JPH0410216B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0410216B2 JPH0410216B2 JP57059249A JP5924982A JPH0410216B2 JP H0410216 B2 JPH0410216 B2 JP H0410216B2 JP 57059249 A JP57059249 A JP 57059249A JP 5924982 A JP5924982 A JP 5924982A JP H0410216 B2 JPH0410216 B2 JP H0410216B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- single crystal
- carbon heater
- polycrystalline
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02691—Scanning of a beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半
導体装置を製造する際に於ける非単結晶半導体層
の単結晶化に用いられる半導体層の熱処理方法に
関する。
導体装置を製造する際に於ける非単結晶半導体層
の単結晶化に用いられる半導体層の熱処理方法に
関する。
(b) 技術の背景
近時半導体装置として、素子形成が高密度化で
きるので素子の高集積化に適している、分離浮遊
容量が小さいので素子動作の高速化が図れる等の
利点からSOIS(Silicon On Insulating
Substrate)構造或るいはSOS(Silicon On
Sapphire)構造の半導体装置が注目されている。
きるので素子の高集積化に適している、分離浮遊
容量が小さいので素子動作の高速化が図れる等の
利点からSOIS(Silicon On Insulating
Substrate)構造或るいはSOS(Silicon On
Sapphire)構造の半導体装置が注目されている。
これらのSOIS或るいはSOS構造に於ては、二
酸化シリコン(SiO2)等の絶縁膜或るいはサフ
アイア上に形成された非単結晶シリコン(Si)層
を溶融することにより単結晶化し、該単結晶Si層
にトランジスタ、抵抗等の機能素子が形成され
る。
酸化シリコン(SiO2)等の絶縁膜或るいはサフ
アイア上に形成された非単結晶シリコン(Si)層
を溶融することにより単結晶化し、該単結晶Si層
にトランジスタ、抵抗等の機能素子が形成され
る。
そして上記非単結晶Si層を溶融して単結晶化す
る際には光線輻射による加熱方式が用いられる。
る際には光線輻射による加熱方式が用いられる。
(c) 従来技術と問題点
第1図は従来の赤外線加熱方法を模式的に示し
たもので、イは上面図、ロは断面図である。
たもので、イは上面図、ロは断面図である。
即ち従来の光(赤外)線加熱方法に於ては同図
に示すように、1500〜1600〔℃〕程度に通電加熱
された棒状のカーボン・ヒータ1を、例えばSi基
板2上に二酸化シリコン(SiO2)層3を介して
形成されている多結晶Si層4の上面に近付け、Si
基板2或るいはカーボン・ヒータ1を、カーボ
ン・ヒータ1の軸に直角方向に移動することによ
り、該カーボン・ヒータ1から照射される帯状の
光(赤外)線ビームで走査し、多結晶Si層4を一
方向から順次溶融再結晶せしめて単結晶Si層5を
形成していた。なお同図に於て、6はSi融液、7
は移動ステージ、8は走査方向矢印である。
に示すように、1500〜1600〔℃〕程度に通電加熱
された棒状のカーボン・ヒータ1を、例えばSi基
板2上に二酸化シリコン(SiO2)層3を介して
形成されている多結晶Si層4の上面に近付け、Si
基板2或るいはカーボン・ヒータ1を、カーボ
ン・ヒータ1の軸に直角方向に移動することによ
り、該カーボン・ヒータ1から照射される帯状の
光(赤外)線ビームで走査し、多結晶Si層4を一
方向から順次溶融再結晶せしめて単結晶Si層5を
形成していた。なお同図に於て、6はSi融液、7
は移動ステージ、8は走査方向矢印である。
しかし上記従来方法に於ては、カーボン・ヒー
タ1が多結晶Si層4面に沿つて一方向のみに移動
するので、カーボン・ヒータ1に温度むらや微小
な凹凸等が存在する場合には、融液内の温度分布
が乱れるために第2図に示すようにSi融液6と再
結晶する単結晶Si層5との境界面9がジグザグに
なる(1はカーボン・ヒータ、4は多結晶Si層、
8は走査方向矢印し)。そしてこの境界面の屈曲
点を起点にして単結晶Si層5内に小さい単結晶Si
粒10や双晶Si粒11が発生し、単結晶Si層の品
質が損なわれる。そのために該単結晶Si層を素子
形成基体として用いる半導体装置の性能や製造歩
留りが低下するという問題があつた。
タ1が多結晶Si層4面に沿つて一方向のみに移動
するので、カーボン・ヒータ1に温度むらや微小
な凹凸等が存在する場合には、融液内の温度分布
が乱れるために第2図に示すようにSi融液6と再
結晶する単結晶Si層5との境界面9がジグザグに
なる(1はカーボン・ヒータ、4は多結晶Si層、
8は走査方向矢印し)。そしてこの境界面の屈曲
点を起点にして単結晶Si層5内に小さい単結晶Si
粒10や双晶Si粒11が発生し、単結晶Si層の品
質が損なわれる。そのために該単結晶Si層を素子
形成基体として用いる半導体装置の性能や製造歩
留りが低下するという問題があつた。
(d) 発明の目的
本発明の目的は、帯状光(赤外)線ビーム走査
による非単結晶半導体層の単結晶化を小結晶粒や
双晶粒の発生を抑えて行う方法を提供し、前記問
題点を除去することにある。
による非単結晶半導体層の単結晶化を小結晶粒や
双晶粒の発生を抑えて行う方法を提供し、前記問
題点を除去することにある。
(e) 発明の構成
即ち本発明は、帯状の照射領域を有する光線ビ
ームにより、非単結晶半導体層の面を、該照射領
域の長手方向と直角な方向に走査的に照射し、該
半導体層を一方の端から順次溶融して単結晶化し
て行くに際し、該光線ビームと該半導体層との相
対位置を、該照射領域の長手方向に振動させなが
ら、前記走査的に照射を行うことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
ームにより、非単結晶半導体層の面を、該照射領
域の長手方向と直角な方向に走査的に照射し、該
半導体層を一方の端から順次溶融して単結晶化し
て行くに際し、該光線ビームと該半導体層との相
対位置を、該照射領域の長手方向に振動させなが
