JPH03130364A - 工材用基材の被覆法及び工材 - Google Patents
工材用基材の被覆法及び工材Info
- Publication number
- JPH03130364A JPH03130364A JP1319071A JP31907189A JPH03130364A JP H03130364 A JPH03130364 A JP H03130364A JP 1319071 A JP1319071 A JP 1319071A JP 31907189 A JP31907189 A JP 31907189A JP H03130364 A JPH03130364 A JP H03130364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- pulsed
- surface layer
- layer
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 20
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 19
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004035 construction material Substances 0.000 claims description 7
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- -1 zirconium carbides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 1
- 239000008207 working material Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 13
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 2
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/20—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture with provision for splicing to provide permanent or temporary connections
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
- B26D1/00—Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor
- B26D1/0006—Cutting members therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/36—Carbonitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/515—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
- C23C30/005—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process on hard metal substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
- B26D1/00—Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor
- B26D1/0006—Cutting members therefor
- B26D2001/002—Materials or surface treatments therefor, e.g. composite materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
- B26D1/00—Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor
- B26D1/0006—Cutting members therefor
- B26D2001/0046—Cutting members therefor rotating continuously about an axis perpendicular to the edge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
- B26D1/00—Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor
- B26D1/0006—Cutting members therefor
- B26D2001/0053—Cutting members therefor having a special cutting edge section or blade section
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
- B26D1/00—Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor
- B26D1/0006—Cutting members therefor
- B26D2001/0066—Cutting members therefor having shearing means, e.g. shearing blades, abutting blades
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Forests & Forestry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Pens And Brushes (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は工材用基材、有利に硬質合金又はスチールから
なる工材用基材をチタン及び／又はジルコンの炭化物、
窒化物及び／又はカルボニトリドでプラズマ−ＣＶＤ法
にょシ被覆するための方法に関する。更に、本発明は基
材と、プラズマ活性化ＣＶＤ−法により担持された、チ
タン及び／又はジルコニウムの炭化物、窒化物及び／又
はカルボニトリドから構成された少なくとも１つの表面
層とからなる前記方法により製造された工材に関する。
なる工材用基材をチタン及び／又はジルコンの炭化物、
窒化物及び／又はカルボニトリドでプラズマ−ＣＶＤ法
にょシ被覆するための方法に関する。更に、本発明は基
材と、プラズマ活性化ＣＶＤ−法により担持された、チ
タン及び／又はジルコニウムの炭化物、窒化物及び／又
はカルボニトリドから構成された少なくとも１つの表面
層とからなる前記方法により製造された工材に関する。
従来の技術
すでに、他の工材ｋ ｔ４械的又は化学的要求から保護
するためにうつ〜表面層の形で同じもの量適用すること
により硬質材料の脆性を回避するということは公知であ
る（ドイツ定期刊行物” Ａｎｇｅｗａｎｄｔ−ｅ Ｃ
ｈｅｍｉｅ ’ 第６９巻、第９号、第２８１〜３１
２頁、１９５７年５月７日参照）にうして、例えば厚さ
６μｍのＴｉＮ層での薄板の被覆は記載されている。
するためにうつ〜表面層の形で同じもの量適用すること
により硬質材料の脆性を回避するということは公知であ
る（ドイツ定期刊行物” Ａｎｇｅｗａｎｄｔ−ｅ Ｃ
ｈｅｍｉｅ ’ 第６９巻、第９号、第２８１〜３１
２頁、１９５７年５月７日参照）にうして、例えば厚さ
６μｍのＴｉＮ層での薄板の被覆は記載されている。
更に、例えばスイス特許第５０７０９４号明細書から硬
質合金基材と少なくとも１つの硬質材料層とからなる成
形体が公知であシ、この際硬質合金基材は硬質材料１４
４１以上と少なくとも１檎の結合剤からなり、この際硬
質材料層は硬質炭化物又は窒化物を含有する。この種の
成形体は良好な摩耗特性全盲しているので切削（ｃｕｔ
、シｉｎｇ）及び非切削（ｎｏｎ−ｃｕｔ、ｌｌＩｉｎ
ｇ）成形の工材のために使用することができる。この成
形体はＣＶＤ法（化学蒸着法）により、例えばスイス特
許第４５２２０５号明細書に記載されているよりに製造
される。このＣＶＤ法は今日量も使用される被覆法に属
し、この方法は一般に９００〜１２００℃の温度を有す
る活性ガス雰囲気から基材上に表面層を析出させるとい
う方法である。この際、ガス雰囲気は、この反応温度で
相互に反応し、表面層中に存在する物質を形成する多く
