JPH036828A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH036828A JPH036828A JP14168289A JP14168289A JPH036828A JP H036828 A JPH036828 A JP H036828A JP 14168289 A JP14168289 A JP 14168289A JP 14168289 A JP14168289 A JP 14168289A JP H036828 A JPH036828 A JP H036828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- resin
- semiconductor element
- electrode
- conductor wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
- H01L2224/05557—Shape in side view comprising protrusions or indentations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種電子機器に利用される半導体装置に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
従来の技術を第2図(al、 fblとともに説明する
。
。
まず第2図(alに示すように、セラミック、ガラス、
ガラスエポキシ等よりなる配線基板1の導体配線2を有
する面に絶縁性の樹脂5を塗布する。
ガラスエポキシ等よりなる配線基板1の導体配線2を有
する面に絶縁性の樹脂5を塗布する。
導体配線2はCr−Au、Al7.Cu、ito等であ
り、樹脂5は熱硬化型又は紫外線硬化型のエボ牛シ、シ
リコーン、アクリル等である。
り、樹脂5は熱硬化型又は紫外線硬化型のエボ牛シ、シ
リコーン、アクリル等である。
次に半導体素子3の突起電極4と導体配線2とを一致さ
せ、半導体素子3を加圧体6によって加圧し、配線基板
1に押し当てる。突起電極4はAl。
せ、半導体素子3を加圧体6によって加圧し、配線基板
1に押し当てる。突起電極4はAl。
Au、Cu等である。
この時、導体配線2上の樹脂5は周囲に押し出され、半
導体素子3の突起電極4と導体配線2は電気的に接触す
る。次に半導体素子3を加圧した状態で上部より紫外線
7を照射することにより、半導体素子3の周縁の樹脂5
を硬化させ仮固定する。更に半導体素子3を加圧しなが
ら加熱することにより樹脂5全体を硬化させる。この時
、第2図+b+の様に半導体素子3の突起電極4と導体
配線2は樹脂5の接着力により電気的接続がなされ、同
時に半導体素子3を配線基板1に固着することができる
。
導体素子3の突起電極4と導体配線2は電気的に接触す
る。次に半導体素子3を加圧した状態で上部より紫外線
7を照射することにより、半導体素子3の周縁の樹脂5
を硬化させ仮固定する。更に半導体素子3を加圧しなが
ら加熱することにより樹脂5全体を硬化させる。この時
、第2図+b+の様に半導体素子3の突起電極4と導体
配線2は樹脂5の接着力により電気的接続がなされ、同
時に半導体素子3を配線基板1に固着することができる
。
発明が解決しようとする課題
上記のように従来の技術では、半導体素子3の突起電極
4を配線基板1の導体配線2に直接接触させる方法であ
るため、多端子、狭ピッチの半導体素子3の実装に有利
な方法である。しかしながら、加圧を開放した時に突起
電極4の部分的弾性回復の差により半導体素子3の突起
電極4の先端形状が0.1〜0.5μm程度凸状となる
。
4を配線基板1の導体配線2に直接接触させる方法であ
るため、多端子、狭ピッチの半導体素子3の実装に有利
な方法である。しかしながら、加圧を開放した時に突起
電極4の部分的弾性回復の差により半導体素子3の突起
電極4の先端形状が0.1〜0.5μm程度凸状となる
。
そしてこれにより、半導体素子3の凸起電極4と配線基
板1の半導体配線2との接触点が減少し、接続の信頼性
が低下する。
板1の半導体配線2との接触点が減少し、接続の信頼性
が低下する。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明は、配線基板の導体配
線の表面を粗面としたものである。
線の表面を粗面としたものである。
作用
上記手段によれば、導体配線の表面を粗面としたので、
半導体素子の突起電極の先端形状が凸となっても半導体
素子の突起電極と導体配線との十分な接触点を確保する
ことができ接続に対する信頼性の高いものとなる。
半導体素子の突起電極の先端形状が凸となっても半導体
素子の突起電極と導体配線との十分な接触点を確保する
ことができ接続に対する信頼性の高いものとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第1図fat、 fb)とと
もに説明する。
もに説明する。
第1図ta+に示す様に、セラミック、ガラス、エポキ
シ等よりなる配線基板11上に表面粗さの大きい導体配
線12を形成し、半導体素子13を固着する部分に(導
体配線12上を含んで)絶縁性の樹脂15を塗布する。
シ等よりなる配線基板11上に表面粗さの大きい導体配
線12を形成し、半導体素子13を固着する部分に(導
体配線12上を含んで)絶縁性の樹脂15を塗布する。
導体配線12はCr−AuA1.Cu、ito等よりな
りその表面粗さは、RMAχで0.1〜1.0μm程度
にする。絶縁性の樹脂15は熱硬化型又は紫外線硬化型
のエポキシ、シリコーン、アクリル等である。次に半導
体素子13の突起電極14と導体配線12を一致させる
。突起電極14はA1.Au、Cu等である。さらに加
圧体16により半導体素子13を配線基板11に加圧す
る。この時、導体配線12上の樹脂15は周囲に押し出
され半導体素子3の突起電極4と導体配線2は電気的に
接触する。次に半導体素子3を加圧した状態で、上部よ
り紫外線17を照射することによって半導体素子13の
周縁部の樹脂15を硬化させ、仮固定する。さらに、こ
れを加熱することによって樹脂15を完全に硬化させ、
その接着力により、第1図fb)の様に半導体素子13
の突起電極14と導体配線12との電気的接続と半導体
素子13の機械的接続が完了される。この時、導体配線
12は突起電極4の先端形状の5量(0,1〜0.5μ
m程度)よりもその表面が大きく粗ているため、半導体
素子13の突起電極14との十分な接触点が確保される
。
りその表面粗さは、RMAχで0.1〜1.0μm程度
にする。絶縁性の樹脂15は熱硬化型又は紫外線硬化型
のエポキシ、シリコーン、アクリル等である。次に半導
体素子13の突起電極14と導体配線12を一致させる
。突起電極14はA1.Au、Cu等である。さらに加
圧体16により半導体素子13を配線基板11に加圧す
る。この時、導体配線12上の樹脂15は周囲に押し出
され半導体素子3の突起電極4と導体配線2は電気的に
接触する。次に半導体素子3を加圧した状態で、上部よ
り紫外線17を照射することによって半導体素子13の
周縁部の樹脂15を硬化させ、仮固定する。さらに、こ
れを加熱することによって樹脂15を完全に硬化させ、
その接着力により、第1図fb)の様に半導体素子13
の突起電極14と導体配線12との電気的接続と半導体
素子13の機械的接続が完了される。この時、導体配線
12は突起電極4の先端形状の5量(0,1〜0.5μ
m程度)よりもその表面が大きく粗ているため、半導体
素子13の突起電極14との十分な接触点が確保される
。
