JPH0776555A - ホルミルオキシベンゼン誘導体 - Google Patents
ホルミルオキシベンゼン誘導体Info
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- JPH0776555A JPH0776555A JP22119993A JP22119993A JPH0776555A JP H0776555 A JPH0776555 A JP H0776555A JP 22119993 A JP22119993 A JP 22119993A JP 22119993 A JP22119993 A JP 22119993A JP H0776555 A JPH0776555 A JP H0776555A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ネマチック液晶材料に混合することにより、
液晶組成物の粘度を上昇させることなく、液晶組成物の
屈折率の異方性（△ｎ）を低下させることができるホル
ミルオキシベンゼン誘導体を提供すること。 【構成】 本発明のホルミルオキシベンゼン誘導体は、
下記〔化１〕の一般式（Ｉ）で表されるものである。 【化１】
液晶組成物の粘度を上昇させることなく、液晶組成物の
屈折率の異方性（△ｎ）を低下させることができるホル
ミルオキシベンゼン誘導体を提供すること。 【構成】 本発明のホルミルオキシベンゼン誘導体は、
下記〔化１〕の一般式（Ｉ）で表されるものである。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気光学的表示材料と
して有用なホルミルオキシベンゼン誘導体、詳しくは、
ネマチック液晶材料に混合することにより、液晶組成物
の粘度を上昇させることなく、液晶組成物の屈折率の異
方性（Δｎ）を低下させることができるホルミルオキシ
ベンゼン誘導体に関するものである。
して有用なホルミルオキシベンゼン誘導体、詳しくは、
ネマチック液晶材料に混合することにより、液晶組成物
の粘度を上昇させることなく、液晶組成物の屈折率の異
方性（Δｎ）を低下させることができるホルミルオキシ
ベンゼン誘導体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明は解決しようとする課題】液晶材
料に要求される物性として、水、光、熱に安定で、しき
い値電圧が低く、室温を含む広い温度範囲で液晶状態で
あることが望まれる。しかし、一般的には単独の液晶化
合物で全ての要求性能を満たすことは困難で、数種類の
液晶化合物や液晶以外の化合物を混合することで、求め
る性能により近い組成物として使用されている。
料に要求される物性として、水、光、熱に安定で、しき
い値電圧が低く、室温を含む広い温度範囲で液晶状態で
あることが望まれる。しかし、一般的には単独の液晶化
合物で全ての要求性能を満たすことは困難で、数種類の
液晶化合物や液晶以外の化合物を混合することで、求め
る性能により近い組成物として使用されている。
【０００３】更に液晶材料に要求される特性として、屈
折率の異方性（以下、主にΔｎという）があるが、これ
は液晶表示の視覚特性に影響し、Δｎが小さいほど視覚
特性が良好となるため、用いられる液晶材料は小さいΔ
ｎを維持すること、あるいは低下させる必要がある。
折率の異方性（以下、主にΔｎという）があるが、これ
は液晶表示の視覚特性に影響し、Δｎが小さいほど視覚
特性が良好となるため、用いられる液晶材料は小さいΔ
ｎを維持すること、あるいは低下させる必要がある。
【０００４】このため、液晶材料に混合してΔｎを小さ
くすることのできる化合物の開発が要望されてきた。
くすることのできる化合物の開発が要望されてきた。
【０００５】また、従来から、アルコキシベンゼン誘導
体、アシロキシベンゼン誘導体等の液晶材料は、例え
ば、特開昭４８−９７８６０号公報、特開昭５４−１０
６４５４号公報、特開昭５６−６８６３６号公報、特開
昭５６−１６１３３９号公報、特開昭５７−６７５３８
号公報、特開昭５７−９９５３７号公報等、数多く提案
されていたが、これまでにホルミルオキシ基を有する化
合物の液晶材料は提案されていなかった。
体、アシロキシベンゼン誘導体等の液晶材料は、例え
ば、特開昭４８−９７８６０号公報、特開昭５４−１０
６４５４号公報、特開昭５６−６８６３６号公報、特開
昭５６−１６１３３９号公報、特開昭５７−６７５３８
号公報、特開昭５７−９９５３７号公報等、数多く提案
されていたが、これまでにホルミルオキシ基を有する化
合物の液晶材料は提案されていなかった。
【０００６】従って、本発明の目的は、ネマチック液晶
材料に混合することにより、液晶組成物の粘度を上昇さ
せることなく、液晶組成物の屈折率の異方性（Δｎ）を
低下させることができるホルミルオキシベンゼン誘導体
を提供することにある。
材料に混合することにより、液晶組成物の粘度を上昇さ
せることなく、液晶組成物の屈折率の異方性（Δｎ）を
低下させることができるホルミルオキシベンゼン誘導体
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく、種々検討を重ねた結果、特定のホルミル
オキシベンゼン誘導体を、ネマチック液晶材料に混合す
ることにより、液晶組成物の粘度を上昇させることな
く、液晶組成物のΔｎを低下させることができることを
見出し本発明に到達した。
を達成すべく、種々検討を重ねた結果、特定のホルミル
オキシベンゼン誘導体を、ネマチック液晶材料に混合す
ることにより、液晶組成物の粘度を上昇させることな
く、液晶組成物のΔｎを低下させることができることを
見出し本発明に到達した。
【０００８】即ち、本発明は、下記〔化２〕（上記〔化
１〕と同じ）の一般式（Ｉ）で表されるホルミルオキシ
ベンセン誘導体を提供するものである。
１〕と同じ）の一般式（Ｉ）で表されるホルミルオキシ
ベンセン誘導体を提供するものである。
【化２】
【０００９】以下、本発明のホルミルオキシベンゼン誘
導体について詳述する。
導体について詳述する。
【００１０】上記一般式（Ｉ）中、Ｒで表される炭素数
１〜１２のアルキル基としては、例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブ
チル、第二ブチル、第三−ブチル、ｎ−ペンチル、２−
メチルブチル、３−メチルブチル、ｎ−ヘキシル、イソ
ヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、ｎ−オクチ
ル、２−エチルヘキシル、イソオクチル、２−オクチ
ル、ｎ−ノニル、イソノニル、ｎ−デシル、イソデシ
ル、ｎ−ウンデシル、イソウンデシル、ｎ−ドデシル、
イソドデシル等の基が挙げられ、アルコキシ基として
は、例えば、上記アルキル基から誘導されるアルコキシ
基が挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニ
ル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、
２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペ
ンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキ
セニル、１−ヘプテニル、２−ヘプテニル、１−ノネニ
ル、３−ノネニル、８−ノネニル、１−デセニル、２−
ウンデセニル、１０−ドデセニル等の基が挙げられ、Ｒ
で表される炭素数１〜１２のアルコキシアルキル基とし
ては、メトキシメチル、エトキシメチル、メトキシエチ
ル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ヘキシロキシ
メチル、オクトキメチル、デシロキシメチル等の基が挙
げられる。
１〜１２のアルキル基としては、例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブ
チル、第二ブチル、第三−ブチル、ｎ−ペンチル、２−
メチルブチル、３−メチルブチル、ｎ−ヘキシル、イソ
ヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、ｎ−オクチ
ル、２−エチルヘキシル、イソオクチル、２−オクチ
ル、ｎ−ノニル、イソノニル、ｎ−デシル、イソデシ
ル、ｎ−ウンデシル、イソウンデシル、ｎ−ドデシル、
イソドデシル等の基が挙げられ、アルコキシ基として
は、例えば、上記アルキル基から誘導されるアルコキシ
基が挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニ
ル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、
２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペ
ンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキ
セニル、１−ヘプテニル、２−ヘプテニル、１−ノネニ
ル、３−ノネニル、８−ノネニル、１−デセニル、２−
ウンデセニル、１０−ドデセニル等の基が挙げられ、Ｒ
で表される炭素数１〜１２のアルコキシアルキル基とし
ては、メトキシメチル、エトキシメチル、メトキシエチ
ル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ヘキシロキシ
メチル、オクトキメチル、デシロキシメチル等の基が挙
げられる。
【００１１】従って、本発明のホルミルオキシベンゼン
誘導体としては、例えば、下記〔化３〕〜〔化１７〕の
化合物No.1〜No.15 等が挙げられる。
誘導体としては、例えば、下記〔化３〕〜〔化１７〕の
化合物No.1〜No.15 等が挙げられる。
【００１２】
【化３】
【００１３】
【化４】
【００１４】
【化５】
【００１５】
【化６】
【００１６】
【化７】
【００１７】
【化８】
【００１８】
【化９】
【００１９】
【化１０】
【００２０】
【化１１】
【００２１】
【化１２】
【００２２】
【化１３】
【００２３】
【化１４】
【００２４】
【化１５】
【００２５】
【化１６】
【００２６】
【化１７】
【００２７】本発明のホルミルオキシベンゼン誘導体
は、例えば、液晶骨格を有するフェノール誘導体と蟻酸
とをジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤を用い
て反応させ、フェノール性水酸基をホルミル化すること
によって製造することもできるし、あるいは、反応性基
を有するフェノール誘導体と蟻酸とをジシクロヘキシル
カルボジイミド等の脱水剤を用いて反応させ、フェノー
ル性水酸基をホルミル化し、その後常法によりエステル
化あるいはエーテル化によって製造することもできる。
は、例えば、液晶骨格を有するフェノール誘導体と蟻酸
とをジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤を用い
て反応させ、フェノール性水酸基をホルミル化すること
によって製造することもできるし、あるいは、反応性基
を有するフェノール誘導体と蟻酸とをジシクロヘキシル
カルボジイミド等の脱水剤を用いて反応させ、フェノー
ル性水酸基をホルミル化し、その後常法によりエステル
化あるいはエーテル化によって製造することもできる。