の化合物を含有する。金属基材を炭化物、窒化物又はカ
ルボニトリドからなる硬質材料層で金属基材を被覆する
ことは今日一般に行なわれて”ｔ 、この際ガス雰囲気
は周期律の第■〜■属の元素のハロゲン化物及び窒素含
有化合物及び炭素含有化合物を含有している。こうして
、塩化チタン及びメタンを含有するガス雰囲気から約１
０００℃で炭化チタン層が硬質合金基材上に析出する。
質合金基材と少なくとも１つの硬質材料層とからなる成
形体が公知であシ、この際硬質合金基材は硬質材料１４
４１以上と少なくとも１檎の結合剤からなり、この際硬
質材料層は硬質炭化物又は窒化物を含有する。この種の
成形体は良好な摩耗特性全盲しているので切削（ｃｕｔ
、シｉｎｇ）及び非切削（ｎｏｎ−ｃｕｔ、ｌｌＩｉｎ
ｇ）成形の工材のために使用することができる。この成
形体はＣＶＤ法（化学蒸着法）により、例えばスイス特
許第４５２２０５号明細書に記載されているよりに製造
される。このＣＶＤ法は今日量も使用される被覆法に属
し、この方法は一般に９００〜１２００℃の温度を有す
る活性ガス雰囲気から基材上に表面層を析出させるとい
う方法である。この際、ガス雰囲気は、この反応温度で
相互に反応し、表面層中に存在する物質を形成する多く
の化合物を含有する。金属基材を炭化物、窒化物又はカ
ルボニトリドからなる硬質材料層で金属基材を被覆する
ことは今日一般に行なわれて”ｔ 、この際ガス雰囲気
は周期律の第■〜■属の元素のハロゲン化物及び窒素含
有化合物及び炭素含有化合物を含有している。こうして
、塩化チタン及びメタンを含有するガス雰囲気から約１
０００℃で炭化チタン層が硬質合金基材上に析出する。
炭素含有化合物として特にガス状炭化水素を使用し、一
方窒素含有化合物としてＮ２、ＮＨ３又はアミンを使用
する。しかしながら約１０００℃の高い被覆温度は複合
体の強靭性損失の原因となる。
方窒素含有化合物としてＮ２、ＮＨ３又はアミンを使用
する。しかしながら約１０００℃の高い被覆温度は複合
体の強靭性損失の原因となる。
更に、工材−スチール上にＣＶＤ−法により耐摩耗性層
を担持することも公知である（ドイツ定期刊行物、ＶＤ
Ｉ−Ｚｓ第１２４巻、１９８２年、第１８号、９月（■
）、第６９３頁以降）。ここでも欠点としては被覆され
るべき工材が比較的長時間高温に保持されなければなら
ず、こうしてスチール中での粒状物の成長並びにオース
テナイト相（冷却によりマルチンサイト相に移行すべき
スチールの高温相）の安定化が生じると釦もわれる。Ｃ
ＶＤ−法の経過後、反応器を水素雰囲気下に２０〜５．
０６Ｃ／分の冷却速度で冷却するが、このことは水又は
油中での急冷により硬化するスチール種は全くその最高
硬度を達成しないという結果になる。このことも、高い
Ｃ’ＶＤ−析出温度が不所望な副作用を有すること金証
明する。
を担持することも公知である（ドイツ定期刊行物、ＶＤ
Ｉ−Ｚｓ第１２４巻、１９８２年、第１８号、９月（■
）、第６９３頁以降）。ここでも欠点としては被覆され
るべき工材が比較的長時間高温に保持されなければなら
ず、こうしてスチール中での粒状物の成長並びにオース
テナイト相（冷却によりマルチンサイト相に移行すべき
スチールの高温相）の安定化が生じると釦もわれる。Ｃ
ＶＤ−法の経過後、反応器を水素雰囲気下に２０〜５．
０６Ｃ／分の冷却速度で冷却するが、このことは水又は
油中での急冷により硬化するスチール種は全くその最高
硬度を達成しないという結果になる。このことも、高い
Ｃ’ＶＤ−析出温度が不所望な副作用を有すること金証
明する。
従って、低い析出温度を得るために、いわゆるプラズマ
支持ＣＶＤ−法が提案された。低圧グロー放電のプラズ
マ中で、ガス混合物は中性粒子、分子、解離分子、イオ
ン及び電子として生じる。低圧放電に訃ける非平衡状態
のために、電子の温度は重い粒子（イオン、中性粒子）
の温度よシ数千度高い。これにより化学反応工程は（Ｃ
ＶＤ法に訃いて必要な１０００℃をＴ１わっても）活性
化される。低圧プラズマは例えば１０〜１０００パスカ
ルの圧力にかける高周波交流電圧により又は直流電圧に
より生じる。低圧放電を生じさせるための最も簡単な方
法は被覆すべき工材をカソードと接続し、レシーバ−壁
をアノードとして接続することである。
支持ＣＶＤ−法が提案された。低圧グロー放電のプラズ
マ中で、ガス混合物は中性粒子、分子、解離分子、イオ
ン及び電子として生じる。低圧放電に訃ける非平衡状態
のために、電子の温度は重い粒子（イオン、中性粒子）
の温度よシ数千度高い。これにより化学反応工程は（Ｃ
ＶＤ法に訃いて必要な１０００℃をＴ１わっても）活性
化される。低圧プラズマは例えば１０〜１０００パスカ
ルの圧力にかける高周波交流電圧により又は直流電圧に
より生じる。低圧放電を生じさせるための最も簡単な方
法は被覆すべき工材をカソードと接続し、レシーバ−壁
をアノードとして接続することである。
これに対して、費用のかかる高周圧法は無電極で行なう
ことができる。有利にこの方法で金属基材も非金属基材
も被覆することができる。
ことができる。有利にこの方法で金属基材も非金属基材
も被覆することができる。
基材温度は供給される高周波エネルギーの機能である。
いずれにしても、この方法は著しく費用がかかシ、比較
的高価である。
的高価である。
更に、ヨーロッパ特許公開第Ｃｌ９９５２７号公報には
プラズマ−〇ＶＤ−法が記載されてカシ、この方法にか
いては被覆すべき基材に、マイナスの、プラズマを励起
する１５００Ｖｔでの直流電圧をかけ、この直流電圧に
例えば１．５．５６ ＭＨｚの高周波圧を重ねる。
プラズマ−〇ＶＤ−法が記載されてカシ、この方法にか
いては被覆すべき基材に、マイナスの、プラズマを励起
する１５００Ｖｔでの直流電圧をかけ、この直流電圧に
例えば１．５．５６ ＭＨｚの高周波圧を重ねる。
ドイツ特許公告第５０２７６８８号公報中には圧力１０
−２〜１０２ミ！７バール及び温度２００〜８００℃に
かける不活性ガス雰囲気中で複合体への表面被覆に関し
て少なくとも１０分間のグロー放電の保持に十分である
マイナス直流電圧をかける方法が記載されている。
−２〜１０２ミ！７バール及び温度２００〜８００℃に
かける不活性ガス雰囲気中で複合体への表面被覆に関し
て少なくとも１０分間のグロー放電の保持に十分である
マイナス直流電圧をかける方法が記載されている。
西ドイツ国特許公開第６Ｃｌ８４７号公報は金属の熱処
理法、特に鉄もしくはタングステンの部分真空中での炭
化法を記載してカシ、ここではグロー放電は容量性のエ
ネルギー蓄積の一瞬の放電であシ、すなわち短時間のサ
ージ電圧インパルスによりＸ起され、インパルス時間は
約１０−５〜１０−６秒である。個々のサージインパル
スの間のポーズは少なくともインパルス時間自体の１０
倍を遺択し、こうして中間時間にガス域の脱イオン、化
が生じる。
理法、特に鉄もしくはタングステンの部分真空中での炭
化法を記載してカシ、ここではグロー放電は容量性のエ
ネルギー蓄積の一瞬の放電であシ、すなわち短時間のサ
ージ電圧インパルスによりＸ起され、インパルス時間は
約１０−５〜１０−６秒である。個々のサージインパル
スの間のポーズは少なくともインパルス時間自体の１０
倍を遺択し、こうして中間時間にガス域の脱イオン、化
が生じる。
発明が解決しよりとする課題
本発明の課題は冒頭で挙げたＣ’ＶＤ−法を、高い被覆
温度が回避され、更に安い作業費用でできるかぎシ短か
い被覆時間が達せられるよりに改良することである。
温度が回避され、更に安い作業費用でできるかぎシ短か
い被覆時間が達せられるよりに改良することである。
更に、本発明の課題は冒頭にあげた種類の被覆工材であ
って、その表面被覆が均質であシ良好な接着を有する工
材を提供することである。
って、その表面被覆が均質であシ良好な接着を有する工
材を提供することである。
課題を解決するための手段
本発明の課題は請求項１に示した特徴を有する方法によ
り解決する。この方法の著しい特徴はパルスポーズに残
留する残留直流電圧の大きさがＣＶＤ法に関与したガス
の最も低いイオン化′ＮＬ位と同じか又はそれより大き
いパルス直流電圧である。しかしながら、この残留直流
電圧はパルス直流電圧の最大値の５０％を越えない。
り解決する。この方法の著しい特徴はパルスポーズに残
留する残留直流電圧の大きさがＣＶＤ法に関与したガス
の最も低いイオン化′ＮＬ位と同じか又はそれより大き
いパルス直流電圧である。しかしながら、この残留直流
電圧はパルス直流電圧の最大値の５０％を越えない。
パルス直流電圧は一般に最大振幅２００〜９０ロボルト
及び周期２０μｓ〜２０ｍ日である方形電圧である。２
つの最大電圧の間で直流電圧が口に下がらず、常に関与
するガスの最小イオン化電位をうわまわシ、最大電圧の
５０％をＴ１わるという条件をみたしているかぎシ、垂
直でない立上がシ側面及び下降側面並びに上辺傾斜を形
成する偏差は考えられる。最大パルス直流電圧に対する
（平均）残留直流電圧の比を０．０２〜０．５の間に調
節するのが有利である。
及び周期２０μｓ〜２０ｍ日である方形電圧である。２
つの最大電圧の間で直流電圧が口に下がらず、常に関与
するガスの最小イオン化電位をうわまわシ、最大電圧の
５０％をＴ１わるという条件をみたしているかぎシ、垂
直でない立上がシ側面及び下降側面並びに上辺傾斜を形
成する偏差は考えられる。最大パルス直流電圧に対する
（平均）残留直流電圧の比を０．０２〜０．５の間に調
節するのが有利である。
本発明の更なる実施法によれば、２つのパルスの間にあ
るパルスポーズに対するパルス長さ（１つのパルスのプ
ラスの電圧シグナルの長さ）の比ＨＤ、１〜０．６ （
０間である。４０ｏ〜６ｏ。
るパルスポーズに対するパルス長さ（１つのパルスのプ
ラスの電圧シグナルの長さ）の比ＨＤ、１〜０．６ （
０間である。４０ｏ〜６ｏ。
０Ｃの析出温度に訃いて層成長速度は０．５〜１０μｍ
／ ｈの間である。
／ ｈの間である。
公知低温被覆法、例えば反応性種の十分に直線的拡故が
行なわれる圧力範囲で作動し、これによりネ濁化効果（
ａｂＥｉｃｈａｌ、Ｌｕｎｇｓｅｆｆｅｋｌ、）が生じ
るマグネトロンーカンード噴霧、イオン−メツキ及びア
ーク蒸発とは異なり、本発明方法によれば簡単なチャー
ジのＣＶＤ−低温法をすべての面で良好な被覆にかいて
使用することができる。低圧グロー放電を生じさせるた
めにはプラズマパラメーター及び基材温度の十分な分断
を可能とするプラズマ発生器を使用する。パルスガス放
電は高電流もしくは高電圧にかけるアーク放電の危険性
を著しく低下させ、好適な監視で迅速な切断が基材の損
失を妨たげる。しかしながら、パルスポーズに訃いては
、直流電圧はＣＶＤ法に関与するガス分子の最低イオン
化電位と少なくとも同じ大きさの直流電圧が保持される
。残留直流電圧の最高値はパルス電圧の最大値の５０％
である。主なガス分子のイオン化電位は次にあげる： Ｈ：１６．６ ｅＶ、 Ｈ２：１５−８ ｅＶ、 Ｎ：
１４−５ ｅＶ、 Ｎ２：１５−７ｅＶ、 Ａｒ：１５
−７ ｅＶ、 Ｔｉ：１３−５７ ｅＶ ０更に、本発
明の課題は請求項８に記載した特敵を有する工材により
解決する；本発明の更なる実施態様は請求項９〜１８に
記載されている。
行なわれる圧力範囲で作動し、これによりネ濁化効果（
ａｂＥｉｃｈａｌ、Ｌｕｎｇｓｅｆｆｅｋｌ、）が生じ
るマグネトロンーカンード噴霧、イオン−メツキ及びア
ーク蒸発とは異なり、本発明方法によれば簡単なチャー
ジのＣＶＤ−低温法をすべての面で良好な被覆にかいて
使用することができる。低圧グロー放電を生じさせるた
めにはプラズマパラメーター及び基材温度の十分な分断
を可能とするプラズマ発生器を使用する。パルスガス放
電は高電流もしくは高電圧にかけるアーク放電の危険性
を著しく低下させ、好適な監視で迅速な切断が基材の損
失を妨たげる。しかしながら、パルスポーズに訃いては
、直流電圧はＣＶＤ法に関与するガス分子の最低イオン
化電位と少なくとも同じ大きさの直流電圧が保持される
。残留直流電圧の最高値はパルス電圧の最大値の５０％
である。主なガス分子のイオン化電位は次にあげる： Ｈ：１６．６ ｅＶ、 Ｈ２：１５−８ ｅＶ、 Ｎ：
１４−５ ｅＶ、 Ｎ２：１５−７ｅＶ、 Ａｒ：１５
−７ ｅＶ、 Ｔｉ：１３−５７ ｅＶ ０更に、本発
明の課題は請求項８に記載した特敵を有する工材により
解決する；本発明の更なる実施態様は請求項９〜１８に
記載されている。
特に接着強固であるし、かつ十分な強度をも有するとし
て、表面層の順序はＴｉＮ−層、１層以上のＴｉ（Ｃ，
Ｎ）−層、ＴｉＮ−層を示す。特に、結合剤、有利にＣ
ｏを６質量舜含有するＷＣからなる工材用基材が提案さ
れる。本発明の更なる実施形によればＷＣの３０％まで
がＴｉＣ、ＴａＣ及び／又はＮｂＣにより変換−されて
よい。どの層も５μｍより厚くない場合、すでに十分で
ある。
て、表面層の順序はＴｉＮ−層、１層以上のＴｉ（Ｃ，
Ｎ）−層、ＴｉＮ−層を示す。特に、結合剤、有利にＣ
ｏを６質量舜含有するＷＣからなる工材用基材が提案さ
れる。本発明の更なる実施形によればＷＣの３０％まで
がＴｉＣ、ＴａＣ及び／又はＮｂＣにより変換−されて
よい。どの層も５μｍより厚くない場合、すでに十分で
ある。
本発明は工材として例えば円形剪断ナイフ、特に酸化鉄
及び／又は酸化クロムからなる層で被覆されていて、音
又はビデオ信号のメモリーに好適な、例えばポリエステ
ルのよりなプラスチックからなる磁気テープを切断する
ための上部ナイフに好適であシ、これはチタンの炭化物
、窒化物及び／又はカルボニトリドからなる厚さ１〜４
μｍの均一で面平行の表面層少なくとも１層で被覆され
ており、この際表面層の面平行の偏差が口、ｏｏｓｍｍ
より小さく、かつ／又は粗面度Ｒｚが０．０８μｍよシ
小さい。
及び／又は酸化クロムからなる層で被覆されていて、音
又はビデオ信号のメモリーに好適な、例えばポリエステ
ルのよりなプラスチックからなる磁気テープを切断する
ための上部ナイフに好適であシ、これはチタンの炭化物
、窒化物及び／又はカルボニトリドからなる厚さ１〜４
μｍの均一で面平行の表面層少なくとも１層で被覆され
ており、この際表面層の面平行の偏差が口、ｏｏｓｍｍ
より小さく、かつ／又は粗面度Ｒｚが０．０８μｍよシ
小さい。
磁気テープはいわゆる動かされる層メモＩＪ−に属し、
例えば針状酸化鉄晶の層を有する。電気シグナルのメモ
リーは針状物のきめられた磁化であり、その際担体は一
定の速度で磁気移動機、いわゆる磁気ヘッドを通過する
。
例えば針状酸化鉄晶の層を有する。電気シグナルのメモ
リーは針状物のきめられた磁化であり、その際担体は一
定の速度で磁気移動機、いわゆる磁気ヘッドを通過する
。
この磁気テープは比較的幅の広いシートから縁移動連続
ナイフにより切断される。フェライト粉末の含有により
このテープ材料は強く、摩耗性に働らぐ、従ってすでに
コバルト６〜１５％を有する中程度の粒径の炭化タング
ステン−硬質合金からなる円形剪断ナイフを使用するこ
とが提案された（ ” Ｈａｒシｍｅｔｌａｌｌｆｕｒ
ｄｅｎ Ｐｒａｋｌ、１−ｋｅｒ ”、Ｄｒ、 Ｗ、
５ｃｈｅｄｌｅｒ著、ＶＤＩ−出版社、１９８８年、
第４９４頁参照）。しかしながら、このナイフは比較的
早く摩耗し、しばしば周囲面を研いで鋭（しなければな
らず、このことはその度にナイフの交換を条件付ける。
ナイフにより切断される。フェライト粉末の含有により
このテープ材料は強く、摩耗性に働らぐ、従ってすでに
コバルト６〜１５％を有する中程度の粒径の炭化タング
ステン−硬質合金からなる円形剪断ナイフを使用するこ
とが提案された（ ” Ｈａｒシｍｅｔｌａｌｌｆｕｒ
ｄｅｎ Ｐｒａｋｌ、１−ｋｅｒ ”、Ｄｒ、 Ｗ、
５ｃｈｅｄｌｅｒ著、ＶＤＩ−出版社、１９８８年、
第４９４頁参照）。しかしながら、このナイフは比較的
早く摩耗し、しばしば周囲面を研いで鋭（しなければな
らず、このことはその度にナイフの交換を条件付ける。
公知技術による薄板又は比較的大きな非可撓性の硬質合
金体の被覆は一般にＰＶＤ−又はＣＶＤ−法により行な
われる。し−Ｄｓ Ｌながら、円形剪断ナイフに訃ける
ＰＶＤ被榎被覆方の面のみ可能であり、更にＰＶＤ法に
より担持した表面層は平らでなく、高い圧力固有応力を
示し、こうしてこのナイフは変形し、使用不可能である
。
金体の被覆は一般にＰＶＤ−又はＣＶＤ−法により行な
われる。し−Ｄｓ Ｌながら、円形剪断ナイフに訃ける
ＰＶＤ被榎被覆方の面のみ可能であり、更にＰＶＤ法に
より担持した表面層は平らでなく、高い圧力固有応力を
示し、こうしてこのナイフは変形し、使用不可能である
。
公知技術によるＣＶＤ法に分いては従来必要とされた約
１０００℃という高い被覆温度が薄い円形剪断ナイフの
変形に作用し、かつ複合体の靭性の損失の原因となシ、
このことは高い破壊されやすさに現われる。このよりな
円形剪断ナイフも使用不可能である。
１０００℃という高い被覆温度が薄い円形剪断ナイフの
変形に作用し、かつ複合体の靭性の損失の原因となシ、
このことは高い破壊されやすさに現われる。このよりな
円形剪断ナイフも使用不可能である。
表面層の厚さは２〜３μｍが有利である。
本発明による円形剪断ナイフは有利に厚さ０．４〜０．
８醋、有利に０．５〜０．６１ｆｉＩＥの硬質合金体余
有し、これは更に有利に８０〜１５０ｍ１Ｘの、有利に
１００〜１２５朋の外径を有し、かつ／又は直径５０〜
８０朋、有利に６０〜７０關の中心孔を有する。
８醋、有利に０．５〜０．６１ｆｉＩＥの硬質合金体余
有し、これは更に有利に８０〜１５０ｍ１Ｘの、有利に
１００〜１２５朋の外径を有し、かつ／又は直径５０〜
