JPH04170318A - 層状銅酸化物 - Google Patents
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- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical group [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 abstract description 32
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract description 5
- -1 YBa2Cu3O6+8 and (Tl Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000011044 quartzite Substances 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 22
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100037815 Fas apoptotic inhibitory molecule 3 Human genes 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000878510 Homo sapiens Fas apoptotic inhibitory molecule 3 Proteins 0.000 description 1
- 101000668432 Homo sapiens Protein RCC2 Proteins 0.000 description 1
- 241000492493 Oxymeris Species 0.000 description 1
- 102100039972 Protein RCC2 Human genes 0.000 description 1
- 229910008649 Tl2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- QTQRFJQXXUPYDI-UHFFFAOYSA-N oxo(oxothallanyloxy)thallane Chemical compound O=[Tl]O[Tl]=O QTQRFJQXXUPYDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4512—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing thallium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4512—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing thallium oxide
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/775—High tc, above 30 k, superconducting material
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/775—High tc, above 30 k, superconducting material
- Y10S505/776—Containing transition metal oxide with rare earth or alkaline earth
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/775—High tc, above 30 k, superconducting material
- Y10S505/776—Containing transition metal oxide with rare earth or alkaline earth
- Y10S505/783—Thallium-, e.g. Tl2CaBaCu308
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
. P b) S raCaCusOv等の酸化物超電
導体用の絶縁相として用いるエレクトロニクス材料に関
するものである。
0に級の(T ls、s P ba、s)S rp C
aCu207やTlBa2CaCu207と同様の構造
ユニットを含む化合物として、 (Eu、Ce)z (
Eu、Ba)2 Cu30s−zや(Pb、Cu)(S
r、Eu)2(Eu、Ce)acu20e等が知られて
いる。前記Zは、0≦Z≦2である。
理、vo125、pp618〜636、(1990)に
記載されている。
構造ユニットあるいはT IB aP CaCu2Ch
型W4mユニットと、1層の蛍石型構造ユニット[(R
,Ce)O2]が交互に積み重なった構造なので、YB
a2Cu3ps’δや(T Is、s P bs、a)
S rRCaCuj O?等の酸化物超電導体の作製
と同時に熱処理した際に電気抵抗が低くなり、それらの
酸化物超電導体用の絶縁相として十分に機能しなかった
。
まで変化する幅広い物性を有する層状酸化物を提供する
ことにある。
細書の以下の記述及び添付図面によって明らかになるで
あろう。
r2Cu2(M、C0)O’+a−z (但しRはCe
以外の希土類元素、MはpbあるいはTl)の化学式で
表わされ、 M元素の含aXの多い場合にはTlBa2
CaCuaO7(1−2!−12)型構造の(M、Cu
)Srz(R,Ce)Cu20tユ= ットと蛍石型構
造の[(R1Ce)Oa]2ユニットが交互に積み重な
った結晶構造を備え、 M元素の含lr量の少ない場合
には、 YBaaCusOa−δ(123)型構造の(
R、Ce)S r2 Cus 0s−z ユ= ットと
蛍石型構造の[(R、Ce)O2コ、ユニットが交互に
積み重なった結晶構造を備え、前記Zの範囲は0≦Z≦
2、前記δの範囲は0≦δ≦1である。前記Zは、酸素
の不定性比を表わす!である。
、Ce ) 02、が従来の化合物ではillであるの
に対して2層なので、Y B a2Cu30 a4δや
(Tl、Pb)S r+CaCu20を等の酸化物超電
導体の合成と同時に熱処理しても電気抵抗が十分に高く
、酸化物超電導体用の絶縁相として十分に機能する。
り、しかも、そのa軸の長さがすでに知られている酸化
物超電導体のa軸の長さに非常に近いので、それらの酸
化物超電導体と薄膜作製プロセスで容易に積層すること
ができる。
uの組成比率をコントロールすることによって絶縁体か
ら超電導体まで物性が変化する。したがって各種デバイ
スを含めたエレクトロニクス分野への応用が期待される
ものである。
。
O2、SrCO3、CuO粉末を(Pbs、5Cua、
s) 5r2(H。
て、酸素中1000〜1050℃の温度で3回仮焼を行
った。前記yの値は、金属元素の比率や作製法によって
決まる置である。
形に成形した。この成形体を酸素雰囲気中、 1050
℃で焼結後、 所定の試料を得た。
、5)Sr2CaCu2O7の合成条件である酸素雰囲
気中、 850℃、 5時間の熱処理を行っても、80
にでの抵抗率が106ΩC■以上であり、(T1θ6P
bs、s) S r2 CaCu207等の酸化物超
電導体用の絶縁相として十分に使用できることを確認し
た。
さが約3.8オングストローム、C軸の長さが約17オ
ングストロームの正方品系を仮定することによって指数
を付けることができる。このようにして付けた指数も第
1図に示した。このX線回折データをもとにリートベル
ト解析による構造の精密化を行った。決定した結晶構造
の模式図を第2図に、原子座標を第1表に示した。
である(Pbi、5Cu9.5)Sr2(HoCe2)
Cu20.1の構造パラメータである。第1表中、gは
占有率、Bは等方性温度因子、カッコの中は標準偏差で
ある。空間群は、P4/mmm、 格子定数は、a
=3.82246(5)オングストローム、c=17.
