 はそれぞれ水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、
複素環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオ
キシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、又は
ヘテロ環オキシ基を表し、n=1の時、R1 とR2
とは環を形成してもよい。 【0018】ただしn=2の時、R1 及びR2 のう
ち少なくとも一方はアルケニル基、アルキル基、飽和複
素環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキ
シ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基又はヘテ
ロ環オキシ基を表す。R3 で表されるアルキニル基及
び飽和複素環基の具体例は、上述したようなものが挙げ
られる。Aで表されるアリール基、又は、硫黄原子又は
酸素原子を少なくとも一つ有する複素環基に、種々の置
換基が導入できる。これらの置換基のうちスルホンアミ
ド基、アルキルアミノ基、アルキリデンアミノ基等が好
ましい。 【0019】各式中のAは耐拡散基又はハロゲン化銀吸
着促進基を少なくとも一つ含むことが好ましい。耐拡散
基としてはカプラー等の不動性写真用添加剤において常
用されているバラスト基が好ましい。このバラスト基は
8以上の炭素数を有する写真性に対して比較的不活性な
基であり、例えばアルキル基、アルコキシ基、フェニル
基、アルキルフェニル基、フェノキシ基、アルキルフェ
ノキシ基などの中から選ぶことができる。 【0020】ハロゲン化銀吸着促進基は、チオ尿素基、
チオウレタン基、複素環チオアミド基、メルカプト複素
環基、トリアゾール基等の米国特許第4,385,10
8号に記載された基が挙げられる。式1及び式2中の−
NHNH−のH、即ちヒドラジン基の水素原子は、スル
ホニル基、アシル基、オキザリル基等の置換基で置換さ
れていてもよく、式1及び式2で表される化合物はこの
ようなものも含む。 【0021】本発明においてより好ましい化合物は、式
1のn=2の場合の化合物、及び式2の化合物である。 式1のn=2の化合物において、R1 及びR2 が水
素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ア
リール基、飽和又は不飽和複素環基、ヒドロキシ基、又
はアルコキシ基であり、かつR1 及びR2 のうち少
なくとも一方はアルケニル基、アルキニル基、飽和複素
環基、ヒドロキシ基、又はアルコキシ基を表す化合物が
更に好ましい。 【0022】上記記載の各置換基についての詳しい説明
と上記式1及び式2で表される代表的な化合物について
は、特願平2−234203号明細書に記載されている
。特に好ましくは、以下に示すものがあるが、本発明に
おいて用い得る式1及び式2の具体的化合物は、これら
の化合物に限定されるものではない。 【0023】 【化1】 【0024】 【化2】 【0025】本発明において式1及び式2で表される化
合物と併用される造核促進化合物のアミン化合物、四級
オニウム塩化合物としては下記の式3〜式12の化合物
が挙げられる。下記式3〜式12で表される代表的な化
合物としては、特願平2−234203号明細書に詳し
く記載されている。 【0026】式3 R1 −N(R2
)R3 〔式中、R1 ,R2 ,R3 は水素原子又
は置換基を表す。R1 ,R2 ,R3 は互いに連結
して環を形成してもよい。R1 ,R2 ,R3 が表
す置換基としては、例えばアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基等が挙げられる
。R1 ,R2 ,R3 は互いに連結して環を形成し
てもよい。R1 ,R2 ,R3 で表される基には置
換基が置換してもよい。R1 ,R2 ,R3 として
は、水素原子及びアルキル基が好ましい。〕以下に式3
で表される好ましい具体例を挙げる。 【0027】 【化3】 【0028】 【式4】 【0029】〔式中、QはN又はP原子を表す。R1
,R2 ,R3 ,R4 は水素原子又は置換可能な基
を表す。 X− はアニオンを表す。R1 ,R2 ,R3 ,R
4 は互いに連結して環を形成してもよい。R1 ,R
2 ,R3 ,R4 で表される置換可能な基としては
式3のR1 ,R2 ,R3 で説明した 【0030】ものが挙げられる。R1 ,R2 ,R3
,R4 が形成し得る環として説明したものと同様の
ものが挙げられる。X− が表すアニオンとしてはハロ
ゲン化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン
、パラトルエンスルホン酸イオン等の無機及び有機のア
ニオンが挙げられる。〕以下に式4で表される化合物の
好ましい具体例を挙げる。 【0031】 【化4】 【0032】 式5 R1 (R2 )N−A−Y−R
3 〔式中、R1 ,R2 はアルキル基を表し、R1
とR2 は連結して環を形成してもよい。R3 はア
ルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、Aはアルキ
レン基を表す。 【0033】Yは−CONR4 −,−OCONR4
−,NR4 CONR4 −,−NR4 COO−,−
COO−,−OCO−,−CO−,−OCOO−,−N
R4 CO−,−SO2 NR4 −,−NR4 SO
2 −,−NR4 SO2 NR4 −,−SO2 −
