JP2909484B2 - 強誘電性液晶化合物 - Google Patents
強誘電性液晶化合物Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は表示素子又は電気光学素子に有用な光学活性
な液晶性化合物に関する。
な液晶性化合物に関する。
近年強誘電性液晶は，従来のネマチック型液晶に比べ
て応答速度が大きいことに特徴があることから応用研究
が盛んになされている。
て応答速度が大きいことに特徴があることから応用研究
が盛んになされている。
強誘電性は，分子の配列上分類命名されているカイラ
ルスメクチックＣ相，カイラルスメクチックＩ相，カイ
ラルスメチックＦ相，カイラルスメクチックＧ相及びカ
イラルスメクチックＨ相に発現し，強誘電性に基づく応
答は次式〔ａ〕 τ＝η/PS・Ｅ 〔ａ〕 （式中τは応答時間，ηは液晶材料の粘度,PSは自発分
極,Eは電界を示す）として表わされるため，理論上１μ
ｓまで応答できる表示素子を得ることが可能となる。
ルスメクチックＣ相，カイラルスメクチックＩ相，カイ
ラルスメチックＦ相，カイラルスメクチックＧ相及びカ
イラルスメクチックＨ相に発現し，強誘電性に基づく応
答は次式〔ａ〕 τ＝η/PS・Ｅ 〔ａ〕 （式中τは応答時間，ηは液晶材料の粘度,PSは自発分
極,Eは電界を示す）として表わされるため，理論上１μ
ｓまで応答できる表示素子を得ることが可能となる。
強誘電性液晶化合物としては，ドデシルベンジリデン
−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシンナメート（DBAMB
C）に代表されるシッフ塩基系の液晶化合物をはじめ，
エステル系の液晶化合など多くの化合物が合成されてい
る。
−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシンナメート（DBAMB
C）に代表されるシッフ塩基系の液晶化合物をはじめ，
エステル系の液晶化合など多くの化合物が合成されてい
る。
さらに実用的な表示素子材料として用いるために，い
くつかの液晶化合物を混合し，カイラルスメクチックＣ
相の温度範囲を拡大する研究も盛んに行われている。
くつかの液晶化合物を混合し，カイラルスメクチックＣ
相の温度範囲を拡大する研究も盛んに行われている。
しかしながら上記したシッフ塩基系の液晶性化合物は
光による異性化，水分による加水分解を起こし，液晶性
が低減するため，表示素子材料として好ましくない。そ
こで配合によって実用的な表示素子材料を得るために，
カイラルスメクチックＣ相を示す温度範囲が広く，その
上限温度の高い液晶性化合物が望まれている。
光による異性化，水分による加水分解を起こし，液晶性
が低減するため，表示素子材料として好ましくない。そ
こで配合によって実用的な表示素子材料を得るために，
カイラルスメクチックＣ相を示す温度範囲が広く，その
上限温度の高い液晶性化合物が望まれている。
本発明者等は上記観点から鋭意研究の結果，安定性に
すぐれ，カイラルスメクチックＣ相を示す温度範囲が広
く，その上限温度が高い液晶性化合物を見出し，本発明
に到った。
すぐれ，カイラルスメクチックＣ相を示す温度範囲が広
く，その上限温度が高い液晶性化合物を見出し，本発明
に到った。
すなわち，本発明は，一般式〔Ｉ〕 （式中Ｒ＊は炭素数が４〜13の不斉炭素原子を有する光
学活性アルキル基を,Rは炭素数が１〜20の直鎖アルキル
基を,Xは基−Ｃ＝Ｃ−又は基−CH2CH2−を、Ｙは をそれぞれ示す）で表わされる液晶性化合物である。
学活性アルキル基を,Rは炭素数が１〜20の直鎖アルキル
基を,Xは基−Ｃ＝Ｃ−又は基−CH2CH2−を、Ｙは をそれぞれ示す）で表わされる液晶性化合物である。
一般式〔Ｉ〕で表わされる化合物の典型例を具体的に
示すと，式中のX,Yの組合せにより、次のグループに分
けることができる。
示すと，式中のX,Yの組合せにより、次のグループに分
けることができる。
（式中Ｒ＊及びＲは前記と同じ意義を有する） 一般式〔Ｉ〕で表わされる化合物の製造方法は下記に
詳述するが，製造原料の一つとして光学活性アルコール
が使用される。光学活性アルコールとしては，産業上の