【００２８】上述の如く得られる本発明のホルミルオキ
シベンゼン誘導体を、周知の液晶材料、即ち母液晶に混
合する事によって、得られる液晶混合物の粘度を上昇さ
せることなく、該液晶混合物の屈折率の異方性（Δｎ）
を低下させることができる。
シベンゼン誘導体を、周知の液晶材料、即ち母液晶に混
合する事によって、得られる液晶混合物の粘度を上昇さ
せることなく、該液晶混合物の屈折率の異方性（Δｎ）
を低下させることができる。
【００２９】上記母液晶を構成する化合物としては、例
えば、下記〔化１８〕に示す化合物等が挙げられ、該母
液晶は、通常これらの化合物を数種以上混合して用いら
れるものである。
えば、下記〔化１８〕に示す化合物等が挙げられ、該母
液晶は、通常これらの化合物を数種以上混合して用いら
れるものである。
【００３０】
【化１８】
【００３１】本発明のホルミルオキシベンゼン誘導体の
配合量は、上記母液晶１００重量部に対して、好ましく
は１〜３０重量部である。
配合量は、上記母液晶１００重量部に対して、好ましく
は１〜３０重量部である。
【００３２】
【実施例】以下、実施例により本発明の化合物の製造法
及び性質を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明
はこれらの実施例によって何ら制限を受けるものではな
い。
及び性質を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明
はこれらの実施例によって何ら制限を受けるものではな
い。
【００３３】実施例１：トランス−４−ｎ−プロピルシ
クロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニ
ルエステル（上記〔化３〕の化合物No. １）の合成 （１）４−ホルミルオキシフェノールの合成 ハイドロキノン５．５１ｇ及び９９％蟻酸２．３２ｇを
加えたジクロロメタン１００ｍｌの溶液に、ジシクロヘ
キシルカルボジイミド１１．３５ｇを溶解したジクロロ
メタン５０ｍｌを滴下した。滴下後、４０℃で１時間反
応した後、析出したジシクロヘキシル尿素をろ過で除去
し、ろ液の溶媒を留去後、残留物をシリカゲルクロマト
グラフィー（展開溶媒；トルエン：酢酸エチル＝１０：
１）に付して精製後、ＨＰＬＣ分析するとモノエステル
９５面積％、ジエステル５面積％であった。
クロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニ
ルエステル（上記〔化３〕の化合物No. １）の合成 （１）４−ホルミルオキシフェノールの合成 ハイドロキノン５．５１ｇ及び９９％蟻酸２．３２ｇを
加えたジクロロメタン１００ｍｌの溶液に、ジシクロヘ
キシルカルボジイミド１１．３５ｇを溶解したジクロロ
メタン５０ｍｌを滴下した。滴下後、４０℃で１時間反
応した後、析出したジシクロヘキシル尿素をろ過で除去
し、ろ液の溶媒を留去後、残留物をシリカゲルクロマト
グラフィー（展開溶媒；トルエン：酢酸エチル＝１０：
１）に付して精製後、ＨＰＬＣ分析するとモノエステル
９５面積％、ジエステル５面積％であった。
【００３４】上記生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ，
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、７．０〜７．２ｐｐｍ（ｄ，
４Ｈ）、７．８〜８．０ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、８．２〜
８．４ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、４−ホルミ
ルオキシフェノールの生成を確認した。
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、７．０〜７．２ｐｐｍ（ｄ，
４Ｈ）、７．８〜８．０ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、８．２〜
８．４ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、４−ホルミ
ルオキシフェノールの生成を確認した。
【００３５】（２）トランス−４−ｎ−プロピルシクロ
ヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニルエ
ステル（上記〔化３〕の化合物No.1）の合成 上記（１）で得られた純度９５％の４−ホルミルオキシ
フェノール６．９１ｇ及びピリジン６．１０ｇをトルエ
ン１００ｍｌに加え、そこにトランス−４−ｎ−プロピ
ルシクロヘキサンカルボン酸クロライド９．４４ｇを滴
下し、滴下後６０℃で１時間反応した。反応終了後、セ
ライトを用いたろ過でピリジン塩酸塩を除去し、ろ液の
溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフ
ィー（展開溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）に付
して精製後さらにメタノールにて再結晶して白色結晶の
生成物を得た。
ヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニルエ
ステル（上記〔化３〕の化合物No.1）の合成 上記（１）で得られた純度９５％の４−ホルミルオキシ
フェノール６．９１ｇ及びピリジン６．１０ｇをトルエ
ン１００ｍｌに加え、そこにトランス−４−ｎ−プロピ
ルシクロヘキサンカルボン酸クロライド９．４４ｇを滴
下し、滴下後６０℃で１時間反応した。反応終了後、セ
