JPH04292418A - 酸化物超伝導体およびその製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導体およびその製造方法Info
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- JPH04292418A JPH04292418A JP3052752A JP5275291A JPH04292418A JP H04292418 A JPH04292418 A JP H04292418A JP 3052752 A JP3052752 A JP 3052752A JP 5275291 A JP5275291 A JP 5275291A JP H04292418 A JPH04292418 A JP H04292418A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超伝導体および
その製造方法に関し、詳しくは、高い臨界電流密度(J
c)を有するペロブスカイト型酸化物超伝導体に関する
。
その製造方法に関し、詳しくは、高い臨界電流密度(J
c)を有するペロブスカイト型酸化物超伝導体に関する
。
【0002】
【従来の技術】臨界温度(Tc)が液体窒素温度(77
K)を越える酸化物超伝導体が発見されて以来、超伝導
体の強電分野への応用を目指して超伝導体の臨界電流密
度(Jc)を向上させるための研究が行われている。臨
界電流密度(Jc)の向上には、超伝導特性が劣化する
結晶粒界を少なくすることおよび磁束量子と呼ばれる超
伝導体を貫く常伝導領域を超伝導体中で動かないように
強くピン止めしておくことが重要であるとされている。 前者については、超伝導体製造時に溶融状態を介して結
晶凝固させたり、温度勾配のある環境下で一方向凝固さ
せることが行われている。後者については、例えばY−
Ba−C−O系超伝導体においてはピン止め中心として
双晶界面や211相等の格子欠陥または析出物等が有効
であるとされており、これらの方法が積極的に導入され
ている。
K)を越える酸化物超伝導体が発見されて以来、超伝導
体の強電分野への応用を目指して超伝導体の臨界電流密
度(Jc)を向上させるための研究が行われている。臨
界電流密度(Jc)の向上には、超伝導特性が劣化する
結晶粒界を少なくすることおよび磁束量子と呼ばれる超
伝導体を貫く常伝導領域を超伝導体中で動かないように
強くピン止めしておくことが重要であるとされている。 前者については、超伝導体製造時に溶融状態を介して結
晶凝固させたり、温度勾配のある環境下で一方向凝固さ
せることが行われている。後者については、例えばY−
Ba−C−O系超伝導体においてはピン止め中心として
双晶界面や211相等の格子欠陥または析出物等が有効
であるとされており、これらの方法が積極的に導入され
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、超伝導
体を強電材料として実用上重要なコイル等の線材とした
場合には、まだ十分なJcが得られておらず、また上記
の方法等によりJcを向上させようとすると製造工程が
複雑になってしまうという欠点があった。また、超伝導
体の薄膜を形成した場合には、膜中の欠陥や不純物相に
よってある程度Jcは高いものの、さらに高いJcを有
する超伝導薄膜を形成することおよびJcの向上を制御
可能な因子により行なえるようにすることが望まれてい
る。
体を強電材料として実用上重要なコイル等の線材とした
場合には、まだ十分なJcが得られておらず、また上記
の方法等によりJcを向上させようとすると製造工程が
複雑になってしまうという欠点があった。また、超伝導
体の薄膜を形成した場合には、膜中の欠陥や不純物相に
よってある程度Jcは高いものの、さらに高いJcを有
する超伝導薄膜を形成することおよびJcの向上を制御
可能な因子により行なえるようにすることが望まれてい
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、より高い
Jcを有する酸化物超伝導体およびその容易な製造方法
を提供することを目的として鋭意検討した結果、超伝導
体中にその使用温度において常伝導体である析出物を導
入して磁束量子のピン止め中心とする場合、その析出物
はその近傍の超伝導相の超伝導特性を劣化させないこと
が重要であり、そのためには母相である超伝導相を構成
する基本格子と同じペロブスカイト構造を有する物質を
添加してピン止め中心として析出させることが有効であ
ること、さらにこの際には格子定数および母相との反応
性を十分考慮する必要があることを見出し、本発明に到
達した。
Jcを有する酸化物超伝導体およびその容易な製造方法
を提供することを目的として鋭意検討した結果、超伝導
体中にその使用温度において常伝導体である析出物を導
入して磁束量子のピン止め中心とする場合、その析出物
はその近傍の超伝導相の超伝導特性を劣化させないこと
が重要であり、そのためには母相である超伝導相を構成
する基本格子と同じペロブスカイト構造を有する物質を
添加してピン止め中心として析出させることが有効であ
ること、さらにこの際には格子定数および母相との反応
性を十分考慮する必要があることを見出し、本発明に到
達した。
【0005】即ち、本発明の要旨は、CaZrO3 、
CaSnO3 、CaTiO3 、SrZrO3 、S
rSnO3 、SrTiO3 、BaZrO3 および
BaTiO3 よりなる群から選ばれる一種以上のペロ
ブスカイト型複合酸化物を含有することを特徴とするペ
ロブスカイト型酸化物超伝導体およびその製造方法に存
する。
CaSnO3 、CaTiO3 、SrZrO3 、S
rSnO3 、SrTiO3 、BaZrO3 および
BaTiO3 よりなる群から選ばれる一種以上のペロ
ブスカイト型複合酸化物を含有することを特徴とするペ
ロブスカイト型酸化物超伝導体およびその製造方法に存
する。
【0006】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
超伝導体は、ペロブスカイト構造を有する酸化物超伝導
体、例えばY−Ba−Cu−O系の酸化物超伝導体を母
相とし、その結晶中あるいは結晶粒界にCaZrO3
、CaSnO3 、CaTiO3 、SrZrO3 、
SrSnO3 、SrTiO3 、BaZrO3 およ
びBaTiO3 よりなる群から選ばれる一種以上のペ
ロブスカイト型複合酸化物を含有するものである。含有
されるペロブスカイト型複合酸化物のうちで特に好まし
いものは、BaZrO3 、SrSnO3 、およびS
rZrO3 である。ペロブスカイト型複合酸化物の含
有量は、好ましくは0.1〜20原子%、特に好ましく
は、2〜5原子%である。
超伝導体は、ペロブスカイト構造を有する酸化物超伝導
体、例えばY−Ba−Cu−O系の酸化物超伝導体を母
相とし、その結晶中あるいは結晶粒界にCaZrO3
、CaSnO3 、CaTiO3 、SrZrO3 、
SrSnO3 、SrTiO3 、BaZrO3 およ
びBaTiO3 よりなる群から選ばれる一種以上のペ
ロブスカイト型複合酸化物を含有するものである。含有
されるペロブスカイト型複合酸化物のうちで特に好まし
いものは、BaZrO3 、SrSnO3 、およびS
rZrO3 である。ペロブスカイト型複合酸化物の含
有量は、好ましくは0.1〜20原子%、特に好ましく
は、2〜5原子%である。
【0007】 母相となるペロブスカイト構造を有する
酸化物超伝導体としては、公知のY−Ba−Cu−O系
の酸化物超伝導体を使用することができる。その代表的
な例としては、Y1 Ba2 Cu3O7 が挙
げられるが、必ずしもこの組成に限定されるものではな
く、次に示す組成を有するものを使用することもできる
。 YαBaβCuγOδ (式中、0.8≦α≦1.2,1.8≦β≦2.2,2
.8≦γ≦3.2,6.0≦δ≦8.0である。)
酸化物超伝導体としては、公知のY−Ba−Cu−O系
の酸化物超伝導体を使用することができる。その代表的
な例としては、Y1 Ba2 Cu3O7 が挙
げられるが、必ずしもこの組成に限定されるものではな
く、次に示す組成を有するものを使用することもできる
。 YαBaβCuγOδ (式中、0.8≦α≦1.2,1.8≦β≦2.2,2
.8≦γ≦3.2,6.0≦δ≦8.0である。)
【0
008】また、例えばY1 Ba2 Cu3 O7
−δの組成式で示される酸化物超伝導体の、イットリウ
ム原子の部分を他の希土類元素で部分置換あるいは全置
換したものでも結晶構造が大幅に変化しない限り超伝導
性を示すことが知られており、上記に示した組成のもの
以外に、他の希土類元素を更に用いたペロブスカイト構
造の酸化物超伝導体も本発明に包含される。
008】また、例えばY1 Ba2 Cu3 O7
−δの組成式で示される酸化物超伝導体の、イットリウ
ム原子の部分を他の希土類元素で部分置換あるいは全置
換したものでも結晶構造が大幅に変化しない限り超伝導
性を示すことが知られており、上記に示した組成のもの
以外に、他の希土類元素を更に用いたペロブスカイト構
造の酸化物超伝導体も本発明に包含される。
【0009】次に、本発明の酸化物超伝導体の製造方法
について説明する。母相となるペロブスカイト構造を示
す酸化物超伝導体、例えばY−Ba−Cu−O系超伝導
体の原料としては、これらイットリウム、バリウム、銅
、ビスマス、ストロンチウム、カルシウムまたはその他
の元素の酸化物、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩、
修酸塩、塩化物および金属アルコキシド等から選ぶこと
ができ、特に限定されるものではない。
について説明する。母相となるペロブスカイト構造を示