ら、前記走査的に照射を行うことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
(f) 発明の実施例
以下本発明を実施例について、図を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
ここで、第3図は本発明の方法に用いる光(赤
外)線加熱方法に於ける一実施例を示す上面模式
図イ及び断面模式図ロ、第4図は本発明の方法を
用いて形成した半導体装置の一実施例に於ける断
面図である。
外)線加熱方法に於ける一実施例を示す上面模式
図イ及び断面模式図ロ、第4図は本発明の方法を
用いて形成した半導体装置の一実施例に於ける断
面図である。
本発明の方法により、例えば多結晶Si層の単結
晶化を行うに際しては、例えば第3図に示すよう
に、Si基板2上に1〜2〔μm〕程度の二酸化シ
リコン(SiO2)絶縁膜3が形成され、更にその
上部に1〜2〔μm〕程度の気相成長多結晶Si層
4が形成されてなる被処理基板をXYステージ7
上に平置搭載する。そして被処理基板の上面即ち
気相成長多結晶Si層4の表面から1〔mm〕程度の
高さに1500〜1600〔℃〕程度に通電加熱された棒
状カーボン・ヒータ1を近ずけ、被処理基板をカ
ーボン・ヒータ1の軸方向例えばY方向に振幅1
〔mm〕、振動数1〔KHz〕程度で振動させた(12
は振動方向矢印し)状態で、棒状カーボン・ヒー
タ1から照射される帯状の光(赤外)線ビームに
より多結晶Si層4上をX方向に1〔mm/秒〕程度
の速度で走査し(13は走査方向矢印し)、前記
多結晶Si層4を一端部から順次溶融再結晶化し単
結晶Si層5を形成する。なお上記振動及び走査に
際しては被処理基板、カーボン・ヒータ1のいず
れを動かしても良い。図中6はSi融液を示す。
晶化を行うに際しては、例えば第3図に示すよう
に、Si基板2上に1〜2〔μm〕程度の二酸化シ
リコン(SiO2)絶縁膜3が形成され、更にその
上部に1〜2〔μm〕程度の気相成長多結晶Si層
4が形成されてなる被処理基板をXYステージ7
上に平置搭載する。そして被処理基板の上面即ち
気相成長多結晶Si層4の表面から1〔mm〕程度の
高さに1500〜1600〔℃〕程度に通電加熱された棒
状カーボン・ヒータ1を近ずけ、被処理基板をカ
ーボン・ヒータ1の軸方向例えばY方向に振幅1
〔mm〕、振動数1〔KHz〕程度で振動させた(12
は振動方向矢印し)状態で、棒状カーボン・ヒー
タ1から照射される帯状の光(赤外)線ビームに
より多結晶Si層4上をX方向に1〔mm/秒〕程度
の速度で走査し(13は走査方向矢印し)、前記
多結晶Si層4を一端部から順次溶融再結晶化し単
結晶Si層5を形成する。なお上記振動及び走査に
際しては被処理基板、カーボン・ヒータ1のいず
れを動かしても良い。図中6はSi融液を示す。
この方法によれば、棒状カーボン・ヒータ1と
多結晶Si層4面の相対位置がカーボン・ヒータ1
の軸方向に沿つて繰り返えし移動されるので、カ
ーボン・ヒータ1の温度むら及びカーボン・ヒー
タ1表面の細かい凹凸に起因する帯状ビームの温
度むらが均一化されるので、Si融液6内の温度分
布が一様になつて該Si層の固液界面が滑らかな直
線状になり、小さい単結晶Si粒や双晶Si粒等を含
まない良質の単結晶Si層5が周縁部を除いた殆ん
どの領域に形成される。なお図中14は結晶粒析
出領域を示す。
多結晶Si層4面の相対位置がカーボン・ヒータ1
の軸方向に沿つて繰り返えし移動されるので、カ
ーボン・ヒータ1の温度むら及びカーボン・ヒー
タ1表面の細かい凹凸に起因する帯状ビームの温
度むらが均一化されるので、Si融液6内の温度分
布が一様になつて該Si層の固液界面が滑らかな直
線状になり、小さい単結晶Si粒や双晶Si粒等を含
まない良質の単結晶Si層5が周縁部を除いた殆ん
どの領域に形成される。なお図中14は結晶粒析
出領域を示す。
例えばMOSトランジスタを具備するSOIS構造
の半導体ICの製造に当つては、上記工程を終つ
た後、例えば前記単結晶Si層に硼素Bをイオン注
入して、アニール処理を施して該単結晶Si層を
P-型とし、次いで例えばエツチング或るいは選
択酸化等の方法により該P-型単結晶Si層を複数
の領域に分離して、P-型単結晶Si層からなる複
数のメサ型素子配設基体を形成する。次いで例え
ば通常のMOSトランジスタの製造方法に従つて、
熱酸化等により前記素子配設基体上にゲート酸化
膜を形成し、次いで化学気相成長、選択エツチン
グ工程を経て前記ゲート酸化膜上に多結晶Siゲー
ト電極を形成し、次いで該Siゲート電極をマスク
にして砒素(As)イオンの選択注入を行い、次
いでアニール処理を行つて、第4図に示すように
前記メサ型素子配設基体にMOSトランジスタを
形成する。
の半導体ICの製造に当つては、上記工程を終つ
た後、例えば前記単結晶Si層に硼素Bをイオン注
入して、アニール処理を施して該単結晶Si層を
P-型とし、次いで例えばエツチング或るいは選
択酸化等の方法により該P-型単結晶Si層を複数
の領域に分離して、P-型単結晶Si層からなる複
数のメサ型素子配設基体を形成する。次いで例え
ば通常のMOSトランジスタの製造方法に従つて、
熱酸化等により前記素子配設基体上にゲート酸化
膜を形成し、次いで化学気相成長、選択エツチン
グ工程を経て前記ゲート酸化膜上に多結晶Siゲー
ト電極を形成し、次いで該Siゲート電極をマスク
にして砒素(As)イオンの選択注入を行い、次
いでアニール処理を行つて、第4図に示すように
前記メサ型素子配設基体にMOSトランジスタを
形成する。
第4図は上記MOSトランジスタの形成を終つ
た状態を示しており、図中2はSi基板、3は
SiO2絶縁膜、13はメサ型素子配設領域、14
はP-型Si活性領域、15はゲート酸化膜、16
は多結晶Siゲート電極、17はN+型ソース領域、
18はN+型ドレイン領域を表わしている。
た状態を示しており、図中2はSi基板、3は
SiO2絶縁膜、13はメサ型素子配設領域、14
はP-型Si活性領域、15はゲート酸化膜、16
は多結晶Siゲート電極、17はN+型ソース領域、
18はN+型ドレイン領域を表わしている。
そして通常通り絶縁膜の形成、配線等がなされ
て、MOSトランジスタを具備するSOIS構造の半
導体ICが提供される。
て、MOSトランジスタを具備するSOIS構造の半
導体ICが提供される。
(g) 発明の効果
以上説明したように、本発明によれば絶縁膜上
に小さな結晶粒或るいは双晶等を含まない良質の
単結晶シリコン層を形成することができる。
に小さな結晶粒或るいは双晶等を含まない良質の
