JP2001327837A - 排ガス処理システム及び処理方法 - Google Patents

排ガス処理システム及び処理方法

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JP2001327837A
JP2001327837A JP2000152427A JP2000152427A JP2001327837A JP 2001327837 A JP2001327837 A JP 2001327837A JP 2000152427 A JP2000152427 A JP 2000152427A JP 2000152427 A JP2000152427 A JP 2000152427A JP 2001327837 A JP2001327837 A JP 2001327837A
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dioxins
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dust
gas treatment
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JP2000152427A
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Inventor
Takumi Suzuki
匠 鈴木
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Ind Ltd
三菱重工業株式会社
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    • Y02P10/25Process efficiency

Abstract

(57)【要約】 【課題】 系内からダストに付着したダイオキシン類を
排出することなく排ガス中のダイオキシン類等の処理を
高効率に行うことができる排ガス処理システム及び処理
方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 被処理物であるゴミを焼却処理する廃棄
物焼却炉101と、該焼却炉101から排出される95
0℃程度の排ガス11を水噴霧等の冷却手段によって約
250〜500℃程度まで冷却するガス冷却装置201
と、250℃〜500℃の高温状態で排ガス11中の有
害物質をガス状で分解する触媒反応器202と、該触媒
反応装置202の後流側に設けられ、減温塔104によ
り減温された排ガス中のダストを除去する集塵装置10
5と、浄化された排ガスを外部排出する煙突108とか
ら構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば都市ゴミ焼
却炉,産業廃棄物焼却炉,汚泥焼却炉等の各種焼却炉、
熱分解炉、溶融炉等から排出される排ガス中の有害物質
を浄化する技術に関し、特に排ガス中に含有される窒素
酸化物やダイオキシン類等のハロゲン化芳香族化合物並
びに高縮合度芳香族炭化水素,環境ホルモンを無害化す
るための排ガス処理システム及び処理方法に関する。
【0002】
【背景技術】例えば都市ゴミ焼却炉,産業廃棄物焼却
炉,汚泥焼却炉等の各種焼却炉から排出される排ガス中
には、塩化水素(HCl)、硫黄酸化物(SOx)、窒
素酸化物(NOx)の他、ダイオキシン類やPCB類に
代表される有害なハロゲン化芳香族化合物、高縮合度芳
香族炭化水素、環境ホルモン等の有害物質が含有され、
人体や動植物に被害をもたらし、自然環境を破壊するも
のとして、深刻な社会問題化している。
【0003】従来の都市ごみ焼却施設における排ガス処
理の一例を、図6に示す。図6に示すように、従来の排
ガス処理システムは、被処理物であるゴミを焼却処理す
る廃棄物焼却炉101と、該焼却炉101から排出され
る高温(750〜950℃)の排ガス11の排熱を回収
するボイラ102及び節炭器103と、熱回収後の排ガ
ス11を水噴霧等の冷却手段によって約150〜230
℃程度まで冷却する減温塔104と、排ガス11中の煤
塵を濾布で濾過集塵するバグフィルタ等の集塵装置10
5と、浄化された排ガスを再度加熱する再加熱器106
と、加熱された排ガス中のダイオキシン類を分解する触
媒反応器107と、浄化された排ガスを誘引送風機(図
