JPH04182441A - 7―tert―ブチル―1―ヨードピレン及び7―tert―ブチル―1―N,N―ジフェニルアミノピレン誘導体並びにそれらの製造法 - Google Patents
7―tert―ブチル―1―ヨードピレン及び7―tert―ブチル―1―N,N―ジフェニルアミノピレン誘導体並びにそれらの製造法Info
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- 239000001003 triarylmethane dye Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229940075420 xanthine Drugs 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真用の有機光導電性材料として有用な
?−1erj−ブチルー1−N、N−ジフェニルアミノ
ピレン誘導体とこれを製造するための中間体として有用
な2−!erl−ブチル−6−ヨードピレン並びにそれ
らの製造法に関する。
?−1erj−ブチルー1−N、N−ジフェニルアミノ
ピレン誘導体とこれを製造するための中間体として有用
な2−!erl−ブチル−6−ヨードピレン並びにそれ
らの製造法に関する。
従来、電子写真方式において使用される感光体の有機光
導電性素材としては、例えば、ボ!J −N−ビニルカ
ルバゾール、トリフェニルアミン化合物(米国特許第3
.180.730号)、ベンジジン化合物(米国特許第
3,265,496、特公昭39−11546号公報、
特開昭53−27033号公報)等のような数多くの提
案がなされている。
導電性素材としては、例えば、ボ!J −N−ビニルカ
ルバゾール、トリフェニルアミン化合物(米国特許第3
.180.730号)、ベンジジン化合物(米国特許第
3,265,496、特公昭39−11546号公報、
特開昭53−27033号公報)等のような数多くの提
案がなされている。
ここにいう「電子写真方式」とは、一般に光導電性の感
光体を、先ず暗所で例えばコロナ放電などにより帯電せ
しめ1次いで画像状露光を行なって露光部の電荷を選択
的に放電させることにより静電潜像を得、更にこの潜像
部をトナーなどを用いた現像手段で可視化して画像を形
成するようにした画像形成法の一つである。このような
電子写真方式における感光体に要求される基本的な特性
としては、1)暗所において適当な電位に帯電されるこ
と、2)暗所における電荷の放電が少ないこと、3)光
照射により速やかに電荷を放電すること、などが挙げら
れる。しかし、従来の光導電性有機材料は、これらの要
求を必ずしも滴定していないのが実状である。
光体を、先ず暗所で例えばコロナ放電などにより帯電せ
しめ1次いで画像状露光を行なって露光部の電荷を選択
的に放電させることにより静電潜像を得、更にこの潜像
部をトナーなどを用いた現像手段で可視化して画像を形
成するようにした画像形成法の一つである。このような
電子写真方式における感光体に要求される基本的な特性
としては、1)暗所において適当な電位に帯電されるこ
と、2)暗所における電荷の放電が少ないこと、3)光
照射により速やかに電荷を放電すること、などが挙げら
れる。しかし、従来の光導電性有機材料は、これらの要
求を必ずしも滴定していないのが実状である。
〔,5!明が解決しようとする課題〕
従って、本発明の目的は、新規な7−1eN−ブチル−
1−N、N−ジフェニルアミノピレン誘導体とこれを製
造するための中間体として有用な7−1erl−ブチル
−】−ヨードピレン並びにそれらの製造法を提供するこ
とにある。
1−N、N−ジフェニルアミノピレン誘導体とこれを製
造するための中間体として有用な7−1erl−ブチル
−】−ヨードピレン並びにそれらの製造法を提供するこ
とにある。
本発明によれば、下記構造式(Z)で表わされる新規な
7−1erl−ブチル−1−ヨードピレンが提供されま
た、本発明によれば、下記構造式(n)(上式中、R’
、R2は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコ
キシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表わし、夫
々同一でも異 なっていてもよい。) で示される7−!etj−ブチルー1−N、N−ジフェ
ニルアミノピレン誘導体が提供される。
7−1erl−ブチル−1−ヨードピレンが提供されま
た、本発明によれば、下記構造式(n)(上式中、R’
、R2は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコ
キシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表わし、夫
々同一でも異 なっていてもよい。) で示される7−!etj−ブチルー1−N、N−ジフェ
ニルアミノピレン誘導体が提供される。
また、本発明によれば下記構造式(III)で示される
2−1eロープチルピレンをIIT接ヨード化させるこ
とを特徴とする下記構造式(1)で示される?−1er
l〜ブチルー1−ヨードピレンの製造法が提供され、ま
た下記構造式(I) で示される?−1er+−ブチルー1−ヨードピレンと
下記構造式(TV) で示されるジフェニルアミン誘導体を反応させることを
特徴とする下記構造式(If) (R’、R2は前記と同じ) で示される7−1e目−ブチル−]−]N、N−ジフェ
ニルアミノピレン誘導の製造法が提供される。
2−1eロープチルピレンをIIT接ヨード化させるこ
とを特徴とする下記構造式(1)で示される?−1er
l〜ブチルー1−ヨードピレンの製造法が提供され、ま
た下記構造式(I) で示される?−1er+−ブチルー1−ヨードピレンと
下記構造式(TV) で示されるジフェニルアミン誘導体を反応させることを
特徴とする下記構造式(If) (R’、R2は前記と同じ) で示される7−1e目−ブチル−]−]N、N−ジフェ
ニルアミノピレン誘導の製造法が提供される。
前記構造式(n)において、R142の具体例としてア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基などの低級アルキル基が、またアルコキシ基と
しては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などの低級アルコキシ基が挙げられる。更に、ア
ルキル基及びアルコキシ基における置換基としては、フ
ェニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキ
シ基などが挙げられ、またフェニル基における置換基と
しては、低級アルキル基(例えば、メチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基など)、低級アルコキシ基(例
えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基など)及びハロゲン原子(例えば臭素、塩素、フッ
素)が挙げられる。
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基などの低級アルキル基が、またアルコキシ基と
しては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などの低級アルコキシ基が挙げられる。更に、ア
ルキル基及びアルコキシ基における置換基としては、フ
ェニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキ
シ基などが挙げられ、またフェニル基における置換基と
しては、低級アルキル基(例えば、メチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基など)、低級アルコキシ基(例
えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基など)及びハロゲン原子(例えば臭素、塩素、フッ
素)が挙げられる。
本発明に係る前記構造式(I)で示される7〜leN−
ブチルー1−ヨードピレンは、新規物質であり、このも
のは、前記構造式(III)で示される2−+ e r
l−ブチルピレンを適当なヨード化試薬を用いて直接
ヨード化することにより容易に製造することができる。
ブチルー1−ヨードピレンは、新規物質であり、このも
のは、前記構造式(III)で示される2−+ e r
l−ブチルピレンを適当なヨード化試薬を用いて直接
ヨード化することにより容易に製造することができる。
ヨード化試薬としては、ヨウ化イオウ−硝酸、ヨウ素〜
ヨウ素酸、ヨウ素−過塩素酸銀、ヨウ素−トリフルオル
酢酸銀、ヨウ素−過ヨウ素酸、ヨウ素−無水硫酸、塩化
ヨウ素等を挙げることができる。
ヨウ素酸、ヨウ素−過塩素酸銀、ヨウ素−トリフルオル
酢酸銀、ヨウ素−過ヨウ素酸、ヨウ素−無水硫酸、塩化
ヨウ素等を挙げることができる。
尚、原料である2−1erl−ブチルピレンの製造法に
関しては、L、Rodenburg el at、Re
el、Triv、Cbim。
関しては、L、Rodenburg el at、Re
el、Triv、Cbim。
P!F!−B11.105.156−161 (198
6)に記載されている。
6)に記載されている。
又、前記構造式(II)で示される7−1crt−ブチ
