JP2909776B2 - 液晶化合物 - Google Patents
液晶化合物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示素子又は電気光学素
子として有用な新規な液晶化合物を提供することであ
る。
子として有用な新規な液晶化合物を提供することであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年強誘電性液晶は、従来のネマチック
型液晶に比べて応答速度が大きいことに特徴があること
から応用研究が盛んになされている。
型液晶に比べて応答速度が大きいことに特徴があること
から応用研究が盛んになされている。
【０００３】強誘電性は、分子の配列上分類命名されて
いるカイラルスメチックＣ相、カイラルスメチックＩ
相、カイラルスメチックＦ相、カイラルスメチックＧ相
及びカイラルスメチックＨ相に発現し、強誘電性に基づ
く応答は数式〔１〕
いるカイラルスメチックＣ相、カイラルスメチックＩ
相、カイラルスメチックＦ相、カイラルスメチックＧ相
及びカイラルスメチックＨ相に発現し、強誘電性に基づ
く応答は数式〔１〕
【数１】τ＝η／Ｐｓ・Ｅ （式中τは応答時間を、ηは液晶材料の粘度を、Ｐｓは
自発分極を、Ｅは電界をそれぞれ示す）として表わされ
るため、理論上１μｓまで応答できる表示素子を得るこ
とが可能になる。
自発分極を、Ｅは電界をそれぞれ示す）として表わされ
るため、理論上１μｓまで応答できる表示素子を得るこ
とが可能になる。
【０００４】強誘電性液晶化合物としては、ドデシルベ
ンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシンナメ−
ト（ＤＢＡＭＢＣ）に代表されるシッフ塩基系の液晶化
合物をはじめ、エステル系の液晶化合物など多くの化合
物が合成されている。
ンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシンナメ−
ト（ＤＢＡＭＢＣ）に代表されるシッフ塩基系の液晶化
合物をはじめ、エステル系の液晶化合物など多くの化合
物が合成されている。
【０００５】さらに実用的な表示素子材料として用いる
ために、いくつかの液晶化合物を混合し、カイラルスメ
チックＣ相の温度範囲を拡大する研究も盛んに行われて
いる。
ために、いくつかの液晶化合物を混合し、カイラルスメ
チックＣ相の温度範囲を拡大する研究も盛んに行われて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
シッフ塩基系の液晶化合物は光による異性化、水分によ
る加水分解を起こし、液晶性が低減するため表示素子材
料として好ましくない。そこで配合によって実用的な表
示素子材料を得るために、カイラルスメチックＣ相を示
す温度範囲が広く、その上限温度の高い液晶化合物が望
まれている。
シッフ塩基系の液晶化合物は光による異性化、水分によ
る加水分解を起こし、液晶性が低減するため表示素子材
料として好ましくない。そこで配合によって実用的な表
示素子材料を得るために、カイラルスメチックＣ相を示
す温度範囲が広く、その上限温度の高い液晶化合物が望
まれている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記観点か
ら鋭意研究の結果、安定性にすぐれ、カイラルスメチッ
クＣ相を示す温度範囲が広く、その上限温度の高い液晶
化合物を見出し、本発明に至った。
ら鋭意研究の結果、安定性にすぐれ、カイラルスメチッ
クＣ相を示す温度範囲が広く、その上限温度の高い液晶
化合物を見出し、本発明に至った。
【０００８】すなわち、本発明は一般式〔３〕
【化３】 （式中Ｒ* は炭素数が４乃至１３の不斉炭素原子を有す
る光学活性なアルキル基を、Ｒは炭素数が１乃至２０の
直鎖アルキル基を、Ｘは基 −ＣＨ2 ＣＨ2 −又は基
−ＯＣ（＝Ｏ）− を、Ｙは基 −ＣＨ2 ＣＨ2 − 、
基−ＯＣ（＝Ｏ）− 又は基−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ− をそれ
ぞれ示す）で表わされる液晶化合物である。
る光学活性なアルキル基を、Ｒは炭素数が１乃至２０の
直鎖アルキル基を、Ｘは基 −ＣＨ2 ＣＨ2 −又は基
−ＯＣ（＝Ｏ）− を、Ｙは基 −ＣＨ2 ＣＨ2 − 、
基−ＯＣ（＝Ｏ）− 又は基−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ− をそれ
ぞれ示す）で表わされる液晶化合物である。
【０００９】一般式〔３〕で表わされる化合物の典型例
を具体的に示すと、式中のＸ、Ｙの組合せにより、次の
グル−プ（化学式〔４〕）に分けることができる。
を具体的に示すと、式中のＸ、Ｙの組合せにより、次の
グル−プ（化学式〔４〕）に分けることができる。
【化４】 （式中Ｒ* 及びＲは前記と同じ意義を有する）
【００１０】一般式〔３〕で表わされる化合物の製造方
法は下記に詳述するが、製造原料の一つとして光学活性
アルコ−ルが使用される。光学活性アルコ−ルとして
は、産業上の汎用性という観点から安価に入手できる、
例えば１−メチルブタノ−ル、２−メチルブタノ−ル、
３−メチルペンタノ−ル、４−メチルヘキサノ−ル、１
−メチルヘプタノ−ル、５−メチルヘプタノ−ル、６−
メチルオクタノ−ル、１−メチルプロパノ−ルなどが使
用される。