単結晶シリコン層を形成することができる。
そして本発明の方法によれば前記実施例に示し
た二酸化シリコン絶縁膜以外の絶縁膜或るいはサ
フアイア、石英等の絶縁基板上にも良質の単結晶
シリコン層の形成が可能である。
た二酸化シリコン絶縁膜以外の絶縁膜或るいはサ
フアイア、石英等の絶縁基板上にも良質の単結晶
シリコン層の形成が可能である。
従つて本発明は、SOIS或いはSOS構造の半導
体ICの品質及び歩留まり向上に極めて有効であ
る。
体ICの品質及び歩留まり向上に極めて有効であ
る。
更に又本発明は、半導体層のアニール処理にも
適用できる。
適用できる。
第1図は従来の光(赤外)線加熱方法を示す上
面模式図イ及び断面模式図ロ、第2図は従来の単
結晶化状態模式図、第3図は本発明の方法に用い
る光(赤外)線加熱方法に於ける一実施例を示す
上面模式図イ及び断面模式図ロ、第4図は本発明
の方法を用いて形成した半導体装置に於ける一実
施例の断面図である。 図に於て、1は棒状カーボン・ヒータ、2はシ
リコン基板、3は二酸化シリコン絶縁膜、4は気
相成長多結晶シリコン層、5は単結晶シリコン
層、6はシリコン融液、7はXYステージ、12
は振動方向矢印し、13は走査方向矢印しを示
す。
面模式図イ及び断面模式図ロ、第2図は従来の単
結晶化状態模式図、第3図は本発明の方法に用い
る光(赤外)線加熱方法に於ける一実施例を示す
上面模式図イ及び断面模式図ロ、第4図は本発明
の方法を用いて形成した半導体装置に於ける一実
施例の断面図である。 図に於て、1は棒状カーボン・ヒータ、2はシ
リコン基板、3は二酸化シリコン絶縁膜、4は気
相成長多結晶シリコン層、5は単結晶シリコン
層、6はシリコン融液、7はXYステージ、12
は振動方向矢印し、13は走査方向矢印しを示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 帯状の照射領域を有する光線ビームにより、
非単結晶半導体層の面を、該照射領域の長手方向
と直角な方向に走査的に照射し、該半導体層を一
方の端から順次溶融して単結晶化して行くに際
し、 該光線ビームと該半導体層との相対位置を、該
照射領域の長手方向に振動させながら、前記走査
的に照射を行うことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57059249A JPS58176929A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
DE8383302004T DE3381126D1 (de) | 1982-04-09 | 1983-04-08 | Verfahren zur herstellung einer monokristallinen halbleiterschicht. |
EP83302004A EP0091806B1 (en) | 1982-04-09 | 1983-04-08 | A method for producing a single crystalline semiconductor layer |
US06/837,318 US4784723A (en) | 1982-04-09 | 1986-03-03 | Method for producing a single-crystalline layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57059249A JPS58176929A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58176929A JPS58176929A (ja) | 1983-10-17 |
JPH0410216B2 true JPH0410216B2 (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=13107915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57059249A Granted JPS58176929A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4784723A (ja) |
EP (1) | EP0091806B1 (ja) |
JP (1) | JPS58176929A (ja) |
DE (1) | DE3381126D1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0217179A3 (en) * | 1985-09-30 | 1989-05-31 | Allied Corporation | A method for laser crystallization of semiconductor islands on transparent substrates |
JPS62296509A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5238879A (en) * | 1988-03-24 | 1993-08-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the production of polycrystalline layers having granular crystalline structure for thin-film semiconductor components such as solar cells |
JPH02208293A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-17 | Kanazawa Univ | 多結晶シリコン膜の製造方法 |
JPH04253323A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5540183A (en) * | 1993-03-16 | 1996-07-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Zone-melting recrystallization of semiconductor materials |
KR100321541B1 (ko) * | 1994-03-09 | 2002-06-20 | 야마자끼 순페이 | 능동 매트릭스 디스플레이 장치의 작동 방법 |
