JPH02278595A - 高速センスアンプ - Google Patents

高速センスアンプ

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JPH02278595A
JPH02278595A JP2053868A JP5386890A JPH02278595A JP H02278595 A JPH02278595 A JP H02278595A JP 2053868 A JP2053868 A JP 2053868A JP 5386890 A JP5386890 A JP 5386890A JP H02278595 A JPH02278595 A JP H02278595A
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トーマス エム.ルイッチ
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/067Single-ended amplifiers

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  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は電子回路に関するものであって、更に詳細には
、低レベル信号をセンスし且つより高いレベルの出力信
号を供給するセンスアンプに関するものである。本発明
は、特に、書込み可能論理装置に使用するセンスアンプ
において有用なものである。
従来技術 第1図は、典型的な従来のセンスアンプを示した概略図
である。第1図の従来の回路]00の動作について、表
1を参照して説明する。
センスアンプ100は、二つの入力端子と、センスされ
るべきデータを受取るデータ入力端子126と、センス
アンプ]−〇〇の出力がイネーブルされるべき場合であ
ることを画定する信号を受取るイネーブル入力端子10
5とを有している。センスアンプ100は、出力端子1
35を有しており、それは出力端子135がイネーブル
されている場合にデータ入力端子126上で受取られる
データ信号に関係する出力信号を供給し、その出力信号
は出力端子135がディスエーブルされている場合には
高インピーダンス出力信号である。第1図に示した如く
、センスアンプ100は、イネプル入力段101 a、
イネーブルセンスアンプ段102、データ入力段101
b、データセンスアンプ段103、出力段104を有し
ている。トランジスタ119は、そのコレクタをそのベ
ースへ接続しており、従って抵抗117と、ダイオード
118とトランジスタ119を介して正電圧源から接地
へ基準電流IREFが流れる。このことは、トランジス
タ121が、トランジスタ119を介して流れるコレク
タ電流をミラーする傾向となるようにトランジスタ12
1のベース」二にバイアス電圧を確立する。
論理0のデータ入力信号がデータ入力端子126へ印加
されると、トランジスタ124がターンオフされ、従っ
てダイオード123を介してトランジスタ]2]のコレ
クタへ電流は供給されない。
トランジスタ124はトランジスタ121のコレクタへ
電流を供給しないので、トランジスタ121はトランジ
スタ122からその電流を引出し、トランジスタ122
がターンオンして、出力段104内のノードN1を低状
態とさせる。ノードN1が低状態であると、分相器トラ
ンジスタ129がターンオフされ、従ってノードN2を
高状態とさせる。このことは、出カブルアツブトランジ
スタ13]及び132をターンオンさせ、出力端子13
5を正供給電圧へ接続させ、高出力信号を供給する。同
時に、分相器l・ランジスタ129がターンオフしてい
るので、トランジスタ129のエミッタが抵抗130に
よって低状態へプルされ、出力プルダウントランジスタ
]34をターンオフさせる。
論理1デ一タ入力信号がデータ入力端子1−26へ印加
されると、トランジスタ1−24がターンオンされ、且
つダイオード123を介してトランジスタ121のコレ
クタへ電流を供給する。トランジスタ1−24がトラン
ジスタ]21のコレクタへ電流を供給するので、トラン
ジスタ121はトランジスタ122から電流を引出すこ
とはなく、従ってトランジスタ122はターンオフし、
従って出力段104内のノードN1は高状態とされる。
ノードN1が高状態であるので、分相器トランジスタ1
29がターンオンされ、ノードN2は低状態とさせる。
このことは、出カブルアツブトランジスタ131及び1
32をターンオフさせる。同時に、分相器トランジスタ
129がターンオンされているので、出力プルダウント
ランジスタ134がターンオンされ、出力端子135を
低状態ヘプルする。
上述した説明は、イネーブルセンスアンプ回路102の
効果を考慮に入れていないが、該回路は以下の如く動作
する。トランジスタ116は、そのベースをそのコレク
タへ接続しており、正供給電圧から、抵抗1−14と、
ダイオード115と、トランジスタ116とを介して接