示せず)等を介して外部排出する煙突108とから構成
されている。
【0004】この排ガス浄化システムによれば、バグフ
ィルタ,電気集塵機等の集塵装置105で排ガス11中
の煤塵を除き、排ガス11中の有害物質を濾布表面で捕
集して除くことができ、この際排ガス中の有害物質も同
時に捕集することで、煤塵や有害物質の除去が行われて
おり、さらに、触媒反応塔107でダイオキシン類の除
去効率を向上させ、煙突108から外部へ排出するダイ
オキシン類等の有害物質の排出を防止している。
【0005】また、集塵装置105へ導入される排ガス
11には、中和剤として消石灰(Ca(OH)2 )の粉
末のアルカリ物質109を相当量噴霧し、排ガスの酸性
成分である塩化水素((HCl)、硫黄酸化物(SO
x)を中和し、その後、煤塵や中和された反応生成物
(CaCl2 ,CaSO4 )がバグフィルター等の集塵
装置105内に装備した濾布によって集塵されている。
また、上記アルカリ物質109と共に反応助剤110や
活性炭111も同時に供給している。さらに、触媒反応
器107に導入される排ガスに還元剤112を供給する
ことでダイオキシン類の分解と同時に脱硝も行うように
している。なお、未反応の消石灰等のアルカリ物質10
9、あるいは、ダイオキシン類、重金属類並びに反応助
剤110や活性炭111もバグフィルタ105内で除去
されている。
【0006】なお、上記装置は一例であり、ボイラ等を
設けない場合には、ガス冷却手段を大型化して900℃
の温度の排ガスを200℃前後まで冷却するようにして
いる。
【0007】しかしながら、上記の処理においては、排
ガス中のダイオキシン類で触媒反応器107へ到達した
ものは当該触媒作用により完全にダイオキシン類が分解
され、煙突110からはダイオキシン類は排出されるこ
とはないが、排ガス中の煤塵(微細な焼却灰)、酸性物
質と中和剤の反応生成物、未反応の中和剤、重金属類、
ダイオキシン類等の混合物は集塵装置105であるバグ
フィルタの捕集灰(飛灰)として捕集され、排ガス中の
ダイオキシン類はそのまま捕集灰等のダストに付着した
ままで系外へ排出されているので、その処理が問題とな
っている。
【0008】また、特に集塵装置としてバグフィルタ等
のように低温(150℃)で除塵している場合には、ガ
ス状態の有害物質が少なく固体状態で集塵装置で除去さ
れる。また、ダスト成分のガス状態の有害物質もダスト
自身の吸着されることになり、集塵装置の後流側に設け
た触媒反応塔へ移行せずに、ダスト成分と共に系外へ除
去されることになる、という問題がある。
【0009】本発明は、上記問題に鑑み、排ガスを浄化
する際に、系内からダストに付着したダイオキシン類を
ほとんど排出することなく排ガス中のダイオキシン類等
の有害物質の処理を高効率でしかもコンパクトな構成で
処理することができる排ガス処理システム及び処理方法
を提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の[請求項1]の排ガス処理システムの発明は、焼却
炉,熱分解炉,溶融炉等から排出される排ガス中の有害
物質を分解処理する排ガス処理装置であって、250℃
〜500℃の高温状態で排ガス中の有害物質をガス状で
分解する触媒反応装置と、該触媒反応装置の後流側に設
けられ排ガス中のダストを除去する集塵装置とを備えて
なることを特徴とする。
【0011】[請求項2]の発明は、請求項1におい
て、上記触媒反応装置の前流側に高温状態の排ガス中の
ダストを除去する高温ダストフィルタを設けてなること
を特徴とす。
【0012】[請求項3]の発明は、請求項2におい
て、上記高温ダストフィルタが、セラミック・フィル
タ,粒子充填層フィルタであることを特徴とする。
【0013】[請求項4]の発明は、請求項2又は3に
おいて、上記高温ダストフィルタの前流側にホットサイ
クロンを設けたことを特徴とする。
【0014】[請求項5]の発明は、請求項1におい
て、上記排ガスの高温処理状態がダイオキシン類の再合
成温度領域を除くものであることを特徴とする。
【0015】[請求項6]の発明は、請求項1乃至5の
いずれか一項において、上記触媒反応装置に還元剤を供
給し、脱硝反応も同時に行うことを特徴とする。
【0016】[請求項7]の発明は、焼却炉,熱分解
炉,溶融炉等から排出される排ガス中の有害物質を分解
処理する排ガス処理方法であって、250℃〜1000
℃の高温状態で排ガス中の有害物質を分解し、その後排
ガスを冷却して排ガス中の煤塵を除去することを特徴と
する。
【0017】[請求項8]の発明は、請求項6におい
て、上記触媒反応の前流側で高温状態の排ガス中のダス
トを除去することを特徴とする。
【0018】[請求項9]の発明は、請求項8におい
て、上記排ガス中の有害物質がダイオキシン類,ポリハ
ロゲン化ビフェニル類,ハロゲン化ベンゼン類,ハロゲ
ン化フェノール類及びハロゲン化トルエン類から選ばれ
る少なくとも一種のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮
合度芳香族炭化水素,環境ホルモンであることを特徴と
する。
【0019】[請求項10]の発明は、請求項9におい
て、上記ダイオキシン類が、ポリ塩化ジベンゾ−p−ダ
イオキシン類(PCDDs)、ポリ塩化ジベンゾフラン
類(PCDFs)、ポリ臭素化ジベンゾ−p−ダイオキ
シン類(PBDDs)、ポリ臭素化ジベンゾフラン類
(PBDFs)、ポリ弗化ジベンゾ−p−ダイオキシン
類(PFDDs)、ポリ弗化ジベンゾフラン類(PFD
Fs)、ポリ沃素化ジベンゾ−p−ダイオキシン類(P
IDDs)、ポリ沃素化ジベンゾフラン類(PIDF
s)であることを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0021】[第1の実施の形態]図1は第1の実施の
形態にかかる排ガス処理システムの概略図である。先
ず、図1に示すように、排ガス浄化システム200は、
被処理物であるゴミを焼却処理する廃棄物焼却炉101
と、該焼却炉101から排出される950℃程度の排ガ
ス11を水噴霧等の冷却手段によって約250〜500
℃程度まで冷却するガス冷却装置201と、250℃〜
500℃の高温状態で排ガス11中の有害物質をガス状
で分解する触媒反応器202と、該触媒反応装置202
の後流側に設けられ、減温塔104により減温された排
ガス中のダストを除去する集塵装置105と、浄化され
た排ガスを外部排出する煙突108とから構成されてな
るものである。本実施の形態においては、上記触媒反応
器202の前流側に高温状態の排ガス中のダスト成分を
除去する高温ダストフィルタ203が設けられており、
触媒反応器202の劣化防止を図っている。また、本実
施の形態においては、集塵装置105へ導入される排ガ
スへ中和剤として消石灰(Ca(OH)2 )等の粉末の
アルカリ物質109を相当量噴霧し、排ガスの酸性成分
である塩化水素((HCl)、硫黄酸化物(SOx)を
中和し、その後、煤塵や中和された反応生成物(CaC
2 ,CaSO4 )がバグフィルター等の集塵装置10
5内に装備した濾布によって集塵されている。また、上
記アルカリ物質109と共に反応助剤110や活性炭1
11も同時に供給している。さらに、触媒反応器202
に導入される排ガスに還元剤112を供給することでダ
イオキシン類の分解と同時に脱硝も行うようにしてい
る。
【0022】本実施の形態においては、従来よりも高い
温度で触媒反応器にガスを通気通気することで、脱硝性
能も向上すると共にダイオキシン類分解率も向上する。
しかも、排ガス11が高温状態であるので、ダイオキシ
ン類の大部分がガス状態で存在するので、従来と較べて
発生したダイオキシン類の大部分を分解し、無害化する
ことができる。
【0023】すなわち、従来においては、バグフィルタ
のように低温(150℃)で除塵していたので、排ガス
中のダイオキシン類は蒸気(ガス状態)よりも固体状態
となる結果、排ガス中の煤塵に付着し、バグフィルタで
煤塵を吸着除去すると同時に、ダイオキシン類も補足さ
れて系外へ除去されていたので、系内から排出されるダ
イオキシン類が大部分が分解されずに、除去されたい
た。これに対し、本発明のように、ガス状態で触媒装置
でダイオキシン類を分解することにより、ダイオキシン
類を分解し、その後、バグフィルタ側へ移行するのは極
僅かとなる。この結果、系内から排出されるダイオキシ
ン類の総量を低減することができる。
【0024】また、排ガスを高温状態で処理しているの
で、Na塩,K塩等のアルカリ塩や酸性硫安等による触
媒反応器に充填される触媒の被毒も少ないものとなる。
【0025】また、高温フィルタで回収するダスト成分
はアルカリ成分が少ないので、灰溶融処理に適したもの
となり、減容化処理が容易となる。また、灰中のダイオ
キシン類量も少なく灰処理装置にかかる負担も少ないも
のとなる。なお、アルカリ物質109を含む灰は従来と
同様に集塵装置105により回収処理される。
【0026】本実施の形態にかかる上記高温フィルタ2
03は、セラミック・フィルタ,粒子充填層フィルタを
例示することができる。ここで、上記セラミック・フィ
ルタとしては、キャンドル型のフィルタ、チューブラー
型のフィルタ、クロスフロー型のフィルタ、ハニカム型
のフィルタを例示することができる。また、粒子充填層
フィルタとしては、ルーバ型、スクリーンレス型のフィ
ルタを例示することができる。
【0027】また、上記高温ダストフィルタ203の前
流側にホットサイクロンを設けるようにすることで、高
温ダストフィルタ203の負荷を低減することもでき
る。
【0028】また、本実施の形態にかかる上記除塵装置
105は、排ガス中の煤塵を除去する公知の煤塵除去装
置であれば、特に限定されるものではないが、例えば電
気集塵機(EP)、バグフィルタ(BF)、マルチサイ
クロン(MC)等を例示することができ、特にはバグフ
ィルタが好ましい。
【0029】ここで、本発明で高温のガス状態で処理さ
れる硫黄酸化物,塩化水素以外の排ガス中の有害物質と
は、ダイオキシン類やPXB(Xはハロゲンを表す。)
類に代表される有害なハロゲン化芳香族化合物、高縮合
度芳香族炭化水素等の有害物質をいうが、本発明により
処理される排ガス中の有害物質(又は環境ホルモン)で
あればこれらに限定されるものではない。
【0030】本発明で処理する芳香族ハロゲン系化合物
としては、ダイオキシン類やPCB類に代表される有害
な物質(例えば環境ホルモン)であればこれらに限定さ
れるものではない。ここで、前記ダイオキシン類とは、
ポリハロゲン化ジベンゾ−p−ダイオキシン類(PXD
Ds)及びポリハロゲン化ジベンゾフラン類(PXDF
s)の総称であり(Xはハロゲンを示す)、ハロゲン系
化合物とある種の有機ハロゲン化合物の燃焼時に微量発
生するといわれる。ハロゲンの数によって一ハロゲン化
物から八ハロゲン化物まであり、これらのうち、特に四
塩化ジベンゾ−p−ダイオキシン(T4 CDD)は、最
も強い毒性を有するものとして知られている。なお、有
害なハロゲン化芳香族化合物としては、ダイオキシン類
の他にその前駆体となる種々の有機ハロゲン化合物(例
えば、フェノール,ベンゼン等の芳香族化合物(例えば
ハロゲン化ベンゼン類,ハロゲン化フェノール及びハロ
ゲン化トルエン等)、ハロゲン化アルキル化合物等)が
含まれており、除去する必要がある。すなわち、ダイオ
キシン類とは塩素化ダイオキシン類のみならず、臭素化
ダイオキシン類等のハロゲン化ダイオキシン類を表す。
また、PXB類(ポリハロゲン化ビフェニル類)はビフ
ェニルにハロゲン原子が数個付加した化合物の総称であ
り、ハロゲンの置換数、置換位置により異性体がある
が、PCB(ポリ塩化ビフェニル)の場合では、2,6
−ジクロロビフェニル、2,2'−ジクロロビフェニル、
2,3,5−トリクロロビフェニル等が代表的なもので
あり、毒性が強く、焼却した場合にはダイオキシン類が
発生するおそれがあるものとして知られており、除去す
る必要がある。なお、PXB類には当然コプラナーPX
Bも含まれるのはいうまでもない。
【0031】また、高縮合度芳香族炭化水素は多核芳香
族化合物の総称であり、単数又は複数のOH基を含んで
もよく、発癌性物質として認められており、排ガス中か
ら除去する必要がある。
【0032】また、本発明で処理される窒素酸化物と
は、通常NO及びNO2 の他、これらの混合物をいい、
NOxとも称されている。しかし、該NOxにはこれら
以外に各種酸化数の、しかも不安定な窒素酸化物も含ま
れている場合が多い。従ってxは特に限定されるもので
はないが通常1〜2の値である。雨水等で硝酸、亜硝酸
等になり、またはNOは光化学スモッグの主因物質の一
つであるといわれており、人体には有害な化合物であ
る。
【0033】なお、本発明において、触媒反応器202
で用いられる脱硝及びダイオキシン類分解作用を奏する
ダイオキシン類等の分解触媒としては、特に限定される
ものではないが、耐熱性の例えばチタン(Ti),シリ
コン(Si),アルミニウム(Al),Zr(ジルコニ
ウム),P(リン),B(ボロン)から選ばれる少なく