US6723590B1 (en) | 1994-03-09 | 2004-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for laser-processing semiconductor device |
TW280037B (en) | 1994-04-22 | 1996-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Drive circuit of active matrix type display device and manufacturing method |
JP3897826B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2007-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型の表示装置 |
JP3841866B2 (ja) * | 1996-03-04 | 2006-11-08 | 三菱電機株式会社 | 再結晶化材料の製法、その製造装置および加熱方法 |
JPH11214700A (ja) | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置 |
JPH11338439A (ja) | 1998-03-27 | 1999-12-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置 |
JP3844613B2 (ja) | 1998-04-28 | 2006-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタ回路およびそれを用いた表示装置 |
US6872607B2 (en) | 2000-03-21 | 2005-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US6831299B2 (en) | 2000-11-09 | 2004-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP1513299B1 (en) | 2002-04-12 | 2009-06-10 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Vehicle intercommunication apparatus |
FR2843596B1 (fr) * | 2002-08-19 | 2006-04-28 | Laurent Andre Favaro | Procede d'oxydation couche par couche du silicium |
CN102160157B (zh) * | 2008-09-17 | 2015-11-25 | 应用材料公司 | 管理基板退火的热预算 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56108231A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-27 | Ushio Inc | Annealing method of semiconductor wafer |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE970859C (de) * | 1947-10-18 | 1958-11-06 | Jens Axel Freudendahl | Maehbinder |
JPS4822660B1 (ja) * | 1969-10-06 | 1973-07-07 | ||
US4015100A (en) * | 1974-01-07 | 1977-03-29 | Avco Everett Research Laboratory, Inc. | Surface modification |
US4059461A (en) * | 1975-12-10 | 1977-11-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof |
US4196041A (en) * | 1976-02-09 | 1980-04-01 | Motorola, Inc. | Self-seeding conversion of polycrystalline silicon sheets to macrocrystalline by zone melting |
JPS52143755A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Hitachi Ltd | Laser, zone melting device |
JPS535496A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Hitachi Ltd | Laser machining method and device |
JPS5680138A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor device |
JPS56142630A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
US4281030A (en) * | 1980-05-12 | 1981-07-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Implantation of vaporized material on melted substrates |
JPS5792831A (en) * | 1980-11-29 | 1982-06-09 | Toshiba Corp | Exposure to charged beam |
US4415794A (en) * | 1981-03-16 | 1983-11-15 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Laser scanning method for annealing, glass flow and related processes |
JPS57162433A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Scanning method for energy beam |