地への基準電流経路を形成している。このことは、トラ
ンジスタコ10ヘベースバイアスを供給し、トランジス
タ110をして、l・ランジスタ]16を介して流れる
コレクタ電流をミラー動作させる。論理1のイネーブル
信号がイネーブル入力端子105へ印加されると、トラ
ンジスタ107はターンオンし、l・ランジスタ110
のコレクタへ電流を供給する。
このことは、トランジスタ109のエミッタ上へ高電圧
を供給し、トランジスタ109及び1]1をターンオフ
させる。トランジスタ109がターンオフすると、分相
器トランジスタ129によってプルダウンされない限り
、出力段104のノドN2は高状態である。同様に、ト
ランジスタ11]がオフ状態であると、ノードN1がセ
ンスアンプ103のトランジスタ122によって低状態
ヘプルされない限り、出力段]04のノードN]は抵抗
128によって高状態ヘプルされている。
この時に、出力段104は、イネーブルセンスアンプ1
02によってイネーブルされ、即ち、それはイネーブル
されて出力信号135上に出力信号を供給することによ
って応答し、その信号はトランジスタ122の状態に依
存し、トランジスタ122の状態は入力端子126へ印
加されるデータ入力信号の状態に依存する。
逆に、論理0のイネーブル信号がイネーブル入力端子1
05へ印加されると、トランジスタ107がターンオフ
される。トランジスタ1]0は、トランジスタ109及
び111のエミッタを低状態へプルし、トランジスタ1
09及び11]をターンオンさせる。トランジスタ10
9がターンオンされると、分相器トランジスタ129の
状態に無関係に、出力段104のノードN2が低状態ヘ
プルされる。同様に、トランジスタ]]コ−がオンであ
ると、データセンスアンプ10Bのトランジスタ122
の状態に無関係に、出力段1.04のノードN1は低状
態ヘプルされる。この時に、出力段104は、イネーブ
ルセンスアンプ102によってディスエーブルされる。
第1図の従来回路は、データ入力端子1−26へ印加さ
れるデータ入力信号の状態を正確にセンスすべく動作し
且つイネーブル端子105へ印加される高イネーブル信
号に応答して高インピーダンス信号を供給するものであ
るが、それは幾つかの欠点を有している。第一に、それ
は、トランジスタ116及び119を有する定電流紅路
のために比較的大きな量の電力を消費する。典型的な装
置においては、トランジスタ11.6及び]]9の各々
は、常に、約3.5乃至4mAの電流をシンクする。典
型的な装置においては、多数のこの様なセンスアンプ回
路が必要とされ、その際に電流消費はかなり増加する。
例えば、16個のセンスアンプを有する装置の場合には
、最小で48mAの電流が定常的に消費される。
更に、回路のスイッチング速度にとって臨界的である2
個のノード、即ちノードN1及びN2が出力段104内
に存在する。ノードN1は、主にそれと関連する容量と
しては、トランジスタ111.122,129のコレク
ターベース容量と、トランジスタ]11及び]22のコ
レクタ対基板容量がある。なぜならば、ノードN1に接
続されるその他の成分の容量は無視可能であるからであ
る。同様に、ノードN2は、主にそれに関連するものと
しては、トランジスタ109及び131のベース−コレ
クタ容量と、トランジスタ109のコレクタ対基板容量
がある。従って、第1図の回路では、出力段104の2
個の臨界的なノードN1及びN2は、それらと関連して
、比較的大きな容量を有しており、従ってノードN1及
びN2かそれへ印加される電圧変化に対して比較的遅く
作用する傾向となっている。
第2図は、別の従来のセンスアンプ200を概略示して
おり、その動作について表2を参照して説明する。セン
スアンプ200は、イネーブル入力回路201a、デー
タ入力回路201b、イネーブルセンスアンプ回路20
2、データセンスアンプ回路203、出力回路204を
有している。
回路200は、各回路202及び203において電流増
幅を使用することにより必要とされる電流の量を減少さ
せている。イネーブルセンスアンプ202を参照すると
、電流源240は、典型的に、約0.04mAを供給す
るのみである。この電流は、抵抗243によって供給さ
れる約0.4mAの電流をシンクするためにトランジス
タ244によって増幅される。抵抗243によって供給
される電流がトランジスタ244によってシンクされな
い場合には、それはトランジスタ245へのベース駆動
として使用される。トランジスタ245は、出力段20
4の制御ノードN2を制御するために約3.5−4mA
をシンクする。
論理0のイネーブル入力信号がイネーブル入力端子20
5へ印加されると、トランジスタ207はオフされ、従
ってダイオード241のカソードへ電流を供給すること
はない。従って、電流源240は、抵抗242及びダイ
オ−F241を介して、その電流を得る。このことは、
トランジスタ244のベースを低状態ヘブルさせ、トラ
ンジスタ244をターンオフし、トランジスタ245を
ターンオンさせるために抵抗243がトランジスタ24
