JP2002064045A - 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 - Google Patents

照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置

Info

Publication number
JP2002064045A
JP2002064045A JP2000249124A JP2000249124A JP2002064045A JP 2002064045 A JP2002064045 A JP 2002064045A JP 2000249124 A JP2000249124 A JP 2000249124A JP 2000249124 A JP2000249124 A JP 2000249124A JP 2002064045 A JP2002064045 A JP 2002064045A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
light
illumination
fly
optical device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000249124A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobumichi Kanayamatani
信道 金山谷
Masato Shibuya
眞人 渋谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2000249124A priority Critical patent/JP2002064045A/ja
Publication of JP2002064045A publication Critical patent/JP2002064045A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波面分割型オプティカルインテグレータによ
り形成される実質的な面光源の周辺部における照度むら
を実質的に低減することのできる照明光学装置。 【解決手段】 光束を供給するための光源手段(1)
と、光源手段からの光束に基づいて多数の光源を形成
し、各光源からの光束に基づいて所定面上に照野を重畳
的に形成するための多数光束重畳手段(4,5)と、多
数光束重畳手段からの光束に基づいて多数の光源からな
る実質的な面光源を形成するための波面分割型オプティ
カルインテグレータ(6)とを備えている。波面分割型
オプティカルインテグレータの入射面と所定面とは、実
質的な面光源の周辺部における照度むらを実質的に低減
するために所定距離だけ間隔を隔てて配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は照明光学装置および
該照明光学装置を備えた露光装置に関し、特に半導体素
子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイ
クロデバイスをリソグラフィー工程で製造するための露
光装置に好適な照明光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の典型的な露光装置において、光
源からの光束が第1フライアイレンズに入射し、その後
側焦点面に多数の光源を形成する。これらの光源からの
光束は、リレー光学系を介して第2フライアイレンズに
入射し、その後側焦点面に多数の光源からなる実質的な
面光源を形成する。この面光源からの光束は、その近傍
に配置された開口絞りを介して制限された後、コンデン
サーレンズに入射する。コンデンサーレンズにより集光
された光束は、所定のパターンが形成されたマスクを重
畳的に照明する。マスクのパターンを透過した光は投影
光学系を介して感光性基板上に結像し、感光性基板上に
はマスクパターンが投影露光(転写)される。
【0003】一般に、露光装置においては、転写すべき
マスクパターンにより照明光の最適なNA(開口数)が
異なることは周知の事実である。このため、現在では、
マスクパターン毎に照明光のNAを変更する操作が一般
に行われている。上述した露光装置において、照明NA
を変更する最も容易な方法は、開口絞りの径を変更して
照明に寄与する面光源の範囲を変更することである。た
だし、開口絞りの径を単に切り換えるだけでは、開口絞
りにおいて光量損失が発生し、光源から供給された光束
を効率良く被露光面へ導くことができない。そこで、本
出願人は、開口絞りの径を変更するとともに、面光源の
大きさを変更するためにリレー光学系の焦点距離を変化
させる構成を提案している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の露
光装置では、第1フライアイレンズにより多数の光源が
形成される位置とリレー光学系の前側焦点位置とが一致
し、且つ第2フライアイレンズの入射面とリレー光学系
の後側焦点位置とが一致するように構成されている。し
たがって、第1フライアイレンズにより形成された各光
源からの光は、第2フライアイレンズを重畳的に照明
し、その入射面に第1フライアイレンズの各レンズエレ
メントと相似な形状の照野を形成する。
【0005】このとき、リレー光学系の焦点距離を変化
させて第2フライアイレンズの入射面に形成される照野
の大きさを変化させると、照野の周辺部に位置するレン
ズエレメントでは、その入射面の全体に亘って光束が入
射することなく、部分的にしか光束が入射しなくなる。
その結果、第2フライアイレンズにより形成される実質
的な面光源において、その周辺部の照度が中央部に比し
て著しく小さくなり、いわゆる照度むらが発生するとい
う不都合があった。
【0006】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、フライアイレンズのような波面分割型オプテ
ィカルインテグレータにより形成される実質的な面光源
の周辺部における照度むらを実質的に低減することので
きる照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装
置を提供することを目的とする。また、本発明は、光量
損失を良好に抑えつつ所望の照度分布でマスクを照明
し、高いスループットおよび高い解像力で良好なマイク
ロデバイスを製造することのできるマイクロデバイスの
製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第1発明では、被照射面を照明する照明光
学装置において、光束を供給するための光源手段と、前
記光源手段からの光束に基づいて多数の光源を形成し、
各光源からの光束に基づいて所定面上に照野を重畳的に
形成するための多数光束重畳手段と、前記多数光束重畳
手段からの光束に基づいて多数の光源からなる実質的な