法は下記に詳述するが、製造原料の一つとして光学活性
アルコ−ルが使用される。光学活性アルコ−ルとして
は、産業上の汎用性という観点から安価に入手できる、
例えば１−メチルブタノ−ル、２−メチルブタノ−ル、
３−メチルペンタノ−ル、４−メチルヘキサノ−ル、１
−メチルヘプタノ−ル、５−メチルヘプタノ−ル、６−
メチルオクタノ−ル、１−メチルプロパノ−ルなどが使
用される。
【００１１】本発明の化合物の製造方法の概略を示すと
次のようになる。
次のようになる。
【化５】
【００１２】
【実施例】以下に実施例を例示して、本発明を説明する
が、実施例中の％は重量％を示すものとする。
が、実施例中の％は重量％を示すものとする。
【００１３】製造例１ ４−アルコキシカルボニル−
３−フルオロフェニルアセチレン（Ｂ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた２００ｃｃの三
つ口フラスコに、窒素気流中で４−アルコキシカルボニ
ル−３−フルオロヨ−ドベンゼン２４．０ｍｍｏｌ、２
−メチル−３−ブチン−２−オ−ル３．０３ｇ（３６．
０ｍｍｏｌ）、ジクロルビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム５０．２ｍｇ（０．０７２ｍｍｏｌ）、
トリフェニルホスフィン３８．２ｍｇ（０．１４６ｍｍ
ｏｌ）及びトリエチルアミン５０．０ｍｌを仕込み、攪
拌溶解し、ヨウ化第１銅５ｍｇを加えた。室温で３時間
攪拌後、徐々に加熱し、内温を９０℃とした。この温度
で８時間反応させた。反応後は室温に戻し、トリエチル
アミンを減圧下で留去し、残留物にエ−テル１００ｍｌ
を加えて水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過
後エ−テルを留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィ−（２００メッシュのシリカゲル８０ｇ、展
開溶媒：ベンゼン／酢酸エチル＝９／１）にかけ、化合
物（Ａ）を中間体として得た。つぎに攪拌器、温度計及
び蒸留装置を備えた２００ｃｃの三つ口フラスコに窒素
気流中で上記化合物（Ａ）２３．３ｍｍｏｌ、無水トル
エン１００ｍｌ及び水素化ナトリウム（５０％ヌジョ−
ル分散剤）６０ｍｇを仕込み、室温で３０分間攪拌し
た。徐々に加熱し、３０分を要して内温を７０℃とし
た。アセトン（副生物）の還流が始まり、トルエンと共
に留出しはじめるが、さらに加熱して留出温度がトルエ
ンの沸点となるまで反応を続けた。この間１時間を要
し、留出した溶媒は５０ｍｌであった。反応終了後、室
温に戻し、ベンゼン５０ｍｌを加えて水洗し、無水硫酸
ナトリウムで乾燥した。濾過後、有機溶媒を留去し、残
留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２００メ
ッシュのシリカゲル１００ｇ、展開溶媒：ヘキサン／ベ
ンゼン＝１／１）にかけて４−アルコキシカルボニル−
３−フルオロフェニルアセチレン（Ｂ）を得た。その構
造はＩＲ及び 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより確認した。
結果を第１表に示す。
３−フルオロフェニルアセチレン（Ｂ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた２００ｃｃの三
つ口フラスコに、窒素気流中で４−アルコキシカルボニ
ル−３−フルオロヨ−ドベンゼン２４．０ｍｍｏｌ、２
−メチル−３−ブチン−２−オ−ル３．０３ｇ（３６．
０ｍｍｏｌ）、ジクロルビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム５０．２ｍｇ（０．０７２ｍｍｏｌ）、
トリフェニルホスフィン３８．２ｍｇ（０．１４６ｍｍ
ｏｌ）及びトリエチルアミン５０．０ｍｌを仕込み、攪
拌溶解し、ヨウ化第１銅５ｍｇを加えた。室温で３時間
攪拌後、徐々に加熱し、内温を９０℃とした。この温度
で８時間反応させた。反応後は室温に戻し、トリエチル
アミンを減圧下で留去し、残留物にエ−テル１００ｍｌ
を加えて水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過
後エ−テルを留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィ−（２００メッシュのシリカゲル８０ｇ、展
開溶媒：ベンゼン／酢酸エチル＝９／１）にかけ、化合
物（Ａ）を中間体として得た。つぎに攪拌器、温度計及
び蒸留装置を備えた２００ｃｃの三つ口フラスコに窒素
気流中で上記化合物（Ａ）２３．３ｍｍｏｌ、無水トル
エン１００ｍｌ及び水素化ナトリウム（５０％ヌジョ−
ル分散剤）６０ｍｇを仕込み、室温で３０分間攪拌し
た。徐々に加熱し、３０分を要して内温を７０℃とし
た。アセトン（副生物）の還流が始まり、トルエンと共
に留出しはじめるが、さらに加熱して留出温度がトルエ
ンの沸点となるまで反応を続けた。この間１時間を要
し、留出した溶媒は５０ｍｌであった。反応終了後、室
温に戻し、ベンゼン５０ｍｌを加えて水洗し、無水硫酸
ナトリウムで乾燥した。濾過後、有機溶媒を留去し、残
留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２００メ