5のベースをプルアップすることを可能とする。l・ラ
ンジスタ245かターンオンされると、ノードN2が低
状態ヘプルされ、出力段204をディスエーブルさせる
逆に、論理1のイネーブル入力信号が端子2゜5へ印加
されると、トランジスタ207はターンオンされる。ト
ランジスタ207は、約0,04mAを電流源240へ
供給する。このことは、ダイオード241をして導通状
態を終了させ、その際に抵抗242をしてトランジスタ
244へベス駆動を供給する。このことは、トランジス
タ244をターンオンし、トランジスタ245のベスを
低状態ヘブルし、トランジスタ245をターンオフし、
出力段204のノードN2が分相器トランジスタ229
の状態によって制御することを可能とし、一方トランジ
スタ229の状態はデータ入力端子226へ印加される
データ入力信号の状態によって制御される。
データ入力段201bの動作は、イネーブル入力段20
1aの動作と同様であり、月っデータセンスアンプ20
3の動作はイネーブルセンスアンプ202の動作と同様
である。出力段204の動作は、出力段104(第1図
)の動作と極めて類似しており、従ってその詳細の説明
は割愛する。
第2図のセンスアンプの重要な特徴は、イネーブルされ
ると、イネーブルセンスアンプ回路2゜2が比較的小さ
な量の電流をシンクするということであり、即ち0.0
4mAが電流源240によってシンクされ、月っ約0.
04mAのベース電流が抵抗242によってトランジス
タ244へ供給され、且つトランジスタ244のコレク
タ電流として約0.4.mAがシンクされ、即ち全部で
約0.48mAの電流がシンクされる。これは、第1図
の回路においては、イネーブルセンスアンプ102が常
にその電流源を介して少なくとも約4mAの電流と付加
的な関連電流を流すことを必要としていたことと対比さ
れる。ディスエーブルされると、イネーブルセンスアン
プ202は、電流源240を介して抵抗242から0.
04mAを流し、約0.4mAのベース電流が抵抗24
3を介してトランジスタ245へ印加され、且つ約4m
Aの電流がトランジスタ245を介して流れ、即ち全体
で約4.404mAの電流が流れる。このことは、第1
図の従来のセンスアンプのイネーブルセンスアンプ部分
によって常に消費される電流の程度と同じである。同一
の電流値が、第2図の回路のデータセンスアンプ部分2
03に関しても適用される。
しかしながら、第1図の従来の回路と比較して第2図の
従来の回路におけるこの電流の節約は、速度を犠牲にし
て得られるものである。第1図の従来のイネーブルセン
スアンプ回路102は、出力段104のノードN1及び
N2を制御するためにそれへ印加される信号を反転する
ことは必要ではない(即ち、トランジスタ]1]−及び
109によってそれぞれ発生される反転)。しかしなが
ら、第2図の従来回路は、出力段204のノードN2を
制御するために二つのこの様な反転を必要とする。即ち
、トランジスタ244によって与えられる反転とトラン
ジスタ245によって与えられる反転である。同一のこ
とがデータセンスアンプ203に関しても言える。この
ことは、スイッチング速度が減少されることとなる。更
に、臨界的なノードN1は、それと関連して、トランジ
スタ255及び229のベース−コレクタ容量とトラン
ジスタ255のコレクタ対基板容量を有している。
臨界的なノードN2は、それと関連して、トランジスタ
245及び231のベース−コレクタ容量とトランジス
タ245のコレクタ対基板容量を有している。従って、
第2図の従来回路においては、比較的大きな量の容量が
臨界的ノードN1及びN2と関連しており、従ってその
ことはスイッチング速度を更に遅くさせている。従って
、電力消費が低く且つスイッチング速度が速いセンスア
ンプを提供することが望まれている。
目  的 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであつて、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、電力消費が低く且つ
スイッチング速度が速いセンスアンプを提供することを
目的とする。
構成 本発明によれば、選択した状態の入力信号が存在する場
合にのみ選択した電流源から電流を導通させることによ
り電力消費を最小とした新規なセンスアンプが提供され
る。本発明によれば、従来技術と比較し、臨界的ノード
へ接続されるトランジスタの数を減少することにより臨
界ノード上の容量を最小とすることにより、回路の動作
速度を高速化させている。
実施例 以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
について詳細に説明する。
第3図は、本発明の一実施例に基づいて構成されたセン
スアンプ300を示した概略図であり、その構成及び動
作について表3を参照して説明する。センスアンプ30
0は、入力データ信号を受取るデータ入力端子326を
具備するデータ入力回路301bを有している。回路3