面光源を形成するための波面分割型オプティカルインテ
グレータと、前記実質的な面光源からの光束を前記被照
射面へ導くための導光光学系とを備え、前記波面分割型
オプティカルインテグレータの入射面と前記所定面と
は、前記実質的な面光源の周辺部における照度むらを実
質的に低減するために所定距離だけ間隔を隔てて配置さ
れていることを特徴とする照明光学装置を提供する。
【0008】本発明の第2発明では、被照射面を照明す
る照明光学装置において、光束を供給するための光源手
段と、前記光源手段からの光束に基づいて多数の光源を
形成し、各光源からの光束に基づいて所定面上に照野を
重畳的に形成するための多数光束重畳手段と、前記多数
光束重畳手段からの光束に基づいて多数の光源からなる
実質的な面光源を形成するための波面分割型オプティカ
ルインテグレータと、前記実質的な面光源からの光束を
前記被照射面へ導くための導光光学系とを備え、前記所
定面は、前記波面分割型オプティカルインテグレータの
入射面よりも被照射面側に位置することを特徴とする照
明光学装置を提供する。
【0009】第1発明および第2発明の好ましい態様に
よれば、前記多数光束重畳手段は、前記光源手段からの
光束に基づいて多数の光源からなる第1多数光源を形成
するための第1オプティカルインテグレータと、前記第
1多数光源の各光源からの光束に基づいて前記所定面上
に照野を重畳的に形成するためのリレー光学系とを有
し、前記リレー光学系の前側焦点位置と前記第1多数光
源の形成位置とがほぼ一致し、前記リレー光学系の後側
焦点位置と前記所定面とがほぼ一致している。
【0010】また、第1発明および第2発明の好ましい
態様によれば、前記波面分割型オプティカルインテグレ
ータは入射面および射出面を有し、該入射面および射出
面のうちの少なくともいずれか一方は二次元的に配列さ
れた複数のレンズ面を有し、前記所定距離は、前記波面
分割型オプティカルインテグレータの前記入射面および
前記射出面とは異なる面に起因して発生する光量損失を
実質的に抑えるために所定の値よりも小さく設定されて
いる。
【0011】さらに、第1発明および第2発明の好まし
い態様によれば、前記波面分割型オプティカルインテグ
レータの入射面は、前記所定面よりも光源手段側に配置
されている。また、前記所定距離は、前記波面分割型オ
プティカルインテグレータを構成する各レンズエレメン
トのサイズおよび前記所定面への入射光束の開口数に応
じて設定されていることが好ましい。
【0012】また、第1発明および第2発明の好ましい
態様によれば、前記所定距離は照明条件の変更に応じて
調整可能に構成されている。さらに、前記実質的な面光
源の大きさは変更可能に構成されており、前記所定距離
は前記実質的な面光源の大きさの変化に応じて調整可能
に構成されていることが好ましい。
【0013】本発明の第3発明では、第1発明および第
2発明の照明光学装置と、前記被照射面に配置されたマ
スクのパターンを感光性基板上へ投影露光するための投
影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置を提
供する。第3発明の好ましい態様によれば、前記マスク
のパターンに応じて照明条件を設定するための設定手段
をさらに備え、該設定手段は前記照明条件に応じて前記
所定距離を所定の値に設定する。
【0014】本発明の第4発明では、第1発明および第
2発明の照明光学装置により前記被照射面に配置された
マスクを照明する照明工程と、前記照明工程により照明
された前記マスクのパターンを感光性基板上に露光する
露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性
基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイ
クロデバイスの製造方法を提供する。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の典型的な照明光学装置を
備えた露光装置では、光源手段からの光束が第1フライ
アイレンズに入射し、その後側焦点面に多数の光源を形
成する。これらの光源からの光束は、リレー光学系を介
して、波面分割型オプティカルインテグレータとしての
第2フライアイレンズに入射し、その後側焦点面に多数
の光源からなる実質的な面光源すなわち二次光源を形成
する。ここで、第1フライアイレンズおよびリレー光学
系は、光源手段からの光束に基づいて多数の光源を形成
し、各光源からの光束に基づいて所定面上に照野を重畳
的に形成するための多数光束重畳手段である。
【0016】本発明では、従来技術と同様に、第1フラ
イアイレンズの後側焦点位置(第1フライアイレンズに
よる多数光源の形成位置)とリレー光学系の前側焦点位
置とを一致させている。しかしながら、従来技術とは異
なり、リレー光学系の後側焦点位置(第1フライアイレ
ンズおよびリレー光学系による照野の形成位置)と第2
フライアイレンズの入射面とを所定距離だけ間隔を隔て
て配置している。具体的には、リレー光学系の後側焦点
位置が第2フライアイレンズの入射面よりも所定距離だ
け被照射面側または光源手段側に位置するように設定し
ている。
【0017】このように、リレー光学系の後側焦点位置
が第2フライアイレンズの入射面よりも被照射面側また
は光源手段側に位置するように設定しているので、第1
フライアイレンズによる多数光源からの光束はリレー光
学系を介して第2フライアイレンズの入射面において完
全に重畳されることなく、いわゆるデフォーカス状態で
照野が形成される。その結果、本発明では、二次光源の
照度分布の周辺部において照度の低下がなだらかにな
り、照度のあまり低下していない部分を有効な二次光源
として利用することができる。すなわち、第2フライア
イレンズにより形成される二次光源の周辺部における照
度むらを実質的に低減することができる。
【0018】以上のように、本発明の照明光学装置で
は、フライアイレンズのような波面分割型オプティカル
インテグレータにより形成される実質的な面光源の周辺
部における照度むらを実質的に低減することができる。
したがって、本発明の照明光学装置を備えた露光装置で
は、光量損失を良好に抑えつつ所望の照度分布でマスク
を照明し、高いスループットおよび高い解像力で良好な
マイクロデバイスを製造することができる。
【0019】本発明の実施形態を、添付図面に基づいて
説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる照明光学
装置を備えた露光装置の構成を概略的に示す図である。
図1において、感光性基板であるウェハの法線方向に沿
ってZ軸を、ウェハ面内において図1の紙面に平行な方
向にY軸を、ウェハ面内において図1の紙面に垂直な方
向にX軸をそれぞれ設定している。
【0020】図1の露光装置は、露光光(照明光)を供
給するための光源1として、たとえば248nm(Kr
