JPS62229903A - 抵抗素子の形成方法 - Google Patents
抵抗素子の形成方法Info
- Publication number
- JPS62229903A JPS62229903A JP61073023A JP7302386A JPS62229903A JP S62229903 A JPS62229903 A JP S62229903A JP 61073023 A JP61073023 A JP 61073023A JP 7302386 A JP7302386 A JP 7302386A JP S62229903 A JPS62229903 A JP S62229903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- resistance element
- laser beam
- organic polymer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 claims description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000012260 resinous material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、抵抗素子の形成方法に係わり、特に加熱によ
る炭化によって抵抗素子を形成する方法に関する。
る炭化によって抵抗素子を形成する方法に関する。
(従来の技術)
従来、印刷回路内に抵抗素子を形成することは良く知ら
れている。最近、このような抵抗素子を加熱炭化、特に
レーずビームの照射による炭化技術を用いて形成する方
法が提案されている。この方法では、耐熱性プラスチッ
クで形成された絶縁基板の所定部分上にのみレーザビー
ムを走査する。そして、レーザビームの照射された部分
を炭化することによって所定の抵抗素子パターンを形成
している。
れている。最近、このような抵抗素子を加熱炭化、特に
レーずビームの照射による炭化技術を用いて形成する方
法が提案されている。この方法では、耐熱性プラスチッ
クで形成された絶縁基板の所定部分上にのみレーザビー
ムを走査する。そして、レーザビームの照射された部分
を炭化することによって所定の抵抗素子パターンを形成
している。
上記のようなレーザビームを用いた炭化技術によれば、
レーザビームのスポット径を掻めて小さく調節できるの
で、微小パターンの抵抗素子が容易に形成できる。また
、こうして得られた抵抗素子は、所謂炭素組成物抵抗体
よりもその性能が】れており、また所謂炭素波l!I抵
抗体と同等以上の性能を持つと報告されている。
レーザビームのスポット径を掻めて小さく調節できるの
で、微小パターンの抵抗素子が容易に形成できる。また
、こうして得られた抵抗素子は、所謂炭素組成物抵抗体
よりもその性能が】れており、また所謂炭素波l!I抵
抗体と同等以上の性能を持つと報告されている。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
を招いた。即ら、前記耐熱性プラスチックの炭化によっ
て形成された抵抗素子は、その性能の経時安定性が悪く
、且つ高い抵抗値の素子はできないものであることが判
明した。また、この抵抗素子を高温下で或いは湯中で長
時間放置すると、その抵抗値は大きく変化してしまい信
頼性の点で問題があった。
を招いた。即ら、前記耐熱性プラスチックの炭化によっ
て形成された抵抗素子は、その性能の経時安定性が悪く
、且つ高い抵抗値の素子はできないものであることが判
明した。また、この抵抗素子を高温下で或いは湯中で長
時間放置すると、その抵抗値は大きく変化してしまい信
頼性の点で問題があった。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来方法では、加熱炭化による抵抗素子に高
い抵抗値を持たせることは困難であり、またその経時安
定性は悪いものであった。
い抵抗値を持たせることは困難であり、またその経時安
定性は悪いものであった。
本発明は上記を事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、加熱炭化により経時安定性の優れた
抵抗素子を形成することが°でき、且つ高い抵抗値のも
のも容易に実現し得る抵抗素子の形成方法を提供するこ
とにある。
的とするところは、加熱炭化により経時安定性の優れた
抵抗素子を形成することが°でき、且つ高い抵抗値のも
のも容易に実現し得る抵抗素子の形成方法を提供するこ
とにある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明の骨子は、抵抗素子を形成する材料として、弗素
系の有機高分子体を含む樹脂材料を用い、且つこの材料
を予め黒色化しておくことにある。
系の有機高分子体を含む樹脂材料を用い、且つこの材料
を予め黒色化しておくことにある。