00は、更に、イネーブル入力信号を受取るイネーブル
入力端子305を具備するイネーブル入力回路301a
を有している。出力段304は、イネーブル入力端子3
05へ印加されるイネーブル信号によって出力回路30
4がイネーブルされると、データ入力端子326へ印加
されるデータ入力信号に応答して出力信号を供給するた
めの出力端子335を有している。
論理0のイネーブル入力信号がイネーブル入力端子30
5へ印加されると、トランジスタ307はターンオフさ
れ、従ってトランジスタ363のコレクタへ電流は供給
されず、従ってトランジスタ363はターンオフされる
。従って、トランジスタ365はターンオフされ、且つ
ダイオード323及び360のカソードはフローティン
グ状態となり、且つ分相器トランジスタ329のベース
は抵抗328によって高状態ヘプルされる。
同時に、!・ランジスタ366はトランジスタ363か
らベース駆動を受けることはないので、トランジスタ3
66はオフされる。このことは、抵抗367によって供
給される電流はトランジスタ368へ印加され、トラン
ジスタ368のベースとコレクタは共通接続されている
ので、トランジスタ368はターンオンする。トランジ
スタ368を介してのコレクタ電流は、トランジスタ3
69によってミラー動作され且つエミッタ3292へ印
加され、前述した如く、分相器トランジスタ329のベ
ースは抵抗328によって高状態へプルされるので、分
相器l・ランジスタ329はターンオンする。分相器ト
ランジスタ329がターンオンすると、分相器トランジ
スタ329のコレクタは、ノードN2へ接続されている
トランジスタ331のペニスにおける如く、低状態へプ
ルされる。従って、トランジスタ331及び332がタ
ーンオフされ、出力端子335が正供給電圧へ接続され
ることを阻止する。エミッタ329−2が低状態へプル
されると、トランジスタ329のベース電圧は、Vsa
t (369)+Vbe (329)と等しくなり、そ
の電圧はトランジスタ329及び334の直列接続され
たベース−エミッタ接合をターンオンさせるのには不十
分である。
従って、トランジスタ334はオフであり、出力端子3
35が接地へ接続されることを阻止する。
従って、出力端子335は高インピーダンスを与え、且
つ入力端子326へ印加されるデータ入力信号の状態に
拘らず、センスアンプ300はディスエーブルされる。
重要なことであるが、このディスエーブルされた状態の
間、電流源363はターンオフされ、従って電力消費を
減少させている。ディスエーブルされると、電流はトラ
ンジスタ368及び369によってのみ消費され、それ
は、それぞれ、約1mA及び3mA消費する。
逆に、論理1のイネーブル信号が端子305へ印加され
ると、トランジスタ307がターンオンされ、且つトラ
ンジスタ363のコレクタへ電流を供給し、トランジス
タ363をターンオンさせる。トランジスタ363はト
ランジスタ365及び366ヘベースバイアス電圧を供
給する。従っ1つ て、トランジスタ365はターンオンされ、且つノード
N1の状態は、端子326へ印加される入力データ信号
の状態に依存する。
同時に、トランジスタ366がオンである。このことは
、抵抗367によって供給される電流をトランジスタ3
68から逸らさせ、従ってトランジスタ368及び36
9は僅かに導通状態にあるだけに過ぎない。トランジス
タ36つが僅かに導通状態にあるに過ぎないので、その
コレクタは、分相器トランジスタ329のエミッタ32
9−2における如く、高状態である。従って、分相器ト
ランジスタ329はイネーブルされ、即ち、ノードN1
によってそのベースへ供給される信号によって制御され
、それは、端子326へ印加されるデータ入力信号によ
って制御される。本発明の一実施例においては、トラン
ジスタ368,369゜329は、それらのターンオン
時間を最小とするために完全にはターンオフせず、従っ
て装置の動作速度を向上させている。本発明の別の実施
例においては、回路動作は遅くなるが、これらのトラン
ジスタは完全にターンオフすることを許容される。
端子305上に論理1のイネーブル信号が存在すること
によってセンスアンプ300がイネーブルされると、出
力端子335上に供給される出力信号は入力端子326
へ印加されるデータ入力信号の状態に依存する。論理0
のデータ入力信号が端子326へ印加されると、トラン
ジスタ324はオフであり、ノードN1は低状態のまま
であり、トランジスタ329のベースは低状態であり、
分相器トランジスタ329はターンオフされる。分相器
トランジスタ329がターンオフされると、出力プルダ
ウントランジスタ334ヘベース駆動は供給されず、従
ってトランジスタ334はターンオフされる。同様に、
分相器トランジスタ329がターンオフされると、ノー
ドN2は抵抗327によって高状態ヘプルされ、且つ出
カブルアツブトランジスタ33]及び332はターンオ
ンし、その際に出力端子335上に論理1の出力信号を
供給する。逆に、論理1のデータ入力信号が端子326