F)または193nm(ArF)の波長の光を供給する
エキシマレーザー光源を備えている。光源1から光軸A
Xに沿ってZ方向に射出されたほぼ平行光束は、X方向
に沿って細長く延びた矩形状の断面を有し、一対のレン
ズ2aおよび2bからなるビームエキスパンダー2に入
射する。各レンズ2aおよび2bは、図1において負の
屈折力および正の屈折力をそれぞれ有する。
【0021】また、一対のレンズ2aおよび2bのうち
の少なくとも一方が、光軸AXに沿って移動可能に構成
されている。したがって、ビームエキスパンダー2に入
射した光束は、一対のレンズ2aと2bとの間隔に応じ
て図1の紙面内において拡大され、所望の矩形状の断面
を有する光束に整形される。整形光学系としてのビーム
エキスパンダー2を介したほぼ平行光束は、折り曲げミ
ラー3でY方向に偏向(反射)された後、第1オプティ
カルインテグレータとしての第1フライアイレンズ4に
入射する。
【0022】第1フライアイレンズ4は、たとえば断面
が正方形状で正の屈折力を有する多数のレンズエレメン
トをその光軸が光軸AXと平行になるように縦横に且つ
稠密に配列することによって構成されている。なお、各
レンズエレメントの入射側の面は入射側に凸面を向けた
球面状に形成され、射出側の面は平面状に形成されてい
る。したがって、第1フライアイレンズ4に入射した光
束は多数のレンズエレメントにより波面分割され、各レ
ンズエレメントの後側焦点面にはそれぞれ1つの光源が
形成される。
【0023】第1フライアイレンズ4の後側焦点面に形
成された多数の光源からの光束は、リレー光学系として
のズームレンズ5を介した後、波面分割型オプティカル
インテグレータ(第2オプティカルインテグレータ)と
しての第2フライアイレンズ6を重畳的に照明する。こ
うして、第2フライアイレンズ6の入射面には、第1フ
ライアイレンズ4の各レンズエレメントの断面形状に相
似な正方形状の照野が形成される。なお、ズームレンズ
5の焦点距離の変化は、制御系21からの指令に基づい
て動作するズーム駆動系22により行われる。
【0024】このように、第1フライアイレンズ4およ
びズームレンズ5は、光源1からの光束に基づいて多数
の光源を形成し、各光源からの光束に基づいて所定面上
に照野を重畳的に形成するための多数光束重畳手段を構
成している。本実施形態では、第1フライアイレンズ4
により照野が形成される所定面が第2フライアイレンズ
6の入射面よりもマスク側(被照射面側)に位置するよ
うに設定されている。この点については、後に詳述す
る。
【0025】第2フライアイレンズ6は、第1フライア
イレンズ4と同様に、正の屈折力を有する多数のレンズ
エレメントをその光軸が光軸AXと平行になるように縦
横に且つ稠密に配列することによって構成されている。
しかしながら、第2フライアイレンズ6を構成する各レ
ンズエレメントは、マスク11上において形成すべき照
野の形状(ひいてはウェハ13上において形成すべき露
光領域の形状)と相似な矩形状の断面を有する。また、
第2フライアイレンズ6を構成する各レンズエレメント
の入射側の面は入射側に凸面を向けた球面状に形成さ
れ、射出側の面は射出側に凸面を向けた球面状に形成さ
れている。
【0026】したがって、第2フライアイレンズ6に入
射した光束は多数のレンズエレメントにより波面分割さ
れ、各レンズエレメントの後側焦点面には第1フライア
イレンズ4のレンズエレメントの数の多数の光源がそれ
ぞれ形成される。すなわち、第2フライアイレンズ6の
後側焦点面には、多数の光源からなる実質的な面光源
(以下、「二次光源」という)が形成される。なお、第
2フライアイレンズ6の入射面に形成される正方形状の
照野の大きさ、ひいては第2フライアイレンズ6の後側
焦点面に形成される正方形状の二次光源の大きさは、ズ
ームレンズ5の焦点距離に依存して変化する。
【0027】第2フライアイレンズ6の後側焦点面に形
成された正方形状の二次光源からの光束は、その近傍に
配置された開口絞り7に入射する。開口絞り7は、第2
フライアイレンズ6の後側焦点面に形成される正方形状
の二次光源に対応した円形状の開口部(光透過部)を有
する。開口絞り7は、照明光路に対して挿脱自在に構成
され、且つ円形状の開口部の大きさの異なる複数の開口
絞りと切り換え可能に構成されている。以下、本実施形
態の説明を簡単にするために、開口絞り7が1つの開口
絞り70と切り換え可能に構成されているものとする。
開口絞り7と開口絞り70との間の切り換えは、制御系
21からの指令に基づいて動作する絞り駆動系23によ
り行われる。
【0028】なお、開口絞り7と他の開口絞り70との
間の切り換えは、たとえばターレット方式やスライド方
式などの適当な方式によって行われる。また、ターレッ
ト方式やスライド方式などの開口絞りに限定されること
なく、光透過領域の大きさおよび形状を適宜変更するこ
との可能な開口絞りを照明光路内に固定的に取り付けて
もよい。さらに、複数の開口絞りに代えて、円形開口径
を連続的に変化させることのできる虹彩絞りを設けるこ
ともできる。
【0029】開口絞り7は、後述する投影光学系12の
入射瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、二次光
源の照明に寄与する範囲を規定する。そして、開口絞り
7と70とを切り換えて開口径を変化させることによ
り、マスク11への照明光のNAすなわち照明NAを所
望の値に設定するとともに、照明条件を決定するσ値
(σ値=開口絞り径/投影光学系の瞳径、あるいはσ値
=照明光学系の射出側開口数/投影光学系の入射側開口
数)を所望の値に設定する。
【0030】開口絞り7を介した二次光源からの光は、
コンデンサー光学系8の集光作用を受けた後、その後側
焦点面を重畳的に照明する。こうして、コンデンサー光
学系8の後側焦点面には、第2フライアイレンズ6のレ
ンズエレメントの断面形状と相似な矩形状の照野が形成
される。この矩形状の照野が形成される位置、すなわち
コンデンサー光学系8を介して第2フライアイレンズ6
の入射面と光学的に共役な位置には、照明視野絞りとし
てのマスクブラインド9が配置されている。
【0031】マスクブラインド9の矩形状の開口部(光
透過部)を介した光束は、結像光学系10の集光作用を
受けた後、所定のパターンが形成されたマスク11を重
畳的に照明する。こうして、結像光学系10は、マスク
ブラインド9の矩形状の開口部の像をマスク11上に形
成することになる。マスク11のパターンを透過した光
束は、投影光学系12を介して、感光性基板であるウェ
ハ13上にマスクパターンの像を形成する。
【0032】なお、マスク11は、投影光学系12の光
軸AXと直交する平面内において二次元的に移動可能な
マスクステージ14上に保持されている。また、ウェハ
13は、投影光学系12の光軸AXと直交する平面内に
おいて二次元的に移動可能なウェハステージ15上に保
持されている。こうして、投影光学系12の光軸と直交