汎用性という観点から安価に入手できる，例えば１−メ
チルブタノール,2−メチルブタノール,3−メチルペンタ
ノール,4−メチルヘキサノール,1−メチルヘプタノー
ル,5−メチルヘプタノール,6−メチルオクタノール,1−
メチルプロパノールなどが使用される。
詳述するが，製造原料の一つとして光学活性アルコール
が使用される。光学活性アルコールとしては，産業上の
汎用性という観点から安価に入手できる，例えば１−メ
チルブタノール,2−メチルブタノール,3−メチルペンタ
ノール,4−メチルヘキサノール,1−メチルヘプタノー
ル,5−メチルヘプタノール,6−メチルオクタノール,1−
メチルプロパノールなどが使用される。
本発明の化合物の製造方法の概略を示すと次のように
なる。
なる。
〔発明の作用及び効果〕 本発明の化合物は次の作用及び特徴を示す新規な液晶
性化合物である。
性化合物である。
まず水分を含有する雰囲気下においても容易に分解さ
れるような基をもたず，光によっても異性化するような
基を含まないので，湿気，光に対して非常に安定であ
る。
れるような基をもたず，光によっても異性化するような
基を含まないので，湿気，光に対して非常に安定であ
る。
さらに本発明の化合物はスメクチックＣ相を示す温度
範囲が広く，またその上限温度が高いので，他の液晶性
化合物と混合することによって実用的な組成物をつくる
ことが可能となる。
範囲が広く，またその上限温度が高いので，他の液晶性
化合物と混合することによって実用的な組成物をつくる
ことが可能となる。
以下に実施例を例示して，本発明を説明するが，実施
例中の％は重量％を示すものとする。
例中の％は重量％を示すものとする。
製造例１ ４−アルコキシ−３−フルオロフェニルアセ
チレン〔Ｂ〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた300c.c.の三
つ口フラスコに，窒素気流中で４−アルコキシ−３−フ
ルオロブロモベンゼン42.7m mol,2−メチル−３−ブチ
ン−２−オール5.3g（63.0m mol），ジクロルビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム91.5mg（0.13m mo
l），トリフェニルホスフィン67.8mg（0.258m mol）及
びトリエチルアミン80.0mlを仕込み，撹拌溶解し，ヨウ
化銅10mgを加えた。室温で１時間撹拌後，徐々に加熱
し，内温を90℃とした。この温度で10時間反応させた。
反応後は室温に戻し，トリエチルアミンを減圧下で留去
し，残留物にエーテル100mlを加えて水洗し，無水硫酸
ナトリウムで乾燥した。過後エーテルを留去し，残留
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（200メッシ
ュのシリカゲル100g,展開溶媒：ベンゼン／酢酸エチル
＝19/1）にかけ，次の化合物Ａを中間体として得た。
チレン〔Ｂ〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた300c.c.の三
つ口フラスコに，窒素気流中で４−アルコキシ−３−フ
ルオロブロモベンゼン42.7m mol,2−メチル−３−ブチ
ン−２−オール5.3g（63.0m mol），ジクロルビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム91.5mg（0.13m mo
l），トリフェニルホスフィン67.8mg（0.258m mol）及
びトリエチルアミン80.0mlを仕込み，撹拌溶解し，ヨウ
化銅10mgを加えた。室温で１時間撹拌後，徐々に加熱
し，内温を90℃とした。この温度で10時間反応させた。
反応後は室温に戻し，トリエチルアミンを減圧下で留去
し，残留物にエーテル100mlを加えて水洗し，無水硫酸
ナトリウムで乾燥した。過後エーテルを留去し，残留
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（200メッシ
ュのシリカゲル100g,展開溶媒：ベンゼン／酢酸エチル
＝19/1）にかけ，次の化合物Ａを中間体として得た。
つぎに撹拌器，温度計及び蒸留装置を備えた200c.c.