へ印加されると、トランジスタ324がターンオンし、
ノードN]を高状態へプルする。分相器トランジスタ3
29のベースが高状態へプルされ、旧つ分相器トランジ
スタ329がターンオンされる。分相器トランジスタ3
29がターンオンされると、ベース駆動が供給されて出
力プルダウントランジスタ334かターンオンし、その
際に出力端子335上に論理0の出力信号を供給する。
同様に、トランジスタ329がターンオンすると、ノー
ドN2が低状態ヘブルされ、且つ出カブルアツブトラン
ジスタ331及び332がタンオフされる。
本発明の一実施例においては、トランジスタ334のベ
ースに関連するミラー容量を放電するためにミラーキラ
ー回路370を使用する。ミラキラー回路370は、ト
ランジスタ372を有しており、その第一エミッタ37
2−1はトランジスタ369のコレクタへ接続しており
、且つその第二エミッタ372−2はトランジスタ36
5のコレクタへ接続している。トランジスタ372のベ
ースが抵抗37]を介して正供給電圧へ接続されている
ので、トランジスタ372のコレクタは、トランジスタ
365かターンオンすると(出力イネーブル)出力プル
ダウントランジスタ334のベースを迅速にプルダウン
し、且つトランジスタ365のコレクタは入力リード3
26へ印加される論理1のデータ入力信号によって高状
態へプルされることはない。トランジスタ369がター
ンオンすると(出力端子ディスエーブル)、トランジス
タ372のコレクタも、出力プルダウントランジスタ3
34のベースを迅速にプルダウンする。
重要なことであるが、臨界的ノードN1上の容量は、そ
れがトランジスタ329のベース−コレクタ容量である
に過ぎないので、比較的小さいものである。臨界的ノー
ドN2の容量も小さく、且つトランジスタ329及び3
31のベース−コレクタ容量とトランジスタ329のコ
レクタ対基板容量から構成されている。従って、第3図
の回路の動作は比較的高速である。
第4図は、本発明の別の実施例を示しており、それは別
のデータ入力センスアンプ403及びイネーブル入力セ
ンスアンプ402を使用する。従って、表5に示した如
く、第3図に示したある構成要素は第4図の実施例にお
ける一対の構成要素によって置換されている。
第4図の実施例の動作は第3図及び表の4に関して説明
した動作と極めて類似している。第4図の実施例は、付
加的な構成要素を使用しているので、第3図の実施例に
おけるよりも多少多い電流を消費する。
表1 表2 表3 表4 表5 第3図   第4図 326.3B3   490,491; 480,48
13138    48B−1;4[1G−23874
67−1;487−2 388    468−1:488−2以上、本発明の
具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明は
、これら具体例にのみ限定されるべきものではなく、本
発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可
能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のセンスアンプを示した概略図、第2図は
従来の別のセンスアンプを示した概略図、第3図は本発
明の一実施例に基づいて構成したセンスアンプを示した
概略図、第4図は本発明の別の実施例に基づいて構成し
たセンスアンプを示した概略図、である。 300 : 30] a 01b 305 : (符号の説明) センスアンプ :イネーブル入力回路 :データ入力回路 出力回路 イネーブル入力端子

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、出力回路において、第一供給電圧を受取る第一供給
    端子、第二供給電圧を受取る第二供給端子、データ入力
    信号を受取るデータ入力端子、前記出力端子がイネーブ
    ルされている場合に前記データ入力信号に応答して出力
    信号を供給する出力端子、前記第一供給端子へ結合され
    ている第一電流取扱端子と前記出力端子へ結合されてい
    る第二電流取扱端子と制御端子とを具備するプルアップ
    手段、前記出力端子へ結合されている第一電流取扱端子
    と前記第二供給端子へ結合されている第二電流取扱端子
    と制御端子とを具備するプルダウン手段、前記出力端子
    がイネーブルされるべき場合に第一状態を持っており且
    つ前記出力端子がディスエーブルされるべき場合に第二
    状態を持っているイネーブル信号を受取るイネーブル入
    力ソード、前記イネーブル入力信号の前記第二状態に応
    答して電流を流すが前記イネーブル入力信号の前記第一
    状態に応答して電流を流すことのない第一電流源、前記
    プルアップ手段の前記制御端子へ第一制御信号を印加し
    且つ前記プルダウン手段の前記制御端子へ第二制御信号
    を印加する分相器トランジスタ、が設けられており、前
