JPH0420433B2 - - Google Patents
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- JPH0420433B2 JPH0420433B2 JP5665485A JP5665485A JPH0420433B2 JP H0420433 B2 JPH0420433 B2 JP H0420433B2 JP 5665485 A JP5665485 A JP 5665485A JP 5665485 A JP5665485 A JP 5665485A JP H0420433 B2 JPH0420433 B2 JP H0420433B2
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、新規な化学物質に関し、詳しくは、
それ自体で強誘電性カイラルスメクチツク液晶化
合物として液晶材料に使用できると共に、他の各
種液晶化合物との混合材料（すなわち、液晶組成
物の構成成分）としても有用であるピリミジン誘
導体に係るものである。 （発明の概要） 本発明によつて提供される化合物は、式 （式中ｍは１〜８の整数、ｎは５〜14の整数、
＊は不斉炭素原子を示す。） で示されるピリミジン誘導体である。 本化合物は、強誘電性液晶化合物であつて室温
を含む広い温度範囲でカイラルスメクチツク相を
呈すると共に、化学的安定性にもすぐれ、高い電
場応答性を有し、更に、他の各種液晶化合物との
混合性にもすぐれている。 （従来の技術） 強誘電性を示す液晶化合物として、（Ｓ）−２−
メチルブチルＰ−（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリ
デンアミノ）シンナメート（DOBAMBC）が知
られている。このシツフ塩基系列の液晶化合物が
強誘電性液晶の研究対象とされ、種々の化合物が
合成された。その一例として 〔式中ＸはＨ，Cl，CN，ＹはCl，C2H5、＊は
不斉炭素原子を示す。〕 の一般式で示される化合物が知られている。 しかし、この系列の化合物は、カイラルスメク
チツク相を呈する温度が室温より高いため室温で
は液晶材料として使用することができず、又シツ
フ塩基系化合物であるため水分により分解を受け
易いなどの欠点をを有している。 これらを改良するために考え出された化合物と
して Ferroelectriics 24巻、309頁（1980）） が知られている。 この系の化合物は、室温を含む広い温度範囲に
亘つてスメクチツクＣ＊相を呈する化合物として
注目された。更に、Ｂ，Ｉ、オフトロフスキーに
よつて、式 （式中ｎは９又は10を示す） で表わされる化合物が、比較的室温に近い温度範
囲でカイラルスメクチツク相を呈すると報告され
ている。 又、Ｈ・ZASCHKEによつて で表わされる化合物のいくつかが、スメクチツク
相を呈したとして紹介されている。（J.Prakt
Chemie 317617（1975））しかし、これらの中に、
カイラルスメクチツク液晶化合物については記載
されていないし、示唆もされていない。 （本発明が解決しようとする問題点） 本発明によつて提供される化合物は、式 （式中ｍは１〜８の整数、ｎは５〜14の整数、
＊は不斉炭素原子を示す。） で示されるピリミジン誘導体である。 本化合物は、強誘電性液晶化合物であつて室温
を含む広い温度範囲でカイラルスメクチツク相を
呈すと共に、化学的安定性にもすぐれ、高い電場
応答性を有し、更に、他の各種液晶化合物との混
合性にもすぐれている。 （問題点を解決するための手段） 本発明によつて提供される化合物は次のように
して造られる。 で示される化合物と で示される化合物とを適宜溶媒中縮合させること
によつて を得ることができる。ここにおいて、Ｘは−
OH、ハロゲン原子、活性エステル基（−
COOC2H5，
それ自体で強誘電性カイラルスメクチツク液晶化
合物として液晶材料に使用できると共に、他の各
種液晶化合物との混合材料（すなわち、液晶組成
物の構成成分）としても有用であるピリミジン誘
導体に係るものである。 （発明の概要） 本発明によつて提供される化合物は、式 （式中ｍは１〜８の整数、ｎは５〜14の整数、
＊は不斉炭素原子を示す。） で示されるピリミジン誘導体である。 本化合物は、強誘電性液晶化合物であつて室温
を含む広い温度範囲でカイラルスメクチツク相を
呈すると共に、化学的安定性にもすぐれ、高い電
場応答性を有し、更に、他の各種液晶化合物との
混合性にもすぐれている。 （従来の技術） 強誘電性を示す液晶化合物として、（Ｓ）−２−
メチルブチルＰ−（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリ
デンアミノ）シンナメート（DOBAMBC）が知
られている。このシツフ塩基系列の液晶化合物が
強誘電性液晶の研究対象とされ、種々の化合物が
合成された。その一例として 〔式中ＸはＨ，Cl，CN，ＹはCl，C2H5、＊は
不斉炭素原子を示す。〕 の一般式で示される化合物が知られている。 しかし、この系列の化合物は、カイラルスメク
チツク相を呈する温度が室温より高いため室温で
は液晶材料として使用することができず、又シツ
フ塩基系化合物であるため水分により分解を受け
易いなどの欠点をを有している。 これらを改良するために考え出された化合物と
して Ferroelectriics 24巻、309頁（1980）） が知られている。 この系の化合物は、室温を含む広い温度範囲に
亘つてスメクチツクＣ＊相を呈する化合物として
注目された。更に、Ｂ，Ｉ、オフトロフスキーに
よつて、式 （式中ｎは９又は10を示す） で表わされる化合物が、比較的室温に近い温度範