の三つ口フラスコに，窒素気流中で上記化合物〔Ａ〕2
5.5m mol,無水トルエン100ml及び水素化ナトリウム（50
％ヌジョール分散剤）50mgを仕込み，室温で30分撹拌し
た。徐々に加熱し,30分を要して内温を70℃とした。ア
セトン（副生物）の還流が始まり，トルエンと共に留出
しはじめるが，さらに加熱して留出温度がトルエンの沸
点となるまで反応を続けた。この間１時間を要し，留出
した溶媒は50mlであった。反応終了後，室温に戻し，ベ
ンゼン50mlを加えて水洗し，無水硫酸ナトリウムで乾燥
した。過後，有機溶媒を留去し，残留物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（200メッシュのシリカゲル1
00g,展開溶媒：ヘキサン／ベンゼン／＝9/1）にかけて
４−アルコキシ−３−フルオロフェニルアセチレン
〔Ｂ〕を得た。その構造はIR及び1H−NMRスペクトルよ
り確認した。
の三つ口フラスコに，窒素気流中で上記化合物〔Ａ〕2
5.5m mol,無水トルエン100ml及び水素化ナトリウム（50
％ヌジョール分散剤）50mgを仕込み，室温で30分撹拌し
た。徐々に加熱し,30分を要して内温を70℃とした。ア
セトン（副生物）の還流が始まり，トルエンと共に留出
しはじめるが，さらに加熱して留出温度がトルエンの沸
点となるまで反応を続けた。この間１時間を要し，留出
した溶媒は50mlであった。反応終了後，室温に戻し，ベ
ンゼン50mlを加えて水洗し，無水硫酸ナトリウムで乾燥
した。過後，有機溶媒を留去し，残留物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（200メッシュのシリカゲル1
00g,展開溶媒：ヘキサン／ベンゼン／＝9/1）にかけて
４−アルコキシ−３−フルオロフェニルアセチレン
〔Ｂ〕を得た。その構造はIR及び1H−NMRスペクトルよ
り確認した。
結果を第１表に示す。
表中の（注１）〜（注３）はそれぞれ以下のことを示
す。
す。
（注１） 2MB:（Ｓ）−２−メチルブチル基 （注２） 1MH:（Ｓ）−１−メチルヘプチル基 （注３） IRスペクトルにおいて2210〜2220cm-1にＣ≡
Ｃに基づく吸収があるが極めて弱い 製造例２ ｐ−ブロモフェニル ４−アルコキシベンゾ
エート〔Ｃ〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた100c.c.の三
つ口フラスコにｐ−ブロモフェニル3.93g（25.0m mol）
と無水ピリジン10mlを仕込み，撹拌しながら４−アルコ
キシベンゾイルクロライド25.0m molを含むテトラヒド
ロフラン溶液20mlを氷冷下に加えた。室温に戻した後，
加熱して還流温度で８時間反応した。反応終了後，ベン
ゼンを加え，水,10％水酸化ナトリウム水溶液，水の順
で洗浄した後，無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を
減圧下で留去し，残留分をエタノールから再結晶し,p−
ブロモフェニル ４−アルコキシベンゾエート〔Ｃ〕を
92〜96％の収率で得た。
Ｃに基づく吸収があるが極めて弱い 製造例２ ｐ−ブロモフェニル ４−アルコキシベンゾ
エート〔Ｃ〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた100c.c.の三
つ口フラスコにｐ−ブロモフェニル3.93g（25.0m mol）
と無水ピリジン10mlを仕込み，撹拌しながら４−アルコ
キシベンゾイルクロライド25.0m molを含むテトラヒド
ロフラン溶液20mlを氷冷下に加えた。室温に戻した後，
加熱して還流温度で８時間反応した。反応終了後，ベン
ゼンを加え，水,10％水酸化ナトリウム水溶液，水の順
で洗浄した後，無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を
減圧下で留去し，残留分をエタノールから再結晶し,p−
ブロモフェニル ４−アルコキシベンゾエート〔Ｃ〕を
92〜96％の収率で得た。
結果を第２表に示す。
製造例３ ｐ−アルコキシフェニル ４−ブロモベンゾ
エート〔Ｄ〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた100c.c.の三