    記分相器トランジスタが、前記プルアップ手段の前記制
    御端子へ結合されているコレクタと前記データ入力端子
    へ結合されているベースと、前記プルダウン手段の前記
    制御端子へ結合されている第一エミッタと、前記第一電
    流源へ結合されている第二エミッタとを有しており、前
    記第二状態を持った前記イネーブル入力信号に応答して
    、前記第一電流源が前記分相器トランジスタの前記第二
    エミッタから電流を流し、前記分相器トランジスタをタ
    ーンオンさせて、その際に前記プルアップ手段及び前記
    プルダウンをターンオフさせることを特徴とする出力回
    路。 2、特許請求の範囲第1項において、更に、前記第一状
    態のイネーブル入力信号に応答してのみ電流を流す第二
    電流源が設けられており、前記第二電流源が流す電流に
    応答してターンオンし且つ前記第一電流源をして電流を
    流させないようにする第一スイッチ手段が設けられてい
    ることを特徴とする出力回路。 3、特許請求の範囲第2項において、更に、前記第二電
    流源が流す電流に応答してターンオンする第二スイッチ
    手段が設けられており、前記第二スイッチ手段は高入力
    信号がない場合に前記入力端子をプルダウンさせること
    を特徴とする出力回路。 4、特許請求の範囲第1項において、更に、第一二進状
    態のデータ入力信号か又は前記第二状態のイネーブル入
    力信号の何れかに応答して前記プルダウン手段をターン
    オフさせる手段が設けられていることを特徴とする出力
    回路。 5、特許請求の範囲第3項において、更に、第一二進状
    態のデータ入力信号か又は前記第二状態のイネーブル入
    力信号の何れかに応答して前記プルダウン手段をターン
    オフさせる手段が設けられていることを特徴とする出力
    回路。 6、特許請求の範囲第5項において、前記プルダウン手
    段をターンオフさせる手段が、供給電圧へ結合されてい
    るベースと、前記プルダウン手段の前記制御端子へ結合
    されているコレクタと、第一電流源へ結合されている第
    一エミッタと、前記第二スイッチ手段へ結合されている
    第二エミッタとを有することを特徴とする出力回路。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3209522B2 (ja) * 1989-10-18 2001-09-17 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 入力遷移に応答して高速出力遷移を行う出力回路
US5039892A (en) * 1990-06-07 1991-08-13 National Semiconductor Corporation High speed data/tri-state sense circuit
US5118974A (en) * 1990-07-19 1992-06-02 National Semiconductor Corporation Tristate circuits with fast and slow OE signals

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1556169A (en) * 1975-12-23 1979-11-21 Ferranti Ltd Transistor logic circuits
US4153883A (en) * 1977-12-16 1979-05-08 Harris Corporation Electrically alterable amplifier configurations
US4287433A (en) * 1979-01-24 1981-09-01 Fairchild Camera & Instrument Corp. Transistor logic tristate output with reduced power dissipation
US4321490A (en) * 1979-04-30 1982-03-23 Fairchild Camera And Instrument Corporation Transistor logic output for reduced power consumption and increased speed during low to high transition
US4311927A (en) * 1979-07-18 1982-01-19 Fairchild Camera & Instrument Corp. Transistor logic tristate device with reduced output capacitance
US4339676A (en) * 1979-08-13 1982-07-13 Texas Instruments Incorporated Logic circuit having a selectable output mode