2082(3)オングストローム。Rファクターは、
R7p=7.37%、 Rp=5.51%、 R1=3
.81%、RF=3.12%、R,=2.72%である
。
Sr2(HOCe2)Cu20zであり、この場合は、
本発明のZが1となり、結晶構造の特徴は、正方品系の
(Pb、Cu)Sra(Y、Ca)CusOt (鉛系
”1212”)型構造の(Pba、6Cus、5)Sr
a(Ho、Ce)Cu207ユニットと2層の蛍石型構
造の[(Ho、Ce)o2]2ユニットが交互に積み重
なったところである。
化物超電導体のa軸長に非常に近り、シかも結晶構造と
して(T 1. P b)S T2CaCUP O7型
超電導体と類似のユニットを含むので、(T1.Pb)
Sr2CaCu20)r等の酸化物超電導体と無理な(
積層化が可能であると考えられる。
元素としてPrを用いる場合には、原料としてはpr6
011を用いた]、CeO2、SrCO3、CuO粉末
を、(Pbs、acua、5)Sr2(RCe2)Cu
20.で示す化学組成になるように混合して、酸素中1
000〜1050℃の温度で3回仮焼を行った。この後
十分に粉砕混合後、この混合粉末を矩形に成形した。こ
の成形体を酸素雰囲気中1030〜1050℃で焼結後
、所定の試料を得た。この試料を80に級の超電導体で
ある(Tla、5Pbi、5)Sr2CaCu2C)y
の合成条件である酸素雰囲気中、 850℃、 5時間
の熱処理を行っても、80にでの抵抗率がいずれも10
aΩ(j1以上であり、(Tls、gPba、5)Sr
2CaCu20を等の酸化物超電導体用の絶縁相として
十分に使用できることを確認した。
NdOものとR=Yのものを、夫々、第3A図及び第3
B図に示した。このX線回折図形は実施例1の(Pbs
、s Cua、s)S T2(HoCC2)Cu20目
の場合と非常に類似していて、X線のピークは、実施例
1の場合と同様に単位格子としてa軸の長さが約3.8
オングストローム、a軸の長さが約17オングストロー
ムの正方晶系を仮定することによって指数を付けること
ができる。したがって、この化合物の理想的な化学式は
、(Pb@、5Cus、5)Sr+(RCe2)Cu2
011であり、結晶構造も正方晶系の(Pb、Cu)S
r2(Y、Ca)Cu20丁(鉛系”1212”)型構
造の(P b@、6Cua、s) S ra(R、Ce
)Cu207ユニットと2層の蛍石型構造の[(R,C
e)O2]2ユニットが交互に−積み重なったものであ
る。
、CeO2、SrCO3、CuO粉末をCu1l、2S
r、、(RCe2)CuaOvで示す化学組成になるよ
うに混合して、空気中、900℃の温度で2回焼成を行
い、Tl系試料のプレカーサーを合成した。このプレカ
ーサーに化学組成が(T Ie、aCus、2)S T
2(RCC2)Cus O、になるように純度99.9
%以上のTeaOsを混合した。この混合粉末を矩形に
成形し、この成形体を酸素雰囲気中toso”cで焼結
後、所定の試料を得た。この試料を80に級の超電導体
である(Tls、5Pbi、5)Sr2CaCu20t
の合成条件である酸素雰囲気中、850℃、5時間の熱
処理を行っても、 80にでの抵抗率がいずれも10”
ΩC1以上であり、(Tls、@Pbs、a)Sr2C
aCu20t等の酸化物超電導体用の絶縁相として十分
に使用できることを確認した。
示した。このX線回折図形は実施例1の(P ba、i
Cull、s )S r2(HoCez)Cua 0
+ +ノ場合と非常に類似していて、X線のピークは、
実施例1の場合と同様に単位格子としてa軸の長さが約
3.8オングストローム、a軸の長さが約17オングス
トロームの正方晶系を仮定することによって指数を付け
ることができる。したがって、この化合物の結晶構造も
正方晶系の(P b、 Cu)S r2(Y 、 Ca