す酸化物超伝導体、例えばY−Ba−Cu−O系超伝導
体の原料としては、これらイットリウム、バリウム、銅
、ビスマス、ストロンチウム、カルシウムまたはその他
の元素の酸化物、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩、
修酸塩、塩化物および金属アルコキシド等から選ぶこと
ができ、特に限定されるものではない。
【0010】まず、これらの化合物から原料化合物を適
宜選択して、各元素の原子比が求める酸化物超伝導体の
組成になるように秤量し、粉末混合法、共沈法、湿式蒸
発乾固法、アルコキシドによるゾルゲル法等従来公知の
方法により均一に混合する。次に、混合、乾燥された原
料粉末を焼成する。この際、固相反応を十分に進行させ
るため、粉末を加圧成形した後、焼成するとよい。
宜選択して、各元素の原子比が求める酸化物超伝導体の
組成になるように秤量し、粉末混合法、共沈法、湿式蒸
発乾固法、アルコキシドによるゾルゲル法等従来公知の
方法により均一に混合する。次に、混合、乾燥された原
料粉末を焼成する。この際、固相反応を十分に進行させ
るため、粉末を加圧成形した後、焼成するとよい。
【0011】焼成温度は製造する酸化物超伝導体の種類
によって異なり、例えば、Y−Ba−Cu−O系超伝導
体においては930〜960℃が望ましいが、添加物の
種類および添加量によってはこの範囲を超えることも有
りうる。
によって異なり、例えば、Y−Ba−Cu−O系超伝導
体においては930〜960℃が望ましいが、添加物の
種類および添加量によってはこの範囲を超えることも有
りうる。
【0012】また、Y−Ba−Cu−O系超伝導体の焼
成は、常圧において雰囲気中の酸素ガス濃度を空気中濃
度より濃い状態、例えば純酸素ガスに少量の他のガスを
混合したガスまたは純酸素ガス雰囲気下で行うことが望
ましい。また、必要に応じて空気中で焼成したものを再
び上記の空気中濃度より濃い酸素ガス雰囲気下で焼成し
てもよい。
成は、常圧において雰囲気中の酸素ガス濃度を空気中濃
度より濃い状態、例えば純酸素ガスに少量の他のガスを
混合したガスまたは純酸素ガス雰囲気下で行うことが望
ましい。また、必要に応じて空気中で焼成したものを再
び上記の空気中濃度より濃い酸素ガス雰囲気下で焼成し
てもよい。
【0013】他に、原料の混合した金属アルコキシドを
基板に塗布することにより、薄膜を形成することができ
る。さらには、公知の薄膜形成法、例えば物理蒸着法、
化学蒸着法、有機ナフテン酸等の溶液の塗布によっても
薄膜を形成することができる。物理蒸着法としてはスパ
ッター蒸着法、電子ビーム蒸着法、レーザーアブレーシ
ョン蒸着法、MBE蒸着法が、化学蒸着法としてはCV
D、プラズマCVD等が挙げられる。
基板に塗布することにより、薄膜を形成することができ
る。さらには、公知の薄膜形成法、例えば物理蒸着法、
化学蒸着法、有機ナフテン酸等の溶液の塗布によっても
薄膜を形成することができる。物理蒸着法としてはスパ
ッター蒸着法、電子ビーム蒸着法、レーザーアブレーシ
ョン蒸着法、MBE蒸着法が、化学蒸着法としてはCV
D、プラズマCVD等が挙げられる。
【0014】本発明の酸化物超伝導体の製造方法におい
ては、上記の製造工程中に化学式ABO3 (式中、A
はCa,SrまたはBa,BはZr,SnまたはTiを
表す)で示されるがペロブスカイト型複合酸化物を添加
する。複合酸化物は上記原料の混合時に添加してもよい
が、好ましくは超伝導体原料を混合後、焼結して超伝導
体となったものを再粉砕し、あるいは粉砕、混合を複数
回繰り返した後、粉砕した時点で添加するとより有効で
ある。また、混合は十分長時間、好ましくは4時間以上
の時間をかけて行うのがよい。複合酸化物の添加量は、
通常0.1〜20原子%、好ましくは2〜5原子%であ
る。
ては、上記の製造工程中に化学式ABO3 (式中、A
はCa,SrまたはBa,BはZr,SnまたはTiを
表す)で示されるがペロブスカイト型複合酸化物を添加
する。複合酸化物は上記原料の混合時に添加してもよい
が、好ましくは超伝導体原料を混合後、焼結して超伝導
体となったものを再粉砕し、あるいは粉砕、混合を複数
回繰り返した後、粉砕した時点で添加するとより有効で
ある。また、混合は十分長時間、好ましくは4時間以上
の時間をかけて行うのがよい。複合酸化物の添加量は、
通常0.1〜20原子%、好ましくは2〜5原子%であ
る。
【0015】本発明の製造方法で製造することのできる
酸化物超伝導体のうちBaSnO3 を含有するペロブ
スカイト型酸化物超伝導体は既に公知であるが(J.J
.A.P.28(12)1989,P2459−246
2,C.Way et al.)、この酸化物超伝
導体も本発明方法で製造することにより従来の方法と比
べて容易に製造することができる。
酸化物超伝導体のうちBaSnO3 を含有するペロブ
スカイト型酸化物超伝導体は既に公知であるが(J.J