ライトを用いたろ過でピリジン塩酸塩を除去し、ろ液の
溶媒を減圧留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフ
ィー（展開溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）に付
して精製後さらにメタノールにて再結晶して白色結晶の
生成物を得た。
【００３６】上記生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ，
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、０．８〜２．３ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、７．０〜７．２ｐｐｍ（ｓ，４Ｈ）、８．２
〜８．４ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化
３〕の化合物No.1の生成を確認した。
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、０．８〜２．３ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、７．０〜７．２ｐｐｍ（ｓ，４Ｈ）、８．２
〜８．４ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化
３〕の化合物No.1の生成を確認した。
【００３７】また、上記生成物の相転移温度はＣ−Ｉ点
４７℃、Ｎ−Ｉ点４０℃であり、該生成物は、モノトロ
ピック性を示す液晶化合物である。
４７℃、Ｎ−Ｉ点４０℃であり、該生成物は、モノトロ
ピック性を示す液晶化合物である。
【００３８】実施例２：トランス−４−ｎ−ブチルシク
ロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニル
エステル（上記〔化４〕の化合物No. ２）の合成 上記実施例１に準じて、トランス−４−ｎ−ブチルシク
ロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニル
エステルを合成し、生成物を得た。
ロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニル
エステル（上記〔化４〕の化合物No. ２）の合成 上記実施例１に準じて、トランス−４−ｎ−ブチルシク
ロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニル
エステルを合成し、生成物を得た。
【００３９】上記生成物の相転移温度は、Ｃ−Ｉ点５６
℃、Ｎ−Ｉ点４７℃であり、該生成物は、モノトロピッ
ク性を示す液晶化合物である。
℃、Ｎ−Ｉ点４７℃であり、該生成物は、モノトロピッ
ク性を示す液晶化合物である。
【００４０】実施例３：トランス−４−ｎ−アミルシク
ロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニル
エステル（上記〔化５〕の化合物No. ３）の合成 上記実施例１に準じて、トランス−４−ｎ−アミルシク
ロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニル
エステルを合成し、生成物を得た。
ロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニル
エステル（上記〔化５〕の化合物No. ３）の合成 上記実施例１に準じて、トランス−４−ｎ−アミルシク
ロヘキサンカルボン酸−４’−ホルミルオキシフェニル
エステルを合成し、生成物を得た。
【００４１】上記生成物の相転移温度は、Ｃ−Ｉ点７７
℃、Ｎ−Ｉ点５１℃であり、該生成物は、モノトロピッ
ク性を示す液晶化合物である。
℃、Ｎ−Ｉ点５１℃であり、該生成物は、モノトロピッ
ク性を示す液晶化合物である。
【００４２】実施例４：トランス−４−ｎ−プロピルシ
クロヘキシル−４’−ホルミルオキシベンゼン（上記
〔化７〕の化合物No. ５）の合成 ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フ
ェノール１０．９２ｇ及び９９％蟻酸２．３２ｇを加え
たジクロロメタン１００ｍｌの溶液にジシクロヘキシル
カルボジイミド１１．３５ｇを溶解したジクロロメタン
５０ｍｌを滴下した。滴下後、４０℃で１時間反応した
後、析出したジシクロヘキシル尿素をろ過で除去し、ろ
液の溶媒を留去後、残留物をシリカゲルクロマトグラフ
ィー（展開溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）に付
して精製後さらにメタノールにて再結晶して白色結晶の
生成物を得た。
クロヘキシル−４’−ホルミルオキシベンゼン（上記
〔化７〕の化合物No. ５）の合成 ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フ
ェノール１０．９２ｇ及び９９％蟻酸２．３２ｇを加え
たジクロロメタン１００ｍｌの溶液にジシクロヘキシル
カルボジイミド１１．３５ｇを溶解したジクロロメタン
５０ｍｌを滴下した。滴下後、４０℃で１時間反応した
後、析出したジシクロヘキシル尿素をろ過で除去し、ろ
液の溶媒を留去後、残留物をシリカゲルクロマトグラフ
ィー（展開溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）に付
して精製後さらにメタノールにて再結晶して白色結晶の
生成物を得た。
【００４３】上記生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ，