ル−]−]N、N−ジフェニルアミノピレン誘導は前記
構造式(1)で示される7−!cm−ブチルー1−ヨー
ドピレンと前記構造式(IV)で示されるジフェニルア
ミン誘導体及び銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化銅など
と縮合反応中に生ずるハロゲン化水素を中和するのに充
分な量のアルカリ塩を加え、溶媒の存在下又は無溶媒下
で、窒素雰囲気下、150−250℃程度の温度におい
て反応させることにより製造することができる。
ル−]−]N、N−ジフェニルアミノピレン誘導は前記
構造式(1)で示される7−!cm−ブチルー1−ヨー
ドピレンと前記構造式(IV)で示されるジフェニルア
ミン誘導体及び銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化銅など
と縮合反応中に生ずるハロゲン化水素を中和するのに充
分な量のアルカリ塩を加え、溶媒の存在下又は無溶媒下
で、窒素雰囲気下、150−250℃程度の温度におい
て反応させることにより製造することができる。
この場合、アルカリ塩としては、苛性ソーダ、苛性カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを挙げること
ができる。また、反応溶媒としては、ニトロベンゼン、
ジクロルベンゼン、キノリン、N、N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、トメチルピロリドン、
1,3−ジメチル−2=イミダゾリジノンなどを挙げる
ことができる。
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを挙げること
ができる。また、反応溶媒としては、ニトロベンゼン、
ジクロルベンゼン、キノリン、N、N−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、トメチルピロリドン、
1,3−ジメチル−2=イミダゾリジノンなどを挙げる
ことができる。
本発明で得られる構造式(I[)の新規な7−ferl
−ブチル−1−N、N−ジフェニルアミノピレン誘導体
は、電子写真用感光体における光導電性素材として極め
て有用であり、染料やルイス酸などの増感剤によって光
学的あるいは化学的に増感される。更にこのものは、有
機顔料あるいは無機顔料を電荷発生物質とする、所謂機
能分離型感光体に於ける電荷輸送物質としてとりわけ有
用である。
−ブチル−1−N、N−ジフェニルアミノピレン誘導体
は、電子写真用感光体における光導電性素材として極め
て有用であり、染料やルイス酸などの増感剤によって光
学的あるいは化学的に増感される。更にこのものは、有
機顔料あるいは無機顔料を電荷発生物質とする、所謂機
能分離型感光体に於ける電荷輸送物質としてとりわけ有
用である。
上記増感剤としては、例えば、メチルバイオレット、ク
リスタルバイオレット等のトリアリールメタン染料、ロ
ーズベンガル、エリスロシン、ローダミン等のキサンチ
ン染料、メチレンブルー等のチアジン染料、2.4.7
−1−ジニトロ−9−フルオレノン、2.4−ジニトロ
−9−フルオレノン等が挙げられる。
リスタルバイオレット等のトリアリールメタン染料、ロ
ーズベンガル、エリスロシン、ローダミン等のキサンチ
ン染料、メチレンブルー等のチアジン染料、2.4.7
−1−ジニトロ−9−フルオレノン、2.4−ジニトロ
−9−フルオレノン等が挙げられる。
また、有機顔料としてはシーアイピグメントブルー25
(C1鬼21180)、シーアイピグメントレッド41
(CI隘21200)、シーアイピグメントレッド3(
CIN1145210)等のアゾ系顔料、シーアイピグ
メントブルー16(CI 474]00)等のフタロシ
アニン系顔料、シーアイバットブラウン5(CI凪73
410)、シーアイバットダイ(CI &73030)
等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットB、インダン
スレンスカーレットR等のペリレン系顔料が挙げられる
。また、セレン、セレン−テルル、硫化カドミウム、α
−シリコン等の無機顔料も使用できる。
(C1鬼21180)、シーアイピグメントレッド41
(CI隘21200)、シーアイピグメントレッド3(
CIN1145210)等のアゾ系顔料、シーアイピグ
メントブルー16(CI 474]00)等のフタロシ
アニン系顔料、シーアイバットブラウン5(CI凪73
410)、シーアイバットダイ(CI &73030)
等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットB、インダン