即ち本発明は、弗素系有機高分子体を含む樹脂材料を黒
色化せしめ、これにより少なくとも表層部分が形成され
ている基体をrp=備し、該基体表層面を選択的に加熱
して該加熱された表層部分の有機高分子体を炭化し抵抗
素子に転化するようにした方法である。
色化せしめ、これにより少なくとも表層部分が形成され
ている基体をrp=備し、該基体表層面を選択的に加熱
して該加熱された表層部分の有機高分子体を炭化し抵抗
素子に転化するようにした方法である。
(作用)
上記の方法であれば、抵抗素子の形成材料として有機高
分子体を含む樹脂材料を用いることにより、加熱炭化に
より形成した抵抗素子の経時安定性を著しく向上させる
ことができる。また、該材料を予め黒色化しておくこと
により、レーザビーム照射後の炭化質を微妙にコントロ
ールすることができ、高い抵抗値であっても容易に形成
することが可能となる。
分子体を含む樹脂材料を用いることにより、加熱炭化に
より形成した抵抗素子の経時安定性を著しく向上させる
ことができる。また、該材料を予め黒色化しておくこと
により、レーザビーム照射後の炭化質を微妙にコントロ
ールすることができ、高い抵抗値であっても容易に形成
することが可能となる。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図(a)〜(C)は本発明の一実施例に係わる抵抗
素子の形成工程を示す断面図である。まず、第1図(a
)に示す如く、絶縁性基板11の主表面上に、この発明
の有機重合体材料を含む樹脂性材料の112を形成する
。
素子の形成工程を示す断面図である。まず、第1図(a
)に示す如く、絶縁性基板11の主表面上に、この発明
の有機重合体材料を含む樹脂性材料の112を形成する
。
ここで、上記有機重合体材料は、弗素爪有ill^分子
体のみで構成されていてよい。弗素系有機高分子体には
、弗素系有機高分子体の中独重合体及び相互重合体が含
まれる。これらの例を挙げると、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、テトラフル
オロエチレン−へキサフルオロプロピレン共重合体、ポ
リ弗化ビニルデン、ポリ弗化ビニルテトラフルオロエチ
レン−パーフルオロビニルエーテル共重合体、テトラフ
ルオロエチレン−パーフルオロスルホニルフルオライド
ビニルエーテル共重合体、エチレン−フルオロエチレン
交互重合体等がある。
体のみで構成されていてよい。弗素系有機高分子体には
、弗素系有機高分子体の中独重合体及び相互重合体が含
まれる。これらの例を挙げると、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、テトラフル
オロエチレン−へキサフルオロプロピレン共重合体、ポ
リ弗化ビニルデン、ポリ弗化ビニルテトラフルオロエチ
レン−パーフルオロビニルエーテル共重合体、テトラフ
ルオロエチレン−パーフルオロスルホニルフルオライド
ビニルエーテル共重合体、エチレン−フルオロエチレン
交互重合体等がある。
以上述べた有m重合体材料は、弗素系の有機高分子体を
含むものであり、ざらにこれに黒く色を付けたちのであ
れば、以後述べる加熱炭化によっていずれも経時安定性
の浸れた抵抗素子を与える。
含むものであり、ざらにこれに黒く色を付けたちのであ
れば、以後述べる加熱炭化によっていずれも経時安定性
の浸れた抵抗素子を与える。
ここで、黒く色を付けるのは、有機高分子体のみである
と加熱によって抵抗体はできるものの炭化質をコントロ
ールし難く、比較的低抵抗体のものしか作成できない。
と加熱によって抵抗体はできるものの炭化質をコントロ
ールし難く、比較的低抵抗体のものしか作成できない。
ところが、熱線を吸収し易いように黒く色を付けると、
炭化質を微妙にコントロールでき、高抵抗体を容易に得
られるようになる。
炭化質を微妙にコントロールでき、高抵抗体を容易に得
られるようになる。
また、前記樹脂性材料は、そのまま、又は適当な有II
溶媒(例えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド)に溶かした溶媒として或いはこれに界面活性剤(
消泡剤等)を加えて、基板11上に塗布し、必要に応じ
て加熱して溶媒を除去し、場合によっては加熱硬化させ
る。こうして前記有l1重合体材料を含む樹脂性材料の
薄い層12が形成される。
溶媒(例えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド)に溶かした溶媒として或いはこれに界面活性剤(
消泡剤等)を加えて、基板11上に塗布し、必要に応じ
て加熱して溶媒を除去し、場合によっては加熱硬化させ
る。こうして前記有l1重合体材料を含む樹脂性材料の
薄い層12が形成される。
第1図(a)に戻って、1I11217)形成後、レー
ザ発生装置16からレーザビーム17を層12に対して
選択的に照射する。照射された層12部分中の有機重合
体材料は炭化するので、第1図(1))に示す如く線状
の抵抗素子13a、13bが形成される。また、ビーム