つ口フラスコにｐ−アルコキシフェノール18.2m molと
無水ピリジン10mlを仕込み，撹拌しながら４−ブロモベ
ンゾイルクロライド19.2m molを含むテトラヒドロフラ
ン溶液20mlを氷冷下に加えた。室温に戻した後，加熱し
て還流温度で８時間反応した。反応終了後，ベンゼンを
加え，水,10％水酸化ナトリウム水溶液，水の順で洗浄
した後，無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下
で留去し，残留分をエタノールから再結晶し,p−アルコ
キシフェニル ４−ブロモベンゾエート〔Ｄ〕を80〜95
％の収率で得た。
エート〔Ｄ〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた100c.c.の三
つ口フラスコにｐ−アルコキシフェノール18.2m molと
無水ピリジン10mlを仕込み，撹拌しながら４−ブロモベ
ンゾイルクロライド19.2m molを含むテトラヒドロフラ
ン溶液20mlを氷冷下に加えた。室温に戻した後，加熱し
て還流温度で８時間反応した。反応終了後，ベンゼンを
加え，水,10％水酸化ナトリウム水溶液，水の順で洗浄
した後，無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下
で留去し，残留分をエタノールから再結晶し,p−アルコ
キシフェニル ４−ブロモベンゾエート〔Ｄ〕を80〜95
％の収率で得た。
結果を第３表に示す。
実施例１ ４−アルコキシ−３−フルオロ−４′−（ｐ
−アルコキシ）ベンゾイルオキシトラン〔I a〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた100c.c.の三
つ口フラスコに製造例１で得た４−アルコキシ−３−フ
ルオロフェニルアセチレン〔Ｂ〕2.42m mol,製造例２で
得たｐ−ブロモフェニル ４−アルコキシベンゾエート
〔Ｃ〕2.65m mol,ジクロルビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム13.0mg,トリンフェニルホスフィン26.0m
g及びトリエチルアミン10.0mlを仕込み，撹拌溶解後，
ヨウ化銅（Ｉ）5.0mgを加えた。室温で３時間撹拌後，
加熱して80℃で８時間反応した。反応終了後，室温に戻
し，トリエチルアミンを減圧下で留去し，残留物にエー
テル100mlを加え，水洗した後，無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。過後エーテルを留去し，残留物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（200メッシュのシリカゲ
ル100g,展開溶媒：ヘキサン／ベンゼン＝7/3）にかけて
精製し，さらにヘキサンより再結晶し，第４表の４−ア
ルコキシ−３−フルオロ−４′−（ｐ−アルコキシ）ベ
ンゾイルオキシトラン〔I a〕を得た。各化合物の構造
はIR及び1H−NMRスペクトルにより確認した。
−アルコキシ）ベンゾイルオキシトラン〔I a〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた100c.c.の三
つ口フラスコに製造例１で得た４−アルコキシ−３−フ
ルオロフェニルアセチレン〔Ｂ〕2.42m mol,製造例２で
得たｐ−ブロモフェニル ４−アルコキシベンゾエート
〔Ｃ〕2.65m mol,ジクロルビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム13.0mg,トリンフェニルホスフィン26.0m
g及びトリエチルアミン10.0mlを仕込み，撹拌溶解後，
ヨウ化銅（Ｉ）5.0mgを加えた。室温で３時間撹拌後，
加熱して80℃で８時間反応した。反応終了後，室温に戻
し，トリエチルアミンを減圧下で留去し，残留物にエー
テル100mlを加え，水洗した後，無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。過後エーテルを留去し，残留物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（200メッシュのシリカゲ