スレンスカーレットR等のペリレン系顔料が挙げられる
。また、セレン、セレン−テルル、硫化カドミウム、α
−シリコン等の無機顔料も使用できる。
を実施例〕
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1
7−1e目−ブチル−1−ヨードピレンの製造2−1e
n−ブチルピレン3. ]0K(12,0mmo 41
)、ヨウ素1.521 (6,OOvnmo n )
、酢酸50+++Aを50℃で加熱撹拌し、これに過ヨ
ウ素酸0.55g<2.4m1IIoG及び水12.5
mj2の水溶液を45分間かけ滴下して更に50℃で1
0時間撹拌した。内容物を放冷した後氷水に注ぎ、これ
をトルエンにて抽出し、トルエン層を水洗及び飽和亜硫
酸ナトリウム水溶液にて洗浄をおこない、硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、減圧濃縮して暗褐色固体を得た。これを
シリカゲルカラム処理C溶離液;シクロヘキサン〕をお
こないトルエン/エタノール混合溶媒から再結晶して無
色板状晶の7−tel−ブチル−1−ヨードピレン3.
08g(収率66.8%)を得た。融点は182.5−
183.5℃であった。元素分析値はC20H171と
して下記の通りであった。
n−ブチルピレン3. ]0K(12,0mmo 41
)、ヨウ素1.521 (6,OOvnmo n )
、酢酸50+++Aを50℃で加熱撹拌し、これに過ヨ
ウ素酸0.55g<2.4m1IIoG及び水12.5
mj2の水溶液を45分間かけ滴下して更に50℃で1
0時間撹拌した。内容物を放冷した後氷水に注ぎ、これ
をトルエンにて抽出し、トルエン層を水洗及び飽和亜硫
酸ナトリウム水溶液にて洗浄をおこない、硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、減圧濃縮して暗褐色固体を得た。これを
シリカゲルカラム処理C溶離液;シクロヘキサン〕をお
こないトルエン/エタノール混合溶媒から再結晶して無
色板状晶の7−tel−ブチル−1−ヨードピレン3.
08g(収率66.8%)を得た。融点は182.5−
183.5℃であった。元素分析値はC20H171と
して下記の通りであった。
0% H%
実測値 62.53 4.32
計算[62,514,4に
の化合物の赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第
1図に示す。
1図に示す。
実施例2
7−+erl−ブチルー1−N、N−ビス(4−メチル
フェニル)アミノピレンの製造 7−+e目−ブチルー1−ヨードピレン]、76g(4
,51mm。
フェニル)アミノピレンの製造 7−+e目−ブチルー1−ヨードピレン]、76g(4
,51mm。
β)、4,4′−ジメチルジフェニルアミン1.8]g
(9,16mmo n )、炭酸カリウム1.27g
(9,16m+no Q )及び9粉0、29gにニト
ロベンゼン20m Qを加え窒素気流下、エステル管で
共沸脱水しながら、208℃で2時間撹拌した。室温ま
で放冷した後、セライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃
縮し残渣にクロロホルムを加え、クロロホルム層を水洗
し、次いで硫酸マグネシウムで乾燥し、更に減圧濃縮し
て暗褐色の油状物を得た。これをシリカゲルカラム処理
〔溶離液;トルエン/n−ヘキサン(1:4)混合溶媒
〕し、エタノール/酢酸エチル混合溶媒から再結晶して
、黄色板状晶の下式で示される7−+erl−ブチルー
1−N、 N−ビス(4−メチルフェニル)アミノピレ
ン1.40!(収率67.3%)を得た。融点は396
.0−197.0’Cであった。
(9,16mmo n )、炭酸カリウム1.27g
(9,16m+no Q )及び9粉0、29gにニト
ロベンゼン20m Qを加え窒素気流下、エステル管で
共沸脱水しながら、208℃で2時間撹拌した。室温ま
で放冷した後、セライトを用いて濾過し、濾液を減圧濃
縮し残渣にクロロホルムを加え、クロロホルム層を水洗
し、次いで硫酸マグネシウムで乾燥し、更に減圧濃縮し
て暗褐色の油状物を得た。これをシリカゲルカラム処理
〔溶離液;トルエン/n−ヘキサン(1:4)混合溶媒
〕し、エタノール/酢酸エチル混合溶媒から再結晶して
、黄色板状晶の下式で示される7−+erl−ブチルー
1−N、 N−ビス(4−メチルフェニル)アミノピレ
ン1.40!(収率67.3%)を得た。融点は396
.0−197.0’Cであった。
元素分析値はCR4H3□Nとして下記の通りであった
。
。
0% H% N%
実測値 90.19 6.113 3.08計算値 9
