JP2560926B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関し、記録および再生特性の向上を図ったもので
ある。
方法に関し、記録および再生特性の向上を図ったもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは磁気ディスク装置の記
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の磁気ヘッドを図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視図である。ここで
は導体コイルを３層とした場合について示している。
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の磁気ヘッドを図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視図である。ここで
は導体コイルを３層とした場合について示している。
【０００３】この薄膜磁気ヘッド１は、鏡面研磨された
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ２Ｏ３−Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等で作られて
いる。
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ２Ｏ３−Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等で作られて
いる。
【０００４】磁気ギャップ層１６上には第１絶縁層１８
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【０００５】第４絶縁層３０の上には上部磁性層３２が
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２のポ
ール部と反対側の後部は、下部磁性層と密着している。
上部磁性層３２の上には、保護層３０がＳｉＯ２，Ａｌ
２Ｏ３等でスパッタ法により積層されて、全体を覆って
いる。
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２のポ
ール部と反対側の後部は、下部磁性層と密着している。
上部磁性層３２の上には、保護層３０がＳｉＯ２，Ａｌ
２Ｏ３等でスパッタ法により積層されて、全体を覆って
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気ヘッド
１では、ポールの磁気飽和により記録特性が劣化すると
いう問題があった。図２の薄膜磁気ヘッド１における書
込電流の大小によるポールの磁気飽和状態を図３に示
す。また、その説明を表１に示す。
１では、ポールの磁気飽和により記録特性が劣化すると
いう問題があった。図２の薄膜磁気ヘッド１における書
込電流の大小によるポールの磁気飽和状態を図３に示
す。また、その説明を表１に示す。
【０００７】 このように、従来の薄膜磁気ヘッド１では、書込み電流
をうまく調整しないと、図３（ａ），（ｃ）のような現
象が生じる。そして、図３（ｂ）のようにちょうどよい
磁界を安定して得るための製造プロセス、スロートハイ
ト（図２（ａ））の調整は困難をきわめ、歩留りが低か
った。この発明は、前記従来の技術における問題を解決
して、記録特性の向上を図った薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供しようとするものである。
をうまく調整しないと、図３（ａ），（ｃ）のような現
象が生じる。そして、図３（ｂ）のようにちょうどよい
磁界を安定して得るための製造プロセス、スロートハイ
ト（図２（ａ））の調整は困難をきわめ、歩留りが低か
った。この発明は、前記従来の技術における問題を解決
して、記録特性の向上を図った薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上に保
護層、下部磁性層、磁気ギャップ層、１層または複数層
の導体コイルおよびこの導体コイルを保護する非磁性絶
縁層、上部磁性層、保護層を積層し、前記下部磁性層の
下面のスロートハイトゼロ位置近傍の部分を凹状に形成
して、当該下部磁性層のポール部の厚みおよび当該下部
磁性層の最大厚み部分の厚みよりも薄い肉薄部を形成し
た薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、前記基板の
表面に前記下部磁性層の前記凹状の肉薄部を形成するた
めの凸部を形成し、当該凸部が形成された基板の上に前
記保護層を介して前記下部磁性層を形成し、当該下部磁
性層を非磁性体でカバーリングし、当該非磁性体から前
記下部磁性層にかけて研磨して当該下部磁性層を上面が
平坦な所定の厚さに形成し、当該下部磁性層の上に前記