８０朋、有利に６０〜７０關の中心孔を有する。
この円形剪断ナイフを軸上に６０個１で並列に配置する
こともでき、相当する下部ナイフと共にプラスチックシ
ート、特に磁気テープの切断のために使用される。
こともでき、相当する下部ナイフと共にプラスチックシ
ート、特に磁気テープの切断のために使用される。
硬質合金体のための材料として、結合材としてコバルト
６〜２５質ｉ％、有利に９〜１５質量％を有する炭化タ
ングステンが提案され、この際硬質合金体は炭化チタン
、炭化タンタル及び／又は炭化ニオブを３０質量多まで
含有していてよい。表面層中の塩素含量は本発明の更な
る構成によれば４質量％より少量である。複数被覆を担
持する場合、特に層の順序が窒化チタン、チタンカルボ
ニトリド及び窒化チタンが有利である。
６〜２５質ｉ％、有利に９〜１５質量％を有する炭化タ
ングステンが提案され、この際硬質合金体は炭化チタン
、炭化タンタル及び／又は炭化ニオブを３０質量多まで
含有していてよい。表面層中の塩素含量は本発明の更な
る構成によれば４質量％より少量である。複数被覆を担
持する場合、特に層の順序が窒化チタン、チタンカルボ
ニトリド及び窒化チタンが有利である。
本発′明の更なる利点を実施例並びに添付図面につき記
載する。
載する。
第１図に示した円形剪断ナイフは組成ＷＣ７８，５質を
俤、（Ｔｉ 、Ｔａ、Ｎｂ ） Ｃ１０賞量優、Ｃｏ
１１．５質量優の環状平面硬質合金体１１からなり、こ
れは次に記載する方法にょシ担持された厚さ約１．５μ
ｍの窒化チタン層１２で被覆されている。硬質合金体の
厚さｄ２ばＱ、５ｍｍでｔ＊、厚ｄ１は１．５μｍであ
シ、かつ外径りば１０６．５順で、内径ｄは７０關であ
る。
俤、（Ｔｉ 、Ｔａ、Ｎｂ ） Ｃ１０賞量優、Ｃｏ
１１．５質量優の環状平面硬質合金体１１からなり、こ
れは次に記載する方法にょシ担持された厚さ約１．５μ
ｍの窒化チタン層１２で被覆されている。硬質合金体の
厚さｄ２ばＱ、５ｍｍでｔ＊、厚ｄ１は１．５μｍであ
シ、かつ外径りば１０６．５順で、内径ｄは７０關であ
る。
被覆のためにはプラズマ支持ＣＶＤ−法でパルス直流電
圧を使用するが、このパルス直流電圧は一般に２００〜
９００ボルトの間の最大振幅と２Ｑ、ｕｅ〜２ Ｑ ｍ
ｓの周期を有する方形適圧である。２つの最大電圧の間
で直流電圧が口に下がらず、常に関与するがスの最小イ
オン化電飲金うわ筐わシ、最大電圧の５０％を下部ゎる
という条件金みたしているかぎシ、垂直でない立上がシ
側面及び下降側面並びに上辺傾斜を形成する偏差は考え
られる。最大パルス直流電圧に対する平均残留直流電圧
の比を０．０２〜０．５の間に調節するのが有利である
。本発明の更なる実施法によれば、２つのパルスの間に
あるパルスポーズに対するパルス長さ（１つのパルスの
プラスの適圧シグナルの長さ）の比はｏ、１〜０．６の
間である。析出温度的５５０℃で、この調節した条件に
訃いて層成長速度を０．５〜１０μｍ ／ ｈ ＩＩＣ
調節した。パルス直流電圧の概要経過金弟５図に示す。
圧を使用するが、このパルス直流電圧は一般に２００〜
９００ボルトの間の最大振幅と２Ｑ、ｕｅ〜２ Ｑ ｍ
ｓの周期を有する方形適圧である。２つの最大電圧の間
で直流電圧が口に下がらず、常に関与するがスの最小イ
オン化電飲金うわ筐わシ、最大電圧の５０％を下部ゎる
という条件金みたしているかぎシ、垂直でない立上がシ
側面及び下降側面並びに上辺傾斜を形成する偏差は考え
られる。最大パルス直流電圧に対する平均残留直流電圧
の比を０．０２〜０．５の間に調節するのが有利である
。本発明の更なる実施法によれば、２つのパルスの間に
あるパルスポーズに対するパルス長さ（１つのパルスの
プラスの適圧シグナルの長さ）の比はｏ、１〜０．６の
間である。析出温度的５５０℃で、この調節した条件に
訃いて層成長速度を０．５〜１０μｍ ／ ｈ ＩＩＣ
調節した。パルス直流電圧の概要経過金弟５図に示す。
図中Ｕｇとはイオン化電圧により決められた下方限界電
圧を示す。プラズマ−パルス−〇ＶＤ−法にょシ被偵さ
れた円形剪断ナイフは更に面平行（偏差＜ｏ、ｏｏ５ｍ
ｍ）で、粗面度Ｒｚ （０，０８μｍを有した。
圧を示す。プラズマ−パルス−〇ＶＤ−法にょシ被偵さ
れた円形剪断ナイフは更に面平行（偏差＜ｏ、ｏｏ５ｍ
ｍ）で、粗面度Ｒｚ （０，０８μｍを有した。
実験法において、非被覆円形剪断ナイフと本発明により
被覆した円形剪断ナイフとの比較実＠全実施した。切断
長さは約５９０ Ｋｍであった。表面被覆のない円形剪
断ナイフに訃いて、実験経過に依存して通常の切断鈍化
が生じた。
被覆した円形剪断ナイフとの比較実＠全実施した。切断
長さは約５９０ Ｋｍであった。表面被覆のない円形剪
断ナイフに訃いて、実験経過に依存して通常の切断鈍化
が生じた。
増大する鈍化は切断した磁気テープの縁の低下する品質
により明らかとなる。テープ縁にンーセーゾ様のものが
生じる。記載したよりに窒化チタンを有する円形剪断ナ
イフを用いると、実験の最初から最後寸で非常に高い水
準の均質なチーｆ縁品質が達せられる。全体で、この円
形剪断ナイフで再研削なしに２倍の耐用時間が達せられ
る。
により明らかとなる。テープ縁にンーセーゾ様のものが
生じる。記載したよりに窒化チタンを有する円形剪断ナ
イフを用いると、実験の最初から最後寸で非常に高い水
準の均質なチーｆ縁品質が達せられる。全体で、この円
形剪断ナイフで再研削なしに２倍の耐用時間が達せられ
る。
本発明による円形剪断ナイフを例えば第２図に示したよ
りな、多くの円形剪断ナイフ１０を！１１１１３及び１
４に並列に固定する配置で使用する。対向するよりに回
転する軸（矢印１６及び１７により示した）はシート１
５を均質な幅のテープに切断し、これを磁気テープとし
て担体上に巻きつける。
りな、多くの円形剪断ナイフ１０を！１１１１３及び１
４に並列に固定する配置で使用する。対向するよりに回
転する軸（矢印１６及び１７により示した）はシート１
５を均質な幅のテープに切断し、これを磁気テープとし
て担体上に巻きつける。
第３図は被覆すべき硬質合金体もしくは工材への電圧の
経過を示す。
経過を示す。
積層ゾラズ−ｑ −ＣＶＤ−法（ＰＡＣＶＤ ）でＴｉ
ＣＪ４、Ｎ２、Ｎ２及び／又はＣＨ，のガス混合物から
個々に、又は任意の順序でＴｉＮ 、 ＴｉＣ及びＴｔ
（ｃ、Ｎ）からなる層が析出し、例えば層の順序Ｔ’ｉ
Ｎ／Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）／ＴｉＮで複数被覆が硬質合金基材
上に析出する。チタン力ルボニ） ＩＪドは任意の混合
比Ｃ／Ｎで析出されうる。ＰＡＣ’ＶＤ−層の典型的な
特性及び組成を次の表に示す： ＴｉＮ Ｔｊ（Ｃ，Ｎ） ＴｉＣ
硬度ＨＶ０．０５ ２０００〜２４００２２００−５４
００３０００〜３４００格子定数（ｎｍ） ０
．４２４ ０．４２４−０．４５６ ０．４５５典型
的分析値００ Ｔｊ ７７．５ ７８．４ ７８
．１Ｎ １９．９ １１．２Ｃ８
，４１８，９ ００，２０，９１，２ （Ｊ Ｏ，６１，１０，８層はチタン
、窒素もしくは炭素及び酸素の他に塩素０．５〜４質童
優を含府する。
ＣＪ４、Ｎ２、Ｎ２及び／又はＣＨ，のガス混合物から
個々に、又は任意の順序でＴｉＮ 、 ＴｉＣ及びＴｔ
（ｃ、Ｎ）からなる層が析出し、例えば層の順序Ｔ’ｉ
Ｎ／Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）／ＴｉＮで複数被覆が硬質合金基材
上に析出する。チタン力ルボニ） ＩＪドは任意の混合
比Ｃ／Ｎで析出されうる。ＰＡＣ’ＶＤ−層の典型的な
特性及び組成を次の表に示す： ＴｉＮ Ｔｊ（Ｃ，Ｎ） ＴｉＣ
硬度ＨＶ０．０５ ２０００〜２４００２２００−５４
００３０００〜３４００格子定数（ｎｍ） ０
．４２４ ０．４２４−０．４５６ ０．４５５典型
的分析値００ Ｔｊ ７７．５ ７８．４ ７８
．１Ｎ １９．９ １１．２Ｃ８
，４１８，９ ００，２０，９１，２ （Ｊ Ｏ，６１，１０，８層はチタン
、窒素もしくは炭素及び酸素の他に塩素０．５〜４質童
優を含府する。
本発明方法により製造したプライス工材は高い耐用時間
を示した。こうしてＣＶＤによ、！７ Ｔ１ｃ／’ｒ
ｉ （Ｃ、Ｎ ）／’ｒ ｉ Ｎで被覆したフライス盤
と、ＰＡＣＶＤによ、ｉ１） Ｔ’ｉＮ ５μｍで被覆
したフライス＠ ５ＰＫＮ１２０５ＥＤＲを、これで熱
処理スチー／’ ４２ ＣｒＭ。
を示した。こうしてＣＶＤによ、！７ Ｔ１ｃ／’ｒ
ｉ （Ｃ、Ｎ ）／’ｒ ｉ Ｎで被覆したフライス盤
と、ＰＡＣＶＤによ、ｉ１） Ｔ’ｉＮ ５μｍで被覆
したフライス＠ ５ＰＫＮ１２０５ＥＤＲを、これで熱
処理スチー／’ ４２ ＣｒＭ。
４Ｖからなるブロック（１０００Ｎ／ｖＬＴｌＬ２）
ｆフライス切削することにより相互に比較した。
