JPH055831B2 - - Google Patents
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- JPH055831B2 JPH055831B2 JP60092752A JP9275285A JPH055831B2 JP H055831 B2 JPH055831 B2 JP H055831B2 JP 60092752 A JP60092752 A JP 60092752A JP 9275285 A JP9275285 A JP 9275285A JP H055831 B2 JPH055831 B2 JP H055831B2
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Description
（産業上の利用分野）
本発明は、フエニルピリミジン誘導体に関する
もので、該化合物は液晶材料としての用途を持つ
ている。 （従来の技術） 強誘電性を示す液晶化合物として、ｐ−ドデシ
ロキシベンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルブ
チルシンナメート（DOBAMBC）が知られてい
る。このシツフ塩基系列の液晶化合物が強誘電性
液晶の研究対象とされ、種々の化合物が合成され
た。その一例として、 （式中Ｘは、Ｈ、Cl、CN、ＹはCl、C2H5、＊
は不斉炭素原子を示す。） の一般式で示される化合物が知られている。しか
し、この系列の化合物は、カイラルスメクチツク
相を呈する温度が室温より高いため、室温では液
晶材料として使用することができず、又、シツフ
塩基系化合物であるため水分により分解を受け易
いなどの欠点を有している。これらの欠点を改善
するために考え出された化合物として が知られている。（Ferroelectriics 24巻309頁
（1980）） この系の化合物は、室温を含む広い温度範囲に
亘つてスメクチツクC*相を呈する化合物として
注目された。更に、B.I.オストロフスキーによつ
て、式 （式中ｎは９又は10、＊は不斉炭素原子を示す） で表わされる化合物が、比較的室温に近い温度範
囲でカイラルスメクチツク相を呈すると報告され
ている。 又、H.ZASCHKEによつて で表わされる化合物のいくつかが、スメクチツク
相を呈したとして、明らかにされている。 （J.Prakt Chemie.317巻617（1975））しかし、
この中に、カイラルスメクチツク液晶化合物につ
いての記載はなされていないし、示唆もされてい
ない。 （本発明が解決しようとする問題点） 本発明によつて提供された化合物は、式 （式中R1、R2はC4〜C15のアルキル基で、いず
れか一方は、その鎖中に不斉炭素原子を有する）
で示される新規物質であつて、強誘電性液晶の性
質を持つており、室温を含む広い温度範囲で、カ
イラルスメクチツクC*相を呈すると共に、化学
的安定性にもすぐれ、高い電場応答性を有し、更
に、他の各種液晶化合物との混合性にもすぐれて
いる。本発明は、かゝる液晶化合物を提供するも
のである。 （問題点を解決するための手段） 本発明によつて提供される新規なカイラルスメ
クチツクC*相を呈する液晶化合物は次のように
して造られる。即ち、概略を化学反応式で示せば
次の通りである。 （式中、R1、R2は前記と同じ） ここにおいて、(1)式で示される化合物における
置換基R1としてはCnH2o+1−で示される直鎖アル
キル基であるか、または
もので、該化合物は液晶材料としての用途を持つ
ている。 （従来の技術） 強誘電性を示す液晶化合物として、ｐ−ドデシ
ロキシベンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルブ
チルシンナメート（DOBAMBC）が知られてい
る。このシツフ塩基系列の液晶化合物が強誘電性
液晶の研究対象とされ、種々の化合物が合成され
た。その一例として、 （式中Ｘは、Ｈ、Cl、CN、ＹはCl、C2H5、＊
は不斉炭素原子を示す。） の一般式で示される化合物が知られている。しか
し、この系列の化合物は、カイラルスメクチツク
相を呈する温度が室温より高いため、室温では液
晶材料として使用することができず、又、シツフ
塩基系化合物であるため水分により分解を受け易
いなどの欠点を有している。これらの欠点を改善
するために考え出された化合物として が知られている。（Ferroelectriics 24巻309頁