磁気ギャップ層、前記導体コイル、前記非磁性絶縁層、
前記上部磁性層、前記保護層を順次形成したものであ
る。
護層、下部磁性層、磁気ギャップ層、１層または複数層
の導体コイルおよびこの導体コイルを保護する非磁性絶
縁層、上部磁性層、保護層を積層し、前記下部磁性層の
下面のスロートハイトゼロ位置近傍の部分を凹状に形成
して、当該下部磁性層のポール部の厚みおよび当該下部
磁性層の最大厚み部分の厚みよりも薄い肉薄部を形成し
た薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、前記基板の
表面に前記下部磁性層の前記凹状の肉薄部を形成するた
めの凸部を形成し、当該凸部が形成された基板の上に前
記保護層を介して前記下部磁性層を形成し、当該下部磁
性層を非磁性体でカバーリングし、当該非磁性体から前
記下部磁性層にかけて研磨して当該下部磁性層を上面が
平坦な所定の厚さに形成し、当該下部磁性層の上に前記
磁気ギャップ層、前記導体コイル、前記非磁性絶縁層、
前記上部磁性層、前記保護層を順次形成したものであ
る。
【０００９】
【作用】この発明によれば、下部磁性層の下面に当該下
部磁性層のポール部の厚みおよび下部磁性層の最大厚み
部分の厚みよりも薄い肉薄部を形成した薄膜磁気ヘッド
を作ることができる。この薄膜磁気ヘッドによれば、書
込電流を大きくすると肉薄部のみが磁気飽和し、ここで
ポール部先端に流れる総磁束量が制約されるため、ポー
ル部先端が飽和するほどの磁束は流れなくなる。したが
って、書込電流を大きくしても、磁気ギャップにシャー
プで強い書込磁界が発生し、書込密度を高めることがで
き、製造プロセス、スロートハイトの調整がさほど厳密
でなくても所望の記録特性を得ることができ、歩留りが
向上する。
部磁性層のポール部の厚みおよび下部磁性層の最大厚み
部分の厚みよりも薄い肉薄部を形成した薄膜磁気ヘッド
を作ることができる。この薄膜磁気ヘッドによれば、書
込電流を大きくすると肉薄部のみが磁気飽和し、ここで
ポール部先端に流れる総磁束量が制約されるため、ポー
ル部先端が飽和するほどの磁束は流れなくなる。したが
って、書込電流を大きくしても、磁気ギャップにシャー
プで強い書込磁界が発生し、書込密度を高めることがで
き、製造プロセス、スロートハイトの調整がさほど厳密
でなくても所望の記録特性を得ることができ、歩留りが
向上する。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。この発
明の製造方法によって作られる薄膜磁気ヘッドの一例を
図１（ａ）に示す。前記図２の従来の薄膜磁気ヘッドと
共通する部分には同一の符号を用いる。この薄膜磁気ヘ
ッド１は、鏡面研磨された清浄なスライダ基板１０とし
て、例えばＡｌ２Ｏ３−Ｔｉ系セラミック板等を有し、
この基板１０上にはスパッタ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２
Ｏ３等の保護層１２が１０数μｍ付着され、その上に下
部磁性層１４が電気メッキにより積層されている。下部
磁性層１４の上には磁気ギャップ層１６がスパッタ法に
より積層されて、磁気ギャップ１７を形成している。磁
気ギャップ層１６は例えば保護層１２と同様にＳｉ
Ｏ２，Ａｌ２Ｏ３等で作られている。
明の製造方法によって作られる薄膜磁気ヘッドの一例を
図１（ａ）に示す。前記図２の従来の薄膜磁気ヘッドと
共通する部分には同一の符号を用いる。この薄膜磁気ヘ
ッド１は、鏡面研磨された清浄なスライダ基板１０とし
て、例えばＡｌ２Ｏ３−Ｔｉ系セラミック板等を有し、
この基板１０上にはスパッタ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２
Ｏ３等の保護層１２が１０数μｍ付着され、その上に下
部磁性層１４が電気メッキにより積層されている。下部
磁性層１４の上には磁気ギャップ層１６がスパッタ法に
より積層されて、磁気ギャップ１７を形成している。磁
気ギャップ層１６は例えば保護層１２と同様にＳｉ
Ｏ２，Ａｌ２Ｏ３等で作られている。
【００１１】磁気ギャップ層１６上には第１絶縁層１８
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【００１２】第４絶縁層３０の上には上部磁性層３２が
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２の上
には、保護層３４がＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等でスパッタ
法により積層されて、全体を覆っている。
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２の上
には、保護層３４がＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等でスパッタ
法により積層されて、全体を覆っている。
