JPH04118027A - 排ガスの処理方法 - Google Patents
排ガスの処理方法Info
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- JPH04118027A JPH04118027A JP2236195A JP23619590A JPH04118027A JP H04118027 A JPH04118027 A JP H04118027A JP 2236195 A JP2236195 A JP 2236195A JP 23619590 A JP23619590 A JP 23619590A JP H04118027 A JPH04118027 A JP H04118027A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
- B01D53/86—Catalytic processes
- B01D53/8659—Removing halogens or halogen compounds
- B01D53/8662—Organic halogen compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分Ｉ〕
この発明は、焼却炉等から排出された排ガス中に含有さ
れている、ポリ塩化ジベンゾダイオキシン、ポリ塩化ジ
ベンゾフラン等の毒性を有する有機塩素化合物を、前記
排ガス中から除去するための、排ガス処理方法に関する
ものである。
れている、ポリ塩化ジベンゾダイオキシン、ポリ塩化ジ
ベンゾフラン等の毒性を有する有機塩素化合物を、前記
排ガス中から除去するための、排ガス処理方法に関する
ものである。
産業廃棄物や都市ごみを処理するための焼却炉等から発
生する排ガス中に含有されている、ＳＯＸ、ＮＯｘ 、
ＨＣＩ 、ノアン等の有害物質の除去方法に関しては
、従来から多くの研究がなされており、既に実用化され
ている。しかしながら、上述した排ガス中に含有されて
いる、ダイオキシン、ＰＣＢ 。
生する排ガス中に含有されている、ＳＯＸ、ＮＯｘ 、
ＨＣＩ 、ノアン等の有害物質の除去方法に関しては
、従来から多くの研究がなされており、既に実用化され
ている。しかしながら、上述した排ガス中に含有されて
いる、ダイオキシン、ＰＣＢ 。
クロロフェノール等の、微量ではあるが、強い毒性を有
する有機塩素化合物の除去方法に関しては、近年、よう
やく研究が開始されたばかりであり、未だ、その工業的
な除去方法は、確立されていない。
する有機塩素化合物の除去方法に関しては、近年、よう
やく研究が開始されたばかりであり、未だ、その工業的
な除去方法は、確立されていない。
上記のダイオキシンと呼ばれている物質は、ポリ塩化ジ
ベンゾダイオキシンという化合物であって、含有されて
いる塩素の数により、二塩化物、四塩化物、五塩化物、
六塩化物などがあり、異性体は、７０種以上に及ぶ。こ
れらのうち、特に四塩化ジヘンゾダイオキノン（ＴＩＣ
ＤＤ）は、最も強い毒性を有する物質として知られてい
る。ダイオキシンは、非常に安定な物質であり、水に溶
けないので、その毒性は、半永久的に消滅しない。この
ために、ダイオキシンは、その強い毒性によって、環境
を汚染する極めて有害な化学物質とされている。
ベンゾダイオキシンという化合物であって、含有されて
いる塩素の数により、二塩化物、四塩化物、五塩化物、
六塩化物などがあり、異性体は、７０種以上に及ぶ。こ
れらのうち、特に四塩化ジヘンゾダイオキノン（ＴＩＣ
ＤＤ）は、最も強い毒性を有する物質として知られてい
る。ダイオキシンは、非常に安定な物質であり、水に溶
けないので、その毒性は、半永久的に消滅しない。この
ために、ダイオキシンは、その強い毒性によって、環境
を汚染する極めて有害な化学物質とされている。
一般に、ダイオキシン類を含有する１ｉｒａ！塩素化合
物を、排ガス中から除去する方法としては、有機塩素化
合物を高温で燃焼して除去する直燃式処理法、有機塩素
化合物を活性炭に吸着させて除去する吸着法、および、
有機塩素化合物を薬剤により洗浄して除去する洗浄法等
が考えられる。
物を、排ガス中から除去する方法としては、有機塩素化
合物を高温で燃焼して除去する直燃式処理法、有機塩素
化合物を活性炭に吸着させて除去する吸着法、および、
有機塩素化合物を薬剤により洗浄して除去する洗浄法等
が考えられる。
直燃式処理法は、有機塩素化合物を、燃焼プロセス即ち
焼却炉内で酸化分解させて除去する方法であり、その実
施に際しては、焼却炉の炉内温度を、１０００℃以上の
高温に維持する必要がある。通常、焼却炉の炉内温度は
８００〜９００℃であるから、有機塩素化合物を酸化分
解させるためには、炉内温度を１０００℃以上に高める
か、または、有機塩素化合物の酸化分解のための再燃焼
炉を別に設ける必要がある。
焼却炉内で酸化分解させて除去する方法であり、その実
施に際しては、焼却炉の炉内温度を、１０００℃以上の
高温に維持する必要がある。通常、焼却炉の炉内温度は
８００〜９００℃であるから、有機塩素化合物を酸化分
解させるためには、炉内温度を１０００℃以上に高める
か、または、有機塩素化合物の酸化分解のための再燃焼
炉を別に設ける必要がある。
上述したように、焼却炉の炉内温度を１０００℃以上に
高めるためには、炉を全面的に改造する必要がある。そ
して、炉内温度を、１０００℃以上に高めると、焼却物
の灰分が溶融して、炉壁が損傷する問題が生ずる。
高めるためには、炉を全面的に改造する必要がある。そ
して、炉内温度を、１０００℃以上に高めると、焼却物
の灰分が溶融して、炉壁が損傷する問題が生ずる。
都市ごみ焼却炉の主流を占めるストーカ炉においては、
炉内に局部的な低温部が発生し易い。従って、有機塩素
化合物の酸化分解のためには、再燃焼炉を別に設けるこ
とが有効であるとされている。しかしながら、再燃焼炉
を別に設けると、排ガス総量の増加や再燃焼用燃料によ
るランニングコストの上昇が極めて大になり、しかも、
排ガス中の被処理物質の濃度が希薄であるために、有機
塩素化合物の除去効率が低い等の問題が生ずる。
炉内に局部的な低温部が発生し易い。従って、有機塩素
化合物の酸化分解のためには、再燃焼炉を別に設けるこ
とが有効であるとされている。しかしながら、再燃焼炉
を別に設けると、排ガス総量の増加や再燃焼用燃料によ
るランニングコストの上昇が極めて大になり、しかも、
排ガス中の被処理物質の濃度が希薄であるために、有機
塩素化合物の除去効率が低い等の問題が生ずる。
一方、吸着法には、廃活性炭の再生処理が必要になる問
題があり、そして、洗浄法の場合には、廃液の２次処理
が必要になる問題がある。このような２次処理手段は、
非常に厄介であるため、上述した吸着法および洗浄法は
、実用的な除去技術とは言えない。
題があり、そして、洗浄法の場合には、廃液の２次処理
が必要になる問題がある。このような２次処理手段は、
非常に厄介であるため、上述した吸着法および洗浄法は
、実用的な除去技術とは言えない。
上述した問題を解決する手段として、特開昭６３２９０
３１４号公報には、下記からなる、焼却炉排ガスの処理
方法が開示されている。
３１４号公報には、下記からなる、焼却炉排ガスの処理
方法が開示されている。
都市ごみや下水汚泥等の焼却炉から排出された排ガスを
、セラミック担体に担持させた白金触媒等の酸化系触媒
と３００〜９００℃の温度で接触させることにより、排
ガス中の有機塩素化合物を酸化分解して、ダイオキシン
、ＰＣＢ等の有害な有機塩素化合物の発生を抑制する（
以下、先行技術１という）。
、セラミック担体に担持させた白金触媒等の酸化系触媒
と３００〜９００℃の温度で接触させることにより、排
ガス中の有機塩素化合物を酸化分解して、ダイオキシン
、ＰＣＢ等の有害な有機塩素化合物の発生を抑制する（
以下、先行技術１という）。
また、特開平２−３５９１４号公報には、下記からなる
、廃棄物焼却炉の排ガス処理方法が開示されている。
、廃棄物焼却炉の排ガス処理方法が開示されている。
焼却炉から排出された排ガスを、冷却した後、集塵装置
で除塵することからなる廃棄物焼却炉の排ガス処理方法
において、前記集塵装置により除塵された排ガスを、少
なくとも１５０℃で反応器に導入し、排ガス中の芳香族
系塩素化合物を、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化タ
ングステン、白金およびパラジウムのうちの少なくとも
ｊつからなる触媒により分解する（以下、先行技術２と
いう）。
で除塵することからなる廃棄物焼却炉の排ガス処理方法
において、前記集塵装置により除塵された排ガスを、少
なくとも１５０℃で反応器に導入し、排ガス中の芳香族
系塩素化合物を、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化タ
ングステン、白金およびパラジウムのうちの少なくとも
ｊつからなる触媒により分解する（以下、先行技術２と
いう）。
上述した先行技術ｌは、次に述べる問題を有している。
即ち、先行技術Ｊにおいては、排ガスを３００〜９００
℃の温度によって、触媒と接触させなければならない。
℃の温度によって、触媒と接触させなければならない。
この結果、例えば、排ガスを冷却した後、集塵装置で除
塵し次いで触媒と接触させる際に、排ガスを３００〜９
００℃の温度に加熱するための設備が必要となるので設
備質やランニングコストが上昇する。更に、排ガスが高
温で触媒と接触するため、排ガスの熱によって、触媒が
劣化しやすくその寿命が短い。
塵し次いで触媒と接触させる際に、排ガスを３００〜９
００℃の温度に加熱するための設備が必要となるので設
備質やランニングコストが上昇する。更に、排ガスが高
温で触媒と接触するため、排ガスの熱によって、触媒が
劣化しやすくその寿命が短い。
上述した先行技術２は、次に述べる問題を有している。
即ち、先行技術２においては、その実施例によると、排
ガス中からのポリ塩化ジベンゾダイオキシンの除去率は
約２２〜３８％であり、そして、ポリ塩化ジベンゾフラ
ノの除去率は約４６〜４９％であって、何れの除去率も
低い。
ガス中からのポリ塩化ジベンゾダイオキシンの除去率は
約２２〜３８％であり、そして、ポリ塩化ジベンゾフラ
ノの除去率は約４６〜４９％であって、何れの除去率も
低い。
従って、この発明の目的は、焼却炉等から排出された排
ガス中に含有されているポリ塩化ジベンゾダイオキノン
、ポリ塩化ジベンゾフラン等の毒性を有する有機塩素化
合物を、前記排ガスを特別に加熱する必要なく、しかも
、高い効率で前記排ガス中から除去することができる排
ガスの処理方法を提供することにある。
ガス中に含有されているポリ塩化ジベンゾダイオキノン
、ポリ塩化ジベンゾフラン等の毒性を有する有機塩素化
合物を、前記排ガスを特別に加熱する必要なく、しかも
、高い効率で前記排ガス中から除去することができる排
ガスの処理方法を提供することにある。
発明者等は、上述した問題点を解決し得る方法を開発す
べく、鋭意研究を重ねた。その結果、焼却炉等から排出
された排ガスを、少なくとも、Ｔ０２、＾１２０．およ
びＳｉｎ、を含有する酸化物からなる基体の表面上に、
Ｐｔ５Ｐｄ、 Ｒｕ、Ｍｎ、 Ｃｕ、 ＣｒおよびＦｅ
からなる群より選択された少なくとも１種の金属または
その酸化物を担持させてなる触媒と接触させれば、排ガ
ス中に含有されているポリ塩化ジベンゾダイオキシン、
ポリ塩化ジベンゾフラノ等の毒性を有する有機塩素化合
物を、前記排ガス中から高い効率で、しかも、排ガスを
特別に加熱することなく除去し得ることを知見した。
べく、鋭意研究を重ねた。その結果、焼却炉等から排出
された排ガスを、少なくとも、Ｔ０２、＾１２０．およ
びＳｉｎ、を含有する酸化物からなる基体の表面上に、
Ｐｔ５Ｐｄ、 Ｒｕ、Ｍｎ、 Ｃｕ、 ＣｒおよびＦｅ
からなる群より選択された少なくとも１種の金属または
その酸化物を担持させてなる触媒と接触させれば、排ガ
ス中に含有されているポリ塩化ジベンゾダイオキシン、
ポリ塩化ジベンゾフラノ等の毒性を有する有機塩素化合
物を、前記排ガス中から高い効率で、しかも、排ガスを
特別に加熱することなく除去し得ることを知見した。
この発明は、上記知見に基づいてなされたものであって
、焼却炉等から排出された排ガスを、所定温度で触媒と
接触させることによって、前記排ガス中に含有されてい
るポリ塩化ノベンゾダイオキシン、ポリ塩化ジベンゾフ
ラン等の有機塩素化合物を、前記排ガス中から除去する
、排ガスの処理方法において、 前記触媒として、少なくとも、ＴｉＯ□、＾！２０．お