ッシュのシリカゲル１００ｇ、展開溶媒：ヘキサン／ベ
ンゼン＝１／１）にかけて４−アルコキシカルボニル−
３−フルオロフェニルアセチレン（Ｂ）を得た。その構
造はＩＲ及び 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより確認した。
結果を第１表に示す。
【表１】 表中の（注１）−（注３）はそれぞれ以下のことを示
す。 （注１）２ＭＢ：（Ｓ）−２−メチルブチル基 （注２）１ＭＨ：（Ｒ）−１−メチルヘプチル基 （注３）ＩＲスペクトルにおいて２２１０−２２２０ｃ
ｍ-1に炭素−炭素三重結合に基づく吸収があるが極めて
弱い。
す。 （注１）２ＭＢ：（Ｓ）−２−メチルブチル基 （注２）１ＭＨ：（Ｒ）−１−メチルヘプチル基 （注３）ＩＲスペクトルにおいて２２１０−２２２０ｃ
ｍ-1に炭素−炭素三重結合に基づく吸収があるが極めて
弱い。
【００１４】製造例２ ｐ−ブロモフェニル ４−ア
ルコキシベンゾエ−ト（Ｃ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコにｐ−ブロモフェノ−ル３．９３ｇ（２
５．０ｍｍｏｌ）と無水ピリジン１０ｍｌを仕込み、攪
拌しながら４−アルコキシベンゾイルクロリド２５．０
ｍｍｏｌを含むテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを氷冷
下に加えた。室温に戻した後、加熱して還流温度で８時
間反応した。反応終了後、ベンゼンを加え、水、１０％
水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、残留
物をエタノ−ルから再結晶し、ｐ−ブロモフェニル ４
−アルコキシベンゾエ−ト（Ｃ）を９２−９６％の収率
で得た。結果を第２表に示す。
ルコキシベンゾエ−ト（Ｃ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコにｐ−ブロモフェノ−ル３．９３ｇ（２
５．０ｍｍｏｌ）と無水ピリジン１０ｍｌを仕込み、攪
拌しながら４−アルコキシベンゾイルクロリド２５．０
ｍｍｏｌを含むテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを氷冷
下に加えた。室温に戻した後、加熱して還流温度で８時
間反応した。反応終了後、ベンゼンを加え、水、１０％
水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、残留
物をエタノ−ルから再結晶し、ｐ−ブロモフェニル ４
−アルコキシベンゾエ−ト（Ｃ）を９２−９６％の収率
で得た。結果を第２表に示す。
【表２】
【００１５】製造例３ ｐ−アルコキシフェニル ４
−ブロモベンゾエ−ト（Ｅ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコにｐ−アルコキシフェノ−ル１８．２ｍｍ
ｏｌと無水ピリジン１０ｍｌを仕込み、攪拌しながら４
−ブロモベンゾイルクロライド４．２ｇ（１９．２ｍｍ
ｏｌ）を含むテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを氷冷下
に加えた。室温に戻した後、加熱して還流温度で８時間
反応させた。反応終了後、ベンゼンを加え、水、１０％
水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、残留
物をエタノ−ルから再結晶し、ｐ−アルコキシフェニル
４−ブロモベンゾエ−ト（Ｅ）を８０−９５％の収率で
得た。結果を第３表に示す。
−ブロモベンゾエ−ト（Ｅ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコにｐ−アルコキシフェノ−ル１８．２ｍｍ
ｏｌと無水ピリジン１０ｍｌを仕込み、攪拌しながら４
−ブロモベンゾイルクロライド４．２ｇ（１９．２ｍｍ
ｏｌ）を含むテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを氷冷下
に加えた。室温に戻した後、加熱して還流温度で８時間
反応させた。反応終了後、ベンゼンを加え、水、１０％
水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、残留
物をエタノ−ルから再結晶し、ｐ−アルコキシフェニル
４−ブロモベンゾエ−ト（Ｅ）を８０−９５％の収率で
得た。結果を第３表に示す。
【表３】
【００１６】製造例４ ４−アルコキシカルボニル−
３−フルオロフェニルｐ−ブロモベンゾエ−ト（Ｇ）の
合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた２００ｃｃの三
つ口フラスコに４−アルコキシカルボニル−３−フルオ
ロフェノ−ル１６．５ｍｍｏｌ、トリエチルアミン２．
８ｍｌ（２０．１ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン７
０ｍｌを仕込み、攪拌しながら４−ブロモベンゾイルク
ロライド３．９８ｇ（１８．１ｍｍｏｌ）を含むテトラ
ヒドロフラン溶液１０ｍｌを氷冷下に加えた。室温に戻
した後、加熱して還流温度で１時間反応させた。反応終
了後、減圧下で溶媒を留去し、残留物にエ−テルを加
え、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ
−テルを留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィ−（２００メッシュのシリカゲル１００ｇ、展開
溶媒：ベンゼン／ヘキサン＝１／１）にかけ、４−アル
コキシカルボニル−３−フルオロフェニル ｐ−ブロモ
ベンゾエ−ト（Ｇ）を得た。その構造はＩＲ及び 1Ｈ−
ＮＭＲスペクトルにより確認した。結果を第４表に示
す。
３−フルオロフェニルｐ−ブロモベンゾエ−ト（Ｇ）の
合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた２００ｃｃの三
つ口フラスコに４−アルコキシカルボニル−３−フルオ
ロフェノ−ル１６．５ｍｍｏｌ、トリエチルアミン２．
８ｍｌ（２０．１ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン７
０ｍｌを仕込み、攪拌しながら４−ブロモベンゾイルク
ロライド３．９８ｇ（１８．１ｍｍｏｌ）を含むテトラ
ヒドロフラン溶液１０ｍｌを氷冷下に加えた。室温に戻
した後、加熱して還流温度で１時間反応させた。反応終
了後、減圧下で溶媒を留去し、残留物にエ−テルを加
え、水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ
−テルを留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィ−（２００メッシュのシリカゲル１００ｇ、展開
溶媒：ベンゼン／ヘキサン＝１／１）にかけ、４−アル
コキシカルボニル−３−フルオロフェニル ｐ−ブロモ
ベンゾエ−ト（Ｇ）を得た。その構造はＩＲ及び 1Ｈ−
ＮＭＲスペクトルにより確認した。結果を第４表に示
す。
【表４】 表中の（注１）及び（注２）はそれぞれ以下のことを示
す。 （注１）２ＭＢ：（Ｓ）−２−メチルブチル基 （注２）１ＭＨ：（Ｒ）−１−メチルヘプチル基
す。 （注１）２ＭＢ：（Ｓ）−２−メチルブチル基 （注２）１ＭＨ：（Ｒ）−１−メチルヘプチル基
【００１７】製造例５ ４−アルコキシフェニルアセ
チレン（Ｉ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた５００ｃｃの三
つ口フラスコに窒素気流中で４−アルコキシブロモベン
ゼン０．２３４ｍｏｌ、２−メチル−３−ブチン−２−
オ−ル２９．５７ｇ（０．３５２ｍｏｌ）、トリフェニ
ルホスフィン１．００ｇ（３．８１ｍｍｏｌ）、ジクロ
ルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５２
ｇ（０．７３０ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン２００
ｍｌを仕込み、攪拌溶解し、ヨウ化第１銅６０ｍｇを加
えた。室温で３時間攪拌後、徐々に加熱し、３０分を要
して内温を９０℃とした。この温度で２０時間反応させ
た。反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で
留去し、残留物にエ−テル３００ｍｌを加えて水洗し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ−テルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２
００メッシュのシリカゲル４００ｇ、展開溶媒：ベンゼ
ン）にかけ、化合物（Ｈ）を中間体として得た。つぎに
攪拌器、温度計及び蒸留装置を備えた５００ｃｃの三つ
口フラスコに窒素気流中で上記化合物（Ｈ）５８．４ｍ
ｍｏｌ、無水トルエン１２０ｍｌ及び水素化ナトリウム
（５０％ヌジョ−ル分散剤）３１０ｍｇを仕込み、室温
で３０分間攪拌した。徐々に加熱し、３０分を要して内
温を７０℃とした。アセトン（副生物）の還流が始ま
り、トルエンと共に留出しはじめるが、さらに加熱して
留出温度がトルエンの沸点となるまで反応を続けた。こ
の間２時間を要し、留出した溶媒は６０ｍｌであった。
反応終了後、室温に戻し、ベンゼン１００ｍｌを加えて
水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後、有機
溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィ−（２００メッシュのシリカゲル１５０ｇ、展開溶
媒：ヘキサン）にかけて４−アルコキシフェニルアセチ
レン（Ｉ）を得た。その構造はＩＲ及び 1Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルにより確認した。結果を第５表に示す。
チレン（Ｉ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた５００ｃｃの三
つ口フラスコに窒素気流中で４−アルコキシブロモベン
ゼン０．２３４ｍｏｌ、２−メチル−３−ブチン−２−
オ−ル２９．５７ｇ（０．３５２ｍｏｌ）、トリフェニ
ルホスフィン１．００ｇ（３．８１ｍｍｏｌ）、ジクロ
ルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５２
ｇ（０．７３０ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン２００
ｍｌを仕込み、攪拌溶解し、ヨウ化第１銅６０ｍｇを加
