KR0154327B1 - 공구기재를 피복하는 방법 및 그 방법에 의하여 제조된 공구 - Google Patents
공구기재를 피복하는 방법 및 그 방법에 의하여 제조된 공구Info
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Abstract
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Description
제1도는 티타늄 질화물로 피복된 경질의 환형 금속기재의 단면도.
제2도는 샤프트상에 정렬된 다수의 원형 전단 나이프를 포함하는 절단 장치의 사시도.
제3도는 피복될 경질 금속기재의 글로우 방전을 발생시키는 전압 선도.
제4도 및 제5도는 수행된 절단 시험 결과를 나타내는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 전단 나이프 11 : 금속기재
12 : 티타늄 질화물층 13, 14 : 샤프트
본 발명은 티타늄 및/또는 지르코늄의 탄화물, 질화물 및/또는 카보니트라이드를 플라즈마 화학 증착(CVD) 방법으로 경질 금속 또는 강철로 이루어진 공구기재(基材)에 피복하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 상기 방법에 의하여 제조된 공구에 관한 것인바, 그공구는 기재와, 티타늄 및/또는 지르코늄의 탄화물, 질화물 및/또는 카보니트라이드 (carbonitrides) 로 구성되며 프라즈마 활성화 CVD 법에 의해 도포된 적어도 하나의 표면 피복층을 포함한다.
1957 년 5 월 7 일자 독일 연방 공화국 Angewandte Chemie (응용 화학) 제 69 권 제 9 호 281-312 면에는 기계적 또는 화학적인 스트레스에 대해서 다른 재료를 보호하기 위하여 상기 기재에 얇은 표면 피복층을 도포하는 것에 의하여 경질 재료의 취성이 회피될 수 있음이 기재되어 있다. 상기 간행물에는 예를들어 6㎛의 TiN 피복층을 시이트 금속에 피복하는 것이 기재되어 있다.
또한, 스위스연방공화국 특허 제 507,094 호에는 경질 금속 기재 및 적어도 하나의 경질 물질층으로 구성된 성형체가 개시되어 있다. 상기 경질 금속 기재는 하나 또는 다수의 경질 물질과, 적어도 하나의 결합제 금속으로 구성되며, 경질 물질층은 경질 탄화물 또는 경질 질화물을 포함한다. 경질 탄화물이나 질화물은 양호한 마모 특성을 가지기 때문에, 절삭 및 비절삭 성형에 사용되는 공구로써 그러한 성형체를 사용할 수 있다. 상기 성형체는 예컨대 스위스공화국 특허 제452,205 호에 기재된 바와같은 CVD 법에 의하여 제조된다. 현재, CVD 법은 가장 보편화된 피복법 중의 하나로서 일반적으로 900 ℃ 내지 1200℃ 의 온도를 갖는 반응성 가스 분위기로부터 기재상에 표면층을 증착하는 단계를 포함한다. 가스 분위기는 상기 반응 온도에서 상호 반응하며 표면층에 존재하는 물질을 형성하는 몇가지 성분을 포함한다. 오늘날, 원소 주가율표의 III 내지 VI 족의 원소들의 할로겐화물 및 질소 화합물과 탄소 화합물을 포함하는 가스 분위기에서, 탄화물, 질화물 또는 카보니트라이드로 구성된 경질 물질층으로 금속 기재를 피복하는 것이 일반적이다. 예를들어, 약 1000℃에서 4-염화 티타늄 및 메탄을 포함하는 가스 분위기로부터 탄화 티타늄층이 경질 금속기재상에 증착된다. 특히, 탄소 화합물로서 가스상 탄화수소를 사용하며, 질소 화합물은 N2,NH3또는 아민이 사용된다. 그러나, 약 1000 ℃ 의 높은 피복 온도에 의하여 복합체는 인성(toughness)을 손실한다.
독일연방공화국 정기 간행물 VDI - Z 124 (1982) 9 월호 (II) 제 18 호 693 면등에는 공구 강철상에 CVD 법으로 내마모성 층을 도포하는 것이 기재되어 있다. 또한, 피복될 공구를 비교적 장시간 동안 고온에서 유지하여야하므로, 강철에 결정이 성장하고 오스테나이트상 (냉각에 의하여 마르텐사이트상으로 변화하는 강철의 고온상)의 안정화에 장애가 일어나는 결함이 있는 것으로 판명되었다. CVD 법의 경과 이후에, 반응기를 수소 분위기하에서 20 내지 50℃ / min 의 냉각속도로 냉각하는바, 그 결과 냉각수 또는 오일에서의 급랭에 의하여 경화된 강철의 종류는 강철의 최대 경도에 전혀 도달하지 못한다. 이는 또한 높은 CVD 온도가 바람직하지 않은 부작용을 발생시키는 것을 입증한다.