なお、導体配線12の表面粗さが大きいことにより、加
圧後半導体素子13の突起電極14と導体配線12の間
の樹脂を凹部へ流し、両者間に介在するのを防止できる
こととなる。
圧後半導体素子13の突起電極14と導体配線12の間
の樹脂を凹部へ流し、両者間に介在するのを防止できる
こととなる。
発明の効果
以上のように本発明は、突起電極の部分的弾性回復の差
による先端形状の5量よりも表面粗さの大きい導体配線
を用いることによって、半導体素子の凸起電極との十分
な接触点を確保し、また、半導体素子の突起電極と導体
配線との間の樹脂の介在を防止できるので、接続の信頼
性を向上させることができる。
による先端形状の5量よりも表面粗さの大きい導体配線
を用いることによって、半導体素子の凸起電極との十分
な接触点を確保し、また、半導体素子の突起電極と導体
配線との間の樹脂の介在を防止できるので、接続の信頼
性を向上させることができる。
第1図(al、(blは、本発明の半導体装置の製造方
法の一実施例を示す断面図と要部拡大断面図、第2図(
al、 fb)は従来の技術を示す断面図と要部拡大断
面図である。 11・・・・・・配線基板、12・・・・・・導体配線
、13・・・・・・半導体素子、14・・・・・・突起
電極、15・・・・・・樹脂。
法の一実施例を示す断面図と要部拡大断面図、第2図(
al、 fb)は従来の技術を示す断面図と要部拡大断
面図である。 11・・・・・・配線基板、12・・・・・・導体配線
、13・・・・・・半導体素子、14・・・・・・突起
電極、15・・・・・・樹脂。
Claims (1)
- 半導体素子の突起電極を、配線基板に設けた表面を粗
面とした導体配線に圧接させ、この状態で樹脂により半
導体素子と配線基板を固着した半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14168289A JPH0797597B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14168289A JPH0797597B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH036828A true JPH036828A (ja) | 1991-01-14 |
JPH0797597B2 JPH0797597B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=15297758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14168289A Expired - Fee Related JPH0797597B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0797597B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0567761A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメージセンサ |
JPH0535293U (ja) * | 1991-10-09 | 1993-05-14 | アルプス電気株式会社 | サ−マルヘツド |
US5496769A (en) * | 1993-04-30 | 1996-03-05 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for coating electronic components hybridized by bumps on a substrate |
US5545589A (en) * | 1993-01-28 | 1996-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device |
WO1998043289A1 (en) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, film carrier tape, and method for manufacturing them |
WO1999012197A1 (fr) * | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs colle par compression et convertisseur de courant faisant appel a ce dispositif |
EP1278612A1 (en) * | 2000-03-10 | 2003-01-29 | Chippac, Inc. | Flip chip interconnection structure |
JP2009130095A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
CN102612265A (zh) * | 2007-11-01 | 2012-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 内置元件电路板、内置元件电路板的制造方法 |
JP2016185675A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
CN108493200A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 |
US10388626B2 (en) | 2000-03-10 | 2019-08-20 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming flipchip interconnect structure |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4056424B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2008-03-05 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP14168289A patent/JPH0797597B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0567761A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメージセンサ |
JPH0535293U (ja) * | 1991-10-09 | 1993-05-14 | アルプス電気株式会社 | サ−マルヘツド |
US5545589A (en) * | 1993-01-28 | 1996-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device |
US6088236A (en) * | 1993-01-28 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having a bump having a rugged side |
US5496769A (en) * | 1993-04-30 | 1996-03-05 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for coating electronic components hybridized by bumps on a substrate |