囲でカイラルスメクチツク相を呈すると報告され
ている。 又、Ｈ・ZASCHKEによつて で表わされる化合物のいくつかが、スメクチツク
相を呈したとして紹介されている。（J.Prakt
Chemie 317617（1975））しかし、これらの中に、
カイラルスメクチツク液晶化合物については記載
されていないし、示唆もされていない。 （本発明が解決しようとする問題点） 本発明によつて提供される化合物は、式 （式中ｍは１〜８の整数、ｎは５〜14の整数、
＊は不斉炭素原子を示す。） で示されるピリミジン誘導体である。 本化合物は、強誘電性液晶化合物であつて室温
を含む広い温度範囲でカイラルスメクチツク相を
呈すと共に、化学的安定性にもすぐれ、高い電場
応答性を有し、更に、他の各種液晶化合物との混
合性にもすぐれている。 （問題点を解決するための手段） 本発明によつて提供される化合物は次のように
して造られる。 で示される化合物と で示される化合物とを適宜溶媒中縮合させること
によつて を得ることができる。ここにおいて、Ｘは−
OH、ハロゲン原子、活性エステル基（−
COOC2H5，
【式】など）など
であり、ｍ，ｎ，＊は前記と同じである。
ＸがOHである場合には、縮合剤としてのＮ，
Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ−エト
キシカルボニル−２−エトキシ−Ｉ，２−ジヒド
ロキノリンなどと、ジメチルアミノピリジン、ジ
メチルアニリン、トリエチルアミン、ピリジンな
どの三級アミンを用い、クロロホルム、ジクロロ
メタン、イソプロピルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、酢酸エチルなどを溶媒として使用、室温〜
100℃位で反応させる。 次に、Ｘがハロゲン原子、活性エステル基（−
COOC2H5，
Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ−エト
キシカルボニル−２−エトキシ−Ｉ，２−ジヒド
ロキノリンなどと、ジメチルアミノピリジン、ジ
メチルアニリン、トリエチルアミン、ピリジンな
どの三級アミンを用い、クロロホルム、ジクロロ
メタン、イソプロピルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、酢酸エチルなどを溶媒として使用、室温〜
100℃位で反応させる。 次に、Ｘがハロゲン原子、活性エステル基（−
COOC2H5，
【式】）など）で
ある場合には、前記した溶媒のほか、ベンゼン、
トルエン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド、ピリジンなどを溶媒として、三級アミ
ンあるいは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
などの共存下、室温乃至溶媒で反応させる。かく
て、本発明目的化合物は合成される。 本発明によつて提供される化合物は、分子中
に、不斉炭素原子を含んでいるので、一対の光学
対称体が存在するが、そのいずれの化合物、本発
明の目的化合物に含まれ、その立体配置は、原料
として用いる化合物のそれによつて、一義的に定
まる。 実施例 （Ｓ）−２−〔４−（６−メチルオクタノイルオ
キシ）フエニル〕−５−〔４−ｎ−オクチルフエ
ニル〕ピリミジンの合成 30mlフラスコに ４−〔５−（４−ｎ−オクチルフエニル）−２−
ピリミジニル〕フエノール1.5g、（Ｓ）−６−メチ
ルオクタン酸0.658g、無水クロロホルム10mlを入
れた。この混合物に４−ジメチルアミノピリジン
0.05g、Ｎ，N′−ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド0.858gを加えて、室温で一昼夜反応した。反応
終了後ジシクロヘキシルウレアを別し、液を
クロロホルム抽出した。クロロホルム層は、水、
2N塩酸、水で洗浄し、乾燥後、減圧下クロロホ
ルムを留去した。得られた粗生成物を、シリカゲ
ルクロマトグラフイー（溶離液としてクロロホル
ムを使用した）、再結晶（エチルアルコールを使
用した）にて精製し、（Ｓ）−２−〔４−（６−メチ
ルオクタノイルオキシ）フエニル〕−５−〔４−ｎ
−オクチルフエニル〕ピリミジン1.09gを得た。 IR νmax（cm-1）1755，1595，1575，1540，
1440，800 1H−NMR（60MHz，CDCl3） δ（ppm）：0.7−2.1（ｍ，30H） 2.4−2.9（ｍ，4H） 7.28 （ｄ，2H） 7.34 （ｄ，2H） 7.60 （ｄ，2H） 8.60 （ｄ，2H） 9.46 （ｓ，2H） 相転移温度（℃） Cry92 ＊73Sx127 ＊Sc*165 ―→ SA167.3 ――→ Iso （ここでCryは結晶相、Sc＊はカイラルスメク
チツクＣ相、SAはスメクチツクＡ相、ISOは等方
性液体、Sxは、他のスメクチツク相を示し、＊印
は過冷却を示す。） 本発明において用いる原料化合物の４−〔５−
４−アルキルフエニル）−２−ピリミジニル〕フ
エノールは、次のようにして造られる。 で示されるｐ−ヒドロキシベンズアミジンと、ｐ
−アルキル置換フエニル酢酸をビルスマイヤー試
薬と反応させ、次いで過塩素酸を反応させて得ら
れる 式 （式中ｎは前記と同じ）の化合物とを金属アル
コラートの存在下縮合させることによつて、容易
に得ることができる。 なお、ビルスマイヤー試薬はＮ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミドとオキシ塩化燐との反応により調整
される。 以上、実施例で示したように、本発明の化合物