,−S−,−O−,−NR1 −,−N=基を表し、R
4 水素原子もしくはアルキル基を表す。 【0034】R1 ,R2 で表されるアルキル基とし
ては、式3で説明したR1 ,R2 ,R3 のアルキ
ル基と同様のものが挙げられ、形成する環も同様のもの
が挙げられる。R3 で表されるアルキル基、アリール
基、ヘテロ環基も式3のR1 ,R2 ,R3 の表す
アルキル基、アリール基、ヘテロ環基と同様のものが挙
げられる。Aの基は置換されているものも含む。R4
で表されるアルキル基は炭素数1〜5の低級アルキル基
又はアラルキル基(例えばベンジル基など)が好ましい
。〕以下に式5で表される化合物の好ましい具体例を挙
げる。 【0035】 【化5】 【0036】式6 R1 (R2 )N
−E〔式中、R1 ,R2 は水素原子、アルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基
を表し、R1 ,R2,Eで環を形成してもよい。Eは
下記の基1で表される基を少なくとも1つ含む基である
。 【0037】 【基1】 【0038】nは2以上の整数を表す。R1 ,R2
で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
アリール基、ヘテロ環基及びR1 ,R2 ,Eで形成
される環としては、式3のR1 ,R2 ,R3 で説
明したものとが同様のものが挙げられる。〕以下に式6
で表される化合物の好ましい具体例を挙げる。 【0039】 【化6】 【0040】式7 R1 (R2 )N
−L−R3〔式中、R1 ,R2 ,R3 はアルキル
基、アルキニル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ
環基を表す。但し、R1 ,R2 ,R3 のうち少な
くとも一つはアルケニル基又はアルキニル基を表すか又
はR1 ,R2 ,のうち少なくとも一つはアリール基
又はヘテロ環基を表すものとする。R1 ,R2,L,
R3 で環を形成してもよい。 Lは連結基を表す。 【0041】R1 ,R2 ,R3 が表すアルキル基
、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環
基としては、式3のR1 ,R2 ,R3 で挙げた基
と同様のものが挙げられる。R1 ,R2 ,L,R3
で形成される環としては、例えばピペリジン、モルホ
リン、ピロリジン等のヘテロ環が挙げられる。Lで表さ
れる連結基としては例えば式5で挙げた−A−Y−が挙
げられる。〕以下に式7で表される好ましい化合物の具
体例を挙げる。 【0042】 【化7】 【0043】式8 R1 (R2 )N
−N(R3)−(L)m −R4 〔式中、R1 ,R2 ,R4 はアルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表す
。R3 は水素原子又は置換可能な基を表す。Lは連結
基を表し、nは0又は1の整数を表す。R1 ,R2
,R3 ,R4 で連結して環を形成してもよい。R1
,R2 ,R3 ,R4 で表されるアルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基と
しては、式3のR1 ,R2 ,R3で説明したものと
同様の基が挙げられる。 【0044】R3 で表される基のうち置換可能な基と
しては、例えばアルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リール、ヘテロ環等の各基であり、上述したものと同様
の基が挙げられる。Lは連結基を表すが例えば−CO−
,−COO−,−CONR5 −,−SO2 −,−S
O2 NR5 −等の基を表す。 【0045】R5 は水素原子又は置換可能な基を表す
。 R1 ,R2 ,R3 ,L,R4 で形成される環と
しては、例えばピペリジン、モルホリン等のヘテロ環が
挙げられる。〕以下に式8で表される好ましい化合物の
具体例を挙げる。 【0046】 【化8】 【0047】 【化9】 【0048】 【式9】 【0049】〔式中、R1 は水素原子又は置換可能な
基を表す。R2 はアルキル、アルケニル、アルキニル
、アリール、ヘテロ環の各基を表す。Lは連結基を表す
。 【0050】下記の核1は、含窒素ヘテロ環を表す。 【0051】 【核1】 【0052】nは0又は1の整数を表す。R1 は核1
と共に環を形成してもよい。R2 で表されるアルキル
、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロ環の各基
としては、式1のR1 ,R2 ,R3 で説明したの
と同様の基が挙げられる。 【0053】R1 で表される基のうち置換基としては
、例えば上記R2 で説明したものと同様の基が挙げら
れる。核1で表されるヘテロ環及びR1 と核1で形成
されるヘテロ環としては、例えばキヌクリジン、ピペリ
ジン、ピラゾリジン等のヘテロ環が挙げられる。〕好ま
しい具体例を次に示す。 【0054】 【化10】 【0055】 【化11】 【0056】 式10 R1 (R2 )N−N(R3 )
−R4 〔式中、R1 ,R2 はアルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表す
。R3 は水素原子又は置換可能な基を表す。R4 は
下記の基2で表される基を少なくとも一つを含む基であ
る。 【0057】 【基2】 【0058】Rは水素原子又はアルキル基を表し、Xは