【００１３】図１（ａ）のＡ部の構造を図１（ｂ）に拡
大して示す。また、下部磁性層１４の平面図を図１
（ｃ）に示す。この薄膜磁気ヘッド１は、下部磁性層１
４の下面のスローハイトゼロ位置６２またはその近傍位
置に凹状の肉薄部６４を形成したものである。肉薄部６
４の厚みは下部磁性層１４のポール部３６の厚みおよび
下部磁性層１４の最大厚み部分（この例では、下部磁性
層１４が厚く形成されているコア増厚部３７）の厚みの
いずれよりも薄く形成されている。すなわち、図１
（ｃ）のポール部３６，３８のＢ−Ｂ矢視図、肉薄部６
４のＣ−Ｃ矢視図、およびそのコア増厚部３７のＤ−Ｄ
矢視図は、それぞれ図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す
ようになり、ポール部３６の厚みをｎａ、肉薄部６４の
厚みをｎｂ、コア増厚部３７の厚みをｎｃとすると、 ｎａ＞ｎｂかつｎｃ＞ｎｂ の関係に設定されている。なお、ｎａとｎｃの大小関係
は任意でよいが、一般にｎｃを大きくして、コア全体の
磁気抵抗を下げることが多いため結果的にｎａ＜ｎｃと
なることが多い。図１の薄膜磁気ヘッド１における書込
電流の大小によるポールの磁気飽和状態を図５に示す。
また、その説明を表２に示す。
大して示す。また、下部磁性層１４の平面図を図１
（ｃ）に示す。この薄膜磁気ヘッド１は、下部磁性層１
４の下面のスローハイトゼロ位置６２またはその近傍位
置に凹状の肉薄部６４を形成したものである。肉薄部６
４の厚みは下部磁性層１４のポール部３６の厚みおよび
下部磁性層１４の最大厚み部分（この例では、下部磁性
層１４が厚く形成されているコア増厚部３７）の厚みの
いずれよりも薄く形成されている。すなわち、図１
（ｃ）のポール部３６，３８のＢ−Ｂ矢視図、肉薄部６
４のＣ−Ｃ矢視図、およびそのコア増厚部３７のＤ−Ｄ
矢視図は、それぞれ図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す
ようになり、ポール部３６の厚みをｎａ、肉薄部６４の
厚みをｎｂ、コア増厚部３７の厚みをｎｃとすると、 ｎａ＞ｎｂかつｎｃ＞ｎｂ の関係に設定されている。なお、ｎａとｎｃの大小関係
は任意でよいが、一般にｎｃを大きくして、コア全体の
磁気抵抗を下げることが多いため結果的にｎａ＜ｎｃと
なることが多い。図１の薄膜磁気ヘッド１における書込
電流の大小によるポールの磁気飽和状態を図５に示す。
また、その説明を表２に示す。
【００１４】 すなわち、図１の薄膜磁気ヘッド１によれば、書込電流
を大きくして肉薄部６４とコア増厚部３７の一部が磁気
飽和しても、肉薄部６４で、ポール部３６へ流れ込む総
磁束量が制約されてしまうため、ポール部３６の磁気飽
和は生じず、強くてシャープな書込磁界が得られる。し
たがって、このような強くてシャープな書込磁界が安定
して得られる書込電流の範囲が広いため製造プロセス、
スレートハイト調整にさほど厳密さが要求されず、歩留
りを向上させることができる。
を大きくして肉薄部６４とコア増厚部３７の一部が磁気
飽和しても、肉薄部６４で、ポール部３６へ流れ込む総
磁束量が制約されてしまうため、ポール部３６の磁気飽
和は生じず、強くてシャープな書込磁界が得られる。し
たがって、このような強くてシャープな書込磁界が安定
して得られる書込電流の範囲が広いため製造プロセス、
スレートハイト調整にさほど厳密さが要求されず、歩留
りを向上させることができる。
【００１５】なお肉薄部６４とポール部３６の厚みは、
ポール部３６を従来のポール部の厚みとし肉薄部６４を
それよりも薄く形成したり、あるいはこれとは逆に肉薄
部６４を従来のポール部の厚みに形成して、ポール部３
６を従来のポール部よりも厚く形成する等様々可能であ
る。後者のようにすればポール部の磁気抵抗が減少し
て、再生出力をより増大させることが可能になる。ただ
し、ポール部３６が厚すぎると磁気ギャップにおける磁
気勾配がなだらかになって書込磁界がシャープでなくな
るので、そのようにならない程度の厚みにする。
ポール部３６を従来のポール部の厚みとし肉薄部６４を
それよりも薄く形成したり、あるいはこれとは逆に肉薄
部６４を従来のポール部の厚みに形成して、ポール部３
６を従来のポール部よりも厚く形成する等様々可能であ
る。後者のようにすればポール部の磁気抵抗が減少し
て、再生出力をより増大させることが可能になる。ただ
し、ポール部３６が厚すぎると磁気ギャップにおける磁
気勾配がなだらかになって書込磁界がシャープでなくな
るので、そのようにならない程度の厚みにする。
【００１６】なお、図１（ｂ）において肉薄部前端部６
４ａの位置はスロートハイトゼロ位置６２を原点とし
て、＋側は先端露出面にきわめて近い位置（スロートハ
イトは通常０．５〜５μｍ）から一側はコア増厚部３７
に重なったり到達したりせずかつ−２０μｍまでの範囲
内に設定するのが適正な位置（スロートハイトゼロ位置
付近）で磁気飽和させるために好ましい。