보다낮은 증착 온도를 얻기 위하여, 플라즈마 보조 CVD 법으로 언급되는 방법이 제안되었다. 저압 글로우 방전 플라즈마내에서, 가스 혼합물은 중성 입자, 분자, 해리 분자, 이온 및 전자로 구성된다. 저압 방전중에 비평형 상태로 인하여 전자의 온도는 무거운 입자 ( 이온, 중성 입자) 의 그것보다 수 천도 더 높다. 이것에 의하여 화학반응 공정이(CVD 법에서 필요한 1000℃ 미만에서도) 이루어진다.
예를 들면, 10 내지 1000 파스칼의 압력에서 직류 전압 또는 고주파 교류 전압에 의하여 저압 플라즈마가 발생될 수도 있다. 저압 방전을 발생시키는 가장 간단한 방법은 피복될 공작물을 캐소드로서 접속하고 반응기의 벽을 애노드로서 접속하는 것이다.
그러나, 비용이 많이 드는 고주파 방법은 무전극으로 수행될 수 있다. 상기 방법은 금속 및 비금속 기재를 적절히 피복할 수 있다. 기재 온도는 공급된 고주파 에너지와 상관적인 관계에 있다. 그러나, 이러한 방법은 매우 복잡하고 비교적 비용이 많이 든다.
한편, 유럽 특허 공개 제 0,199,527 호 공보에는 플라즈마 CVD 법이 개시되어 있으며, 여기서 1500 V 이하의 마이너스 직류 전압이 피복될 기재에 인가되어 플라즈마를 여기시키고, 이 직류 전압에는 예컨대 약 13.56 MHz의 고주파 전압이 부과된다.
독일 특허 제 3,027,688.B1호 공보에는, 표면 피복 이후에, 10-2내지 102mbar 의 압력과 200 ℃ 내지 800℃ 온도의 불활성 가스 분위기에서 복합체에 마이너스 직류 전압을 인가함으로써, 최소한 10 분동안 글로우 방전을 지속하기에 충분한 방법이 개시되어 있다.
독일 특허 공개 제 601,847 호 공보에는 부분 진공부에서 금속을 열처리하는 방법, 특히 철이나 텅스텐을 탄화시키는 방법이 개시되어 있으며, 여기서 상기 진공부 내부에는 글로우 방전이 용량성 에너지 축적부로부터의 순간적인 방출에 의해 이루어지는 바, 즉, 약 10-5내지 10-6초의 펄스 시간을 갖는 단시간의 전압 펄스에 의해 발생된다. 각각의 펄스간의 휴지기는 가스 경로가 평균 시간 내에 탈이온화될 수 있도록 펄스 시간 자체의 최소한 10 배가 되도록 선택된다.
본 발명의 목적은 높은 피복 온도가 회피되고, 적은 작업 비용으로 가능한 최단 피복 시간이 실현되는 방식으로 전술한 CVD 법을 개선하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 표면 피복층이 균일하고 잘 부착되는 전술한 형태의 피복된 공구를 제공하는 것이다.
상기 목적은 특허청구의 범위 제1항에 기술된 특징을 갖는 방법에 의해 달성된다. 본 발명에 따른 방법의 중요한 특징은 인가되는 펄스 직류전압에 있어서 펄스 간격중에 잔류하는 직류 전압이 CVD 공정에서 관여하는 가스의 최저 이온화 전위와 동일하거나 그 이상의 크기를 갖는 것이다. 그러나, 잔류 전압은 펄스 직류 전압의 최대치의 50%를 초과하지 말아야 한다.
