JP2701083B2 - 含フッ素トラン化合物 - Google Patents

含フッ素トラン化合物

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fluorophenyl
liquid crystal
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俊博 柴田
靖典 小崎
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Asahi Denka Kogyo KK
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気光学的表示材料として有用なトラン化
合物に関し、さらに詳しくは、ネマチック型液晶材料に
混合することによって液晶材料の屈折率の異方性を大き
くするのに有用なアルケニルトラン化合物に関するもの
である。
〔従来技術及び問題点〕
現在、STN型液晶セルはグリーンまたはブルーモード
より白黒、フルカラー化へ向けて開発が進められてお
り、それと併行して動画対応への高速応答化の検討が進
められている。高速応答としては、従来、強誘電性液晶
が研究されているが、STN型液晶セルの層の厚さをより
薄くする事により、高速応答が期待される。その場合、
セルに充填される液晶材料の屈折率の異方性(Δn)の
大きな液晶材料が必要となった。その代表例として低粘
性にして高いΔnを示す各種トラン化合物が特開昭60−
155142、特開昭60−204734、特開昭61−260031、特開昭
63−287737等に開示されたがまだ不十分であり、さらに
高いΔnを示す化合物が望まれていた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、上記現状に鑑み、低粘度にして高いΔ
nを示す化合物を見出すべく鋭意検討を重ねた結果、次
の一般式(I)で表される新規なアルケニルトラン化合
物を液晶組成物に添加することにより、液晶組成物のΔ
nを著しく改良するとともに、ネマチック等方性液体転
移点(N−I点)を高めることを見出した。
(式中、Rは炭素数3〜6のアルケニル基を示す。) 本発明における上記一般式(I)で表される化合物に
おいて、Rを示す炭素数3〜6のアルケニル基としては
1−プロペニル基、アリル基、1−ブテニル基、2−ブ
テニル基、3−ブテニル基、1−ペンテニル基、1−ペ
ンテニル基、2−ペンテニル基、3−ペンテニル基、4
−ペンテニル基、3−メチル−2−ブテニル基、3−メ
チル−3−ブテニル基等があげられる。
本発明において使用される上記一般式(I)で表れる
アルケニルトラン化合物の具体例を示すと、例えば、4
−(4′−フルオロフェニル)−4′−(1−プロペニ
ル)トラン、4−(4′−フルオロフェニル)−4′−
アリルトラン、4−(4′−フルオロフェニル)−4′
−(1−ブテニル)トラン、4−(4′−フルオロフェ
ニル)−4′−(2−ブテニル)トラン、4−(4′−
フルオロフェニル)−4′−(3−ブテニル)トラン、
4−(4′−フルオロフェニル)−4′−(1−ペンテ
ニル)トラン、4−(4′−フルオロフェニル)−4′
−(2−ペンテニル)トラン、4−(4′−フルオロフ
ェニル)−4′−(3−ペンテニル)トラン、4−
(4′−フルオロフェニル)−4′−(4−ペンテニ
ル)トラン、4−(4′−フルオロフェニル)−4′−
(3−メチル−2−ブテニル)トラン、4−(4′−フ
ルオロフェニル)−4′−(3−メチル−3−ブテニ
ル)トラン等が挙げられる。
本発明における上記一般式(I)で表される化合物
は、次の製造方法に従って製造する事が出来る。
(1)ジブロムベンゼンとマグネシュウムとの反応によ
り生成するグリニャール試薬に臭化アルケニルを反応さ
せ、式(II)の4−ブロモアルケニルベンゼンを得る。
(2)式(II)の化合物をビス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウム(II)クロライドの如き触媒を用いて、
式(III)のメチルブチノールと反応させ、式(IV)の
4−(4−アルケニルフェニル)−2−メチル−3−ブ
チン−2−オールを得る。
(3)式(IV)の化合物を水素化ナトリューム等の触媒
の存在下に、分解し、式(V)の4−アルケニルフェニ
ルアセチレンを得る。
(4)式(V)の4−アルケニルフェニルアセチレン
に、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)
クロライドの如き触媒を用いて、4−フルオロビフェニ
ルと沃素から得られる式(VI)の化合物と反応させて式
(I)の化合物を製造する。
かくして得られる本発明のアルケニルトラン化合物は
ネマチック型液晶材料に混合することによって液晶材料