４ａの位置はスロートハイトゼロ位置６２を原点とし
て、＋側は先端露出面にきわめて近い位置（スロートハ
イトは通常０．５〜５μｍ）から一側はコア増厚部３７
に重なったり到達したりせずかつ−２０μｍまでの範囲
内に設定するのが適正な位置（スロートハイトゼロ位置
付近）で磁気飽和させるために好ましい。
【００１７】この発明の製造方法の一実施例として、図
１の薄膜磁気ヘッド１の製造工程の一例を図６により説
明する。 研磨された基板１０の表面に下部磁性層１４のコア
側の部分６６を形成するための窪み５５および肉薄部６
４を形成するための凸部５７を形成する。 保護層１２を形成した上にパーマロイ等を電気めっ
きして、下部磁性層１４を形成する。 非磁性体５６でカバーリングする。 研磨して下部磁性層１４を所定の厚さに形成する。 磁気ギャップ層１６を形成し、その上に各段コイル
層および絶縁層を形成し、さらに上部磁性層３２を形成
し、最後に保護層３４を形成する。そして、所定の位置
６０まで切削、研磨して完成する。これにより、肉薄部
６４が形成された薄膜磁気ヘッドが作られる。
１の薄膜磁気ヘッド１の製造工程の一例を図６により説
明する。 研磨された基板１０の表面に下部磁性層１４のコア
側の部分６６を形成するための窪み５５および肉薄部６
４を形成するための凸部５７を形成する。 保護層１２を形成した上にパーマロイ等を電気めっ
きして、下部磁性層１４を形成する。 非磁性体５６でカバーリングする。 研磨して下部磁性層１４を所定の厚さに形成する。 磁気ギャップ層１６を形成し、その上に各段コイル
層および絶縁層を形成し、さらに上部磁性層３２を形成
し、最後に保護層３４を形成する。そして、所定の位置
６０まで切削、研磨して完成する。これにより、肉薄部
６４が形成された薄膜磁気ヘッドが作られる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、下部磁性層の下面に当該下部磁性層のポール部の厚
みおよび下部磁性層の最大厚み部分の厚みよりも薄い肉
薄部を形成した薄膜磁気ヘッドを作ることができる。こ
の薄膜磁気ヘッドによれば、書込流を大きくすると肉薄
部が磁気飽和し、ここでポール部先端に流れる総磁束量
が制約されるため、ポール部先端が飽和するほどの磁束
は流れなくなる。したがって、書込電流を大きくして
も、磁気ギャップにシャープで強い書込磁界が発生し、
書込密度を高めることができ、製造プロセス、スロート
ハイトの調整がさほど厳密でなくても所望の記録特性を
得ることができ、歩留りが向上する。
ば、下部磁性層の下面に当該下部磁性層のポール部の厚
みおよび下部磁性層の最大厚み部分の厚みよりも薄い肉
薄部を形成した薄膜磁気ヘッドを作ることができる。こ
の薄膜磁気ヘッドによれば、書込流を大きくすると肉薄
部が磁気飽和し、ここでポール部先端に流れる総磁束量
が制約されるため、ポール部先端が飽和するほどの磁束
は流れなくなる。したがって、書込電流を大きくして
も、磁気ギャップにシャープで強い書込磁界が発生し、
書込密度を高めることができ、製造プロセス、スロート
ハイトの調整がさほど厳密でなくても所望の記録特性を
得ることができ、歩留りが向上する。
【図１】 この発明の製造方法によって作られる薄膜磁
気ヘッドの一例を示す図である。
気ヘッドの一例を示す図である。
【図２】 従来の薄膜磁気ヘッドを示す図である。
【図３】 図２の薄膜磁気ヘッドにおける書込電流値と
磁気飽和の関係を示す図である。
磁気飽和の関係を示す図である。
【図４】 図１（ｃ）のＢ−Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ各矢視
図である。
図である。
【図５】 図１の薄膜磁気ヘッドにおける書込電流値と
磁気飽和の関係を示す図である。
磁気飽和の関係を示す図である。
【図６】 この発明の製造方法の一実施例を示す工程図
で図１の薄膜磁気ヘッドの製造工程の一例を示す図であ
る。
で図１の薄膜磁気ヘッドの製造工程の一例を示す図であ
る。
１ 薄膜磁気ヘッド １０ 基板 １２，３４ 保護層 １４ 下部磁性層 １６ 磁気ギャップ層 １７ 磁気ギャップ １８，２２，２６，３０ 非磁性絶縁層 ２０，２４，２８ コイル層（導体コイル） ３２ 上部磁性層 ３６ リーディングポール（ポール部） ３７ コア増厚部（下部磁性層の最大厚み部分） ３８ トレーリングポール（ポール部） ５５ 窪み ５６ 非磁性体 ５７ 凸部 ６２ スロートハイトゼロ位置 ６４ 肉薄部
Claims (2)
- 【請求項１】基板（１０）上に保護層（１２）、下部磁
性層（１４）、磁気ギャップ層（１６）、１層または複
数層の導体コイル（２０、２４、２８）およびこの導体
コイルを保護する非磁性絶縁層（１８、２２、２６、３
０）、上部磁性層（３２）、保護層（３４）を積層し、
前記下部磁性層（１４）の下面のスロートハイトゼロ位
置（６２）近傍の部分を凹状に形成して、当該下部磁性
層（１４）のポール部（３６）の厚みおよび当該下部磁