えた。室温で３時間攪拌後、徐々に加熱し、３０分を要
して内温を９０℃とした。この温度で２０時間反応させ
た。反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で
留去し、残留物にエ−テル３００ｍｌを加えて水洗し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ−テルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２
００メッシュのシリカゲル４００ｇ、展開溶媒：ベンゼ
ン）にかけ、化合物（Ｈ）を中間体として得た。つぎに
攪拌器、温度計及び蒸留装置を備えた５００ｃｃの三つ
口フラスコに窒素気流中で上記化合物（Ｈ）５８．４ｍ
ｍｏｌ、無水トルエン１２０ｍｌ及び水素化ナトリウム
（５０％ヌジョ−ル分散剤）３１０ｍｇを仕込み、室温
で３０分間攪拌した。徐々に加熱し、３０分を要して内
温を７０℃とした。アセトン（副生物）の還流が始ま
り、トルエンと共に留出しはじめるが、さらに加熱して
留出温度がトルエンの沸点となるまで反応を続けた。こ
の間２時間を要し、留出した溶媒は６０ｍｌであった。
反応終了後、室温に戻し、ベンゼン１００ｍｌを加えて
水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後、有機
溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィ−（２００メッシュのシリカゲル１５０ｇ、展開溶
媒：ヘキサン）にかけて４−アルコキシフェニルアセチ
レン（Ｉ）を得た。その構造はＩＲ及び 1Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルにより確認した。結果を第５表に示す。
【表５】
【００１８】実施例１ １−（４−アルコキシカルボ
ニル−３−フルオロフェニル）−２−〔４−（４−アル
コキシベンゾイルオキシ）フェニル〕エタン（３ａ）の
合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコに製造例１で得た４−アルコキシカルボニ
ル−３−フルオロフェニルアセチレン（Ｂ）１．７１ｍ
ｍｏｌ、製造例２で得たｐ−ブロモフェニル ４−アル
コキシベンゾエ−ト（Ｃ）１．８９ｍｍｏｌ、ジクロル
ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム５．４ｍ
ｇ、トリフェニルホスフィン９．７ｍｇ及びトリエチル
アミン１０．０ｍｌを仕込み、攪拌溶解後、ヨウ化第１
銅５ｍｇを加えた。室温で３時間攪拌後、徐々に加熱
し、内温を９０℃とした。この温度で８時間反応させ
た。反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で
留去し、残留物にエ−テル５０ｍｌを加えて水洗し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ−テルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２
００メッシュのシリカゲル５０ｇ、展開溶媒：ベンゼン
／ヘキサン＝７／３）にかけ、化合物（Ｄ）を中間体と
して得た。つぎに水素ガスを封入したゴム風船を備えた
反応容器に上記化合物（Ｄ）０．８５２ｍｍｏｌ、５％
パラジウム−炭素５０ｍｇ及びテトラヒドロフラン５．
０ｍｌを仕込み、水素ガスで置換後、室温で攪拌し、反
応させた。反応終了後、濾過し、溶媒を減圧下で留去
し、残留物をヘキサンから再結晶し、１−（４−アルコ
キシカルボニル−３−フルオロフェニル）−２−〔４−
（４−アルコキシベンゾイルオキシ）フェニル〕エタン
（３ａ）を得た。各化合物の構造はＩＲ及び 1Ｈ−ＮＭ
Ｒスペクトルにより確認した。 例〔化合物Ｎｏ．２１〕 ＩＲ：νmax KBr disk（ｃｍ-1）２９２４，１７３０，１７０６，１６０４， １５１２，１２８６ 1Ｈ−ＮＭＲ：δTMS CDCl 3 （ｐｐｍ） ８．１ （２Ｈ，ｄ） ７．８ （１Ｈ，ｄ） ７．３−６．８ （８Ｈ，ｍ） ４．３−３．９ （４Ｈ，ｍ） ３．０ （４Ｈ，ｓ） ２．１−０．７ （２８Ｈ，ｍ） 以上実施例１で得た各化合物の相転移温度と共に結果を
第６表に示す。
ニル−３−フルオロフェニル）−２−〔４−（４−アル
コキシベンゾイルオキシ）フェニル〕エタン（３ａ）の
合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコに製造例１で得た４−アルコキシカルボニ
ル−３−フルオロフェニルアセチレン（Ｂ）１．７１ｍ
ｍｏｌ、製造例２で得たｐ−ブロモフェニル ４−アル
コキシベンゾエ−ト（Ｃ）１．８９ｍｍｏｌ、ジクロル
ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム５．４ｍ
ｇ、トリフェニルホスフィン９．７ｍｇ及びトリエチル
アミン１０．０ｍｌを仕込み、攪拌溶解後、ヨウ化第１
銅５ｍｇを加えた。室温で３時間攪拌後、徐々に加熱
し、内温を９０℃とした。この温度で８時間反応させ
た。反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で