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、０．８〜２．３ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、７．０〜７．２ｐｐｍ（ｄ，４Ｈ）、８．２
〜８．４ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化
７〕の化合物No. ５の生成を確認した。
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、０．８〜２．３ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、７．０〜７．２ｐｐｍ（ｄ，４Ｈ）、８．２
〜８．４ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化
７〕の化合物No. ５の生成を確認した。
【００４４】また、上記生成物の相転移温度は、Ｃ−Ｉ
点４５℃、Ｎ−Ｉ点２１℃であり、該生成物は、モノト
ロピック性を示す液晶化合物である。
点４５℃、Ｎ−Ｉ点２１℃であり、該生成物は、モノト
ロピック性を示す液晶化合物である。
【００４５】実施例５：４−ｎ−プロピル−４’−ホル
ミルオキシトラン（上記〔化９〕の化合物No. ７）の合
成 ４−ｎ−プロピル−４’−ヒドロキシトラン１１．８２
ｇ及び９９％蟻酸２．３２ｇを加えたジクロロメタン１
００ｍｌの溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド１
１．３５ｇを溶解したジクロロメタン５０ｍｌを滴下し
た。滴下後、４０℃で１時間反応した後析出したジシク
ロヘキシル尿素をろ過で除去し、ろ液の溶媒を留去後、
残留物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘ
キサン：酢酸エチル＝４：１）に付して精製後さらにメ
タノールにて再結晶して白色結晶の生成物を得た。
ミルオキシトラン（上記〔化９〕の化合物No. ７）の合
成 ４−ｎ−プロピル−４’−ヒドロキシトラン１１．８２
ｇ及び９９％蟻酸２．３２ｇを加えたジクロロメタン１
００ｍｌの溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド１
１．３５ｇを溶解したジクロロメタン５０ｍｌを滴下し
た。滴下後、４０℃で１時間反応した後析出したジシク
ロヘキシル尿素をろ過で除去し、ろ液の溶媒を留去後、
残留物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘ
キサン：酢酸エチル＝４：１）に付して精製後さらにメ
タノールにて再結晶して白色結晶の生成物を得た。
【００４６】上記生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ，
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、１．０〜２．０ｐｐｍ（ｍ，
７Ｈ）、７．０〜７．６ｐｐｍ（ｑ，８Ｈ）、８．１〜
８．２ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化
９〕の化合物No. ７の生成を確認した。
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、１．０〜２．０ｐｐｍ（ｍ，
７Ｈ）、７．０〜７．６ｐｐｍ（ｑ，８Ｈ）、８．１〜
８．２ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化
９〕の化合物No. ７の生成を確認した。
【００４７】また、上記生成物の相転移温度は、Ｃ−Ｉ
点７５℃、Ｎ−Ｉ点６４℃であり、該生成物は、モノト
ロピック性を示す液晶化合物である。
点７５℃、Ｎ−Ｉ点６４℃であり、該生成物は、モノト
ロピック性を示す液晶化合物である。
【００４８】実施例６：ｐ−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）フェニル−ｐ−ホルミルオキシベ
ンジルエーテル（上記〔化１１〕の化合物No. ９）の合
成 （１）ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル−ｐ−ヒドロキシベンジルエーテルの合成 ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フ
ェノール１０．９２ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
４０ｍｌに溶解し、室温にて水素化ナトリウム１．２０
ｇを加え、８０℃で２時間撹拌した。再度室温まで冷却
し、４−ヒドロキシベンジルクロライド７．１３ｇを
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍｌに溶解して加
え、７０℃で１時間撹拌した。反応終了後、セライトを
用いたろ過で食塩を除去し、ろ液の溶媒を減圧留去後、
残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキ
サン：酢酸エチル＝４：１）に付して精製後さらにエタ
ノールにて再結晶して白色結晶の生成物を得た。
ピルシクロヘキシル）フェニル−ｐ−ホルミルオキシベ
ンジルエーテル（上記〔化１１〕の化合物No. ９）の合
成 （１）ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル−ｐ−ヒドロキシベンジルエーテルの合成 ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フ