.A.P.28(12)1989,P2459−246
2,C.Way et al.)、この酸化物超伝
導体も本発明方法で製造することにより従来の方法と比
べて容易に製造することができる。
【0016】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例によっ
て限定されるものではない。
するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例によっ
て限定されるものではない。
【0017】実施例1
純度99.5%以上の酸化イットリウム、炭酸バリウム
及び酸化銅の各粉末を金属元素の原子比でY:Ba:C
u=1:2:3の割合になるように秤量した。これらの
粉末をメノウ乳鉢に入れ、粉砕、混合した後アルミナボ
ート上で900℃で24時間仮焼した。
及び酸化銅の各粉末を金属元素の原子比でY:Ba:C
u=1:2:3の割合になるように秤量した。これらの
粉末をメノウ乳鉢に入れ、粉砕、混合した後アルミナボ
ート上で900℃で24時間仮焼した。
【0018】この仮焼粉をさらに粉砕、混合した混合粉
末を加圧成形(100kgf/cm2 )して直径10
mmのペレットを作成した。このペレットを950℃で
25時間空気中で焼成し、その後酸素気流中で500℃
まで徐冷し、500℃で12時間保った後、室温まで冷
却した。得られたペレットを再び粉砕、混合した混合粉
末を上記と同じ方法により加圧成形及び焼成を行った。
末を加圧成形(100kgf/cm2 )して直径10
mmのペレットを作成した。このペレットを950℃で
25時間空気中で焼成し、その後酸素気流中で500℃
まで徐冷し、500℃で12時間保った後、室温まで冷
却した。得られたペレットを再び粉砕、混合した混合粉
末を上記と同じ方法により加圧成形及び焼成を行った。
【0019】得られた試料の抵抗を直流4端子法により
測定した結果、臨界温度(Tc)が87Kを示す超伝導
体になっていることが分かった。また、得られた試料の
一部を粉砕し、粉末X線解析したところ、ほぼ単相のY
系123超伝導体であることが分かった。
測定した結果、臨界温度(Tc)が87Kを示す超伝導
体になっていることが分かった。また、得られた試料の
一部を粉砕し、粉末X線解析したところ、ほぼ単相のY
系123超伝導体であることが分かった。
【0020】次いで、上記と同じ方法によりY系123
超伝導体ペレットを10個作製した後、これらを粉砕し
た。この粉末にBaZrO3 混合酸化物粉末を原子比
で2.0原子%になるように添加し、メノウ乳鉢中で4
時間粉砕、混合した。さらに、この粉末を上記と同じ方
法で仮焼、粉砕、混合、加圧成形及び焼成を行った。こ
のようにして得られた試料の粒内臨界電流密度を交流磁
場法で測定したところ77K、0Tにおいて7.0×1
05 A/cm2 であった。
超伝導体ペレットを10個作製した後、これらを粉砕し
た。この粉末にBaZrO3 混合酸化物粉末を原子比
で2.0原子%になるように添加し、メノウ乳鉢中で4
時間粉砕、混合した。さらに、この粉末を上記と同じ方
法で仮焼、粉砕、混合、加圧成形及び焼成を行った。こ
のようにして得られた試料の粒内臨界電流密度を交流磁
場法で測定したところ77K、0Tにおいて7.0×1
05 A/cm2 であった。
【0021】実施例2
実施例1において、BaZrO3 混合酸化物粉末の代
わりにSrSnO3 混合酸化物粉末を2.0原子%添
加したこと以外は実施例1と同様にして試料を作製した
。得られた試料の粒内臨界電流密度を交流磁場法で測定
したところ77K、0Tにおいて4.5×105 A/
cm2であった。
わりにSrSnO3 混合酸化物粉末を2.0原子%添
加したこと以外は実施例1と同様にして試料を作製した
。得られた試料の粒内臨界電流密度を交流磁場法で測定
したところ77K、0Tにおいて4.5×105 A/
cm2であった。
【0022】実施例3
実施例1において、BaZrO3 混合酸化物粉末の代
わりにBaTiO3 混合酸化物粉末を2.0原子%添
加したこと以外は実施例1と同様にして試料を作製した
。得られた試料の粒内臨界電流密度を交流磁場法で測定
したところ77K、0Tにおいて2.6×105 A/
cm2であった。
わりにBaTiO3 混合酸化物粉末を2.0原子%添
加したこと以外は実施例1と同様にして試料を作製した
。得られた試料の粒内臨界電流密度を交流磁場法で測定
したところ77K、0Tにおいて2.6×105 A/
cm2であった。
【0023】比較例1
実施例1において、BaZrO3 混合酸化物粉末を添
加しなかったこと以外は実施例1と同様にして試料を作
製した。得られた試料の粒内臨界電流密度を交流磁場法
で測定したところ77K、0Tにおいて1.5×105
A/cm2 であった。
加しなかったこと以外は実施例1と同様にして試料を作