照射されない部分はそのまま残存11112’ として
残る。
ザ発生装置16からレーザビーム17を層12に対して
選択的に照射する。照射された層12部分中の有機重合
体材料は炭化するので、第1図(1))に示す如く線状
の抵抗素子13a、13bが形成される。また、ビーム
照射されない部分はそのまま残存11112’ として
残る。
ここで、用いるレーザは、有機重合体材料を炭化して抵
抗素子に転化し得るものであれば、特に制限はない。し
かしながら、大気中で操作でき、且つ炭化能力が大きい
ことから、YAGレーザや炭酸ガスレーザ等の赤外線レ
ーザ、又はアルゴンレーザやルビーレーザ等の可視光レ
ーザが望ましい。これらレーザからの光線は、波長が均
一で且つ集光性が良いため、光エネルギーを特定の箇所
に集中させて高エネルギー照射が可能であり、従って局
所的に有11燻合体材料を炭化させることができる。
抗素子に転化し得るものであれば、特に制限はない。し
かしながら、大気中で操作でき、且つ炭化能力が大きい
ことから、YAGレーザや炭酸ガスレーザ等の赤外線レ
ーザ、又はアルゴンレーザやルビーレーザ等の可視光レ
ーザが望ましい。これらレーザからの光線は、波長が均
一で且つ集光性が良いため、光エネルギーを特定の箇所
に集中させて高エネルギー照射が可能であり、従って局
所的に有11燻合体材料を炭化させることができる。
上記レーザビームを所定のパターンに沿って走査させる
ためには、基板11を固定させた状態でミラーを用いて
レーザビームを偏向させる方法が採用できる。或いは、
レーザビームを固定させた状態で、基板11をX−Y位
置決めテーブルを用いて移動させるようにしてもよい。
ためには、基板11を固定させた状態でミラーを用いて
レーザビームを偏向させる方法が採用できる。或いは、
レーザビームを固定させた状態で、基板11をX−Y位
置決めテーブルを用いて移動させるようにしてもよい。
当該技術分野で知られているように、このレーザビーム
の走査は制御回路を用いて自動的に行うこともできる。
の走査は制御回路を用いて自動的に行うこともできる。
また、レーザビームを走査する際、ビームのパワー、走
査速度及び走査回教を適宜調節することによって、一つ
の抵抗素子の抵抗値を自由に制御できるばかりでなく、
異なる抵抗素子間で抵抗値を任意に変えることもできる
。ざらに、レーザ光源はそのスポット径を例えば数[μ
m]から数100[μm]と極めて小さく調節できるの
で、微小な抵抗素子の形成が非常に間中に達成できる。
査速度及び走査回教を適宜調節することによって、一つ
の抵抗素子の抵抗値を自由に制御できるばかりでなく、
異なる抵抗素子間で抵抗値を任意に変えることもできる
。ざらに、レーザ光源はそのスポット径を例えば数[μ
m]から数100[μm]と極めて小さく調節できるの
で、微小な抵抗素子の形成が非常に間中に達成できる。
こうして、抵抗素子13a、13bを形成したら、導電
体、例えば低温硬化型錫ペーストを、スクリーンマスク
を用いて、その端部が抵抗素子13a、13bの端部と
接続するように、残存する樹脂性材料1112’上に塗
布する。その後、該ペーストを加熱硬化させて、第1図
(C)に示寸如く配線14を形成する。錫ペーストの塗
布の際、炭化形成された抵抗素子13a、13bは黒色
となっているので、炭化されていない部分12′と容易
に見分けられる。
体、例えば低温硬化型錫ペーストを、スクリーンマスク
を用いて、その端部が抵抗素子13a、13bの端部と
接続するように、残存する樹脂性材料1112’上に塗
布する。その後、該ペーストを加熱硬化させて、第1図
(C)に示寸如く配線14を形成する。錫ペーストの塗
布の際、炭化形成された抵抗素子13a、13bは黒色
となっているので、炭化されていない部分12′と容易
に見分けられる。
一般に、抵抗素子13a、13bはカーボンからなるた
め比較的脆弱である。従って、少なくとも抵抗素子13
a、13bを(図示の例では配線14も)覆って絶縁性
保護膜15(例えばエポキシ樹脂)を形成することが望
ましい。
め比較的脆弱である。従って、少なくとも抵抗素子13
a、13bを(図示の例では配線14も)覆って絶縁性
保護膜15(例えばエポキシ樹脂)を形成することが望
ましい。
以上、第1図(a)〜(C)に関して述べた態様におい
て、基体は絶縁性基板と樹脂性材料層とによって構成さ
れているが、この発明はそれに限定されない。絶縁性基
板の代りに導電性基板を用いてもよいし、また基板全体
を樹脂性材料で形成してもよい。導電性基板を用いた場
合、樹脂材料自体は絶縁性であるから、形成される抵抗
素子の深さを導電性基板に達しないようにレーザ黒用条
件を制御することによって、抵抗素子と導電性基板との
間の絶縁が確保できる。
て、基体は絶縁性基板と樹脂性材料層とによって構成さ
れているが、この発明はそれに限定されない。絶縁性基
板の代りに導電性基板を用いてもよいし、また基板全体
を樹脂性材料で形成してもよい。導電性基板を用いた場
合、樹脂材料自体は絶縁性であるから、形成される抵抗