)Cu2−鉛系”1212”)型構造の(T la、s
Cua2)Srs(R% Ce)Cu20tユニット
と2層の蛍石型構造の[:(R,Ce)O2]aユニッ
トが交互に積み重なったものである。
a、CuO粉末を(HoCe2)Sr2Cu30.で示
す化学組成になるように混合して、酸素中1000〜1
020℃で3回仮焼を行った。この後十分に粉砕混合後
、この混合粉末を矩形に成形し、この成形体を酸素雰囲
気中1030℃で焼結後、所定の試料を得た。この試料
を90に級の超電導体であるY B a20 L130
7の合成条件である酸素雰囲気中、950℃、5時間の
熱処理と400℃での酸素気流中アニールを行っても、
90にでの抵抗率がいずれも106ΩC1以上であり、
Y B a2Cu30を等の酸化物超電導体用の絶縁相
として十分に使用できることを確認した。
Q、6 )Sr2(HOCe2)C−U20zの場合と
非常に類似しティて、X線のピークは、実施例1の場合
と同様に単位格子としてa軸の長さが約3.8オングス
トローム、a軸の長さが約17オングストロームの正方
晶系を仮定することによって指数を付けることができる
。しかしながら、構造解析を行うと、(Pba、sCu
s、s)S r2(HoCe2)Cu2ozの場合と酸
素の位置が異なっていることがわかった。この化合物の
結晶構造の模式図を第6図に示した。この化合物の結晶
構造は正方晶系のY B a2Cua Os−δ(”
123”)型構造の(Ha、Ce)Sr2Cu30e、
、5 ユ= ットと2層の蛍石型構造の[(R、Ce)
O2]2ユニットが交互に積み重なったものである。
!、CuO粉末をCuxSr2(HoCe2)CuaO
,(但しX=0.2.0.4,0.6,0.8)で示す
化学組成になるように混合して、空気中、900℃の温
度で2回焼成を行いTl系試料のプレカーサーを合成し
た。このプレカーサーに化学組成が(T i+−x C
ux)Srs(HoCe2)Cu20.になるように純
度99.9%以上のTl20aを混合した。この混合粉
末を矩形に成形し、この成形体を酸素雰囲気中1050
〜1080℃で焼結後、所定の試料を得た。この試料を
80に級の超電導体である(T 1s、s P ba、
5)SraCaCusOyの合成条件である酸素雰囲気
中、850℃、5時間の熱処理を行っても、80にでの
抵抗率がいずれも106ΩC1以上であり、(Tls、
sP bi、i)S r2CaCu20を等の酸化物超
電導体用の絶縁相として十分に使用できることを確認し
た。
例1の(P ba5Cua、s)S r2(HoCe2
)Cu20 I+や実施例5の(Ho、 Ce)i S
r2 Cua 0 +a、zの場合と非常に類似して
いて、X線のピークは、実施例1や実施例5の場合と同
様に単位格子としてa軸の長さが約3,8オングストロ
ーム、a軸の長さが約17オングストロームの正方品系
を仮定することによってすべて指数を付けることができ
た。
、Cu)Sr2(Y、Ca)Cu2−鉛系”1212”
)型、YBa2Cu30g。δ型、 あるいはその中間
型構造の(Tl、Cu)Sr2(R,Ce)Cu2Q7
−L−ットと2層の蛍石型構造の[CR、Ce)Oal
。ユニットが交互に積み重なったものであると推察され
る。
両方(M)の含有量が少なくなると共に、0≦Z≦2の
範囲内で変化する幅が太き(なる。
2、SrCO3、CuO粉末を(Pbs、6Cua、5
)Srz(E、u+−xCe2−x)Cu20 、 (
但しX=0.1,0.2,0.3)で示す化学組成にな
るように混合して、酸素中1000〜1050℃の温度
で3回仮焼を行った。
030〜1050℃で焼結後、所定の試料を得た。 こ
の試料を70に級の超電導体である(P ba、s C
us、s)S r2(Y 、 Ca)Cu2()rの合
成条件である酸素雰囲気中、1000℃、3時間の熱処