US4449063A (en) * 1979-08-29 1984-05-15 Fujitsu Limited Logic circuit with improved switching
JPS5639632A (en) * 1979-09-07 1981-04-15 Fujitsu Ltd Multiple input logic circuit
JPS57188138A (en) * 1981-05-15 1982-11-19 Nec Corp Logical gate circuit
US4454432A (en) * 1981-09-09 1984-06-12 Harris Corp. Power efficient TTL buffer for driving large capacitive loads
JPS58215132A (ja) * 1982-06-09 1983-12-14 Hitachi Ltd Ttl回路
JPS58220525A (ja) * 1982-06-17 1983-12-22 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 論理回路
US4490631A (en) * 1982-08-30 1984-12-25 National Semiconductor Corporation Totem pole/open collector selectable output circuit
US4745308A (en) * 1983-02-18 1988-05-17 Motorola, Inc. Non-inverting three state TTL logic with improved switching from a high impedance state to an active high state
US4517475A (en) * 1983-08-29 1985-05-14 Motorola, Inc. Master-slave flip-flop arrangement with slave section having a faster output transistion and a greater resistance to output degradation
JPS60172821A (ja) * 1984-02-13 1985-09-06 Fujitsu Ltd Ttl回路
US4591741A (en) * 1984-03-05 1986-05-27 Texas Instruments Incorporated Drive circuit for output pull-down transistor
JPS6110315A (ja) * 1984-06-26 1986-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US4584493A (en) * 1984-10-05 1986-04-22 Signetics Corporation Self referenced sense amplifier
US4605864A (en) * 1985-01-04 1986-08-12 Advanced Micro Devices, Inc. AFL (advanced fast logic) line driver circuit
JP2535813B2 (ja) * 1985-06-20 1996-09-18 ソニー株式会社 Ecl−ttl変換出力回路
US4841176A (en) * 1986-05-29 1989-06-20 National Semiconductor Corporation Output disable control circuit for ECL programmable array logic device
DD249581A1 (de) * 1986-06-02 1987-09-09 Halbleiterwerk Veb Schaltungsanordnung zur verringerung der signaldurchlaufzeit in integrierten digitalen schaltungen
JPS6342218A (ja) * 1986-08-07 1988-02-23 Mitsubishi Electric Corp バイポ−ラ論理回路
JPS6378617A (ja) * 1986-09-22 1988-04-08 Mitsubishi Electric Corp バイポ−ラ論理回路
US4896058A (en) * 1988-04-26 1990-01-23 North American Philips Corp. TTL circuit having ramped current output

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