留去し、残留物にエ−テル５０ｍｌを加えて水洗し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ−テルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２
００メッシュのシリカゲル５０ｇ、展開溶媒：ベンゼン
／ヘキサン＝７／３）にかけ、化合物（Ｄ）を中間体と
して得た。つぎに水素ガスを封入したゴム風船を備えた
反応容器に上記化合物（Ｄ）０．８５２ｍｍｏｌ、５％
パラジウム−炭素５０ｍｇ及びテトラヒドロフラン５．
０ｍｌを仕込み、水素ガスで置換後、室温で攪拌し、反
応させた。反応終了後、濾過し、溶媒を減圧下で留去
し、残留物をヘキサンから再結晶し、１−（４−アルコ
キシカルボニル−３−フルオロフェニル）−２−〔４−
（４−アルコキシベンゾイルオキシ）フェニル〕エタン
（３ａ）を得た。各化合物の構造はＩＲ及び 1Ｈ−ＮＭ
Ｒスペクトルにより確認した。 例〔化合物Ｎｏ．２１〕 ＩＲ：νmax KBr disk（ｃｍ-1）２９２４，１７３０，１７０６，１６０４， １５１２，１２８６ 1Ｈ−ＮＭＲ：δTMS CDCl 3 （ｐｐｍ） ８．１ （２Ｈ，ｄ） ７．８ （１Ｈ，ｄ） ７．３−６．８ （８Ｈ，ｍ） ４．３−３．９ （４Ｈ，ｍ） ３．０ （４Ｈ，ｓ） ２．１−０．７ （２８Ｈ，ｍ） 以上実施例１で得た各化合物の相転移温度と共に結果を
第６表に示す。
【表６】 （注）表中の記号は次のことを示す。 ２ＭＢ：（Ｓ）−２−メチルブチル基 １ＭＨ：（Ｒ）−１−メチルヘプチル基 Ｃ：結晶相 Ｓｃ* ：カイラルスメクチックＣ相 ＳA ：スメクチックＡ相 Ｓ1 ：素性未決定のスメクチック相 Ｉ：等方性液体
【００１９】実施例２ １−（４−アルコキシカルボ
ニル−３−フルオロフェニル）−２−〔４−（４−アル
コキシフェニルオキシカルボニル）フェニル〕エタン
（３ｂ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコに製造例１で得た４−アルコキシカルボニ
ル−３−フルオロフェニルアセチレン（Ｂ）２．０１ｍ
ｍｏｌ、製造例３で得たｐ−アルコキシフェニル ４−
ブロモベンゾエ−ト（Ｅ）２．１０ｍｍｏｌ、ジクロル
ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム９．７ｍ
ｇ、トリフェニルホスフィン１５．１ｍｇ及びトリエチ
ルアミン１０．０ｍｌを仕込み、攪拌溶解後、ヨウ化第
１銅５ｍｇを加えた。室温で３時間攪拌後、徐々に加熱
し、内温を９０℃とした。この温度で８時間反応させ
た。反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で
留去し、残留物にエ−テル５０ｍｌを加えて水洗し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ−テルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２
００メッシュのシリカゲル５０ｇ、展開溶媒：ベンゼン
／ヘキサン＝７／３）にかけ、化合物（Ｆ）を中間体と
して得た。つぎに水素ガスを封入したゴム風船を備えた
反応容器に上記化合物（Ｆ）０．８５２ｍｍｏｌ、５％
パラジウム−炭素５０ｍｇ及びテトラヒドロフラン５．
０ｍｌを仕込み、水素ガスで置換後、室温で攪拌し、反
応させた。反応終了後、濾過し、溶媒を減圧下で留去
し、残留物をヘキサンから再結晶し、１−（４−アルコ
キシカルボニル−３−フルオロフェニル）−２−〔４−
（４−アルコキシフェニルオキシカルボニル）フェニ
ル〕エタン（３ｂ）を得た。各化合物の構造はＩＲ及び
1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより確認した。 例〔化合物Ｎｏ．２５〕 ＩＲ：νmax KBr disk（ｃｍ-1）２９２０，１７１８，１６２２，１６１０， １５０４，１２７６ 1Ｈ−ＮＭＲ：δTMS CDCl 3 （ｐｐｍ） ８．２−７．７ （３Ｈ，ｍ） ７．４−６．８ （８Ｈ，ｍ） ４．３−３．８ （４Ｈ，ｍ） ３．０ （４Ｈ，ｓ） ２．１−０．５（２８Ｈ，ｍ） 以上実施例２で得た各化合物の相転移温度と共に結果を
第７表に示す。
ニル−３−フルオロフェニル）−２−〔４−（４−アル
コキシフェニルオキシカルボニル）フェニル〕エタン
（３ｂ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコに製造例１で得た４−アルコキシカルボニ
ル−３−フルオロフェニルアセチレン（Ｂ）２．０１ｍ
ｍｏｌ、製造例３で得たｐ−アルコキシフェニル ４−
ブロモベンゾエ−ト（Ｅ）２．１０ｍｍｏｌ、ジクロル
ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム９．７ｍ
ｇ、トリフェニルホスフィン１５．１ｍｇ及びトリエチ
ルアミン１０．０ｍｌを仕込み、攪拌溶解後、ヨウ化第
１銅５ｍｇを加えた。室温で３時間攪拌後、徐々に加熱
し、内温を９０℃とした。この温度で８時間反応させ
た。反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で
留去し、残留物にエ−テル５０ｍｌを加えて水洗し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ−テルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２
