JPH03120778A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH03120778A
JPH03120778A JP1259280A JP25928089A JPH03120778A JP H03120778 A JPH03120778 A JP H03120778A JP 1259280 A JP1259280 A JP 1259280A JP 25928089 A JP25928089 A JP 25928089A JP H03120778 A JPH03120778 A JP H03120778A
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御福　英史
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高砂　隼人
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、複数の配線が施された基板相互を機械的に接
合するとともに電気的に接続して大型化する複合化配線
基板の製造方法に関するもので、例えは複数の個別の液
晶デイスプレィ基板を相互に接続して大型液晶デイスプ
レィを製造するに適したものである。
［従来の技術］ 従来、液晶デイスプレィ等の配線基板を大型化するため
には製造装置等の大幅なリソースの投入を必要とする。
しかも、大面積に配線等を形成するため、製造時のゴミ
等ここより断線、短絡頻度が増加する、膜質の基板面内
バラツキにより電気的緒特性がばらつく等、歩留まりが
悪く、また製造時の持ち運びが難しい等の問題があった
。そこで個別の配線基板を複数寄せ集めて大型化（複合
化）することが考えられた。
以下、この明細書においては複合化液晶デイスプレィの
製造方法を例に説明する。
第７図は例えば特開昭６２−１２４５２７号公報に示さ
れた従来の複合化液晶デイスプレィを示す断面構成図で
ある。図において、（１）は液晶デイスプレィの回路基
板、（２）は液晶、（３）は液晶デイスプレィの回路基
板（１）と適当な間隔を開けて対向する対向基板、（４
）は回路基板（１）と対向基板（３）を封止する接着剤
、（５）は回路基板（１）と対向基板（３）を適当な間
隔で保持するためのスペーサ、（６）はデイスプレィ端
面を封止する薄板、（７）は端面同士を接合する接着剤
である。
従来の複合化液晶デイスプレィは上記のように構成され
、液晶デイスプレィの回路基板（１）、液晶（２）、対
向基板（３）、スペーサ（５）、回路基板（１）と対向
基板（３）を封止する接着剤（４）及び端面を封止する
薄板（６）で一つの液晶表示ブロックな形成して、その
後この液晶表示ブロックを複数個並べ、端面を接合する
接着剤（７）を用いて一つの液晶デイスプレィとして機
能する複合化液晶デイスプレィを製造している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来の複合化液晶デイスプレィの製造方法
では、互いの液晶表示ブロック間に数十画素以上にも及
ぶ非表示領域が存在するため視覚的な違和感を生じると
いう問題点がある。さらに、従来例では液晶表示ブロッ
ク間の電気的接続を行わないので、表示ブロック毎に駆
動のための回路を実装する必要があり、実装が容易に行
えず大がかりとなるという問題点がある。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、大面積の配線基板が容易に歩留まり良く得られる複
合化配線基板の製造方法を提供することを目的とし、例
えば複合化液晶デイスプレィにおいては視覚的な違和感
なく表示面積の大型化を実現しようとするものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明の複合化配線基板の製造方法は、配線が施された
複数の基板の端面同士を接着剤で突合せ接合し、この接
合部を渡って隣接する上記基板間の配線を電気的に接続
するようにしたものである。
また、配線が施された複数の基板の端面同士を有機高分