ｆフライス切削することにより相互に比較した。
ＣＶＤにより被覆したプレートは１２０Ｃｌ１１の７ラ
イス切削工程の後主刃に破壊が生じ、１方ＰＡＣＶＤ
により被覆したプレート（本発明による）は２倍のフラ
イス切削工程の後にもなお切削可能である。この実験は
本発明によるＰＡＣＶＤ−法で被覆した刃部材が著しく
靭性であることを示す。本発明による部材はＰＶＤ（Ｐ
ｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ ｉ ｔ ｉ
ｏｎ 、物理的蒸着法；被覆温度約５００℃）により被
覆された刃部材に比較しても利点を有する。ＰＶＤ法に
よる刃部材は改良された靭性を有するが、耐摩耗性は本
発明により被覆された刃部材には達しない。このことを
次の実験により示す。この方法においては、ＰＡＣＶＤ
法によ！ｌ ＴｉＮもＩ、＜ ｋｔＴｉＮ／Ｔｉ （Ｃ
，Ｎ）／ＴｉＮで被覆されたフライス盤とＰＶＤ法によ
りＴｉＮで被覆されたフライス盤とを試験した。この実
験の原理と結果とを第４図に示した。
イス切削工程の後主刃に破壊が生じ、１方ＰＡＣＶＤ
により被覆したプレート（本発明による）は２倍のフラ
イス切削工程の後にもなお切削可能である。この実験は
本発明によるＰＡＣＶＤ−法で被覆した刃部材が著しく
靭性であることを示す。本発明による部材はＰＶＤ（Ｐ
ｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ ｉ ｔ ｉ
ｏｎ 、物理的蒸着法；被覆温度約５００℃）により被
覆された刃部材に比較しても利点を有する。ＰＶＤ法に
よる刃部材は改良された靭性を有するが、耐摩耗性は本
発明により被覆された刃部材には達しない。このことを
次の実験により示す。この方法においては、ＰＡＣＶＤ
法によ！ｌ ＴｉＮもＩ、＜ ｋｔＴｉＮ／Ｔｉ （Ｃ
，Ｎ）／ＴｉＮで被覆されたフライス盤とＰＶＤ法によ
りＴｉＮで被覆されたフライス盤とを試験した。この実
験の原理と結果とを第４図に示した。
この実験において使用した条件は次の通シである：
回転式剪断プレートニ ５ＥＫＮ １２０３ ＡＦＴＮ
、基材 刊Ｍ−３部材： スチールＣ４５
１幅５５、長さ５０α切削速度： ｖｃ＝２００ｍ／
分 切削深さ＝ ａ＝５ｍ 送シ／切刃：ｆ２＝Ｑ、ｌ＃Ｉｇ 被覆層： Ｉ ＴｉＮ ＰＶＤ（
厚さ 〜３μｍ）２ ＴｉＮ プ
ラズマ−ＣＶＤ３ ＴｉＮ−Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）−ＴｉＮ
プラズマ−ＣＶＯスチールＣ４５の７ライス切削にお
いて（切削速度２００ｍ／分、切削深さ５ｍ、送シ／切
刃０．１１１１１ ）、ここではより硬質な多層被覆が
全体で最高の結果を示す。ＰＡＣＶＤ被覆は高度合金化
、オーステナイトスチールのフライス切削においても、
第５図に示したもう１つのフライス切削実験の結果（切
削盤： ５ＥＫＮ １２０３ ＡＦＴ、部材＝ ２８
ＮｉＣｒＭｏ ７４．１９５Ｘ７００朋、フライス盤
、６切刃： ＷＩＤＡＸＭ６５ （８０φ）切削速度：
２００ｒｎ／分、切削深さ１５問、送ジ／切刃０．２１
１１１．フライス切削長さ＝１４ｍクレータ摩耗＝測定
不可）が示すよりに利点を有する。ＰＶＤ被覆により公
知の水準よりゾラヰ ズマ活性化ＣＶＤ被覆は優れている。
、基材 刊Ｍ−３部材： スチールＣ４５
１幅５５、長さ５０α切削速度： ｖｃ＝２００ｍ／
分 切削深さ＝ ａ＝５ｍ 送シ／切刃：ｆ２＝Ｑ、ｌ＃Ｉｇ 被覆層： Ｉ ＴｉＮ ＰＶＤ（
厚さ 〜３μｍ）２ ＴｉＮ プ
ラズマ−ＣＶＤ３ ＴｉＮ−Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）−ＴｉＮ
プラズマ−ＣＶＯスチールＣ４５の７ライス切削にお
いて（切削速度２００ｍ／分、切削深さ５ｍ、送シ／切
刃０．１１１１１ ）、ここではより硬質な多層被覆が
全体で最高の結果を示す。ＰＡＣＶＤ被覆は高度合金化
、オーステナイトスチールのフライス切削においても、
第５図に示したもう１つのフライス切削実験の結果（切
削盤： ５ＥＫＮ １２０３ ＡＦＴ、部材＝ ２８
ＮｉＣｒＭｏ ７４．１９５Ｘ７００朋、フライス盤
、６切刃： ＷＩＤＡＸＭ６５ （８０φ）切削速度：
２００ｒｎ／分、切削深さ１５問、送ジ／切刃０．２１
１１１．フライス切削長さ＝１４ｍクレータ摩耗＝測定
不可）が示すよりに利点を有する。ＰＶＤ被覆により公
知の水準よりゾラヰ ズマ活性化ＣＶＤ被覆は優れている。
更なるフライス切削実験において、本発明方法により製
造した工材により、公知技術水準により公知のフライス
盤の２倍より長く、部分的には３倍より長い耐用時間が
達せられる。
造した工材により、公知技術水準により公知のフライス
盤の２倍より長く、部分的には３倍より長い耐用時間が
達せられる。
更なる実施例において析出した炭化チタン層は明らかに
微細晶構造を有する破断面組織を示す。微少硬度＆！
３０００〜３４００ ＨＶ ０．０５の間にある。
微細晶構造を有する破断面組織を示す。微少硬度＆！
３０００〜３４００ ＨＶ ０．０５の間にある。
第１図は窒化チタン被覆硬質合金−環状プレートの断面
図であシ、第２図は軸上に多くの円形剪断ナイフを配置
して有する剪断装置を示す図であり、第３図は被覆すべ
き硬質合金体でのグロー放電を生じさせるための電圧経
過を示すグラフ図であり、第生図及び第５図は実施した
フライス切削テストの結果をそれぞれ示したグラフ図で
ある。 １０・・・円形剪断ナイフ、１１・・・硬質合金体、１
２・・・表面層、１３．１４・・・軸、１５・・・ジー
トコ も 址 、５ ＴｉＮ−Ｔｉ （Ｃ，Ｎ）−ＴｉＮ 手 （方式） １、事件の表示 千Ｉｉｉ、１ 年 特許願 第 ３１９０７１ 号２
、発明の名称 工材用基材の被覆法及び工材 補正をする者 事件との関係
図であシ、第２図は軸上に多くの円形剪断ナイフを配置
して有する剪断装置を示す図であり、第３図は被覆すべ
き硬質合金体でのグロー放電を生じさせるための電圧経
過を示すグラフ図であり、第生図及び第５図は実施した
フライス切削テストの結果をそれぞれ示したグラフ図で
ある。 １０・・・円形剪断ナイフ、１１・・・硬質合金体、１
２・・・表面層、１３．１４・・・軸、１５・・・ジー
トコ も 址 、５ ＴｉＮ−Ｔｉ （Ｃ，Ｎ）−ＴｉＮ 手 （方式） １、事件の表示 千Ｉｉｉ、１ 年 特許願 第 ３１９０７１ 号２
、発明の名称 工材用基材の被覆法及び工材 補正をする者 事件との関係
Claims (18)
- １．工材用基材をプラズマ−ＣＶＤ−法によりチタン及
び／又はジルコニウムの炭化物、窒化物及び／又はカル
ボニトリドで被覆するための方法において、プラズマ活
性化をカソードとして接続した工材用基材で、パルスポ
ーズに残留する残留直流電圧の大きさがＣＶＤ−法に関
与するガスの最小イオン化電位と同じか又はそれより大
きいが、最高でもパルス直流電圧最大値の５０％の大き
さであるパルス直流電圧により実施することを特徴とす
る工材用基材の被覆法。 - ２．パルス直流電圧を２００〜９００ボルトに保持する
請求項１記載の方法。 - ３．残留直流電圧の最大パルス直流電圧に対する比が０
．０２〜０．５である請求項１又は２記載の方法。 - ４．パルス直流電圧の周期を２０μｓ〜２０ｍｓの間に
調節する請求項１から６までのいずれか１項記載の方法
。 - ５．パルス長さのパルスポーズに対する比は０．１〜０
．６である請求項１から４までのいずれか１項記載の方
法。 - ６．層成長速度が０．５〜１０μｍ／ｈである請求項１
から５までのいずれか１項記載の方法。 - ７．ＣＶＤ−被覆を４００〜６００℃の温度で実施する
請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。 - ８．基材と、チタン及び／又はジルコニウムの炭化物、
窒化物及び／又はカルボニトリドからなる、プラズマ活
性化ＣＶＤ−法により被覆された表面層少なくとも１層
とからなる請求項１から７により製造された工材におい
て、表面層中のＣｌ含量が４質量％より少ないことを特
徴とする工材。 - ９．表面層が最高２０μｍの厚さを示す請求項８記載の
工材。 - １０．ＴｉＮ−層、１層又は複数層のＴｉ（Ｃ，Ｎ）−
層、ＴｉＮ−層の順序を有する複数の表面層である請求
項８又は９記載の工材。 - １１．いずれの層も厚さ５μｍより厚くない請求項８か
ら１０までのいずれか１項記載の工材。 - １２．基材が結合剤６〜１０質量％を有するＷＣからな
る請求項８から１１までのいずれか１項記載の工材。 - １３．ＷＣの３０質量％までがＴｉＣ、ＴａＣ及び／又
はＮｂＣにより変換されている請求項１２記載の工材。 - １４．酸化鉄及び／又は酸化クロムからなる層で被覆さ
れていて、音又はビデオ信号のメモリーに好適な、プラ