O,S又はNH基を表し、Yは水素原子又はOH基を表
し、nは2以上の整数を表す。R1 ,R2 ,R3
,R4 で連結して環を形成してもよい。R1 ,R2
で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基
、アリール基、ヘテロ環基としては、式3のR1 ,R
2 ,R3 と同様の基で説明したものと同じものが挙
げられる。 【0059】R3 で表される基のうち置換基としては
、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ア
リール基、ヘテロ環基、アシル基、スルホニル基、オキ
シカルボニル基、カルバモイル基等が挙げられる。R3
で表される置換基のうちアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、式3
のR1 ,R2 ,R3 で説明したのと同様の基が挙
げられる。 【0060】また、その他アシル基、スルホニル基、オ
キシカルボニル基、カルバモイル基が挙げられる。 R1 ,R2 ,R3 ,R4 で形成される環として
は、ピペリジン、モルホリノン等の環が挙げられる。R
で表される基のうちアルキル基はメチル基が好ましい。 〕以下に式10で表される化合物の好ましい具体例を挙
げる。 【0061】 【化12】 【0062】 【化13】 【0063】式11 R1 (R2 )N−
T〔式中、R1 ,R2 は水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を
表し、R1 ,R2,Tで環を形成してもよい。Tは前
述の基2で表される各基を少なくとも一つ含む基である
。 【0064】Rは水素原子又はアルキル基を表し、Xは
O,S又はNH基を表し、Yは水素原子又はOH基を表
し、nは2以上の整数を表す。但しRが水素原子のとき
、XはS又はNH基を表すものとする。R1 ,R2
で表される基のうちアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、式3のR1
,【0065】R2 ,R3 で説明したものと同様
の基が挙げられる。R1 ,R2 ,Tで形成される環
としてはピペリジン、モルホリン、キヌクリジン、ピラ
ゾリジン等のヘテロ環が挙げられる。Rで表されるアル
キル基としてはメチル基が好ましい。〕以下に式11で
表される化合物の好ましい具体例を挙げる。 【0066】 【化14】 【0067】式12 R1 (R2 )N−
G〔式中、R1 ,R2 は水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を
表し、R1 ,R2,Gで環を形成してもよい。Gは前
記式6の置換基Eと同様の基を少なくとも一つ含み、か
つ疎水性置換基定数π値が−0.5〜−1.0の置換基
を少なくとも2つ含むか又はπ値が−1.0より【00
68】小の置換基を少なくとも1つ含むものとする。n
は2以上の整数を表す。R1 ,R2 で表される基の
うちアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘ
テロ環の各基としては、式3のR1 ,R2 ,R3
で説明したものと同様の基が挙げられる。R1 ,R2
,Gで形成される環としてはピペリジン、キヌクリジ
ン、モルホリン等の環が挙げられる。 【0069】疎水性置換基定数πについては薬物の構造
活性相関(南江堂)P79〜P103(昭和54年)に
記載されている。π値が−0.5〜−1.0の置換基と
しては例えば、−CN,−OH,−OSO2 CH3
,−OCOCH3 ,−SO2 N(CH3 )2 ,
−NHCOCH3 ,下記の基3等の基が挙げられる。 【0070】 【基3】 【0071】π値が−1.0より小の置換基としては例
えば、−CONH2,−CONHOH,−CONHCH
3 ,−NH2 ,−NHCONH2 ,−NHCSN
H2 −,−NHSO2 CH3 ,−N+ (CH3
)3 ,−O− ,−OCONH2 ,−SO3 −
,−SO2 NH2 ,−SOCH3 ,−SO2 C
H3 ,−COO− 等の基が挙げられる。〕以下に式
12で表される化合物の好ましい具体例を挙げる。 【0072】 【化15】 【0073】本発明に用いられるヒドラジン誘導体であ
る式1及び式2の化合物と造核促進化合物の添加量は、
好ましくは5×10−7〜5×10−1モル/Agモル
であり、特に好ましくは5×10−6〜1×10−2モ
ル/Agモルである。 【0074】本発明において導電性層を形成する代表的
方法としては、水溶性導電性ポリマー、疎水性ポリマー
粒子、硬化剤等を用いて形成する方法と、金属酸化物を
用いて形成する方法がある。詳しくは、特願平2−22
6971号明細書に記載されている。 【0075】本発明の水溶性導電性ポリマーについては
、スルホン酸基、硫酸エステル基、4級アンモニウム塩
、3級アンモニウム塩、カルボキシル基から選ばれる少
なくとも1つの導電性基を有するポリマーが挙げられる
。導電性基はポリマー1分子当たり5重量%以上を必要
とする。水溶性の導電性ポリマー中には、ヒドロキシ基
、アミノ基、エポキシ基、アジリジン基、活性メチレン
基、スルフィン酸基、アルデヒド基、ビニルスルホン基
を含んでいてもよい。 【0076】ポリマーの分子量は3,000〜100,
000であり、好ましくは3,500〜50,000で
ある。以下、本発明に用いられる水溶性導電性ポリマー
の化合物例を挙げるがこれに限定されるものではない。 【0077】 【化16】 【0078】 【化17】 【0079】尚、上記A−1〜A−4において、Mnは