일반적으로, 펄스 직류 전압은 최대 진폭이 200 내지 900 볼트이고 주기가 20 μsec 내지 20 m sec 인 장방형 전압이다. 그러나, 직류 전압이 최대 전압값 사이에서 0 으로 하강하지 않지만 관여하는 가스의 최저 이온화 전위 이상 그리고 최대 전압 편향의 50%미만으로 항상 유지되어야 하는 조건이 충족되는 한, 수직하지 않은 상승에지와 하강에지를 초래하는 편차와 펄스경사를 고려할 수 있다. 최대 펄스 직류 전압에 대한 (평균) 잔류 직류 전압의 비는 0.02 내지 0.5사이로 설정되는 것이 바람직하다. 본 발명의 한 변형예에 따르면, 펄스 간격에 대한 펄스 길이 ( 펄스의 플러스 전압 신호 지속시간) 의 비는 0.1 내지 0.6 사이이다. 증착온도가 400℃ 내지 600℃ 인 경우에 층 성장 속도는 0.5내지 10 ㎛/h 사이에 있어야 한다.
반응 시편들이 실질적으로 선형으로 퍼져 명암 효과를 야기시키는 어떤 압력 범위에서 작동하는 마그네트론 캐소드 스퍼터링, 이온 도금 및 아크 증착과같은 공지의 저온 피복 공정과 비교하여, 본 발명은 충전하기 용이하고 모든 측면상에 양호한 피복층을 제공하는 저온 CVD 법을 채용할 수 있도록 한다. 저압 글로우 방전을 야기시키기 위하여, 기재 온도와 플라즈마 파라미터(parameter)를 충분히 분리시킬 수 있는 펄스 발생기가 채용된다. 펄스 가스 방전은 고전류 또는 고전압에서의 아크 방전의 위험을 상당히 감소시키므로, 적절한 모니터링에 의한 신속한 차단으로 기재가 손상되는 것을 방지한다. 그러나, 펄스가 차단된 동안 최소한 CVD 공정에 관여하는 가스 분자의 최저 이온화 전위만큼 높은 직류전압이 실제로 잔류한다. 잔류 직류 전압의 최대치는 펄스 전압의 최대치의 50% 이다. 주요한 가스 분자의 이온화 전위를 다음과 같이 개별적으로 기재하기로 한다.
H : 13.6 eV H2: 15.8 eV
N : 14.5 eV N2: 15.7 eV
Ar : 15.7 eV Ti : 13.57 eV
본 발명의 목적은 또한 청구범위 제5항에 기술된 특징을 갖는 공구에 의해 달성되는바, 본 발명의 변형예가 청구범위 제6항 내지 제8항에 기술되어 있다.
TiN 층, 하나 이상의 Ti (C, N) 층 및 TiN 층 순서의 표면층은 특히 내마모성이 있으며 충분한 경도를 갖는 것으로 알려져 있다.
특히, WC 및 6 질량% 의 결합제로 이루어진 공구기재가 제안되고 있으며, 상기 결합제로는 Co 가 바람직하다. 본 발명의 변형예에 따르면, 30% 이하의 WC 는 TiC, TaC 및/또는 NbC 로 대체될 수 있다. 어떤 층도 그 두께가 5㎛ 이상이 되지 않아도 충분한 것으로 알려져 있다.
본 발명은, 예컨대, 원형 전단 나이프, 특히 폴리에스터와 같은 플라스틱 재료로 제조된 자기 테이프를 절단하기 위한 상부 나이프 형태의 공구에 관한 것으로, 상기 자기 테이프에는 하나의 철 산화물 층 및/또는 크롬 산화물 층이 피복되며, 오디오 또는 비디오 신호 기억용으로 적합하다. 공구는, 약 1 - 4 ㎛ 두께를 갖는 적어도 하나의 균일한 면평행의 표면층이 피복된 평탄하고 환형인 경질의 금속기재로 구성되는 바, 상기 표면층은 티타늄 탄화물, 질화물 및/또는 카보니트라이드로 구성되고, 표면 피복층의 면평행 편차는 0.003 mm 미만이고, 조면도(Rz)는 0.08㎛ 미만이다.
자기 테이프는 가동형 라미나 메모리 (laminar memory) 로서 지칭되는 것에 속하며, 예컨대 침상 철산화물 결정 피복층이 제공된다. 전기 신호는 기재가 일정 속도로 소위 자기 헤드라 불리는 전자기 변환기를 통과하는 것에 의한 침상물의 직접적인 자화에 의하여 기억된다.