スチックからなる磁気テープを切断するための請求項８
から１６までのいずれか１項に記載の工材において、こ
の工材が円形剪断ナイフとして構成されており、かつ環
状平面硬質合金体（１１）からなり、これはチタンの炭
化物、窒化物及び／又はカルボニトリドからなる厚さ（
ｄ１）１〜４μｍの均一で面平行の表面層（１２）少な
くとも１層で被覆されており、この際表面層の面平行の
偏差が０．００３ｍｍより小さくかつ／又は粗面度Ｒ＿
ｚが０．０８μｍより小さいことを特徴とする工材。 - １５．表面層（ｄ１）が厚さ２〜３μｍである請求項１
４記載の工材。 - １６．硬質合金体（１１）が厚さ０．４ｍｍ〜０．８ｍ
ｍの間である請求項１４又は１５記載の工材。 - １７．硬質合金体（１１）の外径（Ｄ）が８０〜１５０
ｍｍの間であり、かつ／又は中心の孔が直径（ｄ）５０
〜８０ｍｍを有する請求項１４から１６までのいずれか
１項記載の工材。 - １８．硬質合金体（１１）は結合剤としてコバルト６〜
２５質量％を有するＷＣから主になる請求項１４から１
７までのいずれか１項記載の工材。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3841731A DE3841731C1 (en) | 1988-12-10 | 1988-12-10 | Process for coating a tool base, and tool produced by this process |
| DE3841731.6 | 1988-12-10 | ||
| DE8909928.1 | 1989-08-21 | ||
| DE8909928U DE8909928U1 (ja) | 1988-12-10 | 1989-08-21 | |
| DE8910041U DE8910041U1 (ja) | 1988-12-10 | 1989-08-22 | |
| DE8910041.7 | 1989-08-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03130364A true JPH03130364A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=27198631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1319071A Pending JPH03130364A (ja) | 1988-12-10 | 1989-12-11 | 工材用基材の被覆法及び工材 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5093151A (ja) |
| EP (1) | EP0373412B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03130364A (ja) |
| KR (1) | KR0154327B1 (ja) |
| AT (1) | ATE122734T1 (ja) |
| DE (4) | DE3841731C1 (ja) |
| ES (1) | ES2072885T3 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007511665A (ja) * | 2003-05-21 | 2007-05-10 | ケンナメタル ヴィディア プロドゥクツィオーンス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 焼結体およびその製造方法 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR930011413B1 (ko) * | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
| DE4126852A1 (de) * | 1991-08-14 | 1993-02-18 | Krupp Widia Gmbh | Werkzeug mit verschleissfester diamantschneide, verfahren zu dessen herstellung sowie dessen verwendung |
| JPH07109034B2 (ja) * | 1991-04-08 | 1995-11-22 | ワイケイケイ株式会社 | 硬質多層膜形成体およびその製造方法 |
| US5665431A (en) * | 1991-09-03 | 1997-09-09 | Valenite Inc. | Titanium carbonitride coated stratified substrate and cutting inserts made from the same |
| DE4140158A1 (de) * | 1991-12-05 | 1993-06-09 | Krupp Widia Gmbh, 4300 Essen, De | Verfahren und vorrichtung zur hartstoffbeschichtung von substratkoerpern |
| US5290610A (en) * | 1992-02-13 | 1994-03-01 | Motorola, Inc. | Forming a diamond material layer on an electron emitter using hydrocarbon reactant gases ionized by emitted electrons |
| US6056999A (en) * | 1992-02-18 | 2000-05-02 | Valenite Inc. | Titanium carbonitride coated cemented carbide and cutting inserts made from the same |
| DE4239234A1 (de) * | 1992-11-21 | 1994-06-09 | Krupp Widia Gmbh | Werkzeug und Verfahren zur Beschichtung eines Werkzeuggrundkörpers |
| DE69431032T2 (de) * | 1993-05-31 | 2003-01-30 | Sumitomo Electric Industries | Beschichtetes schneidwerkzeug und verfahren zu dessen herstellung |
| JPH09501612A (ja) * | 1994-04-08 | 1997-02-18 | マーク エー． レイ， | 選択的プラズマ成長 |
| US6413628B1 (en) | 1994-05-12 | 2002-07-02 | Valenite Inc. | Titanium carbonitride coated cemented carbide and cutting inserts made from the same |
| DE4442370A1 (de) * | 1994-11-29 | 1996-05-30 | Widia Gmbh | Verfahren zur Abscheidung metallischer Schichten auf Substratkörpern und Verbundkörper aus einem Substratkörper und mindestens einer Oberflächenschicht |
| DE19513614C1 (de) * | 1995-04-10 | 1996-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Abscheidung von Kohlenstoffschichten, Kohlenstoffschichten auf Substraten und deren Verwendung |
| DE19543748A1 (de) * | 1995-11-24 | 1997-05-28 | Widia Gmbh | Schneidwerkzeug, Verfahren zur Beschichtung eines Schneidwerkzeuges und Verwendung des Schneidwerkzeuges |
| US5750247A (en) * | 1996-03-15 | 1998-05-12 | Kennametal, Inc. | Coated cutting tool having an outer layer of TiC |