平均分子量(本明細書中、平均分子量とは数平均分子量
を示す。)を表し、ポリエチレングリコール換算で表し
たGPCによる測定値によるものである。本発明に用い
られる水溶性導電性ポリマーの添加量は、50mg/m
2 〜2000mg/m2 であり、特に好ましくは1
00mg/m2 〜1000mg/m2 である。 【0080】本発明の水溶性導電性ポリマー層中に含有
させる疎水性ポリマー粒子は、実質的に水に溶解しない
所謂ラテックスで構成されている。この疎水性ポリマー
は、任意の組み合わせで選ばれるモノマーを重合して得
られる。特にスチレン誘導体、アルキルアクリレート、
アルキルメタクリレートが少なくとも30モル%含有さ
れているのが好ましい。特に50モル%以上が好ましい
。 【0081】本発明のラテックスに含有させるアミド基
を有するモノマーとしては、下記式13で表されるもの
が好ましい。 【0082】 【式13】 【0083】〔式中、Rは水素原子、炭素数1〜4の低
級アルキル基を表す。Lは2価の基、aは0または1を
表す。R1 、R2 は水素原子、炭素数1〜6の低級
アルキル基を表す。〕本発明のモノマーの具体例を挙げ
る。 【0084】 【化18】 【0085】 【化19】 【0086】疎水性ポリマーをラテックス状にするには
乳化重合する、固体状のポリマーを低沸点溶媒に溶かし
て微分散後、溶媒を溜去するという2つの方法があるが
、粒径が細かくしかもそろったものができるという点で
乳化重合することが好ましい。疎水性ポリマーの分子量
は3000以上であれば良く、分子量による透明性の差
はほとんどない。 【0087】本発明の疎水性ポリマーラテックスにポリ
アルキレンオキシド鎖を導入する方法としては、ポリア
ルキレンオキシド鎖を有するモノマーを共重合させるこ
とによる方法が好ましい。モノマーは、下記式14で表
されるものが好ましい。 【0088】 【式14】 【0089】ここでRは、水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、−CH2 −L−Xを表し、Lは、−C
OO−、−CON(R1 )−、または炭素数6から1
2のアリール基を表す。R1 は、水素原子、アリール
基、低級アルキル基、Xを表し、Xは、下記の基4を表
す。 【0090】 【基4】 【0091】R2 は−CH2 CH2 −、−CH2
CH(CH3 )、−CH2 CH2 CH2 −、
−CH2 CH(CH3 )CH2 −、−CH2 C
H2 CH2 CH2 −、−CH2 CH(OH)C
H2 −から選ばれる少なくとも1種からなり、R3
は水素原子、低級アルキル基、アルキルスルホン酸又は
その塩、アルキルカルボン酸基またはその塩を表す。n
は2以上で70以下の整数である。 次にこれらモノマー具体例を挙げる。 【0092】 【化19】 【0093】以下に本発明のラテックスの具体例を挙げ
る。 【0094】 【化20】 【0095】 【化21】 【0096】本発明のエポキシ化合物としては、ヒドロ
キシ基またはエーテル縮合を含有擦るものが好ましい。 本発明のエポキシ化合物の具体例を挙げる。 【0097】 【化22】 【0098】 【化23】 【0099】帯電防止層に含まれる疎水性ポリマーラテ
ックスの添加量は、好ましくは、10mg/m2 〜1
000mg/m2 、特に好ましくは100mg/m2
から500mg/m2 、水溶性導電性ポリマーの添
加量は、好ましくは50mg/m2 から2000mg
/m2 、特に好ましくは100mg/m2 〜100
0mg/m2 、エポキシ系化合物の添加量は、好まし
くは10mg/m2 〜500mg/m2 、特に好ま
しくは50mg/m2 〜300mg/m2 である。 【0100】帯電防止層には分散剤を用いることができ
、かかる分散剤としてはノニオン活性剤が用いられ、ポ
リアルキレンオキサイド化合物が好ましく用いられる。 本発明において用いられるポリアルキレンオキサイド化
合物とは、分子中に少なくとも2以上、多くとも500
以下のポリアルキレンオキサイド鎖を含む化合物をいい
、活性水素原子を有すかる化合物との縮合反応により、
またはポリプロピレングリコール、ポリオキシテトラメ
チレン重合体などのポリオールに脂肪族メルカプタン、
有機アミン、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイ
ドなどを縮合させて合成することができる。 【0101】上記ポリアルキレンオキサイド化合物は、
分子中の、ポリアルキレンオキサイド鎖は1個ではなく
2ケ所以上に分割されたブロック共重合体であってもよ
い。この際、ポリアルキレンオキサイドの合計重合度は
3以上で100以下が好ましい。本発明において任意に
用いられる上記ポリアルキレンオキサイド化合物の具体
例を以下に示す。 【0102】 【化24】 【0103】 【化25】 【0104】次に金属酸化物を用いて導電性層を形成す
る方法を説明する。金属酸化物として好ましいのは、結
晶性の金属酸化粒子であるが、酸素欠陥を含むもの及び
用いられる金属酸化物に対してドナーを形成する異種原
子を少量含むもの等は一般的的に言って導電性が高いの
で特に好ましく、特に後者の用いられる金属酸化物に対
してドナーを形成する異種原子を少量含むものは、ハロ
ゲン化銀乳剤にカブリを与えないので特に好ましい。 【0105】金属酸化の例としては、ZnO2 、Ti
O2 、SnO2 、Al2 O3 、In2 O3
、SiO2 、MgO、BaO、MoO3 、V2 O