する平面(XY平面)内においてウェハ13を二次元的
に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行う
ことにより、ウェハ13の各露光領域にはマスク11の
パターンが逐次露光される。
【0033】なお、一括露光では、いわゆるステップ・
アンド・リピート方式にしたがって、ウェハの各露光領
域に対してマスクパターンを一括的に露光する。この場
合、マスク11上での照明領域の形状は正方形に近い矩
形状であり、第2フライアイレンズ6の各レンズエレメ
ントの断面形状も正方形に近い矩形状となる。一方、ス
キャン露光では、いわゆるステップ・アンド・スキャン
方式にしたがって、マスクおよびウェハを投影光学系に
対して相対移動させながらウェハの各露光領域に対して
マスクパターンをスキャン露光(走査露光)する。この
場合、マスク11上での照明領域の形状は短辺と長辺と
の比がたとえば1:3の矩形状であり、第2フライアイ
レンズ6の各レンズエレメントの断面形状もこれと相似
な矩形状となる。
【0034】図2は、第2フライアイレンズの射出側に
配置可能な2種類の開口絞りの構成を概略的に示す図で
ある。また、図3は、第2フライアイレンズの入射面に
形成される正方形状の照野と第2フライアイレンズの射
出側に配置される開口絞りの円形状の開口部との関係を
示す図である。図2(a)に示すように、開口絞り7は
比較的大きな円形状の開口部7aを有する。一方、図2
(b)に示すように、開口絞り70は比較的小さな円形
状の開口部70aを有する。換言すると、開口絞り7は
比較的大きなσ値を実現するための大σ絞りを構成し、
開口絞り70は比較的小さなσ値を実現するための小σ
絞りを構成している。
【0035】したがって、σ値の比較的大きな照明すな
わち大σ照明を行う場合、図3(a)に示すように、第
2フライアイレンズ6の後側焦点面の近傍には、大σ絞
りとしての開口絞り7が配置される。そして、第2フラ
イアイレンズ6の入射面には、開口絞り7の円形状の開
口部7aに外接する正方形よりも僅かに大きな正方形状
の照野31が形成される。換言すると、第2フライアイ
レンズ6の入射面において開口部7aに外接する正方形
よりも僅かに大きな正方形状の照野31が形成されるよ
うに、ズームレンズ5の焦点距離が設定される。
【0036】次に、たとえば転写すべきマスクパターン
の変更に伴って、σ値の比較的小さな照明すなわち小σ
照明に切り換える場合、図3(b)に示すように、第2
フライアイレンズ6の後側焦点面の近傍には、開口絞り
7に代えて小σ絞りとしての開口絞り70が配置され
る。この場合、第2フライアイレンズ6の入射面に形成
されている照野31に比して、配置された開口絞り70
の開口部70aが著しく小さく、開口絞り70において
大きな光量損失が発生する。
【0037】そこで、開口絞り70における光量損失を
良好に抑えるために、図3(c)に示すように、開口絞
り70の円形状の開口部70aにほぼ外接する正方形状
の照野32を形成する。換言すると、第2フライアイレ
ンズ6の入射面において開口部70aにほぼ外接する正
方形状の照野32が形成されるように、ズームレンズ5
の焦点距離を変化させる。こうして、開口絞り(7,7
0)における光量損失を良好に抑えつつ、大σ照明と小
σ照明との間で照明条件を切り換えることができる。
【0038】図4は、従来技術における二次光源の周辺
部の照度むらの発生、および本実施形態における二次光
源の周辺部の照度むらの低減作用を説明する図である。
図4(a)(図3(c)に対応する図)を参照すると、
開口絞り70における光量損失を良好に抑えるためにそ
の開口部70aにほぼ外接するような正方形状の照野3
2を形成した場合、照野32の周辺部に位置するレンズ
エレメントでは、その入射面の全体に亘って光束が入射
することなく、部分的にしか光束が入射しなくなること
が分かる。
【0039】具体的には、照野32の図中左側および右
側の周辺部に位置するレンズエレメント6aでは、その
入射面の全体の1/3程度の領域にだけ光束が入射す
る。その結果、従来技術では、図4(b)に示すよう
に、図4(a)の線A−Aに沿った二次光源の照度分布
の両側において極端な(急峻な)照度低下が発生する。
すなわち、第2フライアイレンズ6により形成される二
次光源において、その周辺部の照度が中央部に比して著
しく小さくなり、いわゆる照度むらが発生する。
【0040】そこで、本実施形態では、従来技術と同様
に第1フライアイレンズ4の後側焦点位置(第1フライ
アイレンズ4による多数光源の形成位置)とズームレン
ズ5の前側焦点位置とを一致させているが、従来技術と
は異なりズームレンズ5の後側焦点位置(第1フライア
イレンズ4による照野の形成位置)と第2フライアイレ
ンズ6の入射面とを所定距離だけ間隔を隔てて配置して
いる。具体的には、本実施形態では、ズームレンズ5の
後側焦点位置が第2フライアイレンズ6の入射面よりも
所定距離だけマスク側(被照射面側)に位置するように
設定している。
【0041】このように、ズームレンズ5の後側焦点位
置が第2フライアイレンズ6の入射面よりもマスク側に
位置するように設定しているので、第1フライアイレン
ズ4による多数光源からの光束はズームレンズ5を介し
て第2フライアイレンズ6の入射面において完全に重畳
されることなく、いわゆるデフォーカス状態で照野が形
成される。その結果、本実施形態では、図4(c)に示
すように、図4(a)の線A−Aに沿った二次光源の照
度分布の両側において照度の低下がなだらかになり、照
度のあまり低下していない部分を有効な二次光源として
利用することができる。すなわち、第2フライアイレン
ズ6により形成される二次光源の周辺部における照度む
らを実質的に低減することができる。
【0042】一般に、ズームレンズ5の後側焦点位置と
第2フライアイレンズ6の入射面との間の距離を小さく
設定し過ぎると、二次光源の周辺部における照度むらの
低減効果が実質的に得られなくなる。一方、ズームレン
ズ5の後側焦点位置と第2フライアイレンズ6の入射面
との間の距離を大きく設定し過ぎると、第2フライアイ
レンズ6のレンズエレメントの側壁面(入射面および射
出面以外の面)に起因する光量損失、いわゆる壁当たり
による光量損失が発生してしまう。
【0043】なお、ズームレンズ5の後側焦点位置と第
2フライアイレンズ6の入射面との間に設定すべき所定
距離すなわちデフォーカス距離は、第2フライアイレン
ズ6のレンズエレメントのサイズや、第2フライアイレ
ンズ6の入射面への入射光束の開口数や、照明条件(た
とえばσ値の大小)などに応じて変化する。たとえば、
第2フライアイレンズ6のレンズエレメントのサイズが
比較的大きい場合には、デフォーカス距離を比較的大き
く設定することになる。また、第2フライアイレンズ6
の入射面への入射光束の開口数が比較的大きい場合に
は、デフォーカス距離を比較的小さく設定することにな