（1980）） この系の化合物は、室温を含む広い温度範囲に
亘つてスメクチツクC*相を呈する化合物として
注目された。更に、B.I.オストロフスキーによつ
て、式 （式中ｎは９又は10、＊は不斉炭素原子を示す） で表わされる化合物が、比較的室温に近い温度範
囲でカイラルスメクチツク相を呈すると報告され
ている。 又、H.ZASCHKEによつて で表わされる化合物のいくつかが、スメクチツク
相を呈したとして、明らかにされている。 （J.Prakt Chemie.317巻617（1975））しかし、
この中に、カイラルスメクチツク液晶化合物につ
いての記載はなされていないし、示唆もされてい
ない。 （本発明が解決しようとする問題点） 本発明によつて提供された化合物は、式 （式中R1、R2はC4〜C15のアルキル基で、いず
れか一方は、その鎖中に不斉炭素原子を有する）
で示される新規物質であつて、強誘電性液晶の性
質を持つており、室温を含む広い温度範囲で、カ
イラルスメクチツクC*相を呈すると共に、化学
的安定性にもすぐれ、高い電場応答性を有し、更
に、他の各種液晶化合物との混合性にもすぐれて
いる。本発明は、かゝる液晶化合物を提供するも
のである。 （問題点を解決するための手段） 本発明によつて提供される新規なカイラルスメ
クチツクC*相を呈する液晶化合物は次のように
して造られる。即ち、概略を化学反応式で示せば
次の通りである。 （式中、R1、R2は前記と同じ） ここにおいて、(1)式で示される化合物における
置換基R1としてはCnH2o+1−で示される直鎖アル
キル基であるか、または
【式】で示される鎖中に 不斉
炭素原子を有するアルキル基があげられ、
(2)式で示される化合物における置換基R2として
は、R1として上にあげられたものと同じものが
あげられる。ただし、R1とR2が同じ型のアルキ
ル基であることはない。 (1)式及び(2)式で示される化合物をメタノール、
エタノール、イソプロパノールなどの低級アルコ
ール溶媒、ベンゼン、トルエンなどの芳香族溶
媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラヒドロフランなどの溶媒中、ナトリウ
ムメトキシド、ナトリウムエトキシド、水素化ナ
トリウム、金属ナトリウムなどの触媒の存在下、
室温乃至加熱して反応させる。なお、式中のｍは
２〜６の整数、ｎは６〜10の整数、＊は当該炭素
原子が不斉炭素原子であることを意味する。 かくて得られた(3)式で示される化合物を、水、
ピリジン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど
の溶媒中、クロム酸−硫酸、重クロム酸ピリジニ
ウム塩、クロム酸−酢酸などの酸化剤を用いて酸
化することによつて、本発明の目的化合物は得ら
れる。 以下実施例を記述して本発明を更に詳述する。 実施例 １ (イ) (S)−５−ｎ−オクチル−２−〔４−（１−ヒド
ロキシ−６−メチルオクチル）フエニル〕ピリ
ミジンの合成 (S)−４−（１−ヒドロキシ−６−メチルオク
チルベンズアミジン塩酸塩0.82ｇ、α−ｎ−オ
クチル−β−ジメチルアミノアクロレイン0.56
ｇを入れ、乾燥エタノール20mlに溶解した後、
28％ナトリウムメチラート、メタノール溶液
2.04ｇを加え、還流下、13時間反応した。反応
終了後、氷水に流し込み、塩酸酸性とし、反応
生成物を酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層
は、水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、溶媒を
留去した。得られた粗生成物を、シリカゲルク
ロマトグラフイー、再結晶にて精製し、光学活
性な５−ｎ−オクチル−２−〔４−（１−ヒドロ
キシ−６−メチルオクチル）フエニル〕ピリミ
ジン0.64ｇを得た。 IRνmaxcm-1 ：3260、1595、1555 1440、800I Ｈ−NMR（60MHz、CDCl3） δ（ppm）：8.67（ｓ、2H） 8.45（ｄ、2H） 7.50（ｄ、2H） 4.77（ｔ、1H） 2.2〜2.8（ｍ、 ） (ロ) (S)−５−ｎ−オクチル−２−〔４−（６−メチ
ルオクタノイル）フエニル〕ピリミジンの合成 重クロム酸ピリジニウム0.107ｇ、乾燥したＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド５mlを入れた。次に、
乾燥したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２mlに溶
解した(S)−５−ｎ−オクチル−２−〔４−（１−ヒ
ドロキシ−６−メチルオクチル）フエニル〕ピリ
ミジン0.08ｇを室温下、ゆつくりと滴下した。滴
下終了後、さらに室温で、２時間反応した。反応
終了後、エーテルを加え希釈し、不溶物をハイフ
ロスーパーセルを用いて別し、反応生成物をエ
ーテル抽出した。エーテル層は希塩酸水、水で洗
浄後、乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗生成
物を、シリカゲルクロマトグラフイー（溶離液ヘ
キサン−酢酸エチル（20：１））、再結晶（溶媒エ
タノール）により精製し、(S)−５−ｎ−オクチル
−２−〔４−（６−メチルオクタノイル）フエニ
ル〕ピリミジン0.028ｇを得た。 I.R.νmaxcm-1 ：1680、1610、1580 15451 H−N.M.R.（60MHz、CDCl3） δ（ppm）：0.6〜2.2（ｍ、30H） 2.64（ｔ、2H） 3.01（ｄ、2H） 8.07（ｄ、2H） 8.55（ｄ、2H） 8.66（ｓ、2H） この液晶化合物の相転移温度（℃）を記す。 Cry67 ―→ ←―* 51Sc＊69 ―→ SA79.3 ――→ Iso （Cryは結晶相、Sc＊はカイラルスメクチツクＣ
相、SAはスメクチツクＡ相、Isoは液体相） またこの液晶化合物を、PVAラビングの一軸
配向処理を施した基盤間に挾持し、液晶層厚を
25μｍとし±20Vの電圧印加で、直交ニコル下で
応答測定したが、61℃で200μSの値を示した。 本発明で使用される原料化合物は、例えば次の
ようにして造られる。（なお、式中ｍは２〜６の
整数、ｎは６〜10の整数、＊は不斉炭素原子であ
ることを意味する。） Ｐ−ブロムベンズアルデヒドにCnH2n＋1−
Mgx又は C2H5 CH3 ‐ CH＊（―CH2―）nMgx で示されるグリニヤー試薬を反応させて で示される化合物を得る。得られた化合物を無水
酢酸−ピリジンで水酸基をアセチル化する。次い
で、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ドなどの溶媒中シアン他第一銅を反応させてベン
ゾニトリルへ誘導する。得られたベンゾニトリル
誘導体は、アルコール溶媒中、塩化水素を反応さ
せたのち、アンモニアを反応させてベンズアミジ
ン誘導体の塩酸塩を得る。 一方、式 （m′は３〜７の整数、n′は７〜11の整数、＊は当
該炭素原子が不斉炭素原子であることを意味す
る） で示される化合物に、アルコール（例えばメタノ
ール、エタノール）を酸触媒（例えば、Ｐ−トル
エンスルホン酸、メタンスルホン酸）と反応させ
てアセタール化合物に誘導し、これに、ジメチル
ホルムアミドとハロゲン化剤（例えば塩化チオニ
ル、オキシ塩化燐、トリクロロメチルクロロホル
メート、三臭化燐など）とから得られるビルスマ
イヤー試薬を反応させると を得る。 原料化合物の合成の一例を以下に記述する。 参考例 １ (イ) (S)−４−（１−アセトキシ−６−メチルオフ
チル）ブロムベンゼンの合成 (S)−アミルアルコール（〔α〕23°−5.8°ニー
ト）を、ピリジン中三臭化燐を用いてブロム化
し、次いでマロン酸ジエチルをアルコラートと
共に反応させたのち、生成物を加水分解、脱炭
酸処理し、得られたカルボン酸をLiAlHで還
元する。かくして得たアルコールをピリジン中
三臭化燐を用いてブロム化し、シアン化カリウ
ムを反応させ、加水分解に付す。得られたカル
ボン酸をLiAlH4で還元し、得られたアルコー
ルをピリジン中、三臭化燐を用いてブロム化し
て得た１−ブロム−５−メチルヘプタン14ｇ、
金属マグネシウム1.74ｇ、乾燥テトラヒドロフ
ランを用いてグリニヤール試薬を調製した。こ
のグリニヤール試薬は、４−ブロムベンズアル
デヒド13.41ｇを含む乾燥テトラヒドロフラン
120mlの溶液に氷冷化１時間にわたつて滴下し
た。滴下終了後、さらに室温で６時間反応し、
塩化アンモニウムを加え、反応を中止した。反
応生成物は、エーテル抽出し、エーテル層は、
水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、溶媒を留去
した。得られた残渣油状物はピリジン20mlにと
かし、氷冷下、無水酢酸を加え、アセチル化を
行なつた。反応生成物は、エーテル抽出し、エ
ーテル層は、2N塩酸、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄後、乾燥
し、溶媒を留去した。得られた油状物を、カラ
ムクロマトグラフイーで精製し、6.1ｇの(S)−
４−（１−アセトキシ−６−メチルオクチル）
ブロムベンゼンを得た。 I.R.νmaxcm−１ ：1742、1600、12401 H−NMR（60MHz、CDCl3） δ・（ppm）：2.03（ｓ、3H） 5.68（ｓ、1H） 7.22（ｄ、2H） 7.52（ｄ、2H） (ロ) (S)−４−（１−アセトキシ−６−メチルオク
チル）ベンゾニトリルの合成 乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド30ml、(S)
−４−（１−アセトキシ−６−メチルオクチル）
プロムベンゼン2.4ｇ、シアン化第１銅0.755ｇ
を入れ、還流下、４時間反応した。反応終了後
反応生成物をエーテル抽出した。エーテル層
は、水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、溶媒を
留去した。得られた残渣を、シリカゲルクロマ
トグラフイーにて精製し、光学活性な４−（１
−アセトキシ−６−メチルオクチル）ベンゾニ
トリル1.1ｇを得た。 I.R.νmaxcm−１ ：2235、1742、1615、12401 H−NMR（60MHz、CDCl3） δ（ppm）：2.08（ｔ、3H） 5.79（ｔ、1H） 7.47（ｄ、2H） 7.82（ｄ、2H） (ハ) (S)−４−（１−ヒドロキシ−６−メチルオク
チル）ベンズアミジン塩酸塩の合成 (S)−４−（１−アセトキシ−６−メチルオク
チル）ベンゾニトリル１ｇ、乾燥エタノール20
mlを入れた。この混合物に、乾燥した塩化水素
ガスを氷冷下吹き込んだ。室温で二昼夜放置
後、溶媒及び過剰の塩化水素を減圧下留去し
た。得られた残渣は、乾燥エタノール20mlに溶
解した。次に、アンモニア１ｇを含む乾燥エタ
ノール10mlを室温下ゆつくり加えた。加えた
後、室温で二昼夜放置した。過剰のアンモニ
ア、エタノールを留去し(S)−４−（１−ヒドロ
キシ−６−メチルオクチル）ベンズアミジン塩
酸塩0.9ｇを得た。 I.R.νmaxcm-1 ：3750〜24001 H−NMR（60MHz、DMSO−d6） δ（ppm）：7.52（ｄ、2H） 7.92（ｄ、2H） 9.5〜8.6（ｍ、3H） 参考例 ２ α−ｎ−オクチル−β−ジメチルアミノアクロ
レインの合成 (イ) ｎ−デシルアルデヒドジエチルアセタールの
合成 ｎ−デシルアルデヒド127ｇ、脱水されたエ
タノール250ml、脱水されたベンゼン100mlＰ−
トルエンスルホン酸210ｇをソツクスレー抽出
器をセツトしたフラスコ中で還流し、約30時間
反応させた。 減圧下に、ベンゼン、エタノールを留去し残
渣をエーテル抽出した。エーテルを留去し、残
渣を減圧蒸溜した。 得量127ｇ（bp106〜108℃／３mmHg） (ロ) α−ｎ−オクチル−β−ジメチルアミノアク
ロレインの合成 ｎ−デシルアルデヒドジエチルアセタール37
ｇをジクロロエタン40mlにとかし、これとジメ
チルホルムアミド48ｇとトリクロロメチルクロ
ロホルメート（92％以上）41ｇとをジクロロエ
タン240ml中で反応させて得られたビルスマイ
ヤー試薬とを、加温しながら反応させた。冷却
後、氷中に反応物を注ぎ、炭酸カリウム水溶液
でアルカリ性としたのち、溶媒留去し、残渣を
減圧蒸留した。 得量15.1ｇ（bp167〜170℃／３mmHg）
は、R1として上にあげられたものと同じものが
あげられる。ただし、R1とR2が同じ型のアルキ
ル基であることはない。 (1)式及び(2)式で示される化合物をメタノール、
エタノール、イソプロパノールなどの低級アルコ
ール溶媒、ベンゼン、トルエンなどの芳香族溶
媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラヒドロフランなどの溶媒中、ナトリウ
ムメトキシド、ナトリウムエトキシド、水素化ナ
トリウム、金属ナトリウムなどの触媒の存在下、
室温乃至加熱して反応させる。なお、式中のｍは
２〜６の整数、ｎは６〜10の整数、＊は当該炭素
原子が不斉炭素原子であることを意味する。 かくて得られた(3)式で示される化合物を、水、
ピリジン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど
の溶媒中、クロム酸−硫酸、重クロム酸ピリジニ
ウム塩、クロム酸−酢酸などの酸化剤を用いて酸
化することによつて、本発明の目的化合物は得ら
れる。 以下実施例を記述して本発明を更に詳述する。 実施例 １ (イ) (S)−５−ｎ−オクチル−２−〔４−（１−ヒド
ロキシ−６−メチルオクチル）フエニル〕ピリ
ミジンの合成 (S)−４−（１−ヒドロキシ−６−メチルオク
チルベンズアミジン塩酸塩0.82ｇ、α−ｎ−オ
クチル−β−ジメチルアミノアクロレイン0.56
ｇを入れ、乾燥エタノール20mlに溶解した後、
28％ナトリウムメチラート、メタノール溶液
2.04ｇを加え、還流下、13時間反応した。反応
終了後、氷水に流し込み、塩酸酸性とし、反応
生成物を酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層
は、水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、溶媒を
留去した。得られた粗生成物を、シリカゲルク
ロマトグラフイー、再結晶にて精製し、光学活
性な５−ｎ−オクチル−２−〔４−（１−ヒドロ
キシ−６−メチルオクチル）フエニル〕ピリミ
ジン0.64ｇを得た。 IRνmaxcm-1 ：3260、1595、1555 1440、800I Ｈ−NMR（60MHz、CDCl3） δ（ppm）：8.67（ｓ、2H） 8.45（ｄ、2H） 7.50（ｄ、2H） 4.77（ｔ、1H） 2.2〜2.8（ｍ、 ） (ロ) (S)−５−ｎ−オクチル−２−〔４−（６−メチ
ルオクタノイル）フエニル〕ピリミジンの合成 重クロム酸ピリジニウム0.107ｇ、乾燥したＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド５mlを入れた。次に、
乾燥したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２mlに溶
解した(S)−５−ｎ−オクチル−２−〔４−（１−ヒ
ドロキシ−６−メチルオクチル）フエニル〕ピリ
ミジン0.08ｇを室温下、ゆつくりと滴下した。滴
下終了後、さらに室温で、２時間反応した。反応
終了後、エーテルを加え希釈し、不溶物をハイフ
ロスーパーセルを用いて別し、反応生成物をエ
ーテル抽出した。エーテル層は希塩酸水、水で洗
浄後、乾燥し、溶媒を留去した。得られた粗生成
物を、シリカゲルクロマトグラフイー（溶離液ヘ
キサン−酢酸エチル（20：１））、再結晶（溶媒エ
タノール）により精製し、(S)−５−ｎ−オクチル
−２−〔４−（６−メチルオクタノイル）フエニ
ル〕ピリミジン0.028ｇを得た。 I.R.νmaxcm-1 ：1680、1610、1580 15451 H−N.M.R.（60MHz、CDCl3） δ（ppm）：0.6〜2.2（ｍ、30H） 2.64（ｔ、2H） 3.01（ｄ、2H） 8.07（ｄ、2H） 8.55（ｄ、2H） 8.66（ｓ、2H） この液晶化合物の相転移温度（℃）を記す。 Cry67 ―→ ←―* 51Sc＊69 ―→ SA79.3 ――→ Iso （Cryは結晶相、Sc＊はカイラルスメクチツクＣ
相、SAはスメクチツクＡ相、Isoは液体相） またこの液晶化合物を、PVAラビングの一軸
配向処理を施した基盤間に挾持し、液晶層厚を
25μｍとし±20Vの電圧印加で、直交ニコル下で
応答測定したが、61℃で200μSの値を示した。 本発明で使用される原料化合物は、例えば次の
ようにして造られる。（なお、式中ｍは２〜６の
整数、ｎは６〜10の整数、＊は不斉炭素原子であ
ることを意味する。） Ｐ−ブロムベンズアルデヒドにCnH2n＋1−
Mgx又は C2H5 CH3 ‐ CH＊（―CH2―）nMgx で示されるグリニヤー試薬を反応させて で示される化合物を得る。得られた化合物を無水
酢酸−ピリジンで水酸基をアセチル化する。次い
で、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ドなどの溶媒中シアン他第一銅を反応させてベン
ゾニトリルへ誘導する。得られたベンゾニトリル
誘導体は、アルコール溶媒中、塩化水素を反応さ
せたのち、アンモニアを反応させてベンズアミジ
ン誘導体の塩酸塩を得る。 一方、式 （m′は３〜７の整数、n′は７〜11の整数、＊は当
該炭素原子が不斉炭素原子であることを意味す
る） で示される化合物に、アルコール（例えばメタノ
ール、エタノール）を酸触媒（例えば、Ｐ−トル
エンスルホン酸、メタンスルホン酸）と反応させ
てアセタール化合物に誘導し、これに、ジメチル
ホルムアミドとハロゲン化剤（例えば塩化チオニ
ル、オキシ塩化燐、トリクロロメチルクロロホル
メート、三臭化燐など）とから得られるビルスマ
イヤー試薬を反応させると を得る。 原料化合物の合成の一例を以下に記述する。 参考例 １ (イ) (S)−４−（１−アセトキシ−６−メチルオフ
チル）ブロムベンゼンの合成 (S)−アミルアルコール（〔α〕23°−5.8°ニー
ト）を、ピリジン中三臭化燐を用いてブロム化
し、次いでマロン酸ジエチルをアルコラートと
共に反応させたのち、生成物を加水分解、脱炭
酸処理し、得られたカルボン酸をLiAlHで還
元する。かくして得たアルコールをピリジン中
三臭化燐を用いてブロム化し、シアン化カリウ
ムを反応させ、加水分解に付す。得られたカル
ボン酸をLiAlH4で還元し、得られたアルコー
ルをピリジン中、三臭化燐を用いてブロム化し
て得た１−ブロム−５−メチルヘプタン14ｇ、
金属マグネシウム1.74ｇ、乾燥テトラヒドロフ
ランを用いてグリニヤール試薬を調製した。こ
のグリニヤール試薬は、４−ブロムベンズアル
デヒド13.41ｇを含む乾燥テトラヒドロフラン
120mlの溶液に氷冷化１時間にわたつて滴下し
た。滴下終了後、さらに室温で６時間反応し、
塩化アンモニウムを加え、反応を中止した。反
応生成物は、エーテル抽出し、エーテル層は、
水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、溶媒を留去
した。得られた残渣油状物はピリジン20mlにと
かし、氷冷下、無水酢酸を加え、アセチル化を
行なつた。反応生成物は、エーテル抽出し、エ
ーテル層は、2N塩酸、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄後、乾燥
し、溶媒を留去した。得られた油状物を、カラ
ムクロマトグラフイーで精製し、6.1ｇの(S)−
４−（１−アセトキシ−６−メチルオクチル）
ブロムベンゼンを得た。 I.R.νmaxcm−１ ：1742、1600、12401 H−NMR（60MHz、CDCl3） δ・（ppm）：2.03（ｓ、3H） 5.68（ｓ、1H） 7.22（ｄ、2H） 7.52（ｄ、2H） (ロ) (S)−４−（１−アセトキシ−６−メチルオク
チル）ベンゾニトリルの合成 乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド30ml、(S)
−４−（１−アセトキシ−６−メチルオクチル）
プロムベンゼン2.4ｇ、シアン化第１銅0.755ｇ
を入れ、還流下、４時間反応した。反応終了後
反応生成物をエーテル抽出した。エーテル層
は、水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、溶媒を
留去した。得られた残渣を、シリカゲルクロマ
トグラフイーにて精製し、光学活性な４−（１
−アセトキシ−６−メチルオクチル）ベンゾニ
トリル1.1ｇを得た。 I.R.νmaxcm−１ ：2235、1742、1615、12401 H−NMR（60MHz、CDCl3） δ（ppm）：2.08（ｔ、3H） 5.79（ｔ、1H） 7.47（ｄ、2H） 7.82（ｄ、2H） (ハ) (S)−４−（１−ヒドロキシ−６−メチルオク
チル）ベンズアミジン塩酸塩の合成 (S)−４−（１−アセトキシ−６−メチルオク
チル）ベンゾニトリル１ｇ、乾燥エタノール20
mlを入れた。この混合物に、乾燥した塩化水素
ガスを氷冷下吹き込んだ。室温で二昼夜放置
後、溶媒及び過剰の塩化水素を減圧下留去し
た。得られた残渣は、乾燥エタノール20mlに溶
解した。次に、アンモニア１ｇを含む乾燥エタ
ノール10mlを室温下ゆつくり加えた。加えた
後、室温で二昼夜放置した。過剰のアンモニ
ア、エタノールを留去し(S)−４−（１−ヒドロ
キシ−６−メチルオクチル）ベンズアミジン塩
酸塩0.9ｇを得た。 I.R.νmaxcm-1 ：3750〜24001 H−NMR（60MHz、DMSO−d6） δ（ppm）：7.52（ｄ、2H） 7.92（ｄ、2H） 9.5〜8.6（ｍ、3H） 参考例 ２ α−ｎ−オクチル−β−ジメチルアミノアクロ
レインの合成 (イ) ｎ−デシルアルデヒドジエチルアセタールの
合成 ｎ−デシルアルデヒド127ｇ、脱水されたエ
タノール250ml、脱水されたベンゼン100mlＰ−
トルエンスルホン酸210ｇをソツクスレー抽出
器をセツトしたフラスコ中で還流し、約30時間
反応させた。 減圧下に、ベンゼン、エタノールを留去し残
渣をエーテル抽出した。エーテルを留去し、残
渣を減圧蒸溜した。 得量127ｇ（bp106〜108℃／３mmHg） (ロ) α−ｎ−オクチル−β−ジメチルアミノアク
ロレインの合成 ｎ−デシルアルデヒドジエチルアセタール37
ｇをジクロロエタン40mlにとかし、これとジメ
チルホルムアミド48ｇとトリクロロメチルクロ
ロホルメート（92％以上）41ｇとをジクロロエ
タン240ml中で反応させて得られたビルスマイ
ヤー試薬とを、加温しながら反応させた。冷却
後、氷中に反応物を注ぎ、炭酸カリウム水溶液
でアルカリ性としたのち、溶媒留去し、残渣を
減圧蒸留した。 得量15.1ｇ（bp167〜170℃／３mmHg）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （式中ｍは２〜６の整数を示し、ｎは６〜10の整
数を示し、＊は当該炭素原子が不斉炭素原子であ
ることを示す）で示されるフエニルピリミジン誘
導体液晶化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092752A JPS61251672A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092752A JPS61251672A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 液晶化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251672A JPS61251672A (ja) | 1986-11-08 |
| JPH055831B2 true JPH055831B2 (ja) | 1993-01-25 |
Family
ID=14063147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60092752A Granted JPS61251672A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 液晶化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61251672A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3515374C2 (de) * | 1985-04-27 | 1998-02-26 | Hoechst Ag | Chirale getilte smektische flüssigkristalline Phasen und deren Verwendung in elektrooptischen Anzeigeelementen |
| US5279762A (en) * | 1985-04-27 | 1994-01-18 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
| DE3518734A1 (de) * | 1985-05-24 | 1986-11-27 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Smektische fluessigkristalline phasen |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60092752A patent/JPS61251672A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61251672A (ja) | 1986-11-08 |
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