は、室温より高い温度範囲でSc*相を有し、高い
温度までSc*相を有するカイラルスメクチツク液
晶組成物を得ていく上で、有効な化合物である。
トルエン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド、ピリジンなどを溶媒として、三級アミ
ンあるいは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
などの共存下、室温乃至溶媒で反応させる。かく
て、本発明目的化合物は合成される。 本発明によつて提供される化合物は、分子中
に、不斉炭素原子を含んでいるので、一対の光学
対称体が存在するが、そのいずれの化合物、本発
明の目的化合物に含まれ、その立体配置は、原料
として用いる化合物のそれによつて、一義的に定
まる。 実施例 （Ｓ）−２−〔４−（６−メチルオクタノイルオ
キシ）フエニル〕−５−〔４−ｎ−オクチルフエ
ニル〕ピリミジンの合成 30mlフラスコに ４−〔５−（４−ｎ−オクチルフエニル）−２−
ピリミジニル〕フエノール1.5g、（Ｓ）−６−メチ
ルオクタン酸0.658g、無水クロロホルム10mlを入
れた。この混合物に４−ジメチルアミノピリジン
0.05g、Ｎ，N′−ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド0.858gを加えて、室温で一昼夜反応した。反応
終了後ジシクロヘキシルウレアを別し、液を
クロロホルム抽出した。クロロホルム層は、水、
2N塩酸、水で洗浄し、乾燥後、減圧下クロロホ
ルムを留去した。得られた粗生成物を、シリカゲ
ルクロマトグラフイー（溶離液としてクロロホル
ムを使用した）、再結晶（エチルアルコールを使
用した）にて精製し、（Ｓ）−２−〔４−（６−メチ
ルオクタノイルオキシ）フエニル〕−５−〔４−ｎ
−オクチルフエニル〕ピリミジン1.09gを得た。 IR νmax（cm-1）1755，1595，1575，1540，
1440，800 1H−NMR（60MHz，CDCl3） δ（ppm）：0.7−2.1（ｍ，30H） 2.4−2.9（ｍ，4H） 7.28 （ｄ，2H） 7.34 （ｄ，2H） 7.60 （ｄ，2H） 8.60 （ｄ，2H） 9.46 （ｓ，2H） 相転移温度（℃） Cry92 ＊73Sx127 ＊Sc*165 ―→ SA167.3 ――→ Iso （ここでCryは結晶相、Sc＊はカイラルスメク
チツクＣ相、SAはスメクチツクＡ相、ISOは等方
性液体、Sxは、他のスメクチツク相を示し、＊印
は過冷却を示す。） 本発明において用いる原料化合物の４−〔５−
４−アルキルフエニル）−２−ピリミジニル〕フ
エノールは、次のようにして造られる。 で示されるｐ−ヒドロキシベンズアミジンと、ｐ
−アルキル置換フエニル酢酸をビルスマイヤー試
薬と反応させ、次いで過塩素酸を反応させて得ら
れる 式 （式中ｎは前記と同じ）の化合物とを金属アル
コラートの存在下縮合させることによつて、容易
に得ることができる。 なお、ビルスマイヤー試薬はＮ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミドとオキシ塩化燐との反応により調整
される。 以上、実施例で示したように、本発明の化合物
は、室温より高い温度範囲でSc*相を有し、高い
温度までSc*相を有するカイラルスメクチツク液
晶組成物を得ていく上で、有効な化合物である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 式 （式中ｍは１〜８の整数、ｎは４〜15の整数、
＊は不斉炭素原子を示す。） で示されるピリミジン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5665485A JPS61215374A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | ピリミジン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5665485A JPS61215374A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | ピリミジン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61215374A JPS61215374A (ja) | 1986-09-25 |
| JPH0420433B2 true JPH0420433B2 (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=13033356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5665485A Granted JPS61215374A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | ピリミジン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61215374A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1985
- 1985-03-20 JP JP5665485A patent/JPS61215374A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61215374A (ja) | 1986-09-25 |
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