0.02 6.89 3.09この化合物の赤外線吸収
スペクトル図(KBr錠剤法)を第2図に示す。
0.02 6.89 3.09この化合物の赤外線吸収
スペクトル図(KBr錠剤法)を第2図に示す。
実施例3〜4
実施例1と同様な条件で、7−1e+t−ブチル−1−
N、N−ジフェニルアミノピレン誘導体を得た。得られ
た誘導体、融点及び元素分析値を表−1に示す。また実
施例3,4で得られた誘導体の夫々の赤外線吸収スペク
トル図(KBr錠剤法)を第3,4図に示す。
N、N−ジフェニルアミノピレン誘導体を得た。得られ
た誘導体、融点及び元素分析値を表−1に示す。また実
施例3,4で得られた誘導体の夫々の赤外線吸収スペク
トル図(KBr錠剤法)を第3,4図に示す。
表−1
応用例
電荷発生物質として下記ビスアゾ化合物7.5部及びポ
リエステル樹脂〔■東洋紡績製バイロン200〕の0.
5%テトラヒドロフラン溶液500部をボールミル中で
粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着ポリエ
ステルフィルム上にドクターブレードで塗布し、自然乾
燥して約1μs厚の電荷発生層を形成した。次に、ポリ
カーボネート樹脂〔■今人製パンライトに一13001
1部とテトラヒドロフラン8部の樹脂溶液に、電荷輸送
物質として実施例1で得られた化合物1部を溶解し、こ
の溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し
、80℃で2分間、次いで120℃で5分間乾燥し、厚
さ約20声の電荷輸送層を形成して感光体を作成した。
リエステル樹脂〔■東洋紡績製バイロン200〕の0.
5%テトラヒドロフラン溶液500部をボールミル中で
粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着ポリエ
ステルフィルム上にドクターブレードで塗布し、自然乾
燥して約1μs厚の電荷発生層を形成した。次に、ポリ
カーボネート樹脂〔■今人製パンライトに一13001
1部とテトラヒドロフラン8部の樹脂溶液に、電荷輸送
物質として実施例1で得られた化合物1部を溶解し、こ
の溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し
、80℃で2分間、次いで120℃で5分間乾燥し、厚
さ約20声の電荷輸送層を形成して感光体を作成した。
次に、こうして得られた積層型電子写真感光体の可視域
での感度を調べるため、この感光体に静電複写紙試験装
置〔■川口電機製作所製5P428型〕を用いて暗所で
一6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電させ、更
に20秒間暗所に放置した後、表面電位Vo (v)を
測定した。次いで、タングステンランプ光を感光体表面
での照度が4.51uzになるように照射して、その表
面電位がVoの1/2になるまでの時間(see)を求
め、可視域での感度として半減露光量El/2(Qux
−set)及び30秒間照射後の残留表面電位Vr(V
)を測定した。結果を表−2に示す。
での感度を調べるため、この感光体に静電複写紙試験装
置〔■川口電機製作所製5P428型〕を用いて暗所で
一6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電させ、更
に20秒間暗所に放置した後、表面電位Vo (v)を
測定した。次いで、タングステンランプ光を感光体表面
での照度が4.51uzになるように照射して、その表
面電位がVoの1/2になるまでの時間(see)を求
め、可視域での感度として半減露光量El/2(Qux
−set)及び30秒間照射後の残留表面電位Vr(V
)を測定した。結果を表−2に示す。
比較例
電荷輸送物質として4.4’、4”−1−リメチルトリ
フェニルアミン(比較感光体B)を用いた以外は、応用
例とまったく同様に操作して電子写真特性を測定した。
フェニルアミン(比較感光体B)を用いた以外は、応用
例とまったく同様に操作して電子写真特性を測定した。
結果を表−2に示す。
表−2
表−2から、本発明の化合物を用いた感光体Aは、比較
感光体Bに比べ、残留電位(Vr)を示さず、且つ電子
写真感度(El/2)も高いことが判る。
感光体Bに比べ、残留電位(Vr)を示さず、且つ電子
写真感度(El/2)も高いことが判る。
以上の説明から明らかなように、請求項(1)の前記構
造式(I)で表わされる新規な7−1c目−ブチル−1
−ヨードピレンは、電子写真用の有機光導電性材料とし
て有用な7−+erl−ブチルー1−N、N−ジフェニ
ルアミノピレン誘導体の中間体として特に有用なもので