よびＳｉｎ、を含有する酸化物からなる基体の表面上に
、Ｐｔ、Ｐｄ、 Ｒｕ、 Ｍｎ、 Ｃｕ、 Ｃｒおよび
Ｆｅからなる群より選択された少なくとも１種の金属ま
たはその酸化物を担持させてなる触媒を使用し、前記排
ガスを、１５０〜３５０℃の温度で前記触媒と接触させ
ることに特徴を有するものである。
、焼却炉等から排出された排ガスを、所定温度で触媒と
接触させることによって、前記排ガス中に含有されてい
るポリ塩化ノベンゾダイオキシン、ポリ塩化ジベンゾフ
ラン等の有機塩素化合物を、前記排ガス中から除去する
、排ガスの処理方法において、 前記触媒として、少なくとも、ＴｉＯ□、＾！２０．お
よびＳｉｎ、を含有する酸化物からなる基体の表面上に
、Ｐｔ、Ｐｄ、 Ｒｕ、 Ｍｎ、 Ｃｕ、 Ｃｒおよび
Ｆｅからなる群より選択された少なくとも１種の金属ま
たはその酸化物を担持させてなる触媒を使用し、前記排
ガスを、１５０〜３５０℃の温度で前記触媒と接触させ
ることに特徴を有するものである。
この発明の方法において使用される触媒は、少なくとも
、Ｔｉｅ、、ＡＩＪｓおよびＳ１０．を含有する酸化物
からなる基体と、基体に担持された、ＰＩ、 Ｐｄ、Ｒ
ｕ、 Ｍｎ、 Ｃｕ、 ＣｒおよびＦｅからなる群より
選択された少なくとも１種の金属またはその酸化物とか
らなっている。このように、基体が、少なくともＴｉｅ
、、Ａｌ２Ｏ３および５ｉｎ２を含有する酸化物からな
っていることにより、触媒の低温における耐酸性が向上
し、そして、ＰＩ等の触媒成分を効果的に担持させるこ
とができる。この結果、ＮＯｘ 、 ＳＯｘ、ＨＣｌ、
ハロゲンガス、ＣＯガス等が存在する排ガス中から、ポ
リ塩化ジベンゾダイオキノン、ポリ塩化ジベンゾフラン
等の毒性を有する有機塩素化合物を、前記排ガスを特別
に加熱する必要なく、長期にわたり効率よく除去するこ
とができる。
、Ｔｉｅ、、ＡＩＪｓおよびＳ１０．を含有する酸化物
からなる基体と、基体に担持された、ＰＩ、 Ｐｄ、Ｒ
ｕ、 Ｍｎ、 Ｃｕ、 ＣｒおよびＦｅからなる群より
選択された少なくとも１種の金属またはその酸化物とか
らなっている。このように、基体が、少なくともＴｉｅ
、、Ａｌ２Ｏ３および５ｉｎ２を含有する酸化物からな
っていることにより、触媒の低温における耐酸性が向上
し、そして、ＰＩ等の触媒成分を効果的に担持させるこ
とができる。この結果、ＮＯｘ 、 ＳＯｘ、ＨＣｌ、
ハロゲンガス、ＣＯガス等が存在する排ガス中から、ポ
リ塩化ジベンゾダイオキノン、ポリ塩化ジベンゾフラン
等の毒性を有する有機塩素化合物を、前記排ガスを特別
に加熱する必要なく、長期にわたり効率よく除去するこ
とができる。
好ましい触媒は、３０〜９０ｗｔ％のＴｉＯ□が被覆さ
れた、３ Ａ１．０３ ・２５ｉＯｚ即ちムライトを
含む酸化物からなる基体の表面上に、Ｐｔ、 Ｐｄ、
Ｒｕ、、Ｍｎ、 Ｃｕ、ＣｒおよびＦｅからなる群より
選択された少なくとも１種の金属またはその酸化物を担
持させてなる触媒である。
れた、３ Ａ１．０３ ・２５ｉＯｚ即ちムライトを
含む酸化物からなる基体の表面上に、Ｐｔ、 Ｐｄ、
Ｒｕ、、Ｍｎ、 Ｃｕ、ＣｒおよびＦｅからなる群より
選択された少なくとも１種の金属またはその酸化物を担
持させてなる触媒である。
基体を、上述したように、ムライトの表面に３０〜９０
ｗ１％のＴｉＯ２を被覆した構造とすれば、ムライトの
表面上に被覆されたＴｉＯ２により、その表面に微細な
凹凸が形成されるので、ＰＩ等の触媒成分を担持させて
高活性を得るのに必要な表面積を十分に確保することが
できる。更に、ムライ］・の表面を被覆するＴｉＯ□に
よって、排ガスの温度が低くても、基体に一段と優れた
耐酸性が付与される。従って、排ガス中に含有されてい
る硫黄化合物やハロゲン化合物等の影響を全く受けるこ
となく長期にわたり、安定して、有機塩素化合物の除去
を行うことができる。
ｗ１％のＴｉＯ２を被覆した構造とすれば、ムライトの
表面上に被覆されたＴｉＯ２により、その表面に微細な
凹凸が形成されるので、ＰＩ等の触媒成分を担持させて
高活性を得るのに必要な表面積を十分に確保することが
できる。更に、ムライ］・の表面を被覆するＴｉＯ□に
よって、排ガスの温度が低くても、基体に一段と優れた
耐酸性が付与される。従って、排ガス中に含有されてい
る硫黄化合物やハロゲン化合物等の影響を全く受けるこ
となく長期にわたり、安定して、有機塩素化合物の除去
を行うことができる。
ムライトの表面を被覆するＴｉＯ□の量は、基体全体の
３０〜９０ｗｔ％とすることが好ましい。ＴｉＯ２の量
が３（１ｗｊＸ未満では、ムライトの表面全体を被覆す
ることができず、Ｐｌ等の触媒成分の担持が不均一にな
り、且つ、耐酸性の向上が不十分になる。
３０〜９０ｗｔ％とすることが好ましい。ＴｉＯ２の量
が３（１ｗｊＸ未満では、ムライトの表面全体を被覆す
ることができず、Ｐｌ等の触媒成分の担持が不均一にな
り、且つ、耐酸性の向上が不十分になる。
方、Ｔｉｎ２の量が９０ｗｔ％を超えると、ＴｉＯ２の
被覆層が厚くなり過ぎて、基体の目開きを必要以上に狭
めてしまう問題が生ずる。
被覆層が厚くなり過ぎて、基体の目開きを必要以上に狭
めてしまう問題が生ずる。
排ガスを上述した触媒と反応させる際における排ガスの
温度は、１５０〜３５０℃の範囲内とすべきである。排
ガスのこのような温度は、一般に、焼却炉から排出され
た排ガスを冷却後、集塵装置で除塵した後の温度である
。このように、本発明によれば、焼却炉から排出された
排ガスを、特別に加熱することなく、排ガス中から有機
塩素化合物を除去することかできる。
温度は、１５０〜３５０℃の範囲内とすべきである。排
ガスのこのような温度は、一般に、焼却炉から排出され
た排ガスを冷却後、集塵装置で除塵した後の温度である
。このように、本発明によれば、焼却炉から排出された
排ガスを、特別に加熱することなく、排ガス中から有機
塩素化合物を除去することかできる。
排ガスの温度か１５０℃未満では、有機塩素化合物の除
去効率か低く、そして、排ガス中のＳＯｘ、ＨＣＩ等に
より触媒が劣化する問題が生ずる。一方、排ガスの温度
が３５０℃を超えると、触媒の変質を招き、その寿命が
短くなる。そして、例えば、排ガスの温度を、集塵装置
の下流側において、３５０℃を超えて高めるためには、
排ガスの加熱設備を設けなければならず、設備費および
ランニングコストが上昇する問題が生ずる。
去効率か低く、そして、排ガス中のＳＯｘ、ＨＣＩ等に
より触媒が劣化する問題が生ずる。一方、排ガスの温度
が３５０℃を超えると、触媒の変質を招き、その寿命が
短くなる。そして、例えば、排ガスの温度を、集塵装置
の下流側において、３５０℃を超えて高めるためには、
排ガスの加熱設備を設けなければならず、設備費および
ランニングコストが上昇する問題が生ずる。
触媒を通過する排ガス量は、触媒表面積１１当たり２５
０ｍ３／ｈｒ（ａｔ ｔｅｍｐ、）以下とすることが好
ましい。触媒表面積１ｍ２当たりの排ガス量が２５０ａ
＋’／ｈｒ（ａｔ ｔｅｍｐ、）を超えると、有機塩素
化合物の除去効率が低下する。
０ｍ３／ｈｒ（ａｔ ｔｅｍｐ、）以下とすることが好
ましい。触媒表面積１ｍ２当たりの排ガス量が２５０ａ
＋’／ｈｒ（ａｔ ｔｅｍｐ、）を超えると、有機塩素
化合物の除去効率が低下する。
排ガスの空間速度（ＳＶ）は、５００００以下とするこ
とが好ましい。空間速度（ＳＶ）が５００００を超える
と、何機塩素化合物の除去効率が低下する。空間速度＜
ＳＶ＞の好ましい下限は、１０００である。即ち、空
間速度（ＳＶ）が１０００未満では、徒に触媒の量が増
えるだけであり触媒コストの増大を招く。
とが好ましい。空間速度（ＳＶ）が５００００を超える
と、何機塩素化合物の除去効率が低下する。空間速度＜
ＳＶ＞の好ましい下限は、１０００である。即ち、空
間速度（ＳＶ）が１０００未満では、徒に触媒の量が増
えるだけであり触媒コストの増大を招く。
なお、排ガスの好ましい圧力は、０１〜ＪＯＸｇ／ｃ１
の範囲内である。
の範囲内である。
触媒の形状は、ペレット状、板状、円筒状、コルゲート
状、ハニカム状等、一体成形された任意の形状のものを
選ぶことができる。特に、第１［ｆｆｌに断面図で示す
ような、断面がコルゲート状のハニカム構造体Ａ、また
は、第２図に断面図で示すような、断面が格子状のハニ
カム構造体Ｂからなる触媒が好ましい。触媒を、このよ
うなハニカム構造体によって構成すれば、排ガス中に存
