JPS61254977A - アクテイブマトリクス表示素子 - Google Patents
アクテイブマトリクス表示素子Info
- Publication number
- JPS61254977A JPS61254977A JP60098520A JP9852085A JPS61254977A JP S61254977 A JPS61254977 A JP S61254977A JP 60098520 A JP60098520 A JP 60098520A JP 9852085 A JP9852085 A JP 9852085A JP S61254977 A JPS61254977 A JP S61254977A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display element
- active matrix
- matrix display
- substrate
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶と薄膜トランジスタ（以下ＴＰＴと略する
。）とから成るアクティブマトリクス表示素子、特にそ
の画面の大形化に関するものである。
。）とから成るアクティブマトリクス表示素子、特にそ
の画面の大形化に関するものである。
第３図はアクティブマトリクス表示素子の等価回路を示
し、互いに交差する複数本の信号線１および走査線２と
、これらの交点に接続されたＴＦＴ３および液晶層４か
ら成る画素回路により形成される。このアクティブマト
リクス表示素子において、１個の画素は信号線１と走査
線２の電圧条件によって選択状態になった場合にＴＦＴ
３がオンとなり、そのときに液晶層４に電圧が印加され
、画素が動作する。この画素が多数個一体化して一枚の
基板に形成され、個々の画素が上記のように動作するこ
とＫより１枚の画面が実現される。こうして、１枚の基
板上には数万個の画素が集積配置され、１枚のアクティ
ブマトリクス表示素子が完成する。ところで、この表示
素子では１個の画素の面積が小さいほど画面が微細で灸
しくなる。
し、互いに交差する複数本の信号線１および走査線２と
、これらの交点に接続されたＴＦＴ３および液晶層４か
ら成る画素回路により形成される。このアクティブマト
リクス表示素子において、１個の画素は信号線１と走査
線２の電圧条件によって選択状態になった場合にＴＦＴ
３がオンとなり、そのときに液晶層４に電圧が印加され
、画素が動作する。この画素が多数個一体化して一枚の
基板に形成され、個々の画素が上記のように動作するこ
とＫより１枚の画面が実現される。こうして、１枚の基
板上には数万個の画素が集積配置され、１枚のアクティ
ブマトリクス表示素子が完成する。ところで、この表示
素子では１個の画素の面積が小さいほど画面が微細で灸
しくなる。
画面の大きさにもよるが、例えば対角２インチの画面で
あれば１個の画素は１００ミクロン角又はそれ以下であ
ることが望ましい。
あれば１個の画素は１００ミクロン角又はそれ以下であ
ることが望ましい。
このような微細な画素をもったアクティブマトリクス表
示素子の作製には、大規模集積回路（ＬＳＩ）のような
半導体素子の製作とほぼ同じ薄膜形式、微細パターン形
式の製作工程が必要とされる。しかしながら、この半導
体素子製作の設備には使用する基板の大きさに制限があ
り、一般的には現在５インチ径程度が最大である。この
設備でアクティブマトリクス表示素子を製作した場合、
画面の大きさは最大４インチ程度である。一方、表示素
子はマンーマシンインタフェーストシての開発が進むに
応じて大形画面化が必要不可欠となっている。
示素子の作製には、大規模集積回路（ＬＳＩ）のような
半導体素子の製作とほぼ同じ薄膜形式、微細パターン形
式の製作工程が必要とされる。しかしながら、この半導
体素子製作の設備には使用する基板の大きさに制限があ
り、一般的には現在５インチ径程度が最大である。この
設備でアクティブマトリクス表示素子を製作した場合、
画面の大きさは最大４インチ程度である。一方、表示素
子はマンーマシンインタフェーストシての開発が進むに
応じて大形画面化が必要不可欠となっている。
本発明は上記した問題点を解決するために成されたもの
であり、半導体設備によシ製作した小形の基板を用いて
画面を大形化することができるアクティブマトリクス表
示素子を得ることを目的とする。
であり、半導体設備によシ製作した小形の基板を用いて
画面を大形化することができるアクティブマトリクス表
示素子を得ることを目的とする。
本発明に係るアクティブマトリクス表示素子は、上記し
た従来の基板を複数個接続したものである。
た従来の基板を複数個接続したものである。
基板を複数個接続することによシ、表示画面を大形化す
る。
る。
以下、本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図および第２図において、５はＴＰＴ基板で、この
ＴＰＴ基板５上には説明の都合上少ない９個の画素を示
した。各ＴＰＴ基板５は夫々独立しており、縦横に隣接
して配設されている。隣接するＴＰＴ基板５の信号線１
問および走査線２間は例えばアルミニウムなどの接続部
６により電気的に接続してＴＰＴ基板５を必要に応じて
伺枚でも接続し、全体として大形のＴＰＴ基板にするこ
とができる。７はＴＰＴ基板５を支持する支持基板であ
り、８は接続部６を形成するためのレーザ光を模式的に
示したものである。
ＴＰＴ基板５上には説明の都合上少ない９個の画素を示
した。各ＴＰＴ基板５は夫々独立しており、縦横に隣接
して配設されている。隣接するＴＰＴ基板５の信号線１
問および走査線２間は例えばアルミニウムなどの接続部
６により電気的に接続してＴＰＴ基板５を必要に応じて
伺枚でも接続し、全体として大形のＴＰＴ基板にするこ
とができる。７はＴＰＴ基板５を支持する支持基板であ
り、８は接続部６を形成するためのレーザ光を模式的に
示したものである。
このレーザ光としては２００ ｎｍから３００ ｎｍの
発振波長を有するエキシマレーザが使用しやすいが、５
００ ｎｍ前後の発振波長を有するアルゴンレーザ、１
０μｍの炭酸ガスレーザ等も目的に応じて使用可能であ
る。製作に際しては、支持基板７上にＴＦＴ基板５を密
着した形で並べて固定したものを、ある必要な反応ガス
雰囲気にした化学的気相成長法（ＣＶＤ）反応室内に入
れ、走査線２問および信号線１間の接続部分のみに選択
的にレンズで集光したレーザビームを照射することにエ
リ、接続部６ｉｒ、ＣＶＤ選択成長させる。この接続部
６の材料としては、アルキル金属化合物ガスあるいは金
属力ルゼニル化合物ガスを分解することにより得られる
アルミニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛、カド
ミウム等の金属がエキシマレーザ、アルゴンレーザの第
２高調波でレーザＣＶＤ形成されることが可能である。
発振波長を有するエキシマレーザが使用しやすいが、５
００ ｎｍ前後の発振波長を有するアルゴンレーザ、１
０μｍの炭酸ガスレーザ等も目的に応じて使用可能であ
る。製作に際しては、支持基板７上にＴＦＴ基板５を密
着した形で並べて固定したものを、ある必要な反応ガス
雰囲気にした化学的気相成長法（ＣＶＤ）反応室内に入
れ、走査線２問および信号線１間の接続部分のみに選択
的にレンズで集光したレーザビームを照射することにエ
リ、接続部６ｉｒ、ＣＶＤ選択成長させる。この接続部
６の材料としては、アルキル金属化合物ガスあるいは金
属力ルゼニル化合物ガスを分解することにより得られる
アルミニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛、カド
ミウム等の金属がエキシマレーザ、アルゴンレーザの第
２高調波でレーザＣＶＤ形成されることが可能である。
又、不純物をドーピングした低抵抗の多結晶シリコンも
アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザで形成することができ
る。
アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザで形成することができ
る。
〔発明の効果」
以上のように本発明によれば、高集積化した小形基板を
複数枚接続することにより高集積化した大形画面のアク
ティブマ） ＩＪクス表示素子を製作することができる
。又、大形基板化する前に小形基板の段階で予め検査す
ることにより欠陥のない基板のみを使用することができ
、歩留りよく大形画面のアクティブマ） ＩＪクス表示
素子を得ることができる。
複数枚接続することにより高集積化した大形画面のアク
ティブマ） ＩＪクス表示素子を製作することができる
。又、大形基板化する前に小形基板の段階で予め検査す
ることにより欠陥のない基板のみを使用することができ
、歩留りよく大形画面のアクティブマ） ＩＪクス表示
素子を得ることができる。
第１図および第２図は夫々本発明に係るアクティブマト
リクス表示素子の平面模式図および断面模式図、第３図
は従来のアクティブマトリクス表示素子の画素の等価回
路である。 １・・・信号線、２・・・走査線、３・・・ＴＦＴ、４
・・・液晶層、５・・・ＴＦＴ基板、６・・・接続部、
７・・・支持基板、８・・・レーザ光。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
リクス表示素子の平面模式図および断面模式図、第３図
は従来のアクティブマトリクス表示素子の画素の等価回
路である。 １・・・信号線、２・・・走査線、３・・・ＴＦＴ、４
・・・液晶層、５・・・ＴＦＴ基板、６・・・接続部、
７・・・支持基板、８・・・レーザ光。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）互いに交差する複数本の信号線および走査線とこ
れらの交点に接続された画素回路を有する基板を用いて
構成されたアクティブマトリクス表示素子において、こ
の基板を複数個接続して大形の表示画面を形成したこと
を特徴とするアクティブマトリクス表示素子。 - （２）接続した各基板の信号線および走査線をレーザ光
による化学的気相成長法により選択的に形成した金属等
によつて電気的に接続したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のアクティブマトリクス表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60098520A JPS61254977A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | アクテイブマトリクス表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60098520A JPS61254977A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | アクテイブマトリクス表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61254977A true JPS61254977A (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=14221930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60098520A Pending JPS61254977A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | アクテイブマトリクス表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61254977A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2652681A1 (fr) * | 1989-10-03 | 1991-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Procede pour realiser un substrat de cablage combine. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131796A (ja) * | 1973-04-23 | 1974-12-17 | ||
| JPS6055387A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | 株式会社日立製作所 | 機能キヤラクタ制御方式 |
-
1985
- 1985-05-07 JP JP60098520A patent/JPS61254977A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131796A (ja) * | 1973-04-23 | 1974-12-17 | ||
| JPS6055387A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | 株式会社日立製作所 | 機能キヤラクタ制御方式 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2652681A1 (fr) * | 1989-10-03 | 1991-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Procede pour realiser un substrat de cablage combine. |
| FR2652917A1 (fr) * | 1989-10-03 | 1991-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Procede pour realiser un affichage a cristaux liquides combine. |
| FR2691294A1 (fr) * | 1989-10-03 | 1993-11-19 | Mitsubishi Electric Corp | Procédé pour réaliser un substrat de câblage combiné. |
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