る。
【0044】さらに、たとえば照明σ値を変化させて照
明条件を変化させるような場合には、必要に応じてデフ
ォーカス距離を調整することが好ましい。この場合、ズ
ーム駆動系22を介してズームレンズ5の後側焦点位置
を変化させることにより、デフォーカス距離を調整する
ことができる。あるいは、第1フライアイレンズ4とズ
ームレンズ5とを光軸AXに沿って一体的に駆動するこ
とにより、デフォーカス距離を調整することもできる。
【0045】なお、上述の実施形態では、ズームレンズ
5の後側焦点位置が第2フライアイレンズ6の入射面よ
りもマスク側に位置する状態いわゆる後ピン状態に設定
しているが、ズームレンズ5の後側焦点位置が第2フラ
イアイレンズ6の入射面よりも光源側に位置する状態い
わゆる前ピン状態に設定することにより、本実施形態と
同様に二次光源の周辺部における照度むらの低減効果を
得ることができる。しかしながら、前ピン状態に設定す
る場合には、ズームレンズ5の後側焦点位置と第2フラ
イアイレンズ6の入射面との間に同じ距離を設定して
も、いわゆる壁当たりによる光量損失が発生し易いとい
う欠点がある。
【0046】また、前ピン状態に設定すると、後ピン状
態に設定した本実施形態に比して、第2フライアイレン
ズ6の各レンズエレメントの後側に形成される各面光源
における照度分布が不均一になり易いという欠点もあ
る。以下、この点について簡単に説明する。一般に、フ
ライアイレンズでは、その入射瞳および射出瞳がそれぞ
れ入射面および射出面に位置するように構成されいる。
したがって、通常、フライアイレンズのディストーショ
ンは負の値を有し、各レンズエレメントの後側焦点面に
形成される各面光源にはディストーションに起因する照
度むらが発生している。
【0047】この場合、フライアイレンズを構成するレ
ンズエレメントの個数が充分に大きくない場合、被照射
面であるマスク11上およびウェハ13上でも照度むら
が発生することになる。ここで、ズームレンズ5の後側
焦点位置が第2フライアイレンズ6の入射面よりも光源
側にある前ピン状態では、フライアイレンズのディスト
ーションが負側に増大し、各レンズエレメントの後側焦
点面に形成される各面光源における照度むらも増大す
る。これに対し、ズームレンズ5の後側焦点位置が第2
フライアイレンズ6の入射面よりもマスク側にある後ピ
ン状態では、フライアイレンズのディストーションの値
が正に近づくので、各レンズエレメントの後側焦点面に
形成される各面光源の照度が均一になり易く、ひいては
被照射面でより均一な照明を行うことができる。
【0048】図5は、図1に示す実施形態の変形例の要
部構成を概略的に示す図である。図5の変形例は、図1
に示す実施形態と類似の構成を有する。しかしながら、
図1の実施形態では第1オプティカルインテグレータと
してフライアイレンズ4を用いているが、図5の変形例
では第1オプティカルインテグレータとして内面反射型
のロッド状オプティカルインテグレータ(以下、「ロッ
ド状インテグレータ」という)を用いていることが基本
的に相違している。なお、図5では、図面の明瞭化のた
めに、光源1から第2フライアイレンズ6までの構成だ
けを示し、その他の構成要素の図示を省略している。以
下、図1の実施形態との相違点に着目して、図5の変形
例を説明する。
【0049】図5の変形例では、第1フライアイレンズ
4に代えてロッド状インテグレータ51を用いることに
対応して、折り曲げミラー3とロッド状インテグレータ
51との間の光路中に回折光学素子(DOE)52およ
び第1リレー光学系53を付設し、ズームレンズ5に代
えて第2リレー光学系54を付設している。ここで、回
折光学素子52は、ほぼ平行光束を所定の角度分布を有
する光束に変換するための光束変換素子であって、回折
光学素子52に代えてたとえばマイクロフライアイを使
用することもできる。
【0050】また、第1リレー光学系53は、回折光学
素子52とロッド状インテグレータ51の入射面とを光
学的に共役に配置している。さらに、第2リレー光学系
54は、ロッド状インテグレータ51の射出面と第2フ
ライアイレンズ6の入射面よりも所定距離だけマスク側
(あるいは光源側)の所定面とを光学的に共役に配置し
ている。ロッド状インテグレータ51は、石英ガラスや
蛍石のような硝子材料からなる内面反射型のガラスロッ
ドであり、内部と外部との境界面すなわち内面での全反
射を利用して集光点を通りロッド入射面に平行な面に沿
って内面反射数に応じた数の光源像を形成する。ここ
で、形成される光源像のほとんどは虚像であるが、中心
(集光点)の光源像のみが実像となる。
【0051】すなわち、ロッド状インテグレータ51に
入射した光束は、内面反射により角度方向に分割され、
集光点を通りその入射面に平行な面に沿って多数の光源
像が形成される。ロッド状インテグレータ51によりそ
の入射側に形成された多数の光源像からの光束は、その
射出面において重畳された後、第2リレー光学系54を
介して第2フライアイレンズ6を重畳的に照明する。以
上のように、ロッド状インテグレータ51および第2リ
レー光学系54は、光源1からの光束に基づいて多数の
光源を形成し、各光源からの光束に基づいて所定面上に
照野を重畳的に形成するための多数光束重畳手段を構成
している。
【0052】上述したように、図5の変形例では、ロッ
ド状インテグレータ51の射出面と第2フライアイレン
ズ6の入射面よりも所定距離だけマスク側(あるいは光
源側)の所定面とを光学的に共役に配置している。した
がって、ロッド状インテグレータ51による多数光源か
らの光束は第1リレー光学系53を介して第2フライア
イレンズ6の入射面において完全に重畳されることな
く、いわゆるデフォーカス状態で照野が形成される。そ
の結果、図1の実施形態と同様に、第2フライアイレン
ズ6により形成される二次光源の周辺部における照度む
らを実質的に低減することができる。
【0053】上述の本実施形態(変形例を含む)にかか
る露光装置では、照明光学装置によってマスクを照明し
(照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された
転写用のパターンを感光性基板に走査露光する(露光工
程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像
素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造するこ
とができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光
性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成す
ることによって、マイクロデバイスとしての半導体デバ
イスを得る際の手法の一例につき図6のフローチャート
を参照して説明する。
【0054】先ず、図6のステップ301において、1
ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ
302において、そのlロットのウェハ上の金属膜上に
フォトレジストが塗布される。その後、ステップ303
において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上の
パターンの像がその投影光学系を介して、その1ロット
のウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。そ
の後、ステップ304において、その1ロットのウェハ
上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ30
5において、その1ロットのウェハ上でレジストパター
ンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マス
ク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上
の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイ
ヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体
素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス
製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する
半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
【0055】また、本実施形態の露光装置では、プレー
ト(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、
電極パターン等)を形成することによって、マイクロデ
バイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以
下、図7のフローチャートを参照して、このときの手法
の一例につき説明する。図7において、パターン形成工
程401では、本実施形態の露光装置を用いてマスクの
パターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基
板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実
行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性
基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成され
る。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング
工程、レチクル剥離工程等の各工程を経ることによっ
て、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフ
ィルター形成工程402へ移行する。
【0056】次に、カラーフィルター形成工程402で
は、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3
つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、
またはR、G、Bの3本のストライプのフィルターの組
を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形
成する。そして、カラーフィルター形成工程402の後
に、セル組み立て工程403が実行される。セル組み立
て工程403では、パターン形成工程401にて得られ
た所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター
形成工程402にて得られたカラーフィルター等を用い
て液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て
工程403では、例えば、パターン形成工程401にて
得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター
形成工程402にて得られたカラーフィルターとの間に
液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
【0057】その後、モジュール組み立て工程404に
て、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作
を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付
けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素
子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有
する液晶表示素子をスループット良く得ることができ
る。
【0058】なお、上述の実施形態では、第2フライア
イレンズ6の後側焦点面の近傍に、二次光源の光束を制
限するための円形開口絞り7を配置している。しかしな
がら、円形状の二次光源を形成するとともに、第2フラ
イアイレンズ6を構成する各レンズエレメントの断面積
を十分小さく設定することにより、開口絞りの配置を省
略して二次光源の光束を全く制限しない構成も可能であ
る。
【0059】また、上述の実施形態では、円形状の二次
光源に基づく通常の円形照明を例にとって本発明を説明
したが、輪帯状や多極状の二次光源に基づく変形照明に
対しても同様に本発明を適用することができる。この場
合、σ値に対応する二次光源の大きさは、輪帯状の二次
光源ではその外径(直径)となり、多極状の二次光源で
は複数の面光源に外接する円の直径となる。また、変形
照明においても、輪帯状や多極状の二次光源を形成する
とともに、第2フライアイレンズ6を構成する各レンズ
エレメントの断面積を十分小さく設定することにより、
開口絞りの配置を省略して二次光源の光束を全く制限し
ない構成が可能である。
【0060】さらに、上述の実施形態では、照明光学装
置を備えた投影露光装置を例にとって本発明を説明した
が、マスク以外の被照射面を均一照明するための一般的
な照明光学装置に本発明を適用することができることは
明らかである。
【0061】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の照明光学
装置では、フライアイレンズのような波面分割型オプテ
ィカルインテグレータにより形成される実質的な面光源
の周辺部における照度むらを実質的に低減することがで
きる。したがって、本発明の照明光学装置を備えた露光
装置では、光量損失を良好に抑えつつ所望の照度分布で