ある。
造式(I)で表わされる新規な7−1c目−ブチル−1
−ヨードピレンは、電子写真用の有機光導電性材料とし
て有用な7−+erl−ブチルー1−N、N−ジフェニ
ルアミノピレン誘導体の中間体として特に有用なもので
ある。
また、請求項(2)の前記構造式(U)で表わされる7
−1erl−ブチル−1−N、N−ジフェニルアミノピ
レン誘導体は電子写真用の有機光導電性材料として極め
て有用なものである。
−1erl−ブチル−1−N、N−ジフェニルアミノピ
レン誘導体は電子写真用の有機光導電性材料として極め
て有用なものである。
また、請求項(3)及び請求項(4)の製造方法は簡便
な反応を利用するので、工業的に極めて有利な製造方法
といえる。
な反応を利用するので、工業的に極めて有利な製造方法
といえる。
第1〜4図はそれぞれ実施例1−4で得られたアルキル
ピレン化合物の赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法
)である。
ピレン化合物の赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法
)である。
Claims (4)
- (1)下記構造式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示される7−tert−ブチル−1−ヨードピレン。
- (2)下記構造式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (上式中、R^1、R^2は水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
くは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のフェ
ニル基を表わし、夫々同一でも異なっていてもよい。) で示される7−tert−ブチル−1−N,N−ジフエ
ニルアミノピレン誘導体。 - (3)下記構造式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) で示される2−tert−ブチルピレンを直接ヨード化
させることを特徴とする下記構造式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示される7−tert−ブチル−1−ヨードピレンの
製造法。 - (4)下記構造式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示される7−tert−ブチル−1−ヨードピレンと
下記構造式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) で示されるジフェニルアミン誘導体を反応させることを
特徴とする下記構造式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (R^1、R^2は前記と同じ) で示される7−tert−ブチル−1−N,N−ジフェ
ニルアミノピレン誘導体の製造法。
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JP31095790A JP2829401B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 7―tert―ブチル―1―ヨードピレン及び7―tert―ブチル―1―N,N―ジフェニルアミノピレン誘導体並びにそれらの製造法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1990
- 1990-11-16 JP JP31095790A patent/JP2829401B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
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CN103642488A (zh) * | 2013-09-02 | 2014-03-19 | 南开大学 | 一种基于多齿吡啶类喹喔啉荧光探针的制备方法和应用 |
CN103642488B (zh) * | 2013-09-02 | 2015-10-28 | 南开大学 | 一种基于多齿吡啶类喹喔啉荧光探针的制备方法和应用 |
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JP2829401B2 (ja) | 1998-11-25 |
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