子系接着剤で突合せ接合し、この接合部の一部に高エネ
ルギー密度ビームを照射して炭化し上記基板間の配線を
電気的に接続するようにしたものである。
さらに、上記炭化部に導電性膜を付着させたものである
。
そして、配線が施された複数の基板の端面同士を有機高
分子系接着剤で突合せ接合し、この接合部の一部に高エ
ネルギー密度ビームを照射して粗面化し、この粗面化部
に導電性膜を付着させたものである。
［作用］ この発明においては、複数の配線が施された基板相互を
機械的、電気的に接続するため、大面積の配線基板を歩
留まり良く容易に製造できる。また基板相互が電気的に
も接続されているので、例えば各基板毎に駆動用の回路
を実装したすせずにすむ。さらに複合化液晶デイスプレ
ィ基板においては、基板間の接合領域を低減でき、この
結果として非表示領域を少なくできるので視覚的違和感
なく表示面積の大型化が出来る。
［実施例コ 本発明は複数の配線基板相互を接続して一枚の大型配線
基板と同じ機能を有する大型配線基板を製造しようとす
るもので、例えば複数の個別の液晶デイスプレィ基板を
相互に接続して、一つの大型液晶デイスプレィとして機
能する複合化液晶デイスプレィを製造するものである。
即ち、液晶表示ブロック相互を接合するのではなく、個
別の液晶デイスプレィ用基板の端面を例えば有機高分子
系接着剤等で機械的に接合した後、その接続部を介して
個別の液晶デイスプレィ基板相互の電気的接続を行い、
その後、液晶、対向基板、封止のための接着剤、スペー
サを用いて複合化液晶デイスプレィを製造するものであ
る。
以下、この発明の実施例を図に基づいて説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施態様の複合化液
晶デイスプレィの製造方法を工程順に示す断面構成図で
ある。
まず、第１図（ａ）に示すように、液晶（２）を駆動す
るための素子に電圧を供給する為の配線（９）が形成さ
れている液晶デイスプレィ回路基板（１）の端面に有機
高分子材系接着剤（８）を塗布し、回路基板（１）の端
面同士を突合せ接合する。この場合にはエポキシ系の接
着剤、スリーボンド社製：ＬＧＸ−９１，０−１を使用
した。また、機械的強度を増加するためにベース基板（
１′）上に回路基板（１）の裏面を接合した。
さらに、高エネルギー密度ビーム等により、この場合は
波長３０８ｎｍ、出力１ｍＪの紫外光域のエキシマレー
ザを照射し、基板上に突出した余分な接着剤を排除して
接合部を平坦化した。
次に第１図（ｂ）に示すように、回路基板（１）間の接
合部の有機高分子系接着剤（８）の一部に高エネルギー
密度ビーム（ｌＯ）、この場合は波長１．０６μｍ１出
力０．５ＷのＮｄ：　ＹＡＧレーザを照射して炭化し炭
化部（１１）を形成する。これにより、隣接する回路基
板（１）上の配線（９）が炭化部（１１）を介して電気
的に接続され、複合化液晶デイスプレィ回路基板が形成
される。
最後に第１図（ｃ）に示すように、この複合化した回路
基板（１）と対向基板（３）をスペーサ（５）で適当な
間隔（５〜１０μｍ程度）を保ぢ、接着剤（４）を用い
て封止した後、液晶（２）を注入して複合化液晶デイス
プレィとする。なお、この際、対向基板（３）も回路基
板（１）と同様に複数枚接合したものを用いてもよい。
このように、複数の液晶デイスプレィ回路基板を並べて
端面を接合した後に回路基板間の電気的接合を行ってい
るので、複合化液晶デイスプレィの接合領域が減少し、
視覚的な違和感無く表示面積の大型化を容易に行うこと
が出来る。
また、接合した複数の回路基板は、機械的、電気的に接
続されているので一枚の回路基板と同様の扱いが可能と
なり、各基板毎に駆動用の回路を実装したすせずにすみ
、駆動回路の実装が容易で、かつ小型化できる。
さらに、個別の液晶デイスプレィ回路基板は、製造上は
分割して製造されるため、大型の個別液晶デイスプレィ
回路基板を製造する際の成膜時などのゴミによる配線の
断線、短絡頻度の増加、膜質の基板面内バラツキによる
電気的緒特性のバラツキ、製造時の基板の持ち運びの困
難さなどの問題が解消され、従来の製造装置をそのまま
使用して大型の液晶デイスプレィを歩留りよく製造でき
るという効果がある。
第２図（ａ’）〜（ｄ）は本発明の他の実施態様を工程
順に示す断面構成図である。
」−２実施態様と同様、まず第２図（ａ）に示すように
、液晶デイスプレィ回路基板（１）の端面同士を突合せ
エポキシ系の接着剤により相互に接合した。また、機械
的強度を増加するために回路基板（１）の裏面にベース
基板（１′）を接合した。
次に第２図（ｂ）に示すように、回路基板（１）間の接
合部の有機高分子系接着剤（８）の一部に高エネルギー
密度ビーム（１０）を照射して炭化部（１１）を形成し
た。
さらに、この実施態様の場合は、第２図（Ｃ）に示すよ
うに、回路基板間の接合部の一部に形成した炭化部（１
１〉上に、光ＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　Ｖａｐ
ｏｒｌｌｅｐｏｓ　ｉ　ｔ　ｉ　ｏｎ）法により　導電
性膜として導電性金属薄膜（１２）を堆積させる。炭化
部（１１）上に導電製金属薄膜（１２）を形成すること
により隣接する回路基板（１）間の配線（９）の電気的
接続を安定かつ確実に行える。この場合光ＣＶＤ法には
、高エネルギー密度ビームとして例えば紫外光領域に発
振するエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）を使用し、反
応ガスとしてはＷ（ＣＯ）６を使用し、２０００人程度
堆積させた。
最後に第２図（ｄ）に示すように、この接続した回路基
板（１）と対向基板（３）をスペーサ（５）で適当な間
隔を保ち、接着剤（４）を用いて封止した後、液晶（２
）を注入して複合化液晶デイスプレィとする。この際に
、対向基板（３）も回路基板（１，）と同９− １〇− 様に複数枚接合したものを用いてもよい。
この実施態様においては、炭化部（１１）上に導電製金
属薄膜（１２）を形成しているので、上記実施態様の効
果に加え、隣接する回路基板（１）間の配線（９）の電
気的接続がより安定で確実になるという効果がある。
第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明のさらに他の実施態様を
工程順に示す断面構成図である。
上記実施態様と同様、まず第３図（ａ）に示すように、
液晶デイスプレィ回路基板（１）の端面同士を突合せエ
ポキシ系の接着剤で相互に接合した。
また、機械的強度を増加するために回路基板（１）の裏
面にベース基板（１′）を接合した。
次にこの実施態様の場合は、第３図（ｂ）に示すように
、回路基板（１）間の接合部の有機高分子系接着剤（８
）の一部に高エネルギー密度ビーム（１０）を照射して
粗面化部（１３）を形成する。この場合には、高エネル
ギー密度ビームとして例えばＮｄ：ＹＡ、Ｇレーザの第
二高調波（波長０．５３μｍ）を使用した。
１ 第３図（ｃ）に示すように、回路基板（１）間の接合に
用いた有機高分子系接着剤（８）に高エネルギー密度ビ
ーム（１０）を照射して設けた粗面化部（１３）上に、
光ＣＶＤ法により導電性金属薄膜（１２）を堆積させる
。これにより、隣接する回路基板（１）上の配線（９）
同士の電気的接続が安定かつ確実に行える。この場合も
、上記実施例と同様、光ＣＶＤ法には高エネルギー密度
ビームとして例えば紫外光領域に発振するエキシマレー
ザ（波長３０８ｎｍ）を使用し、反応ガスとしてはＷ（
ＣＯ）ｅを使用し、２０００人程度堆積させた。
第３図（ｄ）に示すように、この接続した回路基板（１
）と対向基板（３）をスペーサ（５）で適当な間隔を保
ち、接着剤（４）を用いて封止した後、液晶（２）を注
入して複合化液晶デイスプレィとする。
この際に、対向基板（３）も回路基板（１）と同様に複
数枚接合したものを用いてもよい。
この実施態様の場合も上記実施態様と同様の効果がある
。
第４図（ａ）〜（ｃ）、第５図（ａ）〜（ｄ）、及び第
６図２− （ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明のざらにまた他の実施
態様を工程順に示す断面構成図であり、接着剤として紫
外線硬化型の接着剤を用い、高エネルギー密度ビームを
用いて接着剤を硬化させるようにしたものであり、以後
の工程は上記実施態様と同様である。
まず、各図（ａ）に示すように、液晶デイスプレィ回路
基板（１）の端面に有機高分子系接着剤（８）を塗布し
、回路基板（１）の端面同士を突合せ高エネルギー密度
ビーム（１０）を照射して硬化させ相互に接合する。こ
の場合には、接着剤として紫外線硬化型の接着剤（例え
ば、スリーボンド社製二ＴＢ３０５４）を使用し、高エ
ネルギー密度ビームとしては紫外光に発振するエキシマ
レーザを用いた。レーザ照射条件は、例えば、励起電圧
２０ｋｖ、繰り返し数２０ｐｐｓで行なった。
次いで回路基板（１）間の接合部の硬化させた有機高分
子系接着剤（８）の一部に高エネルギー密度ビーム（１
０）を照射して、炭化部（１１）　（第４．５図（１１
）　）または粗面化部（１，３）（第６図（ｂ））を形
成すさらに炭化部（１１）上に導電性金属薄膜（１２）
を堆積させる（第５　（Ｃ））。同様粗面化部（１３）
上に、導電性金属薄膜（１２）を堆積させる（第６図（
Ｃ乃。
最後に、この接続した回路基板（１）を用いて複合化液
晶デイスプレィを製造する（第４図（Ｃ）、第５．６図
（ｄ））。
これら実施態様においては、紫外線硬化型の接着剤を用
い、これを紫外光に発振するエキシマレーザを用いて硬
化させているので、接着剤の硬化時間が短縮でき、基板
間の機械的接合が簡便になる。
なお、上記実施態様では接着剤として、有機高分子系接
着剤であるエポキシ系接着剤、紫外線硬化型の接着剤を
用いた場合について示したが、ポリイミド系、ウレタン
系、アクリル系等信の接着剤であってもよい。また、有
機高分子系の接着剤に限ることなく無機の接着剤であっ
てもよい。例えは、使用時に加熱する必要がないのでケ
イ酸ソーダ（水ガラス）を用い、接合部を粗面化して導
電３ １／１ 性膜を堆積させ、基板を機械的に接合するとともに電気
的に接続すればよい。
さらに、紫外線硬化型の接着剤は高エネルギー密度ビー
ムを用いて硬化させた場合について示しているが、他の
手段を用いてもよく、また、熱硬化型の接着剤を用い、
これを高エネルギー密度ビームで硬化させてもよい。こ
の場合、接着剤硬化のための高エネルギー密度ビームと
して、例えば連続波（ＣＷ）（７）Ｎｄ：　ＹＡＧＩ、
−ザを用い、パワー０．５Ｗ、スポット径１００μｍφ
、スキャンスピード１０ｍｍ／ｓｅｃのレーザ条件で行
なうのが適当である。
また、上記実施態様では接合する基板の裏面に補強のた
めにベース基板を接合した場合について説明したが、必
ずしもベース基板を接合する必要はない。また、ベース
基板に基板接合時に位置決めな役割を果たす小さな仕切
りのようなガイドを設けておいてももよく、多数の基板
を接合する際など接合が簡単になる。
さらに、上記実施態様では導電性膜として光ＣＶＤ法に
より導電性金属薄膜を堆積させた場合に１５ ついて示したが、蒸着法、めっき法、スパッタ法等によ
り導電性金属薄膜を堆積させてもよく、また、ポリアセ
チレン、ポリーＰ−フェニレン、ポリピロール等の導電
性有機膜を形成するようにしてもよい。
さらにまた、上記実施態様では有機高分子材料を炭化さ
せる高エネルギー密度ビームとしてＮｄ：　ＹＡＧレー
ザの第一高調波、有機高分子材料を粗面化する高エネル
ギー密度ビームとしてＮｄ：ＹＡＧレーザの第二高調波
、光ＣＶＤ法を実施する高エネルギー密度ビームとして
エキシマレーザを使用しているが、有機高分子材料の材
質と種類によっては例えば、炭化、粗面化する高エネル
ギー密度ビームには炭酸ガスレーザ等が使用でき、光Ｃ
ＶＤ法で作成する材料によっては例えばＡｒレーザ等も
使用可能である。また、レーザに限ることはなく、例え
は、電子ビーム、イオンビーム等の他の高エネルギー密
度ビームでも良いことは自明である。本発明に関しては
高エネルギー密度ビームの種類、照射条件などは重要な
要件ではな１６− く使用する材料と種類によって適当に選択すれば良い。
そして、上記実施態様では液晶デイスプレィ基板の場合