在するダストの量に応じた適切な開口率および目開き率
が容易に得られる。従って、ダストの付着による閉塞に
よって、圧力損失の増大や性能の低下が生ずることはな
く、触媒機能を円滑に発揮させることができる。
状、ハニカム状等、一体成形された任意の形状のものを
選ぶことができる。特に、第１［ｆｆｌに断面図で示す
ような、断面がコルゲート状のハニカム構造体Ａ、また
は、第２図に断面図で示すような、断面が格子状のハニ
カム構造体Ｂからなる触媒が好ましい。触媒を、このよ
うなハニカム構造体によって構成すれば、排ガス中に存
在するダストの量に応じた適切な開口率および目開き率
が容易に得られる。従って、ダストの付着による閉塞に
よって、圧力損失の増大や性能の低下が生ずることはな
く、触媒機能を円滑に発揮させることができる。
このような、ハニカム構造体からなる触媒の開口率は、
５０Ｘ以上とすることが必要である。開口率が５０％未
満では、圧力損失が増大し、ダストの付着による閉塞が
生じやすくなって、ハニカム構造体の利点を十分に発揮
させることができない。
５０Ｘ以上とすることが必要である。開口率が５０％未
満では、圧力損失が増大し、ダストの付着による閉塞が
生じやすくなって、ハニカム構造体の利点を十分に発揮
させることができない。
開口率の上限は特に限定されないが、開口率を９０Ｘ以
上にすると、そのためにハニカム構造体の隔壁を極度に
薄くしなければならず、従って、構造体の強度上から制
約を受ける場合が生ずる。
上にすると、そのためにハニカム構造体の隔壁を極度に
薄くしなければならず、従って、構造体の強度上から制
約を受ける場合が生ずる。
このような、ハニカム構造体からなる触媒の調製は、次
のようにして行われる。即ち、ムライトを含む酸化物を
、例えば押し出し成型機等を使用して、第１図に示した
コルゲート状または第２図に示した格子状に成形する。
のようにして行われる。即ち、ムライトを含む酸化物を
、例えば押し出し成型機等を使用して、第１図に示した
コルゲート状または第２図に示した格子状に成形する。
次いで、得られた成形体を、例えばスラリー状のＴｉＯ
２中に浸漬して、その表面がＴｉＯ□によって均一に被
覆された基体を調製する。このようにして調製された基
体の表面上に、Ｐｌ、Ｐｄ、 Ｒｕ、 Ｍｎ、 Ｃｕ、
ＣｒおよびＦｅからなる群より選択された少なくとも
１種の金属またはその酸化物を担持させる。かくして、
ハニカム構造体からなる触媒を容易に調製することがで
きる。
２中に浸漬して、その表面がＴｉＯ□によって均一に被
覆された基体を調製する。このようにして調製された基
体の表面上に、Ｐｌ、Ｐｄ、 Ｒｕ、 Ｍｎ、 Ｃｕ、
ＣｒおよびＦｅからなる群より選択された少なくとも
１種の金属またはその酸化物を担持させる。かくして、
ハニカム構造体からなる触媒を容易に調製することがで
きる。
次に、この発明を、実施例により更に詳細に説明する。
ムライトを含む酸化物の表面にＴｉＯ２が被覆された、
Ｔ】０２の含を量が６０ｗｔ％である、第１図に示すコ
ルゲート状のハニカム構造体からなる基体Ａを調製した
。基体への各部の寸法は、次の通りである。
Ｔ】０２の含を量が６０ｗｔ％である、第１図に示すコ
ルゲート状のハニカム構造体からなる基体Ａを調製した
。基体への各部の寸法は、次の通りである。
幅方向ピッチ（ａｌ ： ３．７ｍｍ長さ方向ピ
ッチｆｂｌ ： ７．５ｍｍ波状壁の厚さｆｃｌ
： ０．４ｍｒｎ側壁の厚さ ｆｄｌ ・
０．５ｍｍ開口率 ニア７ｘ このような基体へに、ＰＬ（２，５ｇ／触媒１１）を担
持させ、かくして、その表面がＴｉＯ２によって被覆さ
れたムライトからなる基体の表面上に、ＰＩか担持され
た、コルゲート状の触媒を調製した。
ッチｆｂｌ ： ７．５ｍｍ波状壁の厚さｆｃｌ
： ０．４ｍｒｎ側壁の厚さ ｆｄｌ ・
０．５ｍｍ開口率 ニア７ｘ このような基体へに、ＰＬ（２，５ｇ／触媒１１）を担
持させ、かくして、その表面がＴｉＯ２によって被覆さ
れたムライトからなる基体の表面上に、ＰＩか担持され
た、コルゲート状の触媒を調製した。
上述した触媒を使用し、第１表に示す条件下で、都市ご
み焼却炉から排出された排ガス中から、前記排ガス中に
含有されているポリ塩化ジベンゾダイオキシン（ＰＣＤ
