JPH02247809A - 磁気ディスク装置及びこれに搭載する薄膜磁気ヘッドとその製造方法並びに情報の書込み・読出方法 - Google Patents

磁気ディスク装置及びこれに搭載する薄膜磁気ヘッドとその製造方法並びに情報の書込み・読出方法

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JPH02247809A
JPH02247809A JP1066230A JP6623089A JPH02247809A JP H02247809 A JPH02247809 A JP H02247809A JP 1066230 A JP1066230 A JP 1066230A JP 6623089 A JP6623089 A JP 6623089A JP H02247809 A JPH02247809 A JP H02247809A
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Moriaki Fuyama
盛明 府山
Shinji Narushige
成重　真治
Eiji Ashida
栄次 芦田
Makoto Morijiri
誠 森尻
Masanori Tanabe
田辺　正則
Hiroshi Fukui
宏 福井
Ken Sugita
杉田　愃
Hiroshi Ikeda
宏 池田
Masaaki Hayashi
林　将章
Kazuo Nakakoshi
中越　和夫
Hiroji Kawakami
寛児 川上
Sukeo Saito
斉藤　翼生
Shunichiro Kuwazuka
鍬塚　俊一郎
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ディスク装置、特にコンピュータの外部
記憶装置として使用するのに好適な磁気ディスク装置に
関する。
更に本発明は、磁気ディスク装置に搭載する薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法に関する６更に本発明は磁気ディ
スク装置を用いた情報処理システム及び情報の書込・読
出方法に関する。
〔従来の技術〕
コンピュータの処理能力の増大に伴って、磁気ディスク
装置の記憶容量は、ますます大容量化される傾向にある
。
このため磁気ディスク装置に搭載する薄膜磁気ヘッドの
磁気コアのトラック幅も小さくなる方向にある。更に、
製造りの精度も高い水準が要求される。
ここで、薄膜磁気ヘッドの構造について第２図を用いて
説明する。第２図は薄膜磁気ヘッドの主要部分の断面構
造を表わす斜視図である。
基板２１上には、下部磁性膜２２が形成され、後から形
成される上部磁性膜２３と共に磁気回路を形成する磁気
コアを構成している。先端部２４では、非磁性材料から
なる絶縁層２５を上部磁性膜２３及び下部磁性膜２２の
間に介在させ、磁気キャップを形成する。この上部磁性
膜２３及び下部磁性膜２２と磁気ギャップにより、磁気
ディスクに対して情報の書き込み及び読み出しを行なう
。
一方、磁気コアの中央部では、導体コイル２６が磁気回
路と回巻交差するように設けてあり、この導体コイル２
６は、上部磁性膜２３及び下部磁性膜２２と絶縁膜２７
により絶縁されている。
また、素子の上部は素子保護膜２８で覆われている。
この薄膜磁気ヘッドの記録密度は、主として先端部２４
の形状によって決まり、特にトラック幅を決める上部磁
性膜２３の幅ｄ及びオーバライドや分解能を決めるポー
ル長しく下部磁性膜２２と磁気ギャップ２５と上部磁性
膜２３との厚さの和）の両者は高精度に形成しなければ
ならない。このうち、ｄの値を高精度に形成するために
は、約１０μｍの高さの絶縁膜２７の段差下部において
上部磁性膜２３のパターンを高精度に形成する必要があ
る。しかしこのような高段差部に感光性樹脂を塗布形成
すると、段差下部の感光性樹脂は約１０μｍ以上と厚く
なるため高精度なパターンが形成できないという問題が
ある。
そこで、従来から段差の低い状態で上部磁性膜２３の幅
を決める方法について多くの検討がなされている。
例えば、特開昭６０−１０４０９号公報においては。
絶縁膜を形成する前に上部磁性膜の先端部のみを形成し
、その後絶縁膜及び上部磁性膜の後部を形成する方法が
開示されている。この方法を用いれば、はとんど段差の
無い状態で上部磁性膜の幅が決められるため、トラック
幅が高精度化できると記載されている。
また、特開昭６２−６２４１５号公報及び特開昭６３−
１６８８１１号公報においては、絶縁膜のうちで最下層
部分を形成した後、上部磁性膜の先端部のみを形成し、
次いで絶縁膜の上層部分及び上部磁性膜の後部を形成す
る方法が開示されている。この方法を用いれば、段差の
低い状態で上部磁性膜の幅が決められるため、トラック
幅が高精度化できると記載されている。
また、上部及び下部磁性膜を先端部と後部との２ケ所に
分割して形成する方法については、上記３種の公知例よ
り以前に、特開昭６０−１０４１０号公報において開示
されている。この方法を用いれば、磁性膜先端部を高飽
和磁化合金で形成し、磁性膜後部を高透磁率磁性材料で
形成することができるため、すぐれた記録特性を有する
薄膜磁気ヘッドが実現できると記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術のうちで特開昭６０−１０４０９　秒公報
。
特開昭６２−６２４１５号公報、特開昭６３−１６８８
１１号公報に記載されている技術を用いれば、トラック
幅の高精度化については実現可能である。しかしもう１
つの重要な要素であるポール長に関しては何ら開示され
ていない。
ここで、ポール長の変動が薄膜磁気ヘッドの特性に対し
て与える影響について、第６図を用いて説明する。第６
図は、薄膜磁気ヘッドの書き込み能力を表わすオーバラ
イド及び読み出し能力を表わす分解能の各々の値とポー
ル長との関係を示した図である。本図は、Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　ｏｆ　ＡＰＰＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣ３，ＶｏＬｕ＋
＊ｅ６１，１５＾ｐｒｉＬ　１９８７．Ｎｕｍｂｅｒ　
８．ｐａｒｔＩＩＢの４１５８ページに記載のものであ
る。
第６図に示したように、ポール長が増加すると。
オーバライドは増加し分解能は減少する。特性のすぐれ
た薄膜磁気ヘッドにおいては、オーバライドと分解能と
の値がいずれも大きいことが望ましいから、ポール長は
ある限られた範囲の値に厳密にコントロールしなければ
ならない。具体的には、ポール長を目標値士約１０％の
範囲に制御して薄膜磁気ヘッドを形成しなければ、特性
のすぐれた薄膜磁気ヘッドを安定して製造できないこと
がわかった。
しかしながら、上記の従来技術のいずれを適用した場合
でも、上部磁性膜の先端部を形成した後、そのまま絶縁
層、導体コイル及び上部磁性膜の後部を積層した構造を
とることから、これらの絶縁層、導体コイル及び上部磁
性膜の後部を形成する工程において、先に形成した上部
磁性膜の先端部の表面がエツチングされたりダメージを
受けたりして、ポール長が変動してしまうことは明白で
ある。