素子の深さを導電性基板に達しないようにレーザ黒用条
件を制御することによって、抵抗素子と導電性基板との
間の絶縁が確保できる。
また、上記態様では、配線は抵抗素子形成後に形成した
が、抵抗素子形成前に配線乃至導電体を形成してもよい
。この場合、配線乃至導電体間の抵抗値を測定しながら
抵抗素子を作成できるので、導電体間の抵抗値を所望の
値に近付けることができる。また、この導電体は印刷回
路における異なる端子であってもよい。さらに、配線乃
至導電体間には複数の抵抗素子を形成してもよい。さら
にまた、加熱手段もレーザビームに限らず、有機重合体
材料を炭化し得るものであればよい。
が、抵抗素子形成前に配線乃至導電体を形成してもよい
。この場合、配線乃至導電体間の抵抗値を測定しながら
抵抗素子を作成できるので、導電体間の抵抗値を所望の
値に近付けることができる。また、この導電体は印刷回
路における異なる端子であってもよい。さらに、配線乃
至導電体間には複数の抵抗素子を形成してもよい。さら
にまた、加熱手段もレーザビームに限らず、有機重合体
材料を炭化し得るものであればよい。
次に、本発明の詳細を、以下に示すより具体的な実験例
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
く実験例1〉
ポリ弗化ビニリデン粉末(貧窮化学(株)製に−678
8)をジメチルホルムアミドに溶解し、ポリ弗化ビニリ
デンのジメチルホルムアミド溶液を得た。さらに、この
溶液中に5[W%]のオイルブラックカーボンを加え着
色した。
8)をジメチルホルムアミドに溶解し、ポリ弗化ビニリ
デンのジメチルホルムアミド溶液を得た。さらに、この
溶液中に5[W%]のオイルブラックカーボンを加え着
色した。
厚さ0.635 [tea ]のアルミナ基基板面に上
記ポリ弗化ビニリデン溶液を塗布し、120 [℃]で
乾燥して厚さ15[μ7FL]の黒色ポリ弗化ビニリデ
ン層を形成した。このポリ弗化ビニリデン層の所定の箇
所に、YAGレーザ装置を用い、大気中1.06[μr
rL]の波長のYAGレーザビームを黒用し、それぞれ
2つの抵抗素子を形成した。
記ポリ弗化ビニリデン溶液を塗布し、120 [℃]で
乾燥して厚さ15[μ7FL]の黒色ポリ弗化ビニリデ
ン層を形成した。このポリ弗化ビニリデン層の所定の箇
所に、YAGレーザ装置を用い、大気中1.06[μr
rL]の波長のYAGレーザビームを黒用し、それぞれ
2つの抵抗素子を形成した。
第2図に示す如く、これらの抵抗素子22゜23はそれ
ぞれ1本線でジグザグ状であった。抵抗素子22は、レ
ーザ装置の出力1.4[W]、走査速度180 [tm
/ SeC]で形成し、その全長は4[α]で、線幅
は50[μTrL1であった。また、抵抗素子23は、
レーザ装置の出力 1.6[W]、走査速度130 [
m / sec ]で形成し、その全長は3[cm]で
、線幅は50[μm]であった。
ぞれ1本線でジグザグ状であった。抵抗素子22は、レ
ーザ装置の出力1.4[W]、走査速度180 [tm
/ SeC]で形成し、その全長は4[α]で、線幅
は50[μTrL1であった。また、抵抗素子23は、
レーザ装置の出力 1.6[W]、走査速度130 [
m / sec ]で形成し、その全長は3[cm]で
、線幅は50[μm]であった。
次に、導体ペースト6838 (デュポン社製低温硬化
型錫ペースト)を、スクリーンマスクを用いて、抵抗素
子22.23と接続するようにポリ弗化ビニ972層2
1上に塗布し、120[℃]で硬化させて配置124a
、24b、24cを形成シタ。第2図に示す如く、配線
24bは抵抗素子22゜23の各一端を共通に接続して
いる。
型錫ペースト)を、スクリーンマスクを用いて、抵抗素
子22.23と接続するようにポリ弗化ビニ972層2
1上に塗布し、120[℃]で硬化させて配置124a
、24b、24cを形成シタ。第2図に示す如く、配線
24bは抵抗素子22゜23の各一端を共通に接続して
いる。
こうして得た抵抗素子22.23の抵抗値を実測したと
ころ、それぞれ2[MΩ]及び500[KΩ]であった
。
ころ、それぞれ2[MΩ]及び500[KΩ]であった
。
最後に、抵抗素子22.23及び配線24a。
〜、24Cを覆ってソルダレジスト70G(タムラ化研
(株)類エポキシ樹脂)を印刷し、120[’C]で硬
化させてci!m膜(図示せず)を形成した。こうして
所望の印刷配線板を得た。
(株)類エポキシ樹脂)を印刷し、120[’C]で硬
化させてci!m膜(図示せず)を形成した。こうして
所望の印刷配線板を得た。
く実験例2〉
ポリ弗化ビニル粉末(サイエンティック・ポリマープロ
ダクツ社製)をジメチルホルムアミドに溶解し、さらに
3[w%]のオイルブラックを加え着色した。この溶液
を用いて実験例1と同様にして抵抗素子(抵抗素子23
に相当)を形成した。
ダクツ社製)をジメチルホルムアミドに溶解し、さらに
3[w%]のオイルブラックを加え着色した。この溶液