Ｄ５）およびポリ塩化ジベンゾフラ：／ （ＰＣＤＦｓ
）の除去を行った。
み焼却炉から排出された排ガス中から、前記排ガス中に
含有されているポリ塩化ジベンゾダイオキシン（ＰＣＤ
Ｄ５）およびポリ塩化ジベンゾフラ：／ （ＰＣＤＦｓ
）の除去を行った。
第１表に、ポリ塩化ジベンゾダイオキシン（ＰＣＤＤ、
）およびポリ塩化ジベンゾフラン（ＰＣＤＦ５）の除
去率を併せて示す。
）およびポリ塩化ジベンゾフラン（ＰＣＤＦ５）の除
去率を併せて示す。
第 １
表
但し、温度：排ガスの温度
Ｓ■：空間速度
第１表から明らかなように、この発明の方法によれば、
排ガス中に含有されている毒性有機塩素化合物である、
ポリ塩化ジベンゾダイオキシン（ＰＣＤＤ、 ）および
ポリ塩化ジベンゾフラン（ＰＣＤＦｓ ）を、低温度で
極めて効率高く除去することができた。
排ガス中に含有されている毒性有機塩素化合物である、
ポリ塩化ジベンゾダイオキシン（ＰＣＤＤ、 ）および
ポリ塩化ジベンゾフラン（ＰＣＤＦｓ ）を、低温度で
極めて効率高く除去することができた。
以上述べたように、この発明によれば、焼却炉等から排
出された排ガス中に含有されているポリ塩化ジベンゾダ
イオキシン、ポリ塩化ジベンゾフラン等の毒性を有する
有機塩素化合物を、前記排ガスを特別に加熱する必要な
く、しかも、高い効率で前記排ガス中から除去すること
ができる工業上有用な効果がもたらされる。
出された排ガス中に含有されているポリ塩化ジベンゾダ
イオキシン、ポリ塩化ジベンゾフラン等の毒性を有する
有機塩素化合物を、前記排ガスを特別に加熱する必要な
く、しかも、高い効率で前記排ガス中から除去すること
ができる工業上有用な効果がもたらされる。
第１図はコルゲート状のハニカム構造体からなる基体の
一例を示す断面図、第２図は格子状のハニカム構造体か
らなる基体の一例を示す断面図である。 出願人 平 岡 正 勝
一例を示す断面図、第２図は格子状のハニカム構造体か
らなる基体の一例を示す断面図である。 出願人 平 岡 正 勝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、焼却炉等から排出された排ガスを、所定温度で触媒
と接触させることによって、前記排ガス中に含有されて
いるポリ塩化ジベンゾダイオキシン、ポリ塩化ジベンゾ
フラン等の有機塩素化合物を、前記排ガス中から除去す
る、排ガスの処理方法において、 前記触媒として、少なくとも、ＴｉＯ＿２、Ａｌ＿２Ｏ
＿３およびＳｉＯ＿２を含有する酸化物からなる基体の
表面上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｃｒおよび
Ｆｅからなる群より選択された少なくとも１種の金属ま
たはその酸化物を担持させてなる触媒を使用し、前記排
ガスを、１５０〜３５０℃の温度で前記触媒と接触させ
ることを特徴とする、排ガスの処理方法。 ２、前記触媒の前記基体が、３Ａｌ＿２Ｏ＿３・２Ｓｉ
Ｏ＿２を含有する酸化物の表面上に、３０〜９０ｗｔ％
のＴｉＯ＿２が被覆された酸化物からなっている、請求
項１に記載の方法。 ３、前記触媒が、５０％以上の開口率を有する、断面が
コルゲート状または格子状であるハニカム構造体からな
っている、請求項１または２に記載の方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2236195A JPH0714459B2 (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 排ガスの処理方法 |
| CA002067777A CA2067777A1 (en) | 1990-09-06 | 1991-09-05 | Method for removing organic chlorine compounds from combustion waste gas |
| EP91915616A EP0499644B1 (en) | 1990-09-06 | 1991-09-05 | Method for removing organochlorine compounds from combustion exhaust gas |