具体的には、例えば導体コイルは通常イオンミリング法
や電気めっき法を用いて形成されるが、イオンミリング
時のオーバエツチングやめつき下地膜のエツチング工程
において、上部磁性膜の先端部の表面がエツチングされ
ることは避けられない。また、上部磁性膜の後部の形成
工程においても、同様に上部磁性膜先端部の表面がエツ
チングされることは不可避であり、ポール長の変動は避
けられない。更にまた、このエツチングによるポール長
の減少を補償するため、あらかじめ上部磁性膜の先端部
を厚く形成しておき、エツチング後に目標ポール長が達
成されるようにする方法も考えられるが、その場合でも
下部磁性膜、磁気ギャップ膜及び上部磁性膜の先端部の
膜厚ばらつきに加えて、導体コイル及び上部磁性膜の後
部形成時のエツチングばらつきが加わるため、ポール長
の変動は大きく、上記の±１０％の範囲に制御すること
は不可能であった。
一方、第４の公知例として引用した特開昭６０−１０４
１０号公報においては、上部磁性膜を２つに分割して、
後部を形成した後で先端部を形成する方法が開示されて
おり、この方法を用いれば上部磁性膜先端部の表面が製
造工程中にエツチングされることがなく、ポール長の変
動を小さくできる。
しかし、この場合は、約１０μｍの高さの段差下部にお
いて、トラック幅を決定する上部磁性膜の先端部のパタ
ーンを形成しなければならないため。
トラック幅を高精度化できないという問題点があった。
また、実際の薄膜磁気ヘッドの構造と記録特性の関係を
考慮した場合、上部磁性膜を先端部と後部とに分割する
際の、両者の接続部の位置関係は非常に重要であり、ヘ
ッドの記録特性に大きく影響する。しかし上記従来技術
のいずれにおいても上部磁性膜の先端部と後部との形状
や位置については何ら考慮されていなかった。つまり薄
膜磁気ヘッドから発生する書き込み磁界を大きくしてす
ぐれたオーバライド特性を実現するためには、磁気ヘッ
ドのギャップ深さをできるだけ小さくする必要があるの
に対して、前記従来技術はギャップ深さを小さくできな
いという問題点があった。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を克服し
、ポール長とトラック幅とを高精度に形成した薄膜磁気
ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、磁気ヘッドの磁気コアの形状及び
構造を最適化して、書き込み及び読み出し特性のすぐれ
た薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
更に本発明の他の目的は、上記目的を達成するために必
要な、薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある
。
更に本発明の他の目的は、かかる磁気ディスク装置を用
いた情報処理システム及び情報の書込・読出方法を提供
することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の磁気ディスク装置は、一つの回転軸に複数枚の
磁気ディスクを取り付け、この磁気ディスクに対して情
報の書き込み及び読み出しを行う薄劇磁気ヘッドを有す
るヘッド・ディスク・アッセンブリ（以下ｒ　ＨＤ　Ａ
　Ｊと略す）を複数個具備したものである。
さらに、ＨＤＡは磁気ディスクを回転させる手段及び磁
気ディスクの位置決め手段を有する。
本発明は、磁気ディスク装置の記憶容量を高めるために
は、ディスクの記録密度を高めることが必要であるとの
着想に基づいている。
磁気ディスク装置の記憶容量を高めるには、ディスクの
記録密度を高めることのほかに、ディスク径を大きくす
ることが考えられる。
しかし、ディスク径を大きくすると、磁気ディスク装置
が大型化し、在来の磁気ディスク装置が設置されていた
スペースに収納できなくなってしまうという問題がある
。
更にデータの書き込み或は読み出しの際に、薄膜磁気ヘ
ッドを支持するアームの移動距離が長くなるので、デー
タの転送速度が遅くなるという問題がある６データの転
送速度を速くしようとすると、アクセス精度が悪くなる
。
このようなことから、ディスク径を大きくすることは、
記憶容量を高める手段としては好ましくない。
本発明は、磁気ディスク装置を大型化せず、しかもデー
タ転送速度を遅くすることなく、３０ギガバイト以上の
記憶容量を実現しうる磁気ディスク装置の構成を明らか
にしたものである。
磁気ディスク装置において、一般に使用されているディ
スクの大きさは、おおよそ直径８〜１１インチの範囲で
ある。
磁気ディスク装置を収納するスペースは、通常。
床の一辺の長さが０．５〜１．５ｍ、高さが２ｍ以下で
ある。
従って、具体的には、直径８〜１１インチのディスクを
用い、床の一辺の長さが０．５〜１．５ｍで高さが２ｍ
以内のスペースに収納でき、３０ギガバイト以上の記憶
容量を達成しうる磁気ディスクの構成を明らかにしたも
のである。
磁気ディスク装置の記憶容量が大容量化しても、それに
伴って情報の書き込み及び読み出しに多くの時間がかか
るようになったのでは、大容量化したメリットは無いか
或は無いに等しい。大容量化と並行して情報の書き込み
及び読み出し速度すなわちデータ転送速度も高速化する
ことが要求される１面記録密度が４５〜８０メガビツト
／　ｘ　ｎ　Ｚのディスクを有する磁気ディスク装置に
おいて。
３０ギガバイト〜４０ギガバイトの記憶容量を達成する
には、データ転送速度を４．５〜６メガバイト／秒とす
ることが望ましい。このようにすることにより情報処理
速度を遅くすることなく記憶容量の大容量化を達成する
ことが可能となる。
なお１面記憶密度は、トラック密度と線記録密度との積
で表し、データ転送速度は線記録密度と磁気ディスクの
周速の積とで表すことができる。
データへのアクセス時間（位置決め時間）は。
データ転送速度の増大に伴って短縮する必要があり、本
発明においては平均１０ｍ５ｅｃ以下とすることが望ま
しい。ディスク回転数及び薄膜磁気ヘッドの回転待ち時
間は、データ転送速度の関連から、夫々回転数は３５０
０ｒｐｍ以上１回転待ち時間は平均８．５ｍｓ　ｅ　ｃ
　以下とすることが望ましい。ここで回転待ち時間とは
、所定のトラック位置まで移動した薄膜磁気ヘッドが、
そのトラックの所定の位置に情報を書き込む或は所定の
位置から情報を読み出すために静止して磁気ディスクが
回転されるのを待っている時間を意味する。
磁気ディスクは、一平方インチ当り５４メガビツト（５
４Ｍｂｐｘ）好ましくは１４０ＭｂＰＩ以上の面記録密
度とすることが望ましい。
この面記録密度は、トラック密度が−インチ当り１８０
０）−ラック（１８００ＴＰＩ）以上又は線記録密度が
一インチ当り３０キロビツト（３０ｋｂＰＩ）以上の範
囲で実現することが望ましい。
磁気ディスクの直径は８〜１１インチの範囲で実現する
ことが望ましい。磁気ディスクは一分間当り３５００回
以上で回転させることが望ましい。
薄膜磁気ヘッドとしては、上部磁性膜を先端部と後部と
に分割して別々に形成した構造にすることが望ましく、
先端部の表面に保護膜を設け、この保護膜に設けられた
コンタクトホールを通して、上部磁性膜の先端部と上部
磁性膜の後部とを接続させ磁気回路を形成させることが