ル100g,展開溶媒：ヘキサン／ベンゼン＝7/3）にかけて
精製し，さらにヘキサンより再結晶し，第４表の４−ア
ルコキシ−３−フルオロ−４′−（ｐ−アルコキシ）ベ
ンゾイルオキシトラン〔I a〕を得た。各化合物の構造
はIR及び1H−NMRスペクトルにより確認した。
以上実施例１で得た各化合物の相転移温度と共に結果
を第４表に示す。
を第４表に示す。
実施例２ １−（４−アルコキシ−３−フルオロフェニ
ル）−２−〔４−（ｐ−アルコキシ）ベンゾイルオキ
シ〕エタン〔I b〕の合成 水素ガスを封入したゴム風船を備えた反応容器に実施
例１で得た４−アルコキシ３−フルオロ−４′−（ｐ−
アルコキシ）ベンゾイルオキシトラン〔I a〕1.0m mol,
5％パラジウム−炭素50mg及び酢酸エチル10mlを仕込
み，水素ガス置換後，室温で撹拌し，反応させた。反応
終了後，過し，溶媒を減圧下で留去し，残留物をヘキ
サンから再結晶し，第５表の１−（４−アルコキシ−３
−フルオロフェニル）−２−〔４−（ｐ−アルコキシ）
ベンゾイルオキシ〕エタン〔I b〕を得た。各化合物の
構造はIRおよび1H−NMRスペクトルにより確認した。
ル）−２−〔４−（ｐ−アルコキシ）ベンゾイルオキ
シ〕エタン〔I b〕の合成 水素ガスを封入したゴム風船を備えた反応容器に実施
例１で得た４−アルコキシ３−フルオロ−４′−（ｐ−
アルコキシ）ベンゾイルオキシトラン〔I a〕1.0m mol,
5％パラジウム−炭素50mg及び酢酸エチル10mlを仕込
み，水素ガス置換後，室温で撹拌し，反応させた。反応
終了後，過し，溶媒を減圧下で留去し，残留物をヘキ
サンから再結晶し，第５表の１−（４−アルコキシ−３
−フルオロフェニル）−２−〔４−（ｐ−アルコキシ）
ベンゾイルオキシ〕エタン〔I b〕を得た。各化合物の
構造はIRおよび1H−NMRスペクトルにより確認した。
以上実施例２で得た各化合物の相転移温度と共に結果
を第５表に示す。
を第５表に示す。
実施例３ ４−アルコキシ−３−フルオロ−４′−（ｐ
−アルコキシ）フェニルオキシカルボニルトラン〔I
c〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた100c.c.の三
つ口フラスコに製造例１で得た４−アルコキシ−３−フ
ルオロフェニルアセチレン〔Ｂ〕2.42m mol,製造例３で
得たｐ−アルコキシフェニル ４−ブロモベンゾエート
〔Ｄ〕2.65m mol,ジクロルビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム13.0mg,トリフェニルホスフィン26.0mg
及びトリエチルアミン10.0mlを仕込み，撹拌溶解後，ヨ
ウ化銅（Ｉ）5.0mgを加えた。室温で３時間撹拌後，加
熱して80℃で８時間反応した。反応終了後，室温に戻
し，トリエチルアミンを減圧下で留去し，残留物にエー
テル100mlを加え，水洗した後，無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。過後エーテルを留去し，残留物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（200メッシュのシリカゲ
ル100g,展開溶媒：ヘキサン／ベンゼン＝6/4）にかけて
精製し，さらにヘキサンより再結晶し，第６表の４−ア
ルコキシ−３−フルオロ−４′−（ｐ−アルコキシ）フ
ェニルオキシカルボニルトラン〔I c〕を得た。各化合
物の構造はIR及び1H−NMRスペクトルにより確認した。
−アルコキシ）フェニルオキシカルボニルトラン〔I
c〕の合成 撹拌器，温度計及び還流冷却器を備えた100c.c.の三
つ口フラスコに製造例１で得た４−アルコキシ−３−フ
ルオロフェニルアセチレン〔Ｂ〕2.42m mol,製造例３で
得たｐ−アルコキシフェニル ４−ブロモベンゾエート
〔Ｄ〕2.65m mol,ジクロルビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム13.0mg,トリフェニルホスフィン26.0mg
及びトリエチルアミン10.0mlを仕込み，撹拌溶解後，ヨ
ウ化銅（Ｉ）5.0mgを加えた。室温で３時間撹拌後，加
熱して80℃で８時間反応した。反応終了後，室温に戻
し，トリエチルアミンを減圧下で留去し，残留物にエー
