JPH02104119A - 表面弾性波素子の実装方法 - Google Patents
表面弾性波素子の実装方法Info
- Publication number
- JPH02104119A JPH02104119A JP25805788A JP25805788A JPH02104119A JP H02104119 A JPH02104119 A JP H02104119A JP 25805788 A JP25805788 A JP 25805788A JP 25805788 A JP25805788 A JP 25805788A JP H02104119 A JPH02104119 A JP H02104119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- substrate
- saw element
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、表面弾性波素子（以下ＳＡＷ素子と呼ぶ）の
外部回路への実装方法に関する。
外部回路への実装方法に関する。
（従来の技術とその課題）
従来のＳＡＷ素子の実装方法を第３図に示す。
ＳＡＷ素子１はステム２に接着剤７で固定する。
次に、ＳＡＷ素子１のパッド部３と接続ビン４問を直径
的２５μｍの金属線６で接続する。接続ビン４とステム
２は電気的に絶縁体５で絶縁されている。次に、キャッ
プ８をステム２の周辺部で溶接し、ＳＡＷ素子１及び接
続ワイヤ６を保護する。
的２５μｍの金属線６で接続する。接続ビン４とステム
２は電気的に絶縁体５で絶縁されている。次に、キャッ
プ８をステム２の周辺部で溶接し、ＳＡＷ素子１及び接
続ワイヤ６を保護する。
外部回路に接続するときは接続ビン４の一端ではんだ付
けする。
けする。
このような実装方法では、ＳＡＷ素子１と接続ビン４間
にワイヤ６の接続工程が必要であり、さらに、ステム２
の形状がＳＡＷ素子１に比べて大きくなり回路を小型化
する上での欠点がある。又、別の実装方法として、第２
図に示すようにＳＡＷ素子１のパッド部３にはんだ層１
１ｔ−形成しておき、回路基板１３の上の、ＳＡＷ素子
１のパッド部３が対応する位置（以下ランドと呼ぶ）１
４にＳＡＷ素子１を重ね、回路基板１３を加熱してはん
だを溶かし、接続する方法がある。
にワイヤ６の接続工程が必要であり、さらに、ステム２
の形状がＳＡＷ素子１に比べて大きくなり回路を小型化
する上での欠点がある。又、別の実装方法として、第２
図に示すようにＳＡＷ素子１のパッド部３にはんだ層１
１ｔ−形成しておき、回路基板１３の上の、ＳＡＷ素子
１のパッド部３が対応する位置（以下ランドと呼ぶ）１
４にＳＡＷ素子１を重ね、回路基板１３を加熱してはん
だを溶かし、接続する方法がある。
これらの実装方法に於て、前者のステム２を使用する場
合、ＳＡＷ素子１と接続ビン４間にワイヤ６の接続工程
が必要であり、さらに、ステム２の形状が、ＳＡＷ素子
１に比べて大きくなり回路を小型化する上での欠点があ
る。
合、ＳＡＷ素子１と接続ビン４間にワイヤ６の接続工程
が必要であり、さらに、ステム２の形状が、ＳＡＷ素子
１に比べて大きくなり回路を小型化する上での欠点があ
る。
後者の場合では、はんだ付は時に使用するフラックス（
表面活性材）がＳＡＷ素子１の電極を腐食する欠点、及
びはんだ付は時の高温度から室温に下げた時に熱膨張歪
が生じる欠点がある。
表面活性材）がＳＡＷ素子１の電極を腐食する欠点、及
びはんだ付は時の高温度から室温に下げた時に熱膨張歪
が生じる欠点がある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、このような欠点を解決するため、ワイヤの接
続工程を無くし、小さな面積で回路に接続できる方法を
提案するものである。
続工程を無くし、小さな面積で回路に接続できる方法を
提案するものである。
以下図面を用いて詳細に説明する。
（実施例）
第１図は本発明による実施例図で、ＳＡＷ素子１の基板
は通常０．５ｍｍ〜１ｍｍの厚みで、水晶（Ｓ１０２）
、ニオブ酸すチュウム（ＬｔＮｂＯ３）の結晶板を用い
る。
は通常０．５ｍｍ〜１ｍｍの厚みで、水晶（Ｓ１０２）
、ニオブ酸すチュウム（ＬｔＮｂＯ３）の結晶板を用い
る。
ＳＡＷ素子１の電極部はアルミニューム薄膜、又は金薄
膜で形成する。ＳＡＷ素子１のパッド部８は約５００μ
ｍＸ５００μｍの面積で、材料の構成は、電極としてア
ルミニューム膜を用いる場合は、密着強度を確保するた
め、アルミニューム膜の上にニッケル、ニクロム、チタ
ン、白金、金などの金属膜を組み合わせた層を形成し、
その上に、はんだ層１５として金を約２０μｍの厚みに
メツキ法で形成する。
膜で形成する。ＳＡＷ素子１のパッド部８は約５００μ
ｍＸ５００μｍの面積で、材料の構成は、電極としてア
ルミニューム膜を用いる場合は、密着強度を確保するた
め、アルミニューム膜の上にニッケル、ニクロム、チタ
ン、白金、金などの金属膜を組み合わせた層を形成し、
その上に、はんだ層１５として金を約２０μｍの厚みに
メツキ法で形成する。
一方、回路基板１３上のランド１４に接続金属１６とし
て金膜を設け、ＳＡＷ素子１のパッド３と回路基板のラ
ンド１４とが一致するように重ね会わせる。
て金膜を設け、ＳＡＷ素子１のパッド３と回路基板のラ
ンド１４とが一致するように重ね会わせる。
次に、ＳＡＷ素子１を回路基板１３に押し付けながら、
直径的１ｍｍのレーザ光１７を、ＳＡＷ素子１の基板の
裏面よりパッド部３に照射して、はんだ層１５を溶融し
接続する。
直径的１ｍｍのレーザ光１７を、ＳＡＷ素子１の基板の
裏面よりパッド部３に照射して、はんだ層１５を溶融し
接続する。
ＳＡＷ素子１の基板に石英を用いた場合、光透過性の良
い波長（１，０６μｍ）を持つＹＡＧ（イツトリウム・
アルミ・ガーネット）レーザ光を用いる。他の基板を用
いる場合にも、光透過性の良いレーザ光を選ぶ、レーザ
光１７の照射により接続部金属１５．１６が加熱され接
合する。レーザ光１７は細く絞ることが出来るので接続
部のみを加熱し、基板全体の温度を上昇させずに接合で
きる。
い波長（１，０６μｍ）を持つＹＡＧ（イツトリウム・
アルミ・ガーネット）レーザ光を用いる。他の基板を用
いる場合にも、光透過性の良いレーザ光を選ぶ、レーザ
光１７の照射により接続部金属１５．１６が加熱され接
合する。レーザ光１７は細く絞ることが出来るので接続
部のみを加熱し、基板全体の温度を上昇させずに接合で
きる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明の実装方法によると、ステム
を用いないため小さな面積で基板に搭載でき、さらにワ
イヤの接続工程が不要となる利点がある。さらに、接合
部のみを加熱し、基板全体の温度を上昇させずに接合で
きるので、熱膨張歪が生じない等の利点がある。
を用いないため小さな面積で基板に搭載でき、さらにワ
イヤの接続工程が不要となる利点がある。さらに、接合
部のみを加熱し、基板全体の温度を上昇させずに接合で
きるので、熱膨張歪が生じない等の利点がある。
第１図は本発明によるＳＡＷ素子の実装方法を示す図、
第２図は従来のＳＡＷ素子の別の実装方法を示す図、第
８図はＳＡＷ素子の従来の実装方法を示す図である。 １・・・ＳＡＷ素子、２・・・ステム、３・・・パッド
部、４・・・接続ピン、５・・・絶縁体、６・・・金属
線、７・・・接着剤、８・・・キャップ、１１．１５・
・・はんだ層、１２・・・配線導体、１３・・・回路基
板、１４・・・ランド、１６・・・接続金属。 特許出願人 日本無線株式会社 第１図 第２図 第３図