望ましい。このコンタクトコールを介する先端部と後部
との接続は磁気的に接続していれば良く、製造工程中で
形成される酸化膜程度のものは問題とならない。さらに
、上部磁性膜上には、−層以上の素子保護・膜が形成さ
せることが望ましい。
本発明の薄膜磁気ヘッドは磁気ディスクに対して一イン
チ当り３０キロビツト以上の線記録密度で情報の書き込
みが可能であり、−・秒間当り４メガバイト以上のデー
タ転送速度で情報の読み出しが可能である。
特に直径が９．５　インチの磁気ディスクを用いた場合
、この磁気ディスクを１分間当り４５００〜５５００回
で回転させることにより本発明の１秒間当りのデータ転
送速度が４．０　メガバイト以上好ましくは、４．５〜
６．０メガバイ１−の磁気デスク装置が実現できる。
すなわち、製造工程中の上部磁性膜の先端部の膜厚変動
つまりポール長変動を防ぐために、上部磁気コアを２つ
に分割し、 ■上部磁性膜先端部、 ■該先端部の上に設けられ、ポール長を決定する部分以
外の個所にコンタクトホールが設けられた保護膜。
■該保護膜の上に設けられ、該コンタクトホールを通し
て該先端部と接続された上部磁性膜後部、の３つの部分
から構成することによって達成される。
該保護膜の厚さは、該上部磁性膜先端部を形成した後、
該上部磁性膜後部を形成し終えるまでの間の製造工程に
おいてエツチングされる量よりも厚くしなければならな
い。
また保護膜の材質は、非磁性材料であることが望ましく
、エツチングに対する安定性やギャップ深さ加工時にお
ける耐加工性等を考慮すると、特に無機絶縁膜が望まし
い、具体的には、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸
化チタン等を用いるのが望ましい。
さらにギャップ深さ加工工程を考慮すると、保護膜の材
質は、素子保護膜と同一であるのが望ましい。
一方、該上部磁性膜後部は、該上部磁性膜先端部と独立
に形成するために、その材質や膜厚については自由に決
定できる。
特性のすぐれた磁気ヘッドを製造するためには、薄ＩＩ
Ｉ磁気ヘッド先端における磁束のしぼり込みを有効にす
るために、該上部磁性膜後部は該上部磁性膜先端部より
も厚く形成するのが望ましい。
また、材質についても１例えば該上部磁性膜先端部は耐
磨耗性のすぐれた磁性材料を用い、該上部磁性膜後部は
透磁率の大きい磁性材料を用いることによって、耐摺動
性のすぐれた磁気ヘッドを実現することができ、また、
例えば該上部磁性膜先端部は飽和磁束密度の大きい磁性
材料を用い、該上部磁性膜後部は透磁率の大きい磁性材
料を用いることによって、書き込み特性のすぐれた磁気
ヘッドを実現することができる。
また、該コンタクトホールの面積は、接続部に流れる磁
束量を大きくするためには、該上部磁性膜の磁路断面積
より大きく形成することが望ましい。
また、該コンタクトホールは、必ずしも該上部磁性膜先
端部及び後部のパターンよりも小さく即ち、はみ出さな
いように形成しなくても良く、例えば製造工程上のばら
つきを考慮して該コンタクトホールの面積を大きく保つ
ために、該コンタクトホールのパターン形状が磁性膜パ
ターンからはみ出すように形成した場合でも問題は無い
。
また、該コンタクトホールの位置は、上記のようにでき
るだけ接続面積を大きくするためには、分割された上部
磁気コア先端部及び後部の磁気コア広がり位置よりも後
方に配置した方が望ましく、製造工程中の位置ズレに対
しても性能低下を防ぐことができる。さらに、コンタク
トホールの端部位置の一部が、分割された上部磁性膜先
端部の上部に形成された絶縁膜の後端部位置と一致して
いることが望ましく、コンタクトホールの端部位置の一
部が分割された上部磁性膜後部の前端部位置と一致して
いることが望ましい。
さらに、分割された上部磁気コアの先端部及び後部の形
状に関しては、先端部の磁気コア広がり角度が、後部の
磁気コア広がり角度よりも小さいことが望ましい。
また、分割された上部磁気コアの先端部の後部位置が、
下部磁気コアの膜厚が、コア内で厚くなっている位置よ
りも後方にすることが望ましい。
一方、上記においては、薄膜磁気ヘッドの上部磁気コア
を２つに分割して構成する場合について示してきたが１
本発明を下部磁気コアに対して適用した場合でも、パタ
ーン幅やボール長に関与する磁性膜の厚さを高精度に形
成できることから、本発明の目的は達成される。
さらに、上部磁気コア及び下部磁気コアの両方を分割し
て形成することもできる。
また、磁気コアを３つ以上に分割して構成した場合でも
、トラック幅及びポール長を決定する磁性膜先端部とそ
の上部の保護膜、及びコンタクトホールを通して該先端
部と接“続する磁性膜の３部分を少なくとも含む構造を
とれば１本発明の目的は達成され・る。
一方、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法について
は、概路次のようになる。まず、基板上に下部磁性膜パ
ターンを作製する。基板は薄膜磁気ヘッドを浮上させる
スライダとしての作用を有する。次いで磁気ギャップ膜
を形成する。特に、下部磁性膜上に１層以上の絶縁膜を
形成し、その後磁気ギャップ膜を形成することが好まし
い。次いで磁気ギャップ膜上に上部磁性膜先端部を形成
するか、又は、１層以上の下層絶縁膜を形成した後、そ
の上に上部磁性膜先端部を形成する。したがって、上部
磁性膜の先端部を少なくともＩＮ以上絶縁層の上部に形
成することもできる。後者の場合は、ギャップ膜を下層
絶縁膜の上に設けても良い。特に、上部磁性膜先端部の
下部の絶縁膜は無機材料であることが望ましい。該上部
磁性膜先端部を形成した後、その上に保護膜を設ける。
次いで、１層以上の上層絶縁膜及び上部磁性膜後部を形
成する。保護膜の一部に、上部磁性膜先端部と後から形
成する上部磁性膜後部とを磁気的に接続するようなコン
タクトホールを形成する。保護膜のコンタクトホールは
、保護膜形成後から上部磁性膜後部形成直前の間ならば
、いつ形成しても良い。
さらに、絶縁膜の一部をマスク材の一部として用い、非
磁性材料からなる保護膜をエツチングして、コンタクト
ホールを形成することもできる。
また、保護膜の一部にコンタクトホールを形成する工程
で、マスク材として用いたホトレジストの上に上部磁性
膜後部を堆積し、所定のパターンを形成した後、このホ
トレジストを除去することもできる。また、絶縁層形成
工程の中で、１層以上の導体コイルを作製する必要があ
る。この上部磁性膜の先端部又は後部の形成に関しては
、スパッタリング法、めっき法又は蒸着法で形成するこ
とが望ましく、先端部と後部とをそれぞれ別の方法で形
成しても良い。さらに上部磁性膜先端部の少なくとも一
部には、絶縁層が、形成されるが、この絶縁層は、先に
形成した先端部の保護膜を含めた多層とすることが望ま
しいが、この部分の保護膜を除去した後、−層の絶縁層
として形成することもできる。
絶縁層の材料は有機及び無機材料のいずれを用いても良
いが、パターン形成が容易である感光性有機材料を用い
れば、製造工程を短縮することができる。また、下層絶
縁膜として耐熱性にすぐれた無機材料を用い、上層絶縁
膜として感光性有機材料を用いれば、上部磁性膜先端部
の磁性材料に高い温度の熱処理を加えることができるた
め、磁性材料の適用可能範囲が広がる利点がある。