ェノール１０．９２ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
４０ｍｌに溶解し、室温にて水素化ナトリウム１．２０
ｇを加え、８０℃で２時間撹拌した。再度室温まで冷却
し、４−ヒドロキシベンジルクロライド７．１３ｇを
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍｌに溶解して加
え、７０℃で１時間撹拌した。反応終了後、セライトを
用いたろ過で食塩を除去し、ろ液の溶媒を減圧留去後、
残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキ
サン：酢酸エチル＝４：１）に付して精製後さらにエタ
ノールにて再結晶して白色結晶の生成物を得た。
【００４９】上記生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ，
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、１．０〜２．０ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、４．４〜４．６ｐｐｍ（ｓ，２Ｈ）、５．２
〜５．４ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、６．５〜７．５ｐｐｍ
（ｍ，８Ｈ）の吸収が得られ、ｐ−（トランス−４−ｎ
−プロピルシクロヘキシル）フェニル−ｐ−ヒドロキシ
ベンジルエーテルの生成を確認した。
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、１．０〜２．０ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、４．４〜４．６ｐｐｍ（ｓ，２Ｈ）、５．２
〜５．４ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、６．５〜７．５ｐｐｍ
（ｍ，８Ｈ）の吸収が得られ、ｐ−（トランス−４−ｎ
−プロピルシクロヘキシル）フェニル−ｐ−ヒドロキシ
ベンジルエーテルの生成を確認した。
【００５０】（２）ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピル
シクロヘキシル）フェニル−ｐ−ホルミルオキシベンジ
ルエーテル（上記〔化１１〕の化合物No. ９）の合成 ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル−ｐ−ヒドロキシベンジルエーテル１６．２３ｇ
及び９９％蟻酸２．３２ｇを加えたジクロロメタン１０
０ｍｌの溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド１１．
３５ｇを溶解したジクロロメタン５０ｍｌを滴下した。
滴下後、４０℃で１時間反応した後析出したジシクロヘ
キシル尿素をろ過で除去し、ろ液の溶媒を留去後、残渣
をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサ
ン：酢酸エチル＝４：１）に付して精製後さらにメタノ
ールにて再結晶して白色結晶の生成物を得た。
シクロヘキシル）フェニル−ｐ−ホルミルオキシベンジ
ルエーテル（上記〔化１１〕の化合物No. ９）の合成 ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル−ｐ−ヒドロキシベンジルエーテル１６．２３ｇ
及び９９％蟻酸２．３２ｇを加えたジクロロメタン１０
０ｍｌの溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド１１．
３５ｇを溶解したジクロロメタン５０ｍｌを滴下した。
滴下後、４０℃で１時間反応した後析出したジシクロヘ
キシル尿素をろ過で除去し、ろ液の溶媒を留去後、残渣
をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサ
ン：酢酸エチル＝４：１）に付して精製後さらにメタノ
ールにて再結晶して白色結晶の生成物を得た。
【００５１】上記生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ，
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、１．０〜２．０ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、４．４〜４．６ｐｐｍ（ｓ，２Ｈ）、６．５
〜７．５ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）、８．１〜８．２ｐｐｍ
（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化１１〕の化合物
No. ９の生成を確認した。
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、１．０〜２．０ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、４．４〜４．６ｐｐｍ（ｓ，２Ｈ）、６．５
〜７．５ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）、８．１〜８．２ｐｐｍ
（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化１１〕の化合物
No. ９の生成を確認した。