자기 테이프는 비교적 폭이 넓은 시이트로부터 오프셋 에지(offsetedge)와 함께 이동하는 나이프에 의해 절단된다. 그 테이프가 페라이트 분말을 함유하기 때문에, 기록 테이프 재료는 매우 잘 마멸된다. 그러한 이유 때문에, 어떤 평균 입경을 갖는 경질 금속인 텅스텐 탄화물로 제조되고 6 내지 15%의 코발트를 포함하는 원형 전단 나이프를 이용하는 것은 이미 제안되어 있다 ( 1988 년 VDI - Verlag GmbH 에 의해 출판된 Dr. W. Schedler 저 Hartmetall F
r den Praktiker ( 실무용 경질 금속 ) 제 494 면 참조). 그럼에도 불구하고 그러한 나이프는 비교적 급속히 마모되었으며, 외주면을 따라서 자주 연삭해야만 하였던바, 이는 매 경우마다 나이프의 교체를 필요로 한다.
종래 피복층은 일반적으로 PVD 또는 CVD 법에 따라 박판 금속과 비교적 큰 비가요성의 성형된 경질 금속기재에 적용될 수 있는 것이 일반적이다. 그러나, 원형 전단 나이프상의 PVD피복층은 한 측면으로부터 도포될 수 있으며, 또한, PVD 법에 의해 도포된 표면 피복층은 불균일하며 높은 압축 변형율을 가지므로, 나이프가 변형되어 사용 불가능하게 된다.
종래 CVD 법에서 필요로 했던 약 1000℃의 높은 피복 온도는 원형의 얇은 나이프를 변형시키고, 또한, 파손에 대한 민감도가 높은 복합체의 인성 손실의 원인이 된다. 그러한 원형 전단 나이프 또한 사용불가능하다.
표면층이 2 내지 3㎛ 의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 원형 전단 나이프는 0.4 내지 0.8 mm, 바람직하기로는 0.5 내지 0.6mm의 두께와 80 내지 150 mm, 바람직하기로는 100 내지 125 mm 의 외경 및/또는 50 내지 80 mm, 바람직하기로는 60 내지 70mm 의 직경의 중심 구멍을 갖는 경질의 금속체를 포함한다.
원형 전단 나이프는 한 샤프트상에 60개 이하의 나이프가 나란한 관계로 정렬되어, 적정 하부 나이프와 협력하여 플라스틱 시이트, 특히 자기 테이프를 절단하는데 사용될 수 있다.
제안된 경질 금속기재의 재료는 결합제로서 6 - 25 질량 %, 바람직하기로는 9 - 15 질량%의 코발트를 포함하는 텅스텐 탄화물로서, 경질 금속기재는 30 질량 % 이하의 티타늄 탄화물, 탄탄륨 탄화물 및/또는 니오브 탄화물을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따라서, 표면 피복층내의 염소 함량은 4 질량% 미만이다. 다수의 피복층을 도포하고자 하는 경우에, 티타늄 질화물, 티타늄 카보니트라이드 및 티타늄 질화물의 층 순서가 바람직한 것으로 알려져 있다.
이하, 본 발명의 또다른 장점에 대해서 실시예 및 첨부 도면을 참고하여 설명하기로 한다.
제1도에 도시된 원형 전단 나이프는, 78.5 질량 % 의 WC, 10 질량% C( Ti, Ta, Nb) 및 11.5 질량 % 의 Co 로 이루어진 환형의 평탄한 경질 금속기재(11)로 구성되며, 상기 금속 기재(11)에는 티타늄 질화물층(12)이 후술된 방법에 의해 약 1.5㎛ 의 두께로 도포되어 있다. 경질 금속기재의 두께 (d2)는 0.5 mm이고, 층 두께 (d1) 는 1.5㎛이며, 그 외경 (D)은 106.5mm 이고, 내경 (d)은 70 mm이다.
플라즈마 보조 CVD 법에서 피복을 위하여 펄스 직류 전압이 이용되는 바, 대체로 장방형인 전압은 200 내지 900 볼트의 최대 진폭과 20μsec 내지 20 m sec 의 주기를 갖는다. 2 개의 최대치 사이에서 직류 전압이 제로로 하강하지 않지만 관여하는 가스의 최저 이온화 전위 이상 그리고 최대 전압 편향의 50% 미만으로 항상 유지되어야 하는 조건이 충족되는 한, 수직하지 않은 상승에지와 하강에지와 펄스 경사를 형성하는 편차를 고려할 수 있다. 최대 펄스 직류 전압에 대한 평균 잔류 직류 전압의 비가 0.02 내지 0.5사이에 있도록 설정되는 것이 바람직하다. 본 방법의 변형예에 따르면, 2 개의 펄스 사이의 펄스 간격에 대한 펄스 길이 (펄스의 플러스 전압 신호 지속시간)의 비가 0.1 내지 0.6이다. 상기 설정 조건하에서 층 성장 속도가 0.5 내지 10㎛/h 가 되도록 증착 온도는 550 ℃ 였다. 제3도에는 펄스 직류 전압의 개략적 선도가 도시되어 있는바, 여기서 Ug 는 이온화 전위에 의해 결정된 하방 한계 전압을 나타낸다. 플라즈마 펄스 CVD 법에 의하여 피복된 원형의 전단 나이프는 면평행 ( plane parallel) 하고 (편차는 0.003 mm 미만), 0.08㎛ 미만의 조면도 Rz을 가졌다.