性層（１４）の最大厚み部分の厚みよりも薄い肉薄部
（６４）を形成した薄膜磁気ヘッド（１）を製造する方
法であって、 前記基板（１０）の表面に前記下部磁性層（１４）の前
記凹状の肉薄部（６４）を形成するための凸部（５７）
を形成し、当該凸部（５７）が形成された基板（１０）
の上に前記保護層（１２）を介して前記下部磁性層（１
４）を形成し、当該下部磁性層（１４）を非磁性体（５
６）でカバーリングし、当該非磁性体（５６）から前記
下部磁性層（１４）にかけて研磨して当該下部磁性層
（１４）を上面が平坦な所定の厚さに形成し、当該下部
磁性層（１４）の上に前記磁気ギャップ層（１６）、前
記導体コイル（２０、２４、２８）、前記非磁性絶縁層
（１８、２２、２６、３０）、前記上部磁性層（３
２）、前記保護層（３４）を順次形成してなる薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】基板（１０）上に保護層（１２）、下部磁
性層（１４）、磁気ギャップ層（１６）、１層または複
数層の導体コイル（２０、２４、２８）およびこの導体
コイルを保護する非磁性絶縁層（１８、２２、２６、３
０）、上部磁性層（３２）、保護層（３４）を積層し、
前記下部磁性層（１４）の下面のスロートハイトゼロ位
置（６２）近傍の部分を凹状に形成して、当該下部磁性
層（１４）のポール部（３６）の厚みおよび当該下部磁
性層（１４）の最大厚み部分の厚みよりも薄い肉薄部
（６４）を形成した薄膜磁気ヘッド（１）を製造する方
法であって、 前記基板（１０）の表面に前記下部磁性層（１４）の前
記凹状の肉薄部（６４）を形成するための凸部（５７）
と当該下部磁性層（１４）のコア側の部分を形成するた
めの窪み（５５）をそれぞれを形成し、当該凸部（５
７）および窪み（５５）が形成された基板（１０）の上
に前記保護層（１２）を介して前記下部磁性層（１４）
を形成し、当該下部磁性層（１４）を非磁性体（５６）
でカバーリングし、当該非磁性体（５６）から前記下部
磁性層（１４）にかけて研磨して当該下部磁性層（１
４）を上面が平坦な所定の厚さに形成し、当該下部磁性
層（１４）の上に前記磁気ギャップ層（１６）、前記導
体コイル（２０、２４、２８）、前記非磁性絶縁層（１
８、２２、２６、３０）、前記上部磁性層（３２）、前
記保護層（３４）を順次形成してなる薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087491A JP2560926B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US08/375,127 US5479310A (en) | 1991-03-20 | 1995-01-17 | Thin film magnetic head having a variable thickness magnetic layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087491A JP2560926B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356705A JPH04356705A (ja) | 1992-12-10 |
| JP2560926B2 true JP2560926B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=13916430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3087491A Expired - Lifetime JP2560926B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-26 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560926B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4819111A (en) * | 1986-08-29 | 1989-04-04 | Magnetic Peripheral Inc. | Thin film head with reduced cross section in the core for causing magnetic saturation in the leading leg's throat area |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP3087491A patent/JP2560926B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04356705A (ja) | 1992-12-10 |
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