とも一種からなる担体又はこれらの二種以上の元素を含
む複合酸化物からなる担体に、例えばバナジウム
(V),タングステン(W),モリブデン(Mo),ニ
オブ(Nb)又はタンタル(Ta)の酸化物のうち少な
くとも一種類の酸化物からなる活性成分を担持してなる
もの等の触媒や公知の高温のダイオキシン類分解触媒を
用いることができ、特に限定されるものではない。
【0034】そして脱硝を同時に行う場合には、アンモ
ニアガス等の還元剤112を噴霧することにより、脱硝
処理と脱ダイオキシン類処理を併せて行うようにしてい
る。
【0035】よって、本発明によれば、排ガス11を高
温状態で触媒処理できるので、ダイオキシン類やその前
駆体、窒素酸化物等の有害物質を上記類分解触媒の触媒
作用で分解処理できることになり、従来の較べて高効率
で分解・無害化処理することができる。
【0036】ここで、本発明で高温状態とは250〜5
00℃の排ガス温度をいい、特に好ましくは、ダイオキ
シン類の再合成温度領域を除外した範囲とするのが好ま
しい。上記ダイオキシン類の再合成温度領域は、排ガス
の組成やガス流速等の諸条件により左右され、明確に定
まっているものではないが、その一例を図4及び図5に
示す。
【0037】図4に示すものは、「Chemosphere,Vol.1
5,Nos9-12,pp1373-1378,1986 」の公知文献であり、2
時間各温度で空気中で加熱したものである。これにによ
れば、ダイオキシン類は約300℃前後に濃度集中がみ
られる。図5に示すものは、「10th Int. Symp on Chlo
rinated Dioxins and RelatedCompounds,Bayreuth, Se
p.10-14,1990」の公知文献であり、2時間各温度で水蒸
気を含む空気中で加熱したものである。これによれば、
ダイオキシン類は約300〜480℃前後に濃度集中が
みられる。このように、上記公知文献の例では、サンプ
リングした灰を2時間加熱した状態のものであり、実際
には排ガスは所定の流速で流れており、高温ダストフィ
ルタ203でダスト成分を除去したガス状態のダイオキ
シン類の前駆体は直ぐに触媒反応器202で処理され、
大幅な再合成はないものである。
【0038】よって、再合成を防ぐ場合には、処理する
システムに応じて再合成温度領域を測定し、その温度領
域を除くようにすればよい。なお、本発明では当該再合
成温度にあって、たとえダイオキシン類が再合成された
場合でも、その温度領域で触媒反応によりダイオキシン
類を分解処理するので、系外にダイオキシン類を排出す
ることようなことは生じるものではない。
【0039】[第2の実施の形態]図2に第2の実施の
形態にかかる排ガス処理装置の概略図を示す。図2に示
すように、図1に示す処理装置とは、ガス冷却装置20
1の代わりに、ボイラ301と節炭器302とを備えた
ものである。本実施の形態によれば、ボイラ301と節
炭器302とを備えてなるので、上記第1の実施の形態
に加え、排ガス11の廃熱を有効利用することができ
る。
【0040】[第3の実施の形態]図3に第3の実施の
形態にかかる排ガス処理装置の概略図を示す。図3に示
すように、図2に示す処理装置とは、ボイラ301と節
炭器302の前流側に高温ダストフィルタ203を設け
たものである。本実施の形態によれば、上記第2の実施
の形態に加え、ボイラ301及び節炭器302内におい
てのダイオキシン類の再合成も低減することができる。
【0041】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の[請求項
1]の発明によれば、焼却炉,熱分解炉,溶融炉等から
排出される排ガス中の有害物質を分解処理する排ガス処
理装置であって、250℃〜500℃の高温状態で排ガ
ス中の有害物質をガス状で分解する触媒反応装置と、該
触媒反応装置の後流側に設けられ排ガス中のダストを除
去する集塵装置とを備えてなるので、従来よりも高い温
度で触媒反応器にガスを通気通気することで、脱硝性能
も向上すると共にダイオキシン類分解率も向上する。ま
た、排ガスが高温状態であるので、ダイオキシン類の大
部分がガス状態で存在するので、従来と較べて発生した
ダイオキシン類の大部分を分解し、無害化することがで
き、排ガス処理システム内から排出されるダイオキシン
