JPH03176437A - アリルトラン化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気光学的表示材料として有用なトラン化合
物に関し、さらに詳しくは、ＳＴＮ型液晶材料に混合す
ることによって液晶材料の屈折率の異方性を大きくする
のに有用なアリルトラン化合物に関するものである。

〔従来技術及び問題点〕

現在、ＳＴＮ型液晶セルはグリーンまたはブルーモード
より白黒、フルカラー化へ向けて開発が進められており
、それと併行して動画対応への高速応答化の検討が進め
られている。高速応答としては、従来、強誘電性液晶が
研究されているが、ＳＴＮ型液晶セルの層の厚さをより
薄くする事により、高速応答が期待される。その場合、
セルに充填される液晶材料の屈折率の異方性（Δｎ）の
大きな液晶材料が必要となった。その代表例として低粘
性にして高いΔｎを示す各種トラン化合物が特開昭６０
−１５５１４２、特開昭６１−２６００３１、特開昭６
３−２８７７３７等に開示されたがまだ不十分であり、
さらに高いΔｎを示す化合物が望まれていた。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、上記現状に鑑み、低粘度にして高いΔｎ
を示す化合物を見出すべく鋭意検討を重ねた結果、次の
一般式Ｎ）で表される新規なアリルトラン化合物を液晶
組成物に添加することにより、液晶組成物のΔｎを著し
く改良するとともに、粘度を著しく低下させることを見
出した。

（式中、Ｘｌはハロゲン原子又はシアノ基を示し、Ｘ２
はハロゲン原子又は水素原子を示す。）本発明になる上
記一般式（Ｉ）で表される化合物において、ｘｌ、Ｘ２
のハロゲン原子としてフッ素、塩素があげられる。

また、上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、次の製造
方法に従って製造する事が出来る。

（Ｉ）ジブロムベンゼンとマグネシュウムとの反応によ
り生成するグリニヤール試薬に臭化アリルを反応させ、
式（ＩＩ）の４−ブロモアリルベンゼンを得る。

（２）式（ＩＩ）の化合物をビス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウム（ＩＩ）クロライドの如き触媒を用い
て、式（ＩＩＩ）のメチルブチノールと反応させ、式（
■）の４〜（４−アリルフェニル）−２−メチル−３〜
ブチン−２−オールを得る。

（３）式（ＩＶ）の化合物を水素化ナトリューム等の触
媒の存在下に、分解し、式（Ｖ）の４−アリルフェニル
アセチレン得る。

（４）式（Ｖ）の４−アリルフェニルアセチレンをビス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｉｆ）クロラ
イドの如き触媒を用いて式（Ｖｌ）の化合物と反応させ
て式（Ｉ）の化合物を製造する。

かくして得られる本発明のアリルトラン化合物はＳＴＮ
型液晶材料に混合することによって液晶材料の屈折率の
異方性を大きくするに有用なばかりでなく、反応性に優
れるため、各種の合成中間体として有用である。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明する。

実施例１ ３４−ジフルオロ−４″−アＩルトーンの入（Ｉ）４−
ブロモアリルベンゼンの合成ρ−ジブロモベンゼン１４
１．５ｇを乾燥したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２３
０ｍｌに溶解し、予め金属マグネシュウム１６．０ｇと
ＴＨＦｌｏｏｍｌの入ったフラスコへ滴下した。　この
グリニヤール試薬にＴＨＦｌｏｏｍｌに臭化アリル８７
．１ｇを溶解した溶液を滴下し、−晩装置した。次に飽
和塩化アンモニウム水溶液１２０ｍ１を加え加水分解し
た後、上澄みの有機層をデカンテイションで分離し、乾
燥、脱溶媒を後、減圧蒸留により、目的の４−ブロモア
リルベンゼンを６３．０ｇを得た。

（２）４−　（４−アリルフェニル）−２−メチル３−
ブチン−２−オールの合成 （Ｉ）で得た４−ブロモアリルベンゼン６３゜０ｇ、メ
チルブチノール４０．４ｇ、　　トリフェニルホスフィ
ン１．７ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）バラジュ
ウム（Ｕ）クロライド０．６７ｇ及び沃化銅０．２４ｇ
を３２０ｍ１のトリエチルアミンに溶解し、還流下にて
８時間反応した。

室温まで冷却し、塩を除去下稜、脱溶媒を行い、ジエチ
ルエーテルで抽出後、希塩酸及び蒸留水で洗浄した。乾
燥、脱溶媒後、減圧蒸留によって、目的の４−　（４−
アリルフェニル）−２−メチル３−ブチン、−２−オー
ル２４．１ｇを得た。

（３）４−アリルフェニルアセチレンの合成（２）で得
た４−（４−アリルフェニル）−２−メチル−３−ブチ
ン−２−オール２４．１ｇ及び水素化ナトリュウム０．
４３ｇを乾燥トルエン２２０ｍ１に分散し、アルゴン雰
囲気下、最高温度１１０°Ｃにて反応し、生成したアセ
トンを留去した。冷却後、５％塩酸にて洗浄後、更に水
洗を行った。乾燥、脱溶媒を行い、得られた反応生成物
を減圧蒸留により、４−アリルフェニルアセチレン１４
．９ｇを得た。

（４）３．４−ジフルオロ−４°−アリルトランの合成 １−ブロモ−３，４−ジフルオロベンゼン３゜２ｇ、ビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ｎ）クロラ
イド０．０３ｇ及び沃化銅０．０２７ｇをトリエチルア
ミン１０ｍ１に溶解し′た。

これに、トリエチルアミン４ｍｌに４−アリルフェニル
アセチレン２．０ｇを溶かした溶液を室温で滴下し、次
に９５°Ｃまで昇温して８時間反応した。室温まで冷却
後、ジエチルエーテルで抽出し、希塩酸及び水で洗浄し
た。乾燥、脱溶媒を行い、反応生成物をｎ−ヘキサンを
展開溶媒として、シリカゲルカラム処理を行った。次い
でメタノールで再結晶を行った後、減圧蒸留して、目的
物の３゜３．４−ジフルオロ−４°−アリルトラン０．
　５ｇを得た。　　〔融点　２７゜０°Ｃ〕赤外分光分
析の結果、得られた生成物は次の特性吸収を有しており
、目的物であることを確認した。

３０４０ｃｍ−’　、　　　　２２００ｃｍ−’　、　
　　　１６４０ｃｍ−’１５９０ｃｍ−’　　　　１５
１０ｃｍ−’　、　　　　１４１０ｃｍ１２６０ｃｍ−
’　　　　１２００ｃｍ−’　　　　１１００ｃｍ−’
９９０ｃｍ−’　　　　９１０　ｃｍ−’、　　　　８
１０ｃｍ−’実施例２ ４−ブロモベンゾニトリル３．１ｇ、ビス（トリエニル
ホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロライド０．０３ｇ
及び沃化銅０．０２７ｇをトリエチルアミン１０ｍ１に
溶解した。これに、トリエチルアミン４ｍｌに実施例１
で得られた４−アリルフェニルアセチレン２．０ｇを溶
かした溶液を室温で滴下し、次に９５°Ｃまで昇温して
３時間反応し、希塩酸及び水で洗浄した。乾燥、脱溶媒
を行い、反応生成物をｎ−へキサンに５％の酢酸エチル
を混合したものを展開溶媒として、シリカゲルカラム処
理を行った。次いでｎ−ヘキサンにて再結晶を行い、目
的物の４−シアノ−４“−アリルトランン０．６ｇを得
た。〔融点　６６．１°Ｃ］赤外分光分析の結果、得ら
れた生成物は次の特性吸収を有しており、目的物である
ことを確認した。

３０４０ｃｍ−’ １５９０ｃｍ−’ １２６０ｃｍ−’ ８３０ｃｍ−’ 実施例３ 本発明の新規なアリルトラン化合物を液晶に添加するこ
とにより、液晶のΔｎ、誘電率の異方性（Δε）及び粘
度が改良されることを見るために、既存のアルキルシク
ロヘキサンカルボン酸アルコキシフェニルエステル系液
晶組成物にｌ０％のトラン化合物（比較例１として、３
．４−ジフルオロ４１０ｃｍ ６４０ｃｍ １０ｃｍ ２２００ｃｍ−’ １５１０ｃｍ−’ １００１００Ｏ’ ８１０ｃｍ−’ ４°−ｎ−プロピルトラン、比較例２として、４−シア
ノ−４°　−ｎ−プロピルトラン）を混合して　それぞ
れの物性値の変化を測定し、その結果を次に示した。

〔発明の効果］ 上の結果から明らかなように、本発明の新規なアリルト
ラン化合物は、母液晶のΔｎ値を大きくするとともに、
粘度も無添加前に比較し著しく低下せしめ、従来優れて
いるものより、更に低下せしめる効果が見られる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 次の一般式（ I ）で表されるアリルトラン化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｘ＿１はハロゲン原子又はシアノ基を示し、Ｘ
   ＿２はハロゲン原子又は水素原子を示す。）