を用いて実験例1と同様にして抵抗素子(抵抗素子23
に相当)を形成した。
また、比較のために、それぞれ次の樹脂を用いて同様に
抵抗素子を形成した。
抵抗素子を形成した。
比較例1・・・アクリルベット(三菱レイヨン社製メタ
クリル酸メチル樹脂)をシクロヘキサンに溶解し、さら
に3[w%]のオイルブラックを加えて着色したもの。
クリル酸メチル樹脂)をシクロヘキサンに溶解し、さら
に3[w%]のオイルブラックを加えて着色したもの。
比較例2・・・エピコート828(シェル化学社製。
ジシアンジアミド5%含有ヒスフェノールA型エポキシ
樹脂)に3[w%]のオイルブラックを加え着色したも
の。
樹脂)に3[w%]のオイルブラックを加え着色したも
の。
比較例3・・・ポリ弗化ビニリデン粉末(貧窮化学(株
)社製に−6788)をジメチルホルムアミドに溶解し
たもの。
)社製に−6788)をジメチルホルムアミドに溶解し
たもの。
実験例1の抵抗素子23を含めて以上の各抵抗素子及び
抵抗値の高温放置(120℃X 1000時間)後、及
び湯中放置〈相対湿度90%以上、40℃X 1000
時間)後の変化率を測定した。その結果を下記第1表に
示す。
抵抗値の高温放置(120℃X 1000時間)後、及
び湯中放置〈相対湿度90%以上、40℃X 1000
時間)後の変化率を測定した。その結果を下記第1表に
示す。
第1表
この結果から判るように、弗素系の有機高分子体を含む
樹脂材料を用いたものは、抵抗素子の経時安定性が他の
ものに比べて著しく良好である。
樹脂材料を用いたものは、抵抗素子の経時安定性が他の
ものに比べて著しく良好である。
しかし、黒色化していない樹脂は、レーザビームの走査
速度が速くなると炭化しなくなり、作成できる抵抗体は
低抵抗のものであり、比較例3の場合だとレーザビーム
の走査速度は実験例1に対して1/10のスピードであ
った。これに対して黒色化せしめた樹脂は炭化質を微妙
にコントロールできるので、低抵抗から高抵抗まで幅広
く作成できる。
速度が速くなると炭化しなくなり、作成できる抵抗体は
低抵抗のものであり、比較例3の場合だとレーザビーム
の走査速度は実験例1に対して1/10のスピードであ
った。これに対して黒色化せしめた樹脂は炭化質を微妙
にコントロールできるので、低抵抗から高抵抗まで幅広
く作成できる。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、抵抗素子の形成材
料として弗素系有機高分子体を含む樹脂材料を用いるこ
とにより、経時安定性の優れた抵抗素子を形成すること
ができる。しかも、上記材料を予め黒色化しておくこと
により、炭化質を微妙にコントロールすることができ、
低抵抗から高抵抗まで幅広い値に亙り抵抗素子を容易に
形成することができる。従って、印刷配線板における抵
抗素子形成法として極めて有効である。
料として弗素系有機高分子体を含む樹脂材料を用いるこ
とにより、経時安定性の優れた抵抗素子を形成すること
ができる。しかも、上記材料を予め黒色化しておくこと
により、炭化質を微妙にコントロールすることができ、
低抵抗から高抵抗まで幅広い値に亙り抵抗素子を容易に
形成することができる。従って、印刷配線板における抵
抗素子形成法として極めて有効である。
第1図(a)〜(C)は本発明の一実施例に係わる抵抗
素子形成工程を示す断面図、第2図は上記実施例によっ
て形成された抵抗素子パターンを示す平面図である。 11・・、基板、12.21・・・樹脂性材料、13a
。 13 b、22.23・・・抵抗素子、14.24a。 24b、24c・・・配線層、15・・・保1膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
素子形成工程を示す断面図、第2図は上記実施例によっ
て形成された抵抗素子パターンを示す平面図である。 11・・、基板、12.21・・・樹脂性材料、13a
。 13 b、22.23・・・抵抗素子、14.24a。 24b、24c・・・配線層、15・・・保1膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)弗素系有機高分子体を含む樹脂材料を黒色化せし
め、これにより少なくとも表層部分が形成されている基
体を準備し、該基体表層面を選択的に加熱して該加熱さ
れた表層部分の有機高分子体を炭化し抵抗素子に転化す
ることを特徴とする抵抗素子の形成方法。 - (2)前記加熱を、レーザビームの照射によつて行うこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の抵抗素子の
形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61073023A JPS62229903A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 抵抗素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61073023A JPS62229903A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 抵抗素子の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62229903A true JPS62229903A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13506326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61073023A Pending JPS62229903A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 抵抗素子の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62229903A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120778A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
JP2007251149A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US8580700B2 (en) | 2006-02-17 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61073023A patent/JPS62229903A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120778A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
JP2007251149A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US8580700B2 (en) | 2006-02-17 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0159443B1 (en) | Method of forming conductor path | |
US4572843A (en) | Method for producing a capacitor with precise capacitance | |
US5460921A (en) | High density pattern template: materials and processes for the application of conductive pastes | |
TW200303160A (en) | An improved method to embed thick film components | |
EP0105639B1 (en) | Production of resistor from insulating material by local heating | |
JPH0147881B2 (ja) | ||
US4489230A (en) | Manufacturing method for a resistance element | |
JPS62229903A (ja) | 抵抗素子の形成方法 | |
JPS6255993A (ja) | 印刷回路板の小型化方法 | |
JPS62232187A (ja) | セラミツク基板の製造方法 | |
JPS5812392A (ja) | 平坦化配線 | |
JPS61244094A (ja) | 多層配線板の製造方法 | |
CN113764137A (zh) | 纳米银线导电膜的制备方法、纳米银线导电膜及其应用 | |
JPS59217386A (ja) | 導電体間に抵抗体を形成する方法 | |
JPS6059707A (ja) | 抵抗体の形成方法 | |
JPS59217303A (ja) | 抵抗素子の形成方法 | |
JPS6148903A (ja) | 抵抗体付き印刷配線板の製造方法 | |
JPS59220903A (ja) | 抵抗体の形成方法 | |
JPS59169107A (ja) | 抵抗体の製造方法 | |
JP2004140174A (ja) | 電子部品とその製造方法及びそれらに用いる導電性ペースト | |
JPS60244093A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JPS6074661A (ja) | 所定の電気特性値を有する電気回路部の製造方法 | |
JPS6352443B2 (ja) | ||
JPS58219792A (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
JPS60173895A (ja) | 抵抗体の製造方法 |