さらに薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアと下部磁気コアと
の間に磁気抵抗効果膜を設置し、情報の書き込みを上部
及び下部の磁気コアから発生する磁界によって行い、情
報の読み出しを磁気抵抗効果膜によって行うことが望ま
しい。また、上部磁気コアを先端部と後部とに分割する
ことにより、この先端部を磁気抵抗効果膜のフランクス
ガイドとして作用させることができる。
〔作用〕
上記のように、薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアを２つに
分割し、１部磁性膜先端部、保護膜、該保護膜に開けら
れたコンタクトホールを通して該上部磁性膜先端部と磁
気的に接続している上部磁性膜後部の３つの部分から構
成することにより、■該保護膜によって、絶縁層及び導
体コイル形成工程中における該上部磁性膜先端部の表面
のエツチングやダメージが防止でき、ボール長変動の少
ない薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
■上記のエツチングやダメージは、該上部磁性膜先端部
のパターン側壁に対しても同様に起こり得ることから、
該保護膜によって、該上部磁性膜先端部のパターン幅の
減少を防ぐこともでき、トラック幅精度のすぐれた簿膜
磁気ヘッドを得ることができる。
■該上部磁性膜先端部は、比較的段差の小さい個所で形
成できるため、パターン幅を高精度に形成でき、トラッ
ク幅精度のすぐれた薄膜磁気ヘッドを得ることができる
。
また、上記のように、上部磁性膜先端部、保護膜コンタ
クトホール及び上部磁性膜後部の各々の材質、膜厚９位
置７面積等を最適化することにより、安定な製造が容易
でかつ特性のすぐれた薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
さらに、上記のすぐれた薄膜磁気ヘッドを用いることに
より、記＠密度が大きく、特性のすぐれた磁気ディスク
装置を実現することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例による磁気ディスク装置の
構成を示す概略図である。
磁気ディスク装置は、第１図に示す符号１〜８の構成要
素及びボイスコイルモータ制御回路を含むＨＤＡを有す
る。
符号１はベース、符号２はスピンドルである。
一つのスピンドルに図のように複数枚の円板状の磁気デ
ィスク４が取り付けられる。
第１図では、１つのスピンドルに１枚の磁気ディスクを
設けた例が示されているが５ｍ枚に限るものではない。
また、このように一つのスピンドルに複数枚の磁気ディ
スクを設けたものを複数個設置してもよい。
符号３はスピンドル２を駆動し、磁気ディスクを回転す
るためのモータである。
符号５はデータ用磁気ヘッドを示し、符号５ａは位置決
め用磁気ヘッドを示している。
符号６はキャリッジ、符号７はボイスコイル、符号８は
マグネットである。
ボイスコイル７とマグネット８によりボイスコイルモー
タが構成される。
そして符号６．符号７．符号８の要素によりヘッドの位
置決めがなされる。
ボイスコイル７と磁気ヘッド５及び５ａとは、ボイスコ
イルモータ制御回路を介して接続されている。
磁気ディスク４は、アルミナ等の非磁性円板の一方又は
両方の面に磁性体層を設けたものからなる。磁性体層４
には多数のトラック溝が設けである。ディスク４の面記
録密度は一平方インチ当り５４メガビット以上である。
トラック密度は−インチ当り１８００トラック以上であ
る。線記録密度は一インチ当り３０キロビツト以上であ
る。そして、これらの線記録密度及びトラック密度の範
囲内で、両者の積である面記録密度を５４メガビット以
上とすることができる。
このようにすることにより、ディスク径を著しく大きく
することなく記録密度を高めることができる。
記録密度が増大し情報の記憶容量が大になってもデータ
転送速度がその分遅くなったのでは、利用価値が少ない
。データ転送速度を４メガバイト／秒以上とすれば、デ
ータの出し入れを速やかに行うことができる。このデー
タ転送速度はディスクの周速と線記録密度との積で決ま
る。線記録密度は一インチ当り３０キロビツトであるか
ら、データ転送速度４メガバイト／秒以上は、直径８〜
１１インチのディスクの場合、ディスク回転数を３５０
Ｏｒｐｍ以上とすることにより実現できる。
この３５００ｒｐｍという回転数は、通常の磁気ディス
ク装置において採用されている一般的な回転数であり、
実現はきわめて容易である。
第１図において、上位装置とは例えばコンピュータシス
テムを示し、磁気ディスク装置に記録された情報を処理
する機能を有するものである。リード／ライト回路とは
、書き込み及び読み出しの情報を識別し、磁気ディスク
装置に信号を送るものであり、インターフェイス部とは
、上位装置と磁気ディスク装置とを接続するものである
。この上位装置と磁気ディスク装置とを有するシステム
が情報処理システムである。
第３図は、本発明の磁気ディスク装置を所定のスペース
に収納した状態を斜視図で示す。
容器１００の内部にヘッド・ディスク・アッセンブリ１
０１及び電子回路部１０２でヘッド・ディスク・アッセ
ンブリ・ユニット（ＨＤＵ）１０３を形成し容器１００
の内部に収納されている。
ＨＤｔＪ１０３は、８個あり、これらが２個ずつ四段に
収納しである。容器１００は、底の一辺の長さが０．５
〜１゜５ｍ、高さが約２ｍである。
第３図においてＡ及びＢは、磁気ヘッド及び磁気ディス
クに清浄な空気を供給するための空気の流れを示す。
本発明を用いることにより、上部磁性膜先端部を後部と
の材料を変えられることはすでに述べたが、このため磁
気ディスクに対する書き込み磁界を大きくできる。した
がって述来の磁気ディスク装置と同じ磁界で書き込めば
充分である場合には、薄膜磁気ヘッドを小型化できる。
又は、導体コイルのターン数を小さくすることができる
ため、薄膜磁気ヘッドのインダクタンスが小さくなり、
この結果高周波でこの磁気ディスク装置を使用すること
ができる。つまり、データの転送速度が大きくでき、直
径９．５　インチの磁気ディスクを１分間当り、４５０
０〜５５００回で回転させる場合、一秒間当り４．５〜
６．５メガバイトのデータを転送することができる。
また書き込み磁界を大きくできることにより保持力の大
きい磁気ディスクを使用することができるため高い線密
度で記録することができる６さらに、高記録密度化が達
成されるため、大容量化が可能であり、６０ギガバイト
以上の磁気ディスク装置を提供できる。
さらにまた現在使用の磁気ディスク装置と同じ記憶容量
で充分な場合には、磁気ディスク装置を小型化すること
ができ、磁気ディスクも小さくできる。このため、アク
セス時間が短い、高速シークが可能となり、消費電力が
小さい磁気ディスク装置を提供できる。
第４図は、本発明の薄膜磁気ヘッドを所定のスライダに
形成した状態を斜視図で示す。
符号４１はスライダであり、例えば非磁性セラミック等
である。符号４２は薄膜磁気ヘッドであり、一般的には
第２図に示す形状を有するが本発明では以下に述べる形
状を有する。符号４３は浮上面を示し、磁気ディスクと
対向する面である。