理を行っても、70にでの抵抗率がいずれも106ΩC
1以上であり、(Pb、Cu)Sr2(Y、Ca)Cu
2O7等の酸化物超電導体用の絶縁相として十分に使用
できることを確認した。
s、5Cua、5)Sr2(HoCe2)Cu2011
の場合と非常に類似していて、X線のピークは、実施例
1の場合と同様に単位格子としてa軸の長さが約3.8
オングストローム、a軸の長さが約17オングストロー
ムの正方晶系を仮定することによってすべて指数を付け
ることができた。したがって、この化合物の結晶構造も
正方品系の(P b、 Cu)S r2(Y、Ca)C
uaOv(鉛系”1212°り型構造の(Pbs、ac
ua、5)Sr2(Eu、Ce)Cu207ユニットと
2層の蛍石型構造の[(R、Ce)O2]2ユニットが
交互に積み重なったものであることがわかる。
と共に抵抗率が小さくなることから、(L a、S r
)2Cu O4等の酸化物超電導体と同様に、十分にホ
ールキャリヤーを導入することによって超電導を示すよ
うになることが期待される。
「CO3、CuO粉末をCu)ISrz(EuCe2)
CuaO,(但しX=0.4.0.6)で示す化学組成
になるように混合して、空気中、900℃の温度で2回
焼成を行いTl系試料のプレカーサーを合成した。この
プレカーサーに化学組成が(T I+−x Cux)
S r2(H0Ce2)Cu20.になるように純度9
9.9%以上のTl2O3を混合した。この混合粉末を
矩形に成形し、この成形体を酸素雰囲気中1050〜1
080℃で焼結後、十分に酸素雰囲気中で熱処理して所
定の試料を得た。この試料の電気抵抗の温度変化を測定
したところ、約20にで超電導状態に転移した。
、5Cua、5)Sr2(HoCea)Cu2011の
粉末X線回折図形と類似していて、X線のピークは実施
例1と同様に単位格子としてa軸の長さが約3.8オン
グストローム、a軸の長さが約17オングストロームの
正方晶系を仮定することによって指数を付けることがで
きた。したがって、この化合物の結晶構造も正方品系の
(Pb、Cu)Sr2(Y、Ca)Cu20、(鉛系″
1212°゛)型あるいはY B a2 Cus 06
4δ型と、蛍石型構造の[(R、Ce)O2]2 :”
ニットが交互に積み重なったものであると推察される
。
e0a、5rCOa、CuO粉末をPbs、5Sr2(
HoCe2)Cu20、で示す化学組成になるように混
合して、空気中、900℃の温度で2回焼成を行い、T
l系試料のプレカーサーを合成した。このプレカーサー
に化学組成が(T li、5Pb11.s)S r2(
HoCe2)CuaO,になるように純度99,9%以
上のTlaOaを混合した。
中1080℃で焼結後、所定の試料を得た。
*、s)S rQ CaCu、 O,の合成条件である
酸素雰囲気中、850℃、5時間の熱処理を行っても、
80にでの抵抗率がいずれも106ΩC■以上であり、
(Tls、5Pba、5)Sr2CaCu20丁等の酸
化物超電導体用の絶縁相として十分に使用できることを
確認した。
s、5)Sri(HoCe2)Cu20zの場合と非常
に類似していて、X線のピークは、実施例1の場合と同
様に単位格子としてa軸の長さが約3.8オングストロ
ーム、a軸の長さが約17オングストロームの正方晶系
を仮定することによって指数を付けることができる。し
たがって、この化合物の結晶構造も正方晶系の(Pb、
Cu)Sr2(Y、Ca)Cu2−鉛系”1212”)
型構造の(T l5−tc ua、2)S r2(R,
Ce)CuaOtユニットと2層の蛍石型構造の口(R
、Ce)O2]zユニットが交互に積み重なったもので
ある。
な結晶構造と絶縁体から超電導体まで変化する輻広い物
性を育するので、エレクトロニクス材料として十分に応
用が期待されるものである。
(H。
ークにはa=3.825オングストローム、c=17.