【００５２】また、上記生成物の相転移温度は、Ｃ−Ｉ
点８４℃、Ｎ−Ｉ点７６℃であり、該生成物は、モノト
ロピック性を示す液晶化合物である。
点８４℃、Ｎ−Ｉ点７６℃であり、該生成物は、モノト
ロピック性を示す液晶化合物である。
【００５３】実施例７：ｐ−ホルミルオキシ安息香酸−
ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル（上記〔化１２〕の化合物No. １０）の合成 （１）ｐ−ホルミルオキシ安息香酸の合成 ｐ−ヒドロキシ安息香酸６．９１ｇ及び乾燥エーテル８
０ｍｌの溶液にアセチル−ホルミル酸無水物４．４０ｇ
を加えて、２７℃以下に保持し、４時間撹拌した後、溶
媒を減圧留去し、残留物をベンゼンで再結晶し、白色結
晶の生成物を得た。
ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル（上記〔化１２〕の化合物No. １０）の合成 （１）ｐ−ホルミルオキシ安息香酸の合成 ｐ−ヒドロキシ安息香酸６．９１ｇ及び乾燥エーテル８
０ｍｌの溶液にアセチル−ホルミル酸無水物４．４０ｇ
を加えて、２７℃以下に保持し、４時間撹拌した後、溶
媒を減圧留去し、残留物をベンゼンで再結晶し、白色結
晶の生成物を得た。
【００５４】上記生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ，
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、６．７〜８．０ｐｐｍ（ｑ，
４Ｈ）、８．１〜８．２ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、９．５〜
１０ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ）の吸収が得られ、ｐ−ホルミル
オキシ安息香酸の生成を確認した。
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、６．７〜８．０ｐｐｍ（ｑ，
４Ｈ）、８．１〜８．２ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、９．５〜
１０ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ）の吸収が得られ、ｐ−ホルミル
オキシ安息香酸の生成を確認した。
【００５５】（２）ｐ−ホルミルオキシ安息香酸−ｐ−
（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル（上記〔化１２〕の化合物No. １０）の合成 ｐ−ホルミル安息香酸８．３１ｇ及びｐ−（トランス−
４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フェノール１０．９
２ｇを加えたジクロロメタン１００ｍｌの溶液にジシク
ロヘキシルカルボジイミド１１．３５ｇを溶解したジク
ロロメタン５０ｍｌを滴下した。滴下後、４０℃で１時
間反応した後析出したジシクロヘキシル尿素をろ過で除
去し、ろ液の溶媒を留去後、残留物をシリカゲルクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝４：
１）に付して精製後さらにエタノールにて再結晶して白
色結晶の生成物を得た。
（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル（上記〔化１２〕の化合物No. １０）の合成 ｐ−ホルミル安息香酸８．３１ｇ及びｐ−（トランス−
４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フェノール１０．９
２ｇを加えたジクロロメタン１００ｍｌの溶液にジシク
ロヘキシルカルボジイミド１１．３５ｇを溶解したジク
ロロメタン５０ｍｌを滴下した。滴下後、４０℃で１時
間反応した後析出したジシクロヘキシル尿素をろ過で除
去し、ろ液の溶媒を留去後、残留物をシリカゲルクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝４：
１）に付して精製後さらにエタノールにて再結晶して白
色結晶の生成物を得た。
【００５６】上記生成物の 1Ｈ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ，
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、０．７〜２．６ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、７．０〜７．２ｐｐｍ（ｄ，４Ｈ）、７．１
〜８．２ｐｐｍ（ｑ，４Ｈ）、８．１〜８．２ｐｐｍ
（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化１２〕の化合物
No. １０の生成を確認した。
ＣＤＣｌ3 ）分析の結果、０．７〜２．６ｐｐｍ（ｍ，
１７Ｈ）、７．０〜７．２ｐｐｍ（ｄ，４Ｈ）、７．１
〜８．２ｐｐｍ（ｑ，４Ｈ）、８．１〜８．２ｐｐｍ
（ｓ，１Ｈ）の吸収が得られ、上記〔化１２〕の化合物
No. １０の生成を確認した。
【００５７】また、上記生成物の相転移温度は、Ｃ−Ｉ
点９８℃、Ｎ−Ｉ点８３℃であり、該生成物は、モノト
ロピック性を示す液晶化合物である。
点９８℃、Ｎ−Ｉ点８３℃であり、該生成物は、モノト
ロピック性を示す液晶化合物である。
【００５８】実施例８ ＳＴＮ液晶素材として市販液晶Ａを母液晶とし、上記実
施例１〜７により得られた化合物のなかから、化合物N
o.1、No.5及びNo.7のをそれぞれ単独で添加したときの
