JPH0250417A - 投影型露光装置及び投影露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、投影型露光装置、特にその投影光学系の開口
絞り径を可変にした露光装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、ＬＳＩや超ＬＳＩ等の掻微細パターンからなる半
導体素子の製造に縮小投影型露光装置が使用されており
、より一層微細なパターンを転写するために多大の努力
が続けられている。このようなパターンの微細化に対応
するために、露光光の短波長化と共に、投影光学系の開
口数（以下、ＮＡと略称する。）の増大が図られてきて
おり、ＮＡ＝０．５を越える投影光学系も実現されてき
ている。

そして、このように大きなＮＡを有する投影光学系を用
いた実際の投影露光においては、照明条件を最適化する
ことが重要となっている。このために、投影光学系のＮ
Ａに対する照明光学系のＮＡの比に相当する所謂σ値の
調節によって、所定のパターンについての解像力とコン
トラストとの適切なバランスを得るように両光学系のＮ
Ａを調整することが、例えば実開昭６１−１５１号公報
等により知られている。また、ＮＡが増大すればするほ
ど焦点深度が浅くなるため、レチクル上の微細パターン
をウェハ上に露光転写する時の焦点整合条件が極めて厳
しくなり、わずかの焦点変動があってもパターンの転写
が正確になされないという問題があった。このため、投
影光学系のＮＡを適宜変えることが提案されており、−
ｉには微細なパターンの露光焼付に際して、投影光学系
のＮＡを大きくすると限界解像力が良くなる反面焦点深
度が浅くなり、逆にＮＡを小さくすると限界解像力が悪
化する反面焦点深度が深くなることが知られている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記の如き従来の装置においては、投影
光学系の最適なＮＡの値は、投影しようとする所定の微
細パターンに対して種々の実験や試し露光等により実験
的或いは経験的に選定することが必要であるために、多
大の労力と時間を要し、多種類の露光パターンを次々に
投影露光する場合には、製造工程上無視できない負担と
なってきている。

本発明は、上述の如き欠点を解消して、所定のパターン
に対して投影光学系の適切なＮＡを簡単に求めることが
でき、最適な投影露光状態を容易に設定して、−層微細
化しつつあるパターンの転写を迅速且つ正確に行い得る
投影型露光装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、第１図に例示される如き所定の微細パターン
を有するレチクルを照明するための照明光学系と、該レ
チクル上のパターンをウェハ面上に投影するための投影
光学系と、該投影光学系の開口絞りの口径を可変とする
絞り手段とを有する投影型露光装置において、レチクル
上の微細パターンで発生する回折光のうちの大きな回折
角の回折光、すなわち該パターンの像形成に必須でない
高次の回折光を除くように投影光学系の絞り開口を制限
する構成としたものである。具体的には、レチクル上の
最小パターンに対応する情報を取り入れるための最小パ
ターン情報受け入れ手段と、該最小パターン情報受け入
れ手段からの情報に応じて該最小パターンによって発生
する高次回折光を除去し得る絞り径に前記投影光学系の
可変絞り手段の口径を制御するための絞り制御手段を設
けたものである。

このような構成において、最小パターン情報受け入れ手
段は前記最小パターンの線幅の情報を受け入れ、絞り制
御手段は前記最小パターンの線幅の情報に基づいて該最
小パターンによる前記照明光学系から供給される照明光
の２次以上の高次回折光の回折角に対応する絞り開口の
口径を求め、該開口径よりも小さな口径に絞り手段を制
御する構成とすることが好ましい。さらに、絞り制御手
段は、最小パターンにおいて発生する１次回折光の角度
と、照明光学系のレチクルに対する照明光束の開き角度
との和の角度に対応する口径と略同一の口径に、絞り手
段の口径を制御するように構成することが望ましい。

〔作用〕

上記の如き本発明の基本構成によれば、レチクル上の所
定の微細パターンにおいて発生する高次回折光を除き、
０次及び１次の回折光のみによって該微細パターンの投
影転写を行うため、焦点深度を比較的大きく維持するこ
とが可能である。

即ち、レチクル上のパターンにおいて発生する高次回折
光は１次回折光に比較すると、回折角度が大きいため、
ウェハ上へも大きな角度をもって集光する。このため、
ウェハの位置が焦点位置から外れている場合に生ずるボ
ケの程度は、１次回折光よりも高次回折光により著しく
なる。この結果、焦点整合状態においては、高次回折光
の寄与により像の鮮明度は高まるものの、焦点外れの状
態においては高次回折光の存在のために像の鮮明度が急
激に劣化することになり、焦点深度を実質的に浅くする
ことになっている。一方、一般の投影型露光装置による
露光工程では、ウェハ上に塗布されるフォトレジストの
感光特性を示すγ　（ガンマ）値は、通常１．５以上で
あるため、０次光と１次回折光との光のみによってフォ
トレジストを感光させることによって十分な解像を得る
ことが可能である。

従って、レチクル上の微細パターンで発生する高次回折
光が投影光学系の入射瞳（開口絞りのレチクル側からみ
た像）の周辺部に入射する性質を利用して、開口絞りの
開口径を高次回折光を遮断して０次光と１次回折光のみ
を通過させて微細パターンの投影に寄与するように構成
することによって、実質的焦点深度を高めつつ実用上十
分な解像を得ることが可能である。そして、投影光学系
の開口絞りの口径を、照明光学系のＮＡと１次回折光の
角度との和に対応する口径の大きさとすることによって
、照明光学系のＮＡに対応する照明光束の０次光と１次
回折光とを総てウェハ上での結像に寄与させることがで
きる。

ここで、回折光についての説明を加えるに、半導体素子
の製造に用いられるレチクル上のパターンは、−ａ的に
は、ラインとスペースとの幅が等しいｌ：１ライン・ア
ンド・スペースのパターンとみることができる。レチク
ル上のパターンがｌ：１ライン・アンド・スペースのパ
ターンであるとすると、このパターンからのｎ次回折光
の回折角θは、照明光の波長をλとして、 ｓｉｎ　θ＝ｎλ／　２　ｄ　　　　　　　　（＋１の
関係を満たす。ここで、ｄはライン及びスペースの幅で
あり、ｎは回折次数であり、ｎ＝１．３゜５、・・・で
ある、尚、その他の周期パターンでは、２ｄの代わりに
パターンのピッチｐを用いて表され、ｎ＝２．４，６．
・・・の方向にも回折光が発生する。

理想的な１：１ライン・アンド・スペースパターンの場
合の回折光の強度分布は、第２図に示す如く、０次の他
、１次、３次、５次の奇数次のみとなり、偶数次の回折
光は発生しない、そして、図示のとおり０次と１次の回
折光の強度が際立って大きく０次光と１次光とが支配的
である。実際の１：ｌライン・アンド・スペースパター
ンの場合には、パターン数が有限なため第２図はど明確
な強度分布とはならず、各次回折角の中間にも弱い回折
光が発生するが、０次、１次回折光に比べてその強度は
極めて小さいため、本発明の如く２次以上の高次回折光
を遮光しても、実質的光量の不足を来す恐れはない。

また、孤立線や矩形の孤立穴などの孤立パターンの場合
には、回折角θ方向の回折光強度は、パターン幅をｄ、
光の波長をλとして、次のように表される。

５ｉｎｃｘ＝　　　　　　である。

そして、上記（１１式の１：ｌライン・アンド・スペー
スパターンの回折次数を用いて表せば、となり、第３図
の如き強度分布特性を有する。

すなわち、孤立パターンからは、上記１：１ライン・ア
ンド・スペースパターンの回折特性における、０次〜２
次及び２次〜４次、・・・相当の比較的広い角度範囲に
回折光が発生する。そして、このような孤立パターンの
場合にも、１：１ライン・アンド・スペースパターンに
おける、０次〜１次に相当する回折角範囲の回折光が支
配的であり、２次以上の高次相当回折光を遮光しても、
実質的光量を不足をきたす恐れはない。

尚、孤立パターンによる回折光強度の分布は、第３図に
示す如（５ｉｎｃ関数で表されており、この強度分布に
おける０次回折光Ｄ０及び１次回折光Ｄ１の各成分は、
第２図に示した如きライン・アンド・スペースパターン
の場合の０〜２次、２次〜４次の回折角相当成分に対応
する。従って、上の記述は孤立パターンで発生する回折
光のうち、５ｉｎｃ関数の１次以上の回折光成分を遮光
すると言い換えることができる。

〔実　施　例〕

以下、本発明を図示した実施例に基づいて説明する。

第１図は本発明による投影型露光装置の一実施例の概略
構成を示す斜視図である。

超高圧水銀灯ｌから発する短波長光は、楕円鏡２で反射
され、コールドミラー３で反射されて楕円鏡の第２焦点
上に集光される。そして、コリメーターレンズや光束分
布補正用のコーン状プリズム等からなる集光光学系４を
通過し、フライアイレンズ群からなる如きインテグレー
タ部材５によって、照明系絞り６の位置に実質的面光源
を形成する。絞り６の位置の実質的光源からの光束は、
リレーレンズ８、ミラー９及びコンデンサーレンズ１０
を介して、破線で示す１１’の位置に配置されるレチク
ル１１をほぼ均一に照明する。レチクル１１上の図示な
きパターンは、投影対物レンズ１４によってウェハ１７
上に所定の倍率で投影され、ウェハ１７上のフォトレジ
ストを感光させ所定の化学処理により、レチクルパター
ンに対応するパターンがウェハ上に転写される。投影対
物レンズ１４内には口径可変の開口絞り１５が配置され
ており、その口径を制御するための絞りアクチュエータ
１６が図示なき対物レンズ鏡筒の周囲に設置されている
。絞りアクチュエータ１６はリニアエンコーダー等の変
位検出器を内蔵しており、絞り口径に対応する情報を有
している。照明光学系内の開口絞り６と投影対物レンズ
内の開口絞り１５とは互いに共役に配置されており、投
影対物レンズ内の開口絞り１５上での絞り６の像の大き
さの比がσ値に対応する。

レチクル１１は破線で示した１１’の位置に、図示なき
レチクル搬送機構によって移動設置される。レチクル搬
送機構に沿って、最小パターン情報受け入れ手段として
のバーコードリーダー１３が配置されており、レチクル
１１の移動中に、レチクルｌｌ上の周囲の所定位置に形
成されたバーコード１２を読み取る。このバーコード１
２には、レチクルの整理番号等の情報にに加えて、その
レチクルに形成されたパターン中での最小パターンの線
幅の情報、例えば０．７　μ−（ウェハ上）の情報が盛
り込まれており、バーコードリーダー１３により、露光
に用いるレチクルの最小パターン幅の情報を読み取る。

バーコードリーダー１３からの最小線幅情報は、演算手
段としてのＣＰｏｌＢに入力される。演算手段１８では
、バーコードリーダー１３からの情報により、露光パタ
ーンの最小線幅値０．７　μ−の値から、このパターン
から発する１次回折光の回折角θ、を求め、また照明系
絞り６の絞りアクチュエータ７から照明系のＮＡに対応
するレチクル面上での照明光の開き角θ。

の情報を取り入れる。そして、投影対物レンズの絞り１
５の位置で、１次回折光の回折角θ１と照明光の開き角
θ。との和（θ１　＋θ。）に対応する開口口径値を求
め、この口径値になるように絞り制御手段１６に信号を
送り、絞りアクチエエータ１６により絞り１５の口径が
角度（θ１　＋θ。

）に対応する開口口径に設定される。

ここで、照明光の開き角θ。は、照明系絞り６の口径で
決定される照明系のＮＡｓとの間に、ＮＡｓ−５ｉｎθ
。（４） の関係がある。また（１１式よりレチクルに角度θ。

で入射した光の１次回折角度θ、は、 λ ｓｉｎ　　θ、　　＝ｓｉｎ　　θ。＋ｄ を満たすので、（４）式より λ ｓｉｎ　　θ、＝ＮＡｓ　　＋ ｄ となり、投影対物レンズの物体側開口数Ｎ　Ａ　ｏをＮ
Ａａ＝ｓｉｎ　θ１ とすれば、１次回折光をすべて結像に寄与させることが
できる。従って、 λ ＮＡａ　　＝ＮＡｓ　　＋　　　　　　　　　　　ｔ５
）ｄ となるように投影対物レンズの開口絞りを制御すればよ
い。

このようにして、レチクル１１が投影露光のための所定
位置に配置されるまでには、投影対物レンズの開口絞り
１５がそのレチクルの最小線幅パターンに最適な開口に
設定され、比較的大きな焦点深度を維持しつつ微細パタ
ーンを鮮明に転写することが可能となる。

第４図（Ａ）及び（Ｂ）は投影対物レンズによる結像の
様子を示す光線図であり、レチクル上の最も微細なパタ
ーンがＩ：１ライン・アンド・スペースパターンである
場合を示している０図では、理解し易くするために、投
影対物レンズのが入射瞳と射出瞳との位置が瞳Ｐとして
一致し、瞳倍率も等倍であるものとして示した。

図示の如く、照明光学系から開き角θ。で照明される１
　：ｌライン・アンド・スペースパターンからの各回折
光が投影対物レンズの収斂作用によってウェハ１７上に
集光される。レチクル１１のｌ：１ライン・アンド・ス
ペースパターンからの１次回折光り、Ｉ、Ｄ−、はそれ
ぞれ光軸に対して中心角度θ１で投影対物レンズの瞳Ｐ
面上に達し、ウェハ１７上に集光される。２次の回折光
は第３図に示したとおり、存在しない。３次の回折光Ｄ
＊３．０−２はそれぞれ光軸に対して中心角度θコで投
影対物レンズの１１２面上に達し、ウェハ１７上に集光
される。

第４図（Ｂ）は、第４図（Ａ）に示される如き回折光の
結像状態において、第１図に示した如き構成によって投
影対物レンズの絞り１５０口径を適切に制御した結果の
状態を示している。すなわち、３次の回折光Ｄ−ａ、Ｄ
−ｓは絞りによって遮光されるため、ウェハ１７上・で
の微細パターンの結像に寄与する光束は、０次回折光り
、と１次回折光Ｄ−＋、Ｄ−＋のみとなっている０図で
は瞳Ｐ面上での絞り像の開口径Φ、の中を、０次回折光
Ｄ０と１次回折光り、、、Ｄ−、が通過する。尚、絞り
像の開口径Φ２は投影対物レンズの開口数Ｎ　Ａ　６に
対応しており、実際の開口絞りの口径Φとは、開口絞り
に対する入射瞳（レチクル側瞳）の像倍率をβとすると
き、φ、＝βΦ　の関係にある。

いま、レチクル上の最も微細なパターンの線幅を８．０
μｍとし、露光波長λ”４３５．８ｎｓによって照明系
のＮＡをＮＡｓ　＝０．０５　　とするとき、投影対物
レンズのレチクル側開口数は、（５）式により、０．０
７７となる。

第５図（Ａ）（Ｂ）は、レチクル上の最も微細なパター
ンが孤立線からなる孤立パターンである場合の結像光線
の様子を示す光線図である。この場合にも、第５図（Ａ
）に示すとおり、照明光学系から開き角θ。で照明され
る孤立パターンからの各回折光が投影対物レンズの収斂
作用によってウェハ１７上に集光される。レチクル１１
の孤立パターンからの第３図の如き５ｉｎｃ関数でのＯ
次回折光り、は投影対物レンズの瞳Ｐ面上に達し、ウェ
ハ１７上に集光される。また、５ｉｎｃ関数での１次の
回折光り、、、ＩＣ，はそれぞれ光軸に対して中心角度
θ、で投影対物レンズの瞳Ｐ面上に達し、ウェハ１７上
に集光される。この孤立パターンの場合には第３図に示
した如く、ｎ＝２．４の回折光強度はほぼ零とみなせ、
それを除く範囲にわたって連続的に回折光が分布してい
る。

第５図（Ｂ）は、第５図（Ａ）に示される如き孤立パタ
ーンからの回折光の結像状態において、投影対物レンズ
の絞り１５の口径を適切に制御した結果の状態を示して
いる。すなわち、１次の回折光り、、、Ｄ−、は絞りに
よって遮光されるため、ウェハ１７上での微細パターン
の結像に寄与する光束は、Ｏ次回折光り、のみとなって
いる。図では１２面上での絞り像の開口径Φ、の中を、
０次回折光り、のみが通過する。