第５図は、第４図に示すスライダを荷重アーム上に形成
した薄膜磁気ヘッドを斜視図で示す。
符号５１は、スライダ４１をささえる荷重アームを示す
。符号５３はジンバルバネであり、磁気ディスクとの距
離を一定に保つ作用をするものである。この磁気ディス
クをスライダ４２の先端に形成された薄膜磁気ヘッド４
２との、磁気ディスク装置の起動状態における距離は、
一般に浮上量と言われ磁気ディスク装置の性能の重要な
要素の一つである。本発明の薄膜磁気ヘッドではこの浮
上量を０．３　　μｍ以下とすることができる。
第８図（ａ）は、本発明の薄膜磁気ヘッドの主要部分の
断面図である。
本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドはセラミック材
料もしくはセラミック材料の表面に下地膜を形成した基
板２１の上部に、下部磁性膜２２゜下層絶縁膜１１．ギ
ャップ膜２５．上部磁性膜先端部１２．保護膜１３，２
層の導体コイル２６゜２層の上層絶縁膜１４．上部磁性
膜後部１５及び素子保護膜２８を積層した構造となって
いる。上部磁気コアは２つに分割され、先端部１２と後
部１５とが、保護膜１３に設けたコンタクトホール１６
を通して接続しており、下部磁性膜２２とともに磁気回
路を形成している。
上部磁性膜の後部１５の膜厚は４μｍであり、上部磁性
膜の先端部１２の膜厚２μｍより大きくして磁束の絞り
込み効果を高めている。
また、上部磁性膜後部１５の先端（Ａ）は、ギャップ深
さＯの点（Ｂ）よりも後方に位置している。これはギャ
ップ深さをできるだけ小さくした場合、上部磁性膜後部
１５から発生する漏れ磁束が記録媒体に影響を与えるこ
とを防ぐためであり。
同時に記録媒体からの信号磁界が上部磁性膜後部１５を
通って信号歪みを生ずることを防ぐためである。
また、コンタクトホール１６の後端（Ｃ）よりも上部磁
性膜先端部１２の後端（Ｄ）は、ヘッドの後方に向かっ
て突き出ているが、これはコンタクトホール１６を通し
て上部磁性膜先端部１２と後部１５を確実に接続させる
ことを目的としている。ただし、この突き出し量（Ｄと
Ｃの位置の水平方向距離）が大き過ぎると、下部磁性膜
２２との間の磁束漏れ量が増加して磁気ヘッド効率が低
下する場合がある。
一方、下部磁性膜２２は、上部磁性膜と同様に磁束の絞
り込み効果を高めるために、途中の位置（Ｅ）から後方
では膜厚が増加した構造となっている。上部磁性膜から
下部磁性膜への磁束の透過を防止するためにも膜厚を厚
くすることが好ましい。
また、磁束の飽和を防ぐために、Ｅの位置はＤの位置よ
りも前に配置している。
また、第１図（、）においては、下層絶縁膜１１は１層
、上ＭＩＩＡＩＩｉ＃膜１４及び導体コイル２６は２層
構造から成っているが、本発明の効果は上記から明らか
なように磁気コア部分の構成によって主に達成されるも
のであり、下層及び上層の絶縁膜や導体コイルの暦数が
変わっても、本発明の効果を何らそこなうものではない
。
一方、第２図に示した従来例の＃膜磁気ヘッドとは異な
り、第１図（、）に示した薄膜磁気ヘッドにおいては、
ギャップ膜２５が、下層絶縁膜１−１の上部に配置され
た構造をとっている。これは、上部磁性膜先端部１２の
パターンをエツチング等で形成する時や、エツチングマ
スクを除去する時などに、下層絶縁膜１１の表面がダメ
ージを受けることを防ぐために有効である。
また、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の上部磁性膜部分
のみを上から見た図である。コンタクトホール１６は、
磁性膜接続面積をできるだけ大きくするために、磁気コ
アが広がり出している位置（Ｆ）よりも後方に配置され
ている。また、製造工程において上部磁性膜先端部１２
及び後部１５の位置合わせズレが生じた場合でも、磁気
コア形状に大きな凹凸が生じないようにするため、先端
部１２の磁気コア広がり角度を、後部１５の磁気コア広
がり角度よりも小さくしている。
第８図に、本発明の効果を表わすヒストグラムを示す。
第８図に示された方法で作製した薄膜磁気ヘッドのポー
ル長分布と５本発明の方法で作製した薄膜磁気ヘッドの
ボール長分布とを比較したものであり、いずれもポール
長３．７　μｍを目標値として作製した場合の結果を表
わしている。従来法を用いた場合、磁気ヘッド作製工程
中で上部磁性膜先端部がエツチングされるため、ボール
長のばらつきが大きいのに対して、本発明を適用した場
合は、ポール長のばらつきは磁性膜及びギャップ膜の成
膜膜厚ばらつきのみに依存することから、ボール長を高
精度に制御できることがわかる。
一方、トラック幅精度についても、従来法と本発明につ
いて比較したところ、上部磁性膜先端部のパターン側壁
がエツチングされない構造となっている本発明の方が、
従来法と比べて、トラック幅精度を±０．１、〜０．２
μｍ高精度化できることがわかった。
従って、本発明を適用することにより、形状精度のすぐ
れた、高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドを実現できる
ことがわかった。
第９図（、）は、本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘ
ッドの構造を表わす主要部分の断面図を示す。第７図（
ａ）とは異なり、下層絶縁膜［１が２層構造となってお
り、上部磁性膜先端部１２はその上に形成されている。
また、ギャップ膜２５は、従来構造の磁気ヘッドと同様
に、下部磁性膜２２と下層絶縁ｒＰＡ１．１の間に形成
されている。
第９図（ａ）に示した構造を適用した場合でも、本発明
の主たる目的であるボール長及びトラック幅を高精度に
制御した薄膜磁気ヘッドを実現することは可能である。
本実施例によれば上部磁性膜後部が段差の小さい状態で
形成できるため上部磁性膜後部の形成が容易である。
また、第９図（ｂ）に、第９図（ａ）の上部磁性膜部分
のみを上から見た図を示す。コンタクトホール１６は、
磁性膜接続面積をできるだけ大きくするために、上部磁
性膜先端部１２及び後部１５のパターンからはみ出す形
に形成されている。
第１０図に、本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘッド
の構造を表わす主要部分の断面図を示す。
第７図及び第９図とは異なり、上部磁性膜先端部１２は
、下部磁性膜２２及びギャップ膜２５のすぐ上部に形成
されており、下層絶縁膜にあたる層はない。絶縁膜はす
べて上層絶縁膜Ｊ４として配置されており、第１０図の
場合、３層構造となっている。
本実施例によれば、上部磁性膜先端部が、ギャップ膜上
の平坦な部分で形成できるため、先端部のトラック幅を
高精度に形成できる。
第１１図に、本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘッド
の構造を表わす主要部分の断面図を示す。
第１１図では、基板２１に段差が形成されており、磁気
ヘッド先端部が段差上部に、磁気ヘッド後部が段差下部
に形成された構造となっている。この第１１図に示した
構造をとることにより、上部磁性膜先端部１２を形成す
る際の段差高さが第７図の場合より低くできることから
、トラック幅精度がさらに向上することができる。