5 等或いはこれらの複合酸化物が好ましく、特にZn
O2 、TiO2 、SnO2 が好ましい。異種原子
を含む例としては例えばSnOに対してSb等の添加あ
るいはTiO2 に対してはNb、Ta等の添加が効果
的である。これら異種原子の添加量は0.01〜30モ
ル%の範囲が好ましいが、0.1〜10モル%の範囲で
あれば特に好ましい。 【0106】本発明に用いられる金属酸化物の粒子は、
導電性を有するものであり、その体積抵抗率は107
Ωcm以下、特に105 Ωcm以下であることが好ま
しい。この酸化物については特開昭56−143431
号、同56−120519号、同58−62647号等
に記載されている。 【0107】金属酸化物の粒子はバインダー中に分散又
は溶解させて用いられる。金属酸化物をより効果的に使
用して導電性層の抵抗を下げるために、導電性層中にお
ける金属酸化物の体積含有率は高い方が好ましいが、層
としての強度を十分に持たせるために最低5%程度のバ
インダーが必要であるので、金属酸化物の体積百分率は
5〜95%の範囲が好ましい。 【0108】金属酸化物の使用量は0.05〜10g/
m2 が好ましく、より好ましくは0.01〜5g/m
2 である。これにより帯電防止性が得られる。本発明
において、導電性層はハロゲン化銀乳剤層と支持体の中
間および/または該乳剤層に対して支持体の反対側に設
けられる。即ち透明支持体の感光性乳剤面側に設けられ
てもよいし、あるいは感光性乳剤面に対して透明支持体
の反対側、いわゆる背面に設けられてもよい。 【0109】かかる導電性層は、透明支持体上に塗布に
よって形成される。透明支持体は写真用のもの全てが使
えるが、好ましくは、可視光を90%以上透過するよう
に作られたポリエチレンテレフタレートまたセルロース
トリアセテートである。 【0110】これらの透明支持体は、当業者に良く知ら
れた方法で作成されるものであるが、場合によっては染
料を若干添加して青味付けしたりしても良い。支持体は
、コロナ放電処理をした後ラテックスポリマーを含有す
る下引層が塗設されていてもよい。コロナ放電処理は、
エネルギー値として1mW〜1KW/m2 minが特
に好ましく適用される。また特に好ましくは、ラテック
ス下引層を塗布後、導電性層を塗設する前にコロナ放電
処理を再度行うとよい。 【0111】本発明の写真感光材料に含まれる式1又は
2式のヒドラジン誘導体及び式3〜式12の造核促進化
合物の量は、写真感光材料中に含有されるハロゲン化銀
1モル当たり5×10−7モル〜5×10−1モルであ
ることが好ましい。特に5×10−6モル〜1×10−
2モルの範囲とすることが好ましい。 【0112】本発明のハロゲン化銀写真感光材料のハロ
ゲン化銀乳剤層は、支持体の片面に少なくとも一層設け
られていることもあるし、支持体の両面に少なくとも一
層設けられていることもある。そして、このハロゲン化
銀乳剤は支持体上に直接塗設されるか、或いは他の層例
えばハロゲン化銀乳剤を含まない親水性コロイド層を介
して塗設することもでき、更にハロゲン化銀乳剤層の上
には、保護層を塗設してもよい。 【0113】またハロゲン化銀乳剤層は、異なる感度、
例えば高感度及び低感度の各ハロゲン化銀乳剤層に分け
て塗設してもよい。この場合、各ハロゲン化銀乳剤層の
間に、中間層を設けてもよい。またハロゲン化銀乳剤層
と保護層との間に、中間層、保護層、アンチハレーショ
ン層、バッキング層等の非感光性親水性コロイド層を設
けてもよい。 【0114】次に本発明のハロゲン化銀写真感光材料に
用いるハロゲン化銀について説明する。ハロゲン化銀と
しては、4モル%以下の沃化銀、好ましくは3モル%以
下の沃化銀を含む塩沃臭化銀、もしくは沃臭化銀である
。このハロゲン化銀の粒子の平均粒径は0.05〜0.
5μmの範囲のものが好ましく用いられるが、中でも0
.10〜0.40μmのものが好適である。 【0115】本発明で用いるハロゲン化銀粒子の粒径分
布は任意であるが、以下定義する単分散度の値が1〜3
0のものが好ましく、更に好ましくは5〜20の範囲と
なるように調製する。ここで単分散度は、粒径の標準偏
差を平均粒径で割った値を100倍した数値として定義
されるものである。なおハロゲン化銀粒子の粒径は、便
宜上、立方晶粒子の場合は稜長で表し、その他の粒子(
8面体、14面体等)は、投影面積の平方根で算出する
。 【0116】本発明を実施する場合、例えばハロゲン化
銀の粒子として、その構造が少なくとも2層の多層構造
を有するタイプのものを用いることができ、例えばコア
部に沃臭化銀、シェル部が臭化銀である沃臭化銀粒子か
ら成るものを用いることができる。このとき、沃素を任
意の層に5モル%以内で含有させることができる。 【0117】本発明のハロゲン化銀乳剤に用いられるハ
ロゲン化銀粒子は、粒子を形成する過程及び/又は成長
させる過程で、カドミウム塩、亜鉛塩、鉛塩、タリウム
塩、イリジウム塩(これを含む錯塩)、ロジウム塩(こ
れ含む錯塩)及び鉄塩(これを含む錯塩)から選ばれる
少なくとも1種を用いて金属イオンを添加し、粒子内部
及び/又は粒子表面にこれらの金属原子を含有させるこ
とができ、また適当な還元的雰囲気におくことにより、
粒子内部及び/又は粒子表面に還元増感核を付与できる
。 【0118】更に又、ハロゲン化銀は種々の化学増感剤
によって増感することができる。又、本発明に用いられ
るハロゲン化銀乳剤は、メルカプト類(1−フェニル−
5−メルカプトテトラゾール、2−メルカプトベンツチ
アゾール等)、ベンゾトリアゾール類(5−ブロムベン
ゾトリアゾール−5−メチルベンゾトリアゾール等)、