特性値、また、比較のため化合物No.1のホルミルオキシ
基をアセトキシ基に換えた比較化合物（下記〔化２１〕
に示す比較化合物１）を添加したときの特性値、さら
に、市販液晶Ｂを母液晶として、化合物No.1、No.2及び
No.3の１／１／１の混合物を添加したときの特性値をそ
れぞれ下記〔表１〕に示した。
施例１〜７により得られた化合物のなかから、化合物N
o.1、No.5及びNo.7のをそれぞれ単独で添加したときの
特性値、また、比較のため化合物No.1のホルミルオキシ
基をアセトキシ基に換えた比較化合物（下記〔化２１〕
に示す比較化合物１）を添加したときの特性値、さら
に、市販液晶Ｂを母液晶として、化合物No.1、No.2及び
No.3の１／１／１の混合物を添加したときの特性値をそ
れぞれ下記〔表１〕に示した。
【００５９】尚、市販液晶Ａは、下記〔化１９〕に示す
組成を有する４−ｎ−アルキルシクロヘキサンカルボン
酸アルコキシフェニルエステル系の組成物であり、市販
液晶Ｂは、下記〔化２０〕に示す組成を有する４−ｎ−
アルキルシクロヘキサンカルボン酸シアノフェニルエス
テル系の組成物である。
組成を有する４−ｎ−アルキルシクロヘキサンカルボン
酸アルコキシフェニルエステル系の組成物であり、市販
液晶Ｂは、下記〔化２０〕に示す組成を有する４−ｎ−
アルキルシクロヘキサンカルボン酸シアノフェニルエス
テル系の組成物である。
【００６０】〈市販液晶Ａの組成〉
【００６１】
【化１９】
【００６２】〈市販液晶Ｂの組成〉
【００６３】
【化２０】
【００６４】
【化２１】
【００６５】
【表１】
【００６６】上記〔表１〕より、母液晶がＡ、Ｂのそれ
ぞれの場合について、本発明のホルミルオキシベンゼン
誘導体（化合物No.1、No.5、No.7並びに混合物：化合物
No.1／No.2／No.3＝１／１／１）を一成分として加える
ことにより、液晶組成物の粘度を上昇させることなく、
しかも、液晶組成物の屈折率の異方性（Δｎ）を低下さ
せることができることが判る。それらと比較してホルミ
ルオキシベンゼン誘導体のホルミルオキシ基をアセトキ
シ基に換えた比較化合物１（比較１）を加えた場合には
液晶組成物の粘度を上昇させることはないが、Δｎを低
下させる効果は極めて小さいものである。
ぞれの場合について、本発明のホルミルオキシベンゼン
誘導体（化合物No.1、No.5、No.7並びに混合物：化合物
No.1／No.2／No.3＝１／１／１）を一成分として加える
ことにより、液晶組成物の粘度を上昇させることなく、
しかも、液晶組成物の屈折率の異方性（Δｎ）を低下さ
せることができることが判る。それらと比較してホルミ
ルオキシベンゼン誘導体のホルミルオキシ基をアセトキ
シ基に換えた比較化合物１（比較１）を加えた場合には
液晶組成物の粘度を上昇させることはないが、Δｎを低
下させる効果は極めて小さいものである。
【００６７】
【発明の効果】本発明のホルミルオキシベンゼン誘導体
は、ネマチック液晶材料に混合することにより、液晶組
成物の粘度を上昇させることなく、液晶組成物の屈折率
の異方性（Δｎ）を低下させることができるものであ
る。
は、ネマチック液晶材料に混合することにより、液晶組
成物の粘度を上昇させることなく、液晶組成物の屈折率
の異方性（Δｎ）を低下させることができるものであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/86 9279−4Ｈ 69/94 9279−4Ｈ Ｃ０９Ｋ 19/12 9279−4Ｈ 19/14 9279−4Ｈ 19/18 9279−4Ｈ 19/20 9279−4Ｈ 19/30 9279−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００
Claims (1)
- 【請求項１】 下記〔化１〕の一般式（Ｉ）で表される
ホルミルオキシベンゼン誘導体。 【化１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22119993A JPH0776555A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | ホルミルオキシベンゼン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22119993A JPH0776555A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | ホルミルオキシベンゼン誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0776555A true JPH0776555A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16763028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22119993A Pending JPH0776555A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | ホルミルオキシベンゼン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0776555A (ja) |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP22119993A patent/JPH0776555A/ja active Pending
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