JPH02178258A - 2―ハロゲン置換カルボン酸誘導体 - Google Patents
2―ハロゲン置換カルボン酸誘導体Info
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- JPH02178258A JPH02178258A JP32920088A JP32920088A JPH02178258A JP H02178258 A JPH02178258 A JP H02178258A JP 32920088 A JP32920088 A JP 32920088A JP 32920088 A JP32920088 A JP 32920088A JP H02178258 A JPH02178258 A JP H02178258A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皇栗上至程几分顆
本発明は、室温を含む広い温度範囲でμsec単ン置換
カルボン酸誘導体に関するものである。
カルボン酸誘導体に関するものである。
が解゛ しようとする課
最初の実用的強誘電性液晶化合物として確認されている
ものにはいわゆるDOBAMBC(p−デシルオキシベ
ンジリデン−p′−アミノ−2−メチルブチルケイ皮酸
エステル)に代表されるシッフ塩基系のアルコキシベン
ジリデンアルキルアニリン同族液晶化合物があり、多く
の研究がおこなわれJ高特性の改善がおこなわれてきた
が、熱および化学的安定性の点では充分ではなかった。
ものにはいわゆるDOBAMBC(p−デシルオキシベ
ンジリデン−p′−アミノ−2−メチルブチルケイ皮酸
エステル)に代表されるシッフ塩基系のアルコキシベン
ジリデンアルキルアニリン同族液晶化合物があり、多く
の研究がおこなわれJ高特性の改善がおこなわれてきた
が、熱および化学的安定性の点では充分ではなかった。
又特開昭60−32748には、一般式(式中Rは炭素
数20以下のアルキル基もしくはアルコキシ基である)
で表わされる液晶化合物が開示されているが、強誘電性
を示すスメクチックC′″相の温度範囲が狭かったり、
等労相への転移点が高い傾向があり、さらに応答性がお
そいという欠点がある。
数20以下のアルキル基もしくはアルコキシ基である)
で表わされる液晶化合物が開示されているが、強誘電性
を示すスメクチックC′″相の温度範囲が狭かったり、
等労相への転移点が高い傾向があり、さらに応答性がお
そいという欠点がある。
最近フェニル安息香酸系の強誘電性液晶が多数開発され
、これらの液晶化合物は化学的安定性が比較的良好で、
種類が豊富なことからこれらの化合物を混合した混合液
晶やこれらの化合物と他種の液晶化合物との混合液晶が
広く用いられている。
、これらの液晶化合物は化学的安定性が比較的良好で、
種類が豊富なことからこれらの化合物を混合した混合液
晶やこれらの化合物と他種の液晶化合物との混合液晶が
広く用いられている。
本発明は熱的および化学的安定性にすぐれ、しかも相転
移温度を拡大した強誘電性液晶化合物を提供することに
ある。
移温度を拡大した強誘電性液晶化合物を提供することに
ある。
本発明は、弐
式
[式中、R1は炭素数1〜18のアルキル基、アルキル
オキシ基、アルカノイル基アルキルオキシカルボニル基
又はアルキルカルボニルオキシ基;または−CH=N−
単結合、 −OCH,−Cゆ−R2− R3 で表わされる2−ハロゲン置換カルボン酸残基(式中、
R2は炭素数1〜tAルキル基、Zは水素原子、ハロゲ
ン原子また低級ハロアルキル基、R3は水素原子または
低級アルキル基である)]で表わされる2−ハロゲン置
換カルボン酸誘導体に関するものである。
オキシ基、アルカノイル基アルキルオキシカルボニル基
又はアルキルカルボニルオキシ基;または−CH=N−
単結合、 −OCH,−Cゆ−R2− R3 で表わされる2−ハロゲン置換カルボン酸残基(式中、
R2は炭素数1〜tAルキル基、Zは水素原子、ハロゲ
ン原子また低級ハロアルキル基、R3は水素原子または
低級アルキル基である)]で表わされる2−ハロゲン置
換カルボン酸誘導体に関するものである。
上記一般式において、R+基は、炭素数1〜18の直鎖
上アルキル基で、好ましくは、メチル、エチル、n−プ
ロピル、n−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n
−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル、
n−ドデシル、n−)リゾシル、およびn−テトラデシ
ル基などである。
上アルキル基で、好ましくは、メチル、エチル、n−プ
ロピル、n−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n
−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル、
n−ドデシル、n−)リゾシル、およびn−テトラデシ
ル基などである。
また、R,は炭素数1〜18の分枝状アルキル基で、好
ましくは、i−プロピル、■−メチルブチル、2−メチ
ルブチル、3−メチルブチル、1メチルペンチル、2−
エチルヘキシルおよび1−メチルヘプチル基などである
。
ましくは、i−プロピル、■−メチルブチル、2−メチ
ルブチル、3−メチルブチル、1メチルペンチル、2−
エチルヘキシルおよび1−メチルヘプチル基などである
。
R2は炭素数1〜16のアルキル基またはその置換誘導
体で、好ましくは、メチル、エチル、n−プロビル、イ
ソプロピル、n−ブチル、イソブチル、n−ペンチル、
イソアミル、ベンジンおよびフェネチル基などである。
体で、好ましくは、メチル、エチル、n−プロビル、イ
ソプロピル、n−ブチル、イソブチル、n−ペンチル、
イソアミル、ベンジンおよびフェネチル基などである。
R3は水素原子または低級アルキル基で、低級アルキル
基は、好ましくは水素原子、メチル基およびエチル基な
どである。
基は、好ましくは水素原子、メチル基およびエチル基な
どである。
Zはハロゲン原子および低級ハロアルキル基であり、好
ましくは、F、 C1,Br、 CF:l 、 Cz
F。
ましくは、F、 C1,Br、 CF:l 、 Cz
F。
C:lF?、 CCA’FZ、 CCI zF 、およ
びCF:ICCI! z基などである。
びCF:ICCI! z基などである。
次に、本発明に係る化合物の製造!衣の一例を示す。
ル基およびR3が低級アルキル基の場合。
2−ハロゲノ−2−アルキルマロン酸エステルの酸クロ
リッド体とベンジルオキシフェノールとを反応させ、エ
ステル化合物を合成した後、パラジウム−炭素などの触
媒を用いて水添処理し、2−ハロゲノ−2−アルキルマ
ロン酸エステルのフェノールエステルCI)を合成した
。
リッド体とベンジルオキシフェノールとを反応させ、エ
ステル化合物を合成した後、パラジウム−炭素などの触
媒を用いて水添処理し、2−ハロゲノ−2−アルキルマ
ロン酸エステルのフェノールエステルCI)を合成した
。
などの不活性溶媒中で反応させて、目的化合物である2
−ハロゲノ−2−アルキルマロン酸エステルの4 (4
′−アルコキシビフェニルカルボキシ)安息香酸エステ
ルを製造することができる。
−ハロゲノ−2−アルキルマロン酸エステルの4 (4
′−アルコキシビフェニルカルボキシ)安息香酸エステ
ルを製造することができる。
上記のフェノールエステル(1)と一般式また、別法と
して、 本発明の化合物は2−ハロゲノ−2 マロン酸フエノールエステル アルキル (R+、RgおよびR3は上記と同意義を有する)で表
わされるカルボン酸誘導体(II)の酸クロライド体と
をピリジンなどの塩基の存在下、塩化メチレン、テトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテルと一般式 で表わされる4′−アルコキシビフェニルカルボン酸と
をジシクロヘキシルカルボジイミドなどの脱水縮合剤を
用いてエステル化することによって製造することができ
る。
して、 本発明の化合物は2−ハロゲノ−2 マロン酸フエノールエステル アルキル (R+、RgおよびR3は上記と同意義を有する)で表
わされるカルボン酸誘導体(II)の酸クロライド体と
をピリジンなどの塩基の存在下、塩化メチレン、テトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテルと一般式 で表わされる4′−アルコキシビフェニルカルボン酸と
をジシクロヘキシルカルボジイミドなどの脱水縮合剤を
用いてエステル化することによって製造することができ
る。
上記のカルボン酸誘導体(II)に代えて、などを用い
ることができる。
ることができる。
更に、上記の2−ハロゲノ−2−アルキルマロン酸フェ
ノールエステル(1)の代りに、などを用いることがで
きる。
ノールエステル(1)の代りに、などを用いることがで
きる。
(式中R,,Yは上記と同一意義を有する)本発明に係
る化合物の製造経路を示すと次のようである。
る化合物の製造経路を示すと次のようである。
〔式中R8はアルキル基〕
〔■ ′〕
1′+3
次に実施例を掲げて本発明を説゛明するがこれに限定さ
れるものではない。
れるものではない。
実施例
4−ベンジルオキシフェノール22gと2−メチルー2
−フルオロマロン酸モノエチルエステルの酸クロリド体
18gおよびトリエチルアミン11gを塩化メチレン溶
媒に加え、室温にて1昼夜反応した。反応液を水中に注
ぎ、塩化メチルにて抽出した後、IN塩酸、水、IN炭
酸水素すl−IJウム、水の順に有機層を洗浄し、中性
にした後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加え、乾燥
し、減圧上溶媒を留去し、得られた粗生成物をトルエン
−シリカゲルクロマト処理し、2−フルオロ−2〜メチ
ルマロン酸−4−ベンジルオキシフェニルエステルLo
gを得た。
−フルオロマロン酸モノエチルエステルの酸クロリド体
18gおよびトリエチルアミン11gを塩化メチレン溶
媒に加え、室温にて1昼夜反応した。反応液を水中に注
ぎ、塩化メチルにて抽出した後、IN塩酸、水、IN炭
酸水素すl−IJウム、水の順に有機層を洗浄し、中性
にした後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加え、乾燥
し、減圧上溶媒を留去し、得られた粗生成物をトルエン
−シリカゲルクロマト処理し、2−フルオロ−2〜メチ
ルマロン酸−4−ベンジルオキシフェニルエステルLo
gを得た。
次に上記化合物と10%パラジウム炭素1.0gとをメ
タノールに加え、水素加圧下で10時間反応させた。反
応液を決過して10%パラジウム炭素を除いた後、エタ
ノールを減圧上留去して、目的化合物7.2gを得た。
タノールに加え、水素加圧下で10時間反応させた。反
応液を決過して10%パラジウム炭素を除いた後、エタ
ノールを減圧上留去して、目的化合物7.2gを得た。
企底・
前項〔1〕で得られた4−ヒドロキシフェニル−エチル
−2−メチル−2−フルオロマロン酸7.2gと触媒量
のジメチルアミノピリジンとをピリジン35m&に溶解
し、氷水中にて冷却しながら塩化メチレン30nifに
溶解した4−オクチルオキシビフェニルカルボン酸クロ
リド10.7 gを滴下した後、室温にて一昼夜反応し
た。
−2−メチル−2−フルオロマロン酸7.2gと触媒量
のジメチルアミノピリジンとをピリジン35m&に溶解
し、氷水中にて冷却しながら塩化メチレン30nifに
溶解した4−オクチルオキシビフェニルカルボン酸クロ
リド10.7 gを滴下した後、室温にて一昼夜反応し
た。
反応液を水に注ぎ分液炉斗にて有機層を分離した後、希
塩酸、水、IN炭酸水素ナトリウム、水の順にて有機層
を洗浄後有機層を回収し、これに無水硫酸マグネシウム
を加えて乾燥した後、減圧上溶媒を留去して得られた粗
生成物をn−ヘキサンと酢酸エチルの混合物を展開液と
してシリカゲルクロマト処理し、さらにエタノールにて
再結晶を(り返して目的化合物1.2gを得た。
塩酸、水、IN炭酸水素ナトリウム、水の順にて有機層
を洗浄後有機層を回収し、これに無水硫酸マグネシウム
を加えて乾燥した後、減圧上溶媒を留去して得られた粗
生成物をn−ヘキサンと酢酸エチルの混合物を展開液と
してシリカゲルクロマト処理し、さらにエタノールにて
再結晶を(り返して目的化合物1.2gを得た。
本発明の目的化合物は液晶性を示し、強誘電性であるス
メクチックC0相を76〜120℃の範囲で示した。実
施例に示した本発明の目的化合物の赤外吸収スペクトル
線図を第1図に示した。
メクチックC0相を76〜120℃の範囲で示した。実
施例に示した本発明の目的化合物の赤外吸収スペクトル
線図を第1図に示した。
主皿■四困
(1)本発明の目的化合物は広い温度範囲のカイラルス