ベンツイミダゾール類(6−ニトロベンツイミダゾール
等)、インダゾール類(5−ニトロインダゾール等)な
どを用いて安定化またはカブリ抑制を行うことができる
。 【0119】感光性ハロゲン化銀乳剤層又はその隣接層
には、感度上昇、コントラスト上昇または現像促進の目
的で、リサーチ・ディスクロージャー(Researc
hDisclousure)17463号のXXI項B
〜Dに記載されている化合物を添加することができる。 本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤には、増感色素、
可塑剤、帯電防止剤、界面活性剤、硬膜剤などを加える
こともできる。 【0120】本発明に係わる一般式の化合物を親水性コ
ロイド層に添加する場合、該親水性コロイド層のバイン
ダーとしてはゼラチンが好適であるが、ゼラチン以外の
親水性コロイドも用いることができる。これらの親水性
バインダーは支持体の両面にそれぞれ10g/m2 以
下で塗設することが好ましい。 【0121】本発明に用いられる現像液はpH11未満
のものが使用できることが特徴である。好ましくはpH
10.0〜10.8のものが良い。又、現像液には無機
現像抑制剤及び有機現像抑制剤、金属イオン捕捉剤、現
像促進剤、界面活性剤、硬膜剤、イオン強度調整剤等の
添加を行うことは任意である。本発明において使用され
る現像液には、本発明に係わる化合物とは別に、有機溶
媒としてグリコール類を含有させてもよい。 【0122】 【実施例】以下実施例によって本発明を具体的に説明す
る。尚、当然のことではあるが、本発明は以下述べる実
施例に限定されるものではない。 実施例1 下引き処理したポリエチレンテレフタレートに8W/(
m2 ・min)のエネルギーでコロナ放電した後下記
構成の帯電防止液を、下記の付量になる様に30m/m
inの速さでロールフィットコーティングパン及びエア
ーナイフを使用して塗布した。 【0123】(導電性層を有する支持体の調製)下引き
処理した厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート
にコロナ放電した後、下記構成の帯電防止液を、下記の
付量になる様に70m/minの速さでロールフィット
コーティングパン及びエアーナイフを使用して塗布した
。 【0124】 水溶性導電性ポリマーA(表1)
0.6g/m2 疎水性
ポリマー粒子B−4
0.4g/m2 ポリエ
チレンオキサイド化合物(分子量 500)
0.06g/m2 硬化剤E−4
0.2g/m2 90℃、2分間乾
燥し、140℃、90秒間熱処理した。この導電性層を
支持体に塗布したものをそれぞれ表1のように調製した
。 【0125】(ハロゲン化銀写真乳剤Aの調製)同時混
合法を用いて沃臭化銀乳剤(銀1モル当たり沃化銀2モ
ル%)を調製した。この混合時にK2 IrCl6 を
銀1モル当たり8×10−7モル添加した。得られた乳
剤は平均粒径0.24μmの立方体単分散度粒子(変動
係数9%)からなる乳剤であった。 【0126】この乳剤に銀1モル当たり6.5ccの1
%沃化カリウム水溶液を添加した後、変成ゼラチン(特
願平1−180787号明細書記載の例示化合物G−8
)を加え、特願平1−180787号明細書記載の実施
例1と同様の方法で水洗、脱塩した。脱塩後の40℃の
pAgは8.0であった。さらに再分散時に抗菌剤とし
て化合物〔A〕、〔B〕、〔C〕、の混合物を添加した
。 【0127】 処方(1)(ハロゲン化銀乳剤層組成) ゼ
ラチン
2.0
g/m2 ハロゲン化銀乳剤Aの銀量
3
.2g/m2 増感色素:S−1
8 mg/m2 増感色素:S−
2
0.2mg/m2 安定
剤:4−メチル−6−ヒドロキシ−1,3,3a,7−
テトラザインデ ン
30mg/m2 【0128
】 カブリ防止剤:アデニン
10mg/
m2 界面活性剤:サポニン
0
.1g/m2 界面活性剤:Su−1
8mg/m2 本発明に係わるヒド
ラジン誘導体、及び造核促進剤 表1に
示す量 ラテックスポリマー(m:n=50:5
0) 1g/m2
ポリエチレングリコール分子量4000
0.1g/m2 硬
膜剤:H−1
60mg/m
2 【0129】 処方(2)〔乳剤保護層組成〕 ゼラチン
0.9g/m2 界面活性剤:Su−2
10g/m2 界面活性剤:
Su−3
10mg/m2 マッ
ト剤:平均粒径3.5μmのシリカ
3mg/m2 硬膜剤:ホ
ルマリン
30mg/m2 【013
0】 処方(3)(バッキング層組成) 化合物(a)
30mg/m2 化合物(b)
75mg/m2 化合物(c
)
30mg/m2
ゼラチン
2.4g/m2 界面活性剤:サポニン
0.1g/m2 界面活性剤:Su
−1
6mg/m2 硬化剤
:E−4
55mg/m2
【0131】 処方(4)〔バッキング保護層組成〕 ゼラ
チン
1.4g
/m2 マット剤:平均粒径3.0〜5.0μ
mのポリメチルメタクリート
15mg/m
2 界面活性剤:Su−2
10
mg/m2 塩化ナトリウム
80mg/m2 硬膜剤:グリオキ
ザール
25mg/m2 硬膜剤:H
−1
35mg/m2 【0132】 【化26】 【0133】 【化27】 【0134】 【化28】 【0135】(試料の作製)上記帯電防止層を有する支
持体を用いて、支持体上の片側に15W/(m2 ・m
in)のエネルギーでコロナ放電した後、下記処方(1
)のハロゲン化銀乳剤層をゼラチン量が2.0g/m2
、鉄量が3.2g/m2 になる様に塗設し、さらにそ
の上に下記処方(2)の乳剤保護層をゼラチン量が1.