| DE69121550T DE69121550T2 (de) | 1990-09-06 | 1991-09-05 | Verfahren zum entfernen von organischen chlorierten verbindungen aus verbrennungsabgasen |
| KR1019920701055A KR950007917B1 (ko) | 1990-09-06 | 1991-09-05 | 연소배기가스로 부터 유기 염소 화합물의 제거방법 |
| US07/848,974 US5260044A (en) | 1990-09-06 | 1991-09-05 | Method for removing organic chlorine compounds from combustion waste gas |
| PCT/JP1991/001186 WO1992004104A1 (fr) | 1990-09-06 | 1991-09-05 | Procede d'elimination des composes organochlores contenus dans les gaz d'emission d'une combustion |
| TW081101299A TW206923B (ja) | 1990-09-06 | 1992-02-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2236195A JPH0714459B2 (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 排ガスの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04118027A true JPH04118027A (ja) | 1992-04-20 |
| JPH0714459B2 JPH0714459B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=16997188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2236195A Expired - Lifetime JPH0714459B2 (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 排ガスの処理方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5260044A (ja) |
| EP (1) | EP0499644B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0714459B2 (ja) |
| KR (1) | KR950007917B1 (ja) |
| CA (1) | CA2067777A1 (ja) |
| DE (1) | DE69121550T2 (ja) |
| TW (1) | TW206923B (ja) |
| WO (1) | WO1992004104A1 (ja) |
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| US6645902B2 (en) | 2000-05-15 | 2003-11-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Adsorbent having capability of decomposing organic halogen compounds and method for producing the same |
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- 1991-09-05 DE DE69121550T patent/DE69121550T2/de not_active Expired - Lifetime
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