US6627994B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-09-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and film carrier tape |
WO1998043289A1 (en) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, film carrier tape, and method for manufacturing them |
US6316288B1 (en) | 1997-03-21 | 2001-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and methods of manufacturing film camera tape |
KR100426883B1 (ko) * | 1997-03-21 | 2004-06-30 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체장치,필름캐리어테이프및이들의제조방법 |
WO1999012197A1 (fr) * | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs colle par compression et convertisseur de courant faisant appel a ce dispositif |
US8697490B2 (en) | 2000-03-10 | 2014-04-15 | Stats Chippac, Ltd. | Flip chip interconnection structure |
EP1278612A1 (en) * | 2000-03-10 | 2003-01-29 | Chippac, Inc. | Flip chip interconnection structure |
EP1278612A4 (en) * | 2000-03-10 | 2008-04-16 | Chippac Inc | BALL INTERCONNECTION STRUCTURE |
US10388626B2 (en) | 2000-03-10 | 2019-08-20 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming flipchip interconnect structure |
US7994636B2 (en) | 2000-03-10 | 2011-08-09 | Stats Chippac, Ltd. | Flip chip interconnection structure |
JP4903966B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2012-03-28 | スタッツ・チップパック・インコーポレイテッド | フリップチップ接合構造及びフリップチップ接合構造を形成する方法 |
JP2003526937A (ja) * | 2000-03-10 | 2003-09-09 | チップパック,インク. | フリップチップ接合構造 |
US8987901B2 (en) | 2007-11-01 | 2015-03-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Component built-in wiring board and manufacturing method of component built-in wiring board |
US8350388B2 (en) | 2007-11-01 | 2013-01-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Component built-in wiring board and manufacturing method of component built-in wiring board |
CN102612265A (zh) * | 2007-11-01 | 2012-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 内置元件电路板、内置元件电路板的制造方法 |
JP2009130095A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
JP2016185675A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
CN108493200A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0797597B2 (ja) | 1995-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH036828A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04301817A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JPH0777227B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001308146A (ja) | チップキャリアに半導体チップを取り付けるための装置 | |
JPH11103158A (ja) | プリント配線板へのフリップチップ実装方法および実装構造 | |
JPH0558660B2 (ja) | ||
JPH07302973A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPH02122531A (ja) | 電子部品の実装装置 | |
JPH01160029A (ja) | 半導体装置 | |
JPS62281360A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2780499B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
JPS62132331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02285650A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH02155257A (ja) | 半導体実装装置 | |
KR960001811A (ko) | 이방성 도전 접착제를 사용한 집적회로 실장 방법 | |
JPH0429339A (ja) | 半導体装置 | |
JP3319269B2 (ja) | 電子部品接合方法 | |
JPH0274092A (ja) | 実装体の製造方法 | |
JPS62252946A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0519306B2 (ja) | ||
JP3829649B2 (ja) | フリップチップ実装方法 | |
JP2712757B2 (ja) | ボンディングツール | |
JPH0212988A (ja) | フレキシブルプリント回路の接続方法 | |
JP3031134B2 (ja) | 電極の接続方法 | |
JP2841663B2 (ja) | 半導体装置の実装構造及び実装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |