JPH0552310B2 - - Google Patents
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Description
(産業上の利用分野)
本発明は、強誘電性カイラルスメクチツク液晶
化合物を提供するものであつて、該液晶化合物は
電界への応答を利用した電気光学素子に使用され
る。 (発明の概要) 本発明によつて提供される化合物は、式 又は (式中mは1〜8の整数を、nは5〜14の整数を
示す。*印は当該炭素原子が不斉炭素原子である
ことを意味する。s−Co 2o+1は直鎖アルキル基
を意味する(以下同じ)) で示される新規な強誘電性液晶化合物であつて、
室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチツク
C*相を呈すると共に、化学的安定性にもすぐれ、
高い応答性を有し、更、他の各種液晶化合物との
混合性にもすぐれている。 (従来の技術) 強誘電性を示す液晶化合物として、(S)−2−メ
チルブチルP−(P−n−デシロキシベンジリデ
ンアミノ)シンナメート(DOBAMBC)が知ら
れている。このシツフ塩基系列の液晶化合物が強
誘電性液晶の研究対象とされ、種々の化合物が合
成された。その一例として 〔式中XはH、Cl、CN、YはCl、C2H5、*は不
斉炭素原子を示す。〕 の一般式で示される化合物が知られている。しか
し、この系列の化合物は、カイラルスメクチツク
相を呈する温度が室温より高いため室温では液晶
材料として使用することができず、又シツフ塩基
系化合物であるため水分により分解を受け易いな
どの欠点を有している。これらを改良するために
考え出された化合物として (Ferroelectriics24巻309頁(1980))が知られて
いる。 この系の化合物は、室温を含む広い温度範囲に
亘つてスメクチツクC*相を呈する化合物として
注目された。更に、B、I、オストロフスキーに
よつて、式 (式中nは9又は10を示す) で表わされる化合物が、比較的室温に近い温度範
囲でカイラルスメクチツク相を呈すると報告され
ている。 又、H.ZASCHKEによつて で表わされる化合物のいくつかが、スメクチツク
相を呈したとして紹介されている。(J.Prakt.
Chemie.317 617(1975))しかし、これらの中に、
カイラルスメクチツク液晶化合物については記載
されていないし、示唆もされていない。 (本発明が解決しようとする問題点) 本発明によつて提供される化合物は、式 又は (式中mは1〜8の整数を、nは5〜14の整数を
示す。*印は当該炭素原子が不斉炭素原子である
ことを意味する。) で示される新規な強誘電性液晶化合物であつて、
室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチツク
C*相を呈すると共に、化学的安定性にもすぐれ、
高い応答性を有し、更に、他の各種液晶化合物と
の混合性にもすぐれている。本発明はかゝる液晶
化合物を提供する。 (問題点を解決するための手段) 本発明によつて提供される新規なカイラルスメ
クチツクC*相を呈する液晶化合物は次のように
して造られる。即ち 式(イ) (式中、mは1〜8の整数を、*印は当該炭素原
子が不斉炭素原子であることを意味し、Xは低級
アルキルジアミン基、水酸基、低級アルコキシ基
を示す。) で示され化合物と式(ロ) (式中、nは5〜14の整数を示す。) で示される化合物とを適宜溶媒中アルカリ金属
(例えばリチウム、ナトリウム、カリウムなど)
ナトリウムアルコラート、カリウムt−ブトキシ
ドなどのアルカリ金属アルコラート、無水炭酸ナ
トリウム、無水炭酸カリウムなどの無水アルカリ
金属塩等を用いて反応させることにより、式
〔〕で示される化合物を得る。ここにおいて用
いられる溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、イソプロパノール、ブタノー
ル等のアルコール又はグリコール類、ベンゼン、
トルエン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド、テトラヒドロフラン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテルなどがあげられる。反応温度は
室温乃至溶媒の還流温度で進行する。かくて、式
〔〕 (式中m、n、*は前記と同じ) で表わされる化合物が得られる。 又、 式 (式中m、x、*は前記と同じ) で表わされる化合物と、式 (式中nは前記と同じ) で表わされる化合物とを前記したのと同様の条件
下で反応させることによつて、式 (式中m、n、*は前記と同じ) で表わされる化合物を得ることができる。更に、
式〔〕で示される化合物は、以下のようにして
も造ることができる。即ち、式 (式中mは前記と同じ) で表わされる化合物と、式 s−CoH2o+1−Y (式中nは前記と同じ、Yはハロゲン原子、トシ
ル基、メシル基を示す) で表わされる化合物とを、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、トルエン、キシレ
ン、ジオキサンなどの適宜溶媒中、アルカリ金属
又はアルカリ金属水素化物を用いて縮合させるこ
とによつて、式〔〕で表わされる化合物を得る
ことができる。 更にまた次の方法によつても、式〔〕で示さ
れる化合物を得ることができる。即ち 式 (式中nは前記と同じ) で表わされる化合物と、式 (式中mは記と同じ、Rは低級アルキル基を示
す。) で表わされる化合物とを、アルカリ金属アルコラ
ート、無水アルカリ金属塩の共存下に反応させて
式 (式中m、nは前記と同じ) で表わされる化合物を得、これを塩化チオニル三
塩化燐、五塩化燐、オキシ塩化燐、三臭化燐など
を用い、ジエチルアニリン、ピリジン、トリエチ
ルアミンなどの三級アミンを使用してハロゲン化
し、得られたハロゲン化物をPd−c、ラネーニ
ツケル、リンドラー触媒を使つて接触還元反応に
付して脱ハロゲン化を行い、式〔〕で示される
化合物を得ることができる。 本発明によつて提供される液晶化合物は1ケの
不斉炭素を有しているため、一対の光学的対掌体
が存在する。これら対掌体は本発明の目的化合物
に包含される。その光学的性質は、原料として用
いる式(1)で示される化合物において、いずれの対
掌体を選択使用するかによつて決定される。 実施例 1 光学活性な2−〔4−n−オクチルオキシフエ
ニル〕−5−〔6−メチルオクチル〕ピリミジン
の合成 冷却管、温度計、滴下ロート、塩化カルシウム
管を備えた30mlの三つ口フラスコに、水素化ナト
リウム0.33g(約50%Oil Suspension)乾燥NN
−ジメチルホルムアミド3mlを入れた。次に、乾
燥NN−ジメチルホルムアミド6mlに溶解した光
学活性な4−〔5−(6−メチルオクチル)−2−
ピリミジニル〕フエノール1.71gを室温下ゆつく
りと滴下した。さらに30分間反応した後、1−ブ
ロムオクタン1.10gを加え、90℃で7時間反応し
た。反応終了後、氷水に流し込み、反応生成物を
酢酸エチルで抽出した。有機層は、水でよく洗浄
し、乾燥後、有機溶媒を留去し、粗生成物を得
た。この粗生成物は、シリカゲルクロマトグラフ
イー、再結晶にて精製し、光学活性な2−〔4−
n−オクチルオキシフエニル〕−5−〔6−メチル
オクチル〕ピリミジン1.3gを得た。 I.R νmax(cm-1):1610、1585、1430、1250、
1170、800 ′H−NMR(60MHz、CDCl3) δ(ppm):8.38(s、2H) 8.28(d、2H) 6.97(d、2H) 3.27〜4.20(m、4H) 0.6〜2.1(m、32H) 転移温度 結晶14℃ ―→ ←― 6℃Sc*28℃ ―→ ←― 29.4℃Ch44℃ ―→ ←― 43.5℃Iso 実施例 2 (S)−2−(4−n−オクチルフエニル)−5−
(6−メチルオクチルオキシ)ピリミジンの合
成 冷却管、塩化カルシウム管、滴下ロート、温度
計を備えた三つ口フラスコに、4−n−オクチル
ベンズアミジン塩酸塩2.64g、(S)−α−(6−メ
チルオクチルオキシ)−β−(ジメチルアミノ)ア
クロレイン2.38g、無水エタノール20mlを入れ
た。次に28%ナトリウムメチーラート・メタノー
ル溶液4.18gを、室温下、ゆつくりと滴下した。
滴下後、還流下、11時間反応を行なつた。反応終
了後氷水に流し込み、反応生成物を、酢酸エチル
で抽出した。酢酸エチル層は、水でよく洗浄し、
乾燥後、減圧下、溶媒を留去した。得られた粗生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフイー、再
結晶にて精製し、(S)−2−〔4−n−オクチルフ
エニル)−5−(6−メチルオクチルオキシ)ピリ
ミジン2.41gを得た。 IR νmax(cm-1)1610、1578、1440、1280、785 ′H−NMR(60MHz、CDCl3) δ(ppm):0.65〜2.2(m、32H) 2.66(t、2H) 4.04(t、2H) 7.30(d、2H) 8.30(d、2H) 8.45(s、2H) 転移温度 結晶−13℃ ―→ ←― −22℃Sx10℃ ―→ ←― 5℃SY18℃ ―→ ←― 9.5℃Sc*51℃ ―→ ←― 50.0℃SA51.4℃ ―→ ←― 51.4℃Iso (ここで、Sx、SYは相末確認のスメクチツク相
である。) 本発明で使用される原料化合物のつくり方につ
いてその一例を記述する(m、nは前記と同じ) (1) のつくり方
化合物を提供するものであつて、該液晶化合物は
電界への応答を利用した電気光学素子に使用され
る。 (発明の概要) 本発明によつて提供される化合物は、式 又は (式中mは1〜8の整数を、nは5〜14の整数を
示す。*印は当該炭素原子が不斉炭素原子である
ことを意味する。s−Co 2o+1は直鎖アルキル基
を意味する(以下同じ)) で示される新規な強誘電性液晶化合物であつて、
室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチツク
C*相を呈すると共に、化学的安定性にもすぐれ、
高い応答性を有し、更、他の各種液晶化合物との
混合性にもすぐれている。 (従来の技術) 強誘電性を示す液晶化合物として、(S)−2−メ
チルブチルP−(P−n−デシロキシベンジリデ
ンアミノ)シンナメート(DOBAMBC)が知ら
れている。このシツフ塩基系列の液晶化合物が強
誘電性液晶の研究対象とされ、種々の化合物が合
成された。その一例として 〔式中XはH、Cl、CN、YはCl、C2H5、*は不
斉炭素原子を示す。〕 の一般式で示される化合物が知られている。しか
し、この系列の化合物は、カイラルスメクチツク
相を呈する温度が室温より高いため室温では液晶
材料として使用することができず、又シツフ塩基
系化合物であるため水分により分解を受け易いな
どの欠点を有している。これらを改良するために
考え出された化合物として (Ferroelectriics24巻309頁(1980))が知られて
いる。 この系の化合物は、室温を含む広い温度範囲に
亘つてスメクチツクC*相を呈する化合物として
注目された。更に、B、I、オストロフスキーに
よつて、式 (式中nは9又は10を示す) で表わされる化合物が、比較的室温に近い温度範
囲でカイラルスメクチツク相を呈すると報告され
ている。 又、H.ZASCHKEによつて で表わされる化合物のいくつかが、スメクチツク
相を呈したとして紹介されている。(J.Prakt.
Chemie.317 617(1975))しかし、これらの中に、
カイラルスメクチツク液晶化合物については記載
されていないし、示唆もされていない。 (本発明が解決しようとする問題点) 本発明によつて提供される化合物は、式 又は (式中mは1〜8の整数を、nは5〜14の整数を
示す。*印は当該炭素原子が不斉炭素原子である
ことを意味する。) で示される新規な強誘電性液晶化合物であつて、
室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチツク
C*相を呈すると共に、化学的安定性にもすぐれ、
高い応答性を有し、更に、他の各種液晶化合物と
の混合性にもすぐれている。本発明はかゝる液晶
化合物を提供する。 (問題点を解決するための手段) 本発明によつて提供される新規なカイラルスメ
クチツクC*相を呈する液晶化合物は次のように
して造られる。即ち 式(イ) (式中、mは1〜8の整数を、*印は当該炭素原
子が不斉炭素原子であることを意味し、Xは低級
アルキルジアミン基、水酸基、低級アルコキシ基
を示す。) で示され化合物と式(ロ) (式中、nは5〜14の整数を示す。) で示される化合物とを適宜溶媒中アルカリ金属
(例えばリチウム、ナトリウム、カリウムなど)
ナトリウムアルコラート、カリウムt−ブトキシ
ドなどのアルカリ金属アルコラート、無水炭酸ナ
トリウム、無水炭酸カリウムなどの無水アルカリ
金属塩等を用いて反応させることにより、式
〔〕で示される化合物を得る。ここにおいて用
いられる溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、イソプロパノール、ブタノー
ル等のアルコール又はグリコール類、ベンゼン、
トルエン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド、テトラヒドロフラン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテルなどがあげられる。反応温度は
室温乃至溶媒の還流温度で進行する。かくて、式
〔〕 (式中m、n、*は前記と同じ) で表わされる化合物が得られる。 又、 式 (式中m、x、*は前記と同じ) で表わされる化合物と、式 (式中nは前記と同じ) で表わされる化合物とを前記したのと同様の条件
下で反応させることによつて、式 (式中m、n、*は前記と同じ) で表わされる化合物を得ることができる。更に、
式〔〕で示される化合物は、以下のようにして
も造ることができる。即ち、式 (式中mは前記と同じ) で表わされる化合物と、式 s−CoH2o+1−Y (式中nは前記と同じ、Yはハロゲン原子、トシ
ル基、メシル基を示す) で表わされる化合物とを、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、トルエン、キシレ
ン、ジオキサンなどの適宜溶媒中、アルカリ金属
又はアルカリ金属水素化物を用いて縮合させるこ
とによつて、式〔〕で表わされる化合物を得る
ことができる。 更にまた次の方法によつても、式〔〕で示さ
れる化合物を得ることができる。即ち 式 (式中nは前記と同じ) で表わされる化合物と、式 (式中mは記と同じ、Rは低級アルキル基を示
す。) で表わされる化合物とを、アルカリ金属アルコラ
ート、無水アルカリ金属塩の共存下に反応させて
式 (式中m、nは前記と同じ) で表わされる化合物を得、これを塩化チオニル三
塩化燐、五塩化燐、オキシ塩化燐、三臭化燐など
を用い、ジエチルアニリン、ピリジン、トリエチ
ルアミンなどの三級アミンを使用してハロゲン化
し、得られたハロゲン化物をPd−c、ラネーニ
ツケル、リンドラー触媒を使つて接触還元反応に
付して脱ハロゲン化を行い、式〔〕で示される
化合物を得ることができる。 本発明によつて提供される液晶化合物は1ケの
不斉炭素を有しているため、一対の光学的対掌体
が存在する。これら対掌体は本発明の目的化合物
に包含される。その光学的性質は、原料として用
いる式(1)で示される化合物において、いずれの対
掌体を選択使用するかによつて決定される。 実施例 1 光学活性な2−〔4−n−オクチルオキシフエ
ニル〕−5−〔6−メチルオクチル〕ピリミジン
の合成 冷却管、温度計、滴下ロート、塩化カルシウム
管を備えた30mlの三つ口フラスコに、水素化ナト
リウム0.33g(約50%Oil Suspension)乾燥NN
−ジメチルホルムアミド3mlを入れた。次に、乾
燥NN−ジメチルホルムアミド6mlに溶解した光
学活性な4−〔5−(6−メチルオクチル)−2−
ピリミジニル〕フエノール1.71gを室温下ゆつく
りと滴下した。さらに30分間反応した後、1−ブ
ロムオクタン1.10gを加え、90℃で7時間反応し
た。反応終了後、氷水に流し込み、反応生成物を
酢酸エチルで抽出した。有機層は、水でよく洗浄
し、乾燥後、有機溶媒を留去し、粗生成物を得
た。この粗生成物は、シリカゲルクロマトグラフ
イー、再結晶にて精製し、光学活性な2−〔4−
n−オクチルオキシフエニル〕−5−〔6−メチル
オクチル〕ピリミジン1.3gを得た。 I.R νmax(cm-1):1610、1585、1430、1250、
1170、800 ′H−NMR(60MHz、CDCl3) δ(ppm):8.38(s、2H) 8.28(d、2H) 6.97(d、2H) 3.27〜4.20(m、4H) 0.6〜2.1(m、32H) 転移温度 結晶14℃ ―→ ←― 6℃Sc*28℃ ―→ ←― 29.4℃Ch44℃ ―→ ←― 43.5℃Iso 実施例 2 (S)−2−(4−n−オクチルフエニル)−5−
(6−メチルオクチルオキシ)ピリミジンの合
成 冷却管、塩化カルシウム管、滴下ロート、温度
計を備えた三つ口フラスコに、4−n−オクチル
ベンズアミジン塩酸塩2.64g、(S)−α−(6−メ
チルオクチルオキシ)−β−(ジメチルアミノ)ア
クロレイン2.38g、無水エタノール20mlを入れ
た。次に28%ナトリウムメチーラート・メタノー
ル溶液4.18gを、室温下、ゆつくりと滴下した。
滴下後、還流下、11時間反応を行なつた。反応終
了後氷水に流し込み、反応生成物を、酢酸エチル
で抽出した。酢酸エチル層は、水でよく洗浄し、
乾燥後、減圧下、溶媒を留去した。得られた粗生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフイー、再
結晶にて精製し、(S)−2−〔4−n−オクチルフ
エニル)−5−(6−メチルオクチルオキシ)ピリ
ミジン2.41gを得た。 IR νmax(cm-1)1610、1578、1440、1280、785 ′H−NMR(60MHz、CDCl3) δ(ppm):0.65〜2.2(m、32H) 2.66(t、2H) 4.04(t、2H) 7.30(d、2H) 8.30(d、2H) 8.45(s、2H) 転移温度 結晶−13℃ ―→ ←― −22℃Sx10℃ ―→ ←― 5℃SY18℃ ―→ ←― 9.5℃Sc*51℃ ―→ ←― 50.0℃SA51.4℃ ―→ ←― 51.4℃Iso (ここで、Sx、SYは相末確認のスメクチツク相
である。) 本発明で使用される原料化合物のつくり方につ
いてその一例を記述する(m、nは前記と同じ) (1) のつくり方
【式】で表わされるアル
コールをアルカリ金属と反応させ、これにハロ
ゲノアセタール(例えば、ブロモジエチルアセ
タール)を反応させる。得られた化合物をビル
スマイヤー試薬と反応させることによつて標記
化合物を得ることができる。 (2) のつくり方 で表わされる化合物を亜硝酸塩でジアゾ化合物
に変え、シアン化銅で分解して で表わされる化合物を得、アルコール中塩化水素
と反応させてイミノ酸エステル塩酸塩とし、次い
で、アンモニアを反応させることによつて標記化
合物を得ることができる。 (3) のつくり方
ゲノアセタール(例えば、ブロモジエチルアセ
タール)を反応させる。得られた化合物をビル
スマイヤー試薬と反応させることによつて標記
化合物を得ることができる。 (2) のつくり方 で表わされる化合物を亜硝酸塩でジアゾ化合物
に変え、シアン化銅で分解して で表わされる化合物を得、アルコール中塩化水素
と反応させてイミノ酸エステル塩酸塩とし、次い
で、アンモニアを反応させることによつて標記化
合物を得ることができる。 (3) のつくり方
【式】で表わされる化合
物を塩化チオニル、三臭化燐などでハロゲン化
し、これに金属マグネシウムを反応させてグリ
ニヤール試薬をつくる。これに二酸化炭素を反
応させて、後処理し、相当するカルボン酸を
得、リチウムアルミニウムハイドライドで環元
して で表わされる化合物を得る。この化合物をハロ
ゲン化し、金属マグネシウムを反応させてグリ
ニヤール試薬をつくり、オルト蟻酸エチルを反
応させて で表わされる化合物を得、これをビルスマイヤ
ー試薬と反応させることによつて標記化合物を
得ることができる。 (4) のつくり方 s−CoH2o+1−x(Xはハロゲン原子)で表
わされる化合物とP−ヒドロキシベンゾニトリ
ルとを反応させて得られる。 を、(2)に記述したと同様、アルコール中塩化水
素と反応させてイミノ酸エステル塩酸塩とし、
次いでアンモニアを反応させることによつて、
標記化合物を得ることができる。 以上、実施例で示したように、本発明の液晶化
合物は、室温で、またはその近辺でS*相を呈す
る化合物であり、室温を含む広い温度範囲S*相
を有するカイラルスメクチツク液晶組成物を得る
上で、有効なブレンド材料として使用し得る。
し、これに金属マグネシウムを反応させてグリ
ニヤール試薬をつくる。これに二酸化炭素を反
応させて、後処理し、相当するカルボン酸を
得、リチウムアルミニウムハイドライドで環元
して で表わされる化合物を得る。この化合物をハロ
ゲン化し、金属マグネシウムを反応させてグリ
ニヤール試薬をつくり、オルト蟻酸エチルを反
応させて で表わされる化合物を得、これをビルスマイヤ
ー試薬と反応させることによつて標記化合物を
得ることができる。 (4) のつくり方 s−CoH2o+1−x(Xはハロゲン原子)で表
わされる化合物とP−ヒドロキシベンゾニトリ
ルとを反応させて得られる。 を、(2)に記述したと同様、アルコール中塩化水
素と反応させてイミノ酸エステル塩酸塩とし、
次いでアンモニアを反応させることによつて、
標記化合物を得ることができる。 以上、実施例で示したように、本発明の液晶化
合物は、室温で、またはその近辺でS*相を呈す
る化合物であり、室温を含む広い温度範囲S*相
を有するカイラルスメクチツク液晶組成物を得る
上で、有効なブレンド材料として使用し得る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式 (式中、R1がs−CoH2o+1−、 R2が【式】であるか、ま たはR1がs−CoH2o+1−O−、R2が
【式】であり、mは1〜8の整 数、nは5〜14の整数であり、*印は当該炭素原
子が不斉炭素原子であることを意味し、s−Co
H2o+1は直鎖アルキル基を意味する)。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60056652A JPS61215372A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 液晶化合物 |
US06/830,530 US4725688A (en) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Liquid crystal compound |
PCT/JP1985/000302 WO1986000087A1 (en) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Liquid crystal compound |
EP85902658A EP0191860B1 (en) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Liquid crystal compound |
DE8585902658T DE3577211D1 (de) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Fluessigkristallverbindung. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60056652A JPS61215372A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 液晶化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61215372A JPS61215372A (ja) | 1986-09-25 |
JPH0552310B2 true JPH0552310B2 (ja) | 1993-08-05 |
Family
ID=13033297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60056652A Granted JPS61215372A (ja) | 1984-06-07 | 1985-03-20 | 液晶化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61215372A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3518734A1 (de) * | 1985-05-24 | 1986-11-27 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Smektische fluessigkristalline phasen |
JP3039651B2 (ja) * | 1988-07-13 | 2000-05-08 | キヤノン株式会社 | 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物及びこれを有する液晶素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5180870A (en) * | 1974-10-25 | 1976-07-15 | Hoffmann La Roche | Fueniruupirimijinno seizohoho |
JPS5795965A (en) * | 1980-10-14 | 1982-06-15 | Hoffmann La Roche | Disubstituted pyrimidines |
JPS58121225A (ja) * | 1982-01-04 | 1983-07-19 | メルク・パテント・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | ネマチツク相を有する異方性化合物及び該化合物を含有する液晶混合物 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60056652A patent/JPS61215372A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5180870A (en) * | 1974-10-25 | 1976-07-15 | Hoffmann La Roche | Fueniruupirimijinno seizohoho |
JPS53101385A (en) * | 1974-10-25 | 1978-09-04 | Hoffmann La Roche | Method of producing phenyllpyrimidine |
JPS53114788A (en) * | 1974-10-25 | 1978-10-06 | Hoffmann La Roche | Nematic liquid crystal matter mixture |
JPS5795965A (en) * | 1980-10-14 | 1982-06-15 | Hoffmann La Roche | Disubstituted pyrimidines |
JPS58121225A (ja) * | 1982-01-04 | 1983-07-19 | メルク・パテント・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | ネマチツク相を有する異方性化合物及び該化合物を含有する液晶混合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61215372A (ja) | 1986-09-25 |
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