テル100mlを加え，水洗した後，無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。過後エーテルを留去し，残留物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（200メッシュのシリカゲ
ル100g,展開溶媒：ヘキサン／ベンゼン＝6/4）にかけて
精製し，さらにヘキサンより再結晶し，第６表の４−ア
ルコキシ−３−フルオロ−４′−（ｐ−アルコキシ）フ
ェニルオキシカルボニルトラン〔I c〕を得た。各化合
物の構造はIR及び1H−NMRスペクトルにより確認した。
以上実施例３で得た各化合物の相転移温度と共に結果
を第６表に示す。
を第６表に示す。
実施例４ １−（４−アルコキシ−３−フルオロ）フェ
ニル−２−〔４−（ｐ−アルコキシ）フェニルオキシカ
ルボニル〕エタン〔I d〕の合成 水素ガスを封入したゴム風船を備えた反応容器に実施
例３で得た４−アルコキシ−３−フルオロ−４′−（ｐ
−アルコキシ）フェニルオキシカルボニルトラン〔I
c〕1.0m mol,5％パラジウム−炭素50mg及び酢酸エチル1
0mlを仕込み，水素ガス置換後，室温で撹拌し，反応さ
せた。反応終了後，過し，溶媒を減圧下で留去し，残
留物をヘキサンから再結晶し，第７表の１−（４−アル
コキシ−３−フルオロ）フェニル−２−〔４−（ｐ−ア
ルコキシ）フェニルオキシカルボニルエタン〔I d〕を
得た。各化合物の構造はIR及び1H−NMRスペクトルによ
り確認した。
ニル−２−〔４−（ｐ−アルコキシ）フェニルオキシカ
ルボニル〕エタン〔I d〕の合成 水素ガスを封入したゴム風船を備えた反応容器に実施
例３で得た４−アルコキシ−３−フルオロ−４′−（ｐ
−アルコキシ）フェニルオキシカルボニルトラン〔I
c〕1.0m mol,5％パラジウム−炭素50mg及び酢酸エチル1
0mlを仕込み，水素ガス置換後，室温で撹拌し，反応さ
せた。反応終了後，過し，溶媒を減圧下で留去し，残
留物をヘキサンから再結晶し，第７表の１−（４−アル
コキシ−３−フルオロ）フェニル−２−〔４−（ｐ−ア
ルコキシ）フェニルオキシカルボニルエタン〔I d〕を
得た。各化合物の構造はIR及び1H−NMRスペクトルによ
り確認した。
以上実施例４で得た各化合物の相転移温度と共に結果
を第７表に示す。
を第７表に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09K 19/20 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】一般式〔Ｉ〕 （式中Ｒ＊は不斉炭素を有する炭素数４〜12の光学活性
なアルキル基を、Ｒは炭素数が１〜20の直鎖アルキル基
を、Ｘは基−CH2CH2−を、Ｙは をそれぞれ示す）で表わされる液晶性化合物 - 【請求項２】一般式〔Ｉ〕において、Ｒ＊が一般式〔I
I〕 （式中ｌは１〜５の整数を、ｍは０〜５の整数を、＊は
不斉炭素原子をそれぞれ示す）で表わされる光学活性ア
ルキル基である特許請求の範囲第１項記載の液晶性化合
物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075890A JP2909484B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 強誘電性液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075890A JP2909484B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 強誘電性液晶化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047392A JPH047392A (ja) | 1992-01-10 |
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1990
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| JPH047392A (ja) | 1992-01-10 |
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