００メッシュのシリカゲル５０ｇ、展開溶媒：ベンゼン
／ヘキサン＝７／３）にかけ、化合物（Ｆ）を中間体と
して得た。つぎに水素ガスを封入したゴム風船を備えた
反応容器に上記化合物（Ｆ）０．８５２ｍｍｏｌ、５％
パラジウム−炭素５０ｍｇ及びテトラヒドロフラン５．
０ｍｌを仕込み、水素ガスで置換後、室温で攪拌し、反
応させた。反応終了後、濾過し、溶媒を減圧下で留去
し、残留物をヘキサンから再結晶し、１−（４−アルコ
キシカルボニル−３−フルオロフェニル）−２−〔４−
（４−アルコキシフェニルオキシカルボニル）フェニ
ル〕エタン（３ｂ）を得た。各化合物の構造はＩＲ及び
1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより確認した。 例〔化合物Ｎｏ．２５〕 ＩＲ：νmax KBr disk（ｃｍ-1）２９２０，１７１８，１６２２，１６１０， １５０４，１２７６ 1Ｈ−ＮＭＲ：δTMS CDCl 3 （ｐｐｍ） ８．２−７．７ （３Ｈ，ｍ） ７．４−６．８ （８Ｈ，ｍ） ４．３−３．８ （４Ｈ，ｍ） ３．０ （４Ｈ，ｓ） ２．１−０．５（２８Ｈ，ｍ） 以上実施例２で得た各化合物の相転移温度と共に結果を
第７表に示す。
【表７】 （注）表中の記号２ＭＢ、１ＭＨ、Ｃ、Ｓｃ* 、ＳA 、
Ｓ1 及びＩは第６表と同じ意義を示す。
Ｓ1 及びＩは第６表と同じ意義を示す。
【００２０】実施例３ １−〔４−（４−アルコキシ
カルボニル−３−フルオロフェニル）オキシカルボニル
フェニル〕−２−（４−アルコキシフェニル）エタン
（３ｃ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコに製造例４で得た４−アルコキシカルボニ
ル−３−フルオロフェニル ｐ−ブロモベンゾエ−ト
（Ｇ）２．００ｍｍｏｌ、製造例５で得た４−アルコキ
シフェニルアセチレン（Ｉ）２．０９ｍｍｏｌ、ジクロ
ルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム７．６ｍ
ｇ、トリフェニルホスフィン１５．１ｍｇ及びトリエチ
ルアミン１０．０ｍｌを仕込み、攪拌溶解後、ヨウ化第
１銅５ｍｇを加えた。室温で３時間攪拌後、徐々に加熱
し、内温を９０℃とした。この温度で８時間反応させ
た。反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で
留去し、残留物にエ−テル５０ｍｌを加えて水洗し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ−テルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２
００メッシュのシリカゲル５０ｇ、展開溶媒：ベンゼン
／ヘキサン＝４／１）にかけ、化合物（Ｊ）を中間体と
して得た。つぎに水素ガスを封入したゴム風船を備えた
反応容器に上記化合物（Ｊ）０．８５２ｍｍｏｌ、５％
パラジウム−炭素５０ｍｇ及びテトラヒドロフラン５．
０ｍｌを仕込み、水素ガスで置換後、室温で攪拌し、反
応させた。反応終了後、濾過し、溶媒を減圧下で留去
し、残留物をヘキサンから再結晶し、１−〔４−（４−
アルコキシカルボニル−３−フルオロフェニル）オキシ
カルボニルフェニル〕−２−（４−アルコキシフェニ
ル）エタン（３ｃ）を得た。各化合物の構造はＩＲ及び
1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより確認した。各化合物の構
造はＩＲ及び 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより確認した。 例〔化合物Ｎｏ．２９〕 ＩＲ：νmax KBr disk（ｃｍ-1）２９２４，１７３６，１７０８，１６１２， １５１４，１２５０ 1Ｈ−ＮＭＲ：δTMS CDCl 3 （ｐｐｍ） ８．２−７．８ （３Ｈ，ｍ） ７．４−６．６ （８Ｈ，ｍ） ４．２ （２Ｈ，ｄ） ３．９ （２Ｈ，ｔ） ２．９ （４Ｈ，ｓ） ２．２−０．６（２８Ｈ，ｍ） 以上実施例３で得た各化合物の相転移温度と共に結果を
第８表に示す。
カルボニル−３−フルオロフェニル）オキシカルボニル
フェニル〕−２−（４−アルコキシフェニル）エタン
（３ｃ）の合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃの三
つ口フラスコに製造例４で得た４−アルコキシカルボニ
ル−３−フルオロフェニル ｐ−ブロモベンゾエ−ト
（Ｇ）２．００ｍｍｏｌ、製造例５で得た４−アルコキ
シフェニルアセチレン（Ｉ）２．０９ｍｍｏｌ、ジクロ
ルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム７．６ｍ
ｇ、トリフェニルホスフィン１５．１ｍｇ及びトリエチ
ルアミン１０．０ｍｌを仕込み、攪拌溶解後、ヨウ化第
１銅５ｍｇを加えた。室温で３時間攪拌後、徐々に加熱
し、内温を９０℃とした。この温度で８時間反応させ
た。反応後は室温に戻し、トリエチルアミンを減圧下で
留去し、残留物にエ−テル５０ｍｌを加えて水洗し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後エ−テルを留去
し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（２