メクチック相を示す強誘電性液晶材料である。
メクチック相を示す強誘電性液晶材料である。
(2) 本発明の目的化合物はスメクチックA相にお
いてエレクトロクリニック効果を示す。
いてエレクトロクリニック効果を示す。
(3)本発明の目的化合物に数種の液晶化合物を配合し
てカイラルスメクチック液晶組成物を構成する場合、カ
イラルスメクチック相の温度範囲を拡張する有用な構成
成分となる化合物である。
てカイラルスメクチック液晶組成物を構成する場合、カ
イラルスメクチック相の温度範囲を拡張する有用な構成
成分となる化合物である。
実施例に示す本発明の目的化合物(III)の赤外吸収
スペクトル線図は第1図に示した。
スペクトル線図は第1図に示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中R_1は炭素数1〜18のアルキル基、アルキル
オキシ基、アルカノイル基、アルキルオキシカルビニル
基又はアルキルカルボニルオキシ基;▲数式、化学式、
表等があります▼は▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 または▲数式、化学式、表等があります▼単結合、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 または▲数式、化学式、表等があります▼単結合、 Xは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または−CH=N−単結合、 Yは▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる2−ハロゲン置換カルボン酸残基(式中、
R_2は炭素数1−16のアルキル基、Zは水素原子、
ハロゲン原子または低級ハロアルキル基、R_3は水素
原子または低級アルキル基である)] で表わされる2−ハロゲン置換カルボン酸誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32920088A JPH02178258A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 2―ハロゲン置換カルボン酸誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32920088A JPH02178258A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 2―ハロゲン置換カルボン酸誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02178258A true JPH02178258A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18218769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32920088A Pending JPH02178258A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 2―ハロゲン置換カルボン酸誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02178258A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03112944A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-14 | Nippon Mining Co Ltd | 新規な含フッ素化合物、これを含む液晶組成物及び光スイッチング素子 |
DE10232670A1 (de) * | 2002-07-18 | 2004-02-05 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Läppscheiben |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63307837A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-12-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学活性化合物 |
JPH01197459A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学活性化合物及び液晶組成物 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP32920088A patent/JPH02178258A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63307837A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-12-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学活性化合物 |
JPH01197459A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学活性化合物及び液晶組成物 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2750914B2 (ja) * | 1989-09-27 | 1998-05-18 | 株式会社ジャパンエナジー | 新規な含フッ素化合物、これを含む液晶組成物及び光スイッチング素子 |
DE10232670A1 (de) * | 2002-07-18 | 2004-02-05 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Läppscheiben |
DE10232670B4 (de) * | 2002-07-18 | 2004-05-13 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Läppscheiben |
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