また、導体コイル２６を形成する際の段差高さも、同様
に低くできることから、微細かつアスペクト化の大きい
導体コイルを形成するのが容易となり、より特性のすぐ
れた薄膜磁気ヘッドが実現できる。
第１２図に、本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘッド
の構造を表わす主要部分の断面図を示す。
全体の構造はほぼ第７図に示した構造と類似しているが
、上部磁性膜先端部１２の後部に磁気抵抗効果膜８１が
配置されており、第１２図中には示さないがこの磁気抵
抗効果膜８１には電流が流せる構造になっている。第１
２図に示した薄膜磁気ヘッドは、信号の書き込み動作は
第７図に示した磁気ヘッドと同様の作用で行なうが、信
号の読み取り動作時は、磁気抵抗効果膜８１の電気抵抗
値の変化を信号として検出するＭＲヘッドとしての作用
で行なう。上部磁性膜先端部１２は、この時磁気抵抗効
果膜８１までのブラックスガイドとして働く。第１２図
に示したように、読み出し／書き込み分離型磁気ヘッド
を用いることにより、感度が高くかつ高記録密度に適し
た薄膜磁気ヘッドを実現できる。
第１３図は、上部磁性膜の一部分を上から見た図である
。磁性膜接続面積をできるだけ大きくするために、コン
タクトホール１６を上部磁性膜先端部１２の広がり部分
より大きくした。これにより製造工程において上部磁性
膜先端部１２及び後部１５の位置合せズレが生じた場合
でも、上部磁性膜先端部１２と後部１５とは磁気的に高
精度で接続できる。
第１４図に、本発明の一実施例としての薄膜磁気ヘッド
の製造方法を表わす断面図を示す。
■第１４図（ａ）に示したように、基板２１の上部に下
部磁性膜パターン２２．第１層絶縁膜パターン９１及び
ギャップ膜パターン２５を形成した。
■第９図（ｂ）に示したように、厚さ２μｍの磁性膜を
スパッタリングした後、イオンミリング法を用いて上部
磁性膜先端部１２を形成した。
■第９図（ｃ）に示したように厚さ１μｍのアルミナ膜
をスパッタリングして保護膜１３とした後、第１要港体
コイル９２．第２層絶縁膜９３゜第２要港体コイル９４
及び第３層絶縁膜９５を形成した。
■第９図（ｄ）に示したように、ホトレジストパターン
９６を形成し、このホトレジストパターン９６及び第２
層絶縁膜９３をマスク材として保護膜１３をエツチング
し、コンタクトホール１６を形成した。
■ホトレジス１−パターン９６を除去した後、第９図（
ｅ）に示したように、厚さ４μｍの磁性膜をスパッタリ
ングした後、イオンミリング法を用いて上部磁性膜後部
１５を形成し、磁気ヘッド構造の主要部分を得た。
また、上記においては、磁性膜をスパッタリング法で形
成した場合について述べたが、磁性膜をめっき法、蒸着
法等を用いて形成した場合でも、同様の構造の薄膜磁気
ヘッドが得られた。
また、本実施例の第１４図（ｄ）において述べたように
、コンタクトホール１６のエツチング用マスク材の一部
として第２層絶縁膜９３を用いることにより、コンタク
トホール１６の位置をセルフアライメントによって精度
良く決めることができる。
また、第１４図に示した構造の他に、第３層絶縁膜９５
の端部が第２層絶縁膜９３の端部より前方に位置してい
る場合でも、該第３層絶縁膜をマスク材として用いれば
、同様のセルフアライメント効果を得ることができる。
この様なセルフアライメントを用いた場合、コンタクト
ホール１６の端部と上層絶縁膜の端部は一致する。
第１５図に、本発明の他の実施例としての薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の一部を表わす断面図を示す。
■第１４図（ａ）から（ｄ）までと同様の工程を実施す
る。
■ホトレジスト９６を残したままで厚さ４μｍの磁性膜
１５を形成し５その上にホトレジストパターン９７を形
成して、第１５図（ｅ）に示した構造を得る。
■磁性膜をエツチングした後、ホトレジスト９６及び９
７を除去し、第１５図（ｆ）に示したように、上部磁性
膜後部１５を形成する。
第１５図に示した工程を用いることにより、上部磁性膜
後部１５の先端位置（Ｆ）と、コンタクトホール１６の
端部位置が、同じホトレジストパターン９６によって決
められるため、高精度な磁気コア形状が得られ、特性の
すぐれた薄膜磁気ヘッドが実現できる。
第１６図は、薄膜磁気ヘッドをウェーハ上に形成したー
・実施例を示す図である。
非磁性セラミック等からなるウェーハ４０上に、例えば
、第１４図で示した薄膜磁気ヘッドの製造工程をほどこ
すことにより、ウェーハ４０上に複数の薄膜磁気ヘッド
が形成される。これを、第４図に示すスライダ型の薄膜
磁気ヘッドに形成する。
これにより複数個の薄膜磁気ヘッドが同時に作製でき、
個々の薄膜磁気ヘッドも高精度である。
さらに本発明は、テープ状の磁気記録媒体を用いる例え
ばＶＴＲやフロッピディスクを用いる小型磁気ディスク
装置にも適用できる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、データ転送速度が１秒間当り４．０　
メガバイト以上、好ましくは４．５〜６．０メガバイト
の磁気ディスク装置が実現できる。
更に本発明によれば、大記憶容量の磁気ディスク装置が
提供できる。
本発明によれば、ボール長及びトラック幅の変動の少な
い高精度な磁性膜形状を有する薄膜磁気ヘッドが実現で
きる。
これにより高記録密度に適した薄膜磁気ヘッドが得られ
、磁気へラドコアの形状及び構造を最適化して、書き込
み及び読み出し特性のすぐれた薄膜磁気ヘッドが得られ
る。
更に本発明により、トラック幅が１０μｍ以下好ましく
は６μｍ以下が達成できた。
【図面の簡単な説明】
第１図は、磁気ディスク装置又は情報処理システムの構
成を示す概略図、第２図は、一般的な薄膜磁気ヘッドの
斜視図及び断面図、第３図は１本発明の一実施例の磁気
ディスク装置の斜視図、第４図は、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドをスライダに形成した斜視図、第５図は、荷重アー
ム上にスライダを形成した斜視図、第６図は本発明の効
果を示すヒストグラム、第７図〜第１３図は、本発明の
それぞれの実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図及び上面図
、第１４図及び第１５図は、本発明の実施例の薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す断面図、第１６図は、薄膜磁気
ヘッドのウェーハ上の形成図を示す。 １１・・・下ＭｙＡ縁膜、１２・・・上部磁性膜先端部
、１３・・・保護膜、１４・・・上層絶縁膜、１５・・
・Ｌ部磁性膜後部、１６・・・コンタクトホール、２１
・・・基板、２２・・・下部磁性膜、２５・・・ギャッ
プ膜、２６・・・導第 図 （ａ） 第 図 第 図 第 図 （ａ） 第 図 ギャップ長：０．４４μｍ ポール長 （μｍ） 第 図 ボール長（μｍ） ボール長（μｍ） （ａ） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、情報を記録する少なくとも１枚以上の磁気ディスク
    と、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み及び読み出しを
    行う薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有するヘッド・
    ディスク・アッセンブリを少なくとも１つ以上具備する
    磁気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドの上部
    磁気コアが、前記磁気ディスクに対向する先端部と、少
    なくとも該先端部上に形成した保護膜と、該保護膜に設
    けられたコンタクトホールを通じて該先端部と接続する
    後部とを有することを特徴とする磁気ディスク装置。 ２、情報を記録する少なくとも１枚以上の磁気ディスク
    と、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み及び読み出しを
    行う薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有するヘッド・
    ディスク・アッセンブリを少なくとも１つ以上具備する
    磁気ディスク装置において、一平方インチ当り５４メガ
    ビット以上の面記録密度を有する前記磁気ディスクを具
    備し、前記薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアが、前記磁気
    ディスクに対向する先端部及び該先端部と磁気的に接続
    する後部を有することを特徴とする磁気ディスク装置。 ３、情報を記録する少なくとも１枚以上の磁気ディスク
    と、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み及び読み出しを
    行う薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有するヘッド・
    ディスク・アッセンブリを少なくとも１つ以上具備する
    磁気ディスク装置において、一インチ当り１８００トラ
    ック以上のトラック密度を有する前記磁気ディスクを具
    備し、前記薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアが、前記磁気
    ディスクに対向する先端部及び該先端部を磁気的に接続
    する後部を有することを特徴とする磁気ディスク装置。 ４、情報を記録する少なくとも１枚以上の磁気ディスク
    と、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み及び読み出しを
    行う薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有するヘッド・
    ディスク・アッセンブリを少なくとも１つ以上具備する
    磁気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドの上部
    磁気コアが、前記磁気ディスクに対向する先端部と、少
    なくとも該先端部上に形成した保護膜と、該保護膜に設
    けられたコンタクトホールを通じて該先端部と接続する
    後部とを有し、該後部の膜厚が前記先部の膜厚よりも厚
    いことを特徴とする磁気ディスク装置。 ５、情報を記録する少なくとも１枚以上の磁気ディスク
    と、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み及び読み出しを
    行なう薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有するヘッド・
    ディスク・アッセンブリを少なくとも１つ以上具備する
    磁気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドの上部
    磁気コアが、前記磁気ディスクに対向する先端部と、少
    なくとも該先端部上に形成した保護膜と、該保護膜に設
    けられたコンタクトホールを通じて該先端部と接続する
    後部とを有し、前記薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアと前
    記薄膜磁気ヘッドの下部磁気コアとの間に配置された磁
    気抵抗効果膜を有することを特徴とする磁気ディスク装
    置。 ６、情報を記録する少なくとも１枚以上の直径が８〜１
    １インチの磁気ディスクと、 該磁気ディスクを一分間当り３５００回以上で回転させ
    る手段と、 前記磁気ディスクに対して情報の書き込み及び読み出し
    を行なう薄膜磁気ヘッドと、 該薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有するヘッド・デ
    ィスク・アッセンブリを少なくとも１つ以上具備する磁
    気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドが、前記
    磁気ディスクに対して、一インチ当り３０キロビット以
    上の線記録密度で情報の書き込み及び一秒間当り４メガ
    バイト以上のデータ転送速度で情報の読み出しを行う薄
    膜磁気ヘッドであることを特徴とする磁気ディスク装置
    。 ７、非磁性材料からなるスライダ上に、下部磁気コアと
    、該下部磁気コア上に形成され一端が前記下部磁気コア
    の一端に接し、他端が前記下部磁気コアの他端に磁気ギ
    ャップを介して対向し、これによって前記下部磁気コア
    と共に一部に前記磁気ギャップを有する磁気回路を形成
    する上部磁気コアと、両磁気コア間を通り磁気回路と交
    差する導体コイルとを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて
    、 前記上部磁気コアが、前記スライダの浮上面側の先端部
    と、少なくとも該先端部上に形成した保護膜と、該保護
    膜に設けられたコンタクトホールを通じて前記先端部と
    接続する後部とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ド。 ８、非磁性材料からなるスライダ上に、下部磁気コアと
    、該下部磁気コア上に形成され一端が前記下部磁気コア
    の一端に接し、他端が前記下部磁気コアの他端に磁気ギ
    ャップを介して対向し、これによって前記下部磁気コア
    と共に一部に前記磁気ギャップを有する磁気回路を形成
    する上部磁気コアと、両磁気コア間を通り磁気回路と交
    差する導体コイルとを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて
    、 前記上部磁気コアが、前記スライダの浮上面側の先端部
    と、少なくとも該先端部上に形成した保護膜と、該保護
    膜に設けられたコンタクトホールを通じて前記先端部と
    接続する後部とを有し、上部磁気コア上に少なくとも一
    層以上の素子保護膜を有することを特徴とする薄膜磁気