００メッシュのシリカゲル５０ｇ、展開溶媒：ベンゼン
／ヘキサン＝４／１）にかけ、化合物（Ｊ）を中間体と
して得た。つぎに水素ガスを封入したゴム風船を備えた
反応容器に上記化合物（Ｊ）０．８５２ｍｍｏｌ、５％
パラジウム−炭素５０ｍｇ及びテトラヒドロフラン５．
０ｍｌを仕込み、水素ガスで置換後、室温で攪拌し、反
応させた。反応終了後、濾過し、溶媒を減圧下で留去
し、残留物をヘキサンから再結晶し、１−〔４−（４−
アルコキシカルボニル−３−フルオロフェニル）オキシ
カルボニルフェニル〕−２−（４−アルコキシフェニ
ル）エタン（３ｃ）を得た。各化合物の構造はＩＲ及び
1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより確認した。各化合物の構
造はＩＲ及び 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより確認した。 例〔化合物Ｎｏ．２９〕 ＩＲ：νmax KBr disk（ｃｍ-1）２９２４，１７３６，１７０８，１６１２， １５１４，１２５０ 1Ｈ−ＮＭＲ：δTMS CDCl 3 （ｐｐｍ） ８．２−７．８ （３Ｈ，ｍ） ７．４−６．６ （８Ｈ，ｍ） ４．２ （２Ｈ，ｄ） ３．９ （２Ｈ，ｔ） ２．９ （４Ｈ，ｓ） ２．２−０．６（２８Ｈ，ｍ） 以上実施例３で得た各化合物の相転移温度と共に結果を
第８表に示す。
【表８】 （注）表中の記号２ＭＢ、１ＭＨ、Ｃ、Ｓｃ* 、ＳA 、
Ｓ1 及びＩは第６表と同じ意義を示す。
Ｓ1 及びＩは第６表と同じ意義を示す。
【００２１】
【効果】本発明の化合物は次の作用及び特徴を示す新規
な液晶化合物である。まず水分を含有する雰囲気下にお
いても容易に分解されるような基をもたず、光によって
も異性化するような基を含まないので、湿気、光に対し
て非常に安定である。さらに本発明の化合物はスメクチ
ックＣ相を示す温度範囲が広く、またその上限温度が高
いので、他の液晶化合物と混合することによって実用的
な液晶性組成物をつくることが可能となる。
な液晶化合物である。まず水分を含有する雰囲気下にお
いても容易に分解されるような基をもたず、光によって
も異性化するような基を含まないので、湿気、光に対し
て非常に安定である。さらに本発明の化合物はスメクチ
ックＣ相を示す温度範囲が広く、またその上限温度が高
いので、他の液晶化合物と混合することによって実用的
な液晶性組成物をつくることが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07C 69/94 C07C 69/773 C09K 19/20 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (2)
- 【請求項１】 化学式〔１〕 【化１】 （式中Ｒ* は炭素数が４乃至１３の不斉炭素原子を有す
る光学活性なアルキル基を、Ｒは炭素数が１乃至２０の
直鎖アルキル基を、Ｘは基 −ＣＨ2 ＣＨ2 −又は基
−ＯＣ（＝Ｏ）− を、Ｙは基 −ＣＨ2 ＣＨ2 − 、
基−ＯＣ（＝Ｏ）− 又は基−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ− をそれ
ぞれ示す）で表わされる液晶化合物。 - 【請求項２】 化学式〔１〕において、Ｒ* が化学式
〔２〕 【化２】 （式中ｌは１乃至５の整数を、ｍは０乃至５の整数を、
＊は不斉炭素原子をそれぞれ示す）で表わされる光学活
性なアルキル基である特許請求の範囲第１項記載の液晶
化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5619491A JP2909776B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5619491A JP2909776B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 液晶化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273847A JPH04273847A (ja) | 1992-09-30 |
| JP2909776B2 true JP2909776B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=13020305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5619491A Expired - Fee Related JP2909776B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 液晶化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2909776B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP5619491A patent/JP2909776B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04273847A (ja) | 1992-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |