JPH0582414A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH0582414A JPH0582414A JP3242244A JP24224491A JPH0582414A JP H0582414 A JPH0582414 A JP H0582414A JP 3242244 A JP3242244 A JP 3242244A JP 24224491 A JP24224491 A JP 24224491A JP H0582414 A JPH0582414 A JP H0582414A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- numerical aperture
- pattern
- reduction projection
- projection exposure
- lenses
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】焦点深度を深くし、焦点合せをし易くする。
【構成】開口率をパターンの解像度に応じて変えるしぼ
り機構５を縮小投影レンズ４のレンズ系列間に挿入し、
低解像度のパターンでは、しぼり機構５の開口度を小さ
くし、縮小投影レンズの焦点深度を深くしている。
り機構５を縮小投影レンズ４のレンズ系列間に挿入し、
低解像度のパターンでは、しぼり機構５の開口度を小さ
くし、縮小投影レンズの焦点深度を深くしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルのパターンを
縮小投影して半導体基板に転写する縮小投影露光装置に
関する。
縮小投影して半導体基板に転写する縮小投影露光装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の縮小投影露光装置の一例を
示す概略図である。従来、この種の縮小投影露光装置
は、例えば、図２に示すように、任意の波長の光を発生
する光源部１と、光を反射する反射鏡２と、反射光を透
過するパターンが形成されたレチクル３と、レチクル３
のパターン像を縮小して半導体基板６に投影する縮小投
影レンズ４と、半導体基板６を搭載するステージ７とを
有していた。
示す概略図である。従来、この種の縮小投影露光装置
は、例えば、図２に示すように、任意の波長の光を発生
する光源部１と、光を反射する反射鏡２と、反射光を透
過するパターンが形成されたレチクル３と、レチクル３
のパターン像を縮小して半導体基板６に投影する縮小投
影レンズ４と、半導体基板６を搭載するステージ７とを
有していた。
【０００３】また、パターンが転写される半導体基板上
には、感光性樹脂が塗布され、この感光性樹脂にレチク
ルパターン像を縮小投影し、感光性樹脂に任意のパター
ンを転写させていた。
には、感光性樹脂が塗布され、この感光性樹脂にレチク
ルパターン像を縮小投影し、感光性樹脂に任意のパター
ンを転写させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の縮小投影露
光装置では、解像度または焦点深度は縮小投影レンズの
開口率によってそのほとんどが決定される。高解像度を
得ようとして、レンズの開口率を大きくすると、焦点深
度は浅くなる。特に、近年、開口率が高い光学系を備え
ているので、高解像度を必要としないパターンを露光す
る場合でも、焦点深度が狭くなり、焦点合せが難しいと
いう問題がある。
光装置では、解像度または焦点深度は縮小投影レンズの
開口率によってそのほとんどが決定される。高解像度を
得ようとして、レンズの開口率を大きくすると、焦点深
度は浅くなる。特に、近年、開口率が高い光学系を備え
ているので、高解像度を必要としないパターンを露光す
る場合でも、焦点深度が狭くなり、焦点合せが難しいと
いう問題がある。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、開口率が高くとも、容易に焦点合せの出来る縮小投
影露光装置を提供することである。
く、開口率が高くとも、容易に焦点合せの出来る縮小投
影露光装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の縮小投影露光装
置は、半導体基板上に塗布された感光性樹脂に任意のパ
ターンを形成する際に、レチクルに形成されているパタ
ーンを縮小投影レンズを通して、半導体基板上の感光性
樹脂に縮小投影する縮小投影露光装置において、複数の
レンズで構成されている前記縮小投影レンズのレンズと
レンズの間にレンズの開口率を変えるしぼり機構を挿入
し、露光中に前記パターンの解像度に応じて開口率を変
えることを特徴としている。
置は、半導体基板上に塗布された感光性樹脂に任意のパ
ターンを形成する際に、レチクルに形成されているパタ
ーンを縮小投影レンズを通して、半導体基板上の感光性
樹脂に縮小投影する縮小投影露光装置において、複数の
レンズで構成されている前記縮小投影レンズのレンズと
レンズの間にレンズの開口率を変えるしぼり機構を挿入
し、露光中に前記パターンの解像度に応じて開口率を変
えることを特徴としている。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施
例における縮小投影露光装置及びしぼり機構を示す概略
図である。この縮小投影露光装置は、図１（ａ）に示す
ように、開口率を変えるしぼり機構５を縮小投影レンズ
４のレンズ間に設けたことである。また、このしぼり機
構は、図１（ｂ）に示すように、高解像のパターンを転
写する場合には、矢印に示す方向にしぼり板を移動さ
せ、開放し、低解像度のパターンを転写するときには、
しぼり機構５のしぼり板を移動させ、開口率を小さくす
ることである。次に、この縮小投影露光装置を使用して
半導体基板にレチクルのパターンを転写する手順につい
て説明する。まず、装置に装填されたレチクル３の必要
とする解像度を推定し、この解像度によってしぼり機構
５の開口度を設定する。次に、図面に示していない焦点
合せ機構を使用して、半導体基板６の位置調整をする。
次に、焦点合せの設定が終了したら、光源部１を点灯
し、レチクル３のパターンを半導体基板６に転写する。
例における縮小投影露光装置及びしぼり機構を示す概略
図である。この縮小投影露光装置は、図１（ａ）に示す
ように、開口率を変えるしぼり機構５を縮小投影レンズ
４のレンズ間に設けたことである。また、このしぼり機
構は、図１（ｂ）に示すように、高解像のパターンを転
写する場合には、矢印に示す方向にしぼり板を移動さ
せ、開放し、低解像度のパターンを転写するときには、
しぼり機構５のしぼり板を移動させ、開口率を小さくす
ることである。次に、この縮小投影露光装置を使用して
半導体基板にレチクルのパターンを転写する手順につい
て説明する。まず、装置に装填されたレチクル３の必要
とする解像度を推定し、この解像度によってしぼり機構
５の開口度を設定する。次に、図面に示していない焦点
合せ機構を使用して、半導体基板６の位置調整をする。
次に、焦点合せの設定が終了したら、光源部１を点灯
し、レチクル３のパターンを半導体基板６に転写する。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、縮小投影
レンズのレンズ系列間にしぼり機構を挿入し、露光中に
しぼり機構の開口度をパターンの解像度に応じて変える
ことによって、高開口率に設定されていても、開口率を
変えて、焦点深度を深くすることが出来るので、容易に
焦点合せが出来る縮小投影露光装置が得られるという効
果がある。
レンズのレンズ系列間にしぼり機構を挿入し、露光中に
しぼり機構の開口度をパターンの解像度に応じて変える
ことによって、高開口率に設定されていても、開口率を
変えて、焦点深度を深くすることが出来るので、容易に
焦点合せが出来る縮小投影露光装置が得られるという効
果がある。
【図１】本発明の一実施例における縮小投影露光装置を
示し、（ａ）は全体の構成を示す概略図、（ｂ）はしぼ
り機構の概略図である。
示し、（ａ）は全体の構成を示す概略図、（ｂ）はしぼ
り機構の概略図である。
【図２】従来の縮小投影露光装置の一例を示す概略図で
ある。
ある。
１ 光源部 ２ 反射鏡 ３ レチクル ４ 縮小投影レンズ ５ しぼり機構 ６ 半導体基板 ７ ステージ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に塗布された感光性樹脂に
任意のパターンを形成する際に、レチクルに形成されて
いるパターンを縮小投影レンズを通して、半導体基板上
の感光性樹脂に縮小投影する縮小投影露光装置におい
て、複数のレンズで構成されている前記縮小投影レンズ
のレンズとレンズの間にレンズの開口率を変えるしぼり
機構を挿入し、露光中に前記パターンの解像度に応じて
開口率を変えることを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3242244A JPH0582414A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3242244A JPH0582414A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582414A true JPH0582414A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17086392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3242244A Pending JPH0582414A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2000103C2 (nl) * | 2005-08-31 | 2007-08-07 | Taiwan Semiconductor Mfg | Systeem en werkwijze voor de fotolithografie bij vervaardiging van halfgeleiders. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250417A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Nikon Corp | 投影型露光装置及び投影露光方法 |
| JPH02278811A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Nikon Corp | 投影露光装置及びそれを用いた露光方法 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3242244A patent/JPH0582414A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250417A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Nikon Corp | 投影型露光装置及び投影露光方法 |
| JPH02278811A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Nikon Corp | 投影露光装置及びそれを用いた露光方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2000103C2 (nl) * | 2005-08-31 | 2007-08-07 | Taiwan Semiconductor Mfg | Systeem en werkwijze voor de fotolithografie bij vervaardiging van halfgeleiders. |
| DE102006062993B3 (de) * | 2005-08-31 | 2021-03-11 | Taiwan Semiconductor Mfg. Co., Ltd. | Verfahren zur Photolithographie bei der Halbleiter-Herstellung |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980331 |