製した。得られた試料の粒内臨界電流密度を交流磁場法
で測定したところ77K、0Tにおいて1.5×105
A/cm2 であった。
【0024】比較例2
実施例1において、BaZrO3 混合酸化物粉末の代
わりに酸化イットリウム粉末を2.0原子%添加したこ
と以外は実施例1と同様にして試料を作製した。得られ
た試料を粉末X線解析したところ、Y系123超伝導体
のメインピーク以外に211相のピークが確認された。 また、粒内臨界電流密度を交流磁場法で測定したところ
77K、0Tにおいて1.0×105 A/cm2 で
あった。
わりに酸化イットリウム粉末を2.0原子%添加したこ
と以外は実施例1と同様にして試料を作製した。得られ
た試料を粉末X線解析したところ、Y系123超伝導体
のメインピーク以外に211相のピークが確認された。 また、粒内臨界電流密度を交流磁場法で測定したところ
77K、0Tにおいて1.0×105 A/cm2 で
あった。
【0025】以上の実施例及び比較例の結果を表1にま
とめて示す。
とめて示す。
【0026】
【表1】
【0027】
【発明の効果】本発明のペロブスカイト型複合酸化物を
添加した酸化物超伝導体は、粒内臨界電流密度が著しく
向上した酸化物超伝導体であり、本発明方法により容易
に製造することができるため、液体窒素温度(77K)
で使用可能な強磁場発生用マグネットコイル、磁気シー
ルド材、無損失送電線等強電分野への酸化物超伝導体の
応用が可能であり、工業的に非常に有用である。
添加した酸化物超伝導体は、粒内臨界電流密度が著しく
向上した酸化物超伝導体であり、本発明方法により容易
に製造することができるため、液体窒素温度(77K)
で使用可能な強磁場発生用マグネットコイル、磁気シー
ルド材、無損失送電線等強電分野への酸化物超伝導体の
応用が可能であり、工業的に非常に有用である。
Claims (2)
- 【請求項1】 CaZrO3 、CaSnO3 、C
aTiO3 、SrZrO3 、SrSnO3 、Sr
TiO3 、BaZrO3 およびBaTiO3 より
なる群から選ばれた一種以上のペロブスカイト型複合酸
化物を含有することを特徴とするペロブスカイト型酸化
物超伝導体。 - 【請求項2】 少なくとも希土類元素化合物、バリウ
ム化合物および銅化合物を焼成してペロブスカイト型酸
化物超伝導体を製造する方法において、原料中に一般式
ABO3 (式中、Aはカルシウム、ストロンチウムま
たはバリウムを示し、Bはジルコニウム、スズまたはチ
タンを示す)で表わされるペロブスカイト型複合酸化物
を添加することを特徴とするペロブスカイト型酸化物超
伝導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3052752A JPH04292418A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 酸化物超伝導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3052752A JPH04292418A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 酸化物超伝導体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04292418A true JPH04292418A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=12923631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3052752A Pending JPH04292418A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 酸化物超伝導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04292418A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130291A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 超電導体膜及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP3052752A patent/JPH04292418A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130291A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 超電導体膜及びその製造方法 |
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