| AUPN960696A0 (en) | 1996-05-02 | 1996-05-23 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Surface modification of polymers |
| DE29719348U1 (de) * | 1996-11-07 | 1998-01-22 | Koenig & Bauer Albert Ag | Falzapparat |
| CZ301015B6 (cs) * | 1997-09-10 | 2009-10-14 | Wefa Singen Gmbh | Protlacovací nástroj a zpusob výroby tohoto protlacovacího nástroje |
| SE517046C2 (sv) * | 1997-11-26 | 2002-04-09 | Sandvik Ab | Plasmaaktiverad CVD-metod för beläggning av skärverktyg med finkornig aluminiumoxid |
| CA2237264A1 (en) * | 1998-05-08 | 1999-11-08 | Northern Telecom Limited | Receiver based congestion control |
| US6566272B2 (en) | 1999-07-23 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Method for providing pulsed plasma during a portion of a semiconductor wafer process |
| DE10016958A1 (de) * | 2000-04-06 | 2001-10-18 | Widia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Multilagenschichten auf Substratkörpern und Verbundwerkstoff, bestehend aus einem beschichteten Substratkörper |
| US6327884B1 (en) * | 2000-09-29 | 2001-12-11 | Wilson Tool International, Inc. | Press brake tooling with hardened surfaces |
| DE10120046B4 (de) * | 2001-04-24 | 2009-10-29 | Widia Gmbh | Schneideinsatz zur Bearbeitung von schwer zerspanbaren Metalllegierungswerkstücken und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6960263B2 (en) * | 2002-04-25 | 2005-11-01 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame with cross beam for semiconductor equipment |
| US7303789B2 (en) * | 2003-02-17 | 2007-12-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Methods for producing thin films on substrates by plasma CVD |
| DE10316303A1 (de) * | 2003-04-08 | 2004-10-21 | Cfs Germany Gmbh | Messerkopf für Fleischkutter |
| US7501161B2 (en) * | 2004-06-01 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing arcing during plasma processing |
| US20100199738A1 (en) * | 2004-08-13 | 2010-08-12 | Vip Tooling, Inc., (An Indiana Corporation) | Modular extrusion die tools |
| US7685907B2 (en) * | 2004-08-13 | 2010-03-30 | Vip Tooling, Inc. | Method for manufacturing extrusion die tools |
| JP6315699B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 炭窒化チタン膜を形成する方法 |
| WO2017150908A1 (ko) * | 2016-03-02 | 2017-09-08 | 부산대학교 산학협력단 | 고내열, 고경도 및 내마모성 코팅막의 형성 방법, 고내열, 고경도 및 내마모성 코팅막 및 이를 포함하는 절삭 공구 |
| JP7285318B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-06-01 | コーニング インコーポレイテッド | オーステナイト変態温度未満での無機粒子の堆積のための方法、及びこの方法によって製造される物品 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE601847C (de) * | 1933-04-01 | 1934-08-25 | Siemens Schuckertwerke Akt Ges | Verfahren zum Einbringen eines Stoffes in ein Metall |
| DE3027688C2 (de) * | 1980-07-22 | 1982-04-01 | Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen | Verfahren zur Herstellung eines verschleißfesten Verbundwerkstoffes |
| US4500563A (en) * | 1982-12-15 | 1985-02-19 | Pacific Western Systems, Inc. | Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing |
| US4748451A (en) * | 1983-09-06 | 1988-05-31 | Edwards Ivan J | Adjustable bracket mount |
| FR2559033B1 (fr) * | 1984-02-07 | 1987-03-27 | Roquette Freres | Creme glacee sans sucre et son procede de preparation |
| DE3507158A1 (de) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Rudolf Dipl.-Wirtsch.-Ing. 3548 Arolsen Wilke | Plattenhalter |
| JPS61221369A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被覆超硬合金部材 |
| US4675206A (en) * | 1985-04-19 | 1987-06-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for the production of a surface-coated article |
| DE8514257U1 (de) * | 1985-05-14 | 1985-07-11 | Wilhelm Bilstein Spezialfabrik für Rundmesser und Plattenventile, 5063 Overath | Messer für Rollenschneidmaschine |
| DE3544975C1 (de) * | 1985-12-19 | 1992-09-24 | Krupp Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Formkoerpers |