시험장에서, 피복되지 않은 원형의 전단 나이프와 본 발명에 따라 피복된 원형의 전단 나이프를 비교 시험하였다. 각각의 나이프에 의하여 절단된 자기 테이프의 총 길이는 약 590 Km 였다. 표면 피복층이 없는 원형 절단 나이프의 경우에 나이프는 시험 경과와 상관적인 관계로서 통상의 형태로 무뎌졌다. 무뎌짐의 정도가 증가 할수록 에지의 질이 저하되는 것으로 증명되었다. 테이프 에지에는 비드 (bead) 가 형성되었다. 전술한 바와같이, 티타늄 질화물로 피복된 원형 전단 나이프의 경우, 매우 높은 품질의 균질한 에지가 시험 초기부터 말기까지 실현될 수 있었다. 대체로, 이러한 원형 전단 나이프는 재연삭하지 않고도 수명이 2배 연장될 수 있었다.
예컨대, 본 발명에 따른 원형 전단 나이프는 제2도에 도시된 바와같은 장치에 사용되며, 여기서 다수의 원형 전단 나이프는 샤프트(13, 14) 상에 병렬로 장착되어 있다. 반대 방향으로 회전하는 (화살표 16, 17 로 지시) 샤프트는 얇은 밴드(15)를 폭이 균일한 스트립으로 절단하며, 상기 스트립은 자기 테이프와 같은 캐리어상에 권취된다.
제3도는 피복될 경질의 금속기재 또는 공구의 양단에 인가되는 전압의 선도이다.
피복 펄스 플라즈마 CVD (PACVD)법에 의하면, TiN, TiC 및 Ti(C,N)층은 경질 금속 기재에 개별적으로 또는 TiCl4, H2, N2및/또는 CH4의 가스 혼합물로부터 어떤 소정의 순서로, 예컨대, TiN/Ti(C,N)/TiN층 순서의 다층 피복물로서 증착될 수 있다.
티타늄 카보니트라이드는 어떤 소정의 C/N 혼합비로 증착될 수 있다. PACVD층의 대표적 특성 및 조성이 하기의 표에 기재되어 있다.
티타늄, 질소 및/또는 탄소 및 산소 이외에 상기 층은 0.5 내지 4질량 %의 염소를 포함한다.
본 발명의 방법에 따라 제조된 절단용 공구는 내구기간이 긴 것으로 나타났다. 예컨대, CVD 에 의해 TiC/Ti (C, N)/TiN 이 피복된 절단용 판 SPKN 1203 EDR 과 PACVD 에 의해 3㎛의 TiN 이 피복된 절단용 판을 열처리한 42 CrMo 4V 강철 (1000 N/mm )로 이루어진 블록을 절단하는데 사용하여 상호 비교하였다. 1200mm 절삭 이후에, CVD 피복판은 주 전단 에지가 파열된 반면에, (본 발명에 따른) PACVD 피복판은 그 2배의 길이를 절삭한 후에도 계속 절삭할 수 있었다. 이 시험은 본 발명의 PACVD 법에 따라 피복된 절삭기재가 인성이 상당히 더 강함을 보여준다. 그러나, 그것들은 PVD(물리적 증착, 피복 온도 500℃)에 의해 피복된 절삭기재와 비교하여 장점을 갖는다. 비록 후자도 개선된 인성 특성을 갖는다하더라도 그 내마모성은 다음의 2가지 시험에 의해 증명될 본 발명에 따른 피복된 절단 판의 그것과 비교될 수 없다. 다른 한 시험에 있어서, PACVD에 의해 TiN 또는 TiN/Ti(C,N)/TiN으로 피복된 절단판과 PVD 에 의해 TiN 이 피복된 절단판을 시험하였다. 시험 원리 및 결과는 제4도에 도시되어 있다. C 45 강철의 절단중에(절삭 속도 200 m/min, 절삭 깊이 5mm, 이송/치형부 0.1 mm), 보다 경질의 다층 피복물이 대체로 최적의 결과를 나타낸다. PACVD 피복물은 또한 제5도에 도시된 또 다른 절삭 시험 결과로 나타난 바와같이 합금 오스테나이트 강철을 고속으로 절삭하는 장점을 갖고 있다(절단판 : SEKN 1203 AFT ; 제품 재료 : 28 NiCrMo 74, 195 X 700 mm ; 절단기, 6 개 이 : WIDAXM65 (80 o) ; 절삭 속도 : 200 m/min ; 절삭 깊이 : 5 mm, 이송/치형부 0.2mm ; 절삭 길이 : 14m ; 마멸에 의한 마모 : 측정 불가). 상기 시험 및 다른 시험에서, PVD피복층에 대해 알려진 수명보다 플라즈마 활성 CVD 피복층의 수명이 더 길어짐을 알 수 있다.