US4371421A (en) * | 1981-04-16 | 1983-02-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Lateral epitaxial growth by seeded solidification |
JPS57183023A (en) * | 1981-05-02 | 1982-11-11 | Fujitsu Ltd | Laser annealing |
US4406709A (en) * | 1981-06-24 | 1983-09-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of increasing the grain size of polycrystalline materials by directed energy-beams |
JPS5821319A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Fujitsu Ltd | レ−ザアニ−ル方法 |
US4466179A (en) * | 1982-10-19 | 1984-08-21 | Harris Corporation | Method for providing polysilicon thin films of improved uniformity |
US4444620A (en) * | 1983-09-12 | 1984-04-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Growth of oriented single crystal semiconductor on insulator |
US4737233A (en) * | 1984-10-22 | 1988-04-12 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method for making semiconductor crystal films |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP57059249A patent/JPS58176929A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-08 DE DE8383302004T patent/DE3381126D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1983-04-08 EP EP83302004A patent/EP0091806B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-03-03 US US06/837,318 patent/US4784723A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56108231A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-27 | Ushio Inc | Annealing method of semiconductor wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4784723A (en) | 1988-11-15 |
EP0091806A2 (en) | 1983-10-19 |
DE3381126D1 (de) | 1990-02-22 |
JPS58176929A (ja) | 1983-10-17 |
EP0091806B1 (en) | 1990-01-17 |
EP0091806A3 (en) | 1986-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0410216B2 (ja) | ||
US4514895A (en) | Method of forming field-effect transistors using selectively beam-crystallized polysilicon channel regions | |
JP3586558B2 (ja) | 薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置 | |
JPS5891621A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100706136B1 (ko) | 다결정 반도체 박막 기판, 그 제조 방법, 반도체 장치 및전자 장치 | |
JPH0450746B2 (ja) | ||
US4678538A (en) | Process for the production of an insulating support on an oriented monocrystalline silicon film with localized defects | |
JPS58192381A (ja) | Mos電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPS58139423A (ja) | ラテラルエピタキシヤル成長法 | |
JPH0236051B2 (ja) | ||
JPH02140916A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JPS5825220A (ja) | 半導体基体の製作方法 | |
JPH0468770B2 (ja) | ||
JPS59139624A (ja) | 試料の加熱方法 | |
JPH0136972B2 (ja) | ||
JPS59121823A (ja) | 単結晶シリコン膜形成法 | |
JP2695462B2 (ja) | 結晶性半導体膜及びその形成方法 | |
JPH06140324A (ja) | 半導体薄膜の結晶化方法 | |
JPS63174308A (ja) | 半導体薄膜結晶層の製造方法 | |
JPH0637112A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2526380B2 (ja) | 多層半導体基板の製造方法 | |
JPS62219510A (ja) | 単結晶島状領域の形成方法 | |
JPH0334847B2 (ja) | ||
JPH0283915A (ja) | 半導体単結晶薄膜の製造方法 | |
JPS5999714A (ja) | 半導体熱処理装置 |