| GB8620346D0 (en) * | 1986-08-21 | 1986-10-01 | Special Research Systems Ltd | Chemical vapour deposition of films |
| JPS63210099A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-31 | Nissin Electric Co Ltd | ダイヤモンド膜の作製方法 |
-
1988
- 1988-12-10 DE DE3841731A patent/DE3841731C1/de not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-08-21 DE DE8909928U patent/DE8909928U1/de not_active Expired
- 1989-08-22 DE DE8910041U patent/DE8910041U1/de not_active Expired
- 1989-11-27 EP EP89121871A patent/EP0373412B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-27 AT AT89121871T patent/ATE122734T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-11-27 ES ES89121871T patent/ES2072885T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-27 DE DE58909237T patent/DE58909237D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-09 KR KR1019890018243A patent/KR0154327B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-12-11 US US07/448,337 patent/US5093151A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-11 JP JP1319071A patent/JPH03130364A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007511665A (ja) * | 2003-05-21 | 2007-05-10 | ケンナメタル ヴィディア プロドゥクツィオーンス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 焼結体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0154327B1 (ko) | 1998-11-16 |
| DE58909237D1 (de) | 1995-06-22 |
| DE8910041U1 (ja) | 1989-10-12 |
| KR900010045A (ko) | 1990-07-06 |
| EP0373412B1 (de) | 1995-05-17 |
| EP0373412A1 (de) | 1990-06-20 |
| DE8909928U1 (ja) | 1989-10-05 |
| ES2072885T3 (es) | 1995-08-01 |
| US5093151A (en) | 1992-03-03 |
| ATE122734T1 (de) | 1995-06-15 |
| DE3841731C1 (en) | 1990-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03130364A (ja) | 工材用基材の被覆法及び工材 | |
| RU2466828C2 (ru) | Режущий инструмент | |
| US8388709B2 (en) | Coated article | |
| EP3676422B1 (en) | Wear resistant pvd tool coating containing tialn nanolayer films | |
| US4895770A (en) | Process for the manufacture of multi-layered, coated hardmetal parts | |
| Höck et al. | Wear resistance of prenitrided hardcoated steels for tools and machine components | |
| JP2016064485A (ja) | 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 | |
| US8012535B2 (en) | Method for producing a coated substrate body, substrate body comprising a coating and use of the coated substrate body | |
| US5981078A (en) | Composite body and process for its production | |
| JP2015214015A (ja) | 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 | |
| WO2005014877A1 (en) | New metal strip product | |
| US5173328A (en) | Plasma cvd process for coating a basic metallic body with a non-conductive coating material | |
| JP2015157351A (ja) | 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 | |
| WO2014003172A1 (ja) | Ｄｌｃ膜成形体 | |
| JP2014210313A (ja) | 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 | |
| JP2016030319A (ja) | 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 | |
| US5223337A (en) | Tool produced by a plasma-activated CVD process | |
| EP1253124B1 (en) | Highly adhesive surface-coated cemented carbide and method for producing the same | |
| US20030108752A1 (en) | Substrate body coated with multiple layers and method for the production thereof | |
| JP2013223894A (ja) | 高速ミーリング切削加工、高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 | |
| US10233530B2 (en) | Hard film and method for forming same, and die for use in hot forming of steel sheet | |
| CN114502774A (zh) | 涂层切削刀具 | |
| JP4968674B2 (ja) | 高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法 | |
| Li et al. | Effect of hybrid surface treatment composed of plasma nitriding and W-Cr-Ti-Al-N coating on tribological behavior of AISI 316L steel | |
| König et al. | Research, Development and performance of cemented carbide tools coated by plasma-activated chemical vapour deposition |