についてのみ述べたが、これに限ることなく、例えばＬ
　Ｓ　Ｉ　（１，ａｒｇｅ　　５ｃａｌｅ　　ｉｎｔｅ
ｇｒａｔｅｄｊｑｉｒｃｕｉｔ）基板、プリント配線基
板等、他の配線基板にも応用できることは自明である。
［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、配線が施された複数の基
板の端面同士を接着剤で突合せ接合し、この接合部を渡
って隣接する上記基板間の配線を電気的に接続するよう
にしたので、即ち例えば基板を有機高分子系接着剤で接
合し、この接合部の一部に高エネルギー密度ビームを照
射して炭化して、またさらにこの炭化部上に導電性膜を
付着させて、あるいは接合部の一部に高エネルギー密度
ビームを照射して粗面化し、この粗面化部上に導電性膜
を付着させて基板間の配線を電気的に接続するようにし
たので、大面積の配線基板を歩留まり良く容易に製造で
きる。また基板相互が電気的にも接続されているので、
例えば各基板毎に駆動用の回路を実装したすせずにすむ
。さらに複合化液晶デイスプレィ基板においては、基板
間の接合領域を低減でき、この結果として非表示領域を
少なくできるので視覚的違和感なく表示面積の大型化が
出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｃ）、第２　［ｆｆｌ　（Ｑ）〜（ｄ
）、第３図（ａ）〜（ｄ）、第４図（ａ）〜（ｃ）、第
５図（ａ）〜（ｄ）、　第６Ｗ　（ａ）〜（ｄ）はそれ
ぞれ本発明の実施態様の複合化液晶デイスプレィの製造
方法を工程順に示す断面構成図であり、第７図は従来の
複合化液晶デイスプレィを示す構成図である。 図において、（１）は配線（９）が施された基板である
液晶デイスプレィ回路基板、（２）は液晶、（３）は対
向基板、（４）は接着剤、（５）はスペーサ、（８）は
基板を接合するための接着剤、（１０）は高エネルギー
密度ビーム、（１１）は炭化部、（１２）は導電性膜で
ある導電性金属薄膜、（１３）は粗面化部である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を７ １８ 示す。 −１９− 第２図 （α） 第３図 （α） 第４図 （ｂ） （Ｃ） 特開平３ １２０７７８　（８） 第５図 （ａ） （Ｃ） １ ｚ デ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　タ′　　　１ 第６図 （ｂ） ｌθ 則１３ ２、　　　　　　　　　　デ 、／　、／　、／　、／２・”／　／’　　　　　７と 第７図 ？ に ス

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）配線が施された複数の基板の端面同士を接着剤で
    突合せ接合し、この接合部を渡って隣接する上記基板間
    の配線を電気的に接続するようにした複合化配線基板の
    製造方法。
  2. （２）配線が施された複数の基板の端面同士を有機高分
    子系接着剤で突合せ接合し、この接合部の一部に高エネ
    ルギー密度ビームを照射して炭化し上記基板間の配線を
    電気的に接続するようにした請求項１記載の複合化配線
    基板の製造方法。
  3. （３）配線が施された複数の基板の端面同士を有機高分
    子系接着剤で突合せ接合し、この接合部の一部に高エネ
    ルギー密度ビームを照射して炭化し、この炭化部に導電
    性膜を付着させ上記基板間の配線を電気的に接続するよ
    うにした請求項１記載の複合化配線基板の製造方法。
  4. （４）配線が施された複数の基板の端面同士を有機高分
    子系接着剤で突合せ接合し、この接合部の一部に高エネ
    ルギー密度ビームを照射して粗面化し、この粗面化部に
    導電性膜を付着させ上記基板間の配線を電気的に接続す
    るようにした請求項１記載の複合化配線基板の製造方法
    。
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