第２図は従来のＳＡＷ素子の別の実装方法を示す図、第
８図はＳＡＷ素子の従来の実装方法を示す図である。 １・・・ＳＡＷ素子、２・・・ステム、３・・・パッド
部、４・・・接続ピン、５・・・絶縁体、６・・・金属
線、７・・・接着剤、８・・・キャップ、１１．１５・
・・はんだ層、１２・・・配線導体、１３・・・回路基
板、１４・・・ランド、１６・・・接続金属。 特許出願人 日本無線株式会社 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 表面弾性波素子の外部接続部と回路基板の配線導体とを
接続する金属層を備えた表面弾性波素子において、前記
表面弾性波素子の基板を介して、該表面弾性波素子のパ
ッド部にレーザ光を照射することにより接続部を加熱レ
、前記表面弾性波素子を前記回路基板に実装するように
したことを特徴とする表面弾性波素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25805788A JPH02104119A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 表面弾性波素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25805788A JPH02104119A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 表面弾性波素子の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02104119A true JPH02104119A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17314937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25805788A Pending JPH02104119A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 表面弾性波素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02104119A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465909A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-03-02 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| JP2007514304A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-05-31 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | ２つのウェーハを相互接触させる方法および装置 |
| JP2008113178A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子およびその製造方法 |
| JP2010010196A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | I-Pulse Co Ltd | レーザーリフロー方法および装置 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25805788A patent/JPH02104119A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465909A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-03-02 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| JP2007514304A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-05-31 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | ２つのウェーハを相互接触させる方法および装置 |
| JP2008113178A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子およびその製造方法 |
| JP2010010196A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | I-Pulse Co Ltd | レーザーリフロー方法および装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3285294B2 (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JPS604270A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS59119844A (ja) | 可撓性配線のレ−ザろう付方法 | |
| US6039238A (en) | Electrical connection method | |
| JPS6349594B2 (ja) | ||
| JPH02104119A (ja) | 表面弾性波素子の実装方法 | |
| JPS5842244A (ja) | 半導体チツプとその支持体との結合方法 | |
| JPH08146451A (ja) | 回路装置の製造装置 | |
| JPH0471346B2 (ja) | ||
| JPS62172676A (ja) | 難ハンダ付性材料への端子の取付方法 | |
| JP2003059969A (ja) | 物質の追加を必要としない溶接による接続サポートに構成部分を付着する方法 | |
| JPH06244230A (ja) | ボンディング電極を有する装置およびボンディング電極の製造方法 | |
| JP2002231838A (ja) | パッケージの組立方法 | |
| JPS6228069A (ja) | レ−ザはんだ付け方法 | |
| JP3243906B2 (ja) | 半導体装置と外部端子との接合方法 | |
| JPS62117391A (ja) | 回路基板の接続方法 | |
| JPS6347758B2 (ja) | ||
| JP2006332151A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JP3645700B2 (ja) | 光アイソレーター用素子およびその製造方法 | |
| JPH0766238A (ja) | 半導体装置および半導体装置の実装方法および半導体装置の実装装置 | |
| JPH11330154A (ja) | フレキシブル基板およびこれを用いたテープキャリアパッケージとそれらの実装方法 | |
| JPH0630365B2 (ja) | フリツプチツプの実装方法 | |
| JPH0824121B2 (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JPS6228068A (ja) | レ−ザはんだ付け方法 | |
| JPS62144337A (ja) | 電極の製造方法 |