    ヘッド。 ９、非磁性材料からなるスライダ上に、下部磁気コアと
    、該下部磁気コア上に形成され一端が前記下部磁気コア
    の一端に接し、他端が前記下部磁気コアの他端に磁気ギ
    ャップを介して対向し、これによつて前記下部磁気コア
    と共に一部に前記磁気ギャップを有する磁気回路を形成
    する上部磁気コアと、両磁気コア間を通り磁気回路と交
    差する導体コイルとを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて
    、 前記上部磁気コアのトラック幅が、１０μｍ以下であり
    、前記上部磁気コアが少なくとも前記スライダの浮上面
    側の先端部及び該先端部と磁気的に接続する後部とを有
    することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 １０、非磁性材料からなるスライダ上に、下部磁気コア
    と、該下部磁気コア上に形成され一端が前記下部磁気コ
    アの一端に接し、他端が前記下部磁気コアの他端に磁気
    ギャップを介して対向し、これによって前記下部磁気コ
    アと共に一部に前記磁気ギャップを有する磁気回路を形
    成する上部磁気コアと、両磁気コア間を通り磁気回路と
    交差する導体コイルとを具備した薄膜磁気ヘッドを、荷
    重アームにより支持した支持機構を有する薄膜磁気ヘッ
    ドにおいて、 前記上部磁気コアが、前記スライダの浮上面側の先端部
    と、少なくとも該先端部上に形成した保護膜と、該保護
    膜に設けられたコンタクトホールを通じて先端部と接続
    する後部とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 １１、非磁気性材料からなる基板上に、下部磁気コアを
    形成する工程と、 該下部磁気コア上に非磁性材料からなる磁気ギャップ部
    を含む絶縁層を形成する工程と、前記磁気ギャップ部上
    に磁性材料からなる上部磁気コア先端部を形成する工程
    と、 少なくとも該先端部上に非磁性材料からなる保護膜を形
    成する工程と、 該保護膜上であって上部磁気コアと下部磁気コアとの間
    に磁気ディスクに対向する面で磁界を誘起する導体コイ
    ルを形成する工程と、 該導体コイルと導体コイルとの間及び前記上部磁気コア
    と導体コイルとの間を絶縁する絶縁層を形成する工程と
    、 前記保護膜の一部にコンタクトホールを形成する工程と
    、 該コンタクトホールを通して、前記上部磁気コア先端部
    と接続する上部磁気コア後部を形成する工程とを有する
    ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 １２、非磁性材料からなる基板上に、下部磁気コアを形
    成する工程と、 該下部磁気コア上に非磁性材料からなる磁気ギャップ部
    を含む絶縁層を形成する工程と、前記磁気ギャップ部上
    に磁性材料からなる上部磁気コア先端部を形成する工程
    と、 少なくとも該先端部上に非磁性材料からなる保護膜を形
    成する工程と、 該保護膜上であって上部磁気コアと下部磁気コアとの間
    に磁気ディスクに対向する面で磁界を誘起する導体コイ
    ルを形成する工程と、 該導体コイルと導体コイルとの間及び前記上部磁気コア
    と導体コイルとの間を絶縁する絶縁層を形成する工程と
    、 前記保護膜の一部にコンタクトホールを形成する工程と
    、 該コンタクトホールを通して、前記上部磁気コア先端部
    と接続する上部磁気コア後部を形成する工程と、 前記上部磁気コア先端部上に形成された保護膜の露出部
    分を除去する工程とを有することを特徴とする薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。 １３、磁気的に情報を書き込み及び読み出しを行う少な
    くても１つ以上のヘッド・ディスク・アッセンブリを有
    する磁気ディスク装置と、 書き込み及び読み出しを切り換える電子回路部と、 前記情報を処理する上位装置と、 該上位装置に前記電子回路部を介して前記磁気ディスク
    装置を接続するインターフェイス部とを具備する情報処
    理システムにおいて、 前記ヘッド・ディスク・アッセンブリは、情報を記録す
    る少なくとも１枚以上の磁気ディスクと、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み及び読み出しを
    行う薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを具備し、 前記磁気ディスクが、一平方インチ当り５４メガビット
    以上の面記録密度を有し、 前記薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアが、先端部と、少な
    くとも該先端部上に形成された保護膜と、該保護膜に設
    けられたコンタクトホールを通じて先端部と接続する後
    部とを有することを特徴とする情報処理システム。 １４、直径が８〜１１インチの磁気ディスクを一分間当
    り３５００回以上で回転する工程と、 前記磁気ディスクに対して情報を書き込み及び読み出し
    を行う薄膜磁気ヘッドであつて、該薄膜磁気ヘッドの上
    部磁気コアが、前記磁気ディスクに対向する先端部と、
    少なくとも該先端部上に形成した保護膜と、該保護膜に
    設けられたコンタクトホールを通じて前記先端部と接続
    する後部とを有し、前記薄膜磁気ヘッドを前記磁気ディ
    スクにアクセスする工程と、 前記磁気ディスクに対して、一インチ当り ３０キロビット以上の線記録密度で磁気的に情報を書き
    込む工程と、 再び、前記磁気ディスクに対して情報を書き込み及び読
    み出しを行う薄膜磁気ヘッドを前記磁気ディスクにアク
    セスする工程と、 前記磁気ディスクに前記線記録密度で書き込まれた前記
    情報を１秒間当り４メガバイト以上で読み出す工程とを
    有することを特徴とする情報の書込・読出方法。 １５、情報を記録する少なくとも１枚以上の直径９．５
    インチの磁気ディスクと、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み及び読み出しを
    行う薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有するヘッド・
    ディスク・アッセンブリを少なくとも１つ以上具備する
    磁気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドのデー
    タ転送速度が、一秒間当り４．５〜６．０メガバイトで
    あり、前記磁気ディスクを１分間当り４５００〜 ５５００回で回転する磁気ディスク回転手段を有するこ
    とを特徴とする磁気ディスク装置。
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