21オングストロームの正方晶系の単位格子に基づいた
指数を示した。
ll、s Cus、s)S r2(HoCe2)Cu2
o zの結晶構造の模式図であり、Fは蛍石型構造ユニ
ットの部分である。
ba6Cua6’)Sr*RCe2C(hol+粉末X
粉末X1形折うちの、R=NdOものとR=Yのもので
ある。
s、aCua、2)S r2(EUCea)Cu201
1と(Tls、aCua2)Sr2(HoCe2)Cu
2011の粉末X線回折図形である。
30.9.2の粉末X線回折図形である。
O1、や2の結晶構造の模式図であり、Fは蛍石型構造
ユニットの部分である。
Claims (2)
- 1.(R,Ce)_3Sr_2Cu_2(M,Cu)O
_1_1(但しRはCe以外の希土類元素、MはPb、
Tlあるいは両方)の化学式で表わされ、TlBa_2
CaCu_2O_7(1−2−1−2)型構造の(M,
Cu)Sr_2(R,Ce)Cu_2O_7ユニットと
蛍石型構造の[(R,Ce)O_2]_2ユニットが交
互に積み重なった結晶構造を備えたことを特徴とする層
状銅酸化物。 - 2.(R,Ce)_2Sr_2Cu_2(M,Cu)O
_1_0_+_z(但しRはCe以外の希土類元素、M
はPb、Tlあるいは両方)の化学式で表わされ、YB
a_2Cu_3O_6_+_δ型構造の(R,Ce)S
r_2Cu_2(Cu,M)O_6_+_zユニットと
蛍石型構造の[(R,Ce)O_2]_2ユニットが交
互に積み重なった結晶構造を備え、前記Zの範囲は0≦
Z≦2、前記δの範囲は0≦δ≦1であることを特徴と
する層状銅酸化物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2296745A JPH0764560B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 層状銅酸化物 |
US07/781,315 US5262393A (en) | 1990-10-31 | 1991-10-25 | Layered copper oxides (R.sub.(1+x) Ce.sub.(2-x))Sr2 Cu2 (M1-y Cuy)O11 wherein R is a rare earth element and M is one or both of Pb and Tl |
EP91118635A EP0483858B1 (en) | 1990-10-31 | 1991-10-31 | Layered copper oxides |
DE69108172T DE69108172T2 (de) | 1990-10-31 | 1991-10-31 | Geschichtete Kupferoxide. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2296745A JPH0764560B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 層状銅酸化物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04170318A true JPH04170318A (ja) | 1992-06-18 |
JPH0764560B2 JPH0764560B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=17837562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2296745A Expired - Lifetime JPH0764560B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 層状銅酸化物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5262393A (ja) |
EP (1) | EP0483858B1 (ja) |
JP (1) | JPH0764560B2 (ja) |
DE (1) | DE69108172T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5306699A (en) * | 1988-08-31 | 1994-04-26 | Superconductor Technologies, Inc. | Reactor vessel for manufacture of superconducting films |
JPH07115872B2 (ja) * | 1990-06-14 | 1995-12-13 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
JPH06219736A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-09 | Hitachi Ltd | 超電導体 |
DE10239479A1 (de) * | 2002-08-28 | 2004-03-04 | Bayer Cropscience Ag | Substituierte spirocyclische Ketoenole |
AR045347A1 (es) * | 2003-08-08 | 2005-10-26 | Rovcal Inc | Celda alcalina de alta capacidad |
AR047875A1 (es) | 2004-06-04 | 2006-03-01 | Rovcal Inc | Celdas alcalinas que presentan alta capacidad |
AU2005337071B2 (en) | 2005-10-05 | 2011-11-24 | Sca Hygiene Products Ab | Absorbent article comprising a thin film including an active agent |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP2296745A patent/JPH0764560B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-25 US US07/781,315 patent/US5262393A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-31 DE DE69108172T patent/DE69108172T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-31 EP EP91118635A patent/EP0483858B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69108172D1 (de) | 1995-04-20 |
JPH0764560B2 (ja) | 1995-07-12 |
DE69108172T2 (de) | 1995-11-09 |
EP0483858A1 (en) | 1992-05-06 |
EP0483858B1 (en) | 1995-03-15 |
US5262393A (en) | 1993-11-16 |
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