JPS6292215A - 磁気ヘツド - Google Patents

磁気ヘツド

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JPS6292215A
JPS6292215A JP23256585A JP23256585A JPS6292215A JP S6292215 A JPS6292215 A JP S6292215A JP 23256585 A JP23256585 A JP 23256585A JP 23256585 A JP23256585 A JP 23256585A JP S6292215 A JPS6292215 A JP S6292215A
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JP
Japan
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magnetic
thin film
film
magnetic flux
head
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JP23256585A
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English (en)
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Osamu Yokoyama
修 横山
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3916Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
    • G11B5/3919Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
    • G11B5/3922Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
    • G11B5/3925Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
    • GPHYSICS
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    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気へ〜ドの構造および製造方法に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、磁気抵抗効果薄膜および磁気へ・ノド先端か
ら磁気抵抗効果薄膜へ信号磁束を導びき。
ざらに磁気抵抗効果薄膜からこの信号磁束を磁気へラド
先端へ戻す之めの軟磁性薄膜で形成される磁束ガイドか
ら成る磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果薄膜よりも磁
気ヘッド先端側にある磁束ガ  □イドは磁気抵抗効果
薄膜の一方の面の側に、中た磁気抵抗効果薄膜よりも磁
気ヘッド後部側にある磁束ガイドは磁気抵抗効果薄膜の
もう一方の面の側に配置し、かつ、磁気抵抗効果薄膜の
下地となる絶縁膜としてバイアススパッタ法によって平
坦化し九無機膜を用いろことによって、磁束ガイドを流
れる信号磁束な有効に磁気抵抗効果薄膜に導びいて磁気
へ9ドの再生効率を向上させるものである。
〔従来の技術〕
従来の磁束ガイドセよび磁気抵抗効果薄膜を用い之磁気
ヘッドの構造は工KFiB  Trαns、 Mαg−
τol。
17  /166  pp 2884〜2889、ある
いは、日本応用磁気学会第39回研究会資料 pp61
〜72のように、磁気抵抗薄膜の一方の面の側圧の入磁
束ガイドがあっ之。
〔発明h′−解決しようとする問題点および目的〕L、
かじ、前述の従来技術では第4図に示す様に磁気記録媒
体から吸い上げた信号磁束409のうち一部の磁束41
0は磁気抵抗効果薄膜408を通って再生信号となるが
、磁気抵抗効果薄膜408を通らずに磁束ガイドの側面
406から407へ流れる磁束411もあり、この磁束
は再生信号に寄与せず、再生効率に無駄があるという問
題点な有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、一方の磁束ガイドの側面からも
う一方の磁束ガイドの側面を見込む見込入角ナベでの中
に磁気抵抗効果薄膜が存在し、磁束ガイドh”−記録媒
体から吸い上げ次磁束なすべて磁気抵抗効果薄膜に流そ
うとし、再生効率の良い磁気へlドを提供することにあ
る。
〔問題点な解決する之めの手段〕
本発明の磁気へ一部 h’は、 (1)  FB磁気抵抗効果薄膜導体薄模、絶縁模、軟
磁性薄膜な積層して成る曝気ヘッドで、磁路な構成する
前記軟磁性薄膜の一部hZ除去されており、該除去部に
前記磁気抵抗効果薄膜が配置されている磁気ヘッドにお
いて、前記除去部をはさんで前記磁気抵抗効果薄膜より
磁気ヘッド先端側【ある前記軟磁性薄膜が前記磁気抵抗
効果薄膜の一方の面の側圧あり、また、前記除去部をは
さんで前記磁気抵抗効果薄膜よね磁気ヘッド後部側にあ
る前記軟磁性嘆け、前記磁気抵抗効果薄膜のもう一方の
面の側にあることを特徴としており、(2)  [3気
抵抗効果薄膜の下地となる絶縁膜として、バイアススパ
ッタ法によって形成した無機膜を用いることtW徴とす
る。
〔実施例〕
以下、第1図から第3図までを用いて本発明の磁気ヘッ
ドの構造と製造方法を説明すると、第1図は本発明の磁
気ヘッドの主要部の断面図であり、填2図の平面図のA
 −A’の部分の断面を示している。まt、第2図では
絶縁膜103. 105゜108 、109 、 +1
1は省いである。
構造から説明してゐく、記録媒体からの信号磁束は下磁
極102、前部上磁極109、後部上磁極104、およ
び磁気抵抗効果素子106で構成される磁路を流れる。
この磁束を磁気抵抗効果素子106で検出するものであ
る。磁気抵抗効果素子106のバイアスは磁気抵抗効果
素子上に形成し次導体107の形状によって磁気抵抗効
果素子106を流れる電流の向きなかえる、いわゆるバ
ーバボール法によって印加している。
続いて製造方法な説明する。
基板101としてけ鳩O5・Ticの表面にkosが、
10μm厚程度付いているものを用い友。この他に非出
性基板としては結晶化ガラス、サファイヤなど、ま次磁
性基板としてはフェライトなどを用いることI!ICで
きる。磁性基板を用い友場合には、この磁性基板で下磁
極102の機能を代用することができ、工種短縮につな
がる。
次に下磁極102としてパーマロイをめっき法で2μm
寸は形成し7to下磁極102としてはスパッタ法で形
成し几パーマロイ、センダスト、co系非晶質合金等も
利用できる。
続いて、Sj 02にスパッタ法でけ着させ、CF4ガ
スのプラズマエツチングによってパターンを形成して第
1層絶縁膜103を形成した。
次に後部上田@104としてパーマロイをめっき法によ
って2總けけ形成し之。
続いて磁気抵抗効果素子106の下地となる第2絶縁膜
を形成するが、この方法を第3図を用いて説明する。
第3図社)は上述のようにして後部上磁極104まで形
成し友様子を示している。次如基板に小さなバイアスを
印加しなりcらスパッタを行うバイアススパッタ法によ
って5fflo2105 Ik寸着させる。
この時、下地の段差の高さけSjO!105の表面でも
ほとんどかわらないht、下地段差部でのマイクロクラ
ックはなく 、 5jO2105のステップカバレージ
は改善されている。
続いて、第3図(6)の場合に比べて大きなバイアスを
印加しながらスパッタな行うバイアススパッタ法でバイ
アスの大きざな適当な大きさとすることによって5io
2なざらに付着させようとすると、Bi 02105表
面な平坦化させることができる。
続いて、$気抵抗効果素子106と後部上磁極104の
オーバーラツプ部の間隔tを決める比めに逆スパツタを
行う(第3図傾)、本実施例でけtけ0.4μmとした
最後に、第3図(g)に示すように磁気ヘッド先端部?
エツチングして、第2層絶縁膜105の形成を終了する
このよう忙して形成し7を第2層絶縁膜105の上に磁
気抵抗効果素子106す形成する。本実施例ではパーマ
ロイを磁気抵抗効果素子長手方向忙約7゜Oeの磁界を
印加しながら500λ蒸着法で付着させ次。この直後、
同一の真空装置内でAuを約5aaaに付着させる。こ
のkuとパーマロイの2層膜な磁気抵抗効果素子の形状
にイオンj IJソング法形成する。引キ続いて、バー
バボールパターン107 ヲパーマpイ上のAtzのみ
をイオンミリングで形成する。ソノ後、MO/A’L/
MOの積層膜をリフトオフすることによって引出線20
2を形成する。パーバボール107と引出線202け接
合部201で接合されている。
次にBi OxをバイアススパッタすることによってQ
、3μm厚の第3層絶縁膜108を形成する。
次に磁気ヘッドのギャップ長な決める几めに第4層絶縁
膜109をα5 wm厚に形成する。このときのバタン
形状にはリフトオフ法を用いている。
第3層絶縁膜108と第4層絶縁膜109によって磁気
ヘッドのギャップ長が決まり、本実施例では0.8μ毒
とし友。
続いて、めっき法によって2μm厚のパーマロイで形成
される前部上磁極を形成する。
このように形成され7l−ti11気ヘッドの上にはオ
ーバーコート膜113が2o3 スパ・ツタ膜によって
形成され、この後、VB気ヘッドのスライダーを形成す
る切断、研削、研磨等の工程に移り、磁気ヘッド先端部
1141!l”−形成される。
本実施例の磁気ヘッドの前部上1極110.後部上磁極
1aa、および磁気抵抗効果素子106の配置によって
、前部上磁極110から後部上磁極104へ流れようと
する再生磁束、あるいけ逆に、後部上磁極104から前
部上磁極110へ流れようとする再生磁束のすべて1.
= 磁気抵抗効果素子を通ろうとし!:磁極104. 
110を流れる信号磁束な有効に使うことができ再生効
率を向上させることができる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、S束ガイドの段差を
バイアススパッタ法によって形成した無機率によって平
坦化し、その上に磁気抵抗効果薄膜な形成し、さらにそ
の上にもう一方の磁束ガイドを形成すること尾よって″
、特性の良い磁気抵抗効果膜と再生効率の良い磁気ヘッ
ドを提供できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の磁気ヘッドの主要部の断面図であり、
lE2図は本発明の磁気ヘッドの主要部の平面図である
。第3図(ロ))〜(g)は、バイアススパ、Vり法に
よる磁束ガイドの段差を平坦化する工程図である。14
4図は従来の磁気ヘッドの主要部の断面図である。 101・・・・・・基板 102・・・・・・軟磁性膜 103・・・・・・第1層絶縁膜 104・・・・・・軟磁性膜 105・・・・・・第2層絶縁膜 106・・・・・・磁気抵抗効果薄膜 107・・・・・・導体薄膜 108・・・・・・第3層絶縁膜 109・・・・・・第4 M絶縁膜 110・・・・・・軟磁性膜 111・・・・・・軟白性膜側面 112・・・・・・軟白性膜側面 113・・・・・・オーバーコート膜 114・・・・・・磁気ヘッド先端 201・・・・・・電極接合部 202・・・・・・引出線 203・・・・・・端子 t・・・・・・第2層絶縁膜属人 401・・・・・・基板 402・・・・・・軟磁性膜 403・・・・・・絶縁膜 404・・・・・・軟磁性膜 405・・・・・・軟磁性膜 406・・・・・・軟磁性噂側面 407・・・・・・軟磁性膜側面 408・・・・・・磁気抵抗効果薄膜 409・・・・・・磁束 410・・・・・・磁束 411・・・・・・磁束          以 上出
壓大 株式会社 諏訪精工舎 A′ ノ匠坑へ、1.!−,す1邦斗jη3口第2図 (b) Cシ イ多区孝L・3.ト・・ψ!塾N′J−コ=り岨翌−図
(くジ (e−〕 A44岨ヘンし/1嗜めべt工A図 笛 つ M

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)磁気抵抗効果薄膜、導体薄膜、絶縁膜、軟磁性薄
    膜を積層して成る磁気ヘッドで、磁路を構成する前記軟
    磁性薄膜の一部が除去されており、該除去部に前記磁気
    抵抗効果薄膜が配置されている磁気ヘッドにおいて、前
    記除去部をはさんで前記磁気抵抗効果薄膜より磁気ヘッ
    ド先端側にある前記軟磁性薄膜が前記磁気抵抗効果薄膜
    の一方の面の側にあり、また、前記除去部をはさんで前
    記磁気抵抗効果薄膜より磁気ヘッド後部側にある前記軟
    磁性薄膜は、前記磁気抵抗効果薄膜のもう一方の面の側
    にあることを特徴とする磁気ヘッド。
  2. (2)磁気抵抗効果薄膜の下地となる絶縁膜としてバイ
    アススパッタ法によって形成した無機膜を用いることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッド。
JP23256585A 1985-10-18 1985-10-18 磁気ヘツド Pending JPS6292215A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02247809A (ja) * 1989-03-20 1990-10-03 Hitachi Ltd 磁気ディスク装置及びこれに搭載する薄膜磁気ヘッドとその製造方法並びに情報の書込み・読出方法
US5095397A (en) * 1989-08-04 1992-03-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film magnetic head of embodied recording and reproducing transducer type
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