0g/m2 になる様に塗設した。 【0136】また支持体上の片側に15W/(m2 ・
min)のエネルギーでコロナ放電した後、下記処方(
3)に従ってバッキング層をゼラチン量が2.4g/m
2 になる様に塗設し、さらにその上に下記処方(4)
のバッキング保護層をゼラチン量が1g/m2 になる
様に塗設して試料No.1〜19を得た。 【0137】得られた試料を、ステップウェッジを密着
し、3200Kのタングステン光で5秒間露光した後、
下記に示す組成の現像液及び定着液投入した迅速処理用
自動現像機にて下記条件で処理を行った。 【0138】 現像液処方 エチレンジアミン四酢酸ナトリウム塩
1g
亜硫酸ナトリウム
60g リン酸三ナトリウム(12水塩)
75g ハイドロキノン
22.5g 水酸化ナトリウム
8g 臭化ナ
トリウム
3g【0139】 5−メチルベンゾトリアゾール
0.25g
1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール
0.08g メトール
0.25
g 水を加えて
1リットル水酸化ナトリウムにてpHを10.
4に調製する。 【0140】 定着液処方 (組成A) チオ硫酸アンモニウム(72.5%W/V水溶液)
240ミリリットル 亜硫酸ナトリウム
17g 酢酸ナトリ
ウム・3水塩
6.5g 硼酸
6.0g クエン酸ナトリウム・2水塩
2.0g【0141】 (組成B) 純水(イオン交換水)
17ミリリットル
硫酸 (50%W/V水溶液)
4.7
g 硫酸アルミニウム(Al2 O3 換算含量が8
.1%W/V水溶液)
26.5g定着
液の使用時に水500ミリリットル中に上記組成A、組
成Bの順に溶かし、1リットルに仕上げて用いた。この
定着液のpHは酢酸で4.8に調製した。 【0142】 (現像処理条件) (工程) (温度
) (時間)
現像 40℃
15秒 定着
35℃
15秒 水洗
30℃
10秒 乾燥
50℃ 10
秒【0143】なお、処方(1)におけるハロゲン化銀
乳剤層に添加した本発明にかかるヒドラジン誘導体の比
較化合物としては以下の(d)の化合物を添加した。 【0144】 【化29】化合物(d) 【0145】得られた現像処済の試料をコニカデジタル
濃度計PDA−65で測定し、試料No.1の濃度3.
0における感度を100とした相対感度で示し、更に濃
度0.3と3.0との正接をもってガンマを表示した。 6未満のガンマ値では使用不可能であり、6以上1
0未満のガンマ値ではまだ不十分な硬調性能である。ガ
ンマ値10以上で超硬調な画像となり、十分に実用可能
となる。 【0146】〔ピンホール評価〕貼り込み用ベース上に
網フィルムを載せて、更に網フィルムの周辺を製版用の
透明なスコッチテープで固定しておき、露光現像処理し
た後、ピンホールの発生が無い時を5とし、最も発生が
多くて悪いレベルを1とした。尚、3以下は実用上問題
がある。この結果を表2に示した。 【0147】 表1 ヒドラジン誘導体 造
核促進剤 導電性ポリマー No
.構造 添加量(モル 構造 添加量(
モル 構造 添加量(モル
/モルAg) /モルAg)
A /モルAg) 1 a 2×
10−3 − −
− − 2
a 2×10−3 −
− 1 0.6
3 a 2×10−3 5−3
1.5×10−3 − −
4 a 2×10−3 5−
3 1.5×10−3 1 0.6
5 1 2×10−3 −
− −
− 6 1 2×10−
3 − −
1 0.6 7 1
2×10−3 5−3 1.5×10−3
− − 8 1
2×10−3 5−3 1.5×10−3
1 0.6 9 1
2×10−3 5−3 1.5×10−3
3 0.6 10 1 2
×10−3 1−3 1.5×10−3
1 0.6 11 1 2×1
0−3 1−3 1.5×10−3 3
0.6 12 3 2×10−
3 7−1 1.5×10−3 1
0.6 13 3 2×10−3
7−1 1.5×10−3 3
0.6 14 3 2×10−3
5−2 1.5×10−3 1 0.