다른 절삭 시험에서, 종래 절단판 보다도 2배, 때때로 3배 이상인 수명이 본 발명의 방법에 따라 제조된 공구로 실현될 수 있다.
또 다른 실시예에서 증착된 티타늄 탄화물 층은 분명히 감지할 수 있는 미세한 결정 형상을 갖는 균열 구조를 갖는다. 그 미소경도(microhardness)가 3000 내지 3400 HV 0.05 이다.
Claims (8)
- 경질 금속 또는 강철로 이루어진 공구기재에 플라즈마 CVD 공정에 의해 티타늄과 지르코늄의 탄화물, 질화물 및 카보니트라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 피복하는 방법에 있어서, 캐소드로서 접속되는 공구기재에서의 플라즈마 활성화는 펄스 직류 전압에 의해 수행되며, 인가되는 펄스 사이에 잔류하는 잔류 직류 전압은 CVD 공정의 관여 가스의 최소 이온화 전위와 동일하거나 그 이상이며, 펄스 직류 전압의 최대치의 50% 이하인 것을 특징으로 하는 공구기재 피복 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 펄스 직류 전압은 200 내지 900 볼트로 유지되는 것을 특징으로 하는 공구 기재 피복 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 펄스 직류 전압의 주기는 20 μsec 내지 20 m sec 로 설정되며, 펄스 간격에 대한 펄스 길이 비는 0.1 내지 0.6 인 것을 특징으로 하는 공구 기재 피복 방법.
- 제1항에 있어서, 층성장 속도가 0.5 내지 10 ㎛/h 이며, 상기 CVD 피복은 400 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 경질 기재 피복 방법.
- 경질 금속 기재와; 플라즈마 활성 CVD에 의해 도포된 티타늄과 지르코늄의 탄화물, 질화물 및 카보니트라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 하나 이상의 표면층을 포함하는 제1항에 따른 방법에 의하여 제조된 공구에 있어서, 상기 표면층내의 Cl 함량이 4 질량 %를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 공구.
- 제5항에 있어서, 상기 표면층의 두께는 20㎛를 초과하지 않으며, 상기 표면층중 어느 한 층의 두께는 5㎛보다 크지 않는 것을 특징으로 하는 공구.
- 제6항에 있어서, 상기 표면층은 TiN 층, 하나 이상의 Ti(C,N)층 및 TiN 층 순서로 도포되며, 상기 기재는 30 질량 %를 초과하지 않는 WC와 6 내지 10 질량 %의 결합제로 이루어지고, 상기 WC 는 TiC,TaC 또는 NbC 로 대체될 수 있는 것을 특징으로 하는 공구.
- 철산화물 또는 크롬산화물로 이루어진 층으로 피복되며, 오디오 또는 비디오 신호 기억용으로 사용되는 합성수지로 제조된 자기 테이프 절단용의 제5항에 따른 공구에 있어서, 상기 공구는 원형 전단 나이프 형상을 지니며, 1 내지 4 ㎛ 두께 (d1)를 갖는 티타늄의 탄화물, 질화물 및 카보니트라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 하나 이상의 균일하고 면평행한 표면층으로 피복된 환형의 평탄한 경질금속기재(11)를 포함하며, 상기 표면층의 면평행 편차는 0.003 mm를 초과하지 않으며, 조면도 Rz 가 0.08 ㎛를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 공구.
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