類の総量を大幅に低減することができる。
【0042】[請求項2]の発明によれば、請求項1に
おいて、上記触媒反応装置の前流側に高温状態の排ガス
中のダストを除去する高温ダストフィルタを設けてなる
ので、触媒反応器の寿命を向上することがきる。
【0043】[請求項3]の発明によれば、請求項2に
おいて、上記高温ダストフィルタが、セラミック・フィ
ルタ,粒子充填層フィルタであるので、250〜500
℃という高い温度領域で効率良くダスト成分を除去する
ことができる。
【0044】[請求項4]の発明によれば、請求項2又
は3において、上記高温ダストフィルタの前流側にホッ
トサイクロンを設けたので、高温ダストフィルタの寿命
が向上する。
【0045】[請求項5]の発明によれば、請求項1に
おいて、上記排ガスの高温処理状態がダイオキシン類の
再合成温度領域を除くものであるので、排ガス中のダイ
オキシン類の再合成率を低減させることができ、触媒反
応器での触媒分解能の低下を防止することができる。
【0046】[請求項6]の発明によれば、請求項1乃
至5のいずれか一項において、上記触媒反応装置に還元
剤を供給し、脱硝反応も同時に行うので、ダイオキシン
類の分解除去と共に、脱硝も行うことができる。
【0047】[請求項7]の発明によれば、焼却炉,熱
分解炉,溶融炉等から排出される排ガス中の有害物質を
分解処理する排ガス処理方法であって、250℃〜10
00℃の高温状態で排ガス中の有害物質を分解し、その
後排ガスを冷却して排ガス中の煤塵を除去するので、従
来よりも高い温度で触媒反応器にガスを通気通気するこ
とで、脱硝性能も向上すると共にダイオキシン類分解率
も向上する。
【0048】[請求項8]の発明によれば、請求項6に
おいて、上記触媒反応の前流側で高温状態の排ガス中の
ダストを除去するので、触媒反応器の寿命を向上するこ
とがきる。
【0049】[請求項9]の発明によれば、上記排ガス
中の有害物質であるダイオキシン類,ポリハロゲン化ビ
フェニル類,ハロゲン化ベンゼン類,ハロゲン化フェノ
ール類及びハロゲン化トルエン類から選ばれる少なくと
も一種のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮合度芳香族
炭化水素,環境ホルモンを分解処理することができ、処
理システム外へ排出することなく、処理システム内で分
解処理することができる。
【0050】[請求項10]の発明によれば、上記ダイ
オキシン類であるポリ塩化ジベ ンゾ−p−ダイオキシ
ン類(PCDDs)、ポリ塩化ジベンゾフラン類(PC
DFs)、ポリ臭素化ジベンゾ−p−ダイオキシン類
(PBDDs)、ポリ臭素化ジベンゾフラン類(PBD
Fs)、ポリ弗化ジベンゾ−p−ダイオキシン類(PF
DDs)、ポリ弗化ジベンゾフラン類(PFDFs)、
ポリ沃素化ジベンゾ−p−ダイオキシン類(PIDD
s)、ポリ沃素化ジベンゾフラン類(PIDFs)を分
解除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態にかかる排ガス処理システム
の一例を示す概略図である。
【図2】第2の実施の形態にかかる排ガス処理システム
の一例を示す概略図である。
【図3】第3の実施の形態にかかる排ガス処理システム
の一例を示す概略図である。
【図4】排ガス中のダイオキシン類の再合成温度分布の
一例を示す図である。
【図5】他の排ガス中のダイオキシン類の再合成温度分
布の一例を示す図である。
【図6】従来技術にかかる排ガス処理システムの一例を
示す概略図である。
【符号の説明】
11 排ガス 100 ゴミ 101 廃棄物焼却炉 102 ボイラ 103 節炭器 104 減温塔 105 集塵装置 106 再加熱器 107 触媒反応器 108 煙突 109 アルカリ物質 110 反応助剤 111 活性炭 112 還元剤 200 排ガス浄化システム 201 ガス冷却装置 202 触媒反応器 203 高温ダストフィルタ 301 ボイラ 302 節炭器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07C 25/18 F27D 17/00 104G 39/26 105A F23J 15/00 B01D 53/36 ZABG 15/06 53/34 134E F27D 17/00 104 53/36 101A F23J 15/00 H 105 A K Fターム(参考) 3K070 DA02 DA05 DA09 DA13 DA25 DA32 DA35 4D002 AA12 AA17 AA18 AA19 AA21 AB01 AC04 BA03 BA06 BA13 BA14 BA20 DA05 DA07 DA11 DA12 DA21 EA02 GA01 GA03 GB03 HA01 4D048 AA06 AA17 AB02 AB03 AC04 BA03Y BA04Y BA06Y BA07Y BA08Y BA13Y BA23Y BA24Y BA26Y BA27Y BA41Y BA42Y BA44Y CC38 CC51 CC54 CD03 CD05 CD08 DA03 DA06 4H006 AA05 AC13 EA21 EA22 FC52 FE13 FE73 4K056 AA19 BB01 CA20 DB02 DB13

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 焼却炉,熱分解炉,溶融炉等から排出さ
    れる排ガス中の有害物質を分解処理する排ガス処理装置
    であって、 250℃〜500℃の高温状態で排ガス中の有害物質を
    ガス状で分解する触媒反応装置と、該触媒反応装置の後
    流側に設けられ排ガス中のダストを除去する集塵装置と
    を備えてなることを特徴とする排ガス処理システム。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 上記触媒反応装置の前流側に高温状態の排ガス中のダス
    トを除去する高温ダストフィルタを設けてなることを特
    徴とする排ガス処理システム。
  3. 【請求項3】 請求項2において、 上記高温ダストフィルタが、セラミック・フィルタ,粒
    子充填層フィルタであることを特徴とする排ガス処理シ
    ステム。
  4. 【請求項4】 請求項2又は3において、 上記高温ダストフィルタの前流側にホットサイクロンを
    設けたことを特徴とする排ガス処理システム。
  5. 【請求項5】 請求項1において、 上記排ガスの高温処理状態がダイオキシン類の再合成温
    度領域を除くものであることを特徴とする排ガス処理シ
    ステム。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか一項におい
    て、 上記触媒反応装置に還元剤を供給し、脱硝反応も同時に
    行うことを特徴とする排ガス処理システム。
  7. 【請求項7】 焼却炉,熱分解炉,溶融炉等から排出さ
    れる排ガス中の有害物質を分解処理する排ガス処理方法
    であって、 250℃〜1000℃の高温状態で排ガス中の有害物質
    を分解し、その後排ガスを冷却して排ガス中の煤塵を除
    去することを特徴とする排ガス処理方法。
  8. 【請求項8】 請求項6において、 上記触媒反応の前流側で高温状態の排ガス中のダストを
    除去することを特徴とする排ガス処理方法。
  9. 【請求項9】 請求項8において、 上記排ガス中の有害物質がダイオキシン類,ポリハロゲ
    ン化ビフェニル類,ハロゲン化ベンゼン類,ハロゲン化
    フェノール類及びハロゲン化トルエン類から選ばれる少
    なくとも一種のハロゲン化芳香族化合物並びに高縮合度
    芳香族炭化水素,環境ホルモンであることを特徴とする
    排ガス処理方法。
  10. 【請求項10】 請求項9において、 上記ダイオキシン類が、ポリ塩化ジベンゾ−p−ダイオ
    キシン類(PCDDs)、ポリ塩化ジベンゾフラン類
    (PCDFs)、ポリ臭素化ジベンゾ−p−ダイオキシ
    ン類(PBDDs)、ポリ臭素化ジベンゾフラン類(P
    BDFs)、ポリ弗化ジベンゾ−p−ダイオキシン類
    (PFDDs)、ポリ弗化ジベンゾフラン類(PFDF
    s)、ポリ沃素化ジベンゾ−p−ダイオキシン類(PI
    DDs)、ポリ沃素化ジベンゾフラン類(PIDFs)
    であることを特徴とする排ガス処理方法。
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Cited By (6)

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