この孤立線の線幅が前記ライン・アンド・スペースパタ
ーンの線幅と同一であるとすれば、同一の照明系ＮＡと
同一の露光光の場合には、投影対物レンズの開口数は、
第４図（Ｂ）の場合と同様に０．０７７とすることが適
正である。そして、このような絞りによって高次回折光
を除去したとしても、投影のための光量の撰失は前述し
たとおり実質的には問題ない程度である。

尚、図示した上記の説明では、回折光を生ずるパターン
がいずれも光軸上に位置する場合としたが、これは理解
を容易とするためであり、光軸外に微細パターンが存在
する場合でも１２面上では回折光の分布はほぼ同様であ
るため、上記の説明は一船性を失うものではない。

ところで、上記実施例においては、投影対物レンズの開
口絞り径を、レチクル上の最小パターンにおいて発生す
る１次回折光の角度と照明光学系のレチクルに対する照
明光束の開き角度との和の角度に対応する口径と略同一
に制御する構成としたが、第２図や第４図（Ａ）に例示
されるごとき回折光の分布状態からすれば、１次回折光
の回折角度を求める代わりに、高次回折光として３次回
折光の回折角を求め、この３次回折角に対応する口径よ
りもやや小さい口径に開口絞り１５の口径を制御するよ
うに構成することも可能である。

また、第１図に示した実施例の構成において、照明光学
系の開口絞り６の口径を絞りアクチュエータフによって
可変にすることができる。この場合、演算手段１８にお
いて照明系開口絞り６の開口口径の値に対応して変化す
る照明系のＮＡの値を求め、投影対物レンズの開口絞り
１５の口径を上記（５）式によって最適に調整すること
が好ましい。

尚、本実施例では最小パターン情報受け入れ手段として
バーコードリーダーを用いたが、これに限らず例えばレ
ーザ光を照射してその回折光を検出することによって最
小パターン幅を自動的に検出する装置とすることも可能
であり、マニュアルで最小パターンの線幅値を直接演算
手段に入力するための最小線幅入力手段として構成する
ことも可能である。

また、例えば本願と同一出願人による特開昭５９−９４
０３２号公報に開示されるように、ウェハステージ上に
移動可能なスリットとその透過光を受光する光電検出器
とを設けて、レチクルを所定の露光位置に配置した状態
において、露光と同一の照明状態で照明してステージ上
のレチクルパターン像の幅を計測することによって、レ
チクルパターンの最小線幅を求める構成とすることも可
能である。これとは逆に、ステージ上からスリットをレ
チクル側に投影して照明光学系内の光分割器を介して、
レチクルパターンに対してステージスリットを移動させ
てレチクルパターンの幅を光電検出する構成とすること
も可能である。このように投影対物レンズそのものを介
してステージスリットによりレチクルパターンの線幅計
測を行う際に、投影対物レンズの絞り径を適宜変化させ
て計測することによって、そのレチクルパターンについ
ての最適な開口数を求めることも可能であり、このよう
な手段も前記演算手段が包含しｊ″ｉＩるものである。

第６図（Ａ）はこのような投影対物レンズそのものを介
してステージスリットによりレチクルパターンの線幅計
測を行うに好適なレチクルの概要を示す斜視図である。

矩形の有効パターン領域ＰＡは所定幅の遮光帯ＳＬで囲
まれており、遮光帯ＳＬの外側の３個所にはレチクル１
１のアライメントのためのマークＲＭｘ、ＲＭｙ、ＲＭ
θが設けられている０例えば、マークＲＭｘの近傍には
パターン領域ＰＡ内に形成された最小線幅と同一幅の参
照パターンＴＰｘ、ＴＰｙが設けられている。参照パタ
ーンＴＰｘは、ｙ方向に伸びた直線状パターンの集合体
であり、参照パターンＴＰｙは、Ｘ方向に伸びた直線状
パターンの集合体である０例えば、参照パターンＴＰｘ
は第６図（Ｂ）に拡大して示されるように、暗部の孤立
線Ｐ１とｌ＝１ライン・アンド・スペースパターンＰ２
及び明部の孤立線Ｐ、とで構成されている。このような
レチクル上の参照パターンのステージ上での像を前述し
た如くステージスリットで走査することとすれば、各参
照パターンの線幅を直接計測することが可能となる。こ
の際、照明光学系内に配置されている図示なき視野絞り
（レチクルブラインド）の開口形状を遮光帯ＳＬよりも
拡げて参照パターンＴＰｘ、ＴＰｙをも照明することと
するのが好ましい、このような構成によれば、種々のパ
ターンが混在するレチクルにおいて、参照パターンとし
て代表的なパターンを設けておけるので、そのレチクル
の露光に最適な投影対物レンズの開口数を迅速かつ的確
に選定することが可能である。

〔発明の効果〕

以上の如き本発明によれば、レチクル上の最も微細なパ
ターンに対して投影光学系の適切なＮＡを簡単に求める
ことができ、最適な投影露光状態を容易に設定すること
ができる。従って、−層微細化しつつあるパターンの転
写を迅速且つ正確に行い得る投影型露光装置が実現でき
、超ＬＳＩ等の高集積半導体素子の製造に大きく寄与し
得るものである。

尚、本発明は例示した水銀灯を光源とする投影型露光装
置に限らず、レーザを光源とする投影型露光装置におい
ても同様に有効であり、レーザを光源とする場合には、
照明光学系内の開口絞りの位置において実質的面光源を
形成するためのインテグレータやビーム操作手段等を設
けて、上記実施例と同様にパーシャルコヒーレントな照
明状態とすることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による実施例の構成を示す概略斜視図、
第２図はレチクルのパターンが理想的なｔａｒライン・
アンド・スペースパターンである場合の回折光の強度分
布を示す図、第３図はレチクルのパターンが孤立パター
ンである場合の回折光の強度分布を示す図、第４図（Ａ
）（Ｂ）はレチクル上のパターンが１：１ライン・アン
ド・スペースパターンである場合の結像光線の様子を示
す説明図であり（Ａ）は投影対物レンズの絞りを制御し
ない状態を示しくＢ）は本発明に基づいて投影対物レン
ズの絞りを適切に制御した場合を示し、第５図（Ａ）（
Ｂ）はレチクル上のパターンが孤立パターンである場合
の結像光線の様子を示す説明図であり（Ａ）は投影対物
レンズの絞りを制御しない状態を示しくＢ）は本発明に
基づいて投影対物レンズの絞りを適切に制御した場合を
示し、第６図（Ａ）はレチクルパターンの線幅計測を行
うに好適なレチクルの概要を示す斜視図、第６図（Ｂ）
はレチクル上に設けられた参照パターンを示す拡大斜視
図である。 １４・・・投影光学系（投影対物レンズ）１５・・・投
影光学系内の開口絞り

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の微細パターンを有するレチクルを照明する
   ための照明光学系と、該レチクル上のパターンをウェハ
   面上に投影するための投影光学系と、該投影光学系の開
   口絞りの口径を可変とする絞り手段とを有する投影型露
   光装置において、前記レチクル上の最小パターンに対応
   する情報を得るための最小パターン情報受け入れ手段と
   、該最小パターン情報受け入れ手段からの情報に応じて
   、該最小パターンによって発生する回折光のうち回折角
   の大きな回折光を除去し得る絞り径に前記投影光学系の
   可変絞り手段の口径を制御するための絞り制御手段を有
   することを特徴とする投影型露光装置。
2. （２）前記絞り制御手段は、前記絞り手段の口径を、前
   記最小パターンにおいて発生する１次回折光の角度と前
   記照明光学系の前記レチクルに対する照明光束の開き角
   度との和の角度に対応する口径と略同一の口径に制御す
   ることを特徴とする請求項１記載の投影型露光装置。
3. （３）前記最小パターン情報受け入れ手段は前記最小パ
   ターンの線幅の情報を受け入れ、前記絞り制御手段は前
   記最小パターンの線幅の情報に基づいて、前記照明光学
   系から供給される照明光にて該最小パターンによって発
   生する回折光のうち回折角の大きな回折光の角度に対応
   する前記絞り手段の開口口径値を求め、該開口口径値よ
   りも小さな口径に前記絞り手段を制御することを特徴と
   する請求項１記載の投影型露光装置。
4. （４）前記照明光学系は、前記レチクルに対する照明光
   束の開き角度を制御し得る開口絞り手段を有し、前記絞
   り制御手段は該照明光学系における絞り手段の口径をも
   制御し得ることを特徴とする請求項１乃至３記載の投影
   型露光装置。