マスクを照明し、高いスループットおよび高い解像力で
良好なマイクロデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態にかかる照明光学装置を備え
た露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図2】第2フライアイレンズの射出側に配置可能な2
種類の開口絞りの構成を概略的に示す図である。
【図3】第2フライアイレンズの入射面に形成される正
方形状の照野と第2フライアイレンズの射出側に配置さ
れる開口絞りの円形状の開口部との関係を示す図であ
る。
【図4】従来技術における二次光源の周辺部の照度むら
の発生、および本実施形態における二次光源の周辺部の
照度むらの低減作用を説明する図である。
【図5】図1に示す実施形態の変形例の要部構成を概略
的に示す図である。
【図6】マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得
る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す
図である。
【図7】マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る
際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図
である。
【符号の説明】
1 光源 2 ビームエキスパンダー 3 折り曲げミラー 4 第1フライアイレンズ 5 ズームレンズ 6 第2フライアイレンズ 7,70 開口絞り 8 コンデンサー光学系 9 マスクブラインド 10 結像光学系 11 マスク 12 投影光学系 13 ウェハ 14 マスクステージ 15 ウェハステージ 21 制御系 22 ズーム駆動系 23 絞り駆動系 51 ロッド状インテグレータ 52 回折光学素子

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被照射面を照明する照明光学装置におい
    て、 光束を供給するための光源手段と、 前記光源手段からの光束に基づいて多数の光源を形成
    し、各光源からの光束に基づいて所定面上に照野を重畳
    的に形成するための多数光束重畳手段と、 前記多数光束重畳手段からの光束に基づいて多数の光源
    からなる実質的な面光源を形成するための波面分割型オ
    プティカルインテグレータと、 前記実質的な面光源からの光束を前記被照射面へ導くた
    めの導光光学系とを備え、 前記波面分割型オプティカルインテグレータの入射面と
    前記所定面とは、前記実質的な面光源の周辺部における
    照度むらを実質的に低減するために所定距離だけ間隔を
    隔てて配置されていることを特徴とする照明光学装置。
  2. 【請求項2】 被照射面を照明する照明光学装置におい
    て、 光束を供給するための光源手段と、 前記光源手段からの光束に基づいて多数の光源を形成
    し、各光源からの光束に基づいて所定面上に照野を重畳
    的に形成するための多数光束重畳手段と、 前記多数光束重畳手段からの光束に基づいて多数の光源
    からなる実質的な面光源を形成するための波面分割型オ
    プティカルインテグレータと、 前記実質的な面光源からの光束を前記被照射面へ導くた
    めの導光光学系とを備え、 前記所定面は、前記波面分割型オプティカルインテグレ
    ータの入射面よりも被照射面側に位置することを特徴と
    する照明光学装置。
  3. 【請求項3】 前記多数光束重畳手段は、前記光源手段
    からの光束に基づいて多数の光源からなる第1多数光源
    を形成するための第1オプティカルインテグレータと、
    前記第1多数光源の各光源からの光束に基づいて前記所
    定面上に照野を重畳的に形成するためのリレー光学系と
    を有し、 前記リレー光学系の前側焦点位置と前記第1多数光源の
    形成位置とがほぼ一致し、前記リレー光学系の後側焦点
    位置と前記所定面とがほぼ一致していることを特徴とす
    る請求項1または2に記載の照明光学装置。
  4. 【請求項4】 前記波面分割型オプティカルインテグレ
    ータは入射面および射出面を有し、該入射面および射出
    面のうちの少なくともいずれか一方は二次元的に配列さ
    れた複数のレンズ面を有し、 前記所定距離は、前記波面分割型オプティカルインテグ
    レータの前記入射面および前記射出面とは異なる面に起
    因して発生する光量損失を実質的に抑えるために所定の
    値よりも小さく設定されていることを特徴とする請求項
    1乃至3のいずれか1項に記載の照明光学装置。
  5. 【請求項5】 前記波面分割型オプティカルインテグレ
    ータの入射面は、前記所定面よりも光源手段側に配置さ
    れていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1
    項に記載の照明光学装置。
  6. 【請求項6】 前記所定距離は、前記波面分割型オプテ
    ィカルインテグレータを構成する各レンズエレメントの
    サイズおよび前記所定面への入射光束の開口数に応じて
    設定されていることを特徴とする請求項1乃至5のいず
    れか1項に記載の照明光学装置。
  7. 【請求項7】 前記所定距離は照明条件の変更に応じて
    調整可能に構成されていることを特徴とする請求項1乃
    至6のいずれか1項に記載の照明光学装置。
  8. 【請求項8】 前記実質的な面光源の大きさは変更可能
    に構成されており、前記所定距離は前記実質的な面光源
    の大きさの変化に応じて調整可能に構成されていること
    を特徴とする請求項7に記載の照明光学装置。
  9. 【請求項9】 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の
    照明光学装置と、前記被照射面に配置されたマスクのパ
    ターンを感光性基板上へ投影露光するための投影光学系
    とを備えていることを特徴とする露光装置。
  10. 【請求項10】 前記マスクのパターンに応じて照明条
    件を設定するための設定手段をさらに備え、該設定手段
    は前記照明条件に応じて前記所定距離を所定の値に設定
    することを特徴とする請求項9に記載の露光装置。
  11. 【請求項11】 請求項1乃至8のいずれか1項に記載
    の照明光学装置により前記被照射面に配置されたマスク
    を照明する照明工程と、前記照明工程により照明された
    前記マスクのパターンを感光性基板上に露光する露光工
    程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を
    現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイクロデ
    バイスの製造方法。
JP2000249124A 2000-08-21 2000-08-21 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 Pending JP2002064045A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000249124A JP2002064045A (ja) 2000-08-21 2000-08-21 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000249124A JP2002064045A (ja) 2000-08-21 2000-08-21 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002064045A true JP2002064045A (ja) 2002-02-28

Family

ID=18738906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000249124A Pending JP2002064045A (ja) 2000-08-21 2000-08-21 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002064045A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004053778A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2008047744A (ja) * 2006-08-18 2008-02-28 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2010032585A1 (ja) * 2008-09-17 2010-03-25 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004053778A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2008047744A (ja) * 2006-08-18 2008-02-28 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2010032585A1 (ja) * 2008-09-17 2010-03-25 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
TWI480705B (zh) * 2008-09-17 2015-04-11 尼康股份有限公司 照明光學系統、曝光裝置以及元件製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5287113B2 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US20040174512A1 (en) Illumination optical apparatus, exposure apparatus and method of exposure
JP2001135560A (ja) 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
JPWO2008007633A1 (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2006043458A1 (ja) 照明光学装置、露光装置、および露光方法
KR101389669B1 (ko) 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2003086500A (ja) 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法
JP2002184676A (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2004022708A (ja) 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法
JP5688672B2 (ja) 光伝送装置、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5541604B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2003068604A (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP5182588B2 (ja) オプティカルインテグレータ、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2009071011A (ja) オプティカルインテグレータ、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP4883482B2 (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2003015314A (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002064045A (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2004311742A (ja) 光学系の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法
WO2012017783A1 (ja) 伝送光学系、照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2002025897A (ja) 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
JP2002118043A (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2010067943A (ja) 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2009071010A (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2004112107A1 (ja) 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2005150541A (ja) 照明光学装置、露光装置および露光方法