の屈折率の異方性を大きくするに有用なばかりでなく、
反応性に優れるため、各種の合成中間体として有用であ
る。
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明する。
実施例1 4−(4′−フルオロフェニル)−4′−アリルトラン
の合成 (1)4−ブロモアリルベンゼンの合成 p−ジブロモベンゼン141.5gを乾燥したテトラヒドロ
フラン(THF)230mlに溶解し、予め金属マグネシュウム
16.0gとTHF100mlの入ったフラスコへ滴下した。このグ
リニャール試薬にTHF100mlに臭化アリル87.1gを溶解し
た溶液を滴下し、一晩放置した。次に飽和塩化アンモニ
ウム水溶液120mlを加え加水分解した後、上澄みの有機
層をデカンティションで分離し、乾燥、脱溶媒を後、減
圧蒸留により、目的の4−ブロモアリルベンゼンを63.0
gを得た。
(2)4−(4−アリルフェニル)−2−メチル−3−
ブチン−2−オールの合成 (1)で得た4−ブロモアリルベンゼン63.0g、メチ
ルブチノール40.4g、トリフェニルホスフィン1.7g、ビ
ス(トリフェニルホスフィン)パラジュウム(II)クロ
ライド0.67g及び沃化銅0.24gを320mlのトリエチルアミ
ンに溶解し、還流下にて8時間反応した。室温まで冷却
し、塩を除去下後、脱溶媒を行い、ジエチルエーテルで
抽出後、希塩酸及び蒸留水で洗浄した。乾燥、脱溶媒
後、減圧蒸留によって、目的の4−(4−アリルフェニ
ル)−2−メチル−3−ブチン−2−オール24.1gを得
た。
(3)4−アリルフェニルアセチレンの合成 (2)で得た4−(4−アリルフェニル)−2−メチ
ル−3−ブチン−2−オール24.1g及び水素化ナトリュ
ウム0.43gを乾燥トルエン220mlに分散し、アルゴン雰囲
気下、最高温度110℃にて反応し、生成したアセトンを
留去した。冷却後、5%塩酸にて洗浄後、更に水洗を行
った。乾燥、脱溶媒を行い、得られた反応生成物を減圧
蒸留により、4−アリルフェニルアセチレン14.9gを得
た。
(4)4−フルオロ−4′−ヨードビフェニルの合成 4−フルオロビフェニル8.6g、沃素5.1g、沃素酸2.0g
を酢酸22mlに溶解し、さらに濃硫酸1mlを水4mlに溶解し
た溶液及び四塩化炭素2mlをそれぞれ加え、85℃にて2
時間反応した。室温まで冷却後、飽和チオ硫酸ナトリウ
ム水溶液を加えて、遊離の沃素を処理し、塩化メチレン
で抽出後、水洗した。乾燥、脱溶媒後、得られた反応生
成物をn−ヘキサンを展開溶媒として、シリカゲルカラ
ム処理を行った。次いでエタノールで再結晶を行ない、
4−フルオロ−4′−ヨードビフェニル6.7gを得た。
(5)4−(4′−フルオロフェニル)−4′−アリル
トランの合成 4−フルオロ−4′−ヨードビフェニル1.2g、ビス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)クロライ
ド0.009g、沃化銅0.008g及びジエチルアミン1.23gのN,
N′−ジメチルホルムアミド3.0mlに溶解した。これに、
4−アリルフェニルアセチレン0.6gをN,N′−ジメチル
ホルムアミド0.6mlに溶解した溶液を室温で滴下し、6
時間、撹拌反応した。ジエチルエーテルで抽出し、希塩
酸及び水で洗浄した。乾燥、脱溶媒を行い、反応生成物
をn−ヘキサンを展開溶媒として、シリカゲルカラム処
理を行った。次いでエタノールで再結晶を行い、目的物
の4−(4′−フルオロフェニル)−4′−アリルトラ
ンを得た。〔融点 168℃〕 赤外分光分析の結果、得られた生成物は次の特性吸収
を有しており、目的物であることを確認した。
3040cm-1,2200cm-1,1640cm-1,1590cm-1,1510cm-1,141
0cm-1,1240cm-1,1190cm-1,1160cm-1,1100cm-1,990cm-1,
910cm-1,810cm-1, 実施例2 本発明の新規なアリルトラン化合物を液晶に添加する
ことにより、液晶のΔn及びN−I点を改良することを
見るために、既存のアルキルシクロヘキサンカルボン酸
アルコキシフェニルエステル系液晶組成物に10%のトラ
ン化合物を混合して、物性値の変化を測定した。その結
果を次に示した。
〔発明の効果〕 上の結果から明らかなように、本発明の新規なアリル
トラン化合物は、母液晶のΔn値を大きくするととも
に、N−I点を高める効果が見られる。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】次の一般式(I)で表されるアルケニルト
    ラン化合物。 (式中、Rは炭素数3〜6のアルケニル基を示す。)
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