6 15 3 2×10−3 5
−2 1.5×10−3 3 0.6
16 5 2×10−3 4−2
1.5×10−3 1 0.6
17 5 2×10−3 4−2
1.5×10−3 3 0.6 1
8 5 2×10−3 6−1 1.
5×10−3 1 0.6 19
5 2×10−3 6−1 1.5×
10−3 3 0.6 【0148】 【0149】表2からも明らかなように、pH11未満
の現像液で処理した場合、本発明にかかる試料No.8
〜19は、比較に対して硬調で、かつピンホールの発生
も少ないことがわかる。 【0150】実施例2 〔導電性層を有する支持体の調製〕厚さ100μmの下
引処理したポリエチレンテレフタレート支持体上にコロ
ナ放電した後、下記構成の導電性層を塗布した。 ゼラチン
35mg/m2 SnO2 /Sb(8/
2)(粒径0.3μm) 250mg/
m2 化合物(e)
5mg/m2 【0151】 【化30】 【0152】これを90℃、2分間乾燥し、140℃で
90秒間熱処理した。実施例1と全く同様にして、乳剤
層、乳剤保護層、裏面層、裏面保護層を設けて試料を作
製した。この試料を用い、実施例1と同様にして実験を
行った結果、実施例1と同等の結果が得られた。 【0153】 【発明の効果】本発明は、式1及び式2で示されるよう
なヒドラジン誘導体及び造核促進化合物を含むと共に導
電性層を有するので、pH11未満の現像液で処理して
も硬調な写真特性が得られ、かつ帯電防止特性に優れて
いるため、ピンホールの発生も少ないハロゲン化銀写真
感光材料を提供することができた。
Claims (3)
- 【請求項1】 支持体上に少なくとも1層のハロゲン
化銀写真乳剤層を有するハロゲン化銀写真感光材料にお
いて、該ハロゲン化銀乳剤層及び/またはその隣接層中
に式1及び式2で表されるヒドラジン誘導体を少なくと
も1種と、アミン化合物及び4級オニウム塩から選ばれ
る少なくとも1種の造核促進化合物を含有し、前記ハロ
ゲン化銀乳剤層と支持体の中間及び/または、該乳剤層
に対して支持体の反対側に導電性層を有することを特徴
とするハロゲン化写真感光材料。 【式1】 【式2】 〔式1又は式2において、Aはアリール基または、硫黄
原子又は酸素原子を少なくとも一つ含む複素環基を表し
、nは1又は2の整数を表す。n=1の時、R1 及び
R2 はそれぞれ水素原子、アルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アリール基、複素環基、ヒドロキシ基
、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキ
シ基、アリールオキシ基、又はヘテロ環オキシ基を表し
、R1 とR2 は窒素原子と共に環を形成してもよい
。n=2の時、R1 及びR2 はそれぞれ水素原子、
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基
、飽和又は不飽和複素環基、ヒドロキシ基、アルコキシ
基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリー
ルオキシ基、又はヘテロ環オキシ基を表す。ただしn=
2の時、R1 及びR2 のうち少なくとも一方はアル
ケニル基、アルキニル基、飽和複素環基、ヒドロキシ基
、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキ
シ基、アリールオキシ基、又はヘテロ環オキシ基を表す
ものとする。 R3 はアルキニル基又は飽和複素環基を表す。式1又
は式2で表される化合物には、これら式中の−NHNH
−の少なくともいずれかのHが置換基で置換されたもの
を含む。〕 - 【請求項2】 導電性層が、水溶性導電性ポリマーと
疎水性ポリマー粒子と硬化剤を含有することを特徴とす
る請求項1記載のハロゲン化銀写真感光材料。 - 【請求項3】 導電性層が、金属酸化物を含有するこ
とを特徴とする請求項1又は請求項2記載のハロゲン化
銀写真感光材料。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3026783A JP2965719B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
US07/825,572 US5244773A (en) | 1991-01-29 | 1992-01-24 | Silver halide photographic light sensitive material |
DE69207016T DE69207016T2 (de) | 1991-01-29 | 1992-01-28 | Lichtempfindliches, photographisches Silberhalogenidmaterial |
EP92101338A EP0497265B1 (en) | 1991-01-29 | 1992-01-28 | Silver halide photographic light sensitive material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3026783A JP2965719B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04253051A true JPH04253051A (ja) | 1992-09-08 |
JP2965719B2 JP2965719B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=12202915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3026783A Expired - Fee Related JP2965719B2 (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5244773A (ja) |
EP (1) | EP0497265B1 (ja) |
JP (1) | JP2965719B2 (ja) |
DE (1) | DE69207016T2 (ja) |
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US7215399B2 (en) | 2002-12-31 | 2007-05-08 | Lg.Philips Lcd Co. Ltd | Method of manufacturing array substrate for liquid crystal display device |
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JPWO2007010777A1 (ja) | 2005-07-20 | 2009-01-29 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 画像形成方法 |
US7504200B2 (en) | 2007-02-02 | 2009-03-17 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Photothermographic material |
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-
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- 1992-01-24 US US07/825,572 patent/US5244773A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-28 EP EP92101338A patent/EP0497265B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-